JPH1195405A - Production of photomask - Google Patents
Production of photomaskInfo
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- JPH1195405A JPH1195405A JP25454697A JP25454697A JPH1195405A JP H1195405 A JPH1195405 A JP H1195405A JP 25454697 A JP25454697 A JP 25454697A JP 25454697 A JP25454697 A JP 25454697A JP H1195405 A JPH1195405 A JP H1195405A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィーで使用するフォトマスクの製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing a photomask used in photolithography.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィーにおける露
光パターンの微細化に伴い、解像度の向上を図るために
種々の態様から成るフォトマスクが考えられている。例
えば、位相シフト法を適用した位相シフトマスクでは、
透過する光の位相差を有効に利用して、微細なパターン
を精度良く形成できるようにしている。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of exposure patterns in photolithography, photomasks having various modes have been considered in order to improve resolution. For example, in a phase shift mask to which the phase shift method is applied,
A fine pattern can be accurately formed by effectively utilizing the phase difference of transmitted light.
【０００３】この位相シフトマスクを製造するには、Ｃ
ＡＤ（コンピュータ支援設計）による設計データに基づ
き位相差を利用して微細パターンを形成するためのマス
クデータを生成し、このマスクデータを用いて描画装置
でマスクに対する電子線描画を行っている。[0003] To manufacture this phase shift mask, C
A mask data for forming a fine pattern is generated using a phase difference based on design data by an AD (computer-aided design), and an electron beam is drawn on a mask by a drawing apparatus using the mask data.
【０００４】位相シフトマスクのうち、遮光膜を用いな
いハーフトーン位相シフトマスクでは、マスクパターン
内に大きな図形（パターン）が存在すると、その周囲に
小さな補助パターンを付加して描画の際のパターンエッ
ジの強調等を行っている。Among the phase shift masks, in a halftone phase shift mask that does not use a light-shielding film, when a large figure (pattern) exists in the mask pattern, a small auxiliary pattern is added around the mask pattern to form a pattern edge when drawing. Is emphasized.
【０００５】このようなハーフトーン位相シフトマスク
を製造するにあたり、元パターンと補助パターンとで描
画のドーズ量を変えることが望ましい。つまり、面積の
小さい補助パターンに対して面積の大きい元パターンと
同じドーズ量で描画を行うと、その面積の違いから補助
パターンを正確な大きさおよび形状に製造することが困
難となる。When manufacturing such a halftone phase shift mask, it is desirable to change the drawing dose between the original pattern and the auxiliary pattern. In other words, if writing is performed on an auxiliary pattern having a small area with the same dose as that of an original pattern having a large area, it is difficult to manufacture the auxiliary pattern into an accurate size and shape due to the difference in area.
【０００６】特にハーフトーン位相シフトマスクでは、
元パターンに対して補助パターンの大きさが非常に小さ
く（元パターンの１／１００程度）、両方のパターンを
正確に製造するには各々適切なドーズ量で描画を行う必
要がある。Particularly, in a halftone phase shift mask,
The size of the auxiliary pattern is much smaller than that of the original pattern (about 1/100 of the original pattern), and it is necessary to draw each with an appropriate dose in order to accurately manufacture both patterns.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトマスクの製造方法では、ＣＡＤデータにおいて元
パターンを持つセルの中に補助パターンを追加している
ため、元パターンと補助パターンとが同じセル内にでき
るようになっている。このため、フォトマスクを製造す
る描画装置において使用するマスクデータも元パターン
のデータと補助パターンのデータとが同じマスクパター
ン内に混在する状態となり、ラスタ系の描画装置では、
元パターンと補助パターンとで描画のドーズ量を変える
ことができないという問題が生じている。However, in the conventional photomask manufacturing method, since the auxiliary pattern is added to the cell having the original pattern in the CAD data, the original pattern and the auxiliary pattern are in the same cell. You can do it. For this reason, mask data used in a drawing apparatus for manufacturing a photomask is also in a state where the data of the original pattern and the data of the auxiliary pattern are mixed in the same mask pattern.
There is a problem that the drawing dose cannot be changed between the original pattern and the auxiliary pattern.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたフォトマスクの製造方法であ
る。すなわち、本発明は、所定のマスクデータを用いて
ラスタ描画を行いマスクパターンを形成するフォトマス
クの製造方法であって、マスクパターンのうち第１の面
積から成るマスクパターンの設計データに基づき第１の
ドーズ量でラスタ描画を行うための第１のマスクデータ
を作成する工程と、マスクパターンのうち第１の面積よ
り小さい第２の面積から成るマスクパターンの設計デー
タに基づき第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第
２のマスクデータを作成する工程と、第１のマスクデー
タを用い第１のドーズ量でラスタ描画して第１の面積か
ら成るマスクパターンを形成する工程と、第２のマスク
データを用い第２のドーズ量でラスタ描画して第２の面
積から成るマスクパターンを形成する工程とを備えてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method of manufacturing a photomask to solve such a problem. That is, the present invention relates to a method of manufacturing a photomask for forming a mask pattern by performing raster drawing using predetermined mask data, wherein the first mask is formed based on design data of a mask pattern having a first area. Generating first mask data for performing raster drawing at a dose amount of the second dose amount based on design data of a mask pattern having a second area smaller than the first area among the mask patterns. A step of creating second mask data for performing raster drawing, a step of forming a mask pattern having a first area by performing raster drawing with a first dose amount using the first mask data; Forming a mask pattern having a second area by raster-drawing with a second dose amount using the mask data.
【０００９】このような本発明では、製造するマスクパ
ターンのうち第１の面積から成るマスクパターンの設計
データに基づき第１のドーズ量でラスタ描画を行うため
の第１のマスクデータを作成し、第１の面積より小さい
第２の面積から成るマスクパターンの設計データに基づ
き第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマス
クデータを作成していることから、これら第１のマスク
データ、第２のマスクデータを用いて各々異なるドーズ
量でラスタ描画を行い、フォトマスクを製造できるよう
になる。According to the present invention, first mask data for raster drawing at a first dose is created based on design data of a mask pattern having a first area among mask patterns to be manufactured, Since the second mask data for performing the raster drawing with the second dose is created based on the design data of the mask pattern having the second area smaller than the first area, these first mask data By using the second mask data, raster drawing is performed at different doses, and a photomask can be manufactured.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に、本発明のフォトマスクの
製造方法における実施の形態を図に基づいて説明する。
図１は本実施形態を説明する模式図である。すなわち、
本実施形態におけるフォトマスクの製造方法は、形成し
たいパターンに応じた入力ＣＡＤデータから補助パター
ンを付加した出力ＣＡＤデータを生成し、これに基づい
て元パターンのマスクデータと、補助パターンのマスク
データとを生成して各々異なるドーズ量でラスタ描画を
行うようにしている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a method for manufacturing a photomask according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the present embodiment. That is,
In the photomask manufacturing method according to the present embodiment, output CAD data to which an auxiliary pattern is added is generated from input CAD data corresponding to a pattern to be formed, and mask data of an original pattern and mask data of an auxiliary pattern are generated based on the output CAD data. Is generated, and raster drawing is performed at different dose amounts.
【００１１】図１に示す入力ＣＡＤデータには複数の元
パターンのデータが存在している。ここでは、例えば図
中Ａ、Ｂの枠内にある元パターンＰ−Ａと元パターンＰ
−Ｂとに補助パターンが必要であるとする。The input CAD data shown in FIG. 1 includes a plurality of original pattern data. Here, for example, the original pattern P-A and the original pattern P in the frames A and B in the drawing are shown.
Assume that an auxiliary pattern is required for -B.
【００１２】元パターンに対して補助パターンが必要か
否かは、入力ＣＡＤデータにおいて元パターンに対応し
て付加されるプロパティ（パターン形状を識別するため
の文字情報）によって分かるようになっている。Whether or not an auxiliary pattern is necessary for the original pattern can be determined by a property (character information for identifying a pattern shape) added in the input CAD data corresponding to the original pattern.
【００１３】すなわち、入力ＣＡＤデータを作成する
際、補助パターンが必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−
Ｂにプロパティを付加しておく。これにより、出力ＣＡ
Ｄデータとしては、このプロパティによって元パターン
Ｐ−Ａ、Ｐ−Ｂに対応する補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ
−Ｂが付加されたものが出力されるようになる。That is, when creating the input CAD data, the original patterns PA, P-
A property is added to B. As a result, the output CA
As the D data, the auxiliary patterns SP-A, SP corresponding to the original patterns PA, PB by this property
The output to which -B is added is output.
【００１４】また、このような補助パターンＳＰ−Ａ、
ＳＰ−Ｂの付加を行うにあたり、元パターンＰ−Ａ、Ｐ
−Ｂのセルにおける原点と、補助パターンＳＰ−Ａ、Ｓ
Ｐ−Ｂのセルにおける原点とを一致させておく。この原
点を一致させておくことによって、元パターンＰ−Ａ、
Ｐ−Ｂと補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂとの相対位置
関係が一定となり、正確な位置に補助パターンＳＰ−
Ａ、ＳＰ−Ｂを付加できるようになる。Further, such auxiliary patterns SP-A,
When adding the SP-B, the original patterns PA, P
-B, the origin in the cell B and the auxiliary patterns SP-A, S
The origin in the cell P-B is made to coincide. By keeping this origin coincident, the original pattern PA,
The relative positional relationship between PB and the auxiliary patterns SP-A and SP-B becomes constant, and the auxiliary pattern SP-
A, SP-B can be added.
【００１５】次に、プロパティと補助パターンとの対応
について説明する。図２は補助パターンの付加における
対応表を説明する模式図である。すなわち、補助パター
ンを付加する元パターンＰ−１、Ｐ−２があり、それら
に各々プロパティ名ＭＡＲＫ−１、ＭＡＲＫ−２が付加
されているとする。Next, the correspondence between properties and auxiliary patterns will be described. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a correspondence table in adding an auxiliary pattern. That is, it is assumed that there are original patterns P-1 and P-2 to which an auxiliary pattern is added, and property names MARK-1 and MARK-2 are added to them.
【００１６】対応表とは、プロパティ名と補助パターン
のセル名との対応を示すものである。この例では、プロ
パティ名ＭＡＲＫ−１とセル名ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢと
が対応し、プロパティ名ＭＡＲＫ−２とセル名ＭＡＲＫ
−２−ＳＵＢとが対応している。The correspondence table shows correspondence between property names and cell names of auxiliary patterns. In this example, the property name MARK-1 and the cell name MARK-1-SUB correspond, and the property name MARK-2 and the cell name MARK
-2-SUB corresponds.
【００１７】したがって、元パターンＰ−１、Ｐ−２の
ＣＡＤデータに付加されたプロパティ名ＭＡＲＫ−１、
ＭＡＲＫ−２により、この対応表からセル名ＭＡＲＫ−
１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢが導かれ、各セル名
ＭＡＲＫ−１−ＳＵＢ、ＭＡＲＫ−２−ＳＵＢに対応す
る補助パターンのセルＳＰ−１、ＳＰ−２が元パターン
Ｐ−１、Ｐ−２に付加されることになる。Therefore, the property name MARK-1, which is added to the CAD data of the original patterns P-1 and P-2,
According to MARK-2, the cell name MARK-
1-SUB, MARK-2-SUB are derived, and cells SP-1, SP-2 of the auxiliary pattern corresponding to each cell name MARK-1-SUB, MARK-2-SUB are original patterns P-1, P-. 2 will be added.
【００１８】この際、先に説明したように、元パターン
Ｐ−１、Ｐ−２のセルの原点と補助パターンＳＰ−１、
ＳＰ−２のセルの原点とが一致していることから、元パ
ターンＰ−１、Ｐ−２に対して正確な位置に補助パター
ンＳＰ−１、ＳＰ−２を付加できるようになっている。At this time, as described above, the origins of the cells of the original patterns P-1, P-2 and the auxiliary patterns SP-1,
Since the origin of the cell of SP-2 matches, the auxiliary patterns SP-1 and SP-2 can be added at accurate positions with respect to the original patterns P-1 and P-2.
【００１９】図３は出力ＣＡＤデータの構成を示す模式
図である。すなわち、出力ＣＡＤデータは、元パターン
のデータが入れられる入力パターン用セルと、補助パタ
ーンのデータが入れられる補助パターン付加用セルとを
下の階層に持つようなセルをトップセルとした構成とな
っている。FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of output CAD data. In other words, the output CAD data has a configuration in which a cell having an input pattern cell in which the data of the original pattern is stored and an auxiliary pattern adding cell in which the data of the auxiliary pattern is stored in a lower layer is a top cell. ing.
【００２０】入力パターン用セルには、補助パターンの
付加が必要となる元パターンＰ−Ａ、Ｐ−Ｂのほか、補
助パターンの付加が不要な元パターンのデータが入れら
れている。The input pattern cell contains the data of the original patterns PA and PB requiring the addition of the auxiliary pattern and the data of the original pattern not requiring the addition of the auxiliary pattern.
【００２１】また、補助パターン付加用セルには、必要
な補助パターンＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂのデータが含まれて
いる。この補助パターン付加用セルの原点はトップセル
の原点と一致しており、同じくトップセルの原点と一致
している入力パターン用セルに入れられた元パターンＰ
−Ａ、Ｐ−Ｂとの相対位置が一致するようになってい
る。The auxiliary pattern adding cell contains necessary data of auxiliary patterns SP-A and SP-B. The origin of the auxiliary pattern adding cell coincides with the origin of the top cell, and the original pattern P entered in the input pattern cell which also coincides with the origin of the top cell.
-A and P-B have the same relative position.
【００２２】次に、このようなＣＡＤデータに基づくフ
ォトマスクの製造手順について説明する。先ず、元パタ
ーンを含む入力ＣＡＤデータを作成するとともに、補助
パターンが必要となる元パターンにプロパティを付加し
ておく。Next, a procedure for manufacturing a photomask based on such CAD data will be described. First, input CAD data including an original pattern is created, and a property is added to an original pattern requiring an auxiliary pattern.
【００２３】このＣＡＤデータにおいては、図３に示す
ようなトップセルの下の階層に入力パターン用セルと補
助パターン付加用セルとが設けられた構成としておく。The CAD data has a configuration in which an input pattern cell and an auxiliary pattern addition cell are provided in a hierarchy below the top cell as shown in FIG.
【００２４】次に、トップセルの下の階層にあるセルの
中で、プロパティが付加され、かつ特定レイヤにあるパ
ターンを検索する。そのようなパターンがあった場合に
は以下の処理を行う。Next, a pattern in which a property is added and which is in a specific layer is searched for in a cell below the top cell. If there is such a pattern, the following processing is performed.
【００２５】トップセルの原点を基準として、検索さ
れたパターンを持つセルの座標値のオフセットを算出す
る。 検索されたパターンに付加しているプロパティに対応
した補助パターンのセル名を対応表（図２参照）より求
める。 対応表より求めたセル名で示される補助パターンのセ
ルの中にあるパターンを、補助パターン付加用セルに複
写して入れる。この補助パターンを複写する際には、特
定レイヤに変更し、上記で求めたオフセットを補助パ
ターンに加えるようにする。The offset of the coordinate value of the cell having the searched pattern is calculated with reference to the origin of the top cell. The cell name of the auxiliary pattern corresponding to the property added to the searched pattern is obtained from the correspondence table (see FIG. 2). The pattern in the cell of the auxiliary pattern indicated by the cell name obtained from the correspondence table is copied into an auxiliary pattern addition cell. When copying the auxiliary pattern, the auxiliary pattern is changed to a specific layer, and the offset obtained above is added to the auxiliary pattern.
【００２６】これによって、図４に示すような補助パタ
ーン付き出力ＣＡＤデータが生成される。次に、この補
助パターン付き出力ＣＡＤデータに対してマスクデータ
処理を施し、元パターンのマスクデータと補助パターン
のマスクデータとを別個生成する。As a result, output CAD data with an auxiliary pattern as shown in FIG. 4 is generated. Next, mask data processing is performed on the output CAD data with the auxiliary pattern to separately generate mask data of the original pattern and mask data of the auxiliary pattern.
【００２７】先に説明したように、補助パターン付き出
力ＣＡＤデータとして、トップセルの下の階層に入力パ
ターン用セルと補助パターン付加用セルとがあることか
ら（図３参照）、この入力パターン用セルのＣＡＤデー
タから元パターンのマスクデータを生成し、補助パター
ン付加用セルのＣＡＤデータから補助パターンのマスク
データを生成する。As described above, as output CAD data with an auxiliary pattern, there are a cell for an input pattern and a cell for adding an auxiliary pattern in a layer below the top cell (see FIG. 3). The mask data of the original pattern is generated from the CAD data of the cell, and the mask data of the auxiliary pattern is generated from the CAD data of the cell for adding the auxiliary pattern.
【００２８】これによって、図５に示すような元パター
ンのマスクデータと補助パターンのマスクデータとの２
つのマスクデータを容易で生成できるようになる。な
お、元パターンのマスクデータと補助パターンのマスク
データとが別個に生成されても、先に説明したように各
セルの原点が一致していることから、２つのマスクパタ
ーンの相対位置の整合は取れていることになる。As a result, the mask data of the original pattern and the mask data of the auxiliary pattern as shown in FIG.
Mask data can be easily generated. Even if the mask data of the original pattern and the mask data of the auxiliary pattern are separately generated, since the origins of the cells match as described above, the relative positions of the two mask patterns are not matched. You will be getting it.
【００２９】次に、この２つのマスクパターンに基づい
てラスタ系の描画装置による電子線描画を行う。すなわ
ち、先ず元パターンのマスクデータに基づいて、この元
データに適応した第１のドーズ量でラスタ描画を行う。Next, electron beam lithography is performed by a raster lithography apparatus based on the two mask patterns. That is, first, based on the mask data of the original pattern, raster drawing is performed with a first dose amount adapted to the original data.
【００３０】フォトマスクのパターンを形成するには、
予め透明ガラス基板等の表面にパターンとなる材料を一
様に塗布しておき、その上にフォトレジストを一様に塗
布しておく。その後、元パターンのマスクデータに基づ
いて描画装置によりラスタ描画を行う。これにより、フ
ォトレジストの元パターンの部分に対応する位置に第１
のドーズ量で電子線が照射される。To form a photomask pattern,
A material to be a pattern is uniformly applied on the surface of a transparent glass substrate or the like in advance, and a photoresist is uniformly applied thereon. After that, raster writing is performed by the writing apparatus based on the mask data of the original pattern. As a result, the first photoresist is located at a position corresponding to the original pattern portion of the photoresist.
The electron beam is irradiated at a dose of.
【００３１】次いで、補助パターンのマスクデータに基
づいて、この補助パターンに適応した第２のドーズ量で
ラスタ描画を行う。すなわち、先のフォトレジストの補
助パターンの部分に対応する位置に第２のドーズ量で電
子線が照射される。Next, based on the mask data of the auxiliary pattern, raster drawing is performed with a second dose adapted to the auxiliary pattern. That is, a position corresponding to the auxiliary pattern portion of the previous photoresist is irradiated with the electron beam at the second dose.
【００３２】このように元パターンと補助パターンとで
異なるドーズ量によってラスタ描画を行った後は、フォ
トレジストの現像を行い、この現像後のフォトレジスト
をマスクとしてその下のパターンとなる材料をエッチン
グする。その後、フォトレジストを剥離する。After the raster drawing is performed at different doses for the original pattern and the auxiliary pattern in this manner, the photoresist is developed, and the material for the pattern under the developed photoresist is etched using the developed photoresist as a mask. I do. Thereafter, the photoresist is stripped.
【００３３】これによって、元パターンと補助パターン
とで異なるドーズ量によってラスタ描画を行い、各々最
適な形状となったフォトマスクを製造できるようにな
る。As a result, raster drawing can be performed with different doses for the original pattern and the auxiliary pattern, and photomasks having optimal shapes can be manufactured.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトマ
スクの製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、第１の面積から成るマスクパターンの設計データに
基づき第１のマスクデータを作成し、第２の面積から成
るマスクパターンの設計データに基づきマスクデータを
作成していることから、これらのマスクデータを用いて
各々異なるドーズ量でラスタ描画を行うことができるよ
うになる。これによって、特にハーフトーン位相シフト
マスクのような大きなパターンと小さなパターンとが混
在する場合であっても、各々正確なパターン形状を持つ
フォトマスクを製造することが可能となる。As described above, according to the photomask manufacturing method of the present invention, the following effects can be obtained. That is, the first mask data is created based on the design data of the mask pattern having the first area, and the mask data is created based on the design data of the mask pattern having the second area. Raster drawing can be performed with different dose amounts using data. Thus, even when a large pattern and a small pattern, such as a halftone phase shift mask, are mixed, a photomask having an accurate pattern shape can be manufactured.
【図１】本実施形態を説明する模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an embodiment.
【図２】補助パターンの付加における対応表を説明する
模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a correspondence table in adding an auxiliary pattern.
【図３】出力ＣＡＤデータの構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of output CAD data.
【図４】出力ＣＡＤデータのマスクデータ処理を示す模
式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing mask data processing of output CAD data.
【図５】元データ、補助パターン各々のマスクデータを
示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing mask data of original data and auxiliary patterns.
Ｐ−１…元パターン、Ｐ−２…元パターン、ＳＰ−１…
補助パターン、ＳＰ−２…補助パターンP-1: original pattern, P-2: original pattern, SP-1 ...
Auxiliary pattern, SP-2 ... Auxiliary pattern
Claims (3)
を行いマスクパターンを形成するフォトマスクの製造方
法であって、 前記マスクパターンのうち第１の面積から成るマスクパ
ターンの設計データに基づき第１のドーズ量でラスタ描
画を行うための第１のマスクデータを作成する工程と、 前記マスクパターンのうち前記第１の面積より小さい第
２の面積から成るマスクパターンの設計データに基づき
第２のドーズ量でラスタ描画を行うための第２のマスク
データを作成する工程と、 前記第１のマスクデータを用い前記第１のドーズ量でラ
スタ描画して第１の面積から成るマスクパターンを形成
する工程と、 前記第２のマスクデータを用い前記第２のドーズ量でラ
スタ描画して第２の面積から成るマスクパターンを形成
する工程とを備えていることを特徴とするフォトマスク
の製造方法。1. A method of manufacturing a photomask, comprising forming a mask pattern by performing raster drawing using predetermined mask data, wherein a first pattern is formed based on design data of a mask pattern having a first area among the mask patterns. Generating first mask data for performing raster writing with a dose amount of: and a second dose based on design data of a mask pattern having a second area smaller than the first area among the mask patterns. Creating second mask data for performing raster writing with an amount, and forming a mask pattern having a first area by raster-drawing with the first dose using the first mask data. And forming a mask pattern having a second area by raster-drawing with the second dose using the second mask data. Manufacturing method of a photomask, characterized in that there.
の設計データに、前記第２の面積から成るマスクパター
ンとの関連を示す情報を付加することを特徴とする請求
項１記載のフォトマスクの製造方法。2. The photomask according to claim 1, wherein information indicating a relationship with the mask pattern having the second area is added to the design data of the mask pattern having the first area. Production method.
と前記第２の面積から成るマスクパターンとによってハ
ーフトーン位相シフトマスクを構成することを特徴とす
る請求項１記載のフォトマスクの製造方法。3. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein a mask pattern having the first area and a mask pattern having the second area constitute a halftone phase shift mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25454697A JPH1195405A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Production of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25454697A JPH1195405A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Production of photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195405A true JPH1195405A (en) | 1999-04-09 |
Family
ID=17266548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25454697A Pending JPH1195405A (en) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Production of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195405A (en) |
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