JPH033373B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種のデイスプレイ及び半導体集積
回路などの微細加工において利用されるパターン
形成方法に関し、特に、大型のパターンを被転写
板に転写するのに有用なパターン形成方法に関す
る。

〔従来の技術〕

従来のパターン形成方法として光学式パターン
ジエネレータを使用する方法が知られている。こ
の光学式パターンジエネレータは、キセノンラン
プなどの光源から発光する光をコンデンサレンズ
で集光し、バリアブルアパーチヤを通して拡大
（例：５〜１倍）された矩形を形成し、この矩形
の縮小投影レンズを通して縮小（例：１／５〜
１／10倍）して、XYステージ上に設置された被
転写板（例：レジストを塗布したフオトマスクブ
ランク）に露光する装置である。ここで、バリア
ブルアパーチヤは４枚のブレードで矩形を形成
し、向かい合つたブレードの間隔を調整すること
により、任意の矩形が得られる。そして、XYス
テージは、光波干渉を利用した測長機やリニアエ
ンコーダ等の測長機と接続されて、ＸとＹの各テ
ーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべきパ
ターンを位置決めする。上記露光後、現像・エツ
チング・レジスト剥離の所定の工程を経て、被転
写板上にパターンを形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、被転写板上に形成すべきパター
ン寸法が大型になつた場合、これに見合つた測長
機の大型化が必要になり、この大型化に伴つて、
機械加工精度の限界により測長機の精度が低下
し、結局パターンの位置決め精度の低下を余儀な
くされる。また、バリアブルアパーチヤによる矩
形の位置決め精度の低下により解像度が低下し、
更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下して
しまう。

本発明は、上記した問題点を解決するためにな
されたものであり、被転写板上に形成すべきパタ
ーン寸法が大型になつた場合においても、パター
ンの位置決め精度と解像度を高くしたパターン形
成方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記した目的を達成するためになさ
れたものであり、所望のパターンを複数個に分割
して分割パターンをそれぞれ形成すると共に、前
記分割パターンのそれぞれのパターン内又はパタ
ーン外に原版マスク用アライメントマークをそれ
ぞれ形成した複数個の原版マスクと、前記原版マ
スク用アライメントマークに適合して前記分割パ
ターンから前記所望のパターンを合成する位置関
係にある合成用アライメントマークを形成したア
ライメント用マスクを製作し、レジストを塗布し
た被転写板に前記アライメント用マスクを通して
露光して前記合成用アライメントマークを転写し
た後に、前記被転写板を現像し、エツチングし、
レジスト剥離することにより、前記合成用アライ
メントマークを形成した合成用アライメントマー
ク入り被転写板を製作し、次にレジストを塗布し
た前記合成用アライメントマーク入り被転写板に
転写された前記合成用アライメントマークに前記
原版マスク用アライメントマークを適合させ、前
記原版マスクを通して１個ずつ露光して前記分割
パターンを転写した後に、前記合成用アライメン
トマーク入り被転写板を現像し、エツチングし、
レジスト剥離することにより、前記所望のパター
ンを形成することを特徴とするパターン形成方法
である。

〔作用〕

本発明によれば、所望のパターン寸法が大型で
あつても、原版マスクを通して被転写版のレジス
トに分割パターンに対応して未露光部分又は露光
部分を転写し、次に被転写板を一括して現像し、
エツチングし、レジスト剥離することから、上述
した大型化の弊害を除去し、パターンの位置決め
精度と解像度を良好にし、更に製造効率を向上さ
せることができる。なお、原版マスク用アライメ
ントマークは、合成用アライメントマーク入り被
転写板上においてエツチング工程で遮光性膜が除
去される部分に位置するので、合成用アライメン
トマーク入り被転写板に転写されない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。本実施例の所望の大型パターンは、第２図に
示すようにフオトマスク１に形成されたＦ字状の
白抜き大型パターン２である。この白抜き大型パ
ターンは、遮光性膜がパターン外側にあつて、内
側にないものである。このフオトマスク１は、寸
法320mm□ ×2.3mm^tのソーダライムガラスからな
る透光性基板状にCrとCr_xO_rからなる遮光性膜を
被着し、フオトリソグラフイ工程を経て、この遮
光性膜を選択的にパターン化して、Ｆ字状の大型
パターン２を形成したものであり、このパターン
エリアは250mm□ である。

この所望の大型パターン２は、電子線描画装置
でXY座標のパターンデータ入力操作により４分
割され、パターンデータ上で、第３図ａ，ｂ，ｃ
及びｄにそれぞれ示すような分割パターン３，
４，５及び６を設定し、さらに、第４図に示すよ
うに、前述した電子線描画装置の露光可能領域Ａ
内で、かつこれ等の分割パターン３〜６のパター
ン内に、原版マスク用アライメントマーク７，
８，９，１０，１１，１２及び１３，１４もパタ
ーンデータ上で設定する。次に、第５図に示すよ
うに、原版マスク用アライメントマーク７〜１４
に適合して分割パターン３〜６から所望の大型パ
ターン２を合成する位置関係にある白抜き十字状
の合成用アライメントマーク７′〜１４′をパター
ンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、
第６図に示すように透光性基板１５（例：石英ガ
ラス）上に、スパツタリング法により成膜した遮
光性膜１６（例：Cr膜、膜厚700Å）と、スピン
コータ法により塗布したポジ型電子線レジスト１
７（例：PBS（チツソ(株)製）、膜厚4000Å）を形
成してなるフオトマスクブランクを５枚用意す
る。なお、上記レジスト１７はポジ型であるが、
パターンデータを反転させれば、ネガ型（例：
CMS−EX（SS）（東洋曹達工業(株)製））を使用し
てもよい。

この５枚のフオトマスクブランクに対して、前
述した電子線描画装置内で設定された、分割パタ
ーン３及び原版マスク用アライメントマーク７，
８と、分割パターン４及び原版マスク用アライメ
ントマーク９，１０と、分割パターン５及び原版
マスク用アライメントマーク１１，１２と、分割
パターン６及び原版マスク用アライメントマーク
１３，１４と、合成用アライメントマーク７′〜
１４′とをそれぞれ描画露光し、専用現像液
（例：PBS専用デベロツパ（チツソ(株)製））を用
いて現像し、ポストベークを行つた後、エツチン
グ液（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩
素酸を混合した水溶液）を用いてエツチングを行
い、次に剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の混
合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のフオト
リソグラフイ工程を経て、第３図ａ，ｂ，ｃ及び
ｄにそれぞれ示した原版マスク１８，１９，２０
及び２１と、第５図に示したアライメント用マス
ク２２とを製作する。

次に、第２図に示した本実施例の所望の大型パ
ターン２を転写する被転写板として、第７図に示
すように透光性基板２３（例：ソーダライムガラ
ス、寸法280mm□ ×2.3mmｔ）上に、スパツタリン
グ法により成膜した遮光性膜２４（例：基板２３
からCr膜とCr_xO_r膜、合計膜厚700Å）と、ロー
ルコート法により塗布したポジ型フオトレジスト
２５（例：AZ−1350（ヘキストジャパン(株)製）、
膜厚8000Å）を形成してなるフオトマスクブラン
ク２６を用意する。

次に、第５図に示したアライメント用マスク２
２をフオトマスクブランク２６上の中央部の所定
位置に密着固定して、紫外線光を上方からアライ
メント用マスク２２を通し、このアライメント用
マスク２２以外のエリアをアパーチヤによつて遮
光してフオトマスクブランク２６のレジスト２５
に露光し、専用現像液（例：AZ専用デベロツパ
（ヘキストジャパン(株)製））を用いて現像し、エツ
チング液（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと
過塩素酸を混合した水溶液）を用いてエツチング
を行い、次に剥離液（例；濃硫酸と過酸化水素水
の混合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のフ
オトリソグラフイ工程を経て、白抜き十字状の合
成用アライメントマーク７′〜１４′を転写して、
第８図に示すような合成用アライメントマーク入
り被転写板２６０を製作する。

次に、この被転写板２６０上に前述したポジ型
フオトレジスト２５と同様のレジストを塗布した
後、第３ａに示した原版マスク１８を被転写板２
６０上の左側上部に密着固定する。その際、光学
顕微鏡を通して、原版マスク１８の原版マスク用
アライメントマーク７，８被転写板２６０上の合
成用アライメントマーク７′，８′のそれぞれ位置
合わせして設置する。そして、紫外線光を上方か
ら原版マスク１８を通し、この原版マスク１８以
外のエリアをアパーチヤによつて遮光して被転写
板２６０上のレジストに露光して、第１図ａに示
すようなレジストパターン付き被転写板２６１を
製作する。この被転写板２６１には、原版マスク
１８の分割パターン３に対応した分割パターン用
露光部分３′が転写され、その他のエリアに未露
光部分２７が保持されている。

次に、先の原版マスク１８を取り外して、第３
図ｂに示した原版マスク１９を第１図ａに示した
被転写板２６１上の右側上部に設置する。その際
にも、光学顕微鏡を通して原版マスタ１９の原版
マスク用アライメントマーク９，１０を被転写板
２６１上の合成用アライメントマーク９′，１
０′にそれぞれ位置合わせして設置する。そして、
原版マスク１９を被転写板２６１上に密着固定し
て、前述したと同様に、紫外線光を上方から原版
マスク１９を通し、この原版マスク１９以外のエ
リアをアパーチヤによつて遮光して被転写版２６
１上の未露光部分２７に露光して、第１図ｂに示
すようなレジストパターン付き被転写板２６２を
製作する。この被転写板２６２には原版マスク１
９の分割パターン４に対応した分割パターン用露
光部分４′が新たに転写形成され、先に転写され
た分割パターン用露光部分３′と今回転写の分割
パターン用露光部分４′とで合成露光部２８を形
成している。なお、今回と前回露光されなかつた
エリアは未露光部分２９として保持される。

次に、先の原版マスク１９を取り外して、第３
図ｃに示した原版マスク２０を前述した被転写板
２６２上の左側下部に設置する。その際にも、光
学顕微鏡を通して、原版マスク２０の原版マスク
用アライメントマーク１１，１２を被転写板２６
２上の合成用アライメントマーク１１′，１２′に
それぞれ位置合わせして設置する。そして、原版
マスク２０を被転写板２６２上に密着固定して、
前述したと同様に、紫外線光を上方から原版マス
ク２０を通し、この原版マスク２０以外のエリア
をアパーチヤによつて遮光して被転写板２６２上
の未露光部分２９に露光して、第１図ｃに示すよ
うなレジストパターン付き被転写板２６３を製作
する。この被転写板２６３には、原版マスク２０
の分割パターン５に対応した分割パターン用露光
部分５′が新たに転写形成され、先に転写された
分割パターン用露光部分３′及び４′と今回転写の
分割パターン用露光部分５′とで合成露光部３０
を形成している。ここでも、今回までに露光され
なかつたエリアは、未露光部分３１として保持さ
れる。

そして最後に、先の原版マスク２０を取り外し
て、第３図ｄに示した原版マスク２１を前述した
被転写板２６３上の右側下部に設置する。その際
にも、光学顕微鏡を通して、原版マスク２１の原
版マスク用アライメントマーク１３及び１４をそ
れぞれ被転写板２６３上の合成用アライメントマ
ーク１３′及び１４′に位置合わせして設置する。
そして、原版マスク２１を被転写板２６３上に密
着固定して、前述したと同様に、紫外線光を上方
から原版マスク２１を通して、この原版マスク２
１以外のエリアをアパーチヤによつて遮光して被
転写板２６３上の未露光部分３１に露光して、第
１図ｄに示すようなレジストパターン付き被転写
版２６４を製作する。この被転写版２６４には、
原版マスク２１の分割パターン６に対応した分割
パターン用露光部分６′が新たに転写形成され、
先に転写された分割パターン用露光部分３′，
４′及び５′と今回転写の分割パターン用露光部分
６′とで合成露光部３２を形成している。ここで
も、今回までに露光されなかつたエリアは未露光
部分３３として保持される。

次に、合成露光部３２が転写された被転写板２
６４を専用現像液（例：AZ専用デベロツパ（ヘ
キストジヤパン(株)製））を用いて現像し、エツチ
ング液（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと過
塩素酸を混合した水溶液）を用いてエツチングを
行い、次に剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の
混合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のフオ
トリソグラフイ工程を経て、この合成露光部３２
と対応した、第２図に示したと同様な所望の白抜
き大型パターン２が形成される。なお、第１図ｄ
に示した合成露光部３２内のレジストの下にある
合成用アライメントマーク７′〜１４′は上記エツ
チング時に除去される。

以上の通り転写された分割パターン用露光部分
３′，４′，５′及び６′は、後の分割パターン用露
光部分（例：６′）が転写済の分割パターン用露
光部分（例：３′，４′，５′）を遮光して転写さ
れていることから、輪郭、部分において２重露光
転写を防止している。なお、第１図に示した合成
露光部２８，３０，３２において、電子線描画装
置のパターンデータ上の処理によつて、一方の分
割パターン用露光部分の接合部分（例：第１図ｂ
に示した分割パターン用露光部分３′の接合部分
（破線箇所））を他方の分割パターン用露光部分
（同：分割パターン用露光部分４′）のエリア内側
に延長して２重露光をすれば、合成露光部（同：
合成露光部２８）内の接合部分の露光不足を防止
し、前述したフオトリソグラフイ工程を経て、白
抜き大型パターン２を形成した場合、その白抜き
大型パターン２内で接合部分の細線状遮光性膜の
発生を防止することができる。

本実施例によれば、パターンの位置決め精度が
5ppm程度の誤差以内に収まり、またパターンの
解像度においてもパターン線幅1μｍまで可能で
あつた。したがつて、大型パターンに対して高い
位置決め精度で、かつ光解像度のパターンを形成
できることが確認された。また、４つの分割パタ
ーンを露光した後のフオトリソグラフイ工程を一
括して行うことから、製造効率を向上させること
ができた。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図
に示したように白抜きパターンであつたが、逆に
遮光性膜がパターンの内側にあつて、外側にな
い、いわゆる遮光性膜パターンについても本発明
は実施可能である。この遮光性膜パターンの実施
例については第６図、第７図及び第９図〜第１４
図を参照して説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第１０図に
示すようにフオトマスク３４に形成されたＦ字状
の遮光性膜大型パターン３５であり、遮光性膜が
パターンの内側にあつて、外側にないこと以外に
ついては第２図に示したものと同様である。

このような大型パターン３５も、前実施例と同
様に電子線描画装置でXY座標パターンデータ入
力操作により４分割され、パターンデータ上で第
１１図ａ，ｂ，ｃ及びｄにそれぞれ示すような分
割パターン３６，３７，３８及び３９を設定し、
さらに、第１２図に示すように、前述した電子線
描画装置の露光可能領域Ａ内で、かつこれ等の分
割パターン３６〜３９のパターン外に原版マスク
用アライメントマーク４０，４１，４２，４３，
４４，４５及び４６，４７もパターンデータ上で
設定する。なお、分割パターン３６，３７，３８
及び３９の周辺部にあつて、所望の大型パターン
３５のパターンエリア内にそれぞれ２重露光防止
用の遮光パターン４８，４９，５０及び５１も同
様にパターンデータ上で設定する。次に、第１３
図に示すように、原版マスク用アライメントマー
ク４０〜４７に適合して分割パターン３６〜３９
から所望の大型パターン３５を合成する位置関係
にある白抜き十字状の合成用アライメントマーク
４０′〜４７′をパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、
第６図に示したと同様なフオトマスクブランクを
５枚用意する。このフオトマスクブランク上に塗
布されたレジスト１７は、前実施例と同様ポジ型
であるが、パターンデータの反転を行えば、ネガ
型であつてもよい。

この５枚のフオトマスクブランクに対して、前
述した電子線描画装置内で設定された、分割パタ
ーン３６、遮光パターン４８及び原版マスク用ア
ライメントマーク４０，４１と、分割パターン３
７、遮光パターン４９及び原版マスク用アライメ
ントマーク４２，４３と、分割パターン３８、遮
光パターン５０及び原版マスク用アライメントマ
ーク４４，４５と、分割パターン３９、遮光パタ
ーン５１及び原版マスク用アライメントマーク４
６，４７と、合成用アライメントマーク４０′〜
４７′とをそれぞれ描画露光し、前実施例の原版
マスク及びアライメント用マスク製作と同様、所
定のフオトリソグラフイ工程を経て、第１１図に
示した原版マスク５２，５３，５４及び５５と、
第１３図に示したアライメント用マスク５６とを
製作する。

次に、第１０図に示した本実施例の所望の大型
パターン３５を転写する被転写板として、前実施
例と同様、第７図に示したフオトマスクブランク
２６を用意する。そして、第１３図に示したアラ
イメント用マスク５６をフオトマスクブランク２
６上の中央部の所定位置に密着固定して、紫外線
光を上方からアライメント用マスク５６を通し、
このアライメント用マスク５６以外のエリアをア
パージヤによつて遮光してフオトマスクブランク
２６上のポジ型フオトレジスト２５に露光し、前
実施例の合成用アライメントマークの転写形成と
同様、所定のフオトリソグラフイ工程を経て、白
抜き十字状の合成用アライメントマーク４０′〜
４７′を転写して、第１４図に示すような合成用
アライメントマーク入り被転写板５６０を製作す
る。

次に、この被転写板５６０上に前述したポジ型
フオトレジスト２５と同様のレジストを塗布した
後、第１１図ａに示した原版マスク５２を被転写
板５６０上の左側上部に密着固定する。その際、
光学顕微鏡を通して、原版マスク５２の原版マス
ク用アライメントマーク４０，４１を被転写板５
６０上の合成用アライメントマーク４０′，４
１′にそれぞれ位置合わせして設置する。そして、
紫外線光を上方から原版マスク５２を通し、この
原版マスク５２以外のエリアをアパーチヤによつ
て遮光して被転写板５６０上のレジストに露光し
て、第９図ａに示すようなレジストパターン付き
被転写板５６１を製作する。この被転写板５６１
には、原版マスク５２の分割パターン３６と遮光
パターン４８にそれぞれ対応した分割パターン用
未露光部分３６′と２重露光防止用未露光部分４
８′が転写され、その他に、原版マスク５２の透
光による露光部分５７と、原版マスク５２以外の
エリアの遮光手段による未露光部分５８とが転写
されている。

次に、先の原版マスク５２を取り外して、第１
１図ｂに示した原版マスク５３を第９図ａに示し
た被転写板５６１上の右側上部に設置する。その
際にも、光学顕微鏡を通して、原版マスク５３の
原版マスク用アライメントマーク４２，４３を被
転写板５６１上の合成用アライメントマーク４
２′，４３′にそれぞれ位置合わせして設置する。
そして、原版マスク５３を被転写板５６１上に密
着固定して、前述したと同様に紫外線光を上方か
ら原版マスク５３を通し、この原版マスク５３以
外のエリアをアパーチヤによつて遮光して被転写
板５６１上の未露光部分５８に露光して、第９図
ｂに示すようなレジストパターン付き被転写板５
６２を製作する。この被転写板５６２には、原版
マスク５３の分割パターン３７と遮光パターン４
９にそれぞれ対応した分割パターン用未露光部分
３７′と２重露光防止用未露光部分４９′が転写さ
れ、その他に、原版マスク５３の透光による露光
部分５９と、原版マスク５３以外のエリアの遮光
手段による未露光部分６０とが転写されている。
そして、今回転写した分割パターン用未露光部分
３７′と転写済の分割パターン用未露光部分３
６′とで合成未露光部６１を形成する。ここで、
２重露光防止用未露光部分４８′，４９′と原版マ
スク５３以外のエリアの遮光手段とは、合成未露
光部６１の接合部６２と、その合成未露光部６１
の輪郭部分とに２重露光を防止して、パターン精
度を向上させるために有効に作用する。

次に、先の原版マスク５３を取り外して、第１
１図ｃに示した原版マスク５４をこの被転写板５
６２上の左側下部に設置する。その際にも、光学
顕微鏡を通して、原版マスク５４の原版マスク用
アライメントマーク４４，４５を被転写板５６２
上の合成用アライメントマーク４４′，４５′にそ
れぞれ位置合わせして設置する。そして、原版マ
スク５４を被転写板５６２上に密着固定して、前
述したと同様に紫外線光を上方から原版マスク５
４を通し、この原版マスク５４以外のエリアをア
パーチヤによつて遮光して、被転写板５６２上の
未露光部分６０に露光して、第９図ｃに示すよう
なレジストパターン付き被転写板５６３を製作す
る。この被転写板５６３には、原版マスク５４の
分割パターン３８の遮光パターン５０にそれぞれ
対応した分割パターン用未露光部分３８′と２重
露光防止用未露光部分５０′とが転写され、その
他に、原版マスク５４の透光による露光部分６３
と、原版マスク５４以外のエリアの遮断手段によ
る未露光部分６４とが転写されている。そして、
今回転写した分割パターン用未露光部分３８′と
転写済の分割パターン用未露光部分３６′，３
７′とで合成未露光部６５を形成する。ここでも、
２重露光防止用未露光部分４８′，４９′，５０′
と原版マスク５４以外のエリアの遮光手段とは、
分割パターン用未露光部分３６′と３８′の接合部
６６と、合成未露光部６５の輪郭部分とに２重露
光を防止して、パターン精度を向上させるために
有効に作用する。

そして最後に、先の原版マスク５４を取り外し
て、第１１図ｄに示した原版マスク５５をこの被
転写板５６３上の右側下部に設置する。その際に
も、光学顕微鏡を通して、原版マスク５５の原版
マスク用アライメントマーク４６及び４７をそれ
ぞれ被転写板５６３上の合成用アライメントマー
ク４６′及び４７′に位置合わせして設置する。そ
して、原版マスク５５を被転写板５６３上に密着
固定して、前述したと同様に紫外線光を上方から
原版マスク５５を通し、この原版マスク５５以外
のエリアをアパーチヤによつて遮光して、被転写
板５６３上の未露光部分６４に露光して、第９図
ｄに示すようなレジストパターン付き被転写版５
６４を製作する。この被転写版５６４には、原版
マスク５５の分割パターン３９と遮光パターン５
１にそれぞれ対応した分割パターン用未露光部分
３９′と２重露光防止用未露光部分５１′とが転写
され、その他に、原版マスク５５の透光による露
光部分６７も転写されている。そして、今回転写
した分割パターン用未露光部分３９′と転写済の
分割パターン用未露光部分３６′，３７′，３８′
とで合成未露光部６８を形成する。ここでも、２
重露光防止用未露光部分４８′，４９′，５０′，
５１′と原版マスク５５以外のエリアの遮光手段
とは、分割パターン用未露光部分３７′（下側）
及び３８′と３９′との接合部６９と、合成未露光
部６８の輪郭部分とに２重露光を防止して、パタ
ーン精度を向上させるために有効に作用する。

次に、合成未露光部６８が転写された被転写板
５６４を前実施例の露光後のフオトリソグラフイ
工程と同様に現像、エツチング及びレジスト剥離
の各工程を経て、この合成未露光部６８と対応し
た、第１０図に示したと同様な所望の遮光性膜大
型パターン３５が形成される。なお、第９図ｂに
示した露光部５７，５９，６３，６７のレジスト
の下にある合成用アライメントマーク４０′〜４
７′は、上記エツチング時に除去される。

本実施例によつても、前実施例の効果と同様、
大型パターンに対して高い位置決め精度で、かつ
高解像度のパターンを形成することができた。ま
た、４つの分割パターンを露光した後のフオトリ
ソグラフイ工程を一括して行うことから、製造効
率を向上させることができた。

本発明は、上記した実施例に限定されるもので
はない。所望のパターン形状についてはＦ字状以
外にも任意の形状でよいことは勿論である。分割
パターンの形成手段として使用した電子線描画装
置の代わり、光学式パターンジエネレータや、ア
ートワーク法により拡大パターンを形成し、リダ
クシヨンカメラにて縮小し、パターンを得る方法
等を使用してもよい。また分割数については２以
上であれば任意である。原版マスク用及び合成用
アライメントマークについては、位置合わせ精度
が得られるようなマークであれば、その形状及び
数は任意であり、その位置も、白抜きパターンの
場合はパターン内、遮光性膜パターンの場合はパ
ターン外で、かつ分割パターンを形成する電子線
描画装置等の露光装置の露光可能領域内であれば
どこでもよい。また、原版マスク用アライメント
マークが十字状の白抜きで、合成用アライメント
マークが十字状の遮光性膜パターンであつてもよ
い。被転写板として使用したフオトマスクブラン
クについては、透光性基板の材料としてソーダラ
イムガラスの代わりにアルミノボロシリケートガ
ラスなどの多成分系ガラスや石英ガラス等を使用
してもよく、遮光性膜の材料としてクロムの代わ
りにタンタル、モリブデン、ニツケル、チタン等
の遷移金属元素や、シリコン及びゲルマニウム
等、又はこれ等の合金や酸化物、窒化物、炭化
物、珪化物、硼化物若しくはこれ等の混合物
（例：窒化炭化物）を単層、複層に積層したもの
でもよく、成膜方法としてスパツタリング法の代
わりに真空蒸着法及びイオンプレーテイング法等
を使用してもよい。被転写板はフオトマスクブラ
ンクの代わりにエレクトロ・ルミネセンスなどの
デイスプレイ電極用基板、半導体基板及び光記録
用媒体等でもよく、これ等の被転写板のレジスト
としてはポジ型又はネガ型のフオトレジスト及び
電子線レジストでもよい。また、これ等の被転写
板に対する原版マスクの転写方法としては、密着
露光法の他にプロキシミテイ露光法、ミラープロ
ジエクシヨン露光法、１倍投影レンズ露光法等を
使用してもよい。

〔発明の効果〕 以上の通り、本発明のパターン形成方法によれ
は、被転写板上に形成すべきパターン寸法が大型
になつても、そのパターンを複数個に分割して露
光転写し、その後、一括して現像、エツチング及
びレジスト剥離の各工程を行うことから、そのパ
ターンの位置決め精度と解像度を高くすることが
でき、更に、露光転写後の工程において製造効率
を向上させることができ、特に大型被転写板のパ
ターン形成において多大なる価値がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における分割パターン
の露光転写における合成工程を示す平面図、第２
図は同実施例における所望の大型パターンを示す
平面図、第３図は同実施例における分割パターン
が形成された原版マスクを示す平面図、第４図は
同実施例における露光可能領域と原版マスク用ア
ライメントマークと所望の大型パターンとを示す
平面図、第５図は同実施例におけるアライメント
用マスクを示す平面図、第６図は第３図に示した
原版マスク及び第５図に示したアライメント用マ
スクを製作するためのフオトマスクブランクを示
す断面図、第７図は同実施例における分割パター
ン及び合成用アライメントマークを転写するため
のフオトマスクブランクを示す断面図、第８図は
同実施例における合成用アライメントマーク入り
被転写板を示す平面図、第９図は本発明の他の実
施例における分割パターンの露光転写における合
成工程を示す平面図、第１０図は同他の実施例に
おける所望の大型パターンを示す平面図、第１１
図は同他の実施例における分割パターンが形成さ
れた原版マスクを示す平面図、第１２図は同他の
実施例における露光可能領域と原版マスク用アラ
イメントマークと所望の大型パターンとを示す平
面図、第１３図は同他の実施例におけるアライメ
ント用マスクを示す平面図、並びに第１４図は同
他の実施例における合成用アライメントマーク入
り被転写板を示す平面図である。 １，３４……フオトマスク、２，３５……所望
の大型パターン、３，４，５，６，３６，３７，
３８，３９……分割パターン、３′，４′，５′，
６′……転写された分割パターン用露光部分、３
６′，３７′，３８′，３９′……転写された分割パ
ターン用未露光部分、７，８，９，１０，１１，
１２，１３，１４，４０，４１，４２，４３，４
４，４５，４６，４７……原版マスク用アライメ
ントマーク、７′，８′，９′，１０′，１１′，１
２′，１３′，１４′，４０′，４１′，４２′，４
３′，４４′，４５′，４６′，４７′……合成用ア
ライメントマーク、１８，１９，２０，２１，５
２，５３，５４，５５……原版マスク、２２，５
６……アライメント用マスク、２６……フオトマ
スクブランク（被転写板）、２７，２９，３１，
３３，５８，６０，６４……未露光部分、２８，
３０，３２……合成露光部、４８，４９，５０，
５１……遮光パターン、５７，５９，６３，６７
……露光部分、６１，６５，６８……合成未露光
部、２６０，５６０……合成用アライメントマー
ク入り被転写板、２６１，２６２，２６３，２６
４，５６１，５６２，５６３，５６４……分割パ
ターンを転写した被転写版。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 所望のパターンを複数個に分割して分割パタ
   ーンをそれぞれ形成すると共に、前記分割パター
   ンのそれぞれのパターン内又はパターン外に原版
   マスク用アライメントマークをそれぞれ形成し
   た、複数個の原版マスクと、前記原版マスク用ア
   ライメントマークに適合して前記分割パターンか
   ら前記所望のパターンを合成する位置関係にある
   合成用アライメントマークを形成したアライメン
   ト用マスクとを製作し、レジストを塗布した被転
   写板に前記アライメント用マスクを通して露光し
   て前記合成用アライメントマークを転写した後
   に、前記被転写板を現像し、エツチングし、レジ
   スト剥離することにより、前記合成用アライメン
   トマークを形成した合成用アライメントマーク入
   り被転写板を製作し、次にレジストを塗布した前
   記合成用アライメントマーク入り被転写板に転写
   された前記合成用アライメントマークに前記原版
   マスク用アライメントマークを適合させ、前記原
   版マスクを通して１個ずつ露光して前記分割パタ
   ーンを転写した後に、前記合成用アライメントマ
   ーク入り被転写板を現像し、エツチングし、レジ
   スト剥離することにより、前記所望のパターンを
   形成することを特徴とするパターン形成方法。