JPH1192276A - 半導体単結晶の製造装置及び半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
半導体単結晶の製造装置及び半導体単結晶の製造方法Info
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- JPH1192276A JPH1192276A JP27510697A JP27510697A JPH1192276A JP H1192276 A JPH1192276 A JP H1192276A JP 27510697 A JP27510697 A JP 27510697A JP 27510697 A JP27510697 A JP 27510697A JP H1192276 A JPH1192276 A JP H1192276A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶引き上げ用の石英ルツボのサイズが制
限されたり、炉そのものを大きくすることなく原料を補
助ルツボから引上げ用の石英ルツボに供給する。 【解決手段】 補助ルツボ格納容器１０内には補助ルツ
ボ１１が配置され、補助ルツボ１１内では単結晶を製造
するために必要な量から石英ルツボ２内の原料の量を差
し引いた分の量の原料が加熱される。補助ルツボ格納容
器１０が真空アイソレーションバルブ１ａを介して引上
げ炉１に連結され、連結状態で補助ルツボ１１内の原料
融液１２が石英ルツボ２内に供給される。
限されたり、炉そのものを大きくすることなく原料を補
助ルツボから引上げ用の石英ルツボに供給する。 【解決手段】 補助ルツボ格納容器１０内には補助ルツ
ボ１１が配置され、補助ルツボ１１内では単結晶を製造
するために必要な量から石英ルツボ２内の原料の量を差
し引いた分の量の原料が加熱される。補助ルツボ格納容
器１０が真空アイソレーションバルブ１ａを介して引上
げ炉１に連結され、連結状態で補助ルツボ１１内の原料
融液１２が石英ルツボ２内に供給される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げＣＺ（Czoc
hralski ）法によりＳｉ（シリコン）などの半導体単結
晶を製造するための装置及び方法に関し、特に原料を補
助ルツボから引上げ用の石英ルツボに供給する装置及び
方法に関する。
hralski ）法によりＳｉ（シリコン）などの半導体単結
晶を製造するための装置及び方法に関し、特に原料を補
助ルツボから引上げ用の石英ルツボに供給する装置及び
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、引上げＣＺ法による単結晶製造
装置では、グラファイトにより構成された高耐圧気密チ
ャンバ内を１０torr程度に減圧して新鮮なＡｒ（アルゴ
ン）などの不活性ガスを流すととともに、チャンバ内の
下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱して溶融
し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、種結晶と
石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶を引き上
げることにより、種結晶の下に上端が突出した円錐形の
上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突出した円
錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆるインゴッ
ト）を成長させるように構成されている。
装置では、グラファイトにより構成された高耐圧気密チ
ャンバ内を１０torr程度に減圧して新鮮なＡｒ（アルゴ
ン）などの不活性ガスを流すととともに、チャンバ内の
下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱して溶融
し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、種結晶と
石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶を引き上
げることにより、種結晶の下に上端が突出した円錐形の
上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突出した円
錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆるインゴッ
ト）を成長させるように構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
単結晶製造装置では、石英ルツボ内で溶解される原料の
温度は、引上げ中より引上げ前の方が高く設定される。
また、製造される単結晶の径が大きくなると石英ルツボ
のサイズも大きくなるので、ある程度の歩留りを確保す
るため、原料の量も多くする必要があり、そのため大き
な熱量を原料溶解に要し、また、溶解時間も長くなる。
したがって、石英ルツボが高温により軟化して変形した
り劣化が激しくなるという問題点がある。
単結晶製造装置では、石英ルツボ内で溶解される原料の
温度は、引上げ中より引上げ前の方が高く設定される。
また、製造される単結晶の径が大きくなると石英ルツボ
のサイズも大きくなるので、ある程度の歩留りを確保す
るため、原料の量も多くする必要があり、そのため大き
な熱量を原料溶解に要し、また、溶解時間も長くなる。
したがって、石英ルツボが高温により軟化して変形した
り劣化が激しくなるという問題点がある。
【０００４】なお、石英ルツボの劣化を防止するため
に、単結晶の引き上げ中の石英ルツボに対して溶融状態
の原料を補助ルツボから追加供給することにより石英ル
ツボ内の原料の量を減少させる方法が提案されている。
例えば特開昭５５−１３０８９４号公報には単結晶引上
げ用の石英ルツボに対して連通した補助ルツボ内で原料
を溶解し、これを連通管を介して追加供給する方法が提
案されている。また、特開昭５６−１６４０９７号公報
には、単結晶引上げ用の石英ルツボとは独立した補助ル
ツボを炉内に設け、原料を炉の外からこの補助ルツボに
供給して溶解し、補助ルツボ内の溶融原料を単結晶引上
げ用の石英ルツボに追加供給する方法が提案されてい
る。
に、単結晶の引き上げ中の石英ルツボに対して溶融状態
の原料を補助ルツボから追加供給することにより石英ル
ツボ内の原料の量を減少させる方法が提案されている。
例えば特開昭５５−１３０８９４号公報には単結晶引上
げ用の石英ルツボに対して連通した補助ルツボ内で原料
を溶解し、これを連通管を介して追加供給する方法が提
案されている。また、特開昭５６−１６４０９７号公報
には、単結晶引上げ用の石英ルツボとは独立した補助ル
ツボを炉内に設け、原料を炉の外からこの補助ルツボに
供給して溶解し、補助ルツボ内の溶融原料を単結晶引上
げ用の石英ルツボに追加供給する方法が提案されてい
る。
【０００５】しかしながら、このような方法では、補助
ルツボを引上げ炉内に設けるので、補助ルツボが単結晶
引上げ用の石英ルツボや他の構成部材に干渉しないよう
に設計する必要があり、そのため単結晶引上げ用の石英
ルツボのサイズが制限されたり、炉そのものを大きくす
る必要があるという問題点がある。なお、石英ルツボの
サイズが制限されたり、炉そのものを大きくすると、単
結晶の歩留りが悪化したり、製造コストが高くなる。
ルツボを引上げ炉内に設けるので、補助ルツボが単結晶
引上げ用の石英ルツボや他の構成部材に干渉しないよう
に設計する必要があり、そのため単結晶引上げ用の石英
ルツボのサイズが制限されたり、炉そのものを大きくす
る必要があるという問題点がある。なお、石英ルツボの
サイズが制限されたり、炉そのものを大きくすると、単
結晶の歩留りが悪化したり、製造コストが高くなる。
【０００６】本発明は上記従来の問題点に鑑み、単結晶
引上げ用の石英ルツボのサイズが制限されたり、炉その
ものを大きくすることなく原料を補助ルツボから引上げ
用の石英ルツボに供給することができる半導体単結晶の
製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
引上げ用の石英ルツボのサイズが制限されたり、炉その
ものを大きくすることなく原料を補助ルツボから引上げ
用の石英ルツボに供給することができる半導体単結晶の
製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、引上げ炉の外部において補助ルツボ内に半
導体単結晶の原料をあらかじめ溶解し、引上げ炉内の石
英ルツボ内に供給するようにしたものである。すなわち
本発明によれば、引上げ炉内に載置された石英ルツボ内
の原料融液に種結晶を浸漬させた後に、これを引き上げ
ることにより半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製
造装置において、半導体単結晶の原料をあらかじめ溶解
するため、前記引上げ炉の外部に配された補助ルツボ
と、前記補助ルツボ内の融液を前記引上げ炉内の石英ル
ツボ内に供給する手段とを、有することを特徴とする半
導体単結晶の製造装置が提供される。
するために、引上げ炉の外部において補助ルツボ内に半
導体単結晶の原料をあらかじめ溶解し、引上げ炉内の石
英ルツボ内に供給するようにしたものである。すなわち
本発明によれば、引上げ炉内に載置された石英ルツボ内
の原料融液に種結晶を浸漬させた後に、これを引き上げ
ることにより半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製
造装置において、半導体単結晶の原料をあらかじめ溶解
するため、前記引上げ炉の外部に配された補助ルツボ
と、前記補助ルツボ内の融液を前記引上げ炉内の石英ル
ツボ内に供給する手段とを、有することを特徴とする半
導体単結晶の製造装置が提供される。
【０００８】また本発明によれば、引上げ炉内に載置さ
れた石英ルツボ内の原料融液に種結晶を浸漬させた後
に、これを引き上げることにより半導体単結晶を製造す
る半導体単結晶の製造装置において、半導体の原料を溶
解するために前記引上げ炉の外部に載置された補助ルツ
ボと、前記補助ルツボを格納する補助ルツボ室と、前記
補助ルツボ室と前記引上げ炉内を気密に遮断可能であ
り、かつ遮断を解除して前記補助ルツボが前記補助ルツ
ボ室から前記引上げ炉内に移動可能な開閉手段と、前記
補助ルツボを前記補助ルツボ室から前記引上げ炉内に移
動させる補助ルツボ移動手段と、前記引上げ室に移動し
た前記補助ルツボ内の原料融液を前記石英ルツボに導く
原料移動手段とを、有することを特徴とする半導体単結
晶の製造装置が提供される。
れた石英ルツボ内の原料融液に種結晶を浸漬させた後
に、これを引き上げることにより半導体単結晶を製造す
る半導体単結晶の製造装置において、半導体の原料を溶
解するために前記引上げ炉の外部に載置された補助ルツ
ボと、前記補助ルツボを格納する補助ルツボ室と、前記
補助ルツボ室と前記引上げ炉内を気密に遮断可能であ
り、かつ遮断を解除して前記補助ルツボが前記補助ルツ
ボ室から前記引上げ炉内に移動可能な開閉手段と、前記
補助ルツボを前記補助ルツボ室から前記引上げ炉内に移
動させる補助ルツボ移動手段と、前記引上げ室に移動し
た前記補助ルツボ内の原料融液を前記石英ルツボに導く
原料移動手段とを、有することを特徴とする半導体単結
晶の製造装置が提供される。
【０００９】また本発明によれば、引上げ炉内に載置さ
れた石英ルツボ内の原料融液に種結晶を浸漬させた後
に、これを引き上げることにより半導体単結晶を製造す
る半導体単結晶の製造方法において、前記引上げ炉の外
部に載置された補助ルツボにて半導体の原料を溶解する
ステップと、前記補助ルツボを前記引上げ炉内に移動さ
せるステップと、前記補助ルツボ内の原料融液を前記石
英ルツボに導くステップとを、有することを特徴とする
半導体単結晶の製造方法が提供される。
れた石英ルツボ内の原料融液に種結晶を浸漬させた後
に、これを引き上げることにより半導体単結晶を製造す
る半導体単結晶の製造方法において、前記引上げ炉の外
部に載置された補助ルツボにて半導体の原料を溶解する
ステップと、前記補助ルツボを前記引上げ炉内に移動さ
せるステップと、前記補助ルツボ内の原料融液を前記石
英ルツボに導くステップとを、有することを特徴とする
半導体単結晶の製造方法が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る半導体単結晶
の製造装置の一実施形態における補助ルツボ格納容器の
接合状態を示す説明図、図２は溶融原料の供給状態を示
す説明図、図３は溶融原料の供給機構の一例を示す説明
図、図４は溶融原料の供給機構の他の例を示す説明図、
図５は補助ルツボ格納容器の運搬を示す説明図、図６は
引き上げ機構の運搬を示す説明図、図７は単結晶の育成
状態を示す説明図である。
施の形態を説明する。図１は本発明に係る半導体単結晶
の製造装置の一実施形態における補助ルツボ格納容器の
接合状態を示す説明図、図２は溶融原料の供給状態を示
す説明図、図３は溶融原料の供給機構の一例を示す説明
図、図４は溶融原料の供給機構の他の例を示す説明図、
図５は補助ルツボ格納容器の運搬を示す説明図、図６は
引き上げ機構の運搬を示す説明図、図７は単結晶の育成
状態を示す説明図である。
【００１１】図１において、引上げ炉１内には石英ルツ
ボ２が上下方向に移動可能に、かつ回転可能に配置さ
れ、石英ルツボ２の回りには石英ルツボ２内の原料を加
熱するためのヒータ３が配置されている。ここで、引き
上げ開始前の石英ルツボ２内の原料の量は、単結晶を製
造するために必要な総量より少なく、例えば０％である
（全く入っていない）。補助ルツボ格納容器１０内には
補助ルツボ１１が配置され、補助ルツボ１１内では単結
晶を製造するために必要な量から石英ルツボ２内の原料
の量を差し引いた分（例えば１００％）の量の原料が加
熱されて溶融している（溶融された原料融液を１２で示
す）。なお、引上げ炉１と補助ルツボ格納容器１０の内
部は、原料溶解中にはいずれも真空状態又は不活性ガス
充填状態に維持される。
ボ２が上下方向に移動可能に、かつ回転可能に配置さ
れ、石英ルツボ２の回りには石英ルツボ２内の原料を加
熱するためのヒータ３が配置されている。ここで、引き
上げ開始前の石英ルツボ２内の原料の量は、単結晶を製
造するために必要な総量より少なく、例えば０％である
（全く入っていない）。補助ルツボ格納容器１０内には
補助ルツボ１１が配置され、補助ルツボ１１内では単結
晶を製造するために必要な量から石英ルツボ２内の原料
の量を差し引いた分（例えば１００％）の量の原料が加
熱されて溶融している（溶融された原料融液を１２で示
す）。なお、引上げ炉１と補助ルツボ格納容器１０の内
部は、原料溶解中にはいずれも真空状態又は不活性ガス
充填状態に維持される。
【００１２】引上げ炉１の上方には真空アイソレーショ
ンバルブ１ａが取り付けられ、補助ルツボ格納容器１０
の下方は真空アイソレーションバルブ１ａを介して真空
状態を維持した状態で引上げ炉１に対して結合可能に構
成されている。そして、補助ルツボ１１内の原料が溶融
すると、図１に示すように補助ルツボ格納容器１０が例
えば図５、図６に示すような旋回／昇降機構２０により
運搬され、真空アイソレーションバルブ１ａを介して引
上げ炉１に連結され、次いで図２に示すように連結状態
で補助ルツボ１１を矢印Ｍ１で示すように引上げ炉１内
に下降せしめ、次いで補助ルツボ１１内の原料融液１２
が矢印Ｍ２で示すように石英ルツボ２内に供給される。
ンバルブ１ａが取り付けられ、補助ルツボ格納容器１０
の下方は真空アイソレーションバルブ１ａを介して真空
状態を維持した状態で引上げ炉１に対して結合可能に構
成されている。そして、補助ルツボ１１内の原料が溶融
すると、図１に示すように補助ルツボ格納容器１０が例
えば図５、図６に示すような旋回／昇降機構２０により
運搬され、真空アイソレーションバルブ１ａを介して引
上げ炉１に連結され、次いで図２に示すように連結状態
で補助ルツボ１１を矢印Ｍ１で示すように引上げ炉１内
に下降せしめ、次いで補助ルツボ１１内の原料融液１２
が矢印Ｍ２で示すように石英ルツボ２内に供給される。
【００１３】補助ルツボ１１内の原料融液１２を石英ル
ツボ２内に供給する構造としては、例えば図３に示すよ
うにこぼし口１１ａ付きのルツボ１１−１を傾動支点１
１ａの回りを傾動させることにより、こぼし口１１ａを
介して矢印Ｍ３で示すように原料融液（メルト）１２を
石英ルツボ２内に供給することができる。また、他の例
としては図４に示すように、底穴１１ｃ付きのルツボ１
１−２を用い、底穴１１ｃをストッパ棒１１ｄにより開
けることにより矢印Ｍ４で示すように原料融液１２を石
英ルツボ２内に供給することができる。
ツボ２内に供給する構造としては、例えば図３に示すよ
うにこぼし口１１ａ付きのルツボ１１−１を傾動支点１
１ａの回りを傾動させることにより、こぼし口１１ａを
介して矢印Ｍ３で示すように原料融液（メルト）１２を
石英ルツボ２内に供給することができる。また、他の例
としては図４に示すように、底穴１１ｃ付きのルツボ１
１−２を用い、底穴１１ｃをストッパ棒１１ｄにより開
けることにより矢印Ｍ４で示すように原料融液１２を石
英ルツボ２内に供給することができる。
【００１４】補助ルツボ１１内の原料融液１２の供給が
完了すると、図５に示すような旋回／昇降機構２０によ
り補助ルツボ格納容器１０を支持して旋回、下降させる
ことにより、矢印Ｍ５、Ｍ６で示すように補助ルツボ格
納容器１０が引上げ炉１から切り離される。次いで、図
５、図６に示すように旋回／昇降機構２０により引き上
げ機構４を支持して上昇、旋回させることにより、矢印
Ｍ７、Ｍ８で示すように引き上げ機構４が真空アイソレ
ーションバルブ１ａを介して真空状態を維持した状態で
引上げ炉１の上に結合される。そして、図７に示すよう
に引き上げ機構４内のワイヤ５の先端の図示省略の種結
晶ホルダに種結晶７を取り付けて原料融液１２の表面に
上から浸漬し、種結晶７と石英ルツボ２を回転、上下移
動させながら種結晶７を引き上げることにより、種結晶
７の下に単結晶８を成長させる。
完了すると、図５に示すような旋回／昇降機構２０によ
り補助ルツボ格納容器１０を支持して旋回、下降させる
ことにより、矢印Ｍ５、Ｍ６で示すように補助ルツボ格
納容器１０が引上げ炉１から切り離される。次いで、図
５、図６に示すように旋回／昇降機構２０により引き上
げ機構４を支持して上昇、旋回させることにより、矢印
Ｍ７、Ｍ８で示すように引き上げ機構４が真空アイソレ
ーションバルブ１ａを介して真空状態を維持した状態で
引上げ炉１の上に結合される。そして、図７に示すよう
に引き上げ機構４内のワイヤ５の先端の図示省略の種結
晶ホルダに種結晶７を取り付けて原料融液１２の表面に
上から浸漬し、種結晶７と石英ルツボ２を回転、上下移
動させながら種結晶７を引き上げることにより、種結晶
７の下に単結晶８を成長させる。
【００１５】ここで、石英ルツボ２として２４インチの
ものを用い、単結晶８を製造するために必要な原料融液
１２の量を１００ｋｇとして、従来例のように全てを石
英ルツボ２内に３時間で供給して８時間で溶解した後に
単結晶８を引き上げたところ、石英ルツボ２の寿命は約
４０時間、単結晶８の無転位化率は約７０％であり、ま
た、原料供給中の液はねや融液の固化が頻発した。これ
に対し、全ての量を補助ルツボ１１内に３時間で供給し
て溶解させた後にこれを石英ルツボ２に供給し、石英ル
ツボ２での溶解時間を０時間にして単結晶８を引き上げ
たところ、石英ルツボ２の寿命は約６０時間、単結晶８
の無転位化率は約８０％であり、また、原料供給中の液
はねや融液の固化は殆ど発生しなかった。
ものを用い、単結晶８を製造するために必要な原料融液
１２の量を１００ｋｇとして、従来例のように全てを石
英ルツボ２内に３時間で供給して８時間で溶解した後に
単結晶８を引き上げたところ、石英ルツボ２の寿命は約
４０時間、単結晶８の無転位化率は約７０％であり、ま
た、原料供給中の液はねや融液の固化が頻発した。これ
に対し、全ての量を補助ルツボ１１内に３時間で供給し
て溶解させた後にこれを石英ルツボ２に供給し、石英ル
ツボ２での溶解時間を０時間にして単結晶８を引き上げ
たところ、石英ルツボ２の寿命は約６０時間、単結晶８
の無転位化率は約８０％であり、また、原料供給中の液
はねや融液の固化は殆ど発生しなかった。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、引
上げ炉の外部において補助ルツボ内に半導体単結晶の原
料をあらかじめ溶解し、引上げ炉内の石英ルツボ内に供
給するようにしたので、単結晶引き上げ用の石英ルツボ
のサイズが制限されたり、炉そのものを大きくすること
なく原料融液を補助ルツボから引上げ用の石英ルツボに
供給することができる。
上げ炉の外部において補助ルツボ内に半導体単結晶の原
料をあらかじめ溶解し、引上げ炉内の石英ルツボ内に供
給するようにしたので、単結晶引き上げ用の石英ルツボ
のサイズが制限されたり、炉そのものを大きくすること
なく原料融液を補助ルツボから引上げ用の石英ルツボに
供給することができる。
【図１】本発明に係る半導体単結晶の製造装置の一実施
形態における補助ルツボ格納容器の接合状態を示す説明
図である。
形態における補助ルツボ格納容器の接合状態を示す説明
図である。
【図２】溶融原料の供給状態を示す説明図である。
【図３】溶融原料の供給機構の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図４】溶融原料の供給機構の他の例を示す説明図であ
る。
る。
【図５】補助ルツボ格納容器の運搬を示す説明図であ
る。
る。
【図６】引き上げ機構の運搬を示す説明図である。
【図７】単結晶の育成状態を示す説明図である。
１ 引上げ炉 １ａ 真空アイソレーションバルブ ２ 石英ルツボ ３ ヒータ ７ 種結晶 ４ 引き上げ機構 ５ ワイヤ ８ 単結晶 １０ 補助ルツボ格納容器 １１ 補助ルツボ １１ａ こぼし口 １１ｂ 傾動支点 １１ｃ 底穴 １１ｄ ストッパ棒 １１−１ こぼし口付きのルツボ １１−２ 底穴付きのルツボ １２ 原料融液 ２０ 旋回／昇降機構
Claims (11)
- 【請求項１】 引上げ炉内に載置された石英ルツボ内の
原料融液に種結晶を浸漬させた後に、これを引き上げる
ことにより半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製造
装置において、 半導体単結晶の原料をあらかじめ溶解するため、前記引
上げ炉の外部に配された補助ルツボと、 前記補助ルツボ内の融液を前記引上げ炉内の石英ルツボ
内に供給する手段とを、 有することを特徴とする半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項２】 引上げ炉内に載置された石英ルツボ内の
原料融液に種結晶を浸漬させた後に、これを引き上げる
ことにより半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製造
装置において、 半導体の原料を溶解するために前記引上げ炉の外部に載
置された補助ルツボと、 前記補助ルツボを格納する補助ルツボ室と、 前記補助ルツボ室と前記引上げ炉内を気密に遮断可能で
あり、かつ遮断を解除して前記補助ルツボが前記補助ル
ツボ室から前記引上げ炉内に移動可能な開閉手段と、 前記補助ルツボを前記補助ルツボ室から前記引上げ炉内
に移動させる補助ルツボ移動手段と、 前記引上げ室に移動した前記補助ルツボ内の原料融液を
前記石英ルツボに導く原料移動手段とを、 有することを特徴とする半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項３】 前記開閉手段が前記引上げ炉の上部に設
けられた前記補助ルツボ室と前記引上げ炉の間に取り付
けられ真空アイソレーションバルブであることを特徴と
する請求項２記載の半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項４】 前記補助ルツボ室が前記引上げ炉の上部
で水平方向に移動可能であることを特徴とする請求項２
又は３記載の半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項５】 前記種結晶を引上げる手段が前記引上げ
炉の上部で水平方向に移動可能であることを特徴とする
請求項４記載の半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項６】 前記原料移動手段が前記補助ルツボを前
記石英ルツボの上部に位置せしめ、その後前記補助ルツ
ボを、その中心軸に垂直な線を中心に回転させて、前記
補助ルツボの上端開口を介して前記原料融液を前記石英
ルツボに移動させるものである請求項２ないし５のいず
れか１つに記載の半導体単結晶の製造装置。 - 【請求項７】 前記原料移動手段が前記補助ルツボを前
記石英ルツボの上部に位置せしめ、その後前記補助ルツ
ボの下端又はその近傍に設けられた開閉可能な開口部を
開いて、前記原料融液を前記石英ルツボに移動させるも
のである請求項２ないし５のいずれか１つに記載の半導
体単結晶の製造装置。 - 【請求項８】 引上げ炉内に載置された石英ルツボ内の
原料融液に種結晶を浸漬させた後に、これを引き上げる
ことにより半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製造
方法において、 前記引上げ炉の外部に載置された補助ルツボにて半導体
の原料を溶解するステップと、 前記補助ルツボを前記引上げ炉内に移動させるステップ
と、 前記補助ルツボ内の原料融液を前記石英ルツボに導くス
テップとを、 有することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。 - 【請求項９】 前記移動させるステップが前記引上げ炉
の上部に設けられた前記補助ルツボを格納する補助ルツ
ボ室と前記引上げ炉を連結するステップを有することを
特徴とする請求項８記載の半導体単結晶の製造方法。 - 【請求項１０】 前記原料融液を前記石英ルツボに導く
ステップが前記補助ルツボを前記石英ルツボの上部に位
置せしめるステップと、その後前記補助ルツボを、その
中心軸に垂直な線を中心に回転させて、前記補助ルツボ
の上端開口を介して前記原料融液を前記石英ルツボに移
動させるステップとを有することを特徴とする請求項８
又は９記載の半導体単結晶の製造方法。 - 【請求項１１】 前記原料融液を前記石英ルツボに導く
ステップが前記補助ルツボを前記石英ルツボの上部に位
置せしめるステップと、その後前記補助ルツボの下端又
はその近傍に設けられた開閉可能な開口部を開いて、前
記原料融液を前記石英ルツボに移動させるステップとを
有することを特徴とする請求項８又は９記載の半導体単
結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27510697A JPH1192276A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体単結晶の製造装置及び半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27510697A JPH1192276A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体単結晶の製造装置及び半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192276A true JPH1192276A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17550839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27510697A Withdrawn JPH1192276A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 半導体単結晶の製造装置及び半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192276A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009802A2 (en) * | 2004-06-18 | 2006-01-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | A melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7344594B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7465351B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
| US7691199B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-04-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Melter assembly and method for charging a crystal forming apparatus with molten source material |
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-
1997
- 1997-09-22 JP JP27510697A patent/JPH1192276A/ja not_active Withdrawn
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| KR102271710B1 (ko) * | 2020-09-24 | 2021-06-30 | 한화솔루션 주식회사 | 잉곳 성장 장치 |
| WO2022065736A1 (ko) * | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 한화솔루션 주식회사 | 연속 잉곳 성장 장치 |
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| WO2022065741A1 (ko) * | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 한화솔루션 주식회사 | 잉곳 성장 장치 |
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