JP3158661B2 - 高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置Info
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- JP3158661B2 JP3158661B2 JP16327492A JP16327492A JP3158661B2 JP 3158661 B2 JP3158661 B2 JP 3158661B2 JP 16327492 A JP16327492 A JP 16327492A JP 16327492 A JP16327492 A JP 16327492A JP 3158661 B2 JP3158661 B2 JP 3158661B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主にＧａＡｓ，Ｇａ
Ｐ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂなどのIII
−V族化合物半導体単結晶及びＣｄＴｅ，Ｈｇ1-xＣｄx
Ｔｅ，ＺｎＳｅなどのII−VI族化合物半導体単結晶など
の高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置に関するもの
である。
Ｐ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂなどのIII
−V族化合物半導体単結晶及びＣｄＴｅ，Ｈｇ1-xＣｄx
Ｔｅ，ＺｎＳｅなどのII−VI族化合物半導体単結晶など
の高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】高解離圧単結晶の成長方法として代表的
なものにＬＥＣ法がある。通常のＬＥＣ法では窒素やア
ルゴンなど不活性なガス中で結晶成長が行われる。これ
らのガス中では、低転位密度化のために成長軸方向の温
度勾配を小さくすると、結晶表面で分解が起こり結晶欠
陥が発生してしまうため、低転位密度の結晶を成長する
ことは不可能であった。
なものにＬＥＣ法がある。通常のＬＥＣ法では窒素やア
ルゴンなど不活性なガス中で結晶成長が行われる。これ
らのガス中では、低転位密度化のために成長軸方向の温
度勾配を小さくすると、結晶表面で分解が起こり結晶欠
陥が発生してしまうため、低転位密度の結晶を成長する
ことは不可能であった。
【０００３】ＬＥＣ法のこのような問題点を解決するた
めに、図３に示したような、高解離圧成分元素ガスを密
閉した気密容器内で結晶成長を行う方法が開発された。
この方法では結晶の温度が高くなっても高解離圧成分元
素ガス雰囲気であるため分解反応は起こらない。従って
小さな温度勾配の下で、低転位密度の結晶を成長でき
る。この方法の例は、たとえば特開昭６０−３６３９
７、特開昭６３−２１５５９３などに記載がある。
めに、図３に示したような、高解離圧成分元素ガスを密
閉した気密容器内で結晶成長を行う方法が開発された。
この方法では結晶の温度が高くなっても高解離圧成分元
素ガス雰囲気であるため分解反応は起こらない。従って
小さな温度勾配の下で、低転位密度の結晶を成長でき
る。この方法の例は、たとえば特開昭６０−３６３９
７、特開昭６３−２１５５９３などに記載がある。
【０００４】この種の装置は、成長した結晶の取り出し
を可能にするために、一般に気密容器を２分割可能に構
成されている。分割した気密容器の接合部を気密にする
ために、液体シール剤を使用する方法、固体ガスケット
を使用する方法、すりあわせにする方法、などが考案さ
れている。このうち最も容易で気密の良い方法は液体シ
ール剤を使用する方法である。
を可能にするために、一般に気密容器を２分割可能に構
成されている。分割した気密容器の接合部を気密にする
ために、液体シール剤を使用する方法、固体ガスケット
を使用する方法、すりあわせにする方法、などが考案さ
れている。このうち最も容易で気密の良い方法は液体シ
ール剤を使用する方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の装置で
接合部に液体シール剤を使用するものでは、結晶成長
後、室温まで冷却してから気密容器を分割し結晶を取り
出していた。しかし室温では液体シール剤が固化して気
密容器の接合部を固着しているため、気密容器を分割す
る際に接合部が損傷を受けたり、あるいは液体シール剤
の冷却固化時の収縮応力によって容器が破損したりし
て、気密容器の寿命は著しく短かかった。
接合部に液体シール剤を使用するものでは、結晶成長
後、室温まで冷却してから気密容器を分割し結晶を取り
出していた。しかし室温では液体シール剤が固化して気
密容器の接合部を固着しているため、気密容器を分割す
る際に接合部が損傷を受けたり、あるいは液体シール剤
の冷却固化時の収縮応力によって容器が破損したりし
て、気密容器の寿命は著しく短かかった。
【０００６】気密容器の材質としては、ＰＢＮ（パイロ
リティックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティ
ックグラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣまたは
それらをグラファイトの基材にコーティングしたものな
どが適しているが、十分な強度が得られ、複雑な形状の
容器を容易に製作できることから、ＰＢＮ（パイロリテ
ィックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティック
グラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラ
ファイトの基材にコーティングしたものが一般に使用さ
れている。
リティックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティ
ックグラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣまたは
それらをグラファイトの基材にコーティングしたものな
どが適しているが、十分な強度が得られ、複雑な形状の
容器を容易に製作できることから、ＰＢＮ（パイロリテ
ィックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティック
グラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラ
ファイトの基材にコーティングしたものが一般に使用さ
れている。
【０００７】しかしながら、この様な材料では気密容器
を分割する際に薄いコーティング層が損傷を受け、容器
の気密性が損なわれ易い。また基材のグラファイトが表
面に露出して結晶材料を汚染するなどの問題を生じ、容
器の寿命が特に短いという問題があった。
を分割する際に薄いコーティング層が損傷を受け、容器
の気密性が損なわれ易い。また基材のグラファイトが表
面に露出して結晶材料を汚染するなどの問題を生じ、容
器の寿命が特に短いという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、分割可能に構
成し、分割した部分の接合部を液体シール剤によって密
閉する構造とした気密容器内に高解離圧成分元素ガスを
密閉し、その容器内で高解離圧単結晶の成長を行う単結
晶の成長方法において、液体封止材が固化する温度より
も高い温度で気密容器の接合部を分割し、気密容器を開
放することを特徴とする高解離圧単結晶の成長方法であ
る。気密容器の分割は結晶の融点の８５％以下の温度で
行うことが適当である。
成し、分割した部分の接合部を液体シール剤によって密
閉する構造とした気密容器内に高解離圧成分元素ガスを
密閉し、その容器内で高解離圧単結晶の成長を行う単結
晶の成長方法において、液体封止材が固化する温度より
も高い温度で気密容器の接合部を分割し、気密容器を開
放することを特徴とする高解離圧単結晶の成長方法であ
る。気密容器の分割は結晶の融点の８５％以下の温度で
行うことが適当である。
【０００９】本発明の高解離圧単結晶の製造装置は、分
割可能に構成し、その接合部を液体シール剤によって密
封する構造とした気密容器内に高解離圧成分元素ガスを
密閉し、その容器内で高解離圧単結晶の成長を行う単結
晶の成長装置において、結晶引上軸に上部気密容器を支
持するための突起を設けたことを特徴とする。また本発
明の高解離圧単結晶の製造装置は、上部気密容器に昇降
操作棒を設けたことを特徴とする。
割可能に構成し、その接合部を液体シール剤によって密
封する構造とした気密容器内に高解離圧成分元素ガスを
密閉し、その容器内で高解離圧単結晶の成長を行う単結
晶の成長装置において、結晶引上軸に上部気密容器を支
持するための突起を設けたことを特徴とする。また本発
明の高解離圧単結晶の製造装置は、上部気密容器に昇降
操作棒を設けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の方法及び装置では、液体シール剤が固
化して気密容器の接合部が固着される前に気密容器を分
割するため、気密容器の分割による接合部の損傷や、液
体シール剤の冷却固化時の収縮応力による容器の破損な
どがなく、また、気密容器がＰＢＮ（パイロリティック
ボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティックグラフ
ァイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラファイ
トの基材にコーティングして作られたものではコーティ
ングが剥離しにくいため、気密容器の寿命が著しく長く
なる。
化して気密容器の接合部が固着される前に気密容器を分
割するため、気密容器の分割による接合部の損傷や、液
体シール剤の冷却固化時の収縮応力による容器の破損な
どがなく、また、気密容器がＰＢＮ（パイロリティック
ボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティックグラフ
ァイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラファイ
トの基材にコーティングして作られたものではコーティ
ングが剥離しにくいため、気密容器の寿命が著しく長く
なる。
【００１１】また、ＰＢＮ（パイロリティックボロンナ
イトライド）、ＰＧ（パイロリティックグラファイ
ト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどのコーティングが
剥離しにくいため、基材のグラファイトが表面に露出し
て結晶材料を汚染するなどの問題を生じることがない。
上部気密容器の昇降操作を、結晶引上軸に設けた突起ま
たは昇降操作棒を用いて行うため、結晶成長に影響を与
えることなく容易に昇降が可能である。
イトライド）、ＰＧ（パイロリティックグラファイ
ト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどのコーティングが
剥離しにくいため、基材のグラファイトが表面に露出し
て結晶材料を汚染するなどの問題を生じることがない。
上部気密容器の昇降操作を、結晶引上軸に設けた突起ま
たは昇降操作棒を用いて行うため、結晶成長に影響を与
えることなく容易に昇降が可能である。
【００１２】
【実施例】図１を参照して本発明の一実施例である高解
離圧単結晶の製造装置を説明する。図１において、チャ
ンバー１には、回転昇降可能な引上軸２及びるつぼ回転
軸３が設けられている。チャンバー１内に設けた気密容
器は、上部気密容器４と下部気密容器５に２分割されて
いる。下部気密容器５はるつぼ回転軸３の上端に取り付
けられており、るつぼ回転軸３を回転昇降することによ
ってるつぼと一緒に回転昇降できるようになっている。
離圧単結晶の製造装置を説明する。図１において、チャ
ンバー１には、回転昇降可能な引上軸２及びるつぼ回転
軸３が設けられている。チャンバー１内に設けた気密容
器は、上部気密容器４と下部気密容器５に２分割されて
いる。下部気密容器５はるつぼ回転軸３の上端に取り付
けられており、るつぼ回転軸３を回転昇降することによ
ってるつぼと一緒に回転昇降できるようになっている。
【００１３】上部気密容器４、下部気密容器５、導管１
０及び高解離圧成分分圧制御部１１の材質としては、Ｐ
ＢＮ（パイロリティックボロンナイトライド）、ＰＧ
（パイロリティックグラファイト）、ガラス化カーボ
ン、ＳｉＣ及びそれらをグラファイトの基材にコーティ
ングしたものなどが適しているが、ここではＰＢＮ（パ
イロリティックボロンナイトライド）をグラファイトの
基材にコーティングした材料を使用した。気密容器は石
英でも製作可能であるが、容器が高温で変形したり、原
料がＳｉで汚染されたり、液体シール剤が固化した際に
液体シール剤溜が割れるなどの問題がある。
０及び高解離圧成分分圧制御部１１の材質としては、Ｐ
ＢＮ（パイロリティックボロンナイトライド）、ＰＧ
（パイロリティックグラファイト）、ガラス化カーボ
ン、ＳｉＣ及びそれらをグラファイトの基材にコーティ
ングしたものなどが適しているが、ここではＰＢＮ（パ
イロリティックボロンナイトライド）をグラファイトの
基材にコーティングした材料を使用した。気密容器は石
英でも製作可能であるが、容器が高温で変形したり、原
料がＳｉで汚染されたり、液体シール剤が固化した際に
液体シール剤溜が割れるなどの問題がある。
【００１４】下部気密容器５の上端には液体シール剤溜
６が設けられており、液体シール剤７が蓄えられてい
る。上部気密容器４の下端は液体シール剤７中に浸かっ
ており、上部気密容器４と下部気密容器５の接続部が気
密に保たれる。また引上軸２が上部気密容器４を貫通す
る部分には液体シール剤溜８が設けられ液体シール剤９
が蓄えられており、引上軸２が回転可能に気密されてい
る。引上軸２の先端部分には突起２３が設けてあり、引
上軸２を上方に引き上げることにより上部気密容器４を
持ち上げて、下部気密容器５と分割することが出来るよ
うになっている。
６が設けられており、液体シール剤７が蓄えられてい
る。上部気密容器４の下端は液体シール剤７中に浸かっ
ており、上部気密容器４と下部気密容器５の接続部が気
密に保たれる。また引上軸２が上部気密容器４を貫通す
る部分には液体シール剤溜８が設けられ液体シール剤９
が蓄えられており、引上軸２が回転可能に気密されてい
る。引上軸２の先端部分には突起２３が設けてあり、引
上軸２を上方に引き上げることにより上部気密容器４を
持ち上げて、下部気密容器５と分割することが出来るよ
うになっている。
【００１５】上部気密容器４の一部には、導管１０を通
して高解離圧成分分圧制御部１１が取り付けられてお
り、ヒーター１２によって温度制御を行って気密容器内
を所望の高解離圧成分分圧に制御する。図中１３は、気
密容器内に必要な高解離圧成分元素ガスを供給するため
の固体原料である。下部気密容器５には石英あるいはＰ
ＢＮ製のるつぼ１４が保持されており、原料１５及び必
要であれば液体封止剤１６が投入される。引上軸２の先
端には種結晶１７が取り付けられる。また図中１８〜２
１はヒーターである。
して高解離圧成分分圧制御部１１が取り付けられてお
り、ヒーター１２によって温度制御を行って気密容器内
を所望の高解離圧成分分圧に制御する。図中１３は、気
密容器内に必要な高解離圧成分元素ガスを供給するため
の固体原料である。下部気密容器５には石英あるいはＰ
ＢＮ製のるつぼ１４が保持されており、原料１５及び必
要であれば液体封止剤１６が投入される。引上軸２の先
端には種結晶１７が取り付けられる。また図中１８〜２
１はヒーターである。
【００１６】図２は本発明の高解離圧単結晶の製造装置
の他の実施例を示す。図２において、上部気密容器４に
操作棒２４が設けてある。結晶成長後冷却中に操作棒２
４を上方に引き上げることにより上部気密容器４を持ち
上げて、下部気密容器５と分割することが出来るように
なっている。操作棒２４は必ずしも直接上部気密容器４
に固着させる必要はなく、分割操作の際に上部気密容器
４に結合してこれを持ち挙げることができる構造であれ
ばよい。
の他の実施例を示す。図２において、上部気密容器４に
操作棒２４が設けてある。結晶成長後冷却中に操作棒２
４を上方に引き上げることにより上部気密容器４を持ち
上げて、下部気密容器５と分割することが出来るように
なっている。操作棒２４は必ずしも直接上部気密容器４
に固着させる必要はなく、分割操作の際に上部気密容器
４に結合してこれを持ち挙げることができる構造であれ
ばよい。
【００１７】図１に示す第１の実施例では引上軸２を用
いて上部気密容器４を持ち上げるために、成長した結晶
２２が上部気密容器４と同時に上方に持ち上げられる。
そのために気密容器を分割する際に、成長した結晶を独
立して必要な温度領域に置いておくことが難しい。一
方、図２に示す第２の実施例では成長した結晶２２と上
部気密容器４とを別々に操作することが出来るために、
結晶２２を必要な温度領域に置いたままで上部気密容器
４を持ち上げることが可能である。すなわち第２の実施
例では成長した結晶の冷却中の熱履歴を、より自由に制
御することが出来るという利点がある。
いて上部気密容器４を持ち上げるために、成長した結晶
２２が上部気密容器４と同時に上方に持ち上げられる。
そのために気密容器を分割する際に、成長した結晶を独
立して必要な温度領域に置いておくことが難しい。一
方、図２に示す第２の実施例では成長した結晶２２と上
部気密容器４とを別々に操作することが出来るために、
結晶２２を必要な温度領域に置いたままで上部気密容器
４を持ち上げることが可能である。すなわち第２の実施
例では成長した結晶の冷却中の熱履歴を、より自由に制
御することが出来るという利点がある。
【００１８】次に本発明の高解離圧単結晶の成長方法の
一つの実施例を説明する。図１に示す装置を用いてＧａ
Ａｓ単結晶の成長を行った。るつぼ１４には直径２００
ｍｍのＰＢＮ製るつぼを使用し、ＧａＡｓ多結晶原料１
２ｋｇ及び液体封止剤１６としてＢ2Ｏ3１ｋｇを投入し
た。液体シール剤７，９にもＢ2Ｏ3を使用した。気密容
器内に必要な高解離圧成分元素ガスを供給するための固
体原料１３としてＡｓ１００ｇを投入した。
一つの実施例を説明する。図１に示す装置を用いてＧａ
Ａｓ単結晶の成長を行った。るつぼ１４には直径２００
ｍｍのＰＢＮ製るつぼを使用し、ＧａＡｓ多結晶原料１
２ｋｇ及び液体封止剤１６としてＢ2Ｏ3１ｋｇを投入し
た。液体シール剤７，９にもＢ2Ｏ3を使用した。気密容
器内に必要な高解離圧成分元素ガスを供給するための固
体原料１３としてＡｓ１００ｇを投入した。
【００１９】気密容器内にはＡｓと窒素の混合ガスを、
またチャンバー１内には窒素ガスをそれぞれ５ｋｇ／ｃ
ｍ2 づつ満たして気密容器の内外圧力をバランスさせ
た。るつぼ回転軸３によってるつぼ１４を回転し、引上
軸２の先端に取り付けた種結晶１７を原料融液１５に漬
けて回転しながら引き上げ、直径１１０ｍｍ、長さ２７
０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長した。結晶成長中は、気
密容器内のＡｓガス分圧は高解離圧成分分圧制御部１１
の温度を制御することによって行った。
またチャンバー１内には窒素ガスをそれぞれ５ｋｇ／ｃ
ｍ2 づつ満たして気密容器の内外圧力をバランスさせ
た。るつぼ回転軸３によってるつぼ１４を回転し、引上
軸２の先端に取り付けた種結晶１７を原料融液１５に漬
けて回転しながら引き上げ、直径１１０ｍｍ、長さ２７
０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長した。結晶成長中は、気
密容器内のＡｓガス分圧は高解離圧成分分圧制御部１１
の温度を制御することによって行った。
【００２０】結晶成長後、気密容器内を所望の温度分布
に制御しながらヒーター１２及び１８〜２１の温度を徐
々に低下させ、３〜５℃／分の速度で結晶を冷却した。
６５０℃になったところで引上軸２を上方に引き上げる
ことによって上部気密容器４を上昇させ、気密容器を開
放した。その後ただちにチャンバー１の内部を減圧して
液体シール剤７，９および液体封止剤１６を泡立て、そ
のまま室温まで冷やした。液体シール剤７，９にＢ2Ｏ3
を使用しているので、気密容器の開放はシール材の軟化
温度である４００℃以上で行う必要がある。シール材の
粘度の点から６００℃以上で気密容器を開放することが
望ましい。
に制御しながらヒーター１２及び１８〜２１の温度を徐
々に低下させ、３〜５℃／分の速度で結晶を冷却した。
６５０℃になったところで引上軸２を上方に引き上げる
ことによって上部気密容器４を上昇させ、気密容器を開
放した。その後ただちにチャンバー１の内部を減圧して
液体シール剤７，９および液体封止剤１６を泡立て、そ
のまま室温まで冷やした。液体シール剤７，９にＢ2Ｏ3
を使用しているので、気密容器の開放はシール材の軟化
温度である４００℃以上で行う必要がある。シール材の
粘度の点から６００℃以上で気密容器を開放することが
望ましい。
【００２１】以上の様な操作を行ったところ、上部気密
容器４、下部気密容器５の割れなどは皆無であり、上部
気密容器４及び下部気密容器５の寿命は飛躍的に長くな
った。またＰＢＮ（パイロリティックボロンナイトライ
ド）の剥離がなくなったので、低カーボン濃度の結晶を
安定して成長できるようになった。
容器４、下部気密容器５の割れなどは皆無であり、上部
気密容器４及び下部気密容器５の寿命は飛躍的に長くな
った。またＰＢＮ（パイロリティックボロンナイトライ
ド）の剥離がなくなったので、低カーボン濃度の結晶を
安定して成長できるようになった。
【００２２】気密容器を開放する最適温度は、結晶と液
体シール剤の種類によって異なる。あまり低い温度まで
下げてから開放しようとすると液体シール剤７が固化し
て気密容器の分割が困難になる。またあまり高い温度で
気密容器の分割を行うと結晶が高温にさらされ、結晶が
ダメージを受ける。結晶の融点の８５％以下の温度で気
密容器を開放するのが適当である。実施例のように気密
容器を分割した後チャンバー１内を減圧すれば、液体シ
ール剤中に溶け込んでいた成分がガス化して液体シール
剤が泡状になって固化するため、気密容器の保護のため
により好ましい。
体シール剤の種類によって異なる。あまり低い温度まで
下げてから開放しようとすると液体シール剤７が固化し
て気密容器の分割が困難になる。またあまり高い温度で
気密容器の分割を行うと結晶が高温にさらされ、結晶が
ダメージを受ける。結晶の融点の８５％以下の温度で気
密容器を開放するのが適当である。実施例のように気密
容器を分割した後チャンバー１内を減圧すれば、液体シ
ール剤中に溶け込んでいた成分がガス化して液体シール
剤が泡状になって固化するため、気密容器の保護のため
により好ましい。
【００２３】実施例では引上軸２を上方に引き上げるこ
とによって上部気密容器４を上昇させ気密容器を開放し
たが、図２に示す装置を用いて操作棒２４を上方に引き
上げることにより上部気密容器４を持ち上げる方法でも
よいし、単にるつぼ回転軸３を降下して気密容器を開放
してもよい。気密容器の開放の操作は、引上軸２を用い
ても、るつぼ回転軸３を用いても、操作棒２４を用いて
も、同様の効果が得られる。
とによって上部気密容器４を上昇させ気密容器を開放し
たが、図２に示す装置を用いて操作棒２４を上方に引き
上げることにより上部気密容器４を持ち上げる方法でも
よいし、単にるつぼ回転軸３を降下して気密容器を開放
してもよい。気密容器の開放の操作は、引上軸２を用い
ても、るつぼ回転軸３を用いても、操作棒２４を用いて
も、同様の効果が得られる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の方法及び装置では、液体シール
剤が固化して気密容器の接合部が固着される前に気密容
器を分割するため、気密容器の分割による接合部の損傷
や、液体シール剤の冷却固化時の収縮応力による容器の
破損などがなく、また、気密容器がＰＢＮ（パイロリテ
ィックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティック
グラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラ
ファイトの基材にコーティングして作られたものではコ
ーティングが剥離しにくいため、気密容器の寿命が著し
く長くなる。
剤が固化して気密容器の接合部が固着される前に気密容
器を分割するため、気密容器の分割による接合部の損傷
や、液体シール剤の冷却固化時の収縮応力による容器の
破損などがなく、また、気密容器がＰＢＮ（パイロリテ
ィックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイロリティック
グラファイト）、ガラス化カーボン、ＳｉＣなどをグラ
ファイトの基材にコーティングして作られたものではコ
ーティングが剥離しにくいため、気密容器の寿命が著し
く長くなる。
【００２５】そのため、高価な気密容器を頻繁に取り替
える必要がなく、コスト低減がはかれる。また、ＰＢＮ
（パイロリティックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイ
ロリティックグラファイト）、ガラス化カーボン、Ｓｉ
Ｃなどのコーティングが剥離しにくいため、基材のグラ
ファイトが表面に露出して結晶材料を汚染するなどの問
題を生じることがないため、電気特性の安定した高品質
単結晶が安定して得られる。
える必要がなく、コスト低減がはかれる。また、ＰＢＮ
（パイロリティックボロンナイトライド）、ＰＧ（パイ
ロリティックグラファイト）、ガラス化カーボン、Ｓｉ
Ｃなどのコーティングが剥離しにくいため、基材のグラ
ファイトが表面に露出して結晶材料を汚染するなどの問
題を生じることがないため、電気特性の安定した高品質
単結晶が安定して得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す高解離圧単結晶の製造
装置の断面模式図である。
装置の断面模式図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す高解離圧単結晶の製
造装置の断面模式図である。
造装置の断面模式図である。
【図３】従来の高解離圧単結晶の製造装置の断面模式図
である。
である。
１：チャンバー ２：引上軸 ３：るつぼ回転軸 ４：上部気密容器 ５：下部気密容器 ６，８：液体シール剤溜 ７，９：液体シール剤 １０：導管 １１：高解離圧成分分圧制御部 １２：ヒーター １３：固体原料 １４：るつぼ １５：原料 １６：液体封止剤 １７：種結晶 １８〜２１：ヒーター ２２：単結晶 ２３：突起 ２４：操作棒 ２５：保温材
Claims (4)
- 【請求項１】 分割可能に構成し、その接合部を液体シ
ール剤によって密封する構造とした気密容器内に高解離
圧成分元素ガスを密閉し、その容器内で高解離圧単結晶
の成長を行う単結晶の成長方法において、単結晶成長後
冷却中に液体シール材が固化する温度よりも高い温度で
気密容器の接合部を分割し、気密容器を開放することを
特徴とする高解離圧単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 分割可能に構成し、その接合部を液体シ
ール剤によって密封する構造とした気密容器内に高解離
圧成分元素ガスを密閉し、その容器内で高解離圧単結晶
の成長を行う単結晶の成長装置において、結晶引上軸に
上部気密容器を支持するための突起を設けたことを特徴
とする高解離圧単結晶の製造装置。 - 【請求項３】 分割可能に構成し、その接合部を液体シ
ール剤によって密封する構造とした気密容器内に高解離
圧成分元素ガスを密閉し、その容器内で高解離圧単結晶
の成長を行う単結晶の成長装置において、上部気密容器
を昇降するための操作棒を設けたことを特徴とする高解
離圧単結晶の製造装置。 - 【請求項４】 気密容器を、結晶の融点の８５％以下の
温度で分割することを特徴とする請求項１に記載の高解
離圧単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16327492A JP3158661B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16327492A JP3158661B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH061693A JPH061693A (ja) | 1994-01-11 |
| JP3158661B2 true JP3158661B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=15770698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16327492A Expired - Lifetime JP3158661B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158661B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005200224A (ja) * | 2002-01-11 | 2005-07-28 | Nikko Materials Co Ltd | 単結晶成長装置 |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP16327492A patent/JP3158661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061693A (ja) | 1994-01-11 |
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