JPH1192270A

JPH1192270A - 結晶製造装置および製造方法

Info

Publication number: JPH1192270A
Application number: JP24689997A
Authority: JP
Inventors: Hidetaka Kawamura; 英孝河村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-09-11
Filing date: 1997-09-11
Publication date: 1999-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、高品質の大口径の結晶を製造でき
る、構造の簡単な結晶製造装置及び方法を提供すること
を目的とする。【解決手段】本発明の結晶製造装置は、円筒形の坩堝
中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融させ、
坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結
晶化させる結晶製造装置において、該側面ヒーターを回
転させるための側面ヒーター回転機構を設けたことを特
徴とする。本発明の結晶製造方法は、円筒形の坩堝中
の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融させ、坩
堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結晶
化させる結晶製造方法において、該坩堝を回転させるこ
となく該側面ヒーターを回転させながら引き下げを行い
該結晶性物質の冷却を行い結晶化させることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、レンズ等の光
学部材に用いられる石英、蛍石等の結晶材料（硝材）を
製造するための結晶製造装置及び結晶製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】光学部材は、望遠鏡、カメラ、あるいは
半導体集積回路製造用の露光装置等に用いられている。
とりわけ、露光装置では高品質の光学部材が望まれてい
る。

【０００３】近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、
超微細パターン形成への要求が益々高まっている。微細
パターンをウェハ上に転写する装置としては、ステップ
・アンド・リピート方式の縮小投影小型露光装置（ステ
ッパー）が多用されている。高集積化するためには、ス
テッパー投影レンズの解像度を上げる必要がある。そし
て、投影レンズの解像度を上げるには短波長の露光光を
用い、投影レンズの開口数を大きく（大口径化）する必
要がある。

【０００４】また、露光光の短波長は、ｇ線（波長４３
６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｉ線（波長３６５
ｎｍ）と進んできており、今後はＫｒ−Ｆエキシマレー
ザー光（波長２４８ｎｍ）、Ａｒ−Ｆエキシマレーザ光
（波長１９３ｎｍ）の使用が有望視されている。

【０００５】ｉ線までの波長域では、光学系に従来の光
学レンズを使用することが可能であったが、Ｋｒ−Ｆエ
キシマレーザー光、Ａｒ−Ｆエキシマレーザー光の波長
域では、透過率が低く、従来の光学ガラスを使用するこ
とは不可能である。

【０００６】このため、エキシマレーザー露光装置の光
学系には、短波長光の透過率の高い石英ガラスまたは蛍
石を使用するのが一般的になっている。

【０００７】一方、光学系の色収差補正のためには、屈
折率の異なる２つ以上の硝材があることが望ましい。

【０００８】また、ステッパー投影レンズを構成する各
レンズは、極限の面精度で研磨されるが、多結晶になっ
ていると結晶方位によって研磨速度が異なるため、レン
ズの面精度を確保することが困難になる。

【０００９】更に、多結晶の場合には、結晶界面に不純
物が偏析しやすく、屈折率の均一性を損ねたり、レーザ
−照射により傾向を発したりする。

【００１０】このような理由で、エキシマレーザー露光
装置の投影レンズでは、大口径の単結晶蛍石が望まれて
いる。

【００１１】例えば、蛍石は従来、坩堝引き下げ法（ブ
リッジマン法）で製造されており、その製造装置には図
５に示す１室タイプと、図６に示す２室タイプ（米国特
許公報２，２１４，９７６号参照）がある。図５は従来
の１室タイプの結晶製造装置の模式的な断面図である。
この装置は、主として炉室６を形成する筐体５と炉室内
に配置されたグラファイト製の側面ヒーター３とで構成
される。側面ヒーター３は側面ヒーター用電源８から電
力が供給されるが、その電力は、ヒーター用制御装置９
によって制御される。

【００１２】筐体５の底を貫いて、坩堝支持棒２の上部
が炉室６に達し、この坩堝支持棒２の上端に坩堝１が取
り付けられる。この坩堝１に原料を入れ、炉室６内を真
空にし、炉温を蛍石の融点以上（通常摂氏１３９０〜１
４５０度まで）上げ、熔融する。結晶成長させる時は、
０．１〜５ｍｍ／時ぐらいの速度で坩堝１を降下させ、
下部の方から結晶化させていく。

【００１３】図６は従来の２室タイプの結晶製造装置の
模式的な断面図である。図５，６両図の右側のグラフ
は、炉の中心部の鉛直方向にそった温度を示すが、１室
タイプでは炉の中心に沿った温度分布が、図５右側に示
すように一つ山型となるのに対し、２室タイプでは図６
の右側に示すように２つ山型となる。

【００１４】高品質の単結晶を作るには、結晶成長速度
を遅くする、坩堝内面を滑らかに仕上げる、結晶起点を
坩堝最下瑞の一点とする等、幾つか配慮すべき点があ
る。

【００１５】本発明者は、結晶溶液の温度分布で、融点
の等温線（固液界面に相当）を出来るだけ水平に保つこ
とが重要であることを知見した。

【００１６】図５や、図６に示すような装置では、投影
レンズひいては坩堝の大口径に伴い、結晶融液の炉壁近
傍と中心部との間に温度差が生じ、温度分布の制御が困
難になる。その対策として炉液の上部または下部にヒー
ターを付加して温度制御する装置が提案されている（特
開平４−３４１９８号公報、特開平４−３４９１９９号
公報参照）。しかしながら、こうした装置は、その構造
が複雑になる。

【００１７】そこで単純な方法として、坩堝の構造を工
夫し、結晶溶液の温度分布の改良を図ったものに、図７
に示すように仕切り板１ａで複数の領域に分けられたタ
イプ（ディスクタイプ）がある。（チェレドフ・Ｖ・
Ｎ．，ニェオルガニーチェスキーマテリアル、Ｎｏ．
３、ｖｏｌ．２８、（ｌ９９２）５５０）。

【００１８】図７において、坩堝１は３つの領域７に分
けられる。上下の坩堝の仕切り板１ａの中央の孔１ｂを
介して各領域７が連通し、坩堝１の上部へ進む。

【００１９】本発明者が詳しく検討した結果、上記図９
の従来例でも、蛍石の融点付近の溶液の温度分布で、結
晶溶液の温度分布で等温線が十分水平に保たれず、高品
質の結晶、特に大口径（例えば直径２５０ミリ以上）の
結晶が得にくい。

【００２０】また、大口径化に従い、坩堝の断面内でも
温度差が生じ、温度分布の制御が困難になる。その対策
として図８に示すような坩堝を回転させる機構を有する
ものもある。図８におい坩堝１と坩堝支持棒２は坩堝回
転用モーター２ｃにより回転する。該坩堝回転用モータ
ーは坩堝回転用電源２ｄから電力を供給されるが、その
電力は、回転制御装置１３によって制御される。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者が詳しく検討した結果、上記図８の従来例でも、結晶
成長縞が水平にならず、高品質の大口径（例えば２５０
ミリ以上）の結晶が得にくいことが判明した。

【００２２】そしてその原因は、坩堝を回転させる際に
振動が生じ、坩堝が水平にならないからであることが本
発明者は解明した。

【００２３】本発明の目的は、高品質の大口径の結晶を
製造できる、構造の簡単な結晶製造装置及び方法を提供
することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の結晶製造装置
は、円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面ヒーターにより
加熱し熔融させ、坩堝を引き下げることにより該結晶性
物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置において、該
側面ヒーターを回転させるための側面ヒーター回転機構
を設けたことを特徴とする。

【００２５】本発明の結晶製造方法は、円筒形の坩堝
中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融させ、
坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却して結
晶化させる結晶製造方法において、該坩堝を回転させる
ことなく該側面ヒーターを回転させながら引き下げを行
い該結晶性物質の冷却を行い結晶化させることを特徴と
する。

【００２６】本発明の他の結晶製造装置は、円筒形の坩
堝中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融さ
せ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却し
て結晶化させる結晶製造装置において、該堝と該側面ヒ
ーターとの間に円筒形の均熱筒と、該均熱筒を回転させ
るための均熱筒回転機構とを設けたことを特徴とする。

【００２７】本発明の他の結晶製造方法は、円筒形の坩
堝中の結晶性物質を側面ヒーターにより加熱し熔融さ
せ、坩堝を引き下げることにより該結晶性物質を冷却し
て結晶化させる結晶製造方法において、該坩堝と側面ヒ
ーターとの間に均熱筒を設け、該坩堝を回転させること
なく該均熱筒を回転させながら引き下げを行い該結晶性
物質の冷却を行い結晶化させることを特徴とする。

【００２８】

【作用】本発明によれば、坩堝の上面に側面ヒーターか
ら直接的あるいは間接的に加えられる熱量を一定に保
ち、結晶溶液の温度分布において、融点の等固液界面を
水平に保つことが出来る。これにより、高品質、大口径
の結晶が得られる。以下、本発明の作用について詳述す
る。

【００２９】図９は、従来の１室タイプの坩堝の熱の流
れを説明するための模式図である。図１０は従来のディ
スクタイプの坩堝の熱の流れを説明するための模式図で
ある。この図において、坩堝内の伝熱状態を考えると、
結晶溶液は、図９の結晶製造装置では、坩堝１から主に
熱伝導により、また図１０のディスクタイプの結晶製造
装置では、坩堝１内の仕切り板１ａからも伝導により熱
を受ける。また、坩堝１は、側面ヒーター３から坩堝１
の上面と側面へは輻射で熱を与えられる。坩堝１の下面
から下の空間ヘは輻射により、坩堝１の下部から坩堝支
持棒２ヘは伝導により、熱が奪われる。

【００３０】結局、結晶溶液内の温度分布は、側面ヒー
ター３から坩堝１の上面への伝熱量をＱ₁、側面ヒータ
ー３から坩堝１の側面への伝熱量をＱ₂、坩堝１の底面
から下方への熱伝導をＱ₃とすると、Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃の総
合的なバランスにより決定される。

【００３１】そして坩堝１が水平である場合は、等温度
線１５は坩堝１の中心に対して対称形になり、その結
果、図１１に示すような水平な結晶成長縞１６が生じ
る。

【００３２】しかし、坩堝１が傾いている場合、結晶溶
液により図１２に示すような傾いた等温度線を生じてし
まう。その結果、結晶成長縞は図１３に示すような傾い
た形や、図１４に示すような下に凸形になってしまう。
なお、以上の解析は本発明者が初めて行ったものであ
る。

【００３３】本発明においては側面ヒーター３を回転さ
せ、代りに坩堝１は回転させないことにより、上述した
坩堝１の傾斜の問題を解決する。坩堝を回転させなけれ
ば、坩堝１の振動を著しく減少させることが出来る。ま
た、側面ヒーター３が回転するため、坩堝１の横断面内
の温度分布において、坩堝１の中心に対して対称な温度
分布を持たせることが出来る。よって本発明により大口
径単結晶の光学材を製造することが可能になる。

【００３４】また、坩堝１と側面ヒーター３との間に均
熱筒１１を設置し、該均熱筒１１を回転させる。側面ヒ
ーター３から発せられた熱は、均熱筒１１に輻射により
伝わり、均熱筒１１からさらに坩堝１１に伝わる。ここ
で、均熱筒１１が回転しているため、坩堝１の横断面内
の温度分布において、坩堝１の中心に対して対称な温度
分布を持たせることが出来る。よって本発明により大口
径の結晶の光学材を製造することが可能になる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下実施例を挙げて本発明をより
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限られ
るものではなく、本発明の目的が達成されるものであれ
ば、各構成要素が代替物に置換されたものであってもよ
い。

【００３６】以下に図面を参照して本発明の実施の形態
を説明する。図示した実施の形態の装置で原料を収容す
る領域は図示されている場合以外でも構わない。

【００３７】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図で
ある。

【００３８】第１の実施の形態は、側面ヒーターを回転
させる側面ヒーター回転機構を有する形態である。

【００３９】図１における結晶製造装置は、炉室６を形
成する筐体５と、炉室６内に配置され、例えばグラファ
イト製の側面ヒーター３とからなる。本例では、側面ヒ
ーター３は上下が開放した円筒形をしている該側面ヒー
ター３には、側面ヒーター用電源８から電力が供給され
る。ここでは特に図示しないが、電力が供給される側面
ヒーターの電極はブラシを用い、またそのブラシと該側
面ヒーターの接触位置は側面ヒーターの上端と下端に位
置し、該側面ヒーター３の回転に際し、常に一定の電力
が供給可能な機構になっている。また、電力はヒーター
用制御装置９によって制御される。

【００４０】坩堝１は、例えばグラファイトもしくはプ
ラチナ製である。また、筐体５の内側には表面を良く研
磨されたグラファイト製の側面断熱部材４が設置され筐
体５を高熱から保護する。

【００４１】筐体５はステンレス製の２重の円筒であ
り、円筒間には不図示の断熱部材を備えている。

【００４２】筐体５の下部から筐体５を突き抜ける形で
坩堝支持棒２が設置され坩堝１を支えている。坩堝昇降
用モーター２ａは坩堝昇降用電源２ｂから電力を供給さ
れるが、その電力は昇降用制御装置１２によって制御さ
れる。

【００４３】該側面ヒーターの下部外部には、側面ヒー
ター回転シャフト１０が設けられている。側面ヒーター
の下部外部に抵触させ側面ヒーター回転シャフト１０が
設けられている。該側面ヒーター３は側面ヒーター回転
用モーター３ｂにより回転する。該側面ヒーター回転用
モーター３ｂは側面ヒーター回転用電源８ａから電力を
供給されるが、その電力は昇降用制御装置１３によって
制御される。

【００４４】また必要に応じ、側面ヒーター回転シャフ
ト１０の一部に断熱手段として側面ヒーター回転シャフ
ト断熱部材１０ｂを設け、該側面ヒーター３から、該側
面ヒーター回転シャフト１０に伝わり炉室６外ヘ放出さ
れる熱量を制限している。

【００４５】断熱部材としては、ＭｇＯ、セラミック、
金属メッシュ、耐熱煉瓦、多孔カーボンが好ましい。ま
た、ＭｇＯ、セラミック、金属メッシュ、耐熱煉瓦、多
孔カーボンの各組み合わせでもよい。

【００４６】この結晶製造装置では、坩堝１が回転しな
いため、坩堝１が振動せず、坩堝１を常に水平に保つこ
とが出来る。そのため高品質の大口径（２５０ｍｍ以
上）の結晶を製造できる。また、炉室６の上下に必要に
応じて断熱部材を設けてもよい。

【００４７】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図で
ある。第２の実施例は、第１の実施の形態と同じである
が、坩堝１内が仕切り板１ａにより複数の領域７に分け
られている点のみが異なる。他の点は第１の実施の形態
と同様である。

【００４８】本形態では、坩堝１内が仕切り板１ａによ
り複数の領域に分けられているため水平方向の温度分布
がより均一となり、より一層均一な高品質、大口径の結
晶を製造できる。

【００４９】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
３の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図で
ある。第３の実施の形態は、側面ヒーター３と坩堝１と
の間に、回転機構を備えた均熱筒１１を有する形態であ
る。

【００５０】すなわち、坩堝１と側面ヒーター３の間に
均熱筒１１を有している。均熱筒１１はグラファイトも
しくはプラチナ製である。該均熱筒の下部に均熱筒回転
シャフト１４が設けられ、均熱筒１１は均熱筒回転モー
ター１４ａにより回転する。該均熱筒回転用モーター１
４ａは均熱筒用電源１４ｂから電力を供給されるが、そ
の電力は回転制御装置１３によって制御される。

【００５１】また必要に応じ均熱筒回転シャフト１４の
一部に断熱手段として均熱筒回転シャフト断熱部材１４
ｃを有し、該均熱筒１１から該均熱筒回転シャフト伝わ
り炉外へ放出される熱量を制限している。他の点は第１
の実施の形態と同様であるので説明を省略する。

【００５２】この結晶製造装置では、均熱筒１１を介し
て間接的に坩堝に熱を与えており、さらに、坩堝１が回
転しないため、坩堝１が振動せず、坩堝を常に水平に保
つことが出来るため、より一層温度分布を均一に保つこ
とができる。また、炉室６の上下に必要に応じて断熱部
材を設けてもよい。

【００５３】（第４の実施の形態）図４は、本発明の第
４の実施の形態に係る結晶製造装置の模式的な断面図で
ある。第４の実施の形態は、第３の実施の形態と同じで
ある、が坩堝１内が仕切り板１ａにより複数の領域７に
分けられている点のみが異なる。

【００５４】また必要に応じ均熱筒回転シャフト１４は
その１部に均熱筒回転シャフト断熱部材１４ｃを有し、
該均熱筒から、該均熱筒回転シャフト伝わり炉外へ放出
される熱量を制限している。この装置では、坩堝１が回
転しないため、該坩堝が振動せず、該坩堝を常に水平に
保つことが出来る。また、炉室６の上下に必要に応じて
断熱部材を設けてもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
側面ヒーターに回転機構を設置するという簡単な方法
で、坩堝断面内の温度分布において、坩堝中心に対して
対称な温度分布を持たせつつ、坩堝を水平に保つことが
出来るので、良質な大口径蛍石等の結晶を製造すること
ができる。

【００５６】また、本発明によれば、坩堝上と側面ヒー
ターの間に、回転機構を備えた均熱筒を設置するという
簡単な方法で、坩堝断面内の温度分布において、坩堝中
心に対して対称な温度分布を持たせつつ、坩堝を水平に
保つことが出来るので、良質な大口径蛍石等の結晶を製
造することできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置の
概略垂直断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態にかかる製造装置の
概略垂直断面図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態にかかる製造装置の
概略垂直断面図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態にかかる製造装置の
概略垂直断面図である。

【図５】従来の１室タイプ・ブロックタイプ「るつぼ降
下法製造装置」の慨略垂直断面図である。

【図６】従来の２室タイプ・ブロックタイプ「るつぼ降
下法製造装置」の概略垂直断面図である。

【図７】ディスクタイプ「るつぼ降下法製造装置」の概
略垂直断面図である。

【図８】従来の坩堝回転機構を備えたディスクタイプ
「るつぼ降下法製造装置」の概略垂直断面図である。

【図９】従来のブロックタイプの坩堝における熱の流れ
を示す模式図である。

【図１０】従来のディスクタイプの坩堝における熱の流
れを示す模式図である。

【図１１】水平な結晶成長縞の模式図である。

【図１２】傾いた坩堝内における結晶溶液の等温度線の
模式図である。

【図１３】傾いた結晶成長縞の模式図である。

【図１４】下に凸形の結晶成長縞の模式図である。

【符号の説明】１坩堝、１ａ坩堝仕切り板、１ｂ孔、２坩堝支持棒、２ａ坩堝昇降モーター、２ｂ坩堝昇降モーター用電源、２ｃ坩堝回転モーター、２坩堝回転用電源、３側面ヒーター、３ｂ側面ヒーター回転モーター、４側面断熱部材、５筐体（チャンバー）、６炉室、７領域、８側面ヒーター加熱用電源、８ａ側面ヒーター回転用電源、９ヒーター用制御装置、１０側面ヒーター回転シャフト、１１側面ヒーター回転シャフト断熱部材、１２昇降制御装置、１３回転制御装置、１４均熱筒回転シャフト、１４ａ均熱筒回転モーター、１４ｂ均熱筒回転用電源、１４ｃ均熱筒回転シャフト断熱部材、１５等温度線、１６結晶成長縞。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円筒形の坩堝中の結晶性物質を上部・下
部・側面のうち一カ所、もしくは複数カ所に設けられた
ヒーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げること
により該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装
置において、該側面ヒーターを回転させるための側面ヒ
ーター回転機構を設けたことを特徴とする結晶製造装
置。
【請求項２】前記側面ヒーター回転機構は、側面ヒー
ターの上部、下部、側部のうち一ヵ所、もしくは複数ヵ
所に設けられた側面ヒーター回転シャフトと該回転シャ
フトを回転させるための回転モーターとからなることを
特徴とする請求項１記載の結晶製造装置。
【請求項３】前記側面ヒーター回転シャフトの少なく
とも１区間が断熱手段からなることを特徴とする請求項
２記載の結晶製造装置。
【請求項４】前記断熱部材は、断熱部材あることを特
徴とする請求項３記載の結晶製造装置。
【請求項５】前記断熱部材は、ＭｇＯ、セラミック、
金属メッシュ、耐熱耐火煉瓦、多孔カーボンから選択さ
れる材料からなることを特徴とする請求項４記載の結晶
製造装置。
【請求項６】前記断熱部材は、ＭｇＯ、セラミック、
金属メッシュ、耐熱耐火煉瓦、多孔カーボンの各組み合
わせから選択される材料からなることを特徴とする請求
項４記載結晶製造装置。
【請求項７】前記坩堝は、前記原料を収容する領域を
唯一有していることを特徴とする請求項１ないし６のい
ずれか１項記載の結晶製造装置。
【請求項８】前記坩堝は、仕切り板を備え、前記原料
を収容する領域が複数に分けられていることを特徴とす
る請求項１ないし６のいずれか１項記載の結晶製造装
置。
【請求項９】前記仕切り板の少なくとも１つは、中央
に孔を有し、該孔を介して上下の前記領域が連通してい
ることを特徴とする請求項８記載の結晶製造装置。
【請求項１０】前記結晶性物質は蛍石であることを特
徴とする請求項１ないし９のいずれか１項記載の結晶性
製造装置。
【請求項１１】円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面ヒ
ーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げることに
より該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造方法
において、該坩堝を回転させることなく該側面ヒーター
を回転させながら引き下げを行い該結晶性物質の冷却を
行い結晶化させることを特徴とする結晶製造方法。
【請求項１２】前記結晶性物質は蛍石であることを特
徴とする請求項１１記載の結晶製造方法。
【請求項１３】円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面ヒ
ーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げることに
より該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造装置
において、該堝と該側面ヒーターとの間に円筒形の均熱
筒と、該均熱筒を回転させるための均熱筒回転機構とを
設けたことを特徴とする結晶製造装置。
【請求項１４】前記均熱筒回転機構は、均熱筒の上
部、下部、側部のうち一ヵ所、もしくは複数ヵ所に設け
られた均熱筒回転シャフトと該均熱筒回転シャフトを回
転させるための回転モーターとからなることを特徴とす
る請求項１３記載の結晶製造装置。
【請求項１５】前記均熱筒回転シャフトの少なくとも
１区間が断熱手段からなることを特徴とする請求項１４
記載の結晶製造装置。
【請求項１６】前記断熱部材は、断熱部材あることを
特徴とする請求項１５記載の結晶製造装置。
【請求項１７】前記断熱部材は、ＭｇＯ、セラミッ
ク、金属メッシュ、耐熱耐火煉瓦、多孔カーボンから選
択される材料からなることを特徴とする請求項１６記載
の結晶製造装置。
【請求項１８】前記断熱部材は、ＭｇＯ、セラミッ
ク、金属メッシュ、耐熱耐火煉瓦、多孔カーボンの各組
み合わせから選択される材料からなることを特徴とする
請求項１６記載結晶製造装置。
【請求項１９】前記坩堝は、前記原料を収容する領域
を唯一有していることを特徴とする請求項１３ないし１
８のいずれか１項記載の結晶製造装置。
【請求項２０】前記坩堝は、仕切り板を備え、前記原
料を収容する領域が複数に分けられていることを特徴と
する請求項１３ないし１８のいずれか１項記載の結晶製
造装置。
【請求項２１】前記仕切り板の少なくとも１つは、中
央に孔を有し、該孔を介して上下の前記領域が連通して
いることを特徴とする請求項２０記載の結晶製造装置。
【請求項２２】前記結晶性物質は蛍石であることを特
徴とする請求項１３ないし２１のいずれか１項記載の結
晶性製造装置。
【請求項２３】円筒形の坩堝中の結晶性物質を側面
ヒーターにより加熱し熔融させ、坩堝を引き下げること
により該結晶性物質を冷却して結晶化させる結晶製造方
法において、該坩堝と側面ヒーターとの間に均熱筒を設
け、該坩堝を回転させることなく該均熱筒を回転させな
がら引き下げを行い該結晶性物質の冷却を行い結晶化さ
せることを特徴とする結晶製造方法。
【請求項２４】前記結晶性物質は蛍石であることを特
徴とする請求項２３記載の結晶製造方法。