JPH1154563A - チップ部品の実装方法 - Google Patents
チップ部品の実装方法Info
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- JPH1154563A JPH1154563A JP9211828A JP21182897A JPH1154563A JP H1154563 A JPH1154563 A JP H1154563A JP 9211828 A JP9211828 A JP 9211828A JP 21182897 A JP21182897 A JP 21182897A JP H1154563 A JPH1154563 A JP H1154563A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】信頼性及び生産性が高く、容易かつ低コストで
行うことができるチップ部品の実装方法を提供する。 【解決手段】基板１上にチップ部品（半導体レーザ）９
を実装する方法において、（１）ハンダシート１０を打
ち抜いてなるハンダバンプ２を基板１上に設ける工程
と、（２）ハンダバンプ２の表面に化学的に不活性な液
体１３を滴下する工程と、（３）チップ部品９に設けら
れたチップ側ハンダ接合パッド４をハンダバンプ２に接
触して、基板１にチップ部品９を仮置きする工程と、
（４）液体１３中にあるハンダバンプ２を加熱溶融し
て、基板１とチップ部品９とを接合する工程と、を有す
る。
行うことができるチップ部品の実装方法を提供する。 【解決手段】基板１上にチップ部品（半導体レーザ）９
を実装する方法において、（１）ハンダシート１０を打
ち抜いてなるハンダバンプ２を基板１上に設ける工程
と、（２）ハンダバンプ２の表面に化学的に不活性な液
体１３を滴下する工程と、（３）チップ部品９に設けら
れたチップ側ハンダ接合パッド４をハンダバンプ２に接
触して、基板１にチップ部品９を仮置きする工程と、
（４）液体１３中にあるハンダバンプ２を加熱溶融し
て、基板１とチップ部品９とを接合する工程と、を有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、光素
子等のチップ部品を基板上に実装するチップ部品の実装
方法に関し、特に、基板のハンダバンプを溶融してチッ
プ部品のパッドにフリップチップ接合するチップ部品の
実装方法に関する。
子等のチップ部品を基板上に実装するチップ部品の実装
方法に関し、特に、基板のハンダバンプを溶融してチッ
プ部品のパッドにフリップチップ接合するチップ部品の
実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩや光素子等のチップ部品の
実装には、小型化、低コスト化、薄型化が求められてお
り、その要求を満たす技術として、フリップチップ接合
方法が有効である。フリップチップ接合方法は、基板と
チップ部品との間に設けられたハンダバンプを溶融する
ことにより、基板とチップ部品とを接合する方法であ
る。
実装には、小型化、低コスト化、薄型化が求められてお
り、その要求を満たす技術として、フリップチップ接合
方法が有効である。フリップチップ接合方法は、基板と
チップ部品との間に設けられたハンダバンプを溶融する
ことにより、基板とチップ部品とを接合する方法であ
る。
【０００３】一般に、この接合方法では、基板上にハン
ダバンプを形成し、このハンダバンプに対応する位置に
ハンダ接合パッドを設けたチップ部品を基板に仮搭載
し、次いで、ハンダバンプを加熱、溶融させて基板とチ
ップ部品とを接合する。
ダバンプを形成し、このハンダバンプに対応する位置に
ハンダ接合パッドを設けたチップ部品を基板に仮搭載
し、次いで、ハンダバンプを加熱、溶融させて基板とチ
ップ部品とを接合する。
【０００４】しかし、メッキ、プレス打ち抜き等でハン
ダバンプを形成すると、ハンダバンプの表面に酸化膜が
残留するので、溶融したハンダバンプとハンダ接合パッ
ドとが良好に接合するためには、ハンダバンプの表面に
付着された酸化膜を除去する必要がある。
ダバンプを形成すると、ハンダバンプの表面に酸化膜が
残留するので、溶融したハンダバンプとハンダ接合パッ
ドとが良好に接合するためには、ハンダバンプの表面に
付着された酸化膜を除去する必要がある。
【０００５】図１３は、ハンダバンプの表面に付着され
た酸化膜を除去するための従来の方法を説明するための
工程図である。Ｓｉ基板１上に形成されたハンダバンプ
２の表面には酸化膜３が付着している（図１３（ａ）参
照）。まず、Ｓｉ基板１の表面にフラックス７を塗布し
て、ハンダバンプ２の上部にチップ部品５のハンダ接合
パッド４を載せる（図１３（ｂ）参照）。
た酸化膜を除去するための従来の方法を説明するための
工程図である。Ｓｉ基板１上に形成されたハンダバンプ
２の表面には酸化膜３が付着している（図１３（ａ）参
照）。まず、Ｓｉ基板１の表面にフラックス７を塗布し
て、ハンダバンプ２の上部にチップ部品５のハンダ接合
パッド４を載せる（図１３（ｂ）参照）。
【０００６】次いで、チップ部品５を載せたＳｉ基板１
をリフロー炉によって加熱溶融する。これによって、酸
化膜３はフラックスの活性作用によって還元され（図１
３（ｃ）参照）、ハンダバンプ２が溶融して、Ｓｉ基板
１とハンダ接合パッド４を設けたチップ部品５とが接合
される（図１３（ｄ）参照）（ＩＥＥＥ トランス、コ
ンポーネンツ、ハイブリッズ、アンド マニュファクチ
ャイング、テクノロジー Vol.15, No.6, １０７２ー１
０８０頁（１９９２）IEEE Trans．Componennts，Hybri
ds, And Manufacturing Technology, Vol.15, No.6, p
p.1072-1080（1992）参照）。
をリフロー炉によって加熱溶融する。これによって、酸
化膜３はフラックスの活性作用によって還元され（図１
３（ｃ）参照）、ハンダバンプ２が溶融して、Ｓｉ基板
１とハンダ接合パッド４を設けたチップ部品５とが接合
される（図１３（ｄ）参照）（ＩＥＥＥ トランス、コ
ンポーネンツ、ハイブリッズ、アンド マニュファクチ
ャイング、テクノロジー Vol.15, No.6, １０７２ー１
０８０頁（１９９２）IEEE Trans．Componennts，Hybri
ds, And Manufacturing Technology, Vol.15, No.6, p
p.1072-1080（1992）参照）。
【０００７】また、特開平６ー１９６４８６号公報に
は、予め基板上に形成したバンプを溶融し、バンプを基
板に固定する、ウェットバックプロセスを行うバンプ形
成方法において、バンプに超音波等の振動を与えなが
ら、ウェットバックプロセスを行うバンプ形成方法が開
示されている。この方法によれば、超音波等の振動をバ
ンプ形成段階で与えることにより、酸化膜を除去するの
で、チップ部品を接合する段階で超音波等の振動を与え
る必要がなくなり、チップ部品の損傷を防止できるとし
ている。
は、予め基板上に形成したバンプを溶融し、バンプを基
板に固定する、ウェットバックプロセスを行うバンプ形
成方法において、バンプに超音波等の振動を与えなが
ら、ウェットバックプロセスを行うバンプ形成方法が開
示されている。この方法によれば、超音波等の振動をバ
ンプ形成段階で与えることにより、酸化膜を除去するの
で、チップ部品を接合する段階で超音波等の振動を与え
る必要がなくなり、チップ部品の損傷を防止できるとし
ている。
【０００８】さらに、特開平３ー２１８６４５号公報に
は、フラックスを用いることなく、配線基板の電極上に
形成された金属薄膜を介してその電極とチップ部品のハ
ンダバンプとの間を仮接着し、その仮接着状態のまま加
熱溶液中に浸漬して、ハンダバンプを溶融固着するチッ
プ部品の実装方法が開示されている。
は、フラックスを用いることなく、配線基板の電極上に
形成された金属薄膜を介してその電極とチップ部品のハ
ンダバンプとの間を仮接着し、その仮接着状態のまま加
熱溶液中に浸漬して、ハンダバンプを溶融固着するチッ
プ部品の実装方法が開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１３に示す方法で
は、フラックスを用いることによりチップ部品実装後、
バンプ接合部周囲に酸化性、腐食性成分が残留して、チ
ップ部品や基板上の金属部分に劣化を及ぼしやすくな
り、その結果、装置の電気的特性や信頼性を損なうこと
があるという問題が生じる。また、チップ部品が光素子
の場合、フラックスの残渣が光出射面に付着して光出力
特性あるいは受光感度を損ねるという問題がある。さら
に、チップ部品をハンダバンプ上に仮置きする際に、チ
ップ部品のハンダ接合パッドがハンダバンプに接触する
ようにする必要があるが、ハンダバンプの寸法が小さい
と、必要となる仮置き位置精度が厳しくなるという問題
がある。
は、フラックスを用いることによりチップ部品実装後、
バンプ接合部周囲に酸化性、腐食性成分が残留して、チ
ップ部品や基板上の金属部分に劣化を及ぼしやすくな
り、その結果、装置の電気的特性や信頼性を損なうこと
があるという問題が生じる。また、チップ部品が光素子
の場合、フラックスの残渣が光出射面に付着して光出力
特性あるいは受光感度を損ねるという問題がある。さら
に、チップ部品をハンダバンプ上に仮置きする際に、チ
ップ部品のハンダ接合パッドがハンダバンプに接触する
ようにする必要があるが、ハンダバンプの寸法が小さい
と、必要となる仮置き位置精度が厳しくなるという問題
がある。
【００１０】特開平６ー１９６４８６号公報に開示され
た従来技術では、ハンダバンプに振動を与えるための超
音波加振器等の振動装置を必要とするので、コストが増
大するという問題がある。また、酸化膜を除去するため
の振動を適宜調整しなければならないので、作業が面倒
である。
た従来技術では、ハンダバンプに振動を与えるための超
音波加振器等の振動装置を必要とするので、コストが増
大するという問題がある。また、酸化膜を除去するため
の振動を適宜調整しなければならないので、作業が面倒
である。
【００１１】特開平３ー２１８６４５号公報に開示され
た従来技術では、フラックスを用いることなくチップ部
品を実装するので、図１３に示す方法のように、フラッ
クスの残留物が基板やチップ部品の表面に付着すること
はない。しかし、ハンダバンプの形成を蒸着やメッキに
よって行うと、蒸着の場合には、真空状態にするために
コストが増加し、メッキの場合には、メッキ濃度や電流
密度のバラツキのために、均一性に限界があるという問
題がある。また、ハンダバンプを加熱する工程の他に、
ハンダの融点以上の温度（例えば、２５０℃）の液体
（例えば、グリセリン液）を入れた浴槽に浸漬してハン
ダバンプを溶融する工程を必要とするので、工程時間が
かかるという問題がある。
た従来技術では、フラックスを用いることなくチップ部
品を実装するので、図１３に示す方法のように、フラッ
クスの残留物が基板やチップ部品の表面に付着すること
はない。しかし、ハンダバンプの形成を蒸着やメッキに
よって行うと、蒸着の場合には、真空状態にするために
コストが増加し、メッキの場合には、メッキ濃度や電流
密度のバラツキのために、均一性に限界があるという問
題がある。また、ハンダバンプを加熱する工程の他に、
ハンダの融点以上の温度（例えば、２５０℃）の液体
（例えば、グリセリン液）を入れた浴槽に浸漬してハン
ダバンプを溶融する工程を必要とするので、工程時間が
かかるという問題がある。
【００１２】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、信頼性及び生産性が高く、容易かつ
低コストで行うことができるチップ部品の実装方法を提
供することを目的とする。
されたものであり、信頼性及び生産性が高く、容易かつ
低コストで行うことができるチップ部品の実装方法を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にチッ
プ部品を実装するチップ部品の実装方法において、
（１）シート状のハンダを打ち抜いてなるハンダバンプ
を基板上に設ける工程と、（２）ハンダバンプの表面に
化学的に不活性な液体を滴下する工程と、（３）チップ
部品に設けられたチップ側ハンダ接合パッドをハンダバ
ンプに接触して、基板にチップ部品を仮置きする工程
と、（４）液体中にあるハンダバンプを加熱溶融して、
基板とチップ部品とを接合する工程と、を有することを
特徴とするものである。
プ部品を実装するチップ部品の実装方法において、
（１）シート状のハンダを打ち抜いてなるハンダバンプ
を基板上に設ける工程と、（２）ハンダバンプの表面に
化学的に不活性な液体を滴下する工程と、（３）チップ
部品に設けられたチップ側ハンダ接合パッドをハンダバ
ンプに接触して、基板にチップ部品を仮置きする工程
と、（４）液体中にあるハンダバンプを加熱溶融して、
基板とチップ部品とを接合する工程と、を有することを
特徴とするものである。
【００１４】本発明によれば、ハンダバンプの溶融が液
体中で行われるので、ハンダバンプ溶融の際の加熱によ
って熱せられた液体がハンダバンプ周辺で対流、または
それに加えて沸騰する。
体中で行われるので、ハンダバンプ溶融の際の加熱によ
って熱せられた液体がハンダバンプ周辺で対流、または
それに加えて沸騰する。
【００１５】液体が沸騰した場合、液体中で発生した気
泡がつぶれることにより圧力波が発生する、キャビテー
ションと言われる現象が起こる。この現象によってハン
ダバンプ表面が撹乱され、バンプ表面に存在する酸化膜
を分断し実質的に除去する作用を有する。
泡がつぶれることにより圧力波が発生する、キャビテー
ションと言われる現象が起こる。この現象によってハン
ダバンプ表面が撹乱され、バンプ表面に存在する酸化膜
を分断し実質的に除去する作用を有する。
【００１６】また、酸化性および腐食性が含まれていな
い液体を用いることにより、信頼性の高い接合が可能で
ある。また、チップ部品が光素子の場合、フラックス等
に含まれている松脂等の固形成分を含まない液体を用い
ることにより、フラックスを使用した場合のように残渣
が光出射面に付着して光出力特性あるいは受光感度を損
ねるような事が起こらない。
い液体を用いることにより、信頼性の高い接合が可能で
ある。また、チップ部品が光素子の場合、フラックス等
に含まれている松脂等の固形成分を含まない液体を用い
ることにより、フラックスを使用した場合のように残渣
が光出射面に付着して光出力特性あるいは受光感度を損
ねるような事が起こらない。
【００１７】ハンダバンプの形成方法としては、シート
状のハンダを微小なポンチとダイスで打ち抜いてなる個
片状のハンダをハンダ接合パッド上に固定する事によっ
て形成することで、従来の蒸着やメッキとは異なり、迅
速かつ低コストなバンプ形成が可能であり、バンプ材質
が合金の場合は、あらかじめ正確な合金比率で製造した
ハンダシートを打ち抜くことにより正確な合金比率でバ
ンプを形成できる。
状のハンダを微小なポンチとダイスで打ち抜いてなる個
片状のハンダをハンダ接合パッド上に固定する事によっ
て形成することで、従来の蒸着やメッキとは異なり、迅
速かつ低コストなバンプ形成が可能であり、バンプ材質
が合金の場合は、あらかじめ正確な合金比率で製造した
ハンダシートを打ち抜くことにより正確な合金比率でバ
ンプを形成できる。
【００１８】本発明は又、チップ部品は光素子であり、
基板は光伝送路を有し、チップ部品と光伝送路とが光学
的に連通するように、チップ部品を配置することを特徴
とするものである。
基板は光伝送路を有し、チップ部品と光伝送路とが光学
的に連通するように、チップ部品を配置することを特徴
とするものである。
【００１９】この発明によれば、ハンダバンプを溶融す
ることによって生じる表面張力に起因するセルフアライ
メント作用により、光素子と光伝送路との光路を自動的
に連通させることが可能である。
ることによって生じる表面張力に起因するセルフアライ
メント作用により、光素子と光伝送路との光路を自動的
に連通させることが可能である。
【００２０】本発明の他の形態は、光伝送路を備えた基
板上に光素子であるチップ部品を実装し、光伝送路の光
軸線とチップ部品の光軸線とが一致するように、チップ
部品を配置するチップ部品の実装方法において、（１）
基板上に光伝送路の光軸線に対し略垂直方向に延びた第
１の基板側ハンダ接合パッドと、光伝送路の光軸線に対
し略平行に延びた第２の基板側ハンダ接合パッドとを設
ける工程と、（２）シート状のハンダを打ち抜いて、第
１の基板側ハンダ接合パッド及び第２の基板側ハンダ接
合パッドにそれぞれ第１のハンダバンプ及び第２のハン
ダバンプを設ける工程と、（３）第１のハンダバンプ及
び第２ハンダバンプの表面に化学的に不活性な液体を滴
下する工程と、（４）チップ部品に設けられたチップ側
ハンダ接合パッドを第１のハンダバンプ及び第２のハン
ダバンプに接触させて、基板にチップ部品を仮置きする
工程と、（５）液体中にある第１のハンダバンプ及び第
２のハンダバンプを加熱溶融して、基板とチップ部品と
を接合する工程と、を有することを特徴とするものであ
る。
板上に光素子であるチップ部品を実装し、光伝送路の光
軸線とチップ部品の光軸線とが一致するように、チップ
部品を配置するチップ部品の実装方法において、（１）
基板上に光伝送路の光軸線に対し略垂直方向に延びた第
１の基板側ハンダ接合パッドと、光伝送路の光軸線に対
し略平行に延びた第２の基板側ハンダ接合パッドとを設
ける工程と、（２）シート状のハンダを打ち抜いて、第
１の基板側ハンダ接合パッド及び第２の基板側ハンダ接
合パッドにそれぞれ第１のハンダバンプ及び第２のハン
ダバンプを設ける工程と、（３）第１のハンダバンプ及
び第２ハンダバンプの表面に化学的に不活性な液体を滴
下する工程と、（４）チップ部品に設けられたチップ側
ハンダ接合パッドを第１のハンダバンプ及び第２のハン
ダバンプに接触させて、基板にチップ部品を仮置きする
工程と、（５）液体中にある第１のハンダバンプ及び第
２のハンダバンプを加熱溶融して、基板とチップ部品と
を接合する工程と、を有することを特徴とするものであ
る。
【００２１】この発明によれば、第１及び第２のハンダ
バンプを加熱、溶融させると、液体が激しく対流、また
は沸騰する。この液体の対流及び沸騰による酸化膜除
去、ハンダ濡れ促進作用により、第１及び第２のハンダ
バンプが第１及び第２の基板側ハンダ接合パッド全体に
漏れ広がる。これと同時に、第１のハンダバンプには、
光軸線方向に主たる表面張力が作用し、第２のハンダバ
ンプには光軸線に対し垂直方向に主たる表面張力が作用
する。これにより、チップ部品が、所定の位置に高精度
に接合される。
バンプを加熱、溶融させると、液体が激しく対流、また
は沸騰する。この液体の対流及び沸騰による酸化膜除
去、ハンダ濡れ促進作用により、第１及び第２のハンダ
バンプが第１及び第２の基板側ハンダ接合パッド全体に
漏れ広がる。これと同時に、第１のハンダバンプには、
光軸線方向に主たる表面張力が作用し、第２のハンダバ
ンプには光軸線に対し垂直方向に主たる表面張力が作用
する。これにより、チップ部品が、所定の位置に高精度
に接合される。
【００２２】通常、球状のバンプを用いたセルフアライ
ンにおいて高精度な位置決めを達成するためには、バン
プの高さをある程度必要とするが、長方形のように細長
い形状のバンプの場合は、球状のバンプに比べて低いバ
ンプ高さでセルフアライメントが可能であるため、高さ
方向の誤差が少なくて済み、その結果、水平方向、垂直
方向とも高精度なセルフアラインが得られる。
ンにおいて高精度な位置決めを達成するためには、バン
プの高さをある程度必要とするが、長方形のように細長
い形状のバンプの場合は、球状のバンプに比べて低いバ
ンプ高さでセルフアライメントが可能であるため、高さ
方向の誤差が少なくて済み、その結果、水平方向、垂直
方向とも高精度なセルフアラインが得られる。
【００２３】ハンダバンプのサイズは、チップ側ハンダ
接合パッドのサイズよりも大きいのが好ましい。セルフ
アライメント作用においては、パッドの寸法が小さいほ
ど高い接合精度が得られる傾向がある反面、チップを仮
置きする際に厳しい精度で仮置きしなければならないと
いう問題がある。本発明では、チップ部品を仮置きする
際にはチップ側ハンダ接合パッドがバンプのー部に接し
てさえいればよいので、バンプ寸法が大きければそれだ
け仮置きに要する精度が緩くなるため実装が容易にな
り、パッドの寸法は小さいままなので高い接合精度が得
られる。
接合パッドのサイズよりも大きいのが好ましい。セルフ
アライメント作用においては、パッドの寸法が小さいほ
ど高い接合精度が得られる傾向がある反面、チップを仮
置きする際に厳しい精度で仮置きしなければならないと
いう問題がある。本発明では、チップ部品を仮置きする
際にはチップ側ハンダ接合パッドがバンプのー部に接し
てさえいればよいので、バンプ寸法が大きければそれだ
け仮置きに要する精度が緩くなるため実装が容易にな
り、パッドの寸法は小さいままなので高い接合精度が得
られる。
【００２４】従来、チップ部品を仮置きする際の精度と
してパッド幅の半分以下にする必要があったが、本発明
においてはパッドの幅よりも大きい径のハンダバンプを
パッド上に形成することで、必要となるチップの仮置き
精度を、打ち抜いたバンプの半径以内にまで緩和するこ
とができる。
してパッド幅の半分以下にする必要があったが、本発明
においてはパッドの幅よりも大きい径のハンダバンプを
パッド上に形成することで、必要となるチップの仮置き
精度を、打ち抜いたバンプの半径以内にまで緩和するこ
とができる。
【００２５】上記液体は、ハンダバンプの融点以下で沸
騰するのが好ましく、例えば、ワックス、アルカン系液
体、グリセリンからなる群から選択される。
騰するのが好ましく、例えば、ワックス、アルカン系液
体、グリセリンからなる群から選択される。
【００２６】上記ハンダバンプは、ＡｕＳｎ、ＰｂＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、Ｉｎ系はんだからなる群から選択される
材料で作られることにより、信頼性の高い実装が可能で
ある。
ｎ、ＡｕＳｉ、Ｉｎ系はんだからなる群から選択される
材料で作られることにより、信頼性の高い実装が可能で
ある。
【００２７】上記チップ側ハンダ接合パッドは、酸化の
影響を受けにくいＡｕ、Ｐｔからなる群から選択される
材料で作られることにより、良好なハンダ漏れ性を確保
できる。
影響を受けにくいＡｕ、Ｐｔからなる群から選択される
材料で作られることにより、良好なハンダ漏れ性を確保
できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１乃至図４は、本発明の
第１の実施の形態に係るチップ部品の実装方法を示す工
程図である。なお、図１、図２及び図４において、
（ａ）は平面図、（ｂ）は側断面図である。本実施の形
態では、基板としてＳｉ基板１、チップ部品として半導
体レーザ９、バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られた
ハンダバンプ２を選択する。
て図面を参照して説明する。図１乃至図４は、本発明の
第１の実施の形態に係るチップ部品の実装方法を示す工
程図である。なお、図１、図２及び図４において、
（ａ）は平面図、（ｂ）は側断面図である。本実施の形
態では、基板としてＳｉ基板１、チップ部品として半導
体レーザ９、バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られた
ハンダバンプ２を選択する。
【００２９】まず、図１（ａ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術によってＳｉ基板１上にＶ溝６、および
基板側ハンダ接合パッド１８をそれぞれ形成する。Ｖ溝
６はＫＯＨ等を用いた異方性エッチングによって形成す
る。これによって、基板側ハンダ接合パッド１８とＶ溝
６との相対位置精度はフォトリソグラフィにおけるフォ
トマスクの目合わせ精度で達成される。また、Ｖ構６と
は直角な方向に切削加工等によって矩形溝８を形成す
る。
ソグラフィ技術によってＳｉ基板１上にＶ溝６、および
基板側ハンダ接合パッド１８をそれぞれ形成する。Ｖ溝
６はＫＯＨ等を用いた異方性エッチングによって形成す
る。これによって、基板側ハンダ接合パッド１８とＶ溝
６との相対位置精度はフォトリソグラフィにおけるフォ
トマスクの目合わせ精度で達成される。また、Ｖ構６と
は直角な方向に切削加工等によって矩形溝８を形成す
る。
【００３０】次いで、図１（ｂ）に示すように、ＡｕＳ
ｎ共晶合金からなるハンダシート１０を微小なポンチ１
１とダイ１２によって打ち抜いてなるハンダバンプ２
を、基板側ハンダ接合パッド１８上に熱圧着する（例え
ば、特開平４ー６５８４７号公報「金属突起物の形成方
法および治具」、特開平４ー１５２６８２号公報「アレ
イ状光素子用サブ基板の作成方法」参照）。
ｎ共晶合金からなるハンダシート１０を微小なポンチ１
１とダイ１２によって打ち抜いてなるハンダバンプ２
を、基板側ハンダ接合パッド１８上に熱圧着する（例え
ば、特開平４ー６５８４７号公報「金属突起物の形成方
法および治具」、特開平４ー１５２６８２号公報「アレ
イ状光素子用サブ基板の作成方法」参照）。
【００３１】次いで、図２（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴下
する。液体１３としては、例えばワックス等のように、
化学的に不活性であり、ハンダバンプの融点以下で沸騰
するものが好ましい。そして、ハンダバンプ２の上に、
ハンダバンプ２に対応する位置にチップ側ハンダ接合パ
ッド４を設けた半導体レーザ９を載せる。
に、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴下
する。液体１３としては、例えばワックス等のように、
化学的に不活性であり、ハンダバンプの融点以下で沸騰
するものが好ましい。そして、ハンダバンプ２の上に、
ハンダバンプ２に対応する位置にチップ側ハンダ接合パ
ッド４を設けた半導体レーザ９を載せる。
【００３２】次いで、ハンダバンプ２をリフロー炉等で
加熱、溶融させると、図３に示すように、液体１３が激
しく対流、または沸騰してハンダバンプ２表面をかく乱
し、ハンダバンプ２の表面の酸化膜３を分断、除去す
る。これによって、溶融したハンダバンプ２の表面張力
に起因するセルフアライメント効果が生じ、半導体レー
ザ９が所定の位置に高精度に接合される。
加熱、溶融させると、図３に示すように、液体１３が激
しく対流、または沸騰してハンダバンプ２表面をかく乱
し、ハンダバンプ２の表面の酸化膜３を分断、除去す
る。これによって、溶融したハンダバンプ２の表面張力
に起因するセルフアライメント効果が生じ、半導体レー
ザ９が所定の位置に高精度に接合される。
【００３３】最後に、図４（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、光ファイバ１４をＶ溝６及び短形溝８によって位置
決めし、接着剤等で固定する。光ファイバ１４の光軸方
向の位置決めは光ファイバ１４の端面を矩形溝８の側面
に突き当てることにより達成する。これによって、半導
体レーザ９の光軸１５と光ファイバ１４のコア１６との
光軸合わせが達成される。
に、光ファイバ１４をＶ溝６及び短形溝８によって位置
決めし、接着剤等で固定する。光ファイバ１４の光軸方
向の位置決めは光ファイバ１４の端面を矩形溝８の側面
に突き当てることにより達成する。これによって、半導
体レーザ９の光軸１５と光ファイバ１４のコア１６との
光軸合わせが達成される。
【００３４】図５乃至図８は、本発明の第２の実施の形
態に係るチップ部品の実装方法を示す工程図である。な
お、図５、図６及び図８において、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側断面図である。本実施の形態では、基板とし
てＳｉ基板１、チップ部品として表面入射型の受光素子
１７、バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られたハンダ
バンプ２を選択する。
態に係るチップ部品の実装方法を示す工程図である。な
お、図５、図６及び図８において、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側断面図である。本実施の形態では、基板とし
てＳｉ基板１、チップ部品として表面入射型の受光素子
１７、バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られたハンダ
バンプ２を選択する。
【００３５】まず、図５（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、第１の実施の形態と同様の方法で、Ｓｉ基板１上に
Ｖ溝６、基板側ハンダ接合パッド１８、およびハンダバ
ンプ２を形成する。Ｖ溝の終端の傾斜面にはミラー１９
を形成する。
に、第１の実施の形態と同様の方法で、Ｓｉ基板１上に
Ｖ溝６、基板側ハンダ接合パッド１８、およびハンダバ
ンプ２を形成する。Ｖ溝の終端の傾斜面にはミラー１９
を形成する。
【００３６】次いで、図６（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴下
する。そして、ハンダバンプ２の上に、ハンダバンプ２
に対応する位置にチップ側ハンダ接合パッド４を設けた
受光素子１７を載せる。
に、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴下
する。そして、ハンダバンプ２の上に、ハンダバンプ２
に対応する位置にチップ側ハンダ接合パッド４を設けた
受光素子１７を載せる。
【００３７】次いで、ハンダバンプ２をリフロー炉等で
加熱、溶融させると、図７に示すように、液体１３が激
しく対流、または沸騰してハンダバンプ２の表面をかく
乱し、ハンダバンプ２の表面の酸化膜３を分断、除去す
る。これによって、溶融したハンダバンプ２の表面張力
に起因するセルフアライメント効果が生じ、受光素子１
７が所定の位置に高精度に接合される。
加熱、溶融させると、図７に示すように、液体１３が激
しく対流、または沸騰してハンダバンプ２の表面をかく
乱し、ハンダバンプ２の表面の酸化膜３を分断、除去す
る。これによって、溶融したハンダバンプ２の表面張力
に起因するセルフアライメント効果が生じ、受光素子１
７が所定の位置に高精度に接合される。
【００３８】ここで、チップ側ハンダ接合パッド４が、
ハンダバンプ２の半径以内にかかっていれば、上記セル
フアライメント効果により十分な接合精度が得られるの
で、ハンダバンプ２の直径をチップ側ハンダ接合パッド
４のそれよりも大きいものとすることにより、受光素子
１７の仮置き位置精度は比較的緩くて済む。
ハンダバンプ２の半径以内にかかっていれば、上記セル
フアライメント効果により十分な接合精度が得られるの
で、ハンダバンプ２の直径をチップ側ハンダ接合パッド
４のそれよりも大きいものとすることにより、受光素子
１７の仮置き位置精度は比較的緩くて済む。
【００３９】最後に、図８（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、光ファイバ１４をＶ溝６により位置決めする。これ
により、光ファイバ１４を通ってきた光がＶ溝終端に形
成されたミラー１９で反射し、受光素子１７の受光面２
０に入射する形態の実装構造を得ることができる。
に、光ファイバ１４をＶ溝６により位置決めする。これ
により、光ファイバ１４を通ってきた光がＶ溝終端に形
成されたミラー１９で反射し、受光素子１７の受光面２
０に入射する形態の実装構造を得ることができる。
【００４０】図９乃至図１２は、本発明の第３の実施の
形態に係るチップ部品の実装方法を示す工程図である。
なお、図９、図１０及び図１２において、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側断面図である。本実施の形態では、基板
としてＳｉ基板１、チップ部品として半導体レーザ９、
バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られたハンダバンプ
２を選択する。
形態に係るチップ部品の実装方法を示す工程図である。
なお、図９、図１０及び図１２において、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側断面図である。本実施の形態では、基板
としてＳｉ基板１、チップ部品として半導体レーザ９、
バンプとしてＡｕＳｎ共晶合金で作られたハンダバンプ
２を選択する。
【００４１】まず、図９（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、第１の実施の形態と同様の方法で、Ｓｉ基板１上に
Ｖ溝６、基板側ハンダ接合パッド１８、およびハンダバ
ンプ２及び矩形溝８を形成する。本実施の形態において
は、基板側ハンダ接合パッド１８は細長い長方形状に形
成され、光軸線１５（図１２参照）に対して略垂直方向
に延びた第１の基板側ハンダ接合パッド１８ａと、光軸
線１５に沿って延びた第２の基板側ハンダ接合パッド１
８ｂとからなる。第１の基板側ハンダ接合パッド１８ａ
上には、第１のハンダバンプ２ａが設けられ、第２の基
板側ハンダ接合パッド１８ｂ上には、第２のハンダバン
プ２ｂが設けられる。
に、第１の実施の形態と同様の方法で、Ｓｉ基板１上に
Ｖ溝６、基板側ハンダ接合パッド１８、およびハンダバ
ンプ２及び矩形溝８を形成する。本実施の形態において
は、基板側ハンダ接合パッド１８は細長い長方形状に形
成され、光軸線１５（図１２参照）に対して略垂直方向
に延びた第１の基板側ハンダ接合パッド１８ａと、光軸
線１５に沿って延びた第２の基板側ハンダ接合パッド１
８ｂとからなる。第１の基板側ハンダ接合パッド１８ａ
上には、第１のハンダバンプ２ａが設けられ、第２の基
板側ハンダ接合パッド１８ｂ上には、第２のハンダバン
プ２ｂが設けられる。
【００４２】次いで、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴
下する。そして、ハンダバンプ２の上に、ハンダバンプ
に対応する位置にチップ側ハンダ接合パッド４を設けた
半導体レーザ９を載せる。
うに、形成されたハンダバンプ２上に液体１３を適量滴
下する。そして、ハンダバンプ２の上に、ハンダバンプ
に対応する位置にチップ側ハンダ接合パッド４を設けた
半導体レーザ９を載せる。
【００４３】ここで、半導体レーザ２の仮置き位置精度
としては、チップ側ハンダ接合パッド４が、ハンダバン
プ２の半径以内にかかっていればよいので、ハンダバン
プ２の直径をチップ側ハンダ接合パッド４の幅よりも大
きいものとすることにより、仮置き位置精度は比較的緩
くて済む。
としては、チップ側ハンダ接合パッド４が、ハンダバン
プ２の半径以内にかかっていればよいので、ハンダバン
プ２の直径をチップ側ハンダ接合パッド４の幅よりも大
きいものとすることにより、仮置き位置精度は比較的緩
くて済む。
【００４４】次いで、ハンダバンプ２をリフロー炉等で
加熱、溶融させると、図１１に示すように、液体１３が
激しく対流、または沸騰する。この液体１３の対流及び
沸騰による酸化膜除去、ハンダ濡れ促進作用により、形
成したハンダバンプ２が長方形の基板側ハンダ接合パッ
ド１８全体に漏れ広がる。これと同時に、第１のハンダ
バンプ２ａには、光軸線方向に主たる表面張力が作用
し、第２のハンダバンプ２ｂには光軸線に対し垂直方向
に主たる表面張力が作用する。これにより図１２（ａ）
及び（ｂ）に示すように、半導体レーザ９が所定の位置
に高精度に接合される。
加熱、溶融させると、図１１に示すように、液体１３が
激しく対流、または沸騰する。この液体１３の対流及び
沸騰による酸化膜除去、ハンダ濡れ促進作用により、形
成したハンダバンプ２が長方形の基板側ハンダ接合パッ
ド１８全体に漏れ広がる。これと同時に、第１のハンダ
バンプ２ａには、光軸線方向に主たる表面張力が作用
し、第２のハンダバンプ２ｂには光軸線に対し垂直方向
に主たる表面張力が作用する。これにより図１２（ａ）
及び（ｂ）に示すように、半導体レーザ９が所定の位置
に高精度に接合される。
【００４５】最後に、光ファイバ１４を位置決めし、半
導体レーザ９の光軸線１５と光ファイバ１４のコア１６
との光軸合わせが達成される。
導体レーザ９の光軸線１５と光ファイバ１４のコア１６
との光軸合わせが達成される。
【００４６】
【実施例】上記実施の形態において、基板側ハンダ接合
パッド１８の膜構成は、Ｓｉ側からＴｉーＰｔーＡｕと
した。基板側ハンダ接合パッド１８およびチップ側ハン
ダ接合パッド４の寸法は、第１の実施の形態ではφ５０
μｍ、第２の実施の形態ではφ７０μｍ、第３の実施の
形態では長さ１４０μｍ、幅２５μｍで角に丸みを付け
た長方形とした。
パッド１８の膜構成は、Ｓｉ側からＴｉーＰｔーＡｕと
した。基板側ハンダ接合パッド１８およびチップ側ハン
ダ接合パッド４の寸法は、第１の実施の形態ではφ５０
μｍ、第２の実施の形態ではφ７０μｍ、第３の実施の
形態では長さ１４０μｍ、幅２５μｍで角に丸みを付け
た長方形とした。
【００４７】また、ハンダ接合パッド４、１８の厚さは
０．７μｍとし、接合後のバンプ高さは基板側およびチ
ップ側ハンダ接合パッドの厚さを含めて第１の実施の形
態では４０μｍ、第２の実施の形態では４０μｍ、第３
の実施の形態では１８μｍとした。
０．７μｍとし、接合後のバンプ高さは基板側およびチ
ップ側ハンダ接合パッドの厚さを含めて第１の実施の形
態では４０μｍ、第２の実施の形態では４０μｍ、第３
の実施の形態では１８μｍとした。
【００４８】ハンダを溶融させるための加熱温度は３０
０℃とした。ハンダバンプ２の形成はＡｕＳｎハンダシ
ート１０の厚さを第１の実施の形態では３０μｍ、第２
の実施の形態では４０μｍ、第３の実施の形態では２０
μｍ、ポンチ１１の直径を第１及び第２の実施の形態で
はφ９０μｍ、第３の実施の形態ではφ６０μｍとし、
シート状のハンダの打ち抜きはＡｕＳｎハンダシート１
０を１８０℃に加熱し、Ｓｉ基板１を１５０℃に加熱し
た状態で行った。
０℃とした。ハンダバンプ２の形成はＡｕＳｎハンダシ
ート１０の厚さを第１の実施の形態では３０μｍ、第２
の実施の形態では４０μｍ、第３の実施の形態では２０
μｍ、ポンチ１１の直径を第１及び第２の実施の形態で
はφ９０μｍ、第３の実施の形態ではφ６０μｍとし、
シート状のハンダの打ち抜きはＡｕＳｎハンダシート１
０を１８０℃に加熱し、Ｓｉ基板１を１５０℃に加熱し
た状態で行った。
【００４９】Ｓｉ基板表面から光ファイバ１４のコア１
６の中心までの高さは第１の実施の形態では４４μｍ、
第３の実施の形態では２２μｍとし、第２の実施の形態
ではＳｉ基板１の表面より光ファイバ１４のコア１６が
７０μｍ低くなるようにした。
６の中心までの高さは第１の実施の形態では４４μｍ、
第３の実施の形態では２２μｍとし、第２の実施の形態
ではＳｉ基板１の表面より光ファイバ１４のコア１６が
７０μｍ低くなるようにした。
【００５０】Ｖ溝６の側面と、Ｓｉ基板１面とのなす角
は５４．７度とした。Ｖ溝６の幅は第１の実施の形態で
は９６μｍ、第２の実施の形態では１２５μｍ、第３の
実施の形態では１６５μｍとした。また、光ファイバ１
４の直径は１２５μｍとした。液体１３はワックスとし
た。
は５４．７度とした。Ｖ溝６の幅は第１の実施の形態で
は９６μｍ、第２の実施の形態では１２５μｍ、第３の
実施の形態では１６５μｍとした。また、光ファイバ１
４の直径は１２５μｍとした。液体１３はワックスとし
た。
【００５１】以上述べた実施例では、ハンダバンプ２の
材質としてＡｕＳｎを用いたが、ＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ、
Ｉｎ系はんだ等これ以外の材質のものを用いてもよい。
また、上記実施の形態において光素子として半導体レー
ザチップを例示したが、半導体光増幅素子導波路型受光
素子、半導体光変調素子等他の光素子でもよい。非ハン
ダ接合性金属膜としてはＳｉＯ2を例示したが、基板と
ハンダ接合パッドとの間の密着性がよく、かつ、ハンダ
漏れ性が無い材料であれば、ＳｉＮx、樹脂等、これ以
外のものでもよい。また、光導波路としては光分岐器、
光スイッチ等であってもよい。光素子および光導波路、
光ファイバは単芯のものを例示したが、多芯の光素子お
よび光導波路、光ファイバを用いてもよい。また、光素
子の光入出力部分にはスポットサイズ変換器を設けても
よい。
材質としてＡｕＳｎを用いたが、ＰｂＳｎ、ＡｕＳｉ、
Ｉｎ系はんだ等これ以外の材質のものを用いてもよい。
また、上記実施の形態において光素子として半導体レー
ザチップを例示したが、半導体光増幅素子導波路型受光
素子、半導体光変調素子等他の光素子でもよい。非ハン
ダ接合性金属膜としてはＳｉＯ2を例示したが、基板と
ハンダ接合パッドとの間の密着性がよく、かつ、ハンダ
漏れ性が無い材料であれば、ＳｉＮx、樹脂等、これ以
外のものでもよい。また、光導波路としては光分岐器、
光スイッチ等であってもよい。光素子および光導波路、
光ファイバは単芯のものを例示したが、多芯の光素子お
よび光導波路、光ファイバを用いてもよい。また、光素
子の光入出力部分にはスポットサイズ変換器を設けても
よい。
【００５２】通常、半導体レーザ等の光素子と光導波路
との結合においては両者のモードフィールドの不一致に
より結合損失が生じるが、スボットサイズ変換器を用い
ることによりその不一致が低減され、高効率な結合を得
ることができる。逆に、光素子側にスポットサイズ変換
部分を設けない場合でも、光ファイバや光導波路先端に
レンズを設けてもよい。これによってもモードフィール
ドの差が低減するため高効率な結合を得ることができ
る。光素子と光伝送路との間にスポットサイズ変換器を
挿入した形態でも同様の効果が得られる。
との結合においては両者のモードフィールドの不一致に
より結合損失が生じるが、スボットサイズ変換器を用い
ることによりその不一致が低減され、高効率な結合を得
ることができる。逆に、光素子側にスポットサイズ変換
部分を設けない場合でも、光ファイバや光導波路先端に
レンズを設けてもよい。これによってもモードフィール
ドの差が低減するため高効率な結合を得ることができ
る。光素子と光伝送路との間にスポットサイズ変換器を
挿入した形態でも同様の効果が得られる。
【００５３】また、第３の実施の形態では、光ファイバ
１４の光軸方向の位置決めのためにスリットを設けた
が、ファイバを接着剤で固定する場合、これとは別に接
着剤を逃がすための溝もしくは穴をＶ溝の途中に設けて
もよい。
１４の光軸方向の位置決めのためにスリットを設けた
が、ファイバを接着剤で固定する場合、これとは別に接
着剤を逃がすための溝もしくは穴をＶ溝の途中に設けて
もよい。
【００５４】また、以上述べた実施の形態では液体はワ
ックスとしたが、残渣が残らず、素子の劣化や基板の腐
食等の影響を及ぼさない物質であれば、アルカン系液体
（例えば、ヘプタン、オクタン等）、グリセリン等、他
のものでもよい。
ックスとしたが、残渣が残らず、素子の劣化や基板の腐
食等の影響を及ぼさない物質であれば、アルカン系液体
（例えば、ヘプタン、オクタン等）、グリセリン等、他
のものでもよい。
【００５５】以上に述べた実施の形態では、ハンダバン
プを基板に設ける構成を例示したが、チップ側にハンダ
バンプを形成してもよい。
プを基板に設ける構成を例示したが、チップ側にハンダ
バンプを形成してもよい。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、次のような優れた効果
を奏する。 （１）フラックスを使用しないので、酸化性、腐食性成
分が残留することはなく、良好で信頼性の高い接合が可
能である。 （２）チップ部品が光素子の場合は、フラックスの残渣
が光出射面に付着して光出力特性あるいは受光感度を損
ねるような問題が生じない。 （３）超音波加振器のような特別な装置を必要とせず、
また、シート状のハンダを打ち抜いてハンダバンプを基
板上に設けるので、コストを低減できる。 （４）ハンダバンプの加熱と溶融を同時に行うので、特
開平３ー２１８６４５号公報に開示された技術に比べ、
工程時間を短くできる。 （５）チップ部品をハンダバンプ上に仮置きする際に必
要な精度が従来より緩くて済むので、実装が容易にな
り、生産性が向上する。
を奏する。 （１）フラックスを使用しないので、酸化性、腐食性成
分が残留することはなく、良好で信頼性の高い接合が可
能である。 （２）チップ部品が光素子の場合は、フラックスの残渣
が光出射面に付着して光出力特性あるいは受光感度を損
ねるような問題が生じない。 （３）超音波加振器のような特別な装置を必要とせず、
また、シート状のハンダを打ち抜いてハンダバンプを基
板上に設けるので、コストを低減できる。 （４）ハンダバンプの加熱と溶融を同時に行うので、特
開平３ー２１８６４５号公報に開示された技術に比べ、
工程時間を短くできる。 （５）チップ部品をハンダバンプ上に仮置きする際に必
要な精度が従来より緩くて済むので、実装が容易にな
り、生産性が向上する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係るチップ部品の
実装方法を示す工程図である。
実装方法を示す工程図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るチップ部品
の実装方法を示す工程図である。
の実装方法を示す工程図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係るチップ部品
の実装方法を示す工程図である。
の実装方法を示す工程図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係るチップ部品
の実装方法を示す工程図である。
の実装方法を示す工程図である。
【図１３】従来のチップ部品の実装方法を示す工程図で
ある。
ある。
１：Ｓｉ基板 ２：ハンダバンプ ３：酸化膜 ４：チップ側ハンダ接合パッド ５：チップ部品 ６：Ｖ溝 ７：フラックス ８：短形溝 ９：半導体レーザ １０：ハンダシート １１：ポンチ １２：ダイ １３：液体 １４：光ファイバ １５：光軸線 １６：コア １７：受光素子 １８：基板側ハンダ接合パッド １９：ミラー ２０：受光面
Claims (8)
- 【請求項１】基板上にチップ部品を実装するチップ部品
の実装方法において、（１）シート状のハンダを打ち抜
いてなるハンダバンプを基板上に設ける工程と、（２）
前記ハンダバンプの表面に化学的に不活性な液体を滴下
する工程と、（３）チップ部品に設けられたチップ側ハ
ンダ接合パッドを前記ハンダバンプに接触して、基板に
チップ部品を仮置きする工程と、（４）前記液体中にあ
るハンダバンプを加熱溶融して、基板とチップ部品とを
接合する工程と、 を有することを特徴とするチップ部品の実装方法。 - 【請求項２】前記チップ部品は光素子であり、前記基板
は光伝送路を有し、チップ部品と光伝送路とが光学的に
連通するように、チップ部品を配置することを特徴とす
る請求項１に記載のチップ部品の実装方法。 - 【請求項３】光伝送路を備えた基板上に光素子であるチ
ップ部品を実装し、光伝送路の光軸線とチップ部品の光
軸線とが一致するように、チップ部品を配置するチップ
部品の実装方法において、（１）基板上に光伝送路の光
軸線に対し略垂直方向に延びた第１の基板側ハンダ接合
パッドと、前記光伝送路の光軸線に対し略平行に延びた
第２の基板側ハンダ接合パッドとを設ける工程と、
（２）シート状のハンダを打ち抜いて、前記第１の基板
側ハンダ接合パッド及び第２の基板側ハンダ接合パッド
にそれぞれ第１のハンダバンプ及び第２のハンダバンプ
を設ける工程と、（３）前記第１のハンダバンプ及び第
２ハンダバンプの表面に化学的に不活性な液体を滴下す
る工程と、（４）チップ部品に設けられたチップ側ハン
ダ接合パッドを前記第１のハンダバンプ及び第２のハン
ダバンプに接触させて、基板にチップ部品を仮置きする
工程と、（５）前記液体中にある第１のハンダバンプ及
び第２のハンダバンプを加熱溶融して、基板とチップ部
品とを接合する工程と、 を有することを特徴とするチップ部品の実装方法。 - 【請求項４】前記ハンダバンプのサイズは、前記チップ
側ハンダ接合パッドのサイズよりも大きいことを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１つの項に記載のチップ
部品の実装方法。 - 【請求項５】前記液体は、前記ハンダバンプの融点以下
で沸騰することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
１つの項に記載のチップ部品の実装方法。 - 【請求項６】前記液体は、ワックス、アルカン系液体、
グリセリンからなる群から選択されることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか１つの項に記載のチップ部品
の実装方法。 - 【請求項７】前記ハンダバンプは、ＡｕＳｎ、ＰｂＳ
ｎ、ＡｕＳｉ、Ｉｎ系はんだからなる群から選択される
材料で作られることを特徴とする請求項１乃至６のいず
れか１つの項に記載のチップ部品の実装方法。 - 【請求項８】前記チップ側ハンダ接合パッドは、Ａｕ、
Ｐｔからなる群から選択される材料で作られることを特
徴とする請求項１及至７のいずれか１つの項に記載のチ
ップ部品の実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9211828A JP3028791B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | チップ部品の実装方法 |
| US09/130,017 US6053395A (en) | 1997-08-06 | 1998-08-06 | Method of flip-chip bonding between a chip element and a wafer-board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9211828A JP3028791B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | チップ部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154563A true JPH1154563A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3028791B2 JP3028791B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=16612273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9211828A Expired - Fee Related JP3028791B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | チップ部品の実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6053395A (ja) |
| JP (1) | JP3028791B2 (ja) |
Cited By (4)
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| JP2002118294A (ja) * | 2000-04-24 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | フリップチップ型発光ダイオード及び製造方法 |
| KR101199302B1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-11-09 | 한국전자통신연구원 | 광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2019071402A (ja) * | 2017-10-05 | 2019-05-09 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光モジュール |
| JPWO2018143196A1 (ja) * | 2017-01-31 | 2019-11-21 | ヤマハモーターロボティクスホールディングス株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
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