JPH1154550A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH1154550A JPH1154550A JP9205562A JP20556297A JPH1154550A JP H1154550 A JPH1154550 A JP H1154550A JP 9205562 A JP9205562 A JP 9205562A JP 20556297 A JP20556297 A JP 20556297A JP H1154550 A JPH1154550 A JP H1154550A
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- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ペレットと配線基板とを樹脂で接着する
構造の半導体装置は半導体ペレットが不良の場合、配線
基板を含め全てを廃棄しなければならず無駄が大きかっ
た。 【解決手段】バンプ電極３を有する半導体ペレット１と
パッド電極６を有する配線基板４とを対向させて、バン
プ電極３とパッド電極６とを重合させ各電極３、６間の
圧接状態を保って半導体ペレット１と配線基板４間を接
着用樹脂にて接着した半導体装置において、上記接着用
樹脂が、半導体ペレット１の一部を配線基板４に連結す
る仮固定用樹脂８と、半導体ペレット１と配線基板４間
の仮固定用樹脂８による接着部を除く残り部分を接着す
る本固定用樹脂１２とからなることを特徴とする。
構造の半導体装置は半導体ペレットが不良の場合、配線
基板を含め全てを廃棄しなければならず無駄が大きかっ
た。 【解決手段】バンプ電極３を有する半導体ペレット１と
パッド電極６を有する配線基板４とを対向させて、バン
プ電極３とパッド電極６とを重合させ各電極３、６間の
圧接状態を保って半導体ペレット１と配線基板４間を接
着用樹脂にて接着した半導体装置において、上記接着用
樹脂が、半導体ペレット１の一部を配線基板４に連結す
る仮固定用樹脂８と、半導体ペレット１と配線基板４間
の仮固定用樹脂８による接着部を除く残り部分を接着す
る本固定用樹脂１２とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパンプ電極を有する
半導体ペレットを樹脂を介して配線基板に接着した構造
の半導体装置の製造方法に関する。
半導体ペレットを樹脂を介して配線基板に接着した構造
の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路装置は内部の回路ブロックを機
能分けし、各機能ブロック毎にモジュール化した電子部
品を組み合わせることにより必要とされる機能、性能の
電子回路装置を実現している。小型、薄型、軽量化が要
求される電子回路装置ではこれに使用される電子部品も
モジュール単位で小型、薄型化が要求されている。この
ような要求に対して、図７に示す構造の半導体装置が知
られている。図において、１は半導体ペレットで、内部
に多数の半導体素子（図示せず）を形成し各半導体素子
を内部接続して電子回路を構成した半導体基板２の一主
面を絶縁膜（図示せず）で覆い、この絶縁膜の要部に窓
明けして、窓明け部分に下地電極（図示せず）を形成
し、さらにこの下地電極にバンプ電極３を形成してい
る。４は配線基板で、樹脂やセラミクスなどの絶縁基板
５の主面に半導体ペレット１のバンプ電極３が重合され
るパッド電極６が形成されている。この配線基板４の主
面や内部には導電箔よりなる導電パターンが必要に応じ
て形成されているが図示省略している。７は半導体ペレ
ット１と配線基板４の対向面間に供給され、パンプ電極
３とパッド電極６とを重合させた状態で重合部の加圧状
態を保って、半導体ペレット１と配線基板４とを接着す
る接着用樹脂を示す。この半導体装置は半導体ペレット
１が剥き出しでバンプ電極３は４０〜６０μｍあるいは
それ以下にできるため小型、薄型、軽量化が実現でき
る。この半導体装置は半導体ペレット１と配線基板４と
を接着用樹脂７で接着することによりバンプ電極３とパ
ッド電極６の圧着状態を保ち、半導体ペレット１表面の
配線（図示せず）を外部の腐食性ガスから保護している
が、接着用樹脂７として一般的に用いられるエポキシ樹
脂は加熱され硬化が促進される。この接着用樹脂７は硬
化時の収縮により半導体ペレット１と配線基板４とを強
固に接着し、各電極の接続状態を良好にしている。また
この半導体装置は、半導体ペレット１のみで一つのモジ
ュールを構成できるが、配線基板４上の図外領域に他の
半導体ペレットや電子部品をマウントする領域を形成し
て、半田リフローなどの手段でマウントし半導体ペレッ
ト１と共に高機能、高集積度のモジュールを構成するこ
とが出来る。
能分けし、各機能ブロック毎にモジュール化した電子部
品を組み合わせることにより必要とされる機能、性能の
電子回路装置を実現している。小型、薄型、軽量化が要
求される電子回路装置ではこれに使用される電子部品も
モジュール単位で小型、薄型化が要求されている。この
ような要求に対して、図７に示す構造の半導体装置が知
られている。図において、１は半導体ペレットで、内部
に多数の半導体素子（図示せず）を形成し各半導体素子
を内部接続して電子回路を構成した半導体基板２の一主
面を絶縁膜（図示せず）で覆い、この絶縁膜の要部に窓
明けして、窓明け部分に下地電極（図示せず）を形成
し、さらにこの下地電極にバンプ電極３を形成してい
る。４は配線基板で、樹脂やセラミクスなどの絶縁基板
５の主面に半導体ペレット１のバンプ電極３が重合され
るパッド電極６が形成されている。この配線基板４の主
面や内部には導電箔よりなる導電パターンが必要に応じ
て形成されているが図示省略している。７は半導体ペレ
ット１と配線基板４の対向面間に供給され、パンプ電極
３とパッド電極６とを重合させた状態で重合部の加圧状
態を保って、半導体ペレット１と配線基板４とを接着す
る接着用樹脂を示す。この半導体装置は半導体ペレット
１が剥き出しでバンプ電極３は４０〜６０μｍあるいは
それ以下にできるため小型、薄型、軽量化が実現でき
る。この半導体装置は半導体ペレット１と配線基板４と
を接着用樹脂７で接着することによりバンプ電極３とパ
ッド電極６の圧着状態を保ち、半導体ペレット１表面の
配線（図示せず）を外部の腐食性ガスから保護している
が、接着用樹脂７として一般的に用いられるエポキシ樹
脂は加熱され硬化が促進される。この接着用樹脂７は硬
化時の収縮により半導体ペレット１と配線基板４とを強
固に接着し、各電極の接続状態を良好にしている。また
この半導体装置は、半導体ペレット１のみで一つのモジ
ュールを構成できるが、配線基板４上の図外領域に他の
半導体ペレットや電子部品をマウントする領域を形成し
て、半田リフローなどの手段でマウントし半導体ペレッ
ト１と共に高機能、高集積度のモジュールを構成するこ
とが出来る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにして配線基
板４にマウントされた半導体ペレット１は電気的な特性
検査がされて、その結果、良判定されたものについて周
辺の電子部品が半田リフローなどの手段によりマウント
され最終的な電気的特性検査が行われて一つの半導体装
置を完成する。ところが、電気的特性検査の結果が不良
判定された場合、接着用樹脂７は一旦硬化すると剥離し
にくく、剥離できても大部分が配線基板４に残留しその
量が一定しないため、接着用樹脂の再供給量の過不足を
生じる。また半導体ペレット１を剥離する際に電極３、
６部分に過大な力が加えられるとパッド電極６が損傷し
易く、電極６を損傷させずに密着性の良好な樹脂７のみ
を剥離できない。そのため、電気的特性検査の結果、不
良判定されたものは廃棄せざるを得ず、半導体ペレット
１がマイクロプロセッサなどの高価なものではコストの
無駄が大きいだけでなく、これまでの製造作業や用力費
も無駄となり改善が望まれていた。
板４にマウントされた半導体ペレット１は電気的な特性
検査がされて、その結果、良判定されたものについて周
辺の電子部品が半田リフローなどの手段によりマウント
され最終的な電気的特性検査が行われて一つの半導体装
置を完成する。ところが、電気的特性検査の結果が不良
判定された場合、接着用樹脂７は一旦硬化すると剥離し
にくく、剥離できても大部分が配線基板４に残留しその
量が一定しないため、接着用樹脂の再供給量の過不足を
生じる。また半導体ペレット１を剥離する際に電極３、
６部分に過大な力が加えられるとパッド電極６が損傷し
易く、電極６を損傷させずに密着性の良好な樹脂７のみ
を剥離できない。そのため、電気的特性検査の結果、不
良判定されたものは廃棄せざるを得ず、半導体ペレット
１がマイクロプロセッサなどの高価なものではコストの
無駄が大きいだけでなく、これまでの製造作業や用力費
も無駄となり改善が望まれていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、バンプ電極を有する半
導体ペレットとパッド電極を有する配線基板とを対向さ
せて、バンプ電極とパッド電極とを重合させ各電極間の
圧接状態を保って半導体ペレットと配線基板間を接着用
樹脂にて接着した半導体装置において、上記接着用樹脂
が、半導体ペレットの一部を配線基板に連結する仮固定
用樹脂と、半導体ペレットと配線基板間の仮固定用樹脂
による接着部を除く残り部分を接着する本固定用樹脂と
からなることを特徴とする半導体装置を提供する。また
本発明は、バンプ電極を有する半導体ペレットとバンプ
電極と対応して配置されたパッド電極で囲まれる領域内
に仮固定用樹脂を配置した配線基板とを対向させて、バ
ンプ電極とパッド電極とを重合させ各電極間の圧接状態
を保って仮固定用樹脂にて半導体ペレットと配線基板と
を仮固定した仮固定構体を形成する工程と、仮固定構体
の半導体ペレットの電気的特性検査を行う工程と、良判
定された仮固定構体の半導体ペレットと配線基板間の間
隙に液状樹脂を供給して半導体ペレットと配線基板とを
固定する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法を提供する。
を目的として提案されたもので、バンプ電極を有する半
導体ペレットとパッド電極を有する配線基板とを対向さ
せて、バンプ電極とパッド電極とを重合させ各電極間の
圧接状態を保って半導体ペレットと配線基板間を接着用
樹脂にて接着した半導体装置において、上記接着用樹脂
が、半導体ペレットの一部を配線基板に連結する仮固定
用樹脂と、半導体ペレットと配線基板間の仮固定用樹脂
による接着部を除く残り部分を接着する本固定用樹脂と
からなることを特徴とする半導体装置を提供する。また
本発明は、バンプ電極を有する半導体ペレットとバンプ
電極と対応して配置されたパッド電極で囲まれる領域内
に仮固定用樹脂を配置した配線基板とを対向させて、バ
ンプ電極とパッド電極とを重合させ各電極間の圧接状態
を保って仮固定用樹脂にて半導体ペレットと配線基板と
を仮固定した仮固定構体を形成する工程と、仮固定構体
の半導体ペレットの電気的特性検査を行う工程と、良判
定された仮固定構体の半導体ペレットと配線基板間の間
隙に液状樹脂を供給して半導体ペレットと配線基板とを
固定する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法を提供する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明による半導体装置は、半導
体ペレットと配線基板とを仮固定して、半導体ペレット
の電気的特性検査を行い、良判定されたものについて、
半導体ペレットと配線基板とを液状の樹脂にて本固定す
ることにより製造されるものであるが、本固定に先立っ
て、半導体ペレットを加熱してバンプ電極とパッド電極
とを熱圧着することができる。また、本固定する際に、
半導体ペレットも十分高温に加熱してバンプ電極とパッ
ド電極とを熱圧着するとともに液状樹脂を硬化させるこ
ともできる。さらには、電気的特性検査の結果、不良判
定された仮固定構体の半導体ペレットを再加熱して仮固
定用樹脂から剥離させることにより配線基板を再利用で
きる。電気的特性検査の結果、良判定されたものについ
ては、液状樹脂で半導体ペレットと配線基板とを本固定
するが、配線基板のパッド電極で囲まれた領域に貫通孔
が形成しておいて、この貫通孔を通して仮固定構体に液
状樹脂を供給することにより容易に本固定できる。ま
た、配線基板のパッド電極直下に緩衝層を形成し、半導
体ペレットを仮固定した状態で、バンプ電極とパッド電
極とが弾性接触するようにしておけば、半導体ペレット
を仮固定した状態でパッド電極の変形を最小に抑えるこ
とができ、半導体ペレットが不良であった場合、配線基
板を繰り返し利用することができる。
体ペレットと配線基板とを仮固定して、半導体ペレット
の電気的特性検査を行い、良判定されたものについて、
半導体ペレットと配線基板とを液状の樹脂にて本固定す
ることにより製造されるものであるが、本固定に先立っ
て、半導体ペレットを加熱してバンプ電極とパッド電極
とを熱圧着することができる。また、本固定する際に、
半導体ペレットも十分高温に加熱してバンプ電極とパッ
ド電極とを熱圧着するとともに液状樹脂を硬化させるこ
ともできる。さらには、電気的特性検査の結果、不良判
定された仮固定構体の半導体ペレットを再加熱して仮固
定用樹脂から剥離させることにより配線基板を再利用で
きる。電気的特性検査の結果、良判定されたものについ
ては、液状樹脂で半導体ペレットと配線基板とを本固定
するが、配線基板のパッド電極で囲まれた領域に貫通孔
が形成しておいて、この貫通孔を通して仮固定構体に液
状樹脂を供給することにより容易に本固定できる。ま
た、配線基板のパッド電極直下に緩衝層を形成し、半導
体ペレットを仮固定した状態で、バンプ電極とパッド電
極とが弾性接触するようにしておけば、半導体ペレット
を仮固定した状態でパッド電極の変形を最小に抑えるこ
とができ、半導体ペレットが不良であった場合、配線基
板を繰り返し利用することができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明による半導体装置の製造方法を
図１乃至図Ｘから説明する。図において図７と同一物に
は同一符号を付して重複する説明を省略する。図中半導
体装置として相異するのは、半導体ペレット１と配線基
板４を接着する接着用樹脂のみである。即ち、図１半導
体装置は配線基板４上のパッド電極６で囲まれた領域内
の一部に仮固定用樹脂８を形成して、その周縁を本固定
用樹脂９にて固定している。この仮固定用樹脂８は例え
ばアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂が好適で、厚さがバ
ンプ電極３とパッド電極６のそれぞれの高さの和より高
く設定されたシートを、半導体ペレット１下面の面積の
１／２５乃至１／２の面積となるように裁断したものが
用いられ、その一部が図２に示すように配線基板４に熱
圧着または超音波接合されて固定されている。この配線
基板４に対して、図３に示すように加熱手段（図示せ
ず）を具えた吸着コレット９によって吸着された半導体
ペレット１を供給する。バンプ電極３とパッド電極６と
が重合するように位置決めして各電極３、４の重合部を
加圧すると、仮固定用樹脂８は半導体ペレット１との当
接面が溶融して縮退し、バンプ電極３とパッド電極６と
が密接する。このとき、各電極３、６は機械的に密接し
熱圧着しないように半導体ペレット１の加熱温度が設定
される。このようにして各電極３、６の接続が完了する
と、好ましくは半導体ペレット１にエアを吹き付けてそ
の温度を仮固定用樹脂８の溶融温度より低下させて固化
させてから、吸着コレット１から半導体ペレット１を解
放し、図４に示すように半導体ペレット１と配線基板４
とが電気的に接続された仮固定構体１０を得る。仮固定
用樹脂８は溶融状態から固化する際に収縮するが、この
収縮によって半導体ペレット１は配線基板４に引き寄せ
られ、バンプ電極３とパッド電極６の接続が確実にな
る。このようにして仮固定構体１０は半導体ペレット１
と配線基板４とが電気的に接続しているため、図示省略
するが配線基板６に外部から電源や測定装置を接続して
半導体ペレット１の電気的特性検査を行い、バンプ電極
３とパッド電極６の接続、配線基板４上の導電パターン
（図示せず）を含めて半導体ペレット１の動作を確認す
る。この電気的特性検査の結果に基づいて半導体ペレッ
ト１の良否判別がなされるが、良判定の場合、図５に示
すように、シリンジ１１を用いて液状樹脂１２を半導体
ペレット１と配線基板４の間に注入し、半導体ペレット
１や配線基板４を加熱したり、高温雰囲気中で一定時間
保管して液状樹脂１２を硬化させ、図１に示す半導体装
置を得る。また、電気的特性検査の結果が不良判定の場
合、半導体ペレット１を仮固定用樹脂８が溶融する温度
に再加熱する。これにより半導体ペレット１は仮固定用
樹脂８から剥離可能となり、バンプ電極３とパッド電極
６の接続部も互いに密接しているだけで圧接力が除かれ
ると容易に分離できるため、配線基板４から半導体ペレ
ット１を容易に分離でき、図２に近い状態に戻せる。図
２に示す状態と異なるのは、仮固定用樹脂８が変形し、
その量が減少していことのみで再利用が可能な状態に戻
せる。従って、この配線基板４に仮固定用樹脂８を新し
いものに交換する不足分を補充して再利用できる。この
ように、本発明による半導体装置は、半導体ペレット１
を配線基板４に仮固定して電気的に接続した状態で電気
的な特性検査ができ、半導体ペレット１が不良の場合に
は、配線基板４から容易に取り外すことができ、半導体
ペレット１が取り外された配線基板４は再利用可能であ
るため、製造作業の無駄と製造コストの上昇を抑えるこ
とができる。尚、本発明は上記実施例にのみ限定される
ことなく、例えば、配線基板４に接続された状態で良判
定された半導体ペレット１を液状樹脂１２で本固定する
のに先立って、半導体ペレット１をバンプ電極３とパッ
ド電極６とを熱圧着させる温度に加熱して加圧し、各電
極３、６の接続強度を向上させておくことができる。ま
た、半導体ペレット１と配線基板４とを液状樹脂１２に
て本固定する際に、半導体ペレット１を加熱して本固定
用樹脂１２の硬化を促進させるとともに各電極３、６を
熱圧着することもできる。また不良判定された半導体ペ
レット１は再加熱により仮固定用樹脂８から容易に剥離
できるが、再加熱状態で半導体ペレット１を水平面内で
回転させることによりさらに容易に剥離できる。さらに
は、半導体ペレット１と配線基板４の間隙に本固定用の
液状樹脂１２を供給するのにシリンジを用いたが、図６
に示すように、、配線基板４に貫通孔４ａを形成し、こ
の貫通孔４ａから液状樹脂１２を供給することにより、
配線基板４を水平に保ったまま一連の作業ができる。こ
の本固定用樹脂１２として液状の熱硬化性エポキシ樹脂
だけでなく光硬化性の樹脂を用いることにより、より短
時間で樹脂を硬化させることができる。また配線基板４
の絶縁基板５が硬質の材料からなる場合、半導体ペレッ
ト１を仮固定した際にバンプ電極３とパッド電極６とが
圧着状態となり電極の剥離が困難となる場合には、絶縁
基板５とパッド電極６の間に弾力性を有する部材からな
る緩衝層（図示せず）を形成することもできる。
図１乃至図Ｘから説明する。図において図７と同一物に
は同一符号を付して重複する説明を省略する。図中半導
体装置として相異するのは、半導体ペレット１と配線基
板４を接着する接着用樹脂のみである。即ち、図１半導
体装置は配線基板４上のパッド電極６で囲まれた領域内
の一部に仮固定用樹脂８を形成して、その周縁を本固定
用樹脂９にて固定している。この仮固定用樹脂８は例え
ばアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂が好適で、厚さがバ
ンプ電極３とパッド電極６のそれぞれの高さの和より高
く設定されたシートを、半導体ペレット１下面の面積の
１／２５乃至１／２の面積となるように裁断したものが
用いられ、その一部が図２に示すように配線基板４に熱
圧着または超音波接合されて固定されている。この配線
基板４に対して、図３に示すように加熱手段（図示せ
ず）を具えた吸着コレット９によって吸着された半導体
ペレット１を供給する。バンプ電極３とパッド電極６と
が重合するように位置決めして各電極３、４の重合部を
加圧すると、仮固定用樹脂８は半導体ペレット１との当
接面が溶融して縮退し、バンプ電極３とパッド電極６と
が密接する。このとき、各電極３、６は機械的に密接し
熱圧着しないように半導体ペレット１の加熱温度が設定
される。このようにして各電極３、６の接続が完了する
と、好ましくは半導体ペレット１にエアを吹き付けてそ
の温度を仮固定用樹脂８の溶融温度より低下させて固化
させてから、吸着コレット１から半導体ペレット１を解
放し、図４に示すように半導体ペレット１と配線基板４
とが電気的に接続された仮固定構体１０を得る。仮固定
用樹脂８は溶融状態から固化する際に収縮するが、この
収縮によって半導体ペレット１は配線基板４に引き寄せ
られ、バンプ電極３とパッド電極６の接続が確実にな
る。このようにして仮固定構体１０は半導体ペレット１
と配線基板４とが電気的に接続しているため、図示省略
するが配線基板６に外部から電源や測定装置を接続して
半導体ペレット１の電気的特性検査を行い、バンプ電極
３とパッド電極６の接続、配線基板４上の導電パターン
（図示せず）を含めて半導体ペレット１の動作を確認す
る。この電気的特性検査の結果に基づいて半導体ペレッ
ト１の良否判別がなされるが、良判定の場合、図５に示
すように、シリンジ１１を用いて液状樹脂１２を半導体
ペレット１と配線基板４の間に注入し、半導体ペレット
１や配線基板４を加熱したり、高温雰囲気中で一定時間
保管して液状樹脂１２を硬化させ、図１に示す半導体装
置を得る。また、電気的特性検査の結果が不良判定の場
合、半導体ペレット１を仮固定用樹脂８が溶融する温度
に再加熱する。これにより半導体ペレット１は仮固定用
樹脂８から剥離可能となり、バンプ電極３とパッド電極
６の接続部も互いに密接しているだけで圧接力が除かれ
ると容易に分離できるため、配線基板４から半導体ペレ
ット１を容易に分離でき、図２に近い状態に戻せる。図
２に示す状態と異なるのは、仮固定用樹脂８が変形し、
その量が減少していことのみで再利用が可能な状態に戻
せる。従って、この配線基板４に仮固定用樹脂８を新し
いものに交換する不足分を補充して再利用できる。この
ように、本発明による半導体装置は、半導体ペレット１
を配線基板４に仮固定して電気的に接続した状態で電気
的な特性検査ができ、半導体ペレット１が不良の場合に
は、配線基板４から容易に取り外すことができ、半導体
ペレット１が取り外された配線基板４は再利用可能であ
るため、製造作業の無駄と製造コストの上昇を抑えるこ
とができる。尚、本発明は上記実施例にのみ限定される
ことなく、例えば、配線基板４に接続された状態で良判
定された半導体ペレット１を液状樹脂１２で本固定する
のに先立って、半導体ペレット１をバンプ電極３とパッ
ド電極６とを熱圧着させる温度に加熱して加圧し、各電
極３、６の接続強度を向上させておくことができる。ま
た、半導体ペレット１と配線基板４とを液状樹脂１２に
て本固定する際に、半導体ペレット１を加熱して本固定
用樹脂１２の硬化を促進させるとともに各電極３、６を
熱圧着することもできる。また不良判定された半導体ペ
レット１は再加熱により仮固定用樹脂８から容易に剥離
できるが、再加熱状態で半導体ペレット１を水平面内で
回転させることによりさらに容易に剥離できる。さらに
は、半導体ペレット１と配線基板４の間隙に本固定用の
液状樹脂１２を供給するのにシリンジを用いたが、図６
に示すように、、配線基板４に貫通孔４ａを形成し、こ
の貫通孔４ａから液状樹脂１２を供給することにより、
配線基板４を水平に保ったまま一連の作業ができる。こ
の本固定用樹脂１２として液状の熱硬化性エポキシ樹脂
だけでなく光硬化性の樹脂を用いることにより、より短
時間で樹脂を硬化させることができる。また配線基板４
の絶縁基板５が硬質の材料からなる場合、半導体ペレッ
ト１を仮固定した際にバンプ電極３とパッド電極６とが
圧着状態となり電極の剥離が困難となる場合には、絶縁
基板５とパッド電極６の間に弾力性を有する部材からな
る緩衝層（図示せず）を形成することもできる。
【０００７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば良品の半
導体ペレットのみ配線基板に本固定し製造でき、不良の
半導体ペレットが取り外された配線基板は再利用できる
ため、製造作業の無駄と製造コストの上昇を抑えること
ができる。
導体ペレットのみ配線基板に本固定し製造でき、不良の
半導体ペレットが取り外された配線基板は再利用できる
ため、製造作業の無駄と製造コストの上昇を抑えること
ができる。
【図１】 本発明による半導体装置の側断面図
【図２】 図１半導体装置の製造方法を示す側断面図
【図３】 図２工程に続く製造工程を示す側断面図
【図４】 図３工程を経て得られる仮固定構体を示す側
断面図
断面図
【図５】 仮固定構体の半導体ペレットと配線基板とを
本固定する状態を示す側断面図
本固定する状態を示す側断面図
【図６】 本固定作業の他の方法を示す側断面図
【図７】 本発明の前提となる従来の半導体装置を示す
側断面図
側断面図
１ 半導体ペレット ３ バンプ電極 ４ 配線基板 ６ パッド電極 ８ 仮固定用樹脂 １２ 本固定用樹脂
Claims (7)
- 【請求項１】バンプ電極を有する半導体ペレットとパッ
ド電極を有する配線基板とを対向させて、バンプ電極と
パッド電極とを重合させ各電極間の圧接状態を保って半
導体ペレットと配線基板間を接着用樹脂にて接着した半
導体装置において、 上記接着用樹脂が、半導体ペレットの一部を配線基板に
連結する仮固定用樹脂と、半導体ペレットと配線基板間
の仮固定用樹脂による接着部を除く残り部分を接着する
本固定用樹脂とからなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】一主面の周縁部に多数のバンプ電極を配列
形成した半導体ペレットとこの半導体ペレットのバンプ
電極と対応する位置にパッド電極を形成しパッド電極で
囲まれる領域内に仮固定用樹脂を配置した配線基板とを
対向させて、バンプ電極とパッド電極とを重合させ各電
極間の圧接状態を保って仮固定用樹脂にて半導体ペレッ
トと配線基板とを仮固定し仮固定構体を形成する工程
と、仮固定構体の半導体ペレットの電気的特性検査を行
う工程と、電気的特性検査の結果、良判定された仮固定
構体の半導体ペレットと配線基板間の間隙に液状樹脂を
供給して、半導体ペレットと配線基板とを固定する工程
とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体ペレットと配線基板とを液状樹脂に
て固定するのに先立って、半導体ペレットを加熱してバ
ンプ電極とパッド電極とを熱圧着することを特徴とする
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】半導体ペレットと配線基板とを液状樹脂に
て固定する際に、半導体ペレットを加熱してバンプ電極
とパッド電極とを熱圧着するとともに液状樹脂を硬化さ
せることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】電気的特性検査の結果、不良判定された仮
固定構体の半導体ペレットを再加熱して仮固定用樹脂か
ら剥離させるようにしたことを特徴とする請求項２に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】配線基板のパッド電極で囲まれた領域に貫
通孔が形成され、この貫通孔を通して仮固定構体に液状
樹脂を供給するようにしたことを特徴とする請求項２に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】配線基板のパッド電極直下に緩衝層を形成
し、半導体ペレットを仮固定した状態で、バンプ電極と
パッド電極とが弾性接触するようにしたことを特徴とす
る請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205562A JPH1154550A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205562A JPH1154550A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154550A true JPH1154550A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16508958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9205562A Pending JPH1154550A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154550A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3276652A3 (de) * | 2015-04-02 | 2018-04-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zum herstellen einer substratanordnung mit einem klebevorfixiermittel, entsprechende substratanordnung, verfahren zum verbinden eines elektronikbauteils mit einer substratanordnung mit anwendung eines auf dem elektronikbauteil und/oder der substratanordnung aufgebrachten klebevorfixiermittels und mit einer substratanordnung verbundenes elektronikbauteil |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9205562A patent/JPH1154550A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3276652A3 (de) * | 2015-04-02 | 2018-04-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zum herstellen einer substratanordnung mit einem klebevorfixiermittel, entsprechende substratanordnung, verfahren zum verbinden eines elektronikbauteils mit einer substratanordnung mit anwendung eines auf dem elektronikbauteil und/oder der substratanordnung aufgebrachten klebevorfixiermittels und mit einer substratanordnung verbundenes elektronikbauteil |
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