JP3255796B2 - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装方法
に係り、特にフェースダウンで導電性接着剤により半導
体装置を実装する技術の改良に関するものである。
に係り、特にフェースダウンで導電性接着剤により半導
体装置を実装する技術の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フェースダウンによる半導体装置
の回路基板への実装方法としては、あらかじめメッキ技
術により半導体装置の電極パッド上に半田用合金からな
る突出接点を形成しておき、この突出接点を回路基板の
接続電極に半田付けする方法が用いられていたが、近年
では導電性接着剤を用いて半導体装置を回路基板に接続
する方法が用いられつつある。
の回路基板への実装方法としては、あらかじめメッキ技
術により半導体装置の電極パッド上に半田用合金からな
る突出接点を形成しておき、この突出接点を回路基板の
接続電極に半田付けする方法が用いられていたが、近年
では導電性接着剤を用いて半導体装置を回路基板に接続
する方法が用いられつつある。
【０００３】このような導電性接着剤を用いた半導体装
置の実装方法として、例えば米国特許第４６６１１９２
号公報に開示されるように、導電性接着剤を用いてフェ
ースダウンにより半導体装置を回路基板に簡易的に接続
する技術がある。以下、図面を参照しながら、従来の半
導体装置の実装技術について説明する。
置の実装方法として、例えば米国特許第４６６１１９２
号公報に開示されるように、導電性接着剤を用いてフェ
ースダウンにより半導体装置を回路基板に簡易的に接続
する技術がある。以下、図面を参照しながら、従来の半
導体装置の実装技術について説明する。
【０００４】図３は、半導体装置の実装工程の一部を示
し、半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程を示す図である。また、図４は、上述の工程によって
形成される半導体装置の実装体の要部断面図である。
し、半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程を示す図である。また、図４は、上述の工程によって
形成される半導体装置の実装体の要部断面図である。
【０００５】図３および図４において、９は半導体装
置、１０は半導体装置９上の所定部位に形成された端子
電極、１１は該端子電極１０上に形成された突出接点、
１２は導電性エポキシ樹脂を塗布してなる塗膜、１３は
支持基体、１４は回路基板、１５は該回路基板１４上の
接続電極、１６は導電性エポキシ樹脂を突出接点１０に
転写してなる転写部である。
置、１０は半導体装置９上の所定部位に形成された端子
電極、１１は該端子電極１０上に形成された突出接点、
１２は導電性エポキシ樹脂を塗布してなる塗膜、１３は
支持基体、１４は回路基板、１５は該回路基板１４上の
接続電極、１６は導電性エポキシ樹脂を突出接点１０に
転写してなる転写部である。
【０００６】以上のように構成された従来の導電性接着
剤を用いた半導体装置の実装方法について、以下その概
略を説明する。
剤を用いた半導体装置の実装方法について、以下その概
略を説明する。
【０００７】まず、支持基体１３の上に導電性エポキシ
樹脂の塗膜１０を形成しておき、図３に示すように、こ
の支持基体１３の上方から、半導体装置９を突出接点１
１を下方にした状態で下降させて、両者を接触させる。
そして、半導体装置９の突出接点１１の先端を支持基体
１３上に形成した導電性エポキシ樹脂の塗膜１２に接触
させることにより、突出接点１１に導電性エポキシ樹脂
を転写する。
樹脂の塗膜１０を形成しておき、図３に示すように、こ
の支持基体１３の上方から、半導体装置９を突出接点１
１を下方にした状態で下降させて、両者を接触させる。
そして、半導体装置９の突出接点１１の先端を支持基体
１３上に形成した導電性エポキシ樹脂の塗膜１２に接触
させることにより、突出接点１１に導電性エポキシ樹脂
を転写する。
【０００８】その後、突出接点１１上に導電性エポキシ
樹脂の転写部１６を付着した半導体装置９を、回路基板
１４上の接続電極１５に位置合わせして積載した後、導
電性エポキシ樹脂を硬化させることにより、図４に示す
ように、導電性エポキシ樹脂を用いた半導体装置９の実
装体を得るものである。
樹脂の転写部１６を付着した半導体装置９を、回路基板
１４上の接続電極１５に位置合わせして積載した後、導
電性エポキシ樹脂を硬化させることにより、図４に示す
ように、導電性エポキシ樹脂を用いた半導体装置９の実
装体を得るものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体装置の実装方法においては、導電性接着剤
として導電性エポキシ樹脂を用いるため、半導体装置９
を回路基板１４に積載した後に導電性エポキシ樹脂を硬
化するのに必要な時間が長く、半導体装置９の実装体の
生産性に欠けるという問題があった。すなわち、一般的
に、導電性エポキシ樹脂の硬化には１５０℃程度の熱と
１時間以上の時間が必要となるからである。
ような半導体装置の実装方法においては、導電性接着剤
として導電性エポキシ樹脂を用いるため、半導体装置９
を回路基板１４に積載した後に導電性エポキシ樹脂を硬
化するのに必要な時間が長く、半導体装置９の実装体の
生産性に欠けるという問題があった。すなわち、一般的
に、導電性エポキシ樹脂の硬化には１５０℃程度の熱と
１時間以上の時間が必要となるからである。
【００１０】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体装置を回路基
板に生産性良く簡易的に実装することのできる半導体装
置の実装方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、半導体装置を回路基
板に生産性良く簡易的に実装することのできる半導体装
置の実装方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の講じた解決手段は、導電性接着剤を構成す
る樹脂として熱可塑性の導電性接着剤を用いることにあ
る。
め、本発明の講じた解決手段は、導電性接着剤を構成す
る樹脂として熱可塑性の導電性接着剤を用いることにあ
る。
【００１２】具体的に、請求項１の発明の講じた手段
は、突出接点を有する半導体装置をフェースダウンで導
電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導体装置の実
装方法として、熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基
体上に形成する工程と、上記支持基体上の導電性接着剤
を加熱して可塑状態に維持しながら、上記半導体装置の
突出接点を上記支持基体上の導電性接着剤の塗膜に接触
させて、突出接点に熱可塑性の導電性接着剤を転写する
工程と、上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を
可塑状態に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基
板の接続電極とを接触させる工程と、上記半導体装置の
突出接点を回路基板の接続電極とを接触させた状態で導
電性接着剤を冷却して両者を接着する工程とを設けた方
法である。
は、突出接点を有する半導体装置をフェースダウンで導
電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導体装置の実
装方法として、熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基
体上に形成する工程と、上記支持基体上の導電性接着剤
を加熱して可塑状態に維持しながら、上記半導体装置の
突出接点を上記支持基体上の導電性接着剤の塗膜に接触
させて、突出接点に熱可塑性の導電性接着剤を転写する
工程と、上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を
可塑状態に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基
板の接続電極とを接触させる工程と、上記半導体装置の
突出接点を回路基板の接続電極とを接触させた状態で導
電性接着剤を冷却して両者を接着する工程とを設けた方
法である。
【００１３】請求項２の発明の講じた手段は、請求項１
の発明において、上記半導体装置の突出接点に導電性接
着剤を転写する工程では、半導体装置を導電性接着剤が
可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法である。
の発明において、上記半導体装置の突出接点に導電性接
着剤を転写する工程では、半導体装置を導電性接着剤が
可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法である。
【００１４】請求項３の発明の講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記半導体装置の突出接点を回
路基板の接続電極に接触させる工程では、半導体装置を
導電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱す
る方法である。
又は２の発明において、上記半導体装置の突出接点を回
路基板の接続電極に接触させる工程では、半導体装置を
導電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱す
る方法である。
【００１５】請求項４の発明の講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、半導体装置の突出接点を回路基
板の接続電極に接触させる工程では、回路基板を導電性
接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法
である。
又は２の発明において、半導体装置の突出接点を回路基
板の接続電極に接触させる工程では、回路基板を導電性
接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法
である。
【００１６】請求項５の発明の講じた手段は、請求項
１，２，３又は４の発明において、上記導電性接着剤
に、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ま
せる方法である。
１，２，３又は４の発明において、上記導電性接着剤
に、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ま
せる方法である。
【００１７】請求項６の発明の講じた手段は、請求項
１，２，３，４又は５の発明において、上記半導体装置
の突出接点を二段突出形状とする方法である。
１，２，３，４又は５の発明において、上記半導体装置
の突出接点を二段突出形状とする方法である。
【００１８】
【作用】以上の方法により、請求項１の発明では、半導
体装置の突出接点に転写された導電性接着剤を介して、
半導体装置の突出接点と回路基板の接続電極とが固着さ
れる。その際、導電性接着剤が熱可塑性樹脂で構成され
ているので、単に冷却するだけで導電性接着剤が硬化
し、両者が接着される。したがって、熱硬化性樹脂のご
とく反応による硬化に長時間を要することがなく、工程
に要する時間が短縮される。しかも、熱可塑性樹脂を可
塑状態に維持するためには、熱硬化性樹脂を硬化させる
時ほどの高温に維持する必要がないので、半導体装置と
回路基板との熱膨張率の差に起因する熱応力も極めて小
さくなり、実装された半導体装置の信頼性が向上する。
体装置の突出接点に転写された導電性接着剤を介して、
半導体装置の突出接点と回路基板の接続電極とが固着さ
れる。その際、導電性接着剤が熱可塑性樹脂で構成され
ているので、単に冷却するだけで導電性接着剤が硬化
し、両者が接着される。したがって、熱硬化性樹脂のご
とく反応による硬化に長時間を要することがなく、工程
に要する時間が短縮される。しかも、熱可塑性樹脂を可
塑状態に維持するためには、熱硬化性樹脂を硬化させる
時ほどの高温に維持する必要がないので、半導体装置と
回路基板との熱膨張率の差に起因する熱応力も極めて小
さくなり、実装された半導体装置の信頼性が向上する。
【００１９】請求項２の発明では、半導体装置の突出接
点に導電性接着剤を転写する際、半導体装置が可塑状態
となる温度以上に加熱されることで、突出接点が熱可塑
性の導電性接着剤を転写可能な温度に維持され、転写が
円滑に行われる。
点に導電性接着剤を転写する際、半導体装置が可塑状態
となる温度以上に加熱されることで、突出接点が熱可塑
性の導電性接着剤を転写可能な温度に維持され、転写が
円滑に行われる。
【００２０】請求項３又は４の発明では、半導体装置の
突出接点と回路基板の接続電極とを接触させる際、半導
体装置又は回路基板が熱可塑温度以上に加熱されること
で、熱可塑性の導電性接着剤が可塑状態に維持され、接
続電極側にも接着剤が付着する。その際、半導体装置を
吸着するツールや回路基板の支持部材を利用して加熱を
行うことが可能となり、装置の構成が簡素化される。
突出接点と回路基板の接続電極とを接触させる際、半導
体装置又は回路基板が熱可塑温度以上に加熱されること
で、熱可塑性の導電性接着剤が可塑状態に維持され、接
続電極側にも接着剤が付着する。その際、半導体装置を
吸着するツールや回路基板の支持部材を利用して加熱を
行うことが可能となり、装置の構成が簡素化される。
【００２１】請求項５の発明では、熱可塑性樹脂と導電
性フィラーとによって導電性接着剤の機能が簡易に確保
される。
性フィラーとによって導電性接着剤の機能が簡易に確保
される。
【００２２】請求項６の発明では、突出接点が二段突出
形状を有することで、熱可塑性の導電性接着剤の冷却が
より短時間に完了することになる。
形状を有することで、熱可塑性の導電性接着剤の冷却が
より短時間に完了することになる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例に係る半導体装置の実
装工程について、図面を参照しながら説明する。
装工程について、図面を参照しながら説明する。
【００２４】図１（ａ）〜（ｃ）は実施例における半導
体装置の実装方法を説明する工程図、図２は上記図１の
実装方法により作製される半導体装置の実装体の要部断
面図である。
体装置の実装方法を説明する工程図、図２は上記図１の
実装方法により作製される半導体装置の実装体の要部断
面図である。
【００２５】図１および図２において、１は可塑状態に
ある熱可塑性の導電性接着剤の塗膜、２は加熱された支
持基体、３は半導体装置、４は半導体装置の端子電極上
に形成された突出接点、５は半導体装置３を加熱および
吸着するための加熱・吸着ツール、６は回路基板、７は
回路基板６の上の接続電極、８は熱可塑性の導電性接着
剤の転写部である。ここで、上記熱可塑性の導電性接着
剤１は、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂にＡｇな
どの導電フィラーを含んだものである。
ある熱可塑性の導電性接着剤の塗膜、２は加熱された支
持基体、３は半導体装置、４は半導体装置の端子電極上
に形成された突出接点、５は半導体装置３を加熱および
吸着するための加熱・吸着ツール、６は回路基板、７は
回路基板６の上の接続電極、８は熱可塑性の導電性接着
剤の転写部である。ここで、上記熱可塑性の導電性接着
剤１は、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂にＡｇな
どの導電フィラーを含んだものである。
【００２６】以上のように構成された半導体装置の実装
方法とその実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
方法とその実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
【００２７】まず、図１（ａ）に示すように、支持基体
２上に可塑化した熱可塑性の導電性接着剤からなる塗膜
１を形成する。このとき、支持基体２は、熱可塑性の導
電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱され
ている。
２上に可塑化した熱可塑性の導電性接着剤からなる塗膜
１を形成する。このとき、支持基体２は、熱可塑性の導
電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱され
ている。
【００２８】そして、図１（ｂ）に示すように、突出接
点４を有する半導体装置３を加熱・吸着ツール５により
吸着しながら、突出接点４を可塑状態にある導電性接着
剤の塗膜１に接触させる。そのとき、加熱・吸着ツール
２によって半導体装置３は導電性接着剤が可塑状態とな
る温度以上の温度まで加熱されている。その後、半導体
装置３を加熱・吸着ツール５により引き上げると、突出
接点４上に熱可塑性の導電性接着剤の一部が転写され、
転写部８が形成される。
点４を有する半導体装置３を加熱・吸着ツール５により
吸着しながら、突出接点４を可塑状態にある導電性接着
剤の塗膜１に接触させる。そのとき、加熱・吸着ツール
２によって半導体装置３は導電性接着剤が可塑状態とな
る温度以上の温度まで加熱されている。その後、半導体
装置３を加熱・吸着ツール５により引き上げると、突出
接点４上に熱可塑性の導電性接着剤の一部が転写され、
転写部８が形成される。
【００２９】つぎに、図１（ｃ）に示すように、加熱・
吸着ツール５で半導体装置３を吸着しながら半導体装置
３を下方に下降させ、先端に導電性接着剤の転写部８が
形成された突出接点４を、回路基板６上の接続電極７に
位置合わせして両者を接触させる。このとき、導電性接
着剤の転写部８は加熱され可塑状態であるので、導電性
接着剤が接続電極７の表面に付着する。
吸着ツール５で半導体装置３を吸着しながら半導体装置
３を下方に下降させ、先端に導電性接着剤の転写部８が
形成された突出接点４を、回路基板６上の接続電極７に
位置合わせして両者を接触させる。このとき、導電性接
着剤の転写部８は加熱され可塑状態であるので、導電性
接着剤が接続電極７の表面に付着する。
【００３０】その後、加熱・吸着ツール５を半導体装置
３から離すと、熱可塑性の導電性接着剤の転写部８が冷
却されて硬化し、図２に示すように、半導体装置３の突
出接点４と回路基板６の接続電極７とが熱可塑性の導電
性接着剤の転写部８によって接着される。つまり、半導
体装置の実装体が得られる。
３から離すと、熱可塑性の導電性接着剤の転写部８が冷
却されて硬化し、図２に示すように、半導体装置３の突
出接点４と回路基板６の接続電極７とが熱可塑性の導電
性接着剤の転写部８によって接着される。つまり、半導
体装置の実装体が得られる。
【００３１】上記実施例では、あらかじめ可塑化された
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化させることができる。し
たがって、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の
生産性が向上するとともにコストが低減する。
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化させることができる。し
たがって、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の
生産性が向上するとともにコストが低減する。
【００３２】また、このように半導体装置を回路基板に
導電性接着剤を用いて実装するために、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力を極めて小
さく抑制することができ、信頼性の高い半導体装置の実
装体を得ることができる。
導電性接着剤を用いて実装するために、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力を極めて小
さく抑制することができ、信頼性の高い半導体装置の実
装体を得ることができる。
【００３３】なお、本実施例では、回路基板６へ半導体
装置３を実装する際に、加熱・吸着ツール５によって半
導体装置３を加熱するようにしたが、吸着ツールによっ
て半導体装置３を加熱することなく吸着するのみとして
もよい。その場合、回路基板６を加熱してもよく、さら
に、赤外線を照射する等他の加熱手段によって熱可塑性
の導電性接着剤を加熱することも可能である。
装置３を実装する際に、加熱・吸着ツール５によって半
導体装置３を加熱するようにしたが、吸着ツールによっ
て半導体装置３を加熱することなく吸着するのみとして
もよい。その場合、回路基板６を加熱してもよく、さら
に、赤外線を照射する等他の加熱手段によって熱可塑性
の導電性接着剤を加熱することも可能である。
【００３４】また、上記実施例では、熱可塑性の導電性
接着剤として、ポリエステル樹脂にＡｇなどの導電フィ
ラーを含んだものを用いたが、本発明の導電性接着剤は
かかる実施例に限定されるものではなく、熱可塑性と導
電性とを有するものであればいかなるものでもよい。
接着剤として、ポリエステル樹脂にＡｇなどの導電フィ
ラーを含んだものを用いたが、本発明の導電性接着剤は
かかる実施例に限定されるものではなく、熱可塑性と導
電性とを有するものであればいかなるものでもよい。
【００３５】さらに、上記実施例では、突出接点４の形
状は単純な円柱状としたが、特に二段形状とすること
で、導電性接着剤の転写部８をより迅速に冷却させるこ
とができ、硬化時間を短縮することができる。
状は単純な円柱状としたが、特に二段形状とすること
で、導電性接着剤の転写部８をより迅速に冷却させるこ
とができ、硬化時間を短縮することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の実装方法によれば、あらかじめ可塑状態に維持した
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化することができ、よっ
て、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の生産性
の向上を図ることができる。
置の実装方法によれば、あらかじめ可塑状態に維持した
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化することができ、よっ
て、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の生産性
の向上を図ることができる。
【００３７】さらに、本発明により得られる半導体装置
の実装体は、半導体装置と回路基板との接着に熱可塑性
の導電性接着剤が用いられるので、半導体装置と回路基
板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力の影響がほとん
どなく、信頼性の高い半導体装置の実装体を得ることが
できる。
の実装体は、半導体装置と回路基板との接着に熱可塑性
の導電性接着剤が用いられるので、半導体装置と回路基
板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力の影響がほとん
どなく、信頼性の高い半導体装置の実装体を得ることが
できる。
【図１】実施例である半導体装置の実装工程における半
導体装置等の状態を示す部分断面図である。
導体装置等の状態を示す部分断面図である。
【図２】実施例における半導体装置の実装体の部分断面
図である。
図である。
【図３】従来の半導体装置の実装方法における半導体装
置の突出接点に導電性接着剤を転写する際の状態を示す
部分断面図である。
置の突出接点に導電性接着剤を転写する際の状態を示す
部分断面図である。
【図４】従来の半導体装置の実装方法で得られる実装体
の部分断面図である。
の部分断面図である。
１ 塗膜 ２ 支持基体 ３ 半導体装置 ４ 突出接点 ５ 加熱・吸着ツール ６ 回路基板 ７ 接続電極 ８ 転写部 ９ 半導体装置 １０ 端子電極 １１ 突出接点 １２ 塗膜 １３ 支持基体 １４ 回路基板 １５ 接続電極 １６ 転写部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−199847（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136146（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77285（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−144878（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−34949（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−166879（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321162（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (6)
- 【請求項１】 突出接点を有する半導体装置をフェース
ダウンで導電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導
体装置の実装方法において、 熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基体上に形成する
工程と、 上記支持基体上の導電性接着剤を加熱して可塑状態に維
持しながら、上記半導体装置の突出接点を上記支持基体
上の導電性接着剤の塗膜に接触させて、突出接点に導電
性接着剤を転写する工程と、 上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を可塑状態
に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基板の接続
電極とを接触させる工程と、 上記半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極とを接
触させた状態で導電性接着剤を冷却して両者を接着する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の実装方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の実装方法に
おいて、 上記半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程では、半導体装置を導電性接着剤が可塑状態となる温
度以上の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の
実装方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の実装
方法において、 上記半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極に接触
させる工程では、半導体装置を導電性接着剤が可塑状態
となる温度以上の温度に加熱することを特徴とする半導
体装置の実装方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の半導体装置の実装
方法において、 半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極に接触させ
る工程では、回路基板を導電性接着剤が可塑状態となる
温度以上の温度に加熱することを特徴とする半導体装置
の実装方法。 - 【請求項５】 請求項１，２，３又は４記載の半導体装
置の実装方法において、 上記導電性接着剤は、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性
フィラーとを含むことを特徴とする半導体装置の実装方
法。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４又は５記載の半導
体装置の実装方法において、 上記半導体装置の突出接点は、二段突出形状を有するこ
とを特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11254694A JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11254694A JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321148A JPH07321148A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3255796B2 true JP3255796B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=14589368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11254694A Expired - Fee Related JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255796B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2951882B2 (ja) | 1996-03-06 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造した半導体装置 |
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP11254694A patent/JP3255796B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07321148A (ja) | 1995-12-08 |
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