JPH11510338A

JPH11510338A - ユニバーサル送信器デバイス

Info

Publication number: JPH11510338A
Application number: JP9507521A
Authority: JP
Inventors: ヘドベルク，マッツ
Original assignee: テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン（パブル）
Priority date: 1995-07-27
Filing date: 1996-07-24
Publication date: 1999-09-07
Also published as: KR100386929B1; US5994921A; KR19990077343A; DE19601386A1; CA2227890A1; AU6538996A; EP0840954A2; WO1997005701A3; BR9609956A; MX9800634A; SE9502715L; SE9502715D0; WO1997005701A2; SE504636C2; CN1196142A; AU717718B2; DE19601386C2; KR19990035886A; KR100406246B1; CN1099162C

Abstract

(57)【要約】デジタル情報を電気的２進信号の形態で受信器デバイスに送ることができる送信器デバイス。Ｎ−ＭＯＳトランジスタとＰ−ＭＯＳトランジスタはペアで配置する。各ペアは、１つのＮ−ＭＯＳトランジスタと１つのＰ−ＭＯＳトランジスタとから成る。１つのペアに配置された１つのＮ−ＭＯＳトランジスタのＮチャンネルと、この同じペアに配置されたＰ−ＭＯＳトランジスタのＰチャンネルとは、並列に接続し、これにより、広いシグナリング電圧範囲を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】ユニバーサル送信器デバイス発明の技術分野本発明は、デジタル情報を電気的２進信号の形態で受信器デバイス（receiver device）に送出する送信器デバイス（sender device）に関するものである。この送信器デバイスは、Ｎ−ＭＯＳトランジスタとＰ−ＭＯＳトランジスタから成っている。各Ｎ−ＭＯＳトランジスタは、Ｎチャンネルを有し、各Ｐ−ＭＯＳトランジスタは、Ｐチャンネルを有している。関連する技術の説明電子回路の技術および設計における進歩、そしてとりわけ電力消費および速度に関するより性能向上に向けての奮闘により、回路と回路ボードとの間の電気的２進信号方式のための種々のコンセプトがもたらされている。初期のコンセプトは、ＤＴＬ(ダイオード−トランジスタ・ロジック)、ＴＴＬ(トランジスタ−トランジスタ・ロジック)、およびＥＣＬ（エミッタ結合ロジック）である。これらは、いわゆるシングルエンド信号方式を用いている。より最近のコンセプトは、しばしば、差動型信号方式（平衡型信号方式としても知られている）を用い、これは、２つのシグナリング線を使用する。このようなコンセプトは、ＤＰＥＣＬ（差動型擬似エミッタ結合ロジック）、ＬＶＤＳ（低電圧差動型信号方式）およびＧＬＶＤＳ（接地型低電圧差動信号方式）である。ＧＬＶＤＳは、スウェーデン特許出願ＳＥ9304025−1およびＳＥ9400971−9に開示されている。上述の各差動型信号方式コンセプトは確かに差動型であるが、２つのシグナリング線の各々は、グランドに関係した固定の公称電圧で動作する。各線は、２つの電圧レベル（それぞれ、低電圧レベルと高電圧レベルと呼ぶ）で動作する。ＤＰＥＣＬは通常、３.４ボルトのシグナリング低電圧レベルと、３.９ボルトの高レベルとをもっている。一方、ＬＶＤＳは、０.９５ボルトの低レベルと１４５ボルトの高レベルとを有しており、他方、ＧＬＶＤＳは、０ボルトの低レベルと０.５ボルトの高レベルをもっている。これら電圧は、グランドに関係している。上記タイプの信号方式コンセプトの送信器デバイスと受信器デバイスとは、それぞれ、極めて狭い電圧間隔内の信号を送受する。特に、ＧＬＶＤＳにおけるように、グランド・レベルに近い電位でシグナリングする送信器デバイスと受信器デバイスとは、通常、低シグナリング電圧レベル、例えば１ボルト未満に対してのみ動作する。このような送信器デバイスは、その他のシグナリング電圧レベルを必要とする異なった信号方式コンセプトの受信器デバイスとは互換性がない。したがって、課題は、シグナリング電圧レベルの広い範囲内で動作するユニバーサル型送信器デバイスのための電子回路を構成することである。米国特許5,179,293においては、バイポーラ出力段を活性モードと禁止モードとの間でスイッチングするための技術および回路が開示されている。禁止モードにおいては、出力段は、不活性化され、したがってその段の出力ノードは高インピーダンスを示す。米国特許5,319,259においては、５ボルト未満の電源電圧を含む種々の電源電圧での使用に適した出力段が開示されている。この出力段は、正規の電圧がその出力パッドに印加されたときには適正な動作を可能にする。米国特許5,111,080においては、信号伝送回路が開示されており、この回路においては、信号は、２つの互いに相補的な信号に変換され、そしてこれらは、信号伝送回路から直列抵抗器を介して出力される。それら相補的信号の各々の振幅は、それら直列抵抗器と信号受信側に設けられた終端抵抗器により減少する。信号受信側は、その受信した入力のレベルをシフトさせる。このレベル・シフトさせた信号は、高入力インピーダンスの差動型増幅回路により増幅している。発明の摘要本発明の目的は、シグナリング電圧レベルの広い範囲内で動作するユニバーサル型送信器デバイスのための電子回路を構成するという上記の課題を解決することである。この目的は、トランジスタのペアから成る送信器デバイスにより実現する。各ペアは、１つのＮ−ＭＯＳトランジスタと１つのＰ−ＭＯＳトランジスタで構成する。１つのペアの１つのＮ−ＭＯＳトランジスタのＮチャンネルは、この同じペアのＰ−ＭＯＳトランジスタのＰチャンネルと並列に接続する。そのＮ−ＭＯＳトランジスタは、第１の動作モードでは活性であり、そしてＰ−ＭＯＳトランジスタは第２の動作モードでは活性である。そのペアのＮ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子とこの同じペアのＰ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子とは、互いに相補的な値をもつ信号により制御する。本発明による送信器デバイスは、いくつかの既存の信号方式コンセプト、例えばＤＰＥＣＬ、ＬＶＤＳおよびＧＬＶＤＳの受信器デバイスと互換性をもつ。本発明のこの送信器デバイスはまた、将来の信号方式コンセプトとも互換性をもつと思われる。この送信器デバイスのシグナリング電圧は、わずかな負（例えば、 −０.５ボルト）から数ボルト（例えば、５ボルト）のオーダまでの範囲をもつ。図面の簡単な説明本発明について、更なる目的および利点と共に、添付の図面を参照すれば、以下の説明からより明らかとなる。図１は、本発明による信号送信器デバイスの回路図。図２は、バルク端子を分圧回路に接続した、本発明による信号送信器デバイスの回路図。図３は、互いに異なったシグナリング電圧での動作モードをダイヤグラムで示す。図４は、本発明による送信器デバイスにおける異なった電圧でのＮ−ＭＯＳトランジスタとＰ−ＭＯＳトランジスタの導電率を、ダイヤグラムで示す。図５は、本発明による送信器デバイスを構成する送信器装置（sender entity ）を示しており、その信号送信器デバイスは、その電源電圧を受信器装置（rece iver entity）から受けるようになっている。図６は、本発明による信号送信器デバイスを構成する送信器装置を示しており、その信号送信器デバイスは、電源電圧を送信器装置から受け、そしてその電源電圧は受信器装置が決める。本発明の詳細な説明図１は、本発明による送信器デバイス１を示している。この送信器デバイス１の入力ＩＮＰは、インバータ２，３の入力に接続している。これらインバータ２，３の出力は、次にインバータ４，５の入力に接続している。インバータ５の出力は、インバータ６の入力に接続している。インバータ２−６の負電源端子は、グランドＧＮＤに接続し、一方それらの正電源端子は電源電圧Ｖ_ccに接続している。インバータ４の出力は、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８のゲートに接続し、またＰ−ＭＯＳトランジスタ９，１０のゲートに接続している。インバータ６の出力は、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ１１，１２のゲートに接続し、またＰ−ＭＯＳトランジスタ１３，１４のゲートに接続している。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，１１のドレイン端子とＰ−ＭＯＳトランジスタ９，１３のソース端子とは、電源電圧Ｖ_BHに接続している。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ８，１２のソース端子とＰ− ＭＯＳトランジスタ１０，１４のドレイン端子とは、電源電圧Ｖ_BLに接続している。トランジスタ７，１０のソース端子とトランジスタ１２，１３のドレイン端子とは、送信器デバイス１の出力端子ＯＵＴＰに接続している。トランジスタ８，９のドレイン端子とトランジスタ１１，１４のソース端子とは、送信器デバイス１の第２の出力端子ＯＵＴＮに接続している。Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４のバルク端子は、電源電圧Ｖ_BH に対し抵抗器１５を介して接続している。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８，１１，１２のバルク端子は、電源電圧Ｖ_BLに対し抵抗器１６を介して接続している。したがって、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８，１１，１２のＮチャンネルは、対応するＰ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４のＰチャンネルと並列接続となる。本送信器デバイスは、ロジック回路（図示せず）から２進信号をその入力ＩＮＰで受け、そしてこの２進信号は、一連のインバータ２−６において互いに相補的な値をもつ第１と第２の信号に変換する。したがって、インバータ４，６の内の一方の出力には低電圧があり、そして他方のインバータ４または６の出力にはそれと同時に高電圧がある。低電圧は、グランドＧＮＤに近く、そして高電圧は、Ｖ_ccに近い。インバータ２−５（これらは最初は余分なものと見えるかもしれない）は、トランジスタ７−１４のゲートに対し接続するそれら２つの信号を互いに同相にするという目的に作用する。この実現は、インバータ２の応答を、このインバータ２の出力に接続する例えば容量性負荷（図示せず）により遅くすることに行う。インバータ４は、インバータ２の出力からのこの信号の形状の復元を行う。本送信器デバイスは、１例を述べると、３.３ボルトのＶ_ccに対して、わずかな負（およそ−０.５ボルト）から５ボルトのオーダの電圧までの範囲の電圧を、その出力ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮに発生することができる。送信器デバイスの出力０ＵＴＰとＯＵＴＮとの間の電圧差Ｖ_OUTP−Ｖ_OUTNであるその電圧スイングは、通常、無負荷で＋／−０.５ボルトであるが、しかしこの値からずれてもよい。出力ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮにおける電圧は、後述するように、電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BL を適切に選ぶことにより設定する。ＭＯＳトランジスタの固有のオン抵抗Ｒ_DSonにより、装荷された送信器デバイスの出力電圧は、電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLと同じでなくなることがある。負荷は通常、信号受信器であり、また送信器デバイスに接続した終端回路網は、それらトランジスタから電流を引出し、これがそれらトランジスタの両端間の電圧降下を生じさせる。この電圧降下は、所定の出力電圧を実現するように電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BL を選ぶときに、補償する。例えば、Ｖ_BH＝３.９ボルト、Ｖ_BL＝３.４ボルトに選択すると、出力電圧Ｖ_OU _TP とＶ_OUTNは、終端回路網（図示せず）が適切に構成されることを条件に、ＤＰＥＣＬ受信器シグナリング電圧と互換性をもつことになる。Ｖ_BH＝１.４５ボルト、Ｖ_BL＝０.９５ボルトでは、出力ＯＵＴＰとＯＵＴＮは、ＬＶＤＳ受信器と互換性をもつ。Ｖ_BH＝０.５ボルト、Ｖ_BL＝０ボルトでは、出力ＯＵＴＰとＯＵＴＮは、ＧＬＶＤＳ受信器と互換性をもつ。本送信器デバイスについては、２つの動作モードについて述べることにより、さらにその説明を行う。説明する第１のモードにおいては、電源電圧Ｖ_BHおよびＶ_BLは、動作範囲の低い領域内にある。例えば、Ｖ_BHは０.５ボルト、Ｖ_BL は０ボルトである。説明する第２のモードでは、Ｖ_BHとＶ_BLとは、数ボルトのオーダにある。例えば、Ｖ_BHが３.９ボルト、Ｖ_BLが３.４ボルトである。この両方のモードにおいて、入力ＩＮＰは、Ｖ_ccに近い高レベルとなるか、あるいはグランドＧＮＤに近い低レベルのいずれかとなることができる。第１動作モードでは、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４は、非導通状態にある。このモードでは、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４の両端の電圧降下Ｕ_GSは、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４を導通状態にする程には十分大きくない。Ｕ_GSは、トランジスタ９にのみ示している。入力ＩＮＰが高レベルにあるとき、インバータ４の出力は、高レベル（およそ３ .３ボルト）となり、そしてインバータ６の出力は低レベル（およそ０ボルト）となる。このとき、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ１１，１２も非導通状態にあり、その間Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８は導通状態にあるが、それは、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８の電圧降下Ｕ_GSが例えば０.７ボルトのしきい値よりもかなり上にあるからである。この結果、出力ＯＵＴＰは、トランジスタ７の両端のオン状態電圧降下Ｕ_DSにより決る高電圧にあり、そして出力ＯＵＴＮは、トランジスタ８の両端のオン状態電圧降下Ｕ_DSにより決る低電圧にある。Ｕ_DSは、トランジスタ７にのみ示してある。入力ＩＮＰが低レベルにあるとき、インバータ４，６の出力レベルは、互いに入れ替る、すなわち、インバータ４の出力が低レベルとなり、そしてインバータ６の出力が高レベルとなる。トランジスタ１１，１２のみが導通することになり、これが、出力ＯＵＴＰに低電圧を、出力ＯＵＴＮに高電圧を生じさせる。それらトランジスタのオン状態抵抗Ｒ_DSonとそれらトランジスタを通して引出される電流Ｉ_Dとにより生ずるトランジスタのオン状態電圧降下を無視すると、上記の高電圧は、Ｖ_BH（すなわち０.５ボルト）に等しくなり、また低電圧は、Ｖ_BL（すなわち０ボルト）に等しくなる。第２動作モードでは、Ｎ−ＭＯＳトランジスタ７，８，１１，１２は、非導通状態である。入力ＩＮＰが高レベルにあるとき、トランジスタ９，１０は非導通であり、トランジスタ１３，１４は導通している。それらトランジスタの両端のオン状態電圧降下を無視するという条件で、出力ＯＵＴＰの電圧は３.９ボルトであり、出力ＯＵＴＮの電圧は３.４ボルトである。入力ＩＮＰが低レベルにあるとき、送信器デバイスの出力ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮの電圧は、互いに入れ替る。したがって、第１動作モードでは、第１の組のトランジスタのみ、すなわちＮ −ＭＯＳトランジスタ７，８，１１，１２のみが活性となり、第２動作モードでは、第２組のトランジスタ、すなわちＰ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４のみが活性となる。１ボルト近辺のＶ_BLおよびＶ_BL＋０.５ボルト近辺のＶ_BHでは、両方の組のトランジスタが部分的に活性となる上記２つの動作モードの間の交差領域がある。注意深く設計することにより、送信器デバイス１は、上記の２つの動作モードの間でほとんどシームレスに動作する。このことは、例えば、抵抗器１５，１６を介してＰ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４のバルク端子をＶ_BHに接続し、そしてＮ−ＭＯＳトランジスタ７，８，１１，１２のバルク端子（これらが利用可能であるという条件で）をＶ_BLに接続することにより実現する。トランジスタのバルク端子を、Ｖ_BHとＶ_BLに直接ではなく、図２に示した抵抗器１５，１６，１７，１８の分圧回路網に接続することにより、しきい値電圧Ｕ_GSthが変化し、これにより各モードの動作範囲を広げたりあるいは動かせる。これにより、それらモード間のオーバーラップは、設計の間に制御可能である。また、図示しない別のアプローチは、それらバルク端子をプログラマブル電圧基準に接続し、これによりオーバーラップが、その電圧基準の電圧を変化させることで動的に制御可能となる。当業者の通常の方法は、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４のバルク端子をＶ_ccに接続することであろう。これは、Ｐ−ＭＯＳトランジスタ９，１０，１３，１４内に存在する寄生ダイオードのため、Ｖ_ccにダイオードの約０. ７ボルトの順方向電圧降下を足したものを超える動作電圧Ｖ_BHを除外することになる。トランジスタ９の寄生ダイオード１９は、図２に１例を示してある。本発明の目的によれば、動作電圧Ｖ_BHは、本発明のバルク端子構成のため、Ｖ_cc＋０ .７ボルトよりかなり高く、例えばＶ_cc＋１.７ボルトに選ぶことができる。図３は、送信器デバイスの出力電圧Ｕ_OUTPを時間の関数として示している。またこれには、２つの部分的にオーバーラップした動作モードを示しており、これらには、それぞれＮ−ＭＯＳとＰ−ＭＯＳのラベルを付してある。電源電圧Ｖ_BL は、−０.５ボルトから４.５ボルトに掃引し、電源電圧Ｖ_BHは０ボルトから５ボルトに掃引している。掃引時間ｔの間、入力ＩＮＰは、頻繁にトグルする。ダイヤグラムから判るように、出力電圧Ｕ_OUTPは、中断なく−０．５ボルトから５ボルトに変動する。この掃引時間の間、送信器デバイスは、第１動作モードから第２動作モードに遷移する。図４は、電源電圧Ｖ_BL，Ｖ_BHの関数として導電率１／Ｚを示している。Ｎ−ＭＯＳトランジスタ、例えばＮ−ＭＯＳトランジスタ７の導電率と、これに対応するＰ−ＭＯＳトランジスタ、例えばＰ−ＭＯＳトランジスタ１３の導電率とは、送信器デバイス１の出力ＯＵＴＰにおけるグランドＧＮＤに対するその結果の導電率１／Ｚと共に示してある。結果として生じる導電率は、同時に導通しているトランジスタの導電率の和となる。これらトランジスタは、そのバルク端子における電圧を適切に設定することによりバイアスし、これにより結果として生じる導電率が送信器デバイスの動作範囲にわたってほぼ一定となるようにする。送信器デバイスから受信器デバイスへ信号を高いシグナリング速度で搬送するのに使用する線は、伝送線として設計する。この伝送線の終端インピーダンスは、理想的には、この伝送線の特性インピーダンスとマッチングしている。送信器デバイス１のインピーダンスは、抵抗器またはＭＯＳトランジスタのような終端のための専用の抵抗性素子を使わずに、信号送信器デバイスを信号受信器デバイスへ相互接続する伝送線の特性インピーダンスとおおよそマッチングするように設計する。これは、適切なインピーダンス値Ｒ_DSonをもつトランジスタを選択することにより実現する。図５には、受信器デバイス２０と接続した、本発明による信号送信器デバイス１を示している。送信器デバイス１と受信器デバイス２０とは、互いに異なった装置（entity）２１，２２、例えば２つの回路ボード上に配置してある。電源電圧Ｖ_BHとＶ_BLとは、受信器装置２２から供給する。したがって、シグナリング電圧Ｖ_OUTN，Ｖ_OUTHは、受信器装置２２が決め、したがって受信器デバイス１のシグナリング電圧と適合するように設定する。送信器デバイス１のための適当な電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLを実現する簡単な手段は、受信器装置２２の電源電圧Ｖ_RとグランドＧにそれぞれ接続した分圧回路網２３，２４を使用することによる。キャパシタ２５，２６は、電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLをデカップリングするために設けている。図６には、送信器デバイス１に対し受信器装置２２が決める、適切な電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLを実現する別のアプローチを示している。受信器装置２２の終端回路網２７，２８は、固定の電圧基準Ｖ_REFに接続し、この電圧基準Ｖ_REFは、受信器デバイス２０のシグナリング電圧範囲内にある。送信器デバイス１を給電する電源は、送信器装置２１内に配置している。これは、２つの電流発生器２９，３０から成っている。このようなそれ自体既知の電源は、浮動の電圧、すなわち固定の電圧基準に関係しない電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLを提供する。したがって、出力ＯＵＴＰ，ＯＵＴＮもまた、浮動する(図３参照)。電源電圧Ｖ_BH，Ｖ_BLをデカップリングするため、キャパシタ３１，３２を設けている。これにより、シグナリング・レベルは、終端回路網の電圧基準Ｖ_REFが強制する。シグナリング・レベルを受信器装置２２から指図する利点は、１つの受信器装置２２を、異なったシグナリング・レベルを用いる異なった受信器デバイス２０を収容するより新たな設計の別の受信器装置２２と置換えるときに、既存の送信器装置２１に対し変更を全く行わなくてもよいという点である。本発明の上記に実施例において、当業者であれば、本発明の範囲および精神から逸脱せずに、種々の変更および修正を行うことが可能である。例えば、上記実施例において述べた電圧値は、本発明の原理を実証するための例として意図したに過ぎない。その他の電圧値であっても、本発明の本質を変更することなく使用することができる。また、本発明の主要な原理は、シングルエンドの送信器デバイスにも適用できる。このシングルエンド信号方式は、当該分野では周知である。

【手続補正書】【提出日】１９９８年４月２日【補正内容】１．本願明細書第７頁第１１〜第１２行に記載の「（これらが利用可能であるという条件で）」を削除する。２．同第８頁第２６行に記載の「受信器デバイス１」を『送信器デバイス１』に訂正する。３．同第８頁第２５〜第２６行に記載の「シグナリング電圧Ｖ_OUTN，Ｖ_OUTH」を『シグナリング電圧Ｖ_OUTP，Ｖ_OUTN』に訂正する。４．本願請求の範囲を別紙に記載のように訂正する。請求の範囲１．デジタル情報を電気的２進信号の形態で受信器デバイスに送るための送信器デバイスであって、Ｎチャンネルを各々もつＮ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）と、Ｐチャンネルを各々もつＰ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）とを含む、前記の送信器デバイスにおいて、前記送信器デバイスが、トランジスタのペア（７，１３；８，１４；９，１１；１０，１２）を含み、該トランジスタ・ペアの各１つは、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタの内の１つと前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタの内の１つとから成り、１つのペアに含まれた１つのＮ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｎチャンネルは、前記の同じペアに含まれたＰ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｐチャンネルと並列に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。２．請求項１記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタは、第１の動作モードでは活性であり、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタは、第２の動作モードでは活性であること、を特徴とする送信器デバイス。３．請求項１または２に記載の送信器デバイスであって、前記ペアに含まれた前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子と、前記の同じペアに含まれた前記Ｐ −ＭＯＳトランジスタのゲート端子とは、互いに相補的な値をもつ信号により制御すること、を特徴とする送信器デバイス。４．請求項１、２または３に記載の送信器デバイスであって、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）のバルク端子は、正の電源電圧（Ｖ_BH）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。５．請求項１−４のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのバルク端子は、負の電源電圧（Ｖ_BL）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。６．請求項１−５のいずれかに記載の送信器デバイスであって、バルク端子は、電源電圧（Ｖ_BL，Ｖ_BH）に抵抗器回路網を介して接続していること、を特徴とする送信器デバイス。７．請求項１−６のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記送信器デバイスの出力インピーダンスは、該送信器デバイスの出力に接続した伝送線の特性インピーダンスに対しそのマッチングを、前記第１動作モードにおいては前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）の固有のインピーダンスを使用し、また前記第２動作モードにおいては前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）の固有のインピーダンスを使用することにより行うこと、を特徴とする送信器デバイス。８．請求項１−７のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、前記受信器デバイス（２０）が配置された装置（２２）が生成すること、を特徴とする送信器デバイス。９．請求項１−７のいずれかに記載の送信器デバイスであつて、前記電源電圧は、グランドに対し浮動していること、を特徴とする送信器デバイス。１０．請求項９記載の送信器デバイスであって、シグナリング電圧は、前記受信器デバイスが配置された装置から、終端回路網を接続した基準電圧（Ｖ_REF）を設定することにより、制御すること、を特徴とする送信器デバイス。１１．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して受信器デバイスに送るための送信器デバイスであって、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、前記出力段の電源端子に接続しており、前記動作電圧を前記出力段に供給するための電源手段（２３，３０）と、を備えた送信器デバイスにおいて、前記電源手段は、グランド（ＧＮＤ）に対し浮動した前記動作電圧を供給するよう適合させたこと、を特徴とする送信器デバイス。１２．請求項１１記載の送信器デバイスであって、前記電源手段（２３，３０）は、第１の電流源（２９）と第２の電流源とから成り、前記第１電流源（２９）は、前記出力段の電源端子の内の第１のもの（Ｖ_BH）に接続し、前記第２電流源（３０）は、前記電源端子の第２のもの（Ｖ_BL）に接続したこと、を特徴とする送信器デバイス。１３．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して受信器装置に送るため、前記受信器装置に対して前記伝送線を介して接続するために適合させた送信器デバイスであって、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、を備えた送信器テバイスにおいて、前記出力段は、前記受信器装置（２２）が供給する前記動作電圧を有するように適合させたこと、を特徴とする送信器デバイス。１４．請求項１１−１３のいずれかに記載の送信器デバイスであって、トランジスタのペア（７，１３；８，１４；９，１１；１０，１２）であって、該トランジスタ・ペアの各１つは、１つのＮ−ＭＯＳトランジスタと１つのＰ −ＭＯＳトランジスタとから成る、前記のトランジスタ・ペアを含み、１つのペアに含まれた１つのＮ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｎチャンネルは、前記の同じペアに含まれたＰ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｐチャンネルと並列に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１５．請求項１１および１４のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタは、第１の動作モードでは活性であり、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタは、第２の動作モードでは活性であること、を特徴とする送信器デバイス。１６．請求項１１、１４または１５に記載の送信器デバイスであって、前記ペアに含まれた前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子と、前記の同じペアに含まれた前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子とは、互いに相補的な値をもつ信号により制御すること、を特徴とする送信器デバイス。１７．請求項１１、１４、１５または１６に記載の送信器デバイスであって、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）のバルク端子は、正の電源電圧（Ｖ_BH）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１８．請求項１１および１４−１７のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのバルク端子は、負の電源電圧（Ｖ_BL）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１９．請求項１１および１４−１８のいずれかに記載の送信器デバイスであって、バルク端子は、電源電圧（Ｖ_BL，Ｖ_BH）に抵抗器回路網を介して接続していること、を特徴とする送信器デバイス。２０．請求項１１および１４−１９のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記送信器デバイスの出力インピーダンスは、該送信器デバイスの出力に接続した伝送線の特性インピーダンスに対しそのマッチングを、前記第１動作モードにおいては前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）の固有のインピーダンスを使用し、また前記第２動作モードにおいては前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）の固有のインピーダンスを使用することにより行うこと、を特徴とする送信器デバイス。２１．請求項１１および１４−２０のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、前記受信器デバイス（２０）が配置された装置（２２）が生成すること、を特徴とする送信器デバイス。２２．請求項１１および１４−２１のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、グランドに対し浮動していること、を特徴とする送信器デバイス。２３．請求項２１記載の送信器デバイスであって、シグナリング電圧は、前記受信器デバイスが配置された装置から、終端回路網を接続した基準電圧（Ｖ_REF ）を設定することにより、制御すること、を特徴とする送信器デバイス。２４．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して送るため、受信器デバイスに接続した送信器デバイス（１）であって、前記送信器デバイス（１）と前記受信器デバイス（２０）とが互いに異なった装置（２１，２２）に配置された、前記の送信器デバイスにおいて、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、前記受信器装置（２２）に配置しておりかつ前記出力段の電源端子に接続した電源手段（２３，２４）であって、前記動作電圧を前記出力段に供給して前記受信器デバイス（２０）のシグナリング電圧に適合させるための前記の電源手段と、を備えたこと、を特徴とする送信器デバイス。２５．請求項２４記載の受信器デバイスに接続した送信器デバイスにおいて、前記電源手段は、受信器装置（２２）の電源電圧（Ｖ_R）とグランド（Ｇ）にそれぞれ接続した分圧回路網（２３，２４）であること、を特徴とする送信器デバイス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims

【特許請求の範囲】１．デジタル情報を電気的２進信号の形態で受信器デバイスに送るための送信器デバイスであって、Ｎチャンネルを各々もつＮ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）と、Ｐチャンネルを各々もつＰ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）とを含む、前記の送信器デバイスにおいて、前記送信器デバイスが、トランジスタのペア（７，１３；８，１４；９，１１；１０，１２）を含み、該トランジスタ・ペアの各１つは、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタの内の１つと前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタの内の１つとから成り、１つのペアに含まれた１つのＮ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｎチャンネルは、前記の同じペアに含まれたＰ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｐチャンネルと並列に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。２．請求項１記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタは、第１の動作モードでは活性であり、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタは、第２の動作モードでは活性であること、を特徴とする送信器デバイス。３．請求項１または２に記載の送信器デバイスであって、前記ペアに含まれた前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子と、前記の同じペアに含まれた前記Ｐ −ＭＯＳトランジスタのゲート端子とは、互いに相補的な値をもつ信号により制御すること、を特徴とする送信器デバイス。４．請求項１、２または３に記載の送信器デバイスであって、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）のバルク端子は、正の電源電圧（Ｖ_BH）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。５．請求項１−４のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのバルク端子は、負の電源電圧（Ｖ_BL）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。６．請求項１−５のいずれかに記載の送信器デバイスであって、バルク端子は、電源電圧（Ｖ_BL，Ｖ_BH）に抵抗器回路網を介して接続していること、を特徴とする送信器デバイス。７．請求項１−６のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記送信器デバイスの出力インピーダンスは、該送信器デバイスの出力に接続した伝送線の特性インピーダンスに対しそのマッチングを、前記第１動作モードにおいては前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）の固有のインピーダンスを使用し、また前記第２動作モードにおいては前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）の固有のインピーダンスを使用することにより行うこと、を特徴とする送信器デバイス。８．請求項１−７のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、前記受信器デバイス（２０）が配置された装置（２２）が生成すること、を特徴とする送信器デバイス。９．請求項１−７のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、グランドに対し浮動していること、を特徴とする送信器デバイス。１０．請求項９記載の送信器デバイスであって、シグナリング電圧は、前記受信器デバイスが配置された装置から、終端回路網を接続した基準電圧（Ｖ_REF）を設定することにより、制御すること、を特徴とする送信器デバイス。１１．デジタル情報を電気的２進信号の形態で受信器デバイスに送るための送信器デバイスであって、Ｎチャンネルを各々もつＮ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）と、Ｐチャンネルを各々もつＰ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）とを含む、前記の送信器デバイスにおいて、前記送信器デバイスが、トランジスタのペア（７，１３；８，１４；９，１１；１０，１２）を含み、該トランジスタ・ペアの各１つは、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタの内の１つと前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタの内の１つとから成り、１つのペアに含まれた１つのＮ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｎチャンネルは、前記の同じペアに含まれたＰ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｐチャンネルと並列に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１２．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して受信器デバイスに送るための送信器デバイスであって、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、前記出力段の電源端子に接続しており、前記動作電圧を前記出力段に供給するための電源手段（２３，３０）と、を備えた送信器デバイスにおいて、前記電源手段は、グランド（ＧＮＤ）に対し浮動した前記動作電圧を供給するよう適合させたこと、を特徴とする送信器デバイス。１３．請求項２記載の送信器デバイスであって、前記電源手段（２３，３０）は、第１の電流源（２９）と第２の電流源とから成り、前記第１電流源（２９）は、前記出力段の電源端子の内の第１のもの（Ｖ_BH）に接続し、前記第２電流源（３０）は、前記電源端子の第２のもの（Ｖ_BL）に接続したこと、を特徴とする送信器デバイス。１４．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して受信器装置に送るため、前記受信器装置に対して前記伝送線を介して接続するために適合させた送信器デバイスであって、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、を備えた送信器デバイスにおいて、前記出力段は、前記受信器装置（２２）が供給する前記動作電圧を有するように適合させたこと、を特徴とする送信器デバイス。１５．請求項２−４のいずれかに記載の送信器デバイスであって、トランジスタのペア（７，１３；８，１４；９，１１；１０，１２）であって、該トランジスタ・ペアの各１つは、１つのＮ−ＭＯＳトランジスタと１つのＰ− ＭＯＳトランジスタとから成る、前記のトランジスタ・ペアを含み、１つのペアに含まれた１つのＮ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｎチャンネルは、前記の同じペアに含まれたＰ−ＭＯＳトランジスタの前記Ｐチャンネルと並列に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１６．請求項１および５のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ −ＭＯＳトランジスタは、第１の動作モードでは活性であり、前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタは、第２の動作モードでは活性であること、を特徴とする送信器デバイス。１７．請求項１，５または６に記載の送信器デバイスであって、前記ペアに含まれた前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子と、前記の同じペアに含まれた前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタのゲート端子とは、互いに相補的な値をもつ信号により制御すること、を特徴とする送信器デバイス。１８．請求項１、５，６または７に記載の送信器デバイスであって、前記Ｐ− ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）のバルク端子は、正の電源電圧（Ｖ_BH）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。１９．請求項１および５−８のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタのバルク端子は、負の電源電圧（Ｖ_BL）に接続していること、を特徴とする送信器デバイス。２０．請求項１および５−９のいずれかに記載の送信器デバイスであって、バルク端子は、電源電圧（Ｖ_BL，Ｖ_BH）に抵抗器回路網を介して接続していること、を特徴とする送信器デバイス。２１．請求項１および５−１０のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記送信器デバイスの出力インピーダンスは、該送信器デバイスの出力に接続した伝送線の特性インピーダンスに対しそのマッチングを、前記第１動作モードにおいては前記Ｎ−ＭＯＳトランジスタ（７，８，１１，１２）の固有のインピーダンスを使用し、また前記第２動作モードにおいては前記Ｐ−ＭＯＳトランジスタ（９，１０，１３，１４）の固有のインピーダンスを使用することにより行うこと、を特徴とする送信器デバイス。２２．請求項１および５−１１のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、前記受信器デバイス（２０）が配置された装置（２２）が生成すること、を特徴とする送信器デバイス。２３．請求項１および５−１２のいずれかに記載の送信器デバイスであって、前記電源電圧は、グランドに対し浮動していること、を特徴とする送信器デバイス。２４．請求項１３記載の送信器デバイスであって、シグナリング電圧は、前記受信器デバイスが配置された装置から、終端回路網を接続した基準電圧（Ｖ_REF ）を設定することにより、制御すること、を特徴とする送信器デバイス。２５．デジタル情報を電気的２進信号の形態で伝送線を介して送るため、受信器デバイスに接続した送信器デバイス（１）であって、前記送信器デバイス（１）と前記受信器デバイス（２０）とが互いに異なった装置（２１，２２）に配置された、前記の送信器デバイスにおいて、送るべきデータ信号を受けるための入力端子（ＩＮＰ）と、伝送線との接続のために適合させた出力を有する出力段（７−１６）であって、該出力段のための動作電圧を受けるための電源端子（Ｖ_BH，Ｖ_BL）を有する、前記の出力段と、前記受信器装置（２２）に配置しておりかつ前記出力段の電源端子に接続した電源手段（２３，２４）であって、前記動作電圧を前記出力段に供給して前記受信器デバイス（２０）のシグナリング電圧に適合させるための前記の電源手段と、を備えたこと、を特徴とする送信器デバイス。２６．請求項１５記載の受信器デバイスに接続した送信器デバイスにおいて、前記電源手段は、受信器装置（２２）の電源電圧（Ｖ_R）とグランド（Ｇ）にそれぞれ接続した分圧回路網（２３，２４）であること、を特徴とする送信器デバイス。