JPH11505665A - 高圧ハロゲン化金属ランプ - Google Patents

高圧ハロゲン化金属ランプ

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JPH11505665A
JPH11505665A JP9534172A JP53417297A JPH11505665A JP H11505665 A JPH11505665 A JP H11505665A JP 9534172 A JP9534172 A JP 9534172A JP 53417297 A JP53417297 A JP 53417297A JP H11505665 A JPH11505665 A JP H11505665A
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electrode
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ハレブ ナタウル
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フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、放電スペースを包囲し、気密封止され、外部に通じる電流伝導体に接続される電極が配置される光透過放電管と、希ガス、バッファガス及びハフニウム、ジルコニウム及びタンタルから選択した少なくとも1つのハロゲン化遷移金属を有する放電管内の充填材とを具える高圧ハロゲン化金属ランプに関するものである。本発明によれば、各電極に、ハフニウム、ジルコニウム及びタンタルの炭化物から選択した炭化物を含む電極部分を設ける。プラズマから電極への遷移金属の拡散が著しく抑制されるので、ランプは作動中、非常に良好な演色特性を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】 高圧ハロゲン化金属ランプ 本発明は、気密封止された放電スペースを外部に通じる電流導電体に接続され た複数の電極が内部に配置され、画成する光透過放電管と、希ガス、バッファガ ス及びハフニウム、ジルコニウム及びタンタルから選択した少なくとも1つのハ ロゲン化遷移金属を有する放電管内の充填材とを具える高圧ハロゲン化金属ラン プに関するものである。 このような高圧ハロゲン化金属ランプ(ランプとも称する)は、EP0627 759A1により知られている。 この既知のランプにおいては、水銀及び/又はキセノンが例えばバッファガス として使用される。既知のランプの電極は、タングステン棒で構成する。既知の ランプは良好な演色特性を有する。更に既知のランプの発光効率及び輝度は比較 的高い値をとる。 既知のランプの欠点は、動作中にプラズマ内にある遷移金属が電極内に拡散す ることである。その結果、プラスマの組成、従って既知のランプの性能も動作中 に変化する。更に特には、プラズマから遷移金属が消失する結果、このランプの 演色特性が急激に低下する。この拡散の影響は、大部分の遷移金属が電極に拡散 した後も十分な遷移金属がプラズマ内に残留するように、ランプの充填材中のハ ロゲン化遷移金属の量を増すことにより部分的に補償できる。しかしながら、こ のようなハロゲン化遷移金属を大量に含むランプでは、ランプを起動させる再点 弧電圧が、多くの実際の用途に対して好適ではなく、著しく高いことが分かった 。 本発明の目的は、多くの実際の用途に好適であって、メンテナンスが改良され た明細書前文に記載の種類の高圧ハロゲン化金属ランプを提供することにある。 本発明は、このような目的を達成するために、各電極に、ハフニウム、ジルコ ニウム及びタンタルの炭化物から選択した炭化物を含む第1電極部分を設けたこ とを特徴とする。 本発明による高圧放電ランプの動作中に、電極の第1電極部分は放電に直面し ており、放電アークは両電極の第1電極部分間に存在する。本発明による高圧ハ ロゲン化金属ランプにおいては、遷移金属のプラズマからランプの電極への移動 がかなり抑制されることが分かった。この結果、プラズマの組成はほぼ変化せず 、ランプのかなり良好な演色特性はランプの動作中にに亘って維持される。これ は充填材中のハロゲン化遷移金属を比較的僅かにしか含まないランプに対しても 当てはまる。放電管中に含まれるハロゲン化遷移金属の量を3μmol/cm3 以上としないことが好適であって、その結果ランプの再点弧電圧は比較的低くで きる。 第1電極部分がほぼ純粋な炭化遷移金属で構成された本発明による高圧ハロゲ ン化金属ランプや、第1電極部分が炭化遷移金属に加えてタングステン及び/又 はレニウムをも含む本発明による高圧ハロゲン化金属ランプでは、良好な結果が 得られた。第1電極部分に設けるタングステン及び/又はレニウムの重量百分率 を0乃至30%の範囲とするのが好適である。 この両電極には、第1電極部分に接続された第2電極部分を設けてもよい。こ のような第2電極部分の組成により、電流導電体と第2電極部分との間の接続は 、電流導電体と第1電極部分とを接続する場合よりも良好に実現できる。第2電 極部分にタングステン棒を設けた高圧ハロゲン化金属ランプでは、好適な結果が 得られた。第1電極部分をタングステン棒の端部に融着するのが好適である。 第1電極部分をほぼ球面状、ほぼ半球面状或いは円筒形とするのが好適である 。 本発明の実施例を更に図面により説明する。 図面において、図1は、本発明による高圧ハロゲン化金属ランプの実施例を示 したものであり、 図2は、図1に示した高圧ハロゲン化金属ランプ内に設けた電極の1つを線図 的に示したのである。 図1において、1は放電スペース2を画成する光透過放電管である。この放電 管1を気密封止によりシールする。第1電極部分3a及び3bと第2電極部分4 a及び4bとを具える電極を放電管内に配置し、外部に通ずる導電体5a、6a 及び5b、6bに接続する。電流導電体の各々にはモリブデンフォイル(5a及 び5b)とこのモリブデンフォイルに連結された導電ワイヤ(6a及び6b)と を設ける。又各電極をモリブデンフォイルの1つに接続する。この放電管内の充 填材は、希ガス、バッファガス及び周囲温度では固体であって図1では符号6で 示した若干のHfBr4とを有する。 図1の高圧ハロゲン化金属ランプ内の両電極は、これらの電極の1つに関して 図2に示すような構造をとる。図面から明らかなように第1電極部分をHfCで 構成する一方で、第2電極部分をタングステン棒で構成する。第1電極部分を第 2電極部分に融着する。第2電極部分をモリブデンフォイルに接続する。 表Iは、本発明による高圧ハロゲン化金属ランプ(ランプ2)と、ランプ2と 充填材は同じであるが電極をタングステン棒とした高圧ハロゲン化金属ランプ( ランプ1)との比較を示したものである。ランプ2の電極には、ほぼ純粋なHf Cから成る第1電極部分を設けた。この高圧ハロゲン化金属ランプの放電スペー スの容積を、ほぼ1cm3とし、電極の寸法を6mmとした。両ランプを、環境 温度でほぼ100mbarのアルゴンと134μmol/cm3の水銀及び1. 34μmol/cm3のHfBr4とで満たした。両ランプをアウターバルブを使 用せずに水平に動作させ、ランプに供給する出力を250ワットとした。 表IIは、本発明による高圧ハロゲン化金属ランプ(ランプ4)と、ランプ4と 充填材は同じであるが電極をタングステン棒とした高圧ハロゲン化金属ランプ( ランプ3)とを比較したものである。このランプ4の電極には、30wt.%の タングステンと70wt.%のHfCとから成る第1電極部分を設けた。高圧ハ ロゲン化金属ランプの放電スペースの容積をほぼ3.4cm3とし、電極の寸法 を7mmとした。両ランプを、環境温度でほぼ100mbarのアルゴンと74 μmol/cm3の水銀、2.4μmol/cm3のHfBr2及び8.4μmo l/cm3のSnとで満たした。両ランプをアウターバルブを使用せずに水平で 動作させ、ランプに供給する出力を580ワットとした。 表I及び表IIによって明らかなように、ランプ1及びランプ3では、Hfがラ ンプの動作中に非常に高速でプラズマから電極内に消失し、これによりこれらラ ンプの演色特性に著しく影響を及ぼす。HfBr4の含有量を減少させることに より、本発明によるランプと電極がタングステン棒であるランプとの間の演色の 差がひらくことも知られている。ランプ2及びランプ4におけるプラズマ内のH fの量は、ほぼ一定のレベルのままであり、その結果ランプ2の演色特性が非常 に良好となる。更に、ランプ2及びランプ4の再点弧電圧は、ランプの充填材中 のハロゲン化遷移元素の量が比較的少ないので、許容値をとる。別の実験によっ て、電極がタングステン棒であるランプの場合に、少なくとも95の演色評価数 Ra8を得るために、(動作温度で)1.5barとなるようにHfBr4を充 填する必要があることが分かった。このようなHfBr4の充填量でもプラズマ 内ではほぼ0.25barしか残っておらず、残りは電極内に拡散してしまった 。演色評価数Ra8はランプの動作中高い値のままであったが、再点弧電圧は8 00V乃至1000Vであって、これは容認できない程高いものであった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.放電スペースを包囲し、気密封止され、外部に通じる電流伝導体に接続され る電極が配置される光透過放電管と、希ガス、バッファガス及びハフニウム、ジ ルコニウム及びタンタルから選択した少なくとも1つのハロゲン化遷移金属を有 する放電管内の充填材とを具える高圧ハロゲン化金属ランプにおいて、各電極に 、ハフニウム、ジルコニウム及びタンタルの炭化物から選択した炭化物を含む第 1電極部分を設けたことを特徴とする高圧ハロゲン化金属ランプ。 2.第1電極がタングステン及び/又はレニウムをも含むことを特徴とする請求 項1に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 3.第1電極部分に含まれるタングステン及び/又はレニウムのの重量百分率が 0乃至30%であることを特徴とする請求項2に記載の高圧ハロゲン化金属ラン プ。 4.電極に更に、第1電極部分に接続された第2電極部分を設けたことを特徴と する請求項1、2或いは3に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 5.第2電極部分をタングステンとしたことを特徴とする請求項4に記載の高圧 ハロゲン化金属ランプ。 6.第1電極部分をタングステンのバーの端部に融着したことを特徴とする請求 項5に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 7.前記第1電極部分をほぼ球面状としたことを特徴とする請求項4、5或いは 6に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 8.前記第1電極部分をほぼ半球面状としたことを特徴とする請求項4、5或い は6に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 9.前記第1電極部分をほぼ円筒形としたことを特徴とする請求項4、5或いは 6に記載の高圧ハロゲン化金属ランプ。 10.放電管内に具えるハロゲン化遷移金属の量を3μmol/cm3未満とした ことを特徴とする請求項1乃至9のうちの1つ以上に記載の高圧ハロゲン化金属 ランプ。
JP9534172A 1996-03-22 1997-03-10 高圧ハロゲン化金属ランプ Abandoned JPH11505665A (ja)

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EP96200790 1996-03-22
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WO (1) WO1997036311A1 (ja)

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WO1997036311A1 (en) 1997-10-02
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KR19990021836A (ko) 1999-03-25
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