JPH1145879A - アクティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低いコンタクト抵抗をうることのできるアク
ティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成
方法および該基板を用いた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明のコンタクトホール形成方法は、
（１）第１の電極および第１の電極の表面の部分以外の
基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、（２）ドライエ
ッチングにより該絶縁膜をパターニングしてコンタクト
ホールを形成する工程と、（３）第２の電極を形成して
該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる工
程とからなり、前記（２）の工程において、ドライエッ
チングによりコンタクトホールを形成した後、処理圧Ｐ
が１００Ｐａ〜４００Ｐａの範囲の条件下でプラズマエ
ッチングモードもしくはＲＩＥモードでの酸素ガスによ
る表面処理を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板上に形
成された絶縁膜や半導体膜にコンタクトホールを形成す
る方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、液晶表示
装置に用いられるアクティブマトリクス基板として絶縁
性基板上に形成されたクロムまたはクロム化合物からな
る電極と上部電極との電気的コンタクト用の穴（以下、
コンタクトホールという）を形成するドライエッチング
方法およびドライエッチング後の処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】マトリックス型液晶表示装置は、通常、
半導体薄膜からなる薄膜トランジスタ（thin film tran
sistor、以下、ＴＦＴという）が設けられた基板と対向
基板との２枚の基板のあいだに液晶が挟持され、この表
示材料に対して、画素ごとに選択的に電圧が印加される
ようにして構成されている。対向基板上には、対向電
極、カラーフィルタおよびブラックマトリクスが設けら
れている。このようなＴＦＴアレイ基板を用いた液晶表
示装置（liquid crystal display、以下、ＬＣＤとい
う）を、以下、ＴＦＴ−ＬＣＤという。

【０００３】ＴＦＴアレイ基板は、ガラスなどからなる
絶縁性基板上に各画素ごとにマトリックス状にＴＦＴお
よび画素電極が少なくとも設けられ、その他、配向膜や
必要に応じて蓄積容量が設けられるとともに、ゲート配
線やソース配線などの信号線が設けられている。

【０００４】このようなＴＦＴアレイ基板を用いた液晶
表示装置を作製するにはガラス基板上にＴＦＴ、ゲート
配線、ソース配線およびその他の共通配線をアレイ状に
作製して表示領域とするとともに、入力端子、予備配線
および駆動回路などを表示領域の周辺に配設する。この
とき、それぞれの機能を発現させるために導電膜や絶縁
膜を必要に応じて配設する。また、対向基板上には対向
電極を設けるとともにカラーフィルタ、ブラックマトリ
ックスを設ける。

【０００５】ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを作製した
のち、のちに２枚の基板のあいだに液晶材料が注入され
うるように所望の隙間を有する状態にして両基板をその
周囲で貼りあわせる。そののち、２枚の基板のあいだの
隙間に液晶材料を注入して液晶表示装置を作製する。

【０００６】液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基
板や対向基板には、いわゆる薄膜技術を利用して種々の
半導体装置や固体装置が設けられている。これらの半導
体装置や固体装置には、半導体膜や絶縁膜、導電膜が用
いられている。

【０００７】液晶表示装置においては、画素とゲート配
線とをコンタクトさせるために、また、画素とソース配
線とをコンタクトさせるため、また、画素とドレイン配
線とをコンタクトさせるために、さらに、配線どうしを
コンタクトさせるために、層間絶縁膜を介して必要な箇
所にコンタクトホールが設けられる。層間絶縁膜を貫通
するコンタクトホールの形成にはドライエッチング法が
使われている。ドライエッチングのためのガスとしては
ＳＦ₆ガス、ＣＦ₄ガス、又はこれらのガスと酸素ガスや
不活性ガスなどとの混合ガスがよく使われている。中で
もエッチングレートや、下地膜との選択性の観点から６
フッ化イオウガスと酸素ガスの組み合わせが最も一般的
である。

【０００８】コンタクトホールの形成に関しては、通
常、目的の膜に対するフォトレジストのエッチングレー
トの比をコントロールすることによって、テーパのある
穴形状のコンタクトホールを形成する。

【０００９】この際、フッ素ガスに酸素ガスを混合した
ガスを用いるのであるが、酸素ガスの流量比を増やすと
レジストが速くエッチングされ、コンタクトホール寸法
が大きくなったりエッチング中にレジストパターンがな
くなる場合があるので、酸素ガス流量は他の混合ガスの
流量以下に抑えられている。また、エッチング直後に
は、レジスト表面のダメージ層を取り去るために酸素プ
ラズマ処理がなされるのが一般的である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】クロムからなる膜（以
下、クロム膜という）は、絶縁膜（ＳｉＮ）のエッチン
グ条件ではほとんどエッチングされない。そのため、ク
ロム膜にはその表面にガスが吸着したり、エッチングに
よる反応生成物が再付着したりする。したがって、コン
タクトホールの上にＩＴＯからなる導電膜を成膜したば
あいに、クロム膜とＩＴＯ膜の良好なコンタクトはえら
れなかった。

【００１１】クロム膜の上に、同じクロムからなるもう
１つの膜を形成するばあいのように同じ材料でコンタク
トホールを介して接触させた場合、電気抵抗値は低い場
合が多い。また、デバイスによっては抵抗値が数ｋΩで
もよい場合もある。よって、とくにこれまで問題とはな
っていなかった。しかし、クロム膜配線を形成し、途中
に別の工程を経て最後にＩＴＯ膜を成膜してコンタクト
をとるばあいは、単純にこれまでのドライエッチング条
件を適用すると、コンタクト抵抗が数ＭΩ程度と極端に
高くなり使用できない。また、表示特性を上げる等、パ
ネルとしての特性上の問題からも抵抗値としては数ｋΩ
から一桁以上低下させる必要性が生じてきた。

【００１２】発明者らによる調査の結果、コンタクトホ
ールを介してコンタクトされる配線材料の組合わせのう
ち下層側にクロムのように絶縁膜に対するエッチング条
件ではほとんどエッチングされない材料で、上層側はＩ
ＴＯまたはアルミニウム等のように、上層側と下層側と
で異種の材料の組合わせとなるばあいに特にコンタクト
抵抗が高くなることがわかった。

【００１３】このような従来の問題を解決し、低いコン
タクト抵抗を得ることのできるアクティブマトリクス基
板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を
用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】特に、クロム膜とＩＴＯ
膜のコンタクト抵抗を低下させるための検討を行った結
果、エッチング条件および、エッチング後の後処理条件
によって、コンタクト抵抗を著しく下げることができる
ことがわかった。

【００１５】このような後処理条件の１つとしてエッチ
ング後の、酸素によるプラズマ処理が効果があることが
わかった。プラズマ処理による効果は、処理圧力への依
存性が強いという特徴がある。従来のレジストアッシン
グ条件はダメージを受けたレジスト表面層の剥離のみを
考えているため抵抗を増大させているばあいが多いこと
もわかった。したがって、レジストアッシング条件の見
直しが必要である。とくに、一度酸素プラズマ処理をし
てコンタクト抵抗を増大させると、抵抗値を元に戻した
り下げたりするということはドライエッチング装置単独
で行うのは非常に難しい。

【００１６】ドライエッチングでコンタクト抵抗を制御
しない手段としては（コンタクト抵抗を増大させてしま
ったばあいなど）、ウェット処理が有効なばあいがあ
る。しかし、ウェット処理するばあいでも単にクロムが
エッチングされるエッチング液によって処理しても好ま
しい結果をうることができず、酸化剤が入ったエッチン
グ液を用いなければならないということも見出された。

【００１７】また、量産工程における処理枚数などの制
約により、前述した手段をとることができないばあいに
は、ドライエッチング条件のうち酸素ガス流量を増やす
ことで、解決できる。ただし、穴寸法やテーパ角などの
理由によって制約を受けることとなり、酸素プラズマ処
理を追加した方が良いばあいもある。

【００１８】このようにプラズマ処理することによって
クロム電極の表面に付着するガスあるいは生成物が、減
少し、または無くなり、上層側のＩＴＯ膜やその他の導
電体と良好なコンタクトがえられることとなる。

【００１９】このような、発明者らの研究による成果に
基づいて、低いコンタクト抵抗をうるために、本発明の
請求項１にかかわるコンタクトホール形成方法は、
（１）基板上に設けた第１の電極および該基板を覆って
絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶縁膜をドライエッ
チングしてパターニングしてコンタクトホールを形成す
る工程と、（３）第２の電極を形成して該第２の電極と
前記第１の電極とのコンタクトをとる工程とからなるア
クティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法で
あって、前記（２）の工程において、第１のドライエッ
チングガスが４フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスと酸素ガスと
の混合ガスであり、かつ、該酸素ガスの流量が４フッ化
炭素ガスの流量よりも多いエッチング条件で前記絶縁膜
をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホ
ールを形成する。

【００２０】本発明の請求項２にかかわるコンタクトホ
ール形成方法において、前記第１の電極はクロムからな
り、前記第２の電極はクロム、アルミニウムおよびＩＴ
Ｏのうちのいずれを用いることもできる。

【００２１】本発明の請求項３にかかわるコンタクトホ
ール形成方法において、前記酸素ガスの流量が、総流量
の５０％以上９５％以下であることが、実用上、好まし
い。

【００２２】本発明の請求項４にかかわるコンタクトホ
ール形成方法において、前記第１のドライエッチングガ
スにさらに不活性ガスを混合すれば、基板面内のエッチ
ングレートの均一性が良好であるので好ましい。

【００２３】本発明の請求項５にかかわるコンタクトホ
ール形成方法において、前記不活性ガスがアルゴンおよ
びヘリウムのうちのいずれかを用いることが一般的であ
る。

【００２４】本発明の請求項６にかかわるコンタクトホ
ール形成方法の前記（２）の工程において、フッ素系ガ
ス単独およびフッ素系ガスと酸素ガスとの混合ガスのう
ちのいずれかである第２のドライエッチングガスで前記
絶縁膜の総エッチング量の５０％以上１００％以下まで
エッチングしたのち、第１のドライエッチングガスを使
ったエッチング条件で所望の量までエッチングすれば、
絶縁膜が厚い場合でもレジストパターンがなくならずに
エッチングができる。

【００２５】本発明の請求項７にかかわるコンタクトホ
ール形成方法の前記（２）の工程において、前記第１の
ドライエッチングガスにさらに不活性ガスを混合する場
合があり、２段階でエッチングする場合でも、エッチン
グの均一性を小さくできるので好ましい。この場合の混
合ガスとしては、アルゴンおよびヘリウム等が一般的で
ある。

【００２６】また、本発明の請求項８にかかわるコンタ
クトホール形成方法は、（１）基板上に設けた第１の電
極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
（２）該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングし
てコンタクトホールを形成する工程と、（３）第２の電
極を形成して該第２の電極と前記第１の電極とのコンタ
クトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板の
コンタクトホール形成方法であって、前記（２）の工程
において、前記コンタクトホールを形成したのち、酸素
ガスによるプラズマエッチングによって、第１のクロム
電極の表面に吸着したガスや反応生成物を除去すること
ができ、良好なコンタクトがとれるようになる。

【００２７】本発明の請求項９にかかわるコンタクトホ
ール形成方法において、前記酸素ガスを用いるプラズマ
エッチングの処理圧Ｐが５０Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａであ
るので、処理圧が５０Ｐａよりも高真空では表面処理の
効果が低く、４００Ｐａよりも低真空では装置上、酸素
プラズマが得られる実用レベルではないので、処理圧Ｐ
を５０Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａとすることが好ましい。

【００２８】本発明の請求項１０にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、前記酸素ガスでの処理圧Ｐが
１５０Ｐａ≦Ｐ≦２５０Ｐａ程度が実用上表面処理効果
を得やすいので好ましい。

【００２９】本発明の請求項１１にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、前記表面処理を前記（２）の
工程が行われる処理装置の処理室と同一処理室で行なう
ことができる。

【００３０】本発明の請求項１２にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、前記表面処理を前記（２）の
工程が行われる処理装置の処理室とは別の処理室または
別の処理装置内で行うこともできる。

【００３１】また、本発明の請求項１３にかかわるコン
タクトホール形成方法は、（１）基板上に設けた第１の
電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
（２）該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングし
てコンタクトホールを形成する工程と、（３）第２の電
極を形成して該第２の電極と前記第１の電極とのコンタ
クトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板の
コンタクトホール形成方法であって、前記（２）の工程
において、前記コンタクトホールを形成したのち、酸素
ガスで処理圧Ｐが１００Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａで反応性
イオンエッチング（reactive ion etching、以下、略し
てＲＩＥともいう）により前記コンタクトホールを表面
処理すれば、やはりコンタクト抵抗を低くすることがで
きる。

【００３２】本発明の請求項１４にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、前記酸素ガスでの処理圧Ｐを
１５０Ｐａ≦Ｐ≦２５０Ｐａで処理すると効果が高いの
で好ましい。

【００３３】本発明の請求項１５にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、反応性イオンエッチングによ
り表面処理する場合でも、前記表面処理を前記（２）の
工程が行われる処理装置の処理室で行なうことができ
る。

【００３４】本発明の請求項１６にかかわるコンタクト
ホール形成方法において、前記表面処理を前記（２）の
工程が行われる処理装置の処理室とは別の処理室または
別の処理装置内で行うこともできる。

【００３５】また、本発明にかかわる他のコンタクトホ
ールの形成方法において、請求項１７にかかわるコンタ
クトホール形成方法は、（１）基板上に設けた第１の電
極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
（２）該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングし
てコンタクトホールを形成する工程と、（３）第２の電
極を形成して該第２の電極と前記第１の電極とのコンタ
クトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板の
コンタクトホール形成方法であって、前記（２）の工程
において、前記コンタクトホールを形成したのち、硝酸
セリウムアンモニウムと硝酸との混合液で前記コンタク
トホールの電極表面を処理することにより、工程数は増
加するが、コンタクト抵抗を小さくできる効果は大き
い。

【００３６】本発明の請求項１８にかかわるアクティブ
マトリクス基板は、基板と、基板上に形成された第１の
電極と、該第１の電極および該基板を覆って成膜された
絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成されたコンタクトホ
ールと、該コンタクトホールを覆って形成された第２の
電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前
記第１の電極はクロムからなり、かつ、前記第２の電極
はインジウム・スズ酸化物からなり、さらに該コンタク
トホールを介して該第２の電極が前記第１の電極と直接
コンタクトされている。

【００３７】本発明の請求項１９にかかわる液晶表示装
置は、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、該両
基板に挟持されてなる液晶材料とからなり、該アクティ
ブマトリクス基板が、基板と、基板上に形成された第１
の電極と、該第１の電極および該基板を覆って成膜され
た絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成されたコンタクト
ホールと、該コンタクトホールを覆って形成された第２
の電極とを備えた液晶表示装置であって、前記第１の電
極はクロムからなり、かつ、前記第２の電極はインジウ
ム・スズ酸化物からなり、さらに該コンタクトホールを
介して該第２の電極が前記第１の電極と直接コンタクト
されている。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施の形態について詳細に説明する。

【００３９】実施の形態１ まず、本発明の一実施の形態にかかわる、アクティブマ
トリクス基板およびアクティブマトリクス基板のコンタ
クトホール形成方法について説明する。図１は、アクテ
ィブマトリクス基板中のコンタクトホールの構造を示す
断面説明図である。図において、１は絶縁性基板であ
り、２は第１の電極であるクロム膜のゲート電極であ
り、３はゲート絶縁膜として設けた絶縁膜であり、４は
透明導電膜であり、この導電膜をパターニングして、第
２の電極である画素電極を形成する。なお、本実施の形
態においては、絶縁膜上などに半導体膜を設けない構造
について説明しているが、ＴＦＴアレイ基板の設計の都
合により半導体膜を設けることもある。このばあい、コ
ンタクトホールが半導体膜をも貫通する場合も生じる
が、以下に説明するコンタクトホールの形成方法は、半
導体膜をも貫通するばあいにも適用することができる。

【００４０】つぎに、かかるコンタクト部分に示したコ
ンタクトホールの形成方法をコンタクト部分の製造工程
にしたがって説明する。

【００４１】まず、第１の工程として、絶縁性基板１の
上に成膜されたゲート電極２の上にゲート絶縁膜を成膜
する。絶縁性基板１はたとえばガラス板であり、寸法３
７０ｍｍ×４７０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ程度のものを用
い、ゲート電極２は、画素に走査信号を入力するために
設けられ、たとえばクロムまたはクロム化合物からな
り、スパッタ法によって所望の位置に厚さ４００ｎｍ程
度に形成される。ゲート絶縁膜３は、たとえば窒化ケイ
素からなり、ＣＶＤ法によって、ゲート電極およびゲー
ト電極が形成されていない部分の絶縁性基板１の全面を
覆って厚さ４００ｎｍ程度に形成する。ゲート絶縁膜の
材料として窒化ケイ素のかわりに酸化ケイ素なども同様
に用いることができる。

【００４２】つぎに、第２の工程として、いわゆるフォ
トリソグラフィー技術により、コンタクトホールを形成
する。すなわち、ゲート絶縁膜３上の所望の位置にレジ
ストパターンをつけてドライエッチングによってコンタ
クトホールを形成する。レジストは所望の位置に厚さ
１．６μｍ程度に塗布し、乾燥し、１６０℃でベークさ
れる。ドライエッチングはたとえば６フッ化イオウガス
（ＳＦ₆ gas）と酸素ガスとの混合ガスを用いて圧力１
６Ｐａ程度、パワー２０００Ｗ程度という条件で行な
い、ゲート絶縁膜に、ゲート電極に達するホールを穴あ
けする。

【００４３】つぎに、第３の工程として導電膜４を成膜
し、さらにフォトリソグラフィー技術によりパターニン
グして、コンタクトホールを介してゲート電極と画素電
極とのコンタクトをとる。導電膜はたとえばＩＴＯであ
り、スパッタ法によって厚さ１００ｎｍ程度に形成され
る。コンタクトホール形成のためのドライエッチング処
理中は、クロム膜の表面はプラズマに常にさらされてい
る。この表面が、エッチングガスである程度エッチング
できれば、反応ガスがクロム膜の表面についてもすぐに
除去されるのであるが、クロムはシリコンおよび窒化シ
リコンのための一般的なドライエッチング条件ではほと
んどエッチングされないので、クロム膜の表面に吸着し
た、ガスやドライエッチングによる反応生成物（以下、
吸着物ともいう）はとれにくい。これらの吸着物により
ＩＴＯ膜とのコンタクトが不良となり、コンタクト抵抗
の増大をもたらす。

【００４４】クロム膜の表面の吸着物を少なくする方法
の考え方としては、大きく分けて２通りある。エッチン
グ中に付着しないようにするか、または、付着した物を
あとから取り除くかである。

【００４５】まず、第１の、エッチング中に付着しない
ようにする方法としては、エッチングガス中の酸素ガス
の比率を多くして、不必要な反応ガスと結合させてチャ
ンバーの外へ排気する方法がある。この方法は、もとも
とエッチングガス中に若干含まれている酸素ガスの流量
比を増やすだけなので、一見簡単な方法である。しか
し、酸素ガスの流量比を増やすとレジストのエッチング
レートが上がり、パターンシフト（レジストパターン
と、エッチングされたパターンの寸法のずれ）が大きく
なったり、レジストパターン自体がエッチング中に無く
なったりする。したがって、絶縁膜が非常に薄いばあい
すなわち、エッチング時間が短いばあいでないと適用不
可能である。また、混合ガスの中のフッ素系ガスを、通
常よく使われている６フッ化イオウガスではなく、４フ
ッ化炭素ガスとしたのは、クロム膜の表面の吸着量が少
なく、コンタクト抵抗が、６フッ化イオウガスを用いた
ものよりも、約１桁良いことが発明者らによって見出さ
れたためである。

【００４６】絶縁膜の厚さが１００ｎｍ程度であるばあ
いのエッチング条件は以下の通りである（ＲＩＥは反応
性イオンエッチングであることを示す）。

【００４７】 エッチングモード：ＲＩＥ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ、３００Ｗ エッチングガス ：４フッ化炭素ガス／３０ｓｃｃｍと
酸素ガス／８０ｓｃｃｍとの混合ガス ガスの処理圧 ：５Ｐａ 電極板間隔 ：６５ｍｍ 電極板温度 ：２５℃ 実施の形態１において４フッ化炭素ガス（ＣＦ₄ gas）
と酸素ガスとの混合ガスが用いられ、酸素ガスの流量が
４フッ化炭素ガスの流量よりも多くなるように設定し
た。酸素ガスの流量は総流量の５０％以上９５％以下で
あることが好ましい。ここで５０％以上と限定する理由
は吸着量が増える臨界の比率がこの程度であるためであ
り、９５％以下と限定する理由は酸素ガス流量の比率が
大きくなると、窒化シリコンのエッチングレートが落ち
るとともに、レジストのエッチングレートが増加し、エ
ッチングが可能な限度であるためである。さらには７０
％以上９５％以下とすることが吸着が起こりにくい点で
好ましい。

【００４８】なお、実施の形態１のばあいにドライエッ
チングに用いる混合ガスに不活性ガスをさらに混合する
とエッチングレートの面内ばらつきを小さくしてエッチ
ングの均一性を向上することができる。不活性ガスとし
ては、たとえばアルゴンガスもしくはヘリウムガスまた
はその両方を用いることができ、入手の容易なガスを用
いてエッチングの均一性を向上できる。不活性ガスを混
合するばあいの、混合ガス中の酸素ガスの流量比も５０
％以上９５％以下である。

【００４９】本実施の形態においては、第２の電極が、
ＩＴＯからなる透明導電膜である場合を説明したが、第
２の電極の材料としては、クロムまたはアルミニウムを
用いた場合でも、これまでよりも低いコンタクト抵抗を
得ることができる。

【００５０】実施の形態２ 実施の形態２は、窒化ケイ素からなる絶縁膜の厚さが１
００〜４００ｎｍ程度のばあいに適用する。

【００５１】 エッチングモード：ＲＩＥ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ、１０００Ｗ エッチングガス ：４フッ化炭素ガス／５０ｓｃｃｍと
酸素ガス／６０ｓｃｃｍとの混合ガス ガスの処理圧 ：５Ｐａ 電極板間隔 ：６５ｍｍ 電極板温度 ：２５℃ ここに示したエッチング条件以外の他の製造条件や用い
る電極材料の種類などは実施の形態１と同じであり、実
施の形態１と同じ効果を得ることができる。

【００５２】実施の形態３ 実施の形態３において、窒化ケイ素からなる絶縁膜のエ
ッチングの大部分すなわち、全エッチング量の５０％以
上１００％以下を従来の、レジストとの選択比が大きい
エッチング条件によって行う。酸素ガスの流量を増やし
て２段目エッチングおよびオーバーエッチングする。こ
こでエッチング量を５０％以上と限定する理由は５０％
未満で切り替えた場合、レジストが２段目のエッチング
でなくなる場合があり、また、エッチングの均一性から
みても５０％まではクロム表面が出るおそれはほとんど
ない。１００％以下と限定する理由はクロム電極上に吸
着物をつけないためである。この２段階エッチングによ
って、パターンシフト及びパターン消滅の問題は解決で
きる。

【００５３】２段階エッチングのエッチングガスなどの
条件は １番目 ２番目 エッチングモード （ｍｏｄｅ）：ＲＩＥ ＲＩＥ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ、８００Ｗ １３．５６ＭＨｚ、３００Ｗ エッチングガス ：４フッ化炭素ガス／ ４フッ化炭素ガス／ ２５０ｓｃｃｍと酸素ガス／ ３０ｓｃｃｍと酸素ガス／ １１０ｓｃｃｍとの混合ガス ８０ｓｃｃｍとの混合ガス ガスの処理圧 ：５Ｐａ ５Ｐａ 電極板間隔 ：６５ｍｍ ６５ｍｍ 電極板温度 ：２５℃ ２５℃ として、１番目と２番目の切り替え点は、ＥＰＤ（end
point detector）で窒素の発光強度をモニターすること
によって決定される。２番目の処理時間はエッチングレ
ートを考えて所望の量、たとえば２０％程度のオーバー
エッチング量となるように決定する。

【００５４】ここに示したエッチング条件以外の他の製
造条件や用いる電極材料の種類などは実施の形態１と同
じであり、実施の形態１と同じ効果を得ることができ
る。

【００５５】なお、最初の条件はどのようなガスを使用
してもよいわけだが、クロム表面に反応生成物が付着す
る量は、最初のドライエッチング条件に依存する。たと
えば６フッ化イオウガスを主体とするエッチング条件で
最初のエッチングを行うときには、後処理なしで良好な
コンタクトをうることは難しい。また、２番目のエッチ
ング時間を長くしすぎるとやはりレジストがなくなった
り、パターンシフトの量が大きくなったりする。

【００５６】このような２段階ドライエッチングによっ
て、絶縁膜が厚い場合でもレジストパターンがなくなら
ずにエッチングができる効果を得る。

【００５７】実施の形態４ 以上のように、エッチング中に反応生成物をクロム膜に
吸着させないのが実施の形態１〜３であったが、加工条
件によっては、反応生成物をクロム膜に吸着させないの
はかなり難しいばあいがある。たとえば、ゲート絶縁膜
とソース配線上の絶縁膜とを一度にエッチングするばあ
いがあり、図２は、そのコンタクト部を示した概略断面
説明図である。図２に示した符号は、図１と共通に示し
た１〜４の他、５はソース電極であり、６は絶縁膜であ
り、１１はゲート端子部であり、１２はソース端子部で
ある。最下層のゲート電極と、その上の絶縁膜のさらに
上のソース配線などの電極に同時にコンタクトホールを
形成するばあいなどでは、上の方のソース配線用の電極
上に穴が開いたのち、さらに最下層のクロム膜の上に穴
を開ける時間だけ（ほとんど倍の時間）、上層のソース
配線のクロム膜はエッチングガスのプラズマにさらされ
ていることになる。このようなばあいは後処理が必要と
なる。

【００５８】実施の形態４および５に記載するコンタク
トホール形成方法はエッチング後に酸素プラズマ処理を
さらに行うものである。その酸素プラズマ処理の条件を
つぎに示す。

【００５９】 エッチングモード：ＰＥ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ、１５００Ｗ エッチングガス ：酸素ガス／５００ｓｃｃｍ ガスの処理圧 ：２００Ｐａ 電極板間隔 ：６５ｍｍ 電極板温度 ：２５℃ 処理時間 ：３０ｓｅｃ この酸素プラズマ処理は従来より行われているいわゆる
ライトアッシングとは目的および効果が異なっている。
従来行われていた酸素プラズマ処理は、ドライエッチン
グ中にダメージを受けたレジストの表面層を一部取り去
るという目的で行われていた。このばあい、レジストの
アッシング量のみで条件を決めていたため、コンタクト
抵抗を増大させていたばあいが多かった。

【００６０】本実施の形態においては、ドライエッチン
グによってコンタクトホールを形成したのち、同じ装置
内で、または別の装置内で酸素ガスを導入して酸素プラ
ズマを発生し、酸素プラズマでコンタクトホールの電極
の表面処理をする。本実施の形態において説明した酸素
プラズマ処理条件の他、本実施の形態においては、コン
タクトホール形成時のドライエッチングはどのような条
件で行なってもよい。また、その他の製造条件や用いる
電極材料の種類などは実施の形態１と同じである。

【００６１】このとき、酸素プラズマでの処理圧Ｐが５
０Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａであることが好ましい。４００
Ｐａよりも高真空と限定する理由は装置で容易に実現で
きる限度であるためであり、５０Ｐａよりも低真空と限
定する理由はコンタクト抵抗を下げるためである。この
範囲で従来の設備の改変等必要とせずに酸素プラズマを
得ることができ、コンタクト抵抗を低くすることができ
る。この範囲の中でも１５０Ｐａ≦Ｐ≦２５０Ｐａ程度
の処理圧が実用上、表面処理効果を得やすいので、容易
にコンタクト抵抗を低くできる。

【００６２】なお、この処理は同一処理装置の同一処理
室でエッチング後に連続して処理しても良いし、同一処
理装置の別の処理室または、一度真空中から出して別の
処理装置に移して処理しても良く、同じ効果を得ること
ができる。

【００６３】実施の形態５ 実施の形態４においては、プラズマエッチングモードで
の酸素プラズマ処理を行なったが、プラズマエッチング
モードのかわりに反応性イオンエッチング、以下、ＲＩ
Ｅという）モードで処理を行うこともできる。ＲＩＥモ
ードで処理することの他の条件は実施の形態４と同じで
ある。かかるＲＩＥモードでの処理の条件の一例を示
す。

【００６４】 エッチングモード：ＲＩＥ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ、１０００Ｗ エッチングガス ：酸素ガス／５００ｓｃｃｍ ガスの処理圧 ：２００Ｐａ 電極板間隔 ：１３５ｍｍ 電極板温度 ：２５℃ 処理時間 ：３０ｓｅｃ このとき、酸素ガスでの処理圧Ｐが１００Ｐａ≦Ｐ≦４
００Ｐａであることが好ましい。処理圧は、電源のＲＦ
パワーやレジストのアッシングレートなど他のパラメー
タに応じて最適値を決める。４００Ｐａよりも高真空と
限定する理由は装置で容易に実現できる限度であるため
であり、１００Ｐａよりも低真空と限定する理由はコン
タクト抵抗を低くするためである。さらに、酸素プラズ
マでの処理圧Ｐが１５０≦Ｐ≦２５０Ｐａとすることに
よりコンタクト抵抗を低くできる点でとくに好ましい。
このようにして酸素プラズマによってコンタクトホール
の電極表面を表面処理することにより、表面に形成され
た反応物を除去することができ、低い値の良好なコンタ
クトがとれる。

【００６５】図３にＲＩＥモードでの酸素プラズマ処理
後の３５μｍ角での、クロム膜とＩＴＯ膜とのコンタク
ト抵抗について、酸素ガスの処理圧力のコンタクト抵抗
への影響を示す。図３によるとコンタクト抵抗は酸素プ
ラズマ条件によってかなり大きく変わり、低真空の方が
低い抵抗をうる結果となる。また、図４に酸素プラズマ
処理時間とコンタクト抵抗の関係を示す。図４によれ
ば、短時間では充分な効果がえられないばあいがあり、
３０秒程度の処理は必要であることがわかる。なお、こ
の必要な時間はコンタクトホール形成時のエッチング条
件によっても変わる。コンタクト性は酸素プラズマのＲ
Ｆパワーにも影響される。しかも、いったん酸素プラズ
マ処理でコンタクト抵抗を増大させてしまうと、このの
ちに追加でプラズマ処理をしてもコンタクト抵抗が改善
されないばあいがあり、ここでの酸素プラズマ処理の条
件には注意が必要である。なお、この処理は同一処理装
置の同一処理室でエッチング後に連続して処理できる
し、同一処理装置の別の処理室または、一度真空中から
出して別の処理装置に移して行うこともでき、同じ効果
を得ることができる。

【００６６】なお、実施の形態４および５ではクロム膜
表面がエッチングにさらされる時間が長い場合とした
が、絶縁膜が薄い場合ももちろん有効である。

【００６７】実施の形態６ また、ドライエッチングの条件または基板処理数の関係
で実施の形態１から実施の形態５において説明した対策
がとれないときおよび、付着物を逆にとれなくしてしま
った場合には、ウェットエッチングで表面層を取り去る
という方法もある。ドライエッチングのかわりにウェッ
トエッチングで表面層を取り去ること以外の点は実施の
形態４と同じである。

【００６８】実施の形態６の方法では、通常のドライエ
ッチングののちに硝酸セリウムアンモニウムと硝酸の混
合液にドライエッチングした基板をいれ、クロム表面を
きれいにする。このばあい、通常はドライエッチング直
後に行うが、レジスト除去後でもとくに問題はない。な
お、一般的にクロムのエッチング液として用いられてい
る硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液ではコ
ンタクト抵抗を低減させるのは不可能である。しかし、
硝酸セリウムアンモニウムと硝酸の混合液を用いると、
付着物の除去が可能である。詳しいメカニズムはわかっ
ていないが、他のエッチング液でも、クロム膜をエッチ
ングできるエッチング液の中には、付着物および表面層
を除去し、良好なコンタクトを確保できるものがある。

【００６９】この場合、クロム膜はエッチングされるの
で、なくならないように表面層だけを取り去るように制
御しなければならない。

【００７０】実施の形態７ 以上、実施の形態１から実施の形態６までに説明したコ
ンタクトホール形成方法にしたがって作製したアクティ
ブマトリクス基板および、このアクティブマトリクス基
板を用いた液晶表示装置について説明する。

【００７１】アクティブマトリクス基板およびこのアク
ティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の構成およ
びその製法は従来技術によるものと同様である。

【００７２】たとえば、絶縁性基板上にクロム膜を成膜
し、パターニングする。その上にゲート絶縁膜である窒
化ケイ素膜および半導体層であるシリコン膜をＣＶＤで
成膜し、シリコン膜をパターニングして、ＴＦＴ部分お
よびその近傍のみに存在するようにする。その上にソー
ス・ドレイン電極であるクロム膜を成膜し、パターニン
グする。この上に絶縁膜を形成し、実施の形態１から６
までに説明したうちのいずれかの方法でコンタクトホー
ルを形成する。そして画素電極であるＩＴＯ膜を成膜
し、パターニングして、アクティブマトリクス基板を完
成する。実施の形態１から６までの方法を使ってコンタ
クトホールを形成するため、コンタクト抵抗が低く、ク
ロム膜上に、ＩＴＯ膜などを直接コンタクトする構成で
アクティブマトリクス基板を作製するプロセスが可能と
なり、低いコンタクト抵抗が実現できるという効果を得
た。また、本発明にかかわるアクティブマトリクス基板
を用いた液晶表示装置はコンタクト抵抗にかかわる不良
発生がない優れた品質を有するという効果を得た。

【００７３】

【発明の効果】以上説明した方法によって、クロム膜上
に絶縁膜である窒化ケイ素を成膜し、ドライエッチング
によってコンタクトホールを形成し、ＩＴＯ膜を成膜し
たばあいでも良好なコンタクトが実現できる。

【００７４】本発明の請求項１にかかわるアクティブマ
トリクス基板のコンタクトホール形成方法は、（１）基
板上に設けた第１の電極および該基板を覆って絶縁膜を
成膜する工程と、（２）該絶縁膜をドライエッチングし
てパターニングしてコンタクトホールを形成する工程
と、（３）第２の電極を形成して該第２の電極と前記第
１の電極とのコンタクトをとる工程とからなるアクティ
ブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であっ
て、前記（２）の工程において、第１のドライエッチン
グガスが４フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガスであ
り、かつ、該酸素ガスの流量が４フッ化炭素ガスの流量
よりも多いエッチング条件で前記絶縁膜をドライエッチ
ングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する
ので、後処理が必要とならずコンタクト抵抗が低いとい
う効果を奏する。

【００７５】本発明の請求項２記載の発明によれば、第
１の電極がクロムからなり、前記第２の電極がクロム、
アルミニウムおよびインジウム・スズ酸化物のうちのい
ずれかからなるので、種々の材料で低い抵抗のコンタク
トを得るという効果を奏する。

【００７６】本発明の請求項３記載の発明によれば、前
記酸素ガスの流量が、総流量の５０％以上９５％以下で
あるので、実用上好ましい範囲で低い抵抗のコンタクト
を得るという効果を奏する。

【００７７】本発明の請求項４記載の発明によれば、前
記第１のドライエッチングガスがさらに不活性ガスを含
んだ混合ガスであると基板面内のエッチングレートのば
らつきを小さくできるという効果を奏する。

【００７８】本発明の請求項５記載の発明によれば、前
記不活性ガスがアルゴンガスおよびヘリウムガスのうち
のいずれかであるので一般的なガスを用いてドライエッ
チングできるという効果を奏する。

【００７９】本発明の請求項６記載の発明によれば、
（２）の工程において、フッ素系ガス単独およびフッ素
系ガスと酸素ガスとの混合ガスのうちのいずれかである
第２のドライエッチングガスで前記絶縁膜の総エッチン
グ量の５０％以上１００％以下までエッチングしたの
ち、前記エッチング条件で所望の量までオーバーエッチ
ングする場合は、絶縁膜が厚い場合でもレジストパター
ンがなくならずにエッチングができるという効果を奏す
る。

【００８０】本発明の請求項７記載の発明によれば、前
記（２）の工程において、前記第１のドライエッチング
ガスが、さらに不活性ガスを含んだ混合ガスであると、
２段階でエッチングする場合でも基板面内のエッチング
レートのばらつきを小さくできるという効果を奏する。

【００８１】本発明の請求項８記載の発明によれば、本
発明にかかわる他のコンタクトホールの形成方法は、
（１）基板上に設けた第１の電極および該基板を覆って
絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶縁膜をドライエッ
チングしてパターニングしてコンタクトホールを形成す
る工程と、（３）第２の電極を形成して該第２の電極と
前記第１の電極とのコンタクトをとる工程とからなるア
クティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法で
あって、前記（２）の工程において、前記コンタクトホ
ールを形成したのち、酸素ガス中で適当な処理圧でプラ
ズマエッチングモードでプラズマ処理することにより、
コンタクトホール形成時のドライエッチングでついたク
ロム電極表面の付着物を除去することができ、低い良好
なコンタクトがとれるという効果を奏する。

【００８２】本発明の請求項９記載の発明によれば、前
記酸素ガスでの処理圧Ｐが５０Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａで
あるので容易に酸素プラズマを得て表面処理できるとい
う効果を奏する。

【００８３】本発明の請求項１０記載の発明によれば、
前記酸素ガスでの処理圧Ｐが１５０Ｐａ≦Ｐ≦２５０Ｐ
ａであるので表面処理の効果を得やすいという効果を奏
する。

【００８４】本発明の請求項１１記載の発明によれば、
前記表面処理を前記（２）の工程が行われる処理装置の
処理室と同一の処理室内で行うことができ、低い抵抗の
コンタクトを得る効果を奏する。

【００８５】本発明の請求項１２記載の発明によれば、
前記表面処理を前記（２）の工程が行われる処理装置の
処理室とは別の処理室および別の処理装置のうちいずれ
かで行うことができ、低い抵抗のコンタクトを得る効果
を奏する。

【００８６】本発明の請求項１３記載の発明にかかわる
他のコンタクトホールの形成方法は、前記（２）の工程
において、前記コンタクトホールを形成したのち、酸素
ガス中で適当な処理圧で反応性イオンエッチングモード
でプラズマ処理することにより、コンタクトホール形成
時のドライエッチングでついたクロム電極表面の付着物
を除去することができ、低い良好なコンタクトがとれる
という効果を奏する。

【００８７】本発明の請求項１４記載の発明によれば、
前記酸素ガスでの処理圧Ｐが１５０Ｐａ≦Ｐ≦２５０Ｐ
ａであると高効率に表面処理できるという効果を奏す
る。

【００８８】本発明の請求項１５記載の発明によれば、
前記表面処理を前記（２）の工程が行われる処理装置の
処理室と同一の処理室内で行うことができ、低い抵抗の
コンタクトを得る効果を奏する。

【００８９】本発明の請求項１６記載の発明によれば、
前記表面処理を前記（２）の工程が行われる処理装置の
処理室とは別の処理室および別の処理装置のうちいずれ
かで行うことができ、低い抵抗のコンタクトを得る効果
を奏する。

【００９０】本発明の請求項１７記載の発明にかかわる
他のコンタクトホール形成方法は、前記（２）の工程に
おいて、前記コンタクトホールを形成したのち、硝酸セ
リウムアンモニウムと硝酸との混合液で前記コンタクト
ホールをウェット処理すると、ドライエッチングやレジ
ストアッシング等のプラズマ処理条件にかかわらず、コ
ンタクト抵抗を低くすることができるという効果を奏す
る。

【００９１】本発明の請求項１８記載のにかかわるアク
ティブマトリクス基板は、基板と、基板上に形成された
第１の電極と、該第１の電極および該基板を覆って成膜
された絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成されたコンタ
クトホールと、該コンタクトホールを覆って形成された
第２の電極とを備えたアクティブマトリクス基板であっ
て、前記第１の電極がクロムからなり、かつ、前記第２
の電極がインジウム・スズ酸化物からなり、さらに該コ
ンタクトホールを介して該第２の電極が前記第１の電極
と直接コンタクトされているので、コンタクト抵抗にか
かわる不良発生がない優れた品質を得るという効果を奏
する。

【００９２】本発明の請求項１９記載にかかわる液晶表
示装置は、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、
該両基板に挟持されてなる液晶材料とからなり、該アク
ティブマトリクス基板が、基板と、基板上に形成された
第１の電極と、該第１の電極および該基板を覆って成膜
された絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成されたコンタ
クトホールと、該コンタクトホールを覆って形成された
第２の電極とを備えた液晶表示装置であって、前記第１
の電極がクロムからなり、かつ、前記第２の電極がイン
ジウム・スズ酸化物からなり、さらに該コンタクトホー
ルを介して該第２の電極が前記第１の電極と直接コンタ
クトされているので、コンタクト抵抗にかかわる不良発
生がない優れた品質を得るという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明にかかわるアクティブマトリクス基板
のコンタクト部分を示した断面説明図である。

【図２】 ゲート絶縁膜とソース電極上の絶縁膜とを一
度にエッチングするばあいのコンタクト部を示した概略
断面説明図である。

【図３】 酸素プラズマ処理圧力とコンタクト抵抗との
関係を示すグラフである。

【図４】 酸素プラズマ処理時間とコンタクト抵抗との
関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板、２ ゲート電極、３ ゲート絶縁膜、
４ 導電膜、５ ソース電極、６ 絶縁膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｊ (72)発明者 中村 伸宏 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 遠藤 幸雄 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 伊藤 攻 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１）基板上に設けた第１の電極および
   該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶縁
   膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクト
   ホールを形成する工程と、（３）第２の電極を形成して
   該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる工
   程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホ
   ール形成方法であって、前記（２）の工程において、第
   １のドライエッチングガスが４フッ化炭素ガスと酸素ガ
   スとの混合ガスであり、かつ、該酸素ガスの流量が４フ
   ッ化炭素ガスの流量よりも多いエッチング条件で前記絶
   縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタク
   トホールを形成するアクティブマトリクス基板のコンタ
   クトホール形成方法。
2. 【請求項２】 前記第１の電極がクロムからなり、前記
   第２の電極がクロム、アルミニウムおよびインジウム・
   スズ酸化物のうちのいずれかからなる請求項１記載のコ
   ンタクトホール形成方法。
3. 【請求項３】 前記酸素ガスの流量が、総流量の５０％
   以上９５％以下である請求項１記載のコンタクトホール
   形成方法。
4. 【請求項４】 前記第１のドライエッチングガスがさら
   に不活性ガスを含んだ混合ガスである請求項１記載のア
   クティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法。
5. 【請求項５】 前記不活性ガスがアルゴンガスおよびヘ
   リウムガスのうちのいずれかである請求項４記載のアク
   ティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法。
6. 【請求項６】 前記（２）の工程において、フッ素系ガ
   ス単独およびフッ素系ガスと酸素ガスとの混合ガスのう
   ちのいずれかである第２のドライエッチングガスで前記
   絶縁膜の総エッチング量の５０％以上１００％以下まで
   エッチングしたのち、前記第１のドライエッチングガス
   を使ったエッチング条件で所望の量までエッチングする
   請求項１記載のアクティブマトリクス基板のコンタクト
   ホール形成方法。
7. 【請求項７】 前記（２）の工程において、前記第１の
   ドライエッチングガスが、さらに不活性ガスを含んだ混
   合ガスである請求項６記載のアクティブマトリクス基板
   のコンタクトホール形成方法。
8. 【請求項８】 （１）基板上に設けた第１の電極および
   該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶縁
   膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクト
   ホールを形成する工程と、（３）第２の電極を形成して
   該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる工
   程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホ
   ール形成方法であって、前記（２）の工程において、前
   記コンタクトホールをドライエッチングで形成したの
   ち、酸素ガスによるプラズマエッチングによって前記コ
   ンタクトホールを表面処理するアクティブマトリクス基
   板のコンタクトホール形成方法。
9. 【請求項９】 前記酸素ガスでの処理圧Ｐが５０Ｐａ≦
   Ｐ≦４００Ｐａである請求項８記載のアクティブマトリ
   クス基板のコンタクトホール形成方法。
10. 【請求項１０】 前記酸素ガスでの処理圧Ｐが１５０Ｐ
    ａ≦Ｐ≦２５０Ｐａである請求項８記載のアクティブマ
    トリクス基板のコンタクトホール形成方法。
11. 【請求項１１】 前記表面処理を前記（２）の工程が行
    われる処理装置の処理室と同一の処理室内で行う請求項
    ８記載のアクティブマトリクス基板のコンタクトホール
    形成方法。
12. 【請求項１２】 前記表面処理を前記（２）の工程が行
    われる処理装置の処理室とは別の処理室および別の処理
    装置のうちいずれかで行う請求項８記載のアクティブマ
    トリクス基板のコンタクトホール形成方法。
13. 【請求項１３】 （１）基板上に設けた第１の電極およ
    び該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶
    縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタク
    トホールを形成する工程と、（３）第２の電極を形成し
    て該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる
    工程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクト
    ホール形成方法であって、前記（２）の工程において、
    前記コンタクトホールを形成したのち、酸素ガス中で処
    理圧Ｐが１００Ｐａ≦Ｐ≦４００Ｐａで反応性イオンエ
    ッチングモードにより前記コンタクトホールを表面処理
    するアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成
    方法。
14. 【請求項１４】 前記酸素ガスでの処理圧Ｐが１５０Ｐ
    ａ≦Ｐ≦２５０Ｐａである請求項１３記載のコンタクト
    ホール形成方法。
15. 【請求項１５】 前記表面処理を前記（２）の工程が行
    われる処理装置の処理室と同一の処理室内で行う請求項
    １３記載のアクティブマトリクス基板のコンタクトホー
    ル形成方法。
16. 【請求項１６】 前記表面処理を前記（２）の工程が行
    われる処理装置の処理室とは別の処理室および別の処理
    装置のうちいずれかで行う請求項１３記載のアクティブ
    マトリクス基板のコンタクトホール形成方法。
17. 【請求項１７】 （１）基板上に設けた第１の電極およ
    び該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、（２）該絶
    縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタク
    トホールを形成する工程と、（３）第２の電極を形成し
    て該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる
    工程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクト
    ホール形成方法であって、前記（２）の工程において、
    前記コンタクトホールを形成したのち、硝酸セリウムア
    ンモニウムと硝酸との混合液で前記コンタクトホールの
    電極表面を処理するアクティブマトリクス基板のコンタ
    クトホール形成方法。
18. 【請求項１８】 基板と、基板上に形成された第１の電
    極と、該第１の電極および該基板を覆って成膜された絶
    縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成されたコンタクトホー
    ルと、該コンタクトホールを覆って形成された第２の電
    極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前記
    第１の電極がクロムからなり、かつ、前記第２の電極が
    インジウム・スズ酸化物からなり、さらに該コンタクト
    ホールを介して該第２の電極が前記第１の電極と直接コ
    ンタクトされてなるアクティブマトリクス基板。
19. 【請求項１９】 アクティブマトリクス基板と、対向基
    板と、該両基板に挟持されてなる液晶材料とからなり、
    該アクティブマトリクス基板が、基板と、基板上に形成
    された第１の電極と、該第１の電極および該基板を覆っ
    て成膜された絶縁膜と、該絶縁膜を貫通して形成された
    コンタクトホールと、該コンタクトホールを覆って形成
    された第２の電極とを備えた液晶表示装置であって、前
    記第１の電極がクロムからなり、かつ、前記第２の電極
    がインジウム・スズ酸化物からなり、さらに該コンタク
    トホールを介して該第２の電極が前記第１の電極と直接
    コンタクトされてなる液晶表示装置。