JPH1096960A - 液晶表示装置の製造における有機膜のホールの形成方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造における有機膜のホールの形成方法Info
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- JPH1096960A JPH1096960A JP20091797A JP20091797A JPH1096960A JP H1096960 A JPH1096960 A JP H1096960A JP 20091797 A JP20091797 A JP 20091797A JP 20091797 A JP20091797 A JP 20091797A JP H1096960 A JPH1096960 A JP H1096960A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の製造における有機物質を有し
ている装置のエッチング方法において、従来の技術の制
限と欠点に対する問題点を解決する。 【解決方法】 多層構造にホールを形成する方法におい
て、有機膜を形成する工程と、有機膜上に無機膜を形成
する工程と、無機膜上にフォトレジスト43,143を塗布し
て、所定のパターンを形成する工程と、ホールを形成す
るためのフォトレジストパターンのオープンされた部分
に対応して、SF6/O2又はCF4/O2ガスで無機膜と
有機膜をエッチングし、同時に前記O2ガスによってフ
ォトレジスト43,143をアシングする工程を含む。
ている装置のエッチング方法において、従来の技術の制
限と欠点に対する問題点を解決する。 【解決方法】 多層構造にホールを形成する方法におい
て、有機膜を形成する工程と、有機膜上に無機膜を形成
する工程と、無機膜上にフォトレジスト43,143を塗布し
て、所定のパターンを形成する工程と、ホールを形成す
るためのフォトレジストパターンのオープンされた部分
に対応して、SF6/O2又はCF4/O2ガスで無機膜と
有機膜をエッチングし、同時に前記O2ガスによってフ
ォトレジスト43,143をアシングする工程を含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機物質からなる薄
膜を含む構造物において、有機薄膜をエッチングする方
法に関する。特に、液晶表示装置に有機膜を使用する際
に有機膜を望む形態にするためのエッチング方法に関す
る。
膜を含む構造物において、有機薄膜をエッチングする方
法に関する。特に、液晶表示装置に有機膜を使用する際
に有機膜を望む形態にするためのエッチング方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般的に液晶表示装置は二つの基板(第
1基板、第2基板)が対向して張り合わせており、二つ
の基板がある隙間に液晶物質が注入された構造を有して
いる。図1と図2を参照して一般的な液晶表示装置の構
造を説明する。第1基板は次のような構造で成り立って
いる。透明基板(1)上に画素電極(15)が形成され
ている。前記画素電極(15)は液晶表示装置の設計の
際、前もって決定された行列方式で配列された長方形の
画素の位置に形成される。そして、前記画素電極(1
5)に画像情報を伝達するためのデータ配線(19)が
画素電極(15)の列配列を従って縦横に形成されてい
る。そして、画素電極(15)の行配列に従って横にゲ
ート配線(21)が形成されている。能動マトリックス
型液晶表示装置である場合は、前記画素の隅には前記ゲ
ート配線(21)及びデータ配線(19)と電気的に連
結されたスイッチング素子(7)が形成されている。ス
イッチング素子(7)は適当な電圧がゲート配線(2
1)に供給された際に画像情報をデータ配線(19)か
ら画素電極(15)に伝送する。
1基板、第2基板)が対向して張り合わせており、二つ
の基板がある隙間に液晶物質が注入された構造を有して
いる。図1と図2を参照して一般的な液晶表示装置の構
造を説明する。第1基板は次のような構造で成り立って
いる。透明基板(1)上に画素電極(15)が形成され
ている。前記画素電極(15)は液晶表示装置の設計の
際、前もって決定された行列方式で配列された長方形の
画素の位置に形成される。そして、前記画素電極(1
5)に画像情報を伝達するためのデータ配線(19)が
画素電極(15)の列配列を従って縦横に形成されてい
る。そして、画素電極(15)の行配列に従って横にゲ
ート配線(21)が形成されている。能動マトリックス
型液晶表示装置である場合は、前記画素の隅には前記ゲ
ート配線(21)及びデータ配線(19)と電気的に連
結されたスイッチング素子(7)が形成されている。ス
イッチング素子(7)は適当な電圧がゲート配線(2
1)に供給された際に画像情報をデータ配線(19)か
ら画素電極(15)に伝送する。
【0003】第2基板は次のような構造で成り立ってい
る。透明基板(3)上に前記第1基板に形成された画素
電極(15)に対応する共通電極(17)が形成されて
いる。そして、カラー液晶表示装置の場合には各画素に
色相を表現するカラーフィルタ(図示せず)が形成され
る。前記第1基板と第2基板がシール(13)封合材に
よって一定間隔で張り合わせて、基板間の隙間に液晶物
質(11)が注入される。このような構造を有する液晶
表示装置において、スイッチング素子(7)は前記スイ
ッチング素子に連結されたゲート配線(21)に一定の
電圧が印加される際にONになる。ONになったスイッ
チング素子(7)はデータ配線(19)に印加された画
像電圧を画素電極(15)に移転させる。そうすること
で、画素電極(15)と共通電極(17)間の電圧差に
よりその間にある液晶物質の分子配向角度が変化するよ
うになる。これに従い光を選択的に透過するか、しない
かによって画像情報を示すことになる。このような液晶
表示装置はその構成物の構造や種類により非常に多様で
ある。そして、さまざまの多様な液晶表示装置が開発さ
れ市販されている。また、液晶表示装置の第1基板と第
2基板の貼合わせ間隔を均一にして,開口率を高めるな
どの目的から有機膜を使用する液晶表示装置の研究が進
行されている。特に、本発明に先立って本出願人は既に
有機膜を使用する液晶表示装置の構造とその製造方法に
対する特許出願をしている(韓国特許出願96-08344,96-
23296,96-23295,96-23448,96-22404,96-27653,96-2765
5,96-10414)。
る。透明基板(3)上に前記第1基板に形成された画素
電極(15)に対応する共通電極(17)が形成されて
いる。そして、カラー液晶表示装置の場合には各画素に
色相を表現するカラーフィルタ(図示せず)が形成され
る。前記第1基板と第2基板がシール(13)封合材に
よって一定間隔で張り合わせて、基板間の隙間に液晶物
質(11)が注入される。このような構造を有する液晶
表示装置において、スイッチング素子(7)は前記スイ
ッチング素子に連結されたゲート配線(21)に一定の
電圧が印加される際にONになる。ONになったスイッ
チング素子(7)はデータ配線(19)に印加された画
像電圧を画素電極(15)に移転させる。そうすること
で、画素電極(15)と共通電極(17)間の電圧差に
よりその間にある液晶物質の分子配向角度が変化するよ
うになる。これに従い光を選択的に透過するか、しない
かによって画像情報を示すことになる。このような液晶
表示装置はその構成物の構造や種類により非常に多様で
ある。そして、さまざまの多様な液晶表示装置が開発さ
れ市販されている。また、液晶表示装置の第1基板と第
2基板の貼合わせ間隔を均一にして,開口率を高めるな
どの目的から有機膜を使用する液晶表示装置の研究が進
行されている。特に、本発明に先立って本出願人は既に
有機膜を使用する液晶表示装置の構造とその製造方法に
対する特許出願をしている(韓国特許出願96-08344,96-
23296,96-23295,96-23448,96-22404,96-27653,96-2765
5,96-10414)。
【0004】引き続いて、有機物を使用した液晶表示装
置に対して説明する。一般的に有機膜はスイッチング素
子が形成された第1基板に使用し、図2と図3を参照し
てこのスイッチング素子の構造は以下の如くである。ま
ず、透明基板(1)にゲート配線(21)と、そこで分
岐したゲート電極(21a)が形成される。前記ゲート
配線(21)とゲート電極(21a)を覆うようにゲー
ト絶縁膜(23)が形成される。そして、前記ゲート絶
縁膜(23)上に半導体層(25)と不純物半導体層
(27)が形成される。そして、前記不純物半導体層
(27)を介して半導体層(25)と接触したソース
(19a)ドレイン(19b)電極が形成される。デー
タ配線(19)はソース、ドレイン電極(19a)、
(19b)と同時に形成され、ソース電極(19a)と
接触される。これらの構造でスイッチング素子であるT
FT(7)が形成され、続いて前記TFTを保護するた
めの保護膜(絶縁膜29)が形成される。この際、前記
保護膜の物質はシリコンを含むベンゾシクロブテンなど
を使用する。そして、前記ドレイン電極を覆う有機保護
膜の一部をエッチングしてドレイン電極(19b)の一
部が露出され、コンタクトホール(37)が形成され
る。その後、有機保護膜(29)上に透明金属を被着し
て、パターニングしてドレイン電極(19b)とコンタ
クトホールを通じて電気的に接触された画素電極(1
5)が形成される。
置に対して説明する。一般的に有機膜はスイッチング素
子が形成された第1基板に使用し、図2と図3を参照し
てこのスイッチング素子の構造は以下の如くである。ま
ず、透明基板(1)にゲート配線(21)と、そこで分
岐したゲート電極(21a)が形成される。前記ゲート
配線(21)とゲート電極(21a)を覆うようにゲー
ト絶縁膜(23)が形成される。そして、前記ゲート絶
縁膜(23)上に半導体層(25)と不純物半導体層
(27)が形成される。そして、前記不純物半導体層
(27)を介して半導体層(25)と接触したソース
(19a)ドレイン(19b)電極が形成される。デー
タ配線(19)はソース、ドレイン電極(19a)、
(19b)と同時に形成され、ソース電極(19a)と
接触される。これらの構造でスイッチング素子であるT
FT(7)が形成され、続いて前記TFTを保護するた
めの保護膜(絶縁膜29)が形成される。この際、前記
保護膜の物質はシリコンを含むベンゾシクロブテンなど
を使用する。そして、前記ドレイン電極を覆う有機保護
膜の一部をエッチングしてドレイン電極(19b)の一
部が露出され、コンタクトホール(37)が形成され
る。その後、有機保護膜(29)上に透明金属を被着し
て、パターニングしてドレイン電極(19b)とコンタ
クトホールを通じて電気的に接触された画素電極(1
5)が形成される。
【0005】ガスプラズマの自由基と有機保護膜が反応
して有機保護膜が揮発性物質に変化する現象を利用する
ドライエッチング方法を利用する。このような有機保護
膜のエッチング方法を図4(A)と図4(B)を参照し
て説明する。前記有機保護膜層と前記ドレイン電極(1
9b)、そして前記第1基板が図4(A)と図4(B)
に図示されている。前記有機保護膜(29)上にフォト
レジスト(43)を塗布して、前記フォトレジスト(4
3)を一部オープンしたパターンを現像する。前記基板
(1)を真空チャンバ(61)に入れる。真空チャンバ
(61)のガス注入口(51)を通じてCF4/O2又は
SF6/O2などのガスを注入する(図4(A))。ちな
みに、フォトレジスト(43)が現像され有機保護膜
(29)の露出された部分はCF4やSF6のF基と反応
してSiF4の揮発性物質に変化してエッチングされ
る。一方、フォトレジスト(43)が残っている部分は
CF4/O2又はSF6/O2に含まれているO2ガスによ
ってアシング(ashing)される。すなわち、前記
フォトレジストと有機保護膜の露出された部分は同時に
エッチングされる。このような従来のドライエッチング
方法は次のような問題点がある。
して有機保護膜が揮発性物質に変化する現象を利用する
ドライエッチング方法を利用する。このような有機保護
膜のエッチング方法を図4(A)と図4(B)を参照し
て説明する。前記有機保護膜層と前記ドレイン電極(1
9b)、そして前記第1基板が図4(A)と図4(B)
に図示されている。前記有機保護膜(29)上にフォト
レジスト(43)を塗布して、前記フォトレジスト(4
3)を一部オープンしたパターンを現像する。前記基板
(1)を真空チャンバ(61)に入れる。真空チャンバ
(61)のガス注入口(51)を通じてCF4/O2又は
SF6/O2などのガスを注入する(図4(A))。ちな
みに、フォトレジスト(43)が現像され有機保護膜
(29)の露出された部分はCF4やSF6のF基と反応
してSiF4の揮発性物質に変化してエッチングされ
る。一方、フォトレジスト(43)が残っている部分は
CF4/O2又はSF6/O2に含まれているO2ガスによ
ってアシング(ashing)される。すなわち、前記
フォトレジストと有機保護膜の露出された部分は同時に
エッチングされる。このような従来のドライエッチング
方法は次のような問題点がある。
【0006】一つ目の問題点はフォトレジストによるこ
とである。フォトレジストと有機保護膜のエッチング選
択比がほぼ同じため、フォトレジスト(43)の厚さが
有機保護膜の厚さと同じか、若干厚くなるように塗布し
なければならない。例えば、有機保護膜の絶縁性を確保
するために有機保護膜の厚さを2μm程度に形成する場
合、フォトレジストは2μm以上で塗布しなければなら
ない。しかし、厚さ2μm以上でフォトレジスト(4
3)を均一に塗布することは難しく、さらに、フォトレ
ジストがきれいに現像されない。したがって、ドライエ
ッチング後にフォトレジストが有機保護膜上にところど
ころ残るようになる(図4(B))。
とである。フォトレジストと有機保護膜のエッチング選
択比がほぼ同じため、フォトレジスト(43)の厚さが
有機保護膜の厚さと同じか、若干厚くなるように塗布し
なければならない。例えば、有機保護膜の絶縁性を確保
するために有機保護膜の厚さを2μm程度に形成する場
合、フォトレジストは2μm以上で塗布しなければなら
ない。しかし、厚さ2μm以上でフォトレジスト(4
3)を均一に塗布することは難しく、さらに、フォトレ
ジストがきれいに現像されない。したがって、ドライエ
ッチング後にフォトレジストが有機保護膜上にところど
ころ残るようになる(図4(B))。
【0007】二つ目の問題点はエッチングされる有機保
護膜の下にあるドレイン電極に関連することである。一
般的にドレイン電極はCrを用いる。しかし、SF6/
O2を使用してドライエッチングした際、エッチング
後、露出されたCr表面の接触抵抗が高まる問題があ
る。これは画素電極と電気的に接触するのに問題を引き
起こす。反面、CF4/O2を使用した際にはCrの接触
抵抗を大きくする問題はなくなるが、CF4/O2はエッ
チング速度が遅いため、液晶表示装置の製造時間が増加
して、従って製作費用も増加する問題点がある。Cr表
面で接触抵抗の変化を実験した結果は図5のとおりであ
る。ここで、曲線AはCF4/O2を使用した際、Cr表
面で電流と電圧の状態を示している。曲線BはSF6/
O2を使用した際、Cr表面で電流と電圧の状態を示し
ている。曲線Aは低い抵抗を有する。この現像は次のと
おりである。SF6/O2ガスを使用した際にはO2ガス
がCrと反応してCrOx膜、すなわち、酸化膜を形成
することによると推定される。反面CF4/O2を使用し
た時はO2ガスがCF4ガスのCと反応してCO2又はC
OになってCr表面に酸化膜が生じないためだと思われ
る。
護膜の下にあるドレイン電極に関連することである。一
般的にドレイン電極はCrを用いる。しかし、SF6/
O2を使用してドライエッチングした際、エッチング
後、露出されたCr表面の接触抵抗が高まる問題があ
る。これは画素電極と電気的に接触するのに問題を引き
起こす。反面、CF4/O2を使用した際にはCrの接触
抵抗を大きくする問題はなくなるが、CF4/O2はエッ
チング速度が遅いため、液晶表示装置の製造時間が増加
して、従って製作費用も増加する問題点がある。Cr表
面で接触抵抗の変化を実験した結果は図5のとおりであ
る。ここで、曲線AはCF4/O2を使用した際、Cr表
面で電流と電圧の状態を示している。曲線BはSF6/
O2を使用した際、Cr表面で電流と電圧の状態を示し
ている。曲線Aは低い抵抗を有する。この現像は次のと
おりである。SF6/O2ガスを使用した際にはO2ガス
がCrと反応してCrOx膜、すなわち、酸化膜を形成
することによると推定される。反面CF4/O2を使用し
た時はO2ガスがCF4ガスのCと反応してCO2又はC
OになってCr表面に酸化膜が生じないためだと思われ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】有機物質を有している
装置のエッチング方法において、従来の技術の制限と欠
点に対する問題点を解決する。
装置のエッチング方法において、従来の技術の制限と欠
点に対する問題点を解決する。
【0009】
【課題を解決するための手段】有機膜の改善されたエッ
チング方法を提供することを本発明の目的とする。LC
D形成工程数を減らすことを本発明の他の目的とする。
エッチング時間を短縮し、接触抵抗が小さいエッチング
方法を本発明の又他の目的とする。
チング方法を提供することを本発明の目的とする。LC
D形成工程数を減らすことを本発明の他の目的とする。
エッチング時間を短縮し、接触抵抗が小さいエッチング
方法を本発明の又他の目的とする。
【0010】前記目的とそれに相応する長所をいかすた
めの本発明を詳しく説明すれば、Si結合構造を有する
有機薄膜物質を含む装置において、前記薄膜をエッチン
グして製造する方法は、前記有機薄膜上にフォトレジス
トをコーティングする工程と、所定のパターンを有する
マスクで前記フォトレジストを現像する工程と、そし
て、プラズマガスを利用して前記フォトレジストを有す
る前記装置をエッチングする工程を含むことである。
又、本発明において、Si結合を有する有機物質の薄膜
を含む装置の製造方法は前記有機膜の上に絶縁層を被着
する工程と、前記絶縁層上にフォトレジストをコーティ
ングする工程と、そして、前記フォトレジストを有する
前記装置をプラズマガスを使用してエッチングする工程
を含むことである。
めの本発明を詳しく説明すれば、Si結合構造を有する
有機薄膜物質を含む装置において、前記薄膜をエッチン
グして製造する方法は、前記有機薄膜上にフォトレジス
トをコーティングする工程と、所定のパターンを有する
マスクで前記フォトレジストを現像する工程と、そし
て、プラズマガスを利用して前記フォトレジストを有す
る前記装置をエッチングする工程を含むことである。
又、本発明において、Si結合を有する有機物質の薄膜
を含む装置の製造方法は前記有機膜の上に絶縁層を被着
する工程と、前記絶縁層上にフォトレジストをコーティ
ングする工程と、そして、前記フォトレジストを有する
前記装置をプラズマガスを使用してエッチングする工程
を含むことである。
【0011】又、本発明において、基板上に層の形で形
成されたスイッチング素子を有する液晶表示装置の製造
方法は、Si結合構造を有する有機物質をコーティング
して有機膜を形成する工程と、前記有機膜の上にフォト
レジストをコーティングする工程と、所定のパターンを
有するマスクで前記フォトレジストを現像する工程と、
そして、F基、O2ガスを含むプラズマガスで前記有機
膜をエッチングする工程を含むことである。又、本発明
において、基板上に層の形で形成されたスイッチング素
子を有する液晶表示装置の製造方法は、Si結合構造を
有する有機物質をコーティングして有機膜を形成する工
程と、前記有機膜上に無機物質の被着によって絶縁層を
形成する工程と、前記無機物質上にフォトレジストをコ
ーティングする工程と、所定のパターンを有するマスク
で前記フォトレジストを現像する工程と、そして、F
基、O2ガスを含むプラズマガスで前記有機膜をエッチ
ングする工程を含むことである。
成されたスイッチング素子を有する液晶表示装置の製造
方法は、Si結合構造を有する有機物質をコーティング
して有機膜を形成する工程と、前記有機膜の上にフォト
レジストをコーティングする工程と、所定のパターンを
有するマスクで前記フォトレジストを現像する工程と、
そして、F基、O2ガスを含むプラズマガスで前記有機
膜をエッチングする工程を含むことである。又、本発明
において、基板上に層の形で形成されたスイッチング素
子を有する液晶表示装置の製造方法は、Si結合構造を
有する有機物質をコーティングして有機膜を形成する工
程と、前記有機膜上に無機物質の被着によって絶縁層を
形成する工程と、前記無機物質上にフォトレジストをコ
ーティングする工程と、所定のパターンを有するマスク
で前記フォトレジストを現像する工程と、そして、F
基、O2ガスを含むプラズマガスで前記有機膜をエッチ
ングする工程を含むことである。
【0012】又、本発明において、Si結合を有する有
機物質の薄膜を含む装置の製造方法は前記有機膜上にフ
ォトレジストをコーティングする工程と、所定のパター
ンを有するマスクで前記フォトレジストを現像する工程
と、前記現像されたフォトレジストによって露出された
有機膜をSF6とO2を含むプラズマガスを用いて初期の
厚さの2/3以上をエッチングする工程と、続いて、前
記現像されたフォトレジストによって露出された有機膜
がCF4とO2を含むプラズマガスを用いて完全にエッチ
ングされるまでエッチングする工程を含むことである。
機物質の薄膜を含む装置の製造方法は前記有機膜上にフ
ォトレジストをコーティングする工程と、所定のパター
ンを有するマスクで前記フォトレジストを現像する工程
と、前記現像されたフォトレジストによって露出された
有機膜をSF6とO2を含むプラズマガスを用いて初期の
厚さの2/3以上をエッチングする工程と、続いて、前
記現像されたフォトレジストによって露出された有機膜
がCF4とO2を含むプラズマガスを用いて完全にエッチ
ングされるまでエッチングする工程を含むことである。
【0013】又、本発明において、基板上にゲート電極
と、ソース電極と、ドレイン電極を含むスイッチグ素子
を有する液晶表示装置の製造方法はSi結合構造を有す
る有機物質のコーティングによって、有機膜を形成する
工程と、前記有機膜上にフォトレジストをコーティング
する工程と、所定のパターンを有するマスクで前記フォ
トレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレ
ジストによって、露出された前記有機膜をSF6とO2を
含むプラズマガスでエッチングして、コンタクトホール
を形成する工程と、前記コンタクトホールを通じて露出
された前記ドレイン電極をエッチャントに露出させる工
程を含むことである。
と、ソース電極と、ドレイン電極を含むスイッチグ素子
を有する液晶表示装置の製造方法はSi結合構造を有す
る有機物質のコーティングによって、有機膜を形成する
工程と、前記有機膜上にフォトレジストをコーティング
する工程と、所定のパターンを有するマスクで前記フォ
トレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレ
ジストによって、露出された前記有機膜をSF6とO2を
含むプラズマガスでエッチングして、コンタクトホール
を形成する工程と、前記コンタクトホールを通じて露出
された前記ドレイン電極をエッチャントに露出させる工
程を含むことである。
【0014】又、本発明において、有機膜を含む膜にホ
ールを形成する製造方法は前記有機膜を形成する工程
と、前記有機膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁
膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記
フォトレジストパターンのオープンされた部分に対応す
る絶縁膜の一部を除去する工程と、そして、前記絶縁膜
が除去された部分に対応する前記有機膜を除去して前記
ホールを形成する工程を含むことである。又、本発明に
おいて、液晶表示装置の有機膜にホールを形成する製造
方法は前記有機膜を形成する工程と、前記有機膜上にフ
ォトレジストパターンのオープンされた部分に対応する
前記有機膜の一部厚さを除去する工程と、続いて、第2
エッチャントを用いて、前記フォトレジストパターンの
オープンされた部分に対応して有機膜の残っている部分
を除去する工程を含むことである。
ールを形成する製造方法は前記有機膜を形成する工程
と、前記有機膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁
膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、前記
フォトレジストパターンのオープンされた部分に対応す
る絶縁膜の一部を除去する工程と、そして、前記絶縁膜
が除去された部分に対応する前記有機膜を除去して前記
ホールを形成する工程を含むことである。又、本発明に
おいて、液晶表示装置の有機膜にホールを形成する製造
方法は前記有機膜を形成する工程と、前記有機膜上にフ
ォトレジストパターンのオープンされた部分に対応する
前記有機膜の一部厚さを除去する工程と、続いて、第2
エッチャントを用いて、前記フォトレジストパターンの
オープンされた部分に対応して有機膜の残っている部分
を除去する工程を含むことである。
【0015】又、本発明において、液晶表示装置の金属
膜に形成された有機膜にホールを形成する製造方法は前
記金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に前記有機膜
を形成する工程と、前記有機膜上にフォトレジストパタ
ーンを形成する工程と、第1エッチャントを用いて、前
記フォトレジストパターンのオープンされた部分に対応
する前記有機膜を除去して、前記金属膜の表面を露出さ
せる工程と、そして、第2エッチャントを用いて、前記
金属膜の表面をクリーニングする工程を含むことであ
る。
膜に形成された有機膜にホールを形成する製造方法は前
記金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に前記有機膜
を形成する工程と、前記有機膜上にフォトレジストパタ
ーンを形成する工程と、第1エッチャントを用いて、前
記フォトレジストパターンのオープンされた部分に対応
する前記有機膜を除去して、前記金属膜の表面を露出さ
せる工程と、そして、第2エッチャントを用いて、前記
金属膜の表面をクリーニングする工程を含むことであ
る。
【0016】又、本発明において、基板上に形成された
第1膜にホールを形成する方法は前記第1膜に第2膜を
形成する工程と、前記第2膜上にフォトレジスト層を形
成して、前記フォトレジスト層の一部を除去する工程
と、前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト層の一
部が除去された部分と対応する前記第2膜を第1エッチ
ャントによってエッチングして、前記第1膜の一部表面
を露出させて、前記第2膜上に前記フォトレジストが一
部残っているようにする工程と、前記フォトレジスト層
の一部が除去された部分と対応する前記第1膜と、前記
第2膜の上に一部残っている前記フォトレジストを第2
エッチャントによってエッチングして、前記第2膜上に
残っている前記フォトレジストを除去して、前記フォト
レジスト層に一部が除去された部分と対応する領域に前
記第1膜の一部が残るようにする工程と、続いて、前記
第2膜と前記フォトレジスト層の一部が除去された部分
と対応する前記第1膜を第3エッチャントによってエッ
チングして、前記フォトレジスト層の一部が除去された
部分と対応する前記第1膜の底部まで除去して、前記第
1膜上に前記第2膜の一部が残るようにする工程を含む
ことである。
第1膜にホールを形成する方法は前記第1膜に第2膜を
形成する工程と、前記第2膜上にフォトレジスト層を形
成して、前記フォトレジスト層の一部を除去する工程
と、前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト層の一
部が除去された部分と対応する前記第2膜を第1エッチ
ャントによってエッチングして、前記第1膜の一部表面
を露出させて、前記第2膜上に前記フォトレジストが一
部残っているようにする工程と、前記フォトレジスト層
の一部が除去された部分と対応する前記第1膜と、前記
第2膜の上に一部残っている前記フォトレジストを第2
エッチャントによってエッチングして、前記第2膜上に
残っている前記フォトレジストを除去して、前記フォト
レジスト層に一部が除去された部分と対応する領域に前
記第1膜の一部が残るようにする工程と、続いて、前記
第2膜と前記フォトレジスト層の一部が除去された部分
と対応する前記第1膜を第3エッチャントによってエッ
チングして、前記フォトレジスト層の一部が除去された
部分と対応する前記第1膜の底部まで除去して、前記第
1膜上に前記第2膜の一部が残るようにする工程を含む
ことである。
【0017】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施例を
詳細に説明する。 [実施例1]図6ないし図11を参照して本発明の第1実
施例を詳細に記述する。データ配線(119)とTFT
は透明基板(101)上に形成される。前記TFTはゲ
ート電極(121a)、ゲート絶縁層(123)、そし
てソースとドレイン電極(119a)、(119b)を
含む。ベンゾシクロブテン(BCB)のようなSi結合
構造を有する有機保護膜(129a)が前記TFT上に
形成される。前記有機保護膜(129a)上にSiNx
またはSiOxなどの無機絶縁膜を形成する。前記無機
膜(129b)は有機膜(129a)より薄く形成され
る(図6)。前記無機膜(129b)上にフォトレジス
ト(143)を塗布する(図7)。
詳細に説明する。 [実施例1]図6ないし図11を参照して本発明の第1実
施例を詳細に記述する。データ配線(119)とTFT
は透明基板(101)上に形成される。前記TFTはゲ
ート電極(121a)、ゲート絶縁層(123)、そし
てソースとドレイン電極(119a)、(119b)を
含む。ベンゾシクロブテン(BCB)のようなSi結合
構造を有する有機保護膜(129a)が前記TFT上に
形成される。前記有機保護膜(129a)上にSiNx
またはSiOxなどの無機絶縁膜を形成する。前記無機
膜(129b)は有機膜(129a)より薄く形成され
る(図6)。前記無機膜(129b)上にフォトレジス
ト(143)を塗布する(図7)。
【0018】前記フォトレジスト(143)上にマスク
(145)を覆ってフォトレジスト(143)を露出し
て、現像して所定のパターンを形成する(図8)。引き
続き、前記基板(101)を真空チャンバ(161)に
入れる(図9)。前記無機膜(129b)と有機膜(1
29a)はCF4/O2又はSF6/O2ガスによってエッ
チングされる。同時に前記フォトレジストは前記ガスに
含まれているO2によりアシングされる。この際,CF4
やSF6とO2ガスの混合比は前記無機膜(129b)と
前記有機膜(129a)のエッチング選択比が1:5程
度になるように調整する。その結果、ドレイン金属には
コンタクトホール(137)が形成され、残り有機保護
膜(129a)上には無機膜(129b)が若干残るよ
うになる(図10)。
(145)を覆ってフォトレジスト(143)を露出し
て、現像して所定のパターンを形成する(図8)。引き
続き、前記基板(101)を真空チャンバ(161)に
入れる(図9)。前記無機膜(129b)と有機膜(1
29a)はCF4/O2又はSF6/O2ガスによってエッ
チングされる。同時に前記フォトレジストは前記ガスに
含まれているO2によりアシングされる。この際,CF4
やSF6とO2ガスの混合比は前記無機膜(129b)と
前記有機膜(129a)のエッチング選択比が1:5程
度になるように調整する。その結果、ドレイン金属には
コンタクトホール(137)が形成され、残り有機保護
膜(129a)上には無機膜(129b)が若干残るよ
うになる(図10)。
【0019】前記エッチング過程を図11を参照しても
っと詳しく説明すれば次のとおりである。フォトレジス
ト(143)がT4厚さ程度O2ガスによりエッチングさ
れる間、露出された無機膜(129b)はF基を有する
CF4やSF6と反応してSiF4という揮発性物質に変
化して、T5厚さ程度エッチングされる。ここでフォト
レジスト(143)と無機膜(129b)のエッチング
選択比もO2ガスの混合比によって調節することが出来
る。フォトレジスト(143)が完全にエッチングされ
れば、フォトレジストで覆われていた、無機膜(129
b)が露出して、F基と反応して図11の点線模様でエ
ッチングされる。一方、フォトレジスト(143)がエ
ッチングされる際にエッチングされている無機膜(12
9b)部分がエッチング完了されて露出された有機保護
膜(129a)も図11の点線模様でエッチングされ
る。この際、無機膜(129b)がT1厚さ程度エッチ
ングされる間有機保護膜(129a)はT6厚さ程度エ
ッチングされる。このエッチング程度は前記O2ガスの
混合率と有機保護膜(129a)と無機膜(129b)
の厚さによって調節出来る。即ち、フォトレジスト(1
43)がある部分からフォトレジスト(143)と無機
膜(129b)がT7厚さ程度エッチングされる間、フ
ォトレジスト(143)が現像された部分からの無機膜
(129b)と有機保護膜(129a)はT2厚さ程度
エッチングされる。以上のようにエッチングした後、ド
レイン電極(119b)の上の有機保護膜(129a)
にコンタクトホールが形成され、有機保護膜(129
a)の上に無機膜(129b)がT3厚さ程度残る。
っと詳しく説明すれば次のとおりである。フォトレジス
ト(143)がT4厚さ程度O2ガスによりエッチングさ
れる間、露出された無機膜(129b)はF基を有する
CF4やSF6と反応してSiF4という揮発性物質に変
化して、T5厚さ程度エッチングされる。ここでフォト
レジスト(143)と無機膜(129b)のエッチング
選択比もO2ガスの混合比によって調節することが出来
る。フォトレジスト(143)が完全にエッチングされ
れば、フォトレジストで覆われていた、無機膜(129
b)が露出して、F基と反応して図11の点線模様でエ
ッチングされる。一方、フォトレジスト(143)がエ
ッチングされる際にエッチングされている無機膜(12
9b)部分がエッチング完了されて露出された有機保護
膜(129a)も図11の点線模様でエッチングされ
る。この際、無機膜(129b)がT1厚さ程度エッチ
ングされる間有機保護膜(129a)はT6厚さ程度エ
ッチングされる。このエッチング程度は前記O2ガスの
混合率と有機保護膜(129a)と無機膜(129b)
の厚さによって調節出来る。即ち、フォトレジスト(1
43)がある部分からフォトレジスト(143)と無機
膜(129b)がT7厚さ程度エッチングされる間、フ
ォトレジスト(143)が現像された部分からの無機膜
(129b)と有機保護膜(129a)はT2厚さ程度
エッチングされる。以上のようにエッチングした後、ド
レイン電極(119b)の上の有機保護膜(129a)
にコンタクトホールが形成され、有機保護膜(129
a)の上に無機膜(129b)がT3厚さ程度残る。
【0020】本実施例1によれば、保護膜(129a)
にコンタクトホール(137)を形成するためのエッチ
ング工程後、フォトレジスト(143)が完全に除去さ
れるために、フォトレジスト(143)を除去する別途
の工程が要らない。有機保護膜(129a)上に残存す
る無機膜(129b)は以後に被着されるITOのよう
な画素電極(115)が安定に形成するのに役に立つこ
ともある。しかし、必要によっては無機膜(129b)
と有機保護膜(129a)のエッチング選択比を調節し
て、有機保護膜(129a)上に残存した無機膜(12
9b)を完全エッチングすることも出来る。
にコンタクトホール(137)を形成するためのエッチ
ング工程後、フォトレジスト(143)が完全に除去さ
れるために、フォトレジスト(143)を除去する別途
の工程が要らない。有機保護膜(129a)上に残存す
る無機膜(129b)は以後に被着されるITOのよう
な画素電極(115)が安定に形成するのに役に立つこ
ともある。しかし、必要によっては無機膜(129b)
と有機保護膜(129a)のエッチング選択比を調節し
て、有機保護膜(129a)上に残存した無機膜(12
9b)を完全エッチングすることも出来る。
【0021】[実施例2]図12ないし図16を参照して
本発明の第2実施例を詳細に記述する。前記第1実施例
のように、データ配線とTFTは透明基板1上に形成さ
れる。前記TFTはゲート電極、ゲート絶縁層、ソース
電極そしてドレイン電極(119a)を含む。ベンゾシ
クロブテン(BCB)のようなSi結合を有する有機保
護膜(129a)は前記TFT上に形成される(図1
2)。前記有機保護膜(129a)上にフォトレジスト
(143)を塗布する(図13)。前記フォトレジスト
(143)上にマスク(145)を覆ってフォトレジス
ト(143)を露出して、現像して所定のパターンを形
成する(図14)。引き続いて、前記基板(101)を
真空チャンバ(161)に入れる。そして、真空チャン
バ(161)のガス注入口(151)を通じてSF6/
O2ガスをプラズマ状態にして注入する。フォトレジス
ト(143)はSF6/O2に含まれているO2ガスによ
ってエッチングされ、だんだん薄くなり、フォトレジス
ト(143)が現像された部分では有機保護膜(129
a)のSiがSF6のF基と反応してSiF4の揮発性物
質に変化するので有機保護膜(129a)がエッチング
される。この際、エッチング進行は有機保護膜(129
a)下にある金属が露出される前まで遂行する(図1
5)。引き続いて、真空チャンバ(161)のガス注入
口(151)を通じてCF4/O2ガスをプラズマ状態に
して前記SF6/O2ガスと入れ替えて注入する。前記C
F4/O2ガスによって残っているフォトレジスト(14
3)がアシングされて、残っている有機保護膜(129
a)もエッチングされる。その結果、フォトレジスト
(143)はアシングされて除去され、有機保護膜(1
29a)にはコンタクトホール(137)が形成され、
ドレイン電極(119b)がコンタクトホール(13
7)を通じて露出される(図16)。前記実施例2の特
徴はSF6/O2ガスを使用する第1エッチング過程でエ
ッチング速度を早くして製造時間を短縮し、そして、有
機保護膜(129a)を若干残してCF4/O2ガスで第
2エッチング過程を続けてエッチングすることである。
その結果、ドレイン電極の接触抵抗が高くなるのを防止
出来る。
本発明の第2実施例を詳細に記述する。前記第1実施例
のように、データ配線とTFTは透明基板1上に形成さ
れる。前記TFTはゲート電極、ゲート絶縁層、ソース
電極そしてドレイン電極(119a)を含む。ベンゾシ
クロブテン(BCB)のようなSi結合を有する有機保
護膜(129a)は前記TFT上に形成される(図1
2)。前記有機保護膜(129a)上にフォトレジスト
(143)を塗布する(図13)。前記フォトレジスト
(143)上にマスク(145)を覆ってフォトレジス
ト(143)を露出して、現像して所定のパターンを形
成する(図14)。引き続いて、前記基板(101)を
真空チャンバ(161)に入れる。そして、真空チャン
バ(161)のガス注入口(151)を通じてSF6/
O2ガスをプラズマ状態にして注入する。フォトレジス
ト(143)はSF6/O2に含まれているO2ガスによ
ってエッチングされ、だんだん薄くなり、フォトレジス
ト(143)が現像された部分では有機保護膜(129
a)のSiがSF6のF基と反応してSiF4の揮発性物
質に変化するので有機保護膜(129a)がエッチング
される。この際、エッチング進行は有機保護膜(129
a)下にある金属が露出される前まで遂行する(図1
5)。引き続いて、真空チャンバ(161)のガス注入
口(151)を通じてCF4/O2ガスをプラズマ状態に
して前記SF6/O2ガスと入れ替えて注入する。前記C
F4/O2ガスによって残っているフォトレジスト(14
3)がアシングされて、残っている有機保護膜(129
a)もエッチングされる。その結果、フォトレジスト
(143)はアシングされて除去され、有機保護膜(1
29a)にはコンタクトホール(137)が形成され、
ドレイン電極(119b)がコンタクトホール(13
7)を通じて露出される(図16)。前記実施例2の特
徴はSF6/O2ガスを使用する第1エッチング過程でエ
ッチング速度を早くして製造時間を短縮し、そして、有
機保護膜(129a)を若干残してCF4/O2ガスで第
2エッチング過程を続けてエッチングすることである。
その結果、ドレイン電極の接触抵抗が高くなるのを防止
出来る。
【0022】[実施例3]図17および図18を参照し
て、本発明の第3実施例を記述する。第2実施例のよう
に、有機保護膜(129a)は真空チャンバ(161)
の中のSF6/O2ガスによってエッチングされる。又、
実施例3において、フォトレジスト(143)と有機保
護膜(129a)はドレイン電極の金属の表面(例えば
Cr)が露出されるまでにエッチングされる(図1
7)。この際、不純物膜(171)が金属表面に形成さ
れて、接触抵抗が高くなる。従って、前記不純物膜(1
71)は適当なエッチャント又はクリーニング液を使用
して除去されなければならない。前記エッチャントは例
えば、BHF(buffered hydrogen fluorine)又はBOE(buffe
red oxide etchant)、又はBCl3+O2を使用する。前
記エッチャントなどを利用して不純物膜(171)を除
去することによってきれいなCr表面が得られる(図1
8)。SF6/O2ガスを使用することによって、エッチ
ング速度を早くすることが出来、製造時間が短縮され
る。そして、前記不純物膜(171)は追加のエッチン
グ工程によって除去されるのでドレイン電極(119
b)の接触抵抗が改善される。
て、本発明の第3実施例を記述する。第2実施例のよう
に、有機保護膜(129a)は真空チャンバ(161)
の中のSF6/O2ガスによってエッチングされる。又、
実施例3において、フォトレジスト(143)と有機保
護膜(129a)はドレイン電極の金属の表面(例えば
Cr)が露出されるまでにエッチングされる(図1
7)。この際、不純物膜(171)が金属表面に形成さ
れて、接触抵抗が高くなる。従って、前記不純物膜(1
71)は適当なエッチャント又はクリーニング液を使用
して除去されなければならない。前記エッチャントは例
えば、BHF(buffered hydrogen fluorine)又はBOE(buffe
red oxide etchant)、又はBCl3+O2を使用する。前
記エッチャントなどを利用して不純物膜(171)を除
去することによってきれいなCr表面が得られる(図1
8)。SF6/O2ガスを使用することによって、エッチ
ング速度を早くすることが出来、製造時間が短縮され
る。そして、前記不純物膜(171)は追加のエッチン
グ工程によって除去されるのでドレイン電極(119
b)の接触抵抗が改善される。
【0023】本発明はSi結合構造を有する有機膜をエ
ッチングする方法において、フォトレジストを除去する
追加過程が必要ない。これは、エッチングガスに含まれ
ているO2ガスによってフォトレジストが完全に燃えて
除去されるためである。これらの効果は、CF4(又は
SF6)ガスとO2ガスの混合比によって得ることが出来
る。且つ、金属と画素電極の間の接触特性は酸化膜のよ
うな不純物膜が介してないので改善される。前記のよう
な結果は二つの工程によって得ることが出来る。まず、
前記有機膜がSF6/O2によってエッチングされ、そし
て、残りの前記有機膜又は不純物膜が除去される。又、
本発明は有機膜上に無機膜が被着された膜のエッチング
方法を提供する。まず、フォトレジストを塗布し、現像
した後、前記フォトレジストをCF4/O2又はSF6/
O2ガスのO2によってアシングしながら前記CF4/O2
又はSF6/O2ガスによって前記有機膜及び無機膜をエ
ッチングする。
ッチングする方法において、フォトレジストを除去する
追加過程が必要ない。これは、エッチングガスに含まれ
ているO2ガスによってフォトレジストが完全に燃えて
除去されるためである。これらの効果は、CF4(又は
SF6)ガスとO2ガスの混合比によって得ることが出来
る。且つ、金属と画素電極の間の接触特性は酸化膜のよ
うな不純物膜が介してないので改善される。前記のよう
な結果は二つの工程によって得ることが出来る。まず、
前記有機膜がSF6/O2によってエッチングされ、そし
て、残りの前記有機膜又は不純物膜が除去される。又、
本発明は有機膜上に無機膜が被着された膜のエッチング
方法を提供する。まず、フォトレジストを塗布し、現像
した後、前記フォトレジストをCF4/O2又はSF6/
O2ガスのO2によってアシングしながら前記CF4/O2
又はSF6/O2ガスによって前記有機膜及び無機膜をエ
ッチングする。
【0024】本発明において、有機膜の良いエッチング
状態を得るために、無機膜を有機膜上に被着する。そし
て、フォトレジストは前記無機膜上に被着されて、前記
フォトレジストは現像される。引き続いて、これらはC
F4/O2又はSF6/O2ガスによってエッチングされ
る。特に前記フォトレジストがO2ガスによってアシン
グされる間に前記無機膜と有機膜はCF4又はSF6ガス
によって、同時にエッチングされる。前記CF4(又は
SF6)ガスとO2ガスの混合比によってエッチング選択
比が制御されて、前記O2ガスによって前記フォトレジ
ストを完全に除去することが出来、有機膜の良いエッチ
ング状態を得ることが出来る。加えて、本発明によって
有機膜上に残っている無機膜を調節することが出来、そ
の上に被着される金属膜などの接着性をよくすることが
出来る。
状態を得るために、無機膜を有機膜上に被着する。そし
て、フォトレジストは前記無機膜上に被着されて、前記
フォトレジストは現像される。引き続いて、これらはC
F4/O2又はSF6/O2ガスによってエッチングされ
る。特に前記フォトレジストがO2ガスによってアシン
グされる間に前記無機膜と有機膜はCF4又はSF6ガス
によって、同時にエッチングされる。前記CF4(又は
SF6)ガスとO2ガスの混合比によってエッチング選択
比が制御されて、前記O2ガスによって前記フォトレジ
ストを完全に除去することが出来、有機膜の良いエッチ
ング状態を得ることが出来る。加えて、本発明によって
有機膜上に残っている無機膜を調節することが出来、そ
の上に被着される金属膜などの接着性をよくすることが
出来る。
【0025】一方、有機膜をエッチングする過程で金属
表面(例えばCr表面)上に形成された不純物層は、本
発明によれば、有機膜のエッチングプロセスの間に除去
される。前記本発明において、前記有機膜はSF6/O2
ガスによって一部がエッチングされて、その後、CF4
/O2ガスによって残りの前記有機膜がエッチングされ
るので、金属膜上に不純物層が形成されなくなる。又、
他の方法において、前記有機膜はSF6/O2ガスによっ
て完全にエッチングされ、前記露出された金属膜の上の
不純物層はメタルエッチャント又はドライエッチャント
によって除去される。それ故、前記露出された金属膜上
に形成される膜は、金属膜との間に良好な電気的接触が
得られる。
表面(例えばCr表面)上に形成された不純物層は、本
発明によれば、有機膜のエッチングプロセスの間に除去
される。前記本発明において、前記有機膜はSF6/O2
ガスによって一部がエッチングされて、その後、CF4
/O2ガスによって残りの前記有機膜がエッチングされ
るので、金属膜上に不純物層が形成されなくなる。又、
他の方法において、前記有機膜はSF6/O2ガスによっ
て完全にエッチングされ、前記露出された金属膜の上の
不純物層はメタルエッチャント又はドライエッチャント
によって除去される。それ故、前記露出された金属膜上
に形成される膜は、金属膜との間に良好な電気的接触が
得られる。
【図1】一般的な液晶表示装置の構造を示す断面図。
【図2】従来の液晶表示装置を示す平面拡大図。
【図3】図2のIII-III´の線に沿って切断した断面
図。
図。
【図4】(A)は、有機膜をエッチングする従来の方法
を示した断面図、(B)は、従来の方法で有機膜をエッ
チングした後、有機膜上にフォトレジストが残っている
のを示した断面図。
を示した断面図、(B)は、従来の方法で有機膜をエッ
チングした後、有機膜上にフォトレジストが残っている
のを示した断面図。
【図5】SF6/O2ガス又はCF4/O2ガスを使用し
て、有機膜をエッチングした後、エッチングによって露
出されたCr表面で電圧と電流の変化を示すグラフであ
る。
て、有機膜をエッチングした後、エッチングによって露
出されたCr表面で電圧と電流の変化を示すグラフであ
る。
【図6】本発明の実施例1によるエッチング方法を示し
た断面図。
た断面図。
【図7】本発明の実施例1によるエッチング方法を示し
た断面図。
た断面図。
【図8】本発明の実施例1によるエッチング方法を示し
た断面図。
た断面図。
【図9】本発明の実施例1によるエッチング方法を示し
た断面図。
た断面図。
【図10】本発明の実施例1によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図11】本発明の実施例1によるエッチング過程を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図12】本発明の実施例2によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図13】本発明の実施例2によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図14】本発明の実施例2によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図15】本発明の実施例2によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図16】本発明の実施例2によるエッチング方法を示
した断面図。
した断面図。
【図17】本発明の実施例3に対応するエッチング方法
を示した断面図。
を示した断面図。
【図18】本発明の実施例3に対応するエッチング方法
を示した断面図。
を示した断面図。
1、101 透明基板 3 透明基板 7 スイッチング素子 11 液晶物質 13 シール 15 画素電極 17 共通電極 19、119 データ配線 19(a)、119(a) ソース電極 19(b)、119(b) ドレイン電極 21 ゲート配線 21(a)、121(a) ゲート電極 23、123 ゲート絶縁膜 25 半導体層 27 不純物半導体層 29、129(a) 有機保護膜 129(b) 無機保護膜 37、137 コンタクトホール 43、143 フォトレジスト 51、151 ガス注入口 61、161 真空チャンバ 145 マスク 171 不純物膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 星一 大韓民国京機道安養市東安区虎渓洞533番 地 エルジー電子株式会社第1研究団地L CD研究所内 (72)発明者 林 京男 大韓民国京機道安養市東安区虎渓洞533番 地 エルジー電子株式会社第1研究団地L CD研究所内 (72)発明者 李 厚永 大韓民国京機道安養市東安区虎渓洞533番 地 エルジー電子株式会社第1研究団地L CD研究所内
Claims (21)
- 【請求項1】 液晶表示装置の基板上の有機膜にホール
を形成する方法において、 (a)前記有機膜上に絶縁膜を形成する工程と、 (b)前記絶縁膜上にフォトレジスト層を形成して、前
記フォトレジスト層の一部をオープンしてパターン化す
る工程と、 (c)前記フォトレジスト層と、前記有機膜と、前記絶
縁膜を含む前記基板を前記フォトレジスト層のオープン
された部分と対応する有機膜部分の底部までエッチング
されるように、少なくとも一つ以上のエッチングガスに
露出させて、前記絶縁膜に対するエッチングガスのエッ
チング選択比は前記有機膜に対するエッチングガスのエ
ッチング選択比より小さく、前記ホールを形成するため
に前記フォトレジスト層のオープンされた部分と対応す
る部分の前記有機膜の底部までエッチングされた際に前
記フォトレジストのパターンと対応する絶縁膜が一部厚
さ程度残るようにする工程を含むことを特徴とする形成
方法。 - 【請求項2】 前記エッチングガスはF基とO2を含む
ことを特徴とする請求項1記載の形成方法。 - 【請求項3】 前記エッチングガスはSF6、CF4の中
で少なくとも一つ以上のガスを使用することを特徴とす
る請求項1記載の形成方法。 - 【請求項4】 前記エッチングガスはSF6、CF4の中
で少なくとも一つ以上のガスを使用することを特徴とす
る請求項2記載の形成方法。 - 【請求項5】 前記有機膜を金属膜上に形成して、前記
SF6/O2でエッチングして、続いて、CF4/O2でエ
ッチングすることを特徴とする請求項1ないし請求項4
の中のいずれか一項記載の形成方法。 - 【請求項6】 前記有機膜を金属膜上に形成して、前記
フォトレジスト層のオープンされた部分と対応する前記
有機膜部が前記金属表面までエッチングされるようにし
て、前記金属表面は他のエッチャントによってクリーニ
ングされることを特徴とする請求項1ないし請求項4の
中のいずれか一項記載の形成方法。 - 【請求項7】 前記金属膜はCrであることを特徴とす
る請求項6記載の形成方法。 - 【請求項8】 前記金属表面をクリーニングするための
エッチャントはBHF(buffered hydrogen fluorine)又は
/及びBOE(buffered oxide etchant)であることを特徴
とする請求項6記載の形成方法。 - 【請求項9】 前記金属表面をクリーニングするための
エッチャントはBCl3/O2であることを特徴とする請
求項6記載の形成方法。 - 【請求項10】 前記絶縁膜は無機物を含むことを特徴
とする請求項6記載の形成方法。 - 【請求項11】 前記有機膜はSi結合構造を含むこと
を特徴とする請求項6記載の形成方法。 - 【請求項12】 前記有機膜はベンゾシクロブテンを含
むことを特徴とする請求項6記載の形成方法。 - 【請求項13】 前記無機膜はSiNx又はSiOxを含
むことを特徴とする請求項10記載の形成方法。 - 【請求項14】 液晶表示装置の基板上の金属膜上に形
成される有機膜にホールを形成する方法は、 (a)前記有機膜上にフォトレジスト層を形成して、前
記フォトレジスト層を一部オープンしてパターン化する
工程と、 (b)前記フォトレジスト層と、前記有機膜を含む前記
基板を前記フォトレジスト層のオープンされた部分と対
応する有機膜部分が前記金属膜上に薄く残るまで第1エ
ッチャントで露出する工程と、 (c)前記残っているフォトレジスト層と前記有機膜を
含む前記基板を前記残っているフォトレジスト層と前記
金属膜上に薄く残っている有機膜部分が除去されるまで
第2エッチャントで露出する工程を含んで、そして、前
記第1エッチャントのエッチング選択比より前記第2エ
ッチャントのエッチング選択比が大きいことを特徴とす
る形成方法。 - 【請求項15】 前記第1エッチャントはSF6/O
2で、前記第2エッチャントはSF4/O2であることを
特徴とする請求項14記載の形成方法。 - 【請求項16】 液晶表示装置の基板上の金属膜上に形
成される有機膜にホールを形成する方法は、 (a)前記有機膜上にフォトレジスト層を形成して、前
記フォトレジスト層を一部オープンしてパターン化する
工程と、 (b)前記金属膜と、前記有機膜と、前記フォトレジス
ト層を含む前記基板を前記フォトレジスト層のオープン
された部分と対応する有機膜部分の前記金属膜が露出さ
れて、前記フォトレジスト層が完全に除去されるまで第
1エッチャントで露出する工程と、 (c)前記金属膜と前記有機膜が含まれている前記基板
を第2エッチャントに露出させて前記露出された金属膜
表面をクリーニングする工程を含むことを特徴とする形
成方法。 - 【請求項17】 前記第1エッチャントはSF6/O
2で、前記第2エッチャントはBHF(buffered hydrogen f
luorine)又は/及びBOE(buffered oxide etchant)であ
ることを特徴とする請求項16記載の形成方法。 - 【請求項18】 前記第1エッチャントはSF6/O
2で、前記第2エッチャントはBCl3/O2であること
を特徴とする請求項16記載の形成方法。 - 【請求項19】 前記金属膜はCrを含むことを特徴と
する請求項16項ないし請求項18の中のいずれか一項
記載の形成方法。 - 【請求項20】 前記有機膜はSi結合構造を含むこと
を特徴とする請求項19記載の形成方法。 - 【請求項21】 前記有機膜はベンゾシクロブテンを含
むことを特徴とする請求項20記載の形成方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960028527A KR100237003B1 (ko) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 액정표시장치의 구조물의 에칭방법 |
KR1019960028525A KR100237005B1 (ko) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 액정표시장치의 절연막의 에칭방법 |
KR1996-28527 | 1996-07-15 | ||
KR1996-28525 | 1996-07-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1096960A true JPH1096960A (ja) | 1998-04-14 |
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ID=26632019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20091797A Withdrawn JPH1096960A (ja) | 1996-07-15 | 1997-07-10 | 液晶表示装置の製造における有機膜のホールの形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1096960A (ja) |
DE (1) | DE19730322A1 (ja) |
FR (1) | FR2751468A1 (ja) |
GB (1) | GB2315245A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001305576A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Nec Corp | 透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2006126255A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電気光学装置、液晶表示装置及びそれらの製造方法 |
US7183204B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-02-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same |
US7199049B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-04-03 | Seiko Epson Corporation | Methods for forming contact hole, for manufacturing circuit board and for manufacturing electro-optical device |
CN104488016A (zh) * | 2012-07-20 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100255592B1 (ko) * | 1997-03-19 | 2000-05-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법 |
DE19956904C2 (de) * | 1999-11-26 | 2003-08-07 | United Monolithic Semiconduct | Integrierter Amplitudenbegrenzer bzw. Limiter und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Limiters |
KR100586240B1 (ko) * | 2000-05-18 | 2006-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
DE102004063036A1 (de) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Ausbilden von Kontaktflecken |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4507331A (en) * | 1983-12-12 | 1985-03-26 | International Business Machines Corporation | Dry process for forming positive tone micro patterns |
US4661204A (en) * | 1985-10-25 | 1987-04-28 | Tandem Computers Inc. | Method for forming vertical interconnects in polyimide insulating layers |
US4687543A (en) * | 1986-02-21 | 1987-08-18 | Tegal Corporation | Selective plasma etching during formation of integrated circuitry |
US5453157A (en) * | 1994-05-16 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Low temperature anisotropic ashing of resist for semiconductor fabrication |
-
1997
- 1997-06-24 FR FR9707833A patent/FR2751468A1/fr not_active Withdrawn
- 1997-07-03 GB GB9714116A patent/GB2315245A/en not_active Withdrawn
- 1997-07-10 JP JP20091797A patent/JPH1096960A/ja not_active Withdrawn
- 1997-07-15 DE DE19730322A patent/DE19730322A1/de not_active Ceased
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4677654B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2011-04-27 | 日本電気株式会社 | 透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
US7973867B2 (en) | 2000-04-19 | 2011-07-05 | Nec Corporation | Transmission liquid crystal display and method of forming the same |
JP2001305576A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Nec Corp | 透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
US7183204B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-02-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same |
US7199049B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-04-03 | Seiko Epson Corporation | Methods for forming contact hole, for manufacturing circuit board and for manufacturing electro-optical device |
US7459793B2 (en) | 2004-07-27 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Methods for forming contact hole, for manufacturing circuit board and for manufacturing electro-optical device |
CN100394558C (zh) * | 2004-07-27 | 2008-06-11 | 精工爱普生株式会社 | 接触孔的形成方法、电路基板和电光学装置的制造方法 |
JP2006126255A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電気光学装置、液晶表示装置及びそれらの製造方法 |
CN104488016A (zh) * | 2012-07-20 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
CN104488016B (zh) * | 2012-07-20 | 2018-08-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
US10514579B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US10514580B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US11209710B2 (en) | 2012-07-20 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US11531243B2 (en) | 2012-07-20 | 2022-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
US11899328B2 (en) | 2012-07-20 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9714116D0 (en) | 1997-09-10 |
DE19730322A1 (de) | 1998-01-29 |
GB2315245A (en) | 1998-01-28 |
FR2751468A1 (fr) | 1998-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |