JPH1145618A - 導電ペースト構造およびその製造方法 - Google Patents

導電ペースト構造およびその製造方法

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JPH1145618A
JPH1145618A JP10160246A JP16024698A JPH1145618A JP H1145618 A JPH1145618 A JP H1145618A JP 10160246 A JP10160246 A JP 10160246A JP 16024698 A JP16024698 A JP 16024698A JP H1145618 A JPH1145618 A JP H1145618A
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JP
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polymer
conductive
group
paste
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JP10160246A
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English (en)
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Jeffrey D Gelorme
ジェフリィ・ドナルド・ジェローム
Won Kang Sang
サング・ウォン・カング
Sampath Purushothaman
サンパス・プルショッサマン
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Original Assignee
International Business Machines Corp
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    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
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    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な導電ペーストの構造およびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の導電ペーストの構造は、ポリマ
材料と、導電性被膜、例えば錫を有する粒子、例えば銅
との混合物である。熱を加えて、隣接粒子の被膜同士を
融合させる。ポリマ材料は、スチレンアリルアルコール
樹脂または熱可塑性フェノキシポリマである。この構造
は、２つの導電面例えばチップパッドと基板パッドとの
間に設けられて、これらパッドの間に、電気的相互接続
および機械的接着を与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性部材間に導
電性接続を形成する新規な相互接続材料、およびこのよ
うな導電性接続を形成する方法に関する。さらに、本発
明は、環境的に安全な材料およびプロセスに関し、これ
らは鉛（Ｐｂ）含有ハンダ接続技術に代わり得るもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスに用いられる大半の電気導
体は、銅，アルミニウム，金，銀，鉛／錫（ハンダ），
モリブデンなどのような金属で作られている。鉛／錫合
金を用いるハンダ接続技術は、フリップチップ接続（ま
たはＣ４），ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）のハ
ンダ・ボール接続，プリント回路基板（ＰＣＢ）へのＩ
Ｃパッケージ・アセンブリのような、種々のレベルの電
子パッケージングにおいて重要な役割を果たしている。
電子パッケージにおいて形成されるハンダ接合は、電気
的相互接続および機械的／物理的接続として重要な機能
を担う。いずれかの機能が実現されないと、ハンダ接合
は失敗したとみなされ、これは、しばしば全電子システ
ムの機能停止を生じる。
【０００３】マイクロエレクトロニック・パッケージ
が、プリント回路基板に実装される場合、鉛−錫共晶ハ
ンダ、すなわち６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂであって、Ｐｂ
−Ｓｎ合金間で最低の融点（１８３℃）を有するもの
が、最も広く用いられている。これらの応用では、大量
生産に用いられる２つのハンダ接続技術、すなわちメッ
キされたスルーホール（ｐｌａｔｅｄ−ｔｈｒｏｕｇｈ
−ｈｏｌｅ；ＰＴＨ）ハンダ付と、表面実装技術（ｓｕ
ｒｆａｃｅ ｍｏｕｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＳＭ
Ｔ）ハンダ付とがある。これら２つの技術の間の基本的
な差異は、ＰＣＢ構造およびその相互接続方法の違いか
ら生じる。
【０００４】ＳＭＴハンダ付では、マイクロエレクトロ
ニック・パッケージは、ＰＣＢの表面に直接に実装され
る。ＳＭＴの主な利点は、高パッケージング密度であ
る。これは、ＰＣＢにおいて大半のＰＴＨを排除し、お
よびコンポーネントを収容するためにＰＣＢの両面を用
いることによって実現される。さらに、ＳＭＴパッケー
ジは、従来のＰＴＨパッケージに較べて、微小なリード
ピッチおよび小さいパッケージ・サイズを有している。
このため、ＳＭＴは、電子パッケージのサイズ、したが
って全システムの容積の減少に大いに寄与している。
【０００５】ＳＭＴハンダ付では、スクリーン印刷によ
って、ハンダペーストがＰＣＢに与えられる。ハンダペ
ーストは、微細ハンダ粉と、フラックスと、有機ビヒク
ルとからなる。リフロープロセスの間に、ハンダ粒子は
溶融し、フラックスが活性化され、溶媒物質が蒸発し、
同時に溶融したハンダが合体し、最終的に固体化する。
対照的に、ウエーブハンダ付プロセスでは、ＰＣＢが最
初にフラックス塗布され、コンポーネントがその上に実
装される。次に、ＰＣＢは、溶融ハンダのウエーブ上に
移動される。
【０００６】ハンダ付プロセスは、ハンダ接合を洗浄工
程にさらして、残留したフラックス材料を除去すること
によって、通常は完了する。環境問題の故に、洗浄のた
めに用いられるＣＦＣ（クロロフルオロカーボン）およ
び他の有害な洗浄剤は排除され、水溶性または洗浄不要
フラックス材料が用いられて、洗浄工程を最小限にし、
または排除している。
【０００７】マイクロエレクトロニック・デバイスの最
近の進歩は、電子パッケージとプリント回路板との間に
非常に微小なピッチ接続（数百μｍピッチのオーダの）
を要求する。ＳＭＴに用いられる現在のハンダペースト
技術は、ブリッジまたはハンダボール化のようなハンダ
付欠陥の故に、この非常に微小なピッチの相互接続を行
うことができない。Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダを使用するこ
との他の技術的な制限は、その高いリフロー温度（約２
１５℃）である。この温度は、大半のポリマ・プリント
回路板材料に用いられるエポキシ樹脂のガラス転移温度
よりも高い。このリフロー温度にさらすことは、はんだ
付後のＰＣＢに、特にＰＣＢの面に垂直な方向に、かな
りの熱歪を生じさせる。これは、その方向に構造的な補
強がなされていないからである。したがって、アセンブ
ルされたＰＣＢの残留熱歪は、電子システムの信頼性を
かなり低下させる。
【０００８】鉛（Ｐｂ）含有ハンダの使用に関するより
重大な問題は環境問題で、他の産業で既に経験され、ガ
ソリンおよびペイントからの鉛の除去につながってい
る。
【０００９】電子産業では、２つの異なるグループの材
料が、Ｐｂ含有ハンダ材料に置き換わる可能性について
現在研究されている。すなわち、無鉛ハンダ合金と導電
性ペースト（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅ ｐａｓｔｅ；ＥＣＰ）とである。本発明は、
導電性ペースト材料の開発および応用について論じてい
る。導電性ペースト（または接着剤）は、ポリマ材料の
マトリックス中に負荷された金属充てん粒子で作られ
る。ポリママトリックスは、ペーストに用いるのに適し
たポリマ、例えば熱可塑性プラスチックとすることがで
きる。ポリマは、エポキシ，ポリエステル，ポリイミド
よりなる群から好適に選ばれる。可溶性エポキシ、特
に、米国特許出願第０８／２１０８７９号明細書に記載
されている可溶性ケタール、およびアセタールジエポキ
シドを、ポリママトリックスとして用いることもでき
る。図１において、銀粒子４が充てんされたエポキシ６
は、導電性ペースト２の最も一般的な例である。図で
は、導電性ペースト２は、面８と面１０との間に設けら
れているように示されている。通常、片状の銀粒子は、
浸透メカニズム（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍ）によって導電性を与え、他方、エポキシマト
リックスは、コンポーネントと基板との間に接着剤接合
を与える。この銀充てんエポキシ材料は、電子応用にお
いてダイボンディング材料として長く用いられてきた。
そこでは、導電特性よりもむしろその良好な伝熱特性が
用いられる。しかし、この銀充てんエポキシ材料は、高
導電性および微小ピッチ接続が要求される応用には受け
入れられなかった。銀充てんエポキシ材料は、次のよう
ないくつかの制限を有している。すなわち、低い導電
率、熱曝露中の接触抵抗の増大、低い接合強度、銀マイ
グレーション、リワークの困難性などである。この銀充
てんエポキシ材料は、すべての方向に導電性を与えるの
で、導電性において“等方性”として分類される。一方
向にのみ導電性を与える他の種類の導電性接着剤（また
はフィルム）が存在する。この種の材料は、図２（Ａ）
に示されるように、“異方性”導電接着フィルム１２と
して知られている。このフィルムは、バインダまたは接
着材料２０内に導電性粒子１８を含んでいる。異方性導
電性接着剤またはフィルム１２は、図２（Ｂ）に示すよ
うに、２つの導電面２２と２４との間で圧縮されるとき
のみ、導電性となる。このプロセスは、通常、熱と圧力
とを必要とする。異方性導電性フィルムの主な応用は、
液晶表示パネルの電子プリント回路板への接合において
である。導電性粒子１８は、ハンダボール、あるいはニ
ッケルおよび金で被覆されたプラスチックボールのよう
に、通常は変形可能である。バインダまたは接着材料２
０は主に熱硬化性樹脂である。
【００１０】本出願人の米国特許出願第０８／６４１４
０６号明細書に記載されているＳｎメッキされたＣｕ粉
とポリイミド−シロキサン樹脂とから作られたＥＣＰ
は、セラミック基板に対するＣ４（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅ
ｄ ｃｏｌｌａｐｓｅ ｃｈｉｐ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏ
ｎｓ）およびハンダボール接続（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌ
ｌ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ；ＳＢＣ）のような高温ハン
ダ接合のための優れた候補である。しかし、ポリマ・プ
リント回路板の応用にとって、このＥＣＰは適切でな
い。というのは、２５０℃のようなリフロー温度は、ポ
リマ樹脂、例えばＦＲ−４のガラス転移温度よりもかな
り高いからである。ポリマ・プリント回路板の応用につ
いての候補は、インジウム，錫−ビスマス合金，または
インジウム−錫合金でメッキされたＣｕ粉を、ポリイミ
ド−シロキサン樹脂で調合することにより作られたＥＣ
Ｐである。これらの粉末ペーストのリフロー温度は、１
２０〜１８０℃の間であると予測される。このリフロー
温度は、Ｐｂ／Ｓｎ共晶ハンダのリフロー温度（２１５
℃）よりもかなり低い。
【００１１】本出願人は、米国特許出願第０８／４１
４，０６３号明細書で、固い不活性なカソード上で、電
解メッキすることによって、Ｓｎの被膜、またはＳｎお
よびＢｉＳｎの被膜でオーバコートされた樹脂状銅粉を
製造する方法を開示した。この方法により作ることので
きる粉末の形態は、樹脂状に制限される。樹脂状は、す
べてのＥＣＰ応用について必ずしも好適なものではな
い。
【００１２】ハンダ／ポリマ複合ペーストが、米国特許
第５，０６２，８９６号明細書に開示されている。この
ペーストは、Ｂｉ−Ｓｎ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ−Ｐ
ｂ合金のような溶解し得るハンダ粉充てん材をかなりの
割合で含み、わずかな割合のポリイミド−シロキサンの
ような熱可塑性ポリマと、わずかな割合のフラックス剤
とを含んでいる。酸化物の無い、部分的に合体したハン
ダ合金接続が得られる。このハンダ合金接続は、低いリ
フロー温度で、または特にポリマ溶媒の存在下で、ポリ
マ強化され、再加工可能である。
【００１３】米国特許第５，２８６，４１７号明細書
は、易融性導電性接着剤が開示されている。この接着剤
は、Ｓｎ−ＡｕおよびＢｉ−Ａｕのような合金充てん材
と、この合金充てん材の溶融温度にほぼ一致するガラス
転移温度を有する熱可塑性ポリマとを含んでいる。ポリ
マ中への導電材料の負荷は、約１５％〜約２０重量％で
ある。
【００１４】米国特許第５，１３６，３６５号明細書
は、次のような接着材料が開示されている。この接着材
料は、エポキシ樹脂のマトリックス内に、フラックス剤
と、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ａｇなどのような
リフローハンダ付に用いる金属粒子とを含んでいる。リ
フローハンダ付する際に、前記接着剤は、電気コンポー
ネントと基板との間に、異方導電性を形成する。
【００１５】米国特許第５，２１３，７１５号明細書に
おいて、方向性のある導電性ポリマが開示されている。
この導電性ポリマは、ＮｉまたはＣｕの金属充てん材粉
末を含んでいる。金属粉は、マトリックス樹脂として用
いられるポリマとは異なるポリマによって被覆される。
圧縮すると、被覆されたポリマは溶解し、充てん材粒子
の間に導電性を形成する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、環境
的に安全で低コストの導電性ペースト材料を提供するこ
とにある。
【００１７】本発明の他の目的は、従来の銀充てんエポ
キシよりも高い導電率を与える導電性ペースト材料を提
供することにある。
【００１８】本発明のさらに他の目的は、従来の銀充て
んエポキシよりも高い接合強度を与える導電性ペースト
材料を提供することにある。
【００１９】本発明のさらに他の目的は、Ｐｂ−Ｓｎ共
晶ハンダペーストのリフロー温度よりも低い温度で処理
できる導電性ペースト材料の製造方法を提供することに
ある。
【００２０】本発明のさらに他の目的は、特に銀マイグ
レーションに関して、従来の銀充てんエポキシよりもよ
り信頼性のある接合を与える導電性ペースト材料を提供
することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の広い態様は、熱
可塑性フェノキシポリマ樹脂，ポリイミド−シロキサン
樹脂，またはスチレンアリルアルコール樹脂樹脂内の複
数の粒子より形成された導電性材料である。各粒子は、
導電性被膜を有しており、導電性被膜は、隣接粒子の導
電性被膜に融合して、融合粒子の網目を形成する。
【００２２】本発明の他の広い態様は、導電性材料の被
膜を有する粒子と、ポリマ材料とを含むペーストであ
る。
【００２３】本発明のさらに他の広い態様は、２つの面
間に導電接合を形成する方法である。これによれば、導
電性被膜を有する粒子と、ポリマ材料とからなるペース
トを形成する。ペーストは、接着的および電気的に接合
される２つの面間に設けられる。熱が加えられて、導電
性粒子は互いに融合し、また粒子はコンタクトパッドに
金属結合（ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｌｙ ｂｏｎ
ｄ）し、ポリマ材料は硬化される。
【００２４】
【発明の実施の形態】１つの特定の実施の形態では、錫
被覆された銅粉と、ポリイミド−シロキサンと、溶媒
（Ｎ−メチルピロリジノンすなわちＮＭＰ）と、カルボ
ン酸／界面活性剤とを含む新しい導電性ペースト材料を
開示する。接合は、Ｓｎの溶融温度（２３０℃）の近傍
で行うことができる。この場合、Ｓｎ−ＳｎまたはＳｎ
−Ａｕの金属結合は、粒子−粒子の界面、および粒子−
基板パッドの界面で行われる。接合プロセスは、固体状
態反応または液体−固体反応とすることができる。ポリ
マ硬化プロセスを、ペースト調合物に応じて、接合プロ
セスと組合せることもできる。金属結合の故に、銀−エ
ポキシ材料で作られた接合よりも、新しいペースト材料
で作られた接合は、高い導電率が期待される。金属結合
は、また、熱曝露およびサイクル時に、新しい接合の安
定した導電率を与える。金属結合および接着材の接合の
組合せ効果から、より高い接合強度が期待される。応用
に応じて、錫被覆された粉末の粒子サイズ、ポリマ・マ
トリックスの組成、充てん材料の量を調整することがで
きる。この導電ペーストは、主に金属結合に基づいてい
るので、受け入れることのできる導電率のレベルを実現
するのに要求される充てん材料の限界量は、従来のＡｇ
−エポキシ・ペーストよりもかなり小さい。
【００２５】他の実施の形態では、所望の熱的特性およ
びレオロジー特性を実現するための適切な機能化（ｆｕ
ｎｃｔｉｏｎａｌｉｚａｔｉｏｎ）後の、再生可能な資
源またはバイオ・ベースの材料から準備されたポリマ樹
脂の使用を提案する。例えば、ＮＳＦ Ｇｒａｎｔ＃Ｂ
ＣＳ８５−１２６３６（Ｗ．Ｇ．Ｇｌａｓｓｅｒおよび
Ｔ．Ｃ．Ｗａｒｄ）の最終レポートを参照されたい。リ
グニン（製紙メーカの製品による），セルロース，桐油
または植物油は、このための候補となり得る。これらの
材料を用いることは環境的に望ましい。というのは、こ
れらの材料は、自然の再生可能な資源から取り出され、
電子製品の耐用寿命がつきたときに、より容易に廃棄す
ることができるからである。これは、特に魅力的であ
る。というのは、Ｃｕ−Ｓｎ粉末の使用は、鉛（Ｐｂ）
含有ハンダの使用を排除し、その結果得られるペースト
剤は、無毒であり、廃棄が容易である。
【００２６】図３は、本発明による新しい導電性ペース
ト（ＥＣＰ）材料３０を示す。このペースト材料は、導
電性充てん材料として、導電性被膜３２を有する粒子３
４と、ポリママトリックス３６とからなる。粒子３４
は、好ましくは、Ｃｕ粒子である。被膜３２は、好まし
くは、錫，インジウム，ビスマス，アンチモン，または
これらの混合物である。ポリマーマトリックスは、好ま
しくは、熱可塑性プラスチック、最も好ましくは、ポリ
イミド−シロキサン，またはフェノキシポリマまたはス
チレンアリルアルコール樹脂である。本発明を好適な実
施の形態によって説明するが、これに限定されるもので
はない。
【００２７】銅粉への錫メッキの最初の工程は、希硫酸
中で微細銅粉を洗浄することである。用いられる銅粉
は、形状が球形であり、直径が２〜８μｍのサイズ分布
を有している。これは、Ｄｅｇｕｓｓａ Ｃｏｒｐｏｒ
ａｔｉｏｎ（Ｓｏｕｔｈ Ｐｌａｉｎｆｉｅｌｄ，Ｎ
Ｊ．）から市販されている。錫メッキは、浸漬錫メッキ
溶液ＴＩＮＰＯＳＩＴ ＬＴ−３４（Ｓｈｉｐｌｅｙ，
Ｎｅｗｔｏｎ，ＭＡから市販されている）で、清浄な銅
粉上に行われる。錫の最適な厚さは、５〜７μｍのＣｕ
粉上で０．３〜０．５μｍである。洗浄した後、錫メッ
キされた銅粉を、すぐに洗浄不要フラックスＦＬＵＸ３
０５（Ｑｕａｌｉｅｋ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，
Ｉｎｃ．，Ａｄｄｉｓｏｎ，ＩＬから市販されている）
と混合する。このことは、錫メッキ銅粉が導電性ペース
トに処理されるまで、錫メッキ銅粉が酸化するのを防止
する。錫メッキ銅粉は、ポリイミド−シロキサン，フェ
ノキシポリマ，またはスチレンアリルアルコール樹脂
と、ＮＭＰ溶媒または安息香酸エチルと、酪酸と、エチ
レングリコールと混合することによって、導電性ペース
トに調合される。ポリママトリックスに対する充てん粉
末の相対量は、応用によって、３０〜９０重量％の範囲
で変わる。一般に、等方導電性に対しては、高重量％の
充てん粉末が必要とされ、一方、異方導電性に対して
は、低重量％の充てん粉末が必要とされる。成分の一様
な分散を得るために、混合物を３ロールせん断ミルで処
理する。また、ペースト中の充てん粉末の量（ｖｏｌｕ
ｍｅ）を調整することによって、粘度が制御される。充
てん粉末の重量％が低い、例えば３０重量％のとき、所
望のフットプリント上にペーストを与える前に、ペース
トの粘度を調整するために、例えば１００℃，１時間の
溶媒乾燥処理が必要とされる。
【００２８】電気的および機械的特性を特徴づけるため
に、錫メッキ銅充てん導電性ペーストで作られた接合試
料を、２つの“Ｌ形”の銅片を積層することによって作
製する。積層は、Ｓｎの溶融温度よりわずかに高い温
度、例えば２５０℃で、１．７５ｋｇ（ｗｔ）ｃｍ
-2（２５ｐｓｉ）の圧力で行われる。導電率の値を比較
するために、市販のＡｇ−エポキシおよびＳｎ／Ｐｂ共
晶ハンダペースト材料を用いることによって、類似のプ
ロセスの下で、他の接合試料を作製する。本発明のペー
ストで作られた接合試料は、最低の電気抵抗値を示し
た。例えば、約０．１２７×約０．１２７ｃｍ（約０．
０５０インチ×約０．０５０インチ）の接触領域につい
て、ＳｎメッキＣｕペーストに対しては２．６×１０-5
オーム、Ｓｎ／Ｐｂハンダペーストに対しては４．７×
１０-5オーム、Ａｇ−エポキシに対しては７．３×１０
-5オームである。本発明のペーストの抵抗は、Ｓｎ／Ｐ
ｂハンダペーストの抵抗よりもかなり小さい。このこと
は、銅とＳｎ／Ｐｂハンダとのバルク導電率の差に帰す
ることができる。
【００２９】接合強度の測定値は、本発明のペーストを
用いて作った接合が、Ａｇ−エポキシ・ペーストで作ら
れたペーストよりも高い接合強度を有することを証明し
ている。
【００３０】ＳｎメッキされたＣｕ粉と、ポリイミド−
シロキサン樹脂またはフェノキシポリマまたはスチレン
アリルアルコール樹脂とで作られたＥＣＰは、セラミッ
ク基板へのＣ４およびハンダボール接続（ＳＢＣ）のよ
うな高温ハンダ接合に対する優れた候補である。しか
し、ポリマ・プリント回路板の応用にとって、このＥＣ
Ｐは適切ではない。というのは、２５０℃といったリフ
ロー温度は、ポリマ樹脂、例えばＦＲ−４のガラス転移
温度よりもかなり大きい。ポリマ・プリント回路板のた
めの候補は、ポリイミド−シロキサンまたはフェノキシ
ポリマまたはスチレンアリルアルコール樹脂樹脂で調合
されたインジウムメッキＣｕ粉で作られたＥＣＰであ
る。インジウムメッキＣｕ粉ペーストのリフロー温度
は、約１８０℃である。これは、Ｐｂ／Ｓｎ共晶ハンダ
のリフロー温度（２１５℃）よりもかなり低い。図４に
おいて、このペーストは、面４０と面４２との間に設け
られ、リフロー温度に加熱される。これは、粒子３４の
導電性被膜３２を、隣接粒子の導電性被膜３２に融合さ
せて、それらの間に接合４４を形成する。さらに、金属
結合４６が、面４２とこれら面に隣接する粒子との間に
形成される。
【００３１】環境問題の点から、機能化リグニン，セル
ロース，および桐油または植物油のような再生可能また
はバイオ・ベースの系から作られた他のポリマ樹脂もま
た用いることができる。これらの樹脂は、生物分解性で
あり、または非化石燃料資源で作られ、電子製品がそれ
らの耐用寿命で解体されるときに、リサイクルを容易に
する。
【００３２】図５は、本発明の導電性ペーストを用いる
ことによって、ＰＣＢ５０に取り付けられたＩＣパッケ
ージを示す。導電性ペーストは、従来のハンダペースト
で実施されるように、ＰＣＢ上の各銅ボンディング・パ
ッド５２上にスクリーン印刷される。パッド５２は、典
型的に、Ｓｎ被膜５４を有している。ペースト５６は、
Ｓｎ被膜５４と、Ｓｎ５８が被覆されたリードフレーム
６０との間に設けられる。リードフレーム６０は、ＳＭ
Ｔプラスチックパッケージ６２をＰＣＢ５０に電気的に
相互接続する。微小ピッチＳＭＴアセンブリは、典型的
に、約０．６３５ｍｍ（約０．０２５インチ）以下のパ
ッド間隔を用いている。したがって、錫被覆された粉末
の粒子サイズは、５〜１０μｍでなければならない。接
合は、１２０〜１５０℃の温度でのポリマ硬化プロセス
と組み合わされる。この低温プロセスは、ハンダ付プロ
セスに比べて、ＰＣＢへの熱歪みをかなり小さくする。
さらに、接合プロセスは、外部フラックスは不要で、フ
ラックス洗浄工程は要求されない。
【００３３】図６は、表面ラミネート回路（ｓｕｒｆａ
ｃｅ ｌａｍｉｎａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ；ＳＬＣ）
のような高密度回路カード６３に取り付けられたＩＣチ
ップ６５を示す。本発明の導電性ペースト材料６４が、
チップパッド６６のフットプリントと整合する２次元ア
レイで与えられる。チップサイド上の接合金属は、好ま
しくはＣｒ／Ｃｕ／Ａｕであり、Ａｕ−Ｓｎ接合が、こ
の界面で形成されることが予測される。熱可塑性ポリマ
樹脂で形成された導電接合は、約２００℃に加熱するこ
とによって、または溶媒としてのＮＭＰの存在化で、リ
ワークすることができる。Ｃ４ハンダバンプを用いる直
接チップ取り付けの場合、カプセル封止プロセスを用い
て、ハンダ接合の所望の熱疲労耐性を得る。この応用で
は、ポリママトリックスは、フレキシブル相として働
く。このフレキシブル相は、基板とコンポーネントとの
間の熱不整合歪みを吸収することができる。さらに必要
ならば、ペーストパッド間のスペースを他のポリマでカ
プセル封止して、熱疲労耐性をさらに増大させることが
できる。
【００３４】図７は、Ｃ４チップのウェハスケール・バ
ーンインの応用を示す。導電性ペースト材料７０が、多
層セラミック基板７２上に設けられる。この基板のパッ
ド・フットプリント７４は、シリコンウェハ・パッド・
フットプリント７６と整合している。フットプリント７
６上には、テストされバーンインされるＣ４ハンダマウ
ンド７８が設けられている。ＭＬＣ基板は、バーンイン
中にチップに電力を供給することが要求される相互接続
と、ピングリッド・アレイ８０を経た外部Ｉ／Ｏとを与
える。基板上の導電性ペーストは硬化され、Ｓｎ被覆粒
子は、バーンイン工程の前に、ウェハ７７上のＣ４と接
合される。バーンイン処理は、典型的に１５０℃，６時
間で行われる。バーンイン後、基板はウェハより分離さ
れ、次のようにして再び使用することができる。すなわ
ち、テスト中にＣ４バンプから移った残留ハンダをエッ
チング除去し、あるいはＮＭＰでパッドを溶解し、ペー
ストを再スクリーン印刷して、新しいパッドを形成す
る。チップのＣ４パッド自体は、ペーストとハンダとの
間の制限された金属接触面積および圧力の故に、変更さ
れた形状または組成を有しないであろう。したがって、
適切な溶媒（ＮＭＰのような）で良好なチップを洗浄
し、これらを、なんらの問題もなく、および追加のリフ
ロー工程を必要とすることもなく、普通のプロセスで、
基板上に実装することができる。
【００３５】図８は、本発明の導電性ペーストを製造す
るのに有用な熱可塑性ポリマ樹脂の化学分子構造を示
す。その代表例は、ＵＣＡＲフェノキシポリマ樹脂（Ｕ
ｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ ａｎ
ｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．，Ｄ
ａｎｂｕｒｙ，ＣＴ．により市販されている）である。
フェノキシポリマ樹脂は、高い凝集力と良好な耐衝撃性
とを有する強じんで延性がある熱可塑性プラスチックで
あると報告されている。フェノキシ樹脂は、また、９８
℃のガラス転移温度および１８０℃の流動温度を有する
熱的に安定した材料であり、高温で高速に処理すること
ができると報告されている。フェノキシ樹脂は、極性
（ｐｏｌａｒ）基板および充てん物に対する濡れ性およ
び接着性を増大させるエーテル結合およびペンダント・
ヒドロキシル基を有している。
【００３６】プリント回路板への表面実装パッケージ・
アセンブリ、微小ピッチカードへの直接チップ取り付
け、およびフリップチップのウェハスケール・バーンイ
ンの応用に用いられる本発明の新しい導電性ペースト材
料の例には、次のようないくつかの種類の調合物があ
る。
【００３７】Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓｂおよびそれらの合
金のような、低融点の無毒金属の薄い層で被覆され、洗
浄不要または可溶性のフラックスのような環境上安全な
フラックス剤と混合された銅粉。
【００３８】ポリイミド−シロキサンと、ＮＭＰ溶媒
と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要フラ
ックスとで混合された錫被覆銅粉。
【００３９】フェノキシ・ポリマと、安息香酸エチル
と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要フラ
ックスとで混合された錫被覆銅粉。
【００４０】スチレンアリルアルコール樹脂と、安息香
酸エチルと、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄
不要フラックスとで混合された錫被覆銅粉。
【００４１】再生可能またはバイオ・ベースのポリマ樹
脂と、適切な溶媒と、酪酸およびエチレングリコールま
たは洗浄不要フラックスとで混合された錫被覆銅粉。
【００４２】ポリイミド−シロキサンと、ＮＭＰ溶媒
と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要フラ
ックスとで混合されたインジウム被覆銅粉。
【００４３】フェノキシ・ポリマと、安息香酸エチル
と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要フラ
ックスとで混合されたインジウム被覆銅粉。
【００４４】再生可能またはバイオ・ベースのポリマ樹
脂と、適切な溶媒と、酪酸およびエチレングリコールま
たは洗浄不要フラックスとで混合されたインジウム被覆
銅粉。
【００４５】再生可能またはバイオ・ベースのポリマ樹
脂と、適切な溶媒と、酪酸およびエチレングリコールま
たは洗浄不要フラックスとで混合されたビスマス／錫合
金被覆銅粉。
【００４６】フェノキシ・ポリマと、安息香酸エチル
と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要フラ
ックスとで混合されたビスマス／錫合金被覆銅粉、３０
〜９０重量％のインジウム被覆された銅粉と、ポリイミ
ド−シロキサンと、ＮＭＰ溶媒と、酪酸およびエチレン
グリコールまたは洗浄不要フラックスとを含む、表面実
装応用に最適な調合物、３０〜９０重量％のインジウム
被覆された銅粉と、ポリイミド−シロキサンと、ＮＭＰ
溶媒と、酪酸およびエチレングリコールまたは洗浄不要
フラックスとを含む、直接チップ取り付け応用に最適な
調合物、３０〜９０重量％の錫被覆された銅粉と、ポリ
イミド−シロキサンと、ＮＭＰ溶媒と、酪酸およびエチ
レングリコールまたは洗浄不要フラックスとを含む、バ
ーンイン応用に最適な調合物。
【００４７】フェノキシポリマは、次の一般的な構造式
を有している。
【００４８】
【化３】 ｎ≧１、好ましくは２０００≧ｎ≧１であり、ｍ＝０ま
たは１であり、Ｒ0 は、
【００４９】
【化４】 または−Ｏ−であり、Ｒ2 およびＲ3 は、好ましくは
Ｈ，ＣＨ3 ，Ｃ3 Ｈ2S+1，ＣＦ3 （Ｓ≧１、好ましくは
６≧Ｓ≧１）よりなる有機基であり、Ｒ4 は、Ｈまたは
有機ラジカルである。
【００５０】本発明の導電性ペーストは、アディティブ
Ｃｕ技術またはサブトラクティブＣｕ技術のいずれかに
代わって、従来のプリント回路板において、導電ライ
ン，グランド・プレーン，およびバイア充てん物として
用いることができる。このことは、処理工程および化学
物質の排除を容易にし、したがって、コストと、プリン
ト回路板製造に関連した環境への影響を低減する。
【００５１】本発明を好適な実施の形態に基づいて説明
したが、当業者であれば、本発明の趣旨と範囲から逸脱
することなく、多くの変形，変更，改良を行うことがで
きる。
【００５２】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）１種以上のフェノキシポリマとスチレンアリルア
ルコール樹脂とよりなる群から選ばれた樹脂内に複数の
粒子を含み、前記複数の粒子の各々は、導電性被膜を有
し、前記粒子の少なくともいくつかは、前記導電性被膜
を介して他の前記粒子に融合する、ことを特徴とする構
造。 （２）前記複数の粒子は、ポリマ材料内に埋め込まれて
いることを特徴とする上記（１）に記載の構造。 （３）前記構造は、電気的相互接続手段であることを特
徴とする上記（１）に記載の構造。 （４）前記導電性被膜は、前記粒子の溶融温度より低い
溶融温度を有することを特徴とする上記（１）に記載の
構造。 （５）第１の面と第２の面とをさらに有し、これら面の
間に前記構造が設けられて、前記第１の面と第２の面と
の間に相互接続を与えることを特徴とする上記（１）に
記載の構造。 （６）前記ポリマ材料は、熱可塑性プラスチックである
ことを特徴とする上記（２）に記載の構造。 （７）前記粒子は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐｄ，Ｐ
ｔよりなる群から選ばれた材料で形成されることを特徴
とする上記（１）に記載の構造。 （８）前記導電性被膜は、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｂ，およびこれらの混合物よりなる群から選ばれ
ることを特徴とする上記（１）に記載の構造。 （９）前記ポリマ材料は、ポリイミドと、シロキサン
と、ポリイミド−シロキサンと、フェノキシポリマと、
スチレンアリルアルコール樹脂と、リグニン，セルロー
ス，桐油，植物油から取り出されたバイオ・ベースのポ
リマ樹脂とよりなる群から選ばれることを特徴とする上
記（２）に記載の構造。 （１０）前記ポリマ材料は、熱可塑性接着剤であること
を特徴とする上記（２）に記載の構造。 （１１）前記ポリマ材料は、熱可塑性接着剤であること
を特徴とする上記（９）に記載の構造。 （１２）前記ポリマ材料は、前記第１の面と前記第２の
面との接着材接合を与えることを特徴とする上記（５）
に記載の構造。 （１３）前記第１の面は、第１の電子デバイスの接触場
所であり、前記第２の面は、第２の電子デバイスの接触
場所であることを特徴とする上記（５）に記載の構造。 （１４）前記第１の電子デバイスは、半導体チップであ
り、前記第２の電子デバイスは、パッケージング基板で
あることを特徴とする上記（１３）に記載の構造。 （１５）前記第１および第２の面は、ハンダ面であるこ
とを特徴とする上記（５）記載の構造。 （１６）前記構造は、電子デバイスであることを特徴と
する上記（１）に記載の構造。 （１７）前記構造は、演算デバイスであることを特徴と
する上記（１６）に記載の構造。 （１８）間に空間を有して相互接続された粒子の網目を
有し、前記粒子の各々は、その上に可融材料よりなる被
膜を有し、前記網目内の隣接粒子は、前記可融材料によ
って互いに接着し、前記空間は、１種以上のフェノキシ
ポリマおよびスチレンアリルアルコール樹脂よりなる群
から選ばれた樹脂を含む、ことを特徴とする構造。 （１９）前記空間は、ポリマ材料を含むことを特徴とす
る上記（１８）に記載の構造。 （２０）１種以上のフェノキシポリマとスチレンアリル
アルコール樹脂とよりなる群から選ばれたポリマ材料内
に埋め込まれ、導電性被膜を有する粒子のペーストを用
意するステップと、第１の導電面と第２の導電面との間
に前記ペーストを設けるステップと、隣接する粒子上の
前記導電性被膜を融合させるのに充分な第１の温度に前
記ペーストを加熱して、間に空間を有して相互接続され
た粒子の網目を形成するステップと、前記空間内の前記
ポリマ材料を硬化させるのに充分な第２の温度に前記ペ
ーストを加熱するステップと、を含むことを特徴とする
方法。 （２１）前記導電性被膜は、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，
Ｐｂ，Ｓｂ，およびそれらの混合物よりなる群から選ば
れることを特徴とする上記（２０）に記載の方法。 （２２）前記粒子は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，
Ｐｄ，Ｐｔよりなる群から選ばれる材料で形成すること
を特徴とする上記（２０）に記載の方法。 （２３）前記ポリマ材料は、ポリイミドと、シロキサン
と、ポリイミド−シロキサンと、フェノキシポリマと、
スチレンアリルアルコール樹脂と、リグニン，セルロー
ス，桐油，植物油から作られたバイオ・ベースの樹脂と
よりなる群から選ばれることを特徴とする上記（２０）
に記載の方法。 （２４）前記第１の導電面はチップであり、前記第２の
導電面は基板上にあり、さらに、加熱し電力をを与え
て、前記チップをバーンインするステップと、前記基板
から前記チップを分離するステップと、を含むことを特
徴とする上記（２０）に記載の方法。 （２５）ＳｎとＩｎとからなる群から選ばれた被膜を有
する銅の粒子を含み、前記粒子は、１種以上のフェノキ
シポリマとスチレンアリルアルコール樹脂よりなる群か
ら選ばれた熱可塑性前駆物質および溶媒の内に含まれ
る、ことを特徴とする構造。 （２６）前記粒子は、前記構造の約３０〜約９０重量％
であることを特徴とする上記（１）に記載の構造。 （２７）前記第１の導電面を前記第２の導電面に押圧す
るステップをさらに含むことを特徴とする上記（２０）
に記載の方法。 （２８）前記第１の温度および前記第２の温度は、約１
５０℃〜約２５０℃であることを特徴とする上記（２
０）に記載の方法。 （２９）前記分離ステップは、溶媒の存在下で加熱によ
り行うことを特徴とする上記（２４）に記載の方法。 （３０）フラックス剤と混合された、１種以上のフェノ
キシポリマと、スチレンアリルアルコール樹脂とよりな
る群から選ばれた樹脂内の、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓｂお
よびそれらの混合物よりなる群から選ばれた材料の層で
被覆された銅粉を含む構造。 （３１）ＮＭＰ溶媒と、酪酸およびエチレングリコール
とを含み、さらにポリイミド，シロキサン，ポリイミド
−シロキサン，フェノキシポリマ，スチレンアリルアル
コール樹脂，バイオ・ベースのポリマ樹脂よりなる群か
ら選ばれた材料とをさらに含む上記（３０）に記載の構
造。 （３２）前記銅粉は、前記構造の約３０〜約９０重量％
であることを特徴とする上記（３１）に記載の構造。 （３３）前記粒子は、前記第１および第２の面への金属
接合を形成することを特徴とする上記（５）に記載の構
造。 （３４）前記第１および第２の面は、導電性であること
を特徴とする上記（５）に記載の構造。 （３５）前記フェノキシポリマは、好適には３８単位
（最小分子量のフェノキシポリマ）にほぼ等しいもの、
および非機能性フェノールグリシジルエーテルから形成
された他のポリエーテルよりなる群から選ばれることを
特徴とする上記（１），（１８），（２５）または（３
０）に記載の構造。 （３６）前記フェノキシポリマは、化学式
【００５３】
【化５】 を有し、ｎ≧１、ｍ＝０または１であり、Ｒ0 は、
【００５４】
【化６】 または−Ｏ−であり、Ｒ2 およびＲ3 は、有機基である
ことを特徴とする上記（１），（１８），（２５），ま
たは（３０）に記載の構造。 （３７）２０００≧ｎ≧１であり、Ｒ2 およびＲ3 は
Ｈ，ＣＨ3 ，Ｃ3 Ｈ2S+1，ＣＦ3 （Ｓ≧１、好ましくは
６≧Ｓ≧１）よりなる群から選ばれ、Ｒ4 は、Ｈまたは
有機ラジカルである、ことを特徴とする上記（３６）に
記載の構造。
【図面の簡単な説明】
【図１】エポキシ樹脂のマトリックス内に充てん材とし
て片状の銀粒子を含む、従来の導電性ペーストを示す図
であり、導電性ペーストは、導電性において等方性であ
ると分類される。
【図２】（Ａ）は従来の導電性接着剤を示す図、（Ｂ）
は２つのコンタクト・パッドまたはボンディング・パッ
ド間で、接着フィルムが押圧されたときに一方向におい
てのみ導電性となる状態を示す図であり、この導電性接
着剤（またはフィルム）は、異方性であると分類され
る。
【図３】熱可塑性ポリマ樹脂のマトリックス内に充てん
された球状銅粉を含む、本発明の導電性ペースト材料を
示す図であり、銅粒子は、錫，インジウム，ビスマス，
アンチモン，またはこれらの混合物のような、低融点の
無毒金属で被覆されている。
【図４】熱可塑性ポリマ樹脂のマトリックスに混合され
た、金属被覆の銅粒子を特に含む本発明の導電性ペース
トで作られた相互接続を示す図であり、隣接粒子間、お
よび面と面に隣接する粒子との間に金属結合が形成され
ている。
【図５】本発明の導電性ペーストによって、回路板に接
続された表面実装集積回路パッケージを示す断面図であ
る。
【図６】本発明の導電性ペーストを用いることによっ
て、高密度プリント回路板に直接に取り付けられた集積
回路チップを示す断面図である。
【図７】シリコンウェハ上のＣ４バンプ構造に整合する
導電性ペースト構造と多層セラミック基板とを示す図で
あり、多層セラミック基板は、ウェハスケール・バーン
インおよびチップテストのためのビヒクルとして働く。
【図８】本発明に用いる熱可塑性フェノキシポリマ樹脂
の化学分子構造式である。
【符号の説明】
２ 導電性ペースト ４ 銀粒子 ６ エポキシ ８，１０ 面 １２ 異方性導電性接着フィルム １８ 導電性粒子 ２０ 接着材料 ２２ 導電面 ３０ 導電性ペースト材料 ３２ 導電性被膜 ３４ 粒子 ３６ ポリママトリックス ４０，４２ 面 ４４ 接合 ４６ 金属接合 ５０ プリント回路板 ５２ ボンディング・パッド ５４ Ｓｎ被膜 ５６ ペースト ５８ Ｓｎ ６０ リードフレーム ６２ ＳＭＴプラスチックパッケージ ６３ 高密度回路カード ６５ ＩＣチップ ６４，７０ 導電性ペースト材料 ６６ チップパッド ７２ 多層セラミック基板 ７４，７６ フットプリント ７７ Ｓｉウェハ ７８ Ｃ４ハンダマウンド ８０ ピン・グリッド・アレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サング・ウォン・カング アメリカ合衆国 10514 ニューヨーク州 チャッパカ メイベリー ロード 36 (72)発明者 サンパス・プルショッサマン アメリカ合衆国 10598 ニューヨーク州 ヨークタウン ハイツ ラヴォワイエ コート 2075

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】１種以上のフェノキシポリマとスチレンア
    リルアルコール樹脂とよりなる群から選ばれた樹脂内に
    複数の粒子を含み、 前記複数の粒子の各々は、導電性被膜を有し、前記粒子
    の少なくともいくつかは、前記導電性被膜を介して他の
    前記粒子に融合する、ことを特徴とする構造。
  2. 【請求項２】前記複数の粒子は、ポリマ材料内に埋め込
    まれていることを特徴とする請求項１記載の構造。
  3. 【請求項３】前記粒子は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｐ
    ｄ，Ｐｔよりなる群から選ばれ、 前記導電性被膜は、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓ
    ｂ，およびこれらの混合物よりなる群から選ばれ、 前記導電性被膜は、前記粒子の溶融温度より低い溶融温
    度を有することを特徴とする請求項１記載の構造。
  4. 【請求項４】第１の面と第２の面とをさらに有し、これ
    ら面の間に前記構造が設けられて、前記第１の面と第２
    の面との間に相互接続を与えることを特徴とする請求項
    １記載の構造。
  5. 【請求項５】前記ポリマ材料は、ポリイミド、シロキサ
    ン、ポリイミド−シロキサン、フェノキシポリマ、およ
    びスチレンアリルアルコール樹脂と、並びにリグニン，
    セルロース，桐油，または植物油から作られたバイオ・
    ベースのポリマ樹脂とよりなる群から選ばれることを特
    徴とする請求項２記載の構造。
  6. 【請求項６】間に空間を有して相互接続された粒子の網
    目を有し、 前記粒子の各々は、その上に可融材料よりなる被膜を有
    し、 前記網目内の隣接粒子は、前記可融材料によって互いに
    接着し、前記空間は、１種以上のフェノキシポリマおよ
    びスチレンアリルアルコール樹脂よりなる群から選ばれ
    た樹脂を含む、ことを特徴とする構造。
  7. 【請求項７】１種以上のフェノキシポリマとスチレンア
    リルアルコール樹脂とよりなる群から選ばれたポリマ材
    料内に埋め込まれ、導電性被膜を有する粒子のペースト
    を用意するステップと、 第１の導電面と第２の導電面との間に前記ペーストを設
    けるステップと、 隣接する粒子上の前記導電性被膜を融合させるのに充分
    な第１の温度に前記ペーストを加熱して、間に空間を有
    して相互接続された粒子の網目を形成するステップと、 前記空間内の前記ポリマ材料を硬化させるのに充分な第
    ２の温度に前記ペーストを加熱するステップと、を含む
    ことを特徴とする方法。
  8. 【請求項８】前記粒子は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ａ
    ｌ，Ｐｄ，Ｐｔよりなる群から選ばれ、 前記導電性被膜は、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓ
    ｂ，およびそれらの混合物よりなる群から選ばれ、前記
    導電性被膜は、前記粒子の溶融温度より低い溶融温度を
    有することを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】前記第１の温度および前記第２の温度は、
    約１５０℃〜約２５０℃であることを特徴とする請求項
    ８記載の方法。
  10. 【請求項１０】フラックス剤と混合された、１種以上の
    フェノキシポリマとスチレンアリルアルコール樹脂とよ
    りなる群から選ばれた樹脂内の、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓ
    ｂおよびそれらの混合物よりなる群から選ばれた材料の
    層で被覆された銅粉を含む構造。
  11. 【請求項１１】ＮＭＰ溶媒と、酪酸およびエチレングリ
    コールとを含み、さらにポリイミド，シロキサン，ポリ
    イミド−シロキサン，フェノキシポリマ，スチレンアリ
    ルアルコール樹脂，バイオ・ベースのポリマ樹脂よりな
    る群から選ばれた材料とをさらに含む、請求項１０記載
    の構造。
  12. 【請求項１２】前記銅粉は、前記構造の約３０〜約９０
    重量％であることを特徴とする請求項１または１０記載
    の構造。
  13. 【請求項１３】前記フェノキシポリマは、化学式 【化１】 を有し、ｎ≧１、ｍ＝０または１であり、Ｒ0 は、 【化２】 または−Ｏ−であり、Ｒ2 およびＲ3 は、有機基である
    ことを特徴とする請求項１または１０記載の構造。
  14. 【請求項１４】２０００≧ｎ≧１であり、Ｒ2 およびＲ
    3 はＨ，ＣＨ3 ，Ｃ3 Ｈ2S+1，ＣＦ3（Ｓ≧１、好まし
    くは６≧Ｓ≧１）よりなる群から選ばれ、Ｒ4 は、Ｈま
    たは有機ラジカルである、ことを特徴とする請求項１３
    記載の構造。
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