JPH1142743A - Highly damping material - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly damping material prevented from the deterioration of damping capacity as a whole by preventing a change with the elapse of time in a surface layer and capable of keeping stable damping capacity over a long period of time. SOLUTION: 100 pts.wt. of chlorinated polyethylene and 100 pts.wt. of N,N- dicyclohexylbenzothiazyl-2-sul-namide are kneaded, compounded and processed to mold a base material 12 with a thickness of 1.8 mm and crystalization suppressing layers 14a, 14b comprising chlorinated polyethylene alone or a crosslinked material of chlorinated polyethylene and N,N- dicyclohexylbenzothiazyl-2sulfinamide are formed on both surfaces of the base material in a thickness of 0.1 mm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高減衰材料に関
し、さらに詳しくは、音響ルームの遮音壁、建築構造体
の遮音間仕切、車両の防音壁等に適用される振動や騒音
を吸収する制振材・防音材としての高減衰材料に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high damping material, and more particularly to a vibration damping material for absorbing vibration and noise applied to a sound insulating wall of an acoustic room, a sound insulating partition of a building structure, a sound insulating wall of a vehicle, and the like.・ It relates to high attenuation materials as soundproofing materials.

【０００２】[0002]

【従来の技術】この種の高減衰材料としての高分子系材
料は、典型的な粘弾性材料であり、力学的にモデル化す
るといわゆる「フォークト模型」としてとらえることが
できる。このフォークト模型によればその質量部分が高
分子系材料の質量、ばねが弾性部分、ダッシュポットが
粘性部分としてモデル化されている。2. Description of the Related Art A polymer material as a high damping material of this type is a typical viscoelastic material, and can be regarded as a so-called "Valkt model" when it is dynamically modeled. According to this Voigt model, the mass part is modeled as the mass of the polymer material, the spring is modeled as an elastic part, and the dashpot is modeled as a viscous part.

【０００３】高分子材料の材料微小部をこのモデルでと
らえれば、高分子材料はこのモデルが無数に結合して形
成されたものであり、材料微小部が何等かの原因で振動
すると、夫々の材料微小部には複素正弦歪（ε^* ）が発
生し、これにより複素正弦応力（σ^* ）が発生する。こ
れらの比をとることにより複素弾性係数（Ｅ^* ）が次の
式により与えられる。 複素弾性係数（Ｅ^* ）＝複素正弦応力（σ^* ）／複素正
弦歪（ε^* ）[0003] If a minute material portion of a polymer material is captured by this model, the polymer material is formed by connecting the model innumerably, and when the material minute portion vibrates for some reason, each polymer material is formed. A complex sinusoidal strain (ε ^* ) is generated in the minute material portion, thereby generating a complex sinusoidal stress (σ ^* ). By taking these ratios, the complex elastic modulus (E ^* ) is given by the following equation. Complex modulus of elasticity (E ^* ) = complex sinusoidal stress (σ ^* ) / complex sinusoidal strain (ε ^* )

【０００４】そしてこの複素弾性係数（Ｅ^* ）の実数部
は、材料の弾性的な性質に係る貯蔵弾性係数（Ｅ’）と
定義され、その虚数部は、材料の粘性的な性質に係る損
失弾性係数（Ｅ”）と定義され、これらの比をとること
により損失正接（ｔａｎδ）が次の式により与えられ
る。 損失正接（ｔａｎδ）＝損失弾性係数（Ｅ”）／貯蔵弾
性係数（Ｅ’） この損失正接（ｔａｎδ）は、制振・防音特性を決定す
る因子の一つであり、この値が高いほど力学的エネルギ
ーを電気あるいは熱エネルギーとして吸収・放出して、
吸音特性や制振特性等に優れていることが知られてい
る。高減衰材料の損失正接（ｔａｎδ）として求められ
る値は、０．５以上である。The real part of the complex elastic modulus (E ^* ) is defined as the storage elastic modulus (E ') related to the elastic properties of the material, and the imaginary part is the loss related to the viscous properties of the material. By taking these ratios, the loss tangent (tan δ) is given by the following equation: loss tangent (tan δ) = loss elastic modulus (E ″) / storage elastic modulus (E ′). The loss tangent (tan δ) is one of the factors that determine the vibration damping and soundproofing characteristics. The higher this value, the more the mechanical energy is absorbed or released as electric or thermal energy.
It is known that it has excellent sound absorption characteristics and vibration damping characteristics. The value obtained as the loss tangent (tan δ) of the high attenuation material is 0.5 or more.

【０００５】系全体の損失係数（η）もまた、上述した
損失正接（ｔａｎδ）と同様に制振・防音特性を決定す
る因子の一つとして挙げられ、この値が高いほど制振特
性等に優れていることが知られている。高減衰材料の損
失係数（η）として求められる値は、０．１以上であ
る。[0005] The loss coefficient (η) of the entire system is also cited as one of the factors that determine the damping / sound-proofing characteristics in the same manner as the loss tangent (tan δ) described above. It is known to be excellent. The value obtained as the loss coefficient (η) of the high attenuation material is 0.1 or more.

【０００６】さらに、より優れた防音・制振機能を実現
するために、固体伝播音にあっては振動する物からの放
射音の抑制を図ることにより高い損失正接（ｔａｎδ）
を実現し、気体伝播音にあっては低周波数領域で発生す
る音の吸収を図ることにより１０^-6程度の歪に対して応
答可能な薄膜材料を実現すればよいことが見い出されて
いる。Further, in order to realize more excellent soundproofing and vibration damping functions, a high loss tangent (tan δ) is obtained by suppressing the sound radiated from a vibrating object in a solid-borne sound.
It has been found that it is only necessary to realize a thin film material that can respond to a distortion of about 10 ⁻⁶ by absorbing the sound generated in a low frequency region in the gas propagation sound.

【０００７】さらにまた、こうした高減衰材料は、ある
一定の温度域で使用されるとは限らないことから使用温
度域が多数存在する場合や使用温度域が広い場合には損
失正接が広い温度域にわたって高く保たれていることも
要求される。Furthermore, since such a high attenuation material is not always used in a certain temperature range, the loss tangent is wide in a case where a large number of use temperature ranges exist or a wide use temperature range is used. It is also required to be kept high throughout.

【０００８】そこで、本出願人は、上記した要求特性を
満たす高い損失正接（ｔａｎδ）を示す高減衰材料とし
て、特願平９−１２３３８７号において、誘電体物質を
所定の体積比でポリマー材料に分散させ、これに熱処理
工程及び成型工程等を施して得られる材料を提案してい
る。この高減衰材料を構成する誘電体物質としては、
Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフ
ェンアミド（三新化学製：商品名「サンセラーＤＺ」）
を採用し、ポリマー材料としては、塩素化ポリエチレン
（昭和電工製：商品名「エラスレン４０１Ａ」）を採用
している。In view of the above, the applicant of the present invention has disclosed in Japanese Patent Application No. 9-12387 as a high-attenuation material which exhibits a high loss tangent (tan δ) that satisfies the above-mentioned required characteristics. They propose a material obtained by dispersing and subjecting it to a heat treatment step and a molding step. As a dielectric substance constituting this high attenuation material,
N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide (manufactured by Sanshin Chemical: trade name "Suncellar DZ")
And chlorinated polyethylene (manufactured by Showa Denko: trade name "Eraslen 401A") as the polymer material.

【０００９】さらにまた、本出願人は、この改良技術と
して、特願平９−１３７６６５号において、上記した誘
電体物質とポリマー材料との混合物にフタル酸ジオクチ
ルあるいはリン酸トリクレシル等の添加剤を加えること
により、広い温度範囲において高い損失正接（ｔａｎ
δ）を実現することができる材料を提案している。Further, as an improved technique, the present applicant discloses in Japanese Patent Application No. 9-137665 that an additive such as dioctyl phthalate or tricresyl phosphate is added to a mixture of the above-mentioned dielectric substance and polymer material. As a result, a high loss tangent (tan) over a wide temperature range is obtained.
δ) have been proposed.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特願平
９−１２３３８７号及び特願平９−１３７６６５号にお
いて開示されている誘電体物質としてＮ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミドを用
い、ポリマー材料として塩素化ポリエチレンを用いた高
減衰材料は、その損失正接（ｔａｎδ）に経時変化が見
られることがわかっている。この経時変化は、材料の結
晶化によるものであるが、この結晶化は、高減衰材料の
減衰性能を劣化させる原因の一つとなっている。したが
って、耐用寿命を長く持たせることが必要な場合には、
上述した高減衰材料では所期する性能が得られない。However, N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide is used as a dielectric substance disclosed in Japanese Patent Application Nos. 9-12387 and 9-137665. It has been found that the loss tangent (tan δ) of the high attenuation material using chlorinated polyethylene as the polymer material changes with time. This change with time is due to crystallization of the material, and this crystallization is one of the causes of deteriorating the damping performance of the high damping material. Therefore, when it is necessary to extend the useful life,
The high damping materials described above do not provide the desired performance.

【００１１】図３は、この高減衰材料のプレス直後の損
失正接（ｔａｎδ）とプレス後２週間後の損失正接（ｔ
ａｎδ）とを比較して示したものであるが、この図に示
したように、２週間という短期間であっても、０℃〜３
０℃の温度範囲にわたって損失正接（ｔａｎδ）がかな
りの割合で減少している。特にピーク付近においては、
２週間後のものは、プレス直後の損失正接（ｔａｎδ）
に対して約２／３にまで減少している。FIG. 3 shows the loss tangent (tan δ) of the high damping material immediately after pressing and the loss tangent (tn) two weeks after pressing.
anδ), and as shown in this figure, even in a short period of 2 weeks, 0 ° C to 3 ° C.
Over a temperature range of 0 ° C., the loss tangent (tan δ) decreases at a considerable rate. Especially near the peak,
Two weeks later, loss tangent (tan δ) immediately after pressing
To about 2/3.

【００１２】そこで、この経時変化の原因を特定するた
めに次のようにして結晶データを収集した。まず、経時
変化を起こした高減衰材料のサンプルに１００℃前後の
温度で加熱処理を施す。そして熱処理前後の両サンプル
について走査型電子顕微鏡で観察し、熱処理前後のサン
プルの写真撮影を行う。熱処理前後のサンプルの写真の
図示はここでは控えるが、それによれば、熱処理前のサ
ンプルには経時変化によって形成された結晶が多く見ら
れるのに対し、熱処理後のサンプルではその結晶が消失
していることが確かめられた。Therefore, in order to identify the cause of the change with time, crystal data was collected as follows. First, a heat treatment is performed on a sample of a high attenuation material that has undergone a temporal change at a temperature of about 100 ° C. Then, both samples before and after the heat treatment are observed with a scanning electron microscope, and photographs of the samples before and after the heat treatment are taken. Although illustration of photographs of the sample before and after the heat treatment is omitted here, according to this, a large number of crystals are formed in the sample before the heat treatment due to aging, while the crystal disappears in the sample after the heat treatment. It was confirmed that there was.

【００１３】次いで熱処理前後の両サンプルについて密
度の測定をした。これにより、熱処理前のサンプルの密
度が１．１６６ｇ／ｃｍ³ 、熱処理後のサンプルの密度
が１．１６３ｇ／ｃｍ³ であることが判明した。このよ
うに熱処理後のサンプルの密度は、熱処理前のサンプル
の密度に較べると低下しているが、このことから加熱処
理により結晶のパッキング構造が崩壊したことが推察さ
れる。Next, the density of both samples before and after the heat treatment was measured. This revealed that the density of the sample before the heat treatment was 1.166 g / cm ³ and the density of the sample after the heat treatment was 1.163 g / cm ³ . As described above, the density of the sample after the heat treatment is lower than the density of the sample before the heat treatment, which suggests that the packing structure of the crystal collapsed by the heat treatment.

【００１４】そこで結晶のパッキング構造の崩壊を裏付
けるために熱処理前後の両サンプルについて示差走査熱
分析（ＤＳＣ）をした。このときの分析条件は、加熱速
度が１５．０℃／ｍｉｎである。また分析に際しては、
アルミニウムセルを用い、５０ｍｌ／ｍｉｎの窒素ガス
雰囲気下で分析をした。図４にこの示差走査熱分析結果
を示すが、この図では、横軸に温度を、縦軸にヒーター
発熱量を採っている。Therefore, in order to confirm the collapse of the packing structure of the crystal, differential scanning calorimetry (DSC) was performed on both samples before and after the heat treatment. The analysis condition at this time is a heating rate of 15.0 ° C./min. In the analysis,
Using an aluminum cell, analysis was performed under a nitrogen gas atmosphere of 50 ml / min. FIG. 4 shows the results of the differential scanning calorimetry, in which the horizontal axis represents the temperature and the vertical axis represents the heating value of the heater.

【００１５】熱処理前後の両サンプルの温度特性を比較
すると、熱処理前のサンプルには、約８４℃付近で結晶
の融点であると認められる熱吸収ピークが存在している
が、熱処理後のサンプルの温度特性は、０℃から１４０
℃にかけて直線的に増加するのみで結晶の融点であると
認められる熱吸収ピークが存在しない。したがって、こ
のことから熱処理により結晶が消失したことが明らかと
なった。Comparing the temperature characteristics of the sample before and after the heat treatment, the sample before the heat treatment has a heat absorption peak which is recognized as the melting point of the crystal at about 84 ° C. Temperature characteristics range from 0 ° C to 140
There is no heat absorption peak recognized as the melting point of the crystal, only increasing linearly over ° C. Therefore, it became clear from this that the crystals disappeared by the heat treatment.

【００１６】次いで、結晶成長が引き起こされる成分の
特定をした。これについて図５及び図６を参照して説明
する。まず、図５は、熱処理前後のサンプルの弾性率
（貯蔵弾性係数）Ｅ’を比較して示したものであり、横
軸に歪（μｍ）をとり、縦軸に弾性率Ｅ’（×１０⁷ｄ
ｙｎ／ｃｍ²）をとっている。この図によれば、５μｍ
〜１００μｍ程度の歪に対し、熱処理後のサンプルは、
熱処理前のサンプルに対して、弾性率Ｅ’が約３／４〜
３／５程度に減少している。Next, components that cause crystal growth were identified. This will be described with reference to FIGS. First, FIG. 5 shows a comparison between the elastic modulus (storage elastic modulus) E ′ of the sample before and after the heat treatment. The horizontal axis represents strain (μm), and the vertical axis represents the elastic modulus E ′ (× 10 ⁷ d
yn / cm ² ). According to this figure, 5 μm
For a strain of about 100 μm, the sample after heat treatment
The modulus of elasticity E 'is about 3/4 to the sample before heat treatment.
It has decreased to about 3/5.

【００１７】図６は、熱処理前後のサンプルの損失正接
（ｔａｎδ）を比較して示したものであり、横軸に歪
（μｍ）をとり、縦軸に損失正接（ｔａｎδ）をとって
いる。この図によれば、５μｍ〜２００μｍ程度の歪に
対し、熱処理後のサンプルの損失正接（ｔａｎδ）は、
測定した全ての範囲にわたって回復している。FIG. 6 shows a comparison of the loss tangent (tan δ) of the sample before and after the heat treatment. The strain (μm) is plotted on the horizontal axis, and the loss tangent (tan δ) is plotted on the vertical axis. According to this figure, for a strain of about 5 μm to 200 μm, the loss tangent (tan δ) of the sample after the heat treatment is:
It recovers over the entire range measured.

【００１８】以上のことから、経時変化によって形成さ
れた結晶は、熱処理によってその弾性率Ｅ’が変化し、
これにより損失正接（ｔａｎδ）が増減するものである
ことが判明する。この場合においては、弾性率Ｅ’は減
少し、損失正接（ｔａｎδ）は増加している。供試試料
として用いた高減衰材料は、上述したように、塩素化ポ
リエチレンとＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルベンゾチアジル
−２−スルフェンアミドを成分としている。このＮ，Ｎ
−ジシクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンア
ミドは、一般的に遅効性の加硫促進剤として用いられ、
この場合においては、塩素化ポリエチレンの分子間に強
固な結合を形成し材料の弾性や引張強さ等を増加させる
ことに寄与している。したがって、損失正接（ｔａｎ
δ）の経時変化は、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルベンゾチ
アジル−２−スルフェンアミドの結晶成長によるもので
あることが判明した。From the above, the crystal formed by aging changes its elastic modulus E 'by heat treatment,
This proves that the loss tangent (tan δ) increases or decreases. In this case, the elastic modulus E ′ decreases and the loss tangent (tan δ) increases. As described above, the high attenuation material used as the test sample contains chlorinated polyethylene and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide as components. This N, N
-Dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide is commonly used as a slow-acting vulcanization accelerator,
In this case, a strong bond is formed between the molecules of the chlorinated polyethylene, thereby contributing to an increase in the elasticity and tensile strength of the material. Therefore, the loss tangent (tan)
The change with time in δ) was found to be due to the crystal growth of N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide.

【００１９】この結晶成長は、特に表面層において顕著
なものであり、経時変化によってこの表面層における結
晶化がひどくなるうえに、さらにその表面層だけでなく
材料内部へ向かって少しづつ進行していくものである。
したがって、表面層にあるＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルベ
ンゾチアジル−２−スルフェンアミドの結晶化が材料全
体の減衰性能の劣化の原因となるという問題が指摘され
ている。This crystal growth is particularly remarkable in the surface layer, and the crystallization in this surface layer becomes severe due to the aging, and the crystal grows gradually not only in the surface layer but also inside the material. It goes.
Therefore, a problem has been pointed out that crystallization of N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide in the surface layer causes deterioration of the damping performance of the entire material.

【００２０】本発明の解決しようとする課題は、表面層
における経時変化を防止することにより、全体としての
減衰性能の劣化を防止し、長期間にわたって安定した減
衰性能を維持することができる高減衰材料を提供するこ
とにある。The problem to be solved by the present invention is to prevent the deterioration of the damping performance as a whole by preventing the surface layer from changing over time, and to achieve a high damping that can maintain a stable damping performance over a long period of time. It is to provide materials.

【００２１】[0021]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の高減衰材料は、極性側鎖を有するポリマー材
料に誘電体物質を配合した減衰材料基材の表面に、該減
衰材料基材の結晶化を抑制する結晶化抑制層を設けてな
ることを要旨とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve this problem, a high attenuation material according to the present invention is provided on a surface of an attenuation material base obtained by mixing a dielectric material with a polymer material having a polar side chain. The gist of the present invention is to provide a crystallization suppression layer for suppressing crystallization of a material.

【００２２】この場合に「ポリマー材料」としては、ゴ
ム材料及びエラストマー材料のうち少なくとも１種から
選ばれたものであることが望ましく、好適なものとし
て、塩素化ポリエチレン（ＣＰＥ）、ニトリルブタジエ
ンゴム（ＮＢＲ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）等のゴム
材料や、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、フッ素ゴ
ム系熱可塑性エラストマー、塩素化ポリエチレン系熱可
塑性エラストマー等のエラストマー材料が挙げられる。
また「誘電体物質」としては、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシ
ルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド、Ｎ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド、Ｎ
−オキシジエチレンベンゾチアジル−２−スルフェンア
ミドより選ばれた１種又は２種以上の誘電体物質が好適
なものとして挙げられる。In this case, the "polymer material" is desirably selected from at least one of a rubber material and an elastomer material, and is preferably a chlorinated polyethylene (CPE), a nitrile butadiene rubber ( Rubber materials such as NBR) and chloroprene rubber (CR), and elastomer materials such as a vinyl chloride thermoplastic elastomer, a fluororubber thermoplastic elastomer, and a chlorinated polyethylene thermoplastic elastomer.
Further, as the “dielectric substance”, N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide, N-ter
t-butylbenzothiazyl-2-sulfenamide, N
One or more dielectric substances selected from -oxydiethylenebenzothiazyl-2-sulfenamide are preferred.

【００２３】さらにまた、「結晶化抑制層」は、前記減
衰材料基材の表裏両面に形成されることが望ましいもの
であるが、当該減衰材料が供される対象物の材料特性や
用途に応じて表裏面のいずれか一方に設けられるもので
あってもよい。この場合に、「結晶化抑制層」を構成す
る材料成分としては、塩素化ポリエチレン等のポリマ
ー材料単体、塩素化ポリエチレンとＮ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミドとによ
るポリマー材料架橋物、前記減衰材料基材と同一成分
による架橋物、前記減衰材料基材と同一成分による架
橋物にチオ尿素系の架橋剤を配合した架橋物、ポリエ
チレン又はポリ塩化ビニルによるポリマー材料等、各種
のものが挙げられる。Further, it is desirable that the "crystallization suppressing layer" is formed on both the front and back surfaces of the damping material base material, but it depends on the material characteristics and application of the object to which the damping material is provided. May be provided on either one of the front and back surfaces. In this case, as a material component constituting the “crystallization suppression layer”, a polymer material such as chlorinated polyethylene alone, or a polymer material cross-linked by chlorinated polyethylene and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide Products, a crosslinked product of the same component as the damping material substrate, a crosslinked product of a crosslinked product of the same component as the damping material substrate mixed with a thiourea-based crosslinking agent, a polymer material of polyethylene or polyvinyl chloride, etc. Things.

【００２４】この場合に、前記減衰材料基材の少なくと
も表裏面のいずれか一方の面に設けられる前記結晶化抑
制層の厚さは、数ミリ程度の材料全体の厚みに対して１
／２０〜１／１０の割合であることが減衰特性を確保す
る上で望ましいものである。In this case, the thickness of the crystallization suppression layer provided on at least one of the front and back surfaces of the damping material base is 1 to 1 mm of the total thickness of the material.
A ratio of / 20 to 1/10 is desirable for securing attenuation characteristics.

【００２５】上記構成を有する高減衰材料によれば、極
性側鎖を有するポリマー材料に誘電体物質を配合した減
衰材料基材の表裏面に、該減衰材料基材の結晶化を抑制
する結晶化抑制層を設けたので、該減衰材料基材がその
材料特性に直接悪影響を及ぼす環境に直接晒されること
がない。そのため、その表面層における経時変化が抑制
されるとともに、該減衰材料の表面層から内部層へかけ
ての経時変化による減衰性能の劣化も同時に防止される
ことになる。これにより、得られる高減衰材料の要求特
性（弾性及び引張強さ）が維持されることになり、プレ
ス直後から数カ月を経過しても、その材料の損失正接
（ｔａｎδ）が経時変化により大幅に低下することはな
い。According to the high attenuation material having the above structure, the crystallization for suppressing crystallization of the attenuation material substrate is formed on the front and back surfaces of the attenuation material substrate in which the dielectric material is mixed with the polymer material having polar side chains. The provision of the constraining layer prevents the damping material substrate from being directly exposed to an environment that directly adversely affects its material properties. Therefore, the change with time in the surface layer is suppressed, and the deterioration of the damping performance due to the change with time from the surface layer to the inner layer of the damping material is also prevented. As a result, the required characteristics (elasticity and tensile strength) of the obtained high damping material are maintained, and even after several months from immediately after pressing, the loss tangent (tan δ) of the material is significantly changed with time. It does not decline.

【００２６】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面及び
表を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明におい
て各種材料の「重量部」は、ポリマー材料１００重量部
に対する重量を意味するものである。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings and tables. In the following description, “parts by weight” of various materials means weight relative to 100 parts by weight of the polymer material.

【００２７】図１は、本発明の一実施の形態に係る高減
衰材料の構成を示した図である。同図において、高減衰
材料１０は、振動や騒音を吸収する制振材あるいは防音
材であり、音響ルームの遮音壁、建築構造体の遮音間仕
切、車両の防音壁等に適用されるものである。この高減
衰材料１０は、内層としての基材１２と、該基材１２の
表裏両面に形成される表層としての結晶化抑制層１４
ａ，１４ｂとから構成され、各層の厚さは、結晶化抑制
層１４ａ，１４ｂの厚さＷ₁ が、０．１ｍｍ、全体の厚
さ（２Ｗ₁＋Ｗ₂：基材１２の層厚と結晶化抑制層１４
ａ，１４ｂの層厚との合計）が、２ｍｍである。FIG. 1 is a view showing a configuration of a high attenuation material according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, a high attenuation material 10 is a vibration damping material or a sound insulating material that absorbs vibration and noise, and is applied to a sound insulating wall of an acoustic room, a sound insulating partition of a building structure, a sound insulating wall of a vehicle, and the like. The high attenuation material 10 includes a base material 12 as an inner layer, and a crystallization suppression layer 14 as a surface layer formed on both front and back surfaces of the base material 12.
a, is composed of a 14b, the thickness of each layer, the crystallization suppressing layer 14a, the thickness W ₁ of 14b, 0.1 mm, the total thickness of the (2W ₁ + W _2: crystal layer thickness of the substrate 12 and Change suppression layer 14
a, 14b) is 2 mm.

【００２８】次に、結晶化抑制層１４ａ，１４ｂの材料
組成を変えて本実施例として種々の高減衰材料１０を作
製した。以下に各実施例及び比較例について説明する。Next, various high attenuation materials 10 were manufactured as the present embodiment by changing the material composition of the crystallization suppressing layers 14a and 14b. Hereinafter, Examples and Comparative Examples will be described.

【００２９】初めに次の表１は、本発明の実施に供した
試料（サンプル）の材料組成及び各試験結果を一覧表に
示したものである。なお、各試料１〜５の結晶化抑制層
は、基材の表裏両面に形成され、その厚さは、いずれも
０．１ｍｍとした。また、各試料１〜６の全体の厚さ
（基材と結晶化抑制層の厚さとの和）は、いずれも２ｍ
ｍとした。次いで、本発明の実施に供した各試料１〜６
の材料組成について説明する。First, the following Table 1 shows a list of the material compositions of the samples (samples) subjected to the practice of the present invention and the results of each test. In addition, the crystallization suppression layer of each of the samples 1 to 5 was formed on both the front and back surfaces of the substrate, and the thickness thereof was 0.1 mm. The total thickness of each of the samples 1 to 6 (the sum of the thickness of the base material and the thickness of the crystallization suppression layer) was 2 m.
m. Next, each of the samples 1 to 6 used in the practice of the present invention was used.
Will be described.

【００３０】[0030]

【表１】 [Table 1]

【００３１】（実施例１）試料１の基材（内層）として
は、極性側鎖を有するポリマー材料である樹脂系の塩素
化ポリエチレン（ＣＰＥ、昭和電工（株）製：商品名
「エラスレン４０１Ａ」）１００重量部と、スルフェン
アミド系誘電体物質であるＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルベ
ンゾチアジル−２−スルフェンアミド（ＤＺ、三新化学
製：商品名「サンセラーＤＺ」）１００重量部とを混練
配合して所定の型枠内で１００〜２００℃×１０分程加
熱し成型したものである。温度条件としては、誘電体物
質の融点以上を採用した。試料１の結晶化抑制層（表
層）としては、ＣＰＥ単体、すなわち、塩素化ポリエチ
レン（ＣＰＥ、昭和電工製：商品名「エラスレン４０１
Ａ」）１００重量部を所定の型枠内で１５０℃×５分程
加熱し成型したものを用いた。そして、基材の表裏両面
に結晶化抑制層をプレス溶融接着により積層して試料１
を作製し、「本発明品１」とした。Example 1 The base material (inner layer) of sample 1 was a resin-based chlorinated polyethylene (CPE, manufactured by Showa Denko KK: trade name "Eraslen 401A") as a polymer material having a polar side chain. ) 100 parts by weight and 100 parts by weight of a sulfenamide-based dielectric substance, N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide (DZ, manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd .: trade name "Suncellar DZ"). It is compounded and heated and molded in a predetermined mold at 100 to 200 ° C. for about 10 minutes. As the temperature condition, a temperature higher than the melting point of the dielectric substance was used. The crystallization suppressing layer (surface layer) of Sample 1 was made of CPE alone, that is, chlorinated polyethylene (CPE, manufactured by Showa Denko: trade name “Eraslen 401”).
A ") 100 parts by weight were heated at 150 ° C. for about 5 minutes in a predetermined mold and molded. Then, a crystallization suppressing layer was laminated on both the front and back surfaces of the base material by press fusion bonding to obtain a sample 1.
Was prepared and designated as "Product 1 of the present invention."

【００３２】（実施例２）試料２の基材（内層）として
は、試料１と同様のものを用いた。試料２の結晶化抑制
層（表層）としては、ＣＰＥ／ＤＺ複合膜、すなわち、
塩素化ポリエチレンとＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルベンゾ
チアジル−２−スルフェンアミドとを１００重量部づつ
混練配合し、所定の型枠内で１５０℃×３０分程加熱し
成型して得られる架橋物を用いた。このＣＰＥ／ＤＺ複
合膜は、内層と同一成分となっている。そして、基材の
表裏両面に結晶化抑制層をプレス溶融接着により積層し
て試料２を作製し、「本発明品２」とした。(Example 2) As a substrate (inner layer) of Sample 2, the same substrate as that of Sample 1 was used. As a crystallization suppression layer (surface layer) of Sample 2, a CPE / DZ composite film, that is,
100 parts by weight of chlorinated polyethylene and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide are kneaded and mixed, and the mixture is heated at 150 ° C. for about 30 minutes in a predetermined mold to form a crosslinked product. Using. This CPE / DZ composite film has the same components as the inner layer. Then, a sample 2 was prepared by laminating a crystallization suppressing layer on both the front and back surfaces of the base material by press fusion bonding to prepare Sample 2 of the present invention.

【００３３】（実施例３）試料３の基材（内層）として
は、試料１と同様のものを用いた。試料３の結晶化抑制
層（表層）としては、ＣＰＥ／ＤＺ／ジエチルチオ尿
素、すなわち、塩素化ポリエチレンとＮ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミドを１０
０重量部づつと、架橋剤であるジエチルチオ尿素（三新
化学製：商品名「サンセラー２２−Ｃ」）を２．５重量
部、混練配合し、所定の型枠内で１５０℃×３０分程加
熱し成型して得られる架橋物を用いた。したがって、こ
のＣＰＥ／ＤＺ／ジエチルチオ尿素からなる結晶化抑制
層は、内層と同一成分で架橋された架橋物と、架橋剤で
あるジエチルチオ尿素とを混練配合したものとなってい
る。そして、基材の表裏両面に結晶化抑制層をプレス溶
融接着により積層して試料３を作製し、「本発明品３」
とした。Example 3 As a substrate (inner layer) of Sample 3, the same material as that of Sample 1 was used. As the crystallization suppression layer (surface layer) of Sample 3, CPE / DZ / diethylthiourea, that is, chlorinated polyethylene and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide were used.
0 parts by weight, 2.5 parts by weight of a crosslinking agent diethylthiourea (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd .: trade name “Suncellor 22-C”) is kneaded and compounded, and 150 ° C. × 30 minutes in a predetermined mold. A crosslinked product obtained by heating and molding was used. Therefore, the crystallization suppressing layer composed of CPE / DZ / diethylthiourea is obtained by kneading and mixing a crosslinked product crosslinked with the same component as the inner layer and diethylthiourea as a crosslinking agent. Then, a crystallization suppressing layer was laminated on both the front and back surfaces of the base material by press fusion bonding to prepare Sample 3, and “Product 3 of the present invention”
And

【００３４】（実施例４）また、試料４の基材（内層）
としては、ＤＺ／ＮＢＲ、すなわち、Ｎ，Ｎ−ジシクロ
ヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミドとニト
リルブタジエンゴム（ＮＢＲ、日本ゼオン（株）製：商
品名「ニポールＤＮ２０２」）を１００重量部づつ混練
配合して所定の型枠内で１７０℃×１０分程加熱し成型
したものを用いた。温度条件としては、誘電体物質の融
点以上を採用した。試料４の結晶化抑制層（表層）とし
ては、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルベンゾチアジル−２−
スルフェンアミドとポリ塩化ビニル（ＰＶＣ、新第一塩
ビ（株）製：商品名「ゼスト」）とをそれぞれ１００重
量部を混練配合して、所定の型枠内で１７０℃×１０分
程加熱し成型したものを用いた。そして、基材の表裏両
面に結晶化抑制層をプレス溶融接着により積層して試料
４を作製し、「本発明品４」とした。Example 4 Base material (inner layer) of sample 4
, Kneading 100 parts by weight of N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide and nitrile butadiene rubber (NBR, trade name "Nipol DN202", manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) The mixture was heated at 170 ° C. for about 10 minutes in a predetermined mold and molded. As the temperature condition, a temperature higher than the melting point of the dielectric substance was used. As the crystallization suppression layer (surface layer) of Sample 4, N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-
100 parts by weight of each of sulfenamide and polyvinyl chloride (PVC, manufactured by Shin Daiichi PVC Co., Ltd .: trade name "ZEST") are kneaded and blended, and heated at 170 ° C. for about 10 minutes in a predetermined mold. A molded product was used. Then, a sample 4 was prepared by laminating a crystallization suppression layer on both the front and back surfaces of the base material by press-melt bonding to obtain Sample 4 of the present invention.

【００３５】（実施例５）試料５の基材（内層）として
は、ＤＺ／ＣＲ、すなわち、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシル
ベンゾチアジル−２−スルフェンアミドとクロロプレン
ゴム（ＣＲ、昭和電工・デュポン（株）製：商品名「ネ
オプレンＷ」）とを１００重量部づつ混練配合して所定
の型枠内で１７０℃×１０分程加熱し成型したものを用
いた。試料５の結晶化抑制層（表層）としては、試料４
と同一のものを用いた。そして、基材の表裏両面に結晶
化抑制層をプレス溶融接着により積層して試料５を作製
し、「本発明品５」とした。Example 5 The base material (inner layer) of Sample 5 was DZ / CR, that is, N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide and chloroprene rubber (CR, Showa Denko DuPont Co., Ltd .: trade name "Neoprene W") was mixed and kneaded in 100 parts by weight, and heated and molded in a predetermined mold at 170 ° C. for about 10 minutes. As the crystallization suppressing layer (surface layer) of Sample 5, Sample 4
The same one was used. Then, a crystallization-suppressing layer was laminated on both the front and back surfaces of the substrate by press fusion bonding to prepare Sample 5, which was designated as "Product 5 of the present invention".

【００３６】（比較例）試料１〜５との比較のために用
いた試料６としては、塩素化ポリエチレンとＮ，Ｎ−ジ
シクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド
とを１００重量部づつ混練配合して所定の型枠内で１０
０〜２００℃×１０分程加熱し・加工したものを用い
た。ちなみに、この試料６には、結晶化抑制層を形成し
ていない。このようにして試料６を作製し、「比較品」
とした。Comparative Example Sample 6 used for comparison with Samples 1 to 5 was prepared by kneading and mixing 100 parts by weight of chlorinated polyethylene and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide. And within the specified formwork
Heated and processed at 0 to 200 ° C. for about 10 minutes was used. Incidentally, the sample 6 did not have a crystallization suppressing layer. Sample 6 was prepared in this manner, and a "comparative product"
And

【００３７】以上のようにして作製した本発明品である
各試料１〜５及び比較品である試料６について損失正接
（ｔａｎδ）の経時変化を調べた。この試験は、各試料
１〜５についてプレス直後及びプレス後１ヶ月を経た後
におけるｔａｎδを測定し、ｔａｎδ低下率を求めるこ
とにより行ったものである。ｔａｎδの測定には、株式
会社レオロジ社製のスペクトロメータを用いた。測定条
件は、歪が１０μｍ（一定）、周波数が１５Ｈｚ（一
定）である。The time-dependent changes in the loss tangent (tan δ) of each of the samples 1 to 5 of the present invention and the sample 6 of the comparative product prepared as described above were examined. In this test, tan δ was measured for each of the samples 1 to 5 immediately after pressing and one month after pressing, and the tan δ reduction rate was determined. For the measurement of tan δ, a spectrometer manufactured by Rheology Co., Ltd. was used. The measurement conditions are a distortion of 10 μm (constant) and a frequency of 15 Hz (constant).

【００３８】本発明品である試料１〜５及び比較品であ
る試料６のｔａｎδについて表１を参照して説明する。
まず、塩素化ポリエチレン（ＣＰＥ）とＮ，Ｎ−ジシク
ロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド（Ｄ
Ｚ）とによる混練配合物を基材として用いた試料１〜３
について説明する。The tan δ of Samples 1 to 5 of the present invention and Sample 6 of the comparative product will be described with reference to Table 1.
First, chlorinated polyethylene (CPE) and N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide (D
Samples 1 to 3 using the kneaded compound according to Z) as a base material
Will be described.

【００３９】ＣＰＥ／ＤＺ材料による基材を適用した試
料１〜３のプレス直後のｔａｎδは、それぞれ、２．１
３、１．５８、０．９４となった。これに対し、比較例
（試料６）のプレス直後のｔａｎδは、２．４９となっ
た。一方、試料１〜３の一ヶ月後のｔａｎδは、それぞ
れ、２．０７、１．３６、０．８５となった。これに対
し、比較例の一ヶ月後のｔａｎδは、１．８４となっ
た。一般に減衰特性は、ｔａｎδが高い方が優れている
といえることから、プレス直後においては、試料６が、
また、一ヶ月後においては、試料１が最良の結果となっ
た。試料１〜３をそれぞれ比較すると、プレス直後と一
ヶ月後のいずれの場合においても、試料１が最良のｔａ
ｎδ特性を示し、以下、試料２、試料３の順でｔａｎδ
特性が低下している。しかしながら、ｔａｎδの要求特
性が０．５以上であることを考慮すれば、試料１〜３，
６は、いずれも良好な結果を示したといえる。The tan δ immediately after pressing of Samples 1 to 3 to which the substrate made of the CPE / DZ material was applied was 2.1, respectively.
3, 1.58 and 0.94. On the other hand, tan δ of the comparative example (sample 6) immediately after pressing was 2.49. On the other hand, tan δ after one month of Samples 1 to 3 was 2.07, 1.36, and 0.85, respectively. On the other hand, tan δ one month after in the comparative example was 1.84. In general, it can be said that the higher the tan δ, the better the damping characteristics.
One month later, Sample 1 had the best results. Comparing Samples 1 to 3, Sample 1 shows the best ta in both cases immediately after pressing and one month later.
It shows nδ characteristics.
Characteristics are degraded. However, considering that the required characteristic of tan δ is 0.5 or more, samples 1 to 3 and
6 can be said to have shown good results.

【００４０】また、ＮＢＲ／ＤＺ材料による基材を適用
した試料４のプレス直後のｔａｎδは、１．９６とな
り、一ヶ月後のｔａｎδは、１．７８となった。さらに
また、ＣＲ／ＤＺ材料による基材を適用した試料５のプ
レス直後のｔａｎδは、２．１２となり、一ヶ月後のｔ
ａｎδは、１．７７となった。これらを試料６と比較す
ると、いずれも試料６より低い値となっているが、ｔａ
ｎδの要求特性（０．５以上）を満たしていることから
良好な結果を示したものといえる。The tan δ immediately after pressing of the sample 4 to which the substrate made of the NBR / DZ material was applied was 1.96, and the tan δ one month later was 1.78. Furthermore, the tan δ of the sample 5 to which the substrate made of the CR / DZ material was applied immediately after pressing was 2.12, and the t
an δ was 1.77. When these are compared with Sample 6, the values are all lower than Sample 6, but ta
Since the required characteristic of nδ was satisfied (0.5 or more), it can be said that good results were shown.

【００４１】次ぎに、本発明品である試料１〜５及び比
較品である試料６のｔａｎδ低下率について表１を参照
して説明する。このｔａｎδ低下率は、「ｔａｎδ低下
率（％）＝（（プレス直後のｔａｎδ−プレス１ヶ月経
過後のｔａｎδ）／プレス直後のｔａｎδ）×１００」
なる式により求めている。長期間安定した減衰性能を維
持するためには、この値が低い程良い。ｔａｎδ低下率
は、表１によれば、比較例が２６．１％となったのに対
して、試料１が２．８２％、試料２が１３．７％、試料
３が９．５７％、試料４が９．１８％、試料５が１６．
５％となった。Next, the tan δ reduction rate of Samples 1 to 5 of the present invention and Sample 6 of the comparative product will be described with reference to Table 1. The tan δ reduction rate is “tan δ reduction rate (%) = ((tan δ immediately after pressing—tan δ after one month of pressing) / tan δ immediately after pressing) × 100”.
It is calculated by the following formula. In order to maintain stable damping performance for a long period of time, the lower the value, the better. According to Table 1, the tan δ reduction rate was 26.1% for the comparative example, 2.82% for sample 1, 13.7% for sample 2, 9.57% for sample 3, 9.18% for sample 4 and 16.18 for sample 5.
It was 5%.

【００４２】すなわち、ＣＰＥ／ＤＺ材料による基材を
適用した試料１〜３のｔａｎδ低下率については、試料
１が比較品の約１／９程度にまで、試料２が比較品の約
１／２程度にまで、試料３が比較品の約１／３程度にま
で減少している。したがって、試料１〜３のｔａｎδ低
下率は、試料１を最良として、比較品（試料６）に較べ
るといずれも飛躍的に良好な結果となった。すなわち、
試料１〜３は、いずれも従来のものよりも経時変化が抑
制され、これにより長期間にわたって安定した減衰性能
を示すものであることが判明した。That is, with respect to the tan δ reduction rates of Samples 1 to 3 to which the base material of the CPE / DZ material was applied, Sample 1 was about 1/9 of the comparative product, and Sample 2 was about 1/2 of the comparative product. To this extent, Sample 3 has been reduced to about 1/3 of the comparative product. Therefore, the reduction rate of tan δ of Samples 1 to 3 was remarkably good as compared with the comparative product (Sample 6), with Sample 1 being the best. That is,
Samples 1 to 3 were all found to be more resistant to changes over time than conventional ones, thereby exhibiting stable damping performance over a long period of time.

【００４３】また、内層としてＮＢＲ／ＤＺ材料による
基材を適用した試料４のｔａｎδ低下率は、比較品の約
１／３程度にまで減少し、内層としてＣＲ／ＤＺ材料に
よる基材を適用した試料５のｔａｎδ低下率は、比較品
の約３／５程度にまで減少している。したがって、試料
４及び試料５のｔａｎδ低下率は、比較品（試料６）に
較べるといずれも飛躍的に良好な結果となった。特に、
試料４は、試料１に次いで良好な結果を示した。すなわ
ち、試料４及び試料５についても、試料１〜３と同様に
従来のものよりも経時変化が抑制され、これにより長期
間にわたって安定した減衰性能を示すものであることが
判明した。Further, the tan δ reduction rate of the sample 4 in which the substrate made of the NBR / DZ material was applied as the inner layer was reduced to about 1/3 of the comparative product, and the substrate made of the CR / DZ material was applied as the inner layer. The tan δ reduction rate of Sample 5 is reduced to about ／ of the comparative product. Therefore, the reduction rate of tan δ of Sample 4 and Sample 5 was remarkably good as compared with the comparative product (Sample 6). Especially,
Sample 4 showed good results next to sample 1. That is, it has been found that, similarly to Samples 1 to 3, Sample 4 and Sample 5 are more suppressed from changing over time than conventional ones, and thus exhibit stable damping performance over a long period of time.

【００４４】以上のことから、内層としてＣＰＥ／ＤＺ
材料、ＮＢＲ／ＤＺ材料、あるいは、ＣＲ／ＤＺ材料に
よる基材を適用した場合に、「ｔａｎδ≧０．５」とい
う条件を満たしつつ、ｔａｎδ低下率をできるだけ低く
抑えるには、結晶化抑制層を基材の表裏面に形成するこ
とが有効であることが判明した。この場合において、表
裏面の結晶化抑制層の厚みの合計は、数ミリ程度の高減
衰材料全体の厚さに対して１／１０程度が有効であるこ
とが判明した。From the above, CPE / DZ was used as the inner layer.
When a substrate made of a material, an NBR / DZ material, or a CR / DZ material is applied, in order to satisfy the condition of “tan δ ≧ 0.5” and keep the tan δ reduction rate as low as possible, the crystallization suppression layer must be It turned out that it is effective to form on the front and back surfaces of the substrate. In this case, it was found that the total thickness of the crystallization suppression layers on the front and back surfaces was about 1/10 as effective as the total thickness of the high attenuation material of about several millimeters.

【００４５】さらに、ＣＰＥ／ＤＺ材料による基材を適
用した場合において、経時変化を抑制するために有効な
結晶化抑制層としては、ＣＰＥ単体、ＣＰＥ／ＤＺ
架橋物、ＣＰＥ／ＤＺにジエチルチオ尿素を配合した
架橋物が挙げられることが判明した。このことからさら
に、結晶化抑制層は、基材と同一成分によって作製する
ことが有効であることが判明した。また、ＮＢＲ／ＤＺ
材料、あるいは、ＣＲ／ＤＺ材料による基材を適用した
場合において、経時変化を抑制するために有効な結晶化
抑制層としては、ＣＰＥ単体が挙げられることが判明し
た。Further, when a base material made of a CPE / DZ material is applied, a crystallization suppressing layer effective for suppressing a change over time includes CPE simple substance, CPE / DZ
It has been found that a crosslinked product, a crosslinked product in which diethylthiourea is blended with CPE / DZ, may be mentioned. From this, it was further found that it is effective to form the crystallization suppression layer with the same components as the base material. Also, NBR / DZ
When a substrate made of a material or a CR / DZ material is applied, it has been found that CPE alone can be cited as an example of a crystallization suppression layer that is effective for suppressing changes over time.

【００４６】次いで、本発明品である各試料１〜５及び
比較品である試料６の損失係数（η）を測定したのでそ
れについて説明する。表１に示された損失係数（η）
は、各試料１〜６のプレス後２週間後の値である。損失
係数（η）の測定には、松下電気株式会社製の片持ち梁
式損失係数測定機を用いた。常温下、１００Ｈｚの周波
数を印加しながら測定を行った。Next, the loss coefficient (η) of each of the samples 1 to 5 of the present invention and the sample 6 of the comparative example were measured and will be described. Loss factor (η) shown in Table 1
Is a value two weeks after the pressing of each of the samples 1 to 6. For measurement of the loss coefficient (η), a cantilever-type loss coefficient measuring device manufactured by Matsushita Electric Co., Ltd. was used. The measurement was performed at room temperature while applying a frequency of 100 Hz.

【００４７】まず、ＣＰＥ／ＤＺ材料による基材を適用
した試料１〜３は、プレス後２週間後の損失係数（η）
が０．０８〜０．１４の範囲の値をとった。これに対
し、比較例（試料６）の損失係数（η）は、０．０６と
なった。したがって、本実施例によるものは、損失係数
（η）が改善されている。ちなみに、この損失係数
（η）としては、０．１以上あればよいことから、本実
施例においては、試料２及び試料３がその条件を満たし
たものとなった。試料１の損失係数（η）は、０．０９
であり、０．１にわずかに及ばない結果となった。First, the samples 1 to 3 to which the base material of the CPE / DZ material was applied, had the loss coefficient (η) two weeks after pressing.
Took a value in the range of 0.08 to 0.14. On the other hand, the loss coefficient (η) of the comparative example (sample 6) was 0.06. Therefore, according to the present embodiment, the loss coefficient (η) is improved. Incidentally, since the loss coefficient (η) only needs to be 0.1 or more, in this example, the samples 2 and 3 satisfied the conditions. The loss coefficient (η) of Sample 1 was 0.09
And the result was slightly less than 0.1.

【００４８】次ぎに、ＮＢＲ／ＤＺ材料による基材を適
用した試料４は、プレス後２週間後の損失係数（η）が
０．０８となった。またさらに、ＣＲ／ＤＺ材料による
基材を適用した試料５は、プレス後２週間後の損失係数
（η）が０．０５となった。Next, Sample 4 to which the substrate made of the NBR / DZ material was applied had a loss coefficient (η) of 0.08 two weeks after pressing. Further, Sample 5 to which the substrate made of the CR / DZ material was applied had a loss coefficient (η) of 0.05 two weeks after pressing.

【００４９】以上説明したことから、本発明品１〜３に
ついて、ｔａｎδの値、ｔａｎδ低下率、損失係
数（η）のそれぞれについて総合的に評価を行うと、
〜すべてについて要求特性を満たしたものは、試料３
（本発明品３）のみであり、この試料３は、きわめて良
好（◎印）と評価された。試料１（本発明品１）は、損
失係数（η）がわずかに０．１に及ばない結果となった
が、ｔａｎδの値が他の実施例よりも良いこと、及び、
ｔａｎδ低下率がきわめて低いことから、きわめて良好
（◎印）と評価された。試料２については、ｔａｎδ低
下率が試料１，３の両者に比較して若干劣ること、及
び、損失係数（η）が若干低いことから、良好（○印）
と評価された（表１参照）。As described above, when the values of tan δ, the tan δ reduction rate, and the loss coefficient (η) of the products 1 to 3 of the present invention are comprehensively evaluated,
Samples satisfying the required characteristics for all
(Product 3 of the present invention) alone, and this sample 3 was evaluated as extremely good (marked with ◎). Sample 1 (Product 1 of the present invention) resulted in a loss factor (η) of slightly less than 0.1, but the value of tan δ was better than the other examples, and
Since the tan δ reduction rate was extremely low, it was evaluated as very good (marked with ◎). Sample 2 was good (marked with ○) because the tan δ reduction rate was slightly inferior to both samples 1 and 3, and the loss factor (η) was slightly lower.
(See Table 1).

【００５０】試料４（本発明品４）は、損失係数（η）
が若干低めではあるが、ｔａｎδが要求特性を満たし
ている他、ｔａｎδ低下率が試料１に次いで良好な結
果を示したことから、きわめて良好（◎印）と評価され
た（表１参照）。また、試料５（本発明品５）は、損失
係数（η）が比較品よりも劣った結果となり、しかも、
ｔａｎδ低下率が他の試料１〜４と比較すると劣る結果
となったが、ｔａｎδの値が比較的高めに維持されるこ
とから、良好（○印）と評価された（表１参照）。Sample 4 (product 4 of the present invention) has a loss coefficient (η)
Is slightly lower, but tan δ satisfies the required characteristics, and the tan δ reduction rate shows the second best result after Sample 1. Therefore, the evaluation was extremely good (marked with ◎) (see Table 1). Sample 5 (Product 5 of the present invention) had a loss coefficient (η) inferior to that of the comparative product.
Although the tan δ reduction rate was inferior to those of the other samples 1 to 4, the result was evaluated as good (marked with ○) since the value of tan δ was maintained relatively high (see Table 1).

【００５１】さらに、試料１、４及び５との比較によれ
ば、これらの結晶化抑制層がいずれもＣＰＥ単体（塩素
化ポリエチレン）により形成されていることから、基材
の材料としては、ＣＰＥが最適であるといえる。用途に
応じてＮＢＲ、ＣＲと使い分けされることが望ましいと
いえる。Further, according to the comparison with Samples 1, 4 and 5, since these crystallization suppressing layers are all formed of CPE alone (chlorinated polyethylene), the material of the base material is CPE. Is optimal. It can be said that it is desirable to use NBR and CR depending on the application.

【００５２】以上説明したように、ポリマー材料として
塩素化ポリエチレンを配合し、誘電体物質としてＮ，Ｎ
−ジシクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンア
ミドを配合して作製した基材の表裏両面に、ＣＰＥ単
体、ＣＰＥ／ＤＺ架橋物、あるいは、ＣＰＥ／ＤＺ
架橋物にジエチルチオ尿素を配合した架橋物を結晶化抑
制層として形成することにより、基材表面の経時変化に
よる結晶化が抑制され、材料全体としてのｔａｎδ低下
率（％）が飛躍的に低減されることになる。これは、結
晶化抑制層を形成したことにより、基材表面での経時変
化が防止されただけでなく、表面から内部へと進行して
いく経時変化による結晶化もまた防止されたことによる
と推察されるものである。したがって、基材各部におけ
る減衰性能も均一な状態に維持され得ることになる。As described above, chlorinated polyethylene is blended as a polymer material, and N, N
-CPE simple substance, CPE / DZ cross-linked product, or CPE / DZ on both front and back surfaces of a substrate prepared by blending dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide
By forming a crosslinked product in which diethylthiourea is blended with the crosslinked product as a crystallization suppression layer, crystallization due to aging of the substrate surface is suppressed, and the tan δ reduction rate (%) of the entire material is drastically reduced. Will be. This is because the formation of the crystallization suppression layer not only prevented aging on the substrate surface, but also prevented crystallization due to aging progressing from the surface to the inside. It is inferred. Therefore, the damping performance in each part of the base material can be maintained in a uniform state.

【００５３】図２は、各実施の形態（実施例１，２及び
５）に係る高減衰材料の損失正接（ｔａｎδ）特性を比
較して示したものである。この図によれば、ｔａｎδ特
性は、結晶化抑制層をどのような材料組成によって構成
するかによって、相対的な差異がある。したがって、制
振材・防音材として使用するにあたっては、使用される
温度条件に応じて、所期するｔａｎδ値が得られる材料
を適用することが可能になる。FIG. 2 shows the loss tangent (tan δ) characteristics of the high attenuation materials according to the respective embodiments (Examples 1, 2 and 5) in comparison. According to this figure, the tan δ characteristic has a relative difference depending on what material composition the crystallization suppression layer is made of. Therefore, when used as a vibration damping material and a soundproofing material, it is possible to apply a material that can obtain a desired tan δ value according to the temperature conditions used.

【００５４】このような高減衰材料が制振材として使用
される場合において、制振材が基板上に設けられる非拘
束タイプでは、減衰材料が外気に晒された状態をとるこ
とになる。そのため、表面から結晶化が進行しやすい状
況に晒されるが、本実施例によれば、結晶化抑制層によ
り内層である基材が外気に晒されないようにされるた
め、非拘束タイプで使用するのに適したものとなる。When such a high damping material is used as a damping material, the damping material is exposed to the outside air in the non-constrained type in which the damping material is provided on a substrate. Therefore, the substrate is exposed to a state in which crystallization is likely to progress from the surface. However, according to this embodiment, the crystallization suppression layer prevents the base material that is the inner layer from being exposed to the outside air, and is used in an unconstrained type. It is suitable for

【００５５】本発明は、上記した実施例に何等限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々
の改変が可能である。例えば、上記実施例においては、
高減衰材料の各層の厚さは、結晶化抑制層の厚さが表裏
面各０．１ｍｍ、全体の厚さが２ｍｍとされたが、結晶
化抑制層の厚さが全体の厚さに対して１／２０〜１／１
０程度の割合の範囲内にあればよいものである。さら
に、上記実施例においては、結晶化抑制層は、基材の表
裏両面に形成したが、用途に応じて表裏面のいずれか一
方の面に形成されるものであってもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment,
The thickness of each layer of the high attenuation material was such that the thickness of the crystallization suppression layer was 0.1 mm for each of the front and back surfaces, and the total thickness was 2 mm. 1/20 to 1/1
What is necessary is just to be in the range of about 0. Further, in the above embodiment, the crystallization suppressing layer is formed on both the front and back surfaces of the base material, but may be formed on any one of the front and back surfaces depending on the use.

【００５６】また、上記実施例において用いた各種の材
料に代えて、以下に掲げる材料を適用することも、勿
論、本発明に含まれるものである。すなわち、「ゴム材
料」としては、塩素化ポリエチレン（ＣＰＥ）、ニトリ
ルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、あるいはクロロプレンゴ
ム（ＣＲ）に代えて、クロロスルフォン化ポリエチレン
ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エピクロルヒドリン−
エチレンオキシドゴム、塩素化天然ゴム、ニトリル塩化
ビニルブレンドゴム、フッ化シリコ−ンゴム、フッ化ビ
ニリデンゴム等が適用できる他、「エラストマー材料」
としては、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、フッ素
ゴム系熱可塑性エラストマー、塩素化ポリエチレン系熱
可塑性エラストマー等が適用できる。The present invention includes, of course, applying the following materials in place of the various materials used in the above embodiments. That is, as the "rubber material", instead of chlorinated polyethylene (CPE), nitrile butadiene rubber (NBR), or chloroprene rubber (CR), chlorosulfonated polyethylene rubber, epichlorohydrin rubber, epichlorohydrin-
Ethylene oxide rubber, chlorinated natural rubber, nitrile vinyl chloride blended rubber, fluorinated silicone rubber, vinylidene fluoride rubber, etc. can be used, and "elastomer material"
Examples thereof include vinyl chloride-based thermoplastic elastomers, fluororubber-based thermoplastic elastomers, chlorinated polyethylene-based thermoplastic elastomers, and the like.

【００５７】さらに、「誘電体物質」としては、Ｎ，Ｎ
−ジシクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンア
ミドに代えて、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾチアジル−
２−スルフェンアミド、Ｎ−オキシジエチレンベンゾチ
アジル−２−スルフェンアミド等が適用可能である。Further, as the “dielectric substance”, N, N
-Instead of dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide, N-tert-butylbenzothiazyl-
2-sulfenamide, N-oxydiethylenebenzothiazyl-2-sulfenamide and the like are applicable.

【００５８】[0058]

【発明の効果】本発明の高減衰材料によれば、極性側鎖
を有するポリマー材料に誘電体物質を配合した減衰材料
基材の表裏面に、該減衰材料基材の結晶化を抑制する結
晶化抑制層を、該減衰材料基材と同一成分による架橋
物、該ポリマー材料単体、あるいは、該ポリマー材
料架橋物により形成するようにしたので、該減衰材料基
材の表面層における経時変化が抑制される。したがっ
て、減衰材料の表面層から内部へかけての経時変化によ
る減衰性能の劣化が防止されることになる。これによ
り、長期間にわたって安定した減衰性能を維持すること
ができる。このような高減衰材料は、その表面に結晶化
抑制層が形成されていることから非拘束型で適用可能に
なり、音響ルームの遮音壁、建築構造体の遮音間仕切、
車両の防音壁等、幅広い分野へ利用可能になる。そのた
め、一般公衆への幅広い普及が期待されるものである。According to the high attenuation material of the present invention, a crystal for suppressing crystallization of the attenuation material substrate is provided on the front and back surfaces of the attenuation material substrate in which a dielectric substance is mixed with a polymer material having a polar side chain. Since the formation suppression layer is formed by a crosslinked product of the same component as the damping material base, the polymer material alone, or the polymer material crosslinked product, a change with time in the surface layer of the damping material base is suppressed. Is done. Therefore, deterioration of the damping performance due to a change with time from the surface layer to the inside of the damping material is prevented. Thereby, stable damping performance can be maintained over a long period of time. Such a high attenuation material can be applied in an unconstrained type because a crystallization suppressing layer is formed on the surface thereof, so that a sound insulating wall of an acoustic room, a sound insulating partition of a building structure,
It can be used in a wide range of fields such as soundproof walls of vehicles. Therefore, it is expected to be widely spread to the general public.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施の形態に係る高減衰材料の構成
を示した図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high attenuation material according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の各実施の形態に係る高減衰材料の損失
正接（ｔａｎδ）特性を比較して示した図である。FIG. 2 is a diagram showing a comparison between loss tangent (tan δ) characteristics of a high attenuation material according to each embodiment of the present invention.

【図３】従来一般の高減衰材料の温度−ｔａｎδ特性を
プレス直後と２週間後とで比較して示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a comparison between the temperature-tan δ characteristics of a conventional general high damping material immediately after pressing and after two weeks.

【図４】従来一般の高減衰材料の経時変化後の熱処理前
後の熱分析解析データを比較して示した図である。FIG. 4 is a diagram comparing thermal analysis data before and after heat treatment of a conventional general high attenuation material after a change with time.

【図５】従来一般の高減衰材料の経時変化後の熱処理前
後の弾性率を比較して示した図である。FIG. 5 is a diagram comparing the elastic modulus of a conventional general high damping material before and after heat treatment after a change with time.

【図６】従来一般の高減衰材料の経時変化後の熱処理前
後のｔａｎδを比較して示した図である。FIG. 6 is a diagram showing a comparison between tan δ before and after heat treatment of a conventional general high attenuation material after a change over time.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 高減衰材料 １２ 基材 １４ａ，１４ｂ 結晶化抑制層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 High attenuation material 12 Base material 14a, 14b Crystallization suppression layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｆ１６Ｆ 7/00 Ｆ１６Ｆ 7/00 Ｂ 15/08 15/08 Ｄ Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification symbol FI // F16F 7/00 F16F 7/00 B 15/08 15/08 D

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 極性側鎖を有するポリマー材料に誘電体
物質を配合した減衰材料基材の表面に、該減衰材料基材
の結晶化を抑制する結晶化抑制層を設けてなることを特
徴とする高減衰材料。1. A crystallization suppressing layer for suppressing crystallization of a damping material base material is provided on a surface of a damping material base material obtained by mixing a dielectric material with a polymer material having a polar side chain. High attenuation material. 【請求項２】 前記ポリマー材料は、ゴム材料及びエラ
ストマー材料のうち少なくとも１種から選ばれたポリマ
ー材料からなることを特徴とする請求項１に記載される
高減衰材料。2. The high attenuation material according to claim 1, wherein the polymer material is made of a polymer material selected from at least one of a rubber material and an elastomer material. 【請求項３】 前記誘電体物質は、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘ
キシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド、Ｎ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルベンゾチアジル−２−スルフェンアミ
ド、Ｎ−オキシジエチレンベンゾチアジル−２−スルフ
ェンアミドより選ばれた１種又は２種以上の誘電体物質
からなることを特徴とする請求項１に記載される高減衰
材料。3. The dielectric material comprises N, N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide, Nt
2. A material comprising one or more dielectric materials selected from tert-butylbenzothiazyl-2-sulfenamide and N-oxydiethylenebenzothiazyl-2-sulfenamide. High attenuation material described in 1. 【請求項４】 前記結晶化抑制層は、前記減衰材料基材
の少なくとも表裏面のいずれか一方の面に設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載される高減衰材料。4. The high attenuation material according to claim 1, wherein the crystallization suppressing layer is provided on at least one of the front and back surfaces of the attenuation material base. 【請求項５】 前記結晶化抑制層は、ポリマー材料単体
により形成されていることを特徴とする請求項１に記載
される高減衰材料。5. The high attenuation material according to claim 1, wherein the crystallization suppressing layer is formed of a single polymer material. 【請求項６】 前記結晶化抑制層は、ポリマー材料架橋
物により形成されていることを特徴とする請求項１に記
載される高減衰材料。6. The high attenuation material according to claim 1, wherein the crystallization suppression layer is formed of a crosslinked polymer material. 【請求項７】 前記結晶化抑制層は、前記減衰材料基材
と同一成分からなる架橋物により形成されていることを
特徴とする請求項１に記載される高減衰材料。7. The high attenuation material according to claim 1, wherein the crystallization suppression layer is formed of a crosslinked material having the same component as the attenuation material base. 【請求項８】 前記結晶化抑制層は、前記減衰材料基材
と同一成分からなる架橋物とチオ尿素系の架橋剤とによ
り形成されていることを特徴とする請求項７に記載され
る高減衰材料。8. The method according to claim 7, wherein the crystallization suppressing layer is formed of a crosslinked product having the same components as the damping material substrate and a thiourea-based crosslinker. Damping material. 【請求項９】 前記結晶化抑制層は、ポリエチレン又は
ポリ塩化ビニルにより形成されていることを特徴とする
請求項１に記載される高減衰材料。9. The high attenuation material according to claim 1, wherein the crystallization suppressing layer is formed of polyethylene or polyvinyl chloride. 【請求項１０】 前記結晶化抑制層の厚さは、数ミリ程
度の材料全体の厚みに対して１／２０〜１／１０の割合
の厚さであることを特徴とする請求項１に記載される高
減衰材料。10. The method according to claim 1, wherein the thickness of the crystallization suppressing layer is 1/20 to 1/10 of the thickness of the whole material of about several millimeters. Is a high attenuation material.