JPH113866A - 縦型ウエハボート - Google Patents
縦型ウエハボートInfo
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- JPH113866A JPH113866A JP10103907A JP10390798A JPH113866A JP H113866 A JPH113866 A JP H113866A JP 10103907 A JP10103907 A JP 10103907A JP 10390798 A JP10390798 A JP 10390798A JP H113866 A JPH113866 A JP H113866A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セラミック膜の剥離を防止し得、ひいては耐
用寿命の長い縦型ウエハボートを提供する。 【解決手段】 上下の支持板１，２間に、多数のウエハ
積載用溝部３を設けた支持棒４が左右対称に前後に２本
ずつ配設され、両支持板及び各支持棒がセラミック基材
からなりかつ表面が高純度セラミック膜で覆われ、前方
の左右の支持棒の少なくともウエハ積載用溝部がこれに
積載される半導体ウエハののウエハ挿入方向と垂直な中
心線５よりも前方に位置するように設けられ、各支持棒
のウエハ積載用溝部における水平断面が９０°以下の鋭
角部を有しない多角形状に形成されている。
用寿命の長い縦型ウエハボートを提供する。 【解決手段】 上下の支持板１，２間に、多数のウエハ
積載用溝部３を設けた支持棒４が左右対称に前後に２本
ずつ配設され、両支持板及び各支持棒がセラミック基材
からなりかつ表面が高純度セラミック膜で覆われ、前方
の左右の支持棒の少なくともウエハ積載用溝部がこれに
積載される半導体ウエハののウエハ挿入方向と垂直な中
心線５よりも前方に位置するように設けられ、各支持棒
のウエハ積載用溝部における水平断面が９０°以下の鋭
角部を有しない多角形状に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの酸
化、拡散及び気相成長などの工程の際に、多数の半導体
ウエハを炉中に入れるために積載支持する縦型ウエハボ
ートに関し、特に、半導体ウエハの表面にＳｉＯ2 膜、
ＳｉＯ3 Ｎ4 膜あるいはポリＳｉ膜等をＬＰ（Low Pres
sure）−ＣＶＤ法等により形成する際に好適な縦型ウエ
ハボートに関する。
化、拡散及び気相成長などの工程の際に、多数の半導体
ウエハを炉中に入れるために積載支持する縦型ウエハボ
ートに関し、特に、半導体ウエハの表面にＳｉＯ2 膜、
ＳｉＯ3 Ｎ4 膜あるいはポリＳｉ膜等をＬＰ（Low Pres
sure）−ＣＶＤ法等により形成する際に好適な縦型ウエ
ハボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の縦型ウエハボートとして
は、本出願人の出願に係る特開平６−１６３６７６号公
報記載のウエハボートが知られている。このウエハボー
トは、図１５、図１６に示すように、半円弧状の上下の
支持板３１，３２間に、多数のウエハ積載用溝部３３を
設けた断面三角形状の４本の支持棒３４が、それぞれの
一つのエッジ部に設けたウエハ積載用溝部３３をそれら
に積載される半導体ウエハ（図示せず）の中心を指向す
るように配設され、両支持板３１及び各支持棒３４がＳ
ｉＣや金属Ｓｉを含浸したＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）で構
成されている。なお、ウエハボートの高純度化を図るた
め、表面を高純度セラミック膜で覆うことも知られてい
る。このウエハボートは、上記構成により、支持棒３４
の断面が三角形状であるので、座屈荷重が増大し、耐用
寿命が長くなる、というものである。又、従来の縦型ウ
エハボートとしては、図１７〜図１９に示すように、ウ
エハ挿入方向（図１８においては右から左へ）のスリッ
ト３５を後部（図１８においては左部）中央に設けた円
輪板状の上下の支持板３６，３７間に、多数のウエハ積
載用溝部３８を設けた断面円形状の４本の支持棒３９
が、それぞれのウエハ積載用溝部３８をそれぞれに積層
される半導体ウエハＷの中心を指向するように配設さ
れ、両支持板３６，３７及び各支持棒３９がセラミック
基材からなりかつ表面が高純度セラミック膜（図示せ
ず）で覆われて構成されており、各支持棒３９のウエハ
積載用溝部３８の下の水平なエッジ部には、面取り４０
が施され、又、下の支持板３７の前部（図１８において
は右部）には、半導体ウエハＷの自動移載時の基準とな
る基準面４１を下面に形成した突起４２が突設されてい
るものである。この縦型ウエハボートは、半導体ウエハ
Ｗの移載に際し、基準面４１から所要のウエハ積載用溝
部３８の位置が決定され、半導体ウエハＷの自動移載が
可能となる、というものである。
は、本出願人の出願に係る特開平６−１６３６７６号公
報記載のウエハボートが知られている。このウエハボー
トは、図１５、図１６に示すように、半円弧状の上下の
支持板３１，３２間に、多数のウエハ積載用溝部３３を
設けた断面三角形状の４本の支持棒３４が、それぞれの
一つのエッジ部に設けたウエハ積載用溝部３３をそれら
に積載される半導体ウエハ（図示せず）の中心を指向す
るように配設され、両支持板３１及び各支持棒３４がＳ
ｉＣや金属Ｓｉを含浸したＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）で構
成されている。なお、ウエハボートの高純度化を図るた
め、表面を高純度セラミック膜で覆うことも知られてい
る。このウエハボートは、上記構成により、支持棒３４
の断面が三角形状であるので、座屈荷重が増大し、耐用
寿命が長くなる、というものである。又、従来の縦型ウ
エハボートとしては、図１７〜図１９に示すように、ウ
エハ挿入方向（図１８においては右から左へ）のスリッ
ト３５を後部（図１８においては左部）中央に設けた円
輪板状の上下の支持板３６，３７間に、多数のウエハ積
載用溝部３８を設けた断面円形状の４本の支持棒３９
が、それぞれのウエハ積載用溝部３８をそれぞれに積層
される半導体ウエハＷの中心を指向するように配設さ
れ、両支持板３６，３７及び各支持棒３９がセラミック
基材からなりかつ表面が高純度セラミック膜（図示せ
ず）で覆われて構成されており、各支持棒３９のウエハ
積載用溝部３８の下の水平なエッジ部には、面取り４０
が施され、又、下の支持板３７の前部（図１８において
は右部）には、半導体ウエハＷの自動移載時の基準とな
る基準面４１を下面に形成した突起４２が突設されてい
るものである。この縦型ウエハボートは、半導体ウエハ
Ｗの移載に際し、基準面４１から所要のウエハ積載用溝
部３８の位置が決定され、半導体ウエハＷの自動移載が
可能となる、というものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の前者の
縦型ウエハボートでは、支持棒が断面三角形状であるた
め、例えば、表面が高純度セラミック膜で覆われている
場合、その縦のエッジ部のセラミック膜が、製造時や使
用時における他の部材との接触、又は使用時における冷
熱サイクルにより生ずる熱応力の集中によって破損し易
く、かかる場合、セラミック基材からの不純物の放出を
招来し、処理される半導体ウエハに悪影響を与える不具
合がある。特に、半導体ウエハ表面にＳｉＯ2 膜やＳｉ
3 Ｎ4 膜、ポリＳｉ膜等をＬＰ−ＣＶＤ法等によって形
成する場合、半導体ウエハのみならず縦型ウエハボート
自体にもＣＶＤ膜が形成されるので、支持棒の縦のエッ
ジ部やウエハ積載用溝部の上下の水平なエッジ部に付着
したＣＶＤ膜が、次のウエハ積載時や熱処理時に剥がれ
てパーティクルとなり、処理される半導体ウエハに悪影
響を与える不具合がある。又、後者の縦型ウエハボート
では、支持棒が断面円形状であるため、前者のもののよ
うな不具合がないものの、ウエハ積載用溝部の縦のエッ
ジ部が鋭角となっているので、その部分のセラミック膜
やその部分に付着したＣＶＤ膜の剥離を招来する不具合
がある。なお、上記両縦型ウエハボートの工程毎の洗浄
は、生産性の低下を防止したり、洗浄できないセラミッ
ク膜があったりするため、通常、行われていない。更
に、いずれの縦型ウエハボートも、支持棒が４本である
ため、半導体ウエハの支持箇所が多くなって多量のパー
ティクルの発生を招く不具合がある。そこで、本発明
は、セラミック膜の剥離を防止し得、ひいては耐用寿命
の長い縦型ウエハボートを提供することを主目的とす
る。
縦型ウエハボートでは、支持棒が断面三角形状であるた
め、例えば、表面が高純度セラミック膜で覆われている
場合、その縦のエッジ部のセラミック膜が、製造時や使
用時における他の部材との接触、又は使用時における冷
熱サイクルにより生ずる熱応力の集中によって破損し易
く、かかる場合、セラミック基材からの不純物の放出を
招来し、処理される半導体ウエハに悪影響を与える不具
合がある。特に、半導体ウエハ表面にＳｉＯ2 膜やＳｉ
3 Ｎ4 膜、ポリＳｉ膜等をＬＰ−ＣＶＤ法等によって形
成する場合、半導体ウエハのみならず縦型ウエハボート
自体にもＣＶＤ膜が形成されるので、支持棒の縦のエッ
ジ部やウエハ積載用溝部の上下の水平なエッジ部に付着
したＣＶＤ膜が、次のウエハ積載時や熱処理時に剥がれ
てパーティクルとなり、処理される半導体ウエハに悪影
響を与える不具合がある。又、後者の縦型ウエハボート
では、支持棒が断面円形状であるため、前者のもののよ
うな不具合がないものの、ウエハ積載用溝部の縦のエッ
ジ部が鋭角となっているので、その部分のセラミック膜
やその部分に付着したＣＶＤ膜の剥離を招来する不具合
がある。なお、上記両縦型ウエハボートの工程毎の洗浄
は、生産性の低下を防止したり、洗浄できないセラミッ
ク膜があったりするため、通常、行われていない。更
に、いずれの縦型ウエハボートも、支持棒が４本である
ため、半導体ウエハの支持箇所が多くなって多量のパー
ティクルの発生を招く不具合がある。そこで、本発明
は、セラミック膜の剥離を防止し得、ひいては耐用寿命
の長い縦型ウエハボートを提供することを主目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の縦型ウエハボートは、上下の支持板
間に、多数のウエハ積載用溝部を設けた支持棒が左右対
称に前後に２本ずつ配設され、両支持板及び各支持棒が
セラミック基材からなりかつ表面が高純度セラミック膜
で覆われ、前方の左右の支持棒の少なくともウエハ積載
用溝部がこれに積載される半導体ウエハのウエハ挿入方
向と垂直な中心線よりも前方に位置するように設けら
れ、各支持棒のウエハ積載用溝部における水平断面が９
０°以下の鋭角部を有しない多角形に形成されているこ
とを特徴とする。第２の縦型ウエハボートは、第１のも
のにおいて、前記各支持棒のウエハ積載用溝部の上下の
エッジ部に面取りが施されていることを特徴とする。第
３の縦型ウエハボートは、第１又は第２のものにおい
て、前記両支持板がウエハ挿入方向のスリットを後部中
央に設けた円輪板状を呈し、前方及び後方の左右の支持
棒のウエハ積載用溝部における水平断面積がほぼ同等で
あることを特徴とする。前記前方及び後方の左右の支持
棒のウエハ積載用溝部における水平断面積の比は、１：
０．９５〜１：１．０５であることが好ましい。第４の
縦型ウエハボートは、第１又は第２のものにおいて、前
記両支持板がウエハ挿入方向のスリットを後部中央に設
けた円輪板状を呈し、後方の左右の支持棒のいずれか一
方がウエハ積載用溝部を有しない補強棒に代替されてい
ることを特徴とする。第５の縦型ウエハボートは、第４
のものにおいて、前記前方の左右の支持棒のウエハ積載
用溝部における水平断面積、及び後方の支持棒のウエハ
積載用溝部における水平断面積と補強棒の水平断面積が
ほぼ同等であることを特徴とする。前記前方の左右の支
持棒のウエハ積載用溝部における水平断面積の比及び後
方の支持棒のウエハ積載用溝部における水平断面積と補
強棒の水平断面積の比が１：０．９５〜１：１．０５で
あることが好ましい。ここで、前とは、半導体ウエハが
出し入れされる側をいう。セラミック基材としては、金
属Ｓｉを含浸したＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）、０．１ｗｔ
％以下のＢを焼結助剤として用いた自己焼結ＳｉＣ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等が用いられ、又、高純度セラミック膜として
は、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜、ＣＶＤ−Ｓｉ3 Ｎ4 膜、ＣＶＤ
−Ａｌ2 Ｏ3 膜、あるいはＳｉＣやＳｉ3 Ｎ4 基材を酸
化雰囲気中で加熱処理することで形成したＳｉＯ2 膜等
が用いられる。
め、本発明の第１の縦型ウエハボートは、上下の支持板
間に、多数のウエハ積載用溝部を設けた支持棒が左右対
称に前後に２本ずつ配設され、両支持板及び各支持棒が
セラミック基材からなりかつ表面が高純度セラミック膜
で覆われ、前方の左右の支持棒の少なくともウエハ積載
用溝部がこれに積載される半導体ウエハのウエハ挿入方
向と垂直な中心線よりも前方に位置するように設けら
れ、各支持棒のウエハ積載用溝部における水平断面が９
０°以下の鋭角部を有しない多角形に形成されているこ
とを特徴とする。第２の縦型ウエハボートは、第１のも
のにおいて、前記各支持棒のウエハ積載用溝部の上下の
エッジ部に面取りが施されていることを特徴とする。第
３の縦型ウエハボートは、第１又は第２のものにおい
て、前記両支持板がウエハ挿入方向のスリットを後部中
央に設けた円輪板状を呈し、前方及び後方の左右の支持
棒のウエハ積載用溝部における水平断面積がほぼ同等で
あることを特徴とする。前記前方及び後方の左右の支持
棒のウエハ積載用溝部における水平断面積の比は、１：
０．９５〜１：１．０５であることが好ましい。第４の
縦型ウエハボートは、第１又は第２のものにおいて、前
記両支持板がウエハ挿入方向のスリットを後部中央に設
けた円輪板状を呈し、後方の左右の支持棒のいずれか一
方がウエハ積載用溝部を有しない補強棒に代替されてい
ることを特徴とする。第５の縦型ウエハボートは、第４
のものにおいて、前記前方の左右の支持棒のウエハ積載
用溝部における水平断面積、及び後方の支持棒のウエハ
積載用溝部における水平断面積と補強棒の水平断面積が
ほぼ同等であることを特徴とする。前記前方の左右の支
持棒のウエハ積載用溝部における水平断面積の比及び後
方の支持棒のウエハ積載用溝部における水平断面積と補
強棒の水平断面積の比が１：０．９５〜１：１．０５で
あることが好ましい。ここで、前とは、半導体ウエハが
出し入れされる側をいう。セラミック基材としては、金
属Ｓｉを含浸したＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）、０．１ｗｔ
％以下のＢを焼結助剤として用いた自己焼結ＳｉＣ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 等が用いられ、又、高純度セラミック膜として
は、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜、ＣＶＤ−Ｓｉ3 Ｎ4 膜、ＣＶＤ
−Ａｌ2 Ｏ3 膜、あるいはＳｉＣやＳｉ3 Ｎ4 基材を酸
化雰囲気中で加熱処理することで形成したＳｉＯ2 膜等
が用いられる。
【０００５】各支持棒のウエハ積載用溝部における水平
断面が９０°以下の鋭角部を有している多角形状である
と、セラミック膜や付着ＣＶＤ膜が衝撃力や熱応力によ
って剥離する。支持棒のウエハ積載用溝部における水平
断面は、いずれの角部も１００°以上の鈍角部である多
角形状であることが好ましい。面取りは、サンドブラス
ト処理等によって行われ、その部分の面粗さは、０．３
〜５００μｍであることが好ましく、又、Ｃ面、Ｒ面の
いずれでもよい。支持棒のウエハ積載用溝部における水
平断面積の比が１：０．９５〜１：１．０５の範囲外と
なると、上下の支持板に熱歪を生じ、最終的にはボート
の変形や破損を招く。補強棒は、両支持板及び各支持棒
と同様のセラミック基材からなりかつ表面が同様の高純
度セラミック膜で覆われている。
断面が９０°以下の鋭角部を有している多角形状である
と、セラミック膜や付着ＣＶＤ膜が衝撃力や熱応力によ
って剥離する。支持棒のウエハ積載用溝部における水平
断面は、いずれの角部も１００°以上の鈍角部である多
角形状であることが好ましい。面取りは、サンドブラス
ト処理等によって行われ、その部分の面粗さは、０．３
〜５００μｍであることが好ましく、又、Ｃ面、Ｒ面の
いずれでもよい。支持棒のウエハ積載用溝部における水
平断面積の比が１：０．９５〜１：１．０５の範囲外と
なると、上下の支持板に熱歪を生じ、最終的にはボート
の変形や破損を招く。補強棒は、両支持板及び各支持棒
と同様のセラミック基材からなりかつ表面が同様の高純
度セラミック膜で覆われている。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１、図２及び図３は本発
明に係る縦型ウエハボートの第１の実施の形態を示す正
面図、図１のＡ−Ａ線断面矢視図及び図１のＢ−Ｂ線断
面矢視図である。図中１，２は互いに離隔された上下の
支持板で、両支持板１，２は、半導体ウエハＷへの挿入
方向（図３においては下から上へ）のスリットを後部
（図３においては上部）中央に設けた円輪板状を呈し、
表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われた
Ｓｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材からなる。上下の支持
板１，２間には、多数のウエハ積載用溝部３を上下方向
へ一定間隔で水平に設けた支持棒４が、ウエハ積載用溝
部３を支持板１，２の中心方向に向けると共に、積載さ
れる半導体ウエハＷのウエハ挿入方向と垂直な中心線５
よりもウエハ挿入側である前方（図３においては下方）
に位置するようにして左右（図３においては左右）対称
に１本ずつ配設され、又、ウエハ積載用溝部３を有しな
い補強棒８と前記支持棒４とが後方内側寄りに位置する
ようにして左右対称に配設されている。そして、各支持
棒４及び補強棒８は、両支持板１，２と同様に表面がＣ
ＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われたＳｉ−Ｓ
ｉＣ質のセラミック基材からなる。前記支持棒４は、前
方の２本が断面直角三角形状になされ、その直角部が前
部外側に位置し、ウエハ積載用溝部３の壁部１２がウエ
ハ挿入方向とほぼ平行に設けられ、後方の１本が断面方
形状になされてその一側面がウエハ挿入方向と向き合う
ように位置し、そのウエハ積載用溝部３の壁部１２が支
持板１，２の中心を中心とする円に沿って設けられ、
又、補強棒８は、断面矩形状になされてその一側面が支
持板１，２の中心を中心とする上記円に沿って設けられ
ている。そして、支持棒４及び補強棒８の縦のエッジ部
（ウエハ積載用溝部の縦のエッジ部を含む）には、図
３、図４に示すように、斜めの面取り９が施され、支持
棒４のウエハ積載用溝部３における水平断面及び補強棒
８の水平断面は、９０°以下の鋭角部を有しない多角形
状に形成されている。なお、支持棒４におけるウエハ積
載用溝部３の壁部１２は、ウエハ外周形状に対応したＲ
形状でも、又、直線状のいずれでもかまわない。又、前
方の左右の支持棒４のウエハ積載用溝部３における水平
断面積、及び補強棒８の水平断面積と後方の支持棒４の
ウエハ積載用溝部３における水平断面積は、熱膨脹差に
よる支持板１，２の変形や破損を防止するため、左右の
面積比が１：０．９５〜１：１．０５の範囲内となるよ
うにしてほぼ同等に設けられている。一方、上下の支持
板１，２には、ウエハ挿入側の上側、下側にウエハ自動
移載用基準面６，６′を有する突起７，７′が設けられ
ている。
て図面を参照して説明する。図１、図２及び図３は本発
明に係る縦型ウエハボートの第１の実施の形態を示す正
面図、図１のＡ−Ａ線断面矢視図及び図１のＢ−Ｂ線断
面矢視図である。図中１，２は互いに離隔された上下の
支持板で、両支持板１，２は、半導体ウエハＷへの挿入
方向（図３においては下から上へ）のスリットを後部
（図３においては上部）中央に設けた円輪板状を呈し、
表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われた
Ｓｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材からなる。上下の支持
板１，２間には、多数のウエハ積載用溝部３を上下方向
へ一定間隔で水平に設けた支持棒４が、ウエハ積載用溝
部３を支持板１，２の中心方向に向けると共に、積載さ
れる半導体ウエハＷのウエハ挿入方向と垂直な中心線５
よりもウエハ挿入側である前方（図３においては下方）
に位置するようにして左右（図３においては左右）対称
に１本ずつ配設され、又、ウエハ積載用溝部３を有しな
い補強棒８と前記支持棒４とが後方内側寄りに位置する
ようにして左右対称に配設されている。そして、各支持
棒４及び補強棒８は、両支持板１，２と同様に表面がＣ
ＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われたＳｉ−Ｓ
ｉＣ質のセラミック基材からなる。前記支持棒４は、前
方の２本が断面直角三角形状になされ、その直角部が前
部外側に位置し、ウエハ積載用溝部３の壁部１２がウエ
ハ挿入方向とほぼ平行に設けられ、後方の１本が断面方
形状になされてその一側面がウエハ挿入方向と向き合う
ように位置し、そのウエハ積載用溝部３の壁部１２が支
持板１，２の中心を中心とする円に沿って設けられ、
又、補強棒８は、断面矩形状になされてその一側面が支
持板１，２の中心を中心とする上記円に沿って設けられ
ている。そして、支持棒４及び補強棒８の縦のエッジ部
（ウエハ積載用溝部の縦のエッジ部を含む）には、図
３、図４に示すように、斜めの面取り９が施され、支持
棒４のウエハ積載用溝部３における水平断面及び補強棒
８の水平断面は、９０°以下の鋭角部を有しない多角形
状に形成されている。なお、支持棒４におけるウエハ積
載用溝部３の壁部１２は、ウエハ外周形状に対応したＲ
形状でも、又、直線状のいずれでもかまわない。又、前
方の左右の支持棒４のウエハ積載用溝部３における水平
断面積、及び補強棒８の水平断面積と後方の支持棒４の
ウエハ積載用溝部３における水平断面積は、熱膨脹差に
よる支持板１，２の変形や破損を防止するため、左右の
面積比が１：０．９５〜１：１．０５の範囲内となるよ
うにしてほぼ同等に設けられている。一方、上下の支持
板１，２には、ウエハ挿入側の上側、下側にウエハ自動
移載用基準面６，６′を有する突起７，７′が設けられ
ている。
【０００７】上記構成の縦型ウエハボートにおいては、
支持棒４のウエハ積載用溝部３における水平断面及び補
強棒８の水平断面が、９０°以下の鋭角部を有しない多
角形状に設けられているので、エッジ部に衝撃力や熱応
力が作用したとしてもセラミック膜や付着ＣＶＤ膜が剥
離し難くなり、耐用寿命を増長できると共に、パーティ
クルの発生を防止できる。又、前記補強棒８は支持棒４
でもよいのであるが、半導体ウエハＷがウエハ積載用溝
部３に挿入された場合、溝部３の面精度から半導体ウエ
ハＷが実際に接触しているのは実質的に３ヶ所であるの
で、ウエハ積載用溝部３を有する支持棒４を３本とし、
残り１本をウエハ積載用溝部３の無い補強棒８としたも
ので、これにより、縦型ウエハボート５の強度を保持で
きるので、他の支持棒４の破損も防止できる。また、ウ
エハ積載用溝部３を有する支持棒４が１本少なくなった
ことにより、ウエハの気相成長工程において、ウエハ積
載用溝部３へ付着したＣＶＤ膜が、半導体ウエハＷのウ
エハ積載用溝部３への挿入移載の際にこすれてパーティ
クルが発生していたものが、１本の支持棒４に相当する
分、パーティクルの発生を抑制できる。更に、ほぼ同形
状の上下の支持板１、２に、夫々半導体ウエハＷの挿入
側の最前位置で上側と下側にウエハ自動移載用の基準面
６，６′を有する突起７，７′を設けてあるので、半導
体ウエハの酸化、拡散及び気相成長などの工程におい
て、下側の基準面６′を基準とし、半導体ウエハをウエ
ハ積載用溝部３に自動積載することを行うと、半導体ウ
エハがウエハ積載用溝部３に繰り返し接触し、溝面が欠
けたり、荒れたりし、その結果パーティクルが発生した
り、半導体ウエハに傷が付いたりしてウエハボートが寿
命となっても、縦型ウエハボート５を反転して上側の基
準面６を基準とし、半導体ウエハをウエハ積載用溝部３
に自動積載することを行うと、縦型ウエハボート５の寿
命が大幅に増長する。
支持棒４のウエハ積載用溝部３における水平断面及び補
強棒８の水平断面が、９０°以下の鋭角部を有しない多
角形状に設けられているので、エッジ部に衝撃力や熱応
力が作用したとしてもセラミック膜や付着ＣＶＤ膜が剥
離し難くなり、耐用寿命を増長できると共に、パーティ
クルの発生を防止できる。又、前記補強棒８は支持棒４
でもよいのであるが、半導体ウエハＷがウエハ積載用溝
部３に挿入された場合、溝部３の面精度から半導体ウエ
ハＷが実際に接触しているのは実質的に３ヶ所であるの
で、ウエハ積載用溝部３を有する支持棒４を３本とし、
残り１本をウエハ積載用溝部３の無い補強棒８としたも
ので、これにより、縦型ウエハボート５の強度を保持で
きるので、他の支持棒４の破損も防止できる。また、ウ
エハ積載用溝部３を有する支持棒４が１本少なくなった
ことにより、ウエハの気相成長工程において、ウエハ積
載用溝部３へ付着したＣＶＤ膜が、半導体ウエハＷのウ
エハ積載用溝部３への挿入移載の際にこすれてパーティ
クルが発生していたものが、１本の支持棒４に相当する
分、パーティクルの発生を抑制できる。更に、ほぼ同形
状の上下の支持板１、２に、夫々半導体ウエハＷの挿入
側の最前位置で上側と下側にウエハ自動移載用の基準面
６，６′を有する突起７，７′を設けてあるので、半導
体ウエハの酸化、拡散及び気相成長などの工程におい
て、下側の基準面６′を基準とし、半導体ウエハをウエ
ハ積載用溝部３に自動積載することを行うと、半導体ウ
エハがウエハ積載用溝部３に繰り返し接触し、溝面が欠
けたり、荒れたりし、その結果パーティクルが発生した
り、半導体ウエハに傷が付いたりしてウエハボートが寿
命となっても、縦型ウエハボート５を反転して上側の基
準面６を基準とし、半導体ウエハをウエハ積載用溝部３
に自動積載することを行うと、縦型ウエハボート５の寿
命が大幅に増長する。
【０００８】図５、図６及び図７は本発明に係る縦型ウ
エハボートの第２の実施の形態を示す横断面図、図５の
部分拡大図及び図６のＡ′−Ａ′線断面矢視図である。
この縦型ウエハボートは、ウエハ積載用溝部３の開口エ
ッジ部、即ち上下の水平なエッジ部が、サンドブラスト
処理で面取り１０ａ，１０ｂされ、その部分の表面粗さ
を０．３〜５００μｍとしたものである。他の構成は、
第１の実施の形態のものと同様であるので、同一の構成
部材等には、同一の符号を付してその説明を省略する。
したがって、上述した縦型ウエハボートにおいては、第
１の実施の形態のものと同様の作用効果の他、ウエハ積
載用溝部３の上下の水平なエッジ部のセラミック膜及び
付着したＣＶＤ膜が衝撃力や熱応力によって剥離し難く
なり、一層耐用寿命を増長でき、かつ、パーティクルの
発生を防止できる。
エハボートの第２の実施の形態を示す横断面図、図５の
部分拡大図及び図６のＡ′−Ａ′線断面矢視図である。
この縦型ウエハボートは、ウエハ積載用溝部３の開口エ
ッジ部、即ち上下の水平なエッジ部が、サンドブラスト
処理で面取り１０ａ，１０ｂされ、その部分の表面粗さ
を０．３〜５００μｍとしたものである。他の構成は、
第１の実施の形態のものと同様であるので、同一の構成
部材等には、同一の符号を付してその説明を省略する。
したがって、上述した縦型ウエハボートにおいては、第
１の実施の形態のものと同様の作用効果の他、ウエハ積
載用溝部３の上下の水平なエッジ部のセラミック膜及び
付着したＣＶＤ膜が衝撃力や熱応力によって剥離し難く
なり、一層耐用寿命を増長でき、かつ、パーティクルの
発生を防止できる。
【０００９】図８、図９及び図１０は本発明に係る縦型
ウエハボートの第３の実施の形態を示す正面図、図８の
Ｃ−Ｃ線断矢視図及び図８のＤ−Ｄ線断面矢視図であ
る。この縦型ウエハボートの上下の支持板１，２は、第
１、第２の実施の形態のものと同様に、半導体ウエハＷ
の挿入方向（図１０においては下から上へ）のスリット
を後部（図１０においては上部）中央に設けた円輪板状
を呈し、表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で
覆われたＳｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材からなる。上
下の支持板１，２間には、多数のウエハ積載用溝部３を
上下方向へ一定間隔で水平に設けた４本の支持棒４が、
ウエハ積載用溝部３を支持板１，２の中心方向に向けて
左右（図１０においては左右）対称に前（図１０におい
ては下）後に一対設けられており、前方の一対の支持棒
４は、積載される半導体ウエハＷのウエハ挿入方向と垂
直な中心線５よりも前方に位置するように配設されてい
る。各支持棒４は、表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラ
ミック膜で覆われたＳｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材か
らなり、図１１に示すように、４本とも前面側三角、後
面側四角の断面変形五角形になされ、その前面側が支持
板１，２の中心に向き、ウエハ積載用溝部３の壁部１２
が支持板１，２の中心を中心とする円に沿って設けられ
ている。そして、支持棒４は、周囲の縦のエッジ部と図
１２に示すウエハ積載用溝部３の開口エッジ部、即ち上
下の水平エッジ部が、サンドブラスト処理で面取り１
０，１１，１０ａ，１０ｂが施され、支持棒４のウエハ
積載用溝部３における水平断面は、９０°以下の鋭角部
を有しない多角形状に形成され、かつ面取り１０，１
１，１０ａ，１０ｂの部分の表面粗さが０．３〜５００
μｍになされている。又、前方及び後方の左右の支持棒
４のウエハ積載用溝部３における水平断面積は、支持棒
４の熱膨脹差による支持板１，２の変形や破損を防止す
るため、左右の面積比が１：０．９５〜１：１．０５の
範囲内となるようにしてほぼ同等に設けられている。一
方、上下の支持板１，２には、第１の実施の形態のもの
と同等に、ウエハ挿入側の上側、下側にウエハ自動移載
用基準面６，６′を有する突起７，７′が設けられてい
る。
ウエハボートの第３の実施の形態を示す正面図、図８の
Ｃ−Ｃ線断矢視図及び図８のＤ−Ｄ線断面矢視図であ
る。この縦型ウエハボートの上下の支持板１，２は、第
１、第２の実施の形態のものと同様に、半導体ウエハＷ
の挿入方向（図１０においては下から上へ）のスリット
を後部（図１０においては上部）中央に設けた円輪板状
を呈し、表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で
覆われたＳｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材からなる。上
下の支持板１，２間には、多数のウエハ積載用溝部３を
上下方向へ一定間隔で水平に設けた４本の支持棒４が、
ウエハ積載用溝部３を支持板１，２の中心方向に向けて
左右（図１０においては左右）対称に前（図１０におい
ては下）後に一対設けられており、前方の一対の支持棒
４は、積載される半導体ウエハＷのウエハ挿入方向と垂
直な中心線５よりも前方に位置するように配設されてい
る。各支持棒４は、表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラ
ミック膜で覆われたＳｉ−ＳｉＣ質のセラミック基材か
らなり、図１１に示すように、４本とも前面側三角、後
面側四角の断面変形五角形になされ、その前面側が支持
板１，２の中心に向き、ウエハ積載用溝部３の壁部１２
が支持板１，２の中心を中心とする円に沿って設けられ
ている。そして、支持棒４は、周囲の縦のエッジ部と図
１２に示すウエハ積載用溝部３の開口エッジ部、即ち上
下の水平エッジ部が、サンドブラスト処理で面取り１
０，１１，１０ａ，１０ｂが施され、支持棒４のウエハ
積載用溝部３における水平断面は、９０°以下の鋭角部
を有しない多角形状に形成され、かつ面取り１０，１
１，１０ａ，１０ｂの部分の表面粗さが０．３〜５００
μｍになされている。又、前方及び後方の左右の支持棒
４のウエハ積載用溝部３における水平断面積は、支持棒
４の熱膨脹差による支持板１，２の変形や破損を防止す
るため、左右の面積比が１：０．９５〜１：１．０５の
範囲内となるようにしてほぼ同等に設けられている。一
方、上下の支持板１，２には、第１の実施の形態のもの
と同等に、ウエハ挿入側の上側、下側にウエハ自動移載
用基準面６，６′を有する突起７，７′が設けられてい
る。
【００１０】上記構成の縦型ウエハボートにおいては、
支持棒４を全て同一とした他、第２の実施の形態のもの
と同様の構成であり、それとほぼ同様の作用効果を奏す
る。
支持棒４を全て同一とした他、第２の実施の形態のもの
と同様の構成であり、それとほぼ同様の作用効果を奏す
る。
【００１１】図１３は本発明に係る縦型ウエハボートの
第４の実施の形態を示す横断面図である。この縦型ウエ
ハボートは、後方の２本の支持棒４の１本を第１、第２
の実施の形態のものと同様に補強棒８に代替したもので
ある。他の構成及び作用効果は、第３の実施の形態のも
のと同様であるので、同一の構成部材等には、同一の符
号を付してその説明を省略する。
第４の実施の形態を示す横断面図である。この縦型ウエ
ハボートは、後方の２本の支持棒４の１本を第１、第２
の実施の形態のものと同様に補強棒８に代替したもので
ある。他の構成及び作用効果は、第３の実施の形態のも
のと同様であるので、同一の構成部材等には、同一の符
号を付してその説明を省略する。
【００１２】ここで、第２の実施の形態、第４の実
施の形態の縦型ウエハボート、これらと同様に表面が
ＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われたＳｉ−
ＳｉＣ質のセラミック基材からなり、支持棒４が、図１
４に示すように、縦のエッジ部に９０°以下の鋭角部を
有し、かつウエハ構成用溝部３の水平なエッジ部に面取
りが施されていない縦型ウエハボート及び実施の形態の
ものと同様に表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック
膜で覆われたＳｉ−ＳｉＣ質の基材からなる図１５、
図１７の縦型ウエハボートを用い、あらかじめ、表面
に熱酸化膜（ＳｉＣＯ2 ）を１００ｎｍ形成したシリコ
ンウエハを用意し、以下のＬＰ−ＣＶＤ条件で５０枚の
該シリコンウエハを積載してその表面に１５０ｎｍのリ
ンソープされたポリシリコン膜を形成したところ、と
の縦型ウエハボートでは、１０００回のＬＰ−ＣＶＤ
処理後でも不具合が生じなかったのに対し、の縦型ウ
エハボートでは、７００回でボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜
に亀裂が生じ、の縦型ウエハボートでは、３００回で
ボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜に亀裂が生じ、の縦型ウエ
ハボートでは、５００回でポリＳｉ膜からなるパーティ
クルが増加し、６５０回でボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜に
亀裂を生じ、いずれもボートの交換を必要とした。 ＬＰ−ＣＶＤ条件 Ａ．５０枚のシリコンウエハ（表面に１００ｎｍの熱酸
化膜を形成）をボートに積載する。 Ｂ．常圧、５００℃のＬＰ−ＣＶＤ炉にボートを挿入す
る。 Ｃ．Ｎ2 ガスをパージしながら０．３Ｔｏｒｒまで減圧
し、６５０℃まで昇温する。 Ｄ．８０％以上の濃度のＳｉＨ4 （モノシラン）ガス＋
Ｈｅガス＋ＰＨ3 （リン化水素）ガスをチャージし、ウ
エハ表面にＰ（リン）ドープされたポリＳｉ膜を１５０
ｎｍの厚さに形成する。 Ｅ．ＳｉＨ4 ガス、Ｈｅガス及びＰＨ3 ガスの供給を停
止し、Ｎ2 ガスパージする。 Ｆ．常圧に戻し、５００℃まで降温させる。 Ｇ．ボートをＬＰ−ＣＶＤ炉から取り出す。 したがって、本発明に係る縦型ウエハボートは、耐用寿
命に優れていることがわかる。
施の形態の縦型ウエハボート、これらと同様に表面が
ＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック膜で覆われたＳｉ−
ＳｉＣ質のセラミック基材からなり、支持棒４が、図１
４に示すように、縦のエッジ部に９０°以下の鋭角部を
有し、かつウエハ構成用溝部３の水平なエッジ部に面取
りが施されていない縦型ウエハボート及び実施の形態の
ものと同様に表面がＣＶＤ−ＳｉＣの高純度セラミック
膜で覆われたＳｉ−ＳｉＣ質の基材からなる図１５、
図１７の縦型ウエハボートを用い、あらかじめ、表面
に熱酸化膜（ＳｉＣＯ2 ）を１００ｎｍ形成したシリコ
ンウエハを用意し、以下のＬＰ−ＣＶＤ条件で５０枚の
該シリコンウエハを積載してその表面に１５０ｎｍのリ
ンソープされたポリシリコン膜を形成したところ、と
の縦型ウエハボートでは、１０００回のＬＰ−ＣＶＤ
処理後でも不具合が生じなかったのに対し、の縦型ウ
エハボートでは、７００回でボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜
に亀裂が生じ、の縦型ウエハボートでは、３００回で
ボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜に亀裂が生じ、の縦型ウエ
ハボートでは、５００回でポリＳｉ膜からなるパーティ
クルが増加し、６５０回でボートのＣＶＤ−ＳｉＣ膜に
亀裂を生じ、いずれもボートの交換を必要とした。 ＬＰ−ＣＶＤ条件 Ａ．５０枚のシリコンウエハ（表面に１００ｎｍの熱酸
化膜を形成）をボートに積載する。 Ｂ．常圧、５００℃のＬＰ−ＣＶＤ炉にボートを挿入す
る。 Ｃ．Ｎ2 ガスをパージしながら０．３Ｔｏｒｒまで減圧
し、６５０℃まで昇温する。 Ｄ．８０％以上の濃度のＳｉＨ4 （モノシラン）ガス＋
Ｈｅガス＋ＰＨ3 （リン化水素）ガスをチャージし、ウ
エハ表面にＰ（リン）ドープされたポリＳｉ膜を１５０
ｎｍの厚さに形成する。 Ｅ．ＳｉＨ4 ガス、Ｈｅガス及びＰＨ3 ガスの供給を停
止し、Ｎ2 ガスパージする。 Ｆ．常圧に戻し、５００℃まで降温させる。 Ｇ．ボートをＬＰ−ＣＶＤ炉から取り出す。 したがって、本発明に係る縦型ウエハボートは、耐用寿
命に優れていることがわかる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の縦
型ウエハボートによれば、支持棒のウエハ積載用溝部に
おける水平断面が９０°以下の鋭角部を有しない多角形
状に形成されているので、縦のエッジ部に衝撃力や熱応
力が作用したとしてもセラミック膜や付着ＣＶＤ膜が剥
離し難くなり、耐用寿命を増長できると共に、パーティ
クルの発生を防止できる。第２の縦型ウエハボートによ
れば、第１のものと同様も作用効果が得られる他、ウエ
ハ積載用溝部の上下の水平なエッジ部に面取りが施され
ているので、その部分のセラミック膜及び付着ＣＶＤ膜
が剥離し難くなり、一層耐用寿命を増長でき、かつ、パ
ーティクルの発生を防止できる。第３の縦型ウエハボー
トによれば、第１又は第２のものと同様の作用効果が得
られる他、各支持棒の熱膨脹差が少なくなって支持板の
変形や破損が防止され、耐用寿命を延長できる。第４の
縦型ウエハボートによれば、第１又は第２のものと同様
の作用効果の他、半導体ウエハの積載保持に全く影響を
与えることなく、縦型ウエハボートの強度を保持し、他
の支持棒の破損も防止でき、その上、パーティクル発生
源となるウエハ積載用溝部を有する支持棒が１本少なく
なることにより、その分パーティクルの発生が抑制さ
れ、寿命が増長する。又、第５の縦型ウエハボートによ
れば、第４のものと同様の作用効果が得られる他、支持
棒と補強棒の熱膨脹差が少なくなって支持板の変形や破
損が防止され、耐用寿命を延長できる。
型ウエハボートによれば、支持棒のウエハ積載用溝部に
おける水平断面が９０°以下の鋭角部を有しない多角形
状に形成されているので、縦のエッジ部に衝撃力や熱応
力が作用したとしてもセラミック膜や付着ＣＶＤ膜が剥
離し難くなり、耐用寿命を増長できると共に、パーティ
クルの発生を防止できる。第２の縦型ウエハボートによ
れば、第１のものと同様も作用効果が得られる他、ウエ
ハ積載用溝部の上下の水平なエッジ部に面取りが施され
ているので、その部分のセラミック膜及び付着ＣＶＤ膜
が剥離し難くなり、一層耐用寿命を増長でき、かつ、パ
ーティクルの発生を防止できる。第３の縦型ウエハボー
トによれば、第１又は第２のものと同様の作用効果が得
られる他、各支持棒の熱膨脹差が少なくなって支持板の
変形や破損が防止され、耐用寿命を延長できる。第４の
縦型ウエハボートによれば、第１又は第２のものと同様
の作用効果の他、半導体ウエハの積載保持に全く影響を
与えることなく、縦型ウエハボートの強度を保持し、他
の支持棒の破損も防止でき、その上、パーティクル発生
源となるウエハ積載用溝部を有する支持棒が１本少なく
なることにより、その分パーティクルの発生が抑制さ
れ、寿命が増長する。又、第５の縦型ウエハボートによ
れば、第４のものと同様の作用効果が得られる他、支持
棒と補強棒の熱膨脹差が少なくなって支持板の変形や破
損が防止され、耐用寿命を延長できる。
【図１】本発明に係る縦型ウエハボートの第１の実施の
形態を示す正面図である。
形態を示す正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面矢視図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面矢視図である。
【図４】図１の縦型ウエハボートにおける前方のウエハ
積載用溝部を有する支持棒の横断面図である。
積載用溝部を有する支持棒の横断面図である。
【図５】本発明に係る縦型ウエハボートの第２の実施の
形態を示す横断面図である。
形態を示す横断面図である。
【図６】図５の部分拡大図である。
【図７】図６のＡ′−Ａ′線断面矢視図である。
【図８】本発明の縦型ウエハボートの第３の実施の形態
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線断面矢視図である。
【図１０】図８のＤ−Ｄ線断面矢視図である。
【図１１】図８の縦型ウエハボートにおけるウエハ積載
用溝部を有する支持棒の横断面図である。
用溝部を有する支持棒の横断面図である。
【図１２】図８の縦型ウエハボートにおける支持棒のウ
エハ積載用溝部の一部縦断側面図である。
エハ積載用溝部の一部縦断側面図である。
【図１３】本発明に係る縦型ウエハボートの第４の実施
の形態を示す横断面図である。
の形態を示す横断面図である。
【図１４】比較のための縦型ウエハボートにおける支持
棒の横断面図である。
棒の横断面図である。
【図１５】従来の縦型ウエハボートを示す斜視図であ
る。
る。
【図１６】図１５の縦型ウエハボートにおける支持棒の
一部縦断側面図である。
一部縦断側面図である。
【図１７】従来の他の縦型ウエハボートを示す斜視図で
ある。
ある。
【図１８】図１７のＥ−Ｅ線断面矢視図である。
【図１９】図１７の縦型ウエハボートにおける支持棒の
一部縦断側面図である。
一部縦断側面図である。
【符号の説明】 １，２ 支持板 ３ ウエハ積載用溝部 ４ 支持棒 ５ 中心線 ８ 補強棒 ９ 面取り １０ 面取 １０ａ 面取り １０ｂ 面取り １１ 面取
Claims (7)
- 【請求項１】 上下の支持板間に、多数のウエハ積載用
溝部を設けた支持棒が左右対称に前後に２本ずつ配設さ
れ、両支持板及び各支持棒がセラミック基材からなりか
つ表面が高純度セラミック膜で覆われ、前方の左右の支
持棒の少なくともウエハ積載溝部がこれに積載される半
導体ウエハのウエハ挿入方向と垂直な中心線よりも前方
に位置するように設けられ、各支持棒のウエハ積載用溝
部における水平断面が９０°以下の鋭角部を有しない多
角形状に形成されていることを特徴とする縦型ウエハボ
ート。 - 【請求項２】 前記各支持棒のウエハ積載用溝部の上下
のエッジ部に面取りが施されていることを特徴とする請
求項１記載の縦型ウエハボート。 - 【請求項３】 前記両支持板がウエハ挿入方向のスリッ
トを後部中央に設けた円輪板状を呈し、前方及び後方の
左右の支持棒のウエハ積載用溝部における水平断面積が
ほぼ同等であることを特徴とする請求項１又は２記載の
縦型ウエハボート。 - 【請求項４】 前記前方及び後方の左右の支持棒のウエ
ハ積載用溝部における水平断面積の比が１：０．９５〜
１：１．０５であることを特徴とする請求項３記載の縦
型ウエハボート。 - 【請求項５】 前記両支持板がウエハ挿入方向のスリッ
トを後部中央に設けた円輪板状を呈し、後方の左右の支
持棒のいずれか一方がウエハ積載用溝部を有しない補強
棒に代替されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の縦型ウエハボート。 - 【請求項６】 前記前方の左右の支持棒のウエハ積載用
溝部における水平断面積、及び後方の支持棒のウエハ積
載用溝部における水平断面積と補強棒の水平断面積がほ
ぼ同等であることを特徴とする請求項５記載の縦型ウエ
ハボート。 - 【請求項７】 前記前方の支持棒のウエハ積載用部にお
ける水平断面積の比、及び後方の支持棒のウエハ積載用
溝部における水平断面積と補強棒の水平断面積の比が
１：０．９５〜１：１．０５であることを特徴とする請
求項６記載の縦型ウエハボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10390798A JP3507975B2 (ja) | 1997-04-15 | 1998-03-31 | 縦型ウエハボート |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11348397 | 1997-04-15 | ||
| JP9-113483 | 1997-04-15 | ||
| JP10390798A JP3507975B2 (ja) | 1997-04-15 | 1998-03-31 | 縦型ウエハボート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113866A true JPH113866A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3507975B2 JP3507975B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=26444486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10390798A Expired - Fee Related JP3507975B2 (ja) | 1997-04-15 | 1998-03-31 | 縦型ウエハボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3507975B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008095154A1 (en) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
| JP2009170938A (ja) * | 1999-04-15 | 2009-07-30 | Integrated Materials Inc | ウェーハ処理用シリコン固定具およびその製造方法 |
| JP2009239289A (ja) * | 2002-06-27 | 2009-10-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08107081A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ボート |
| JPH09106956A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Kokusai Electric Co Ltd | ボートおよびその設置構造 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10390798A patent/JP3507975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2009170938A (ja) * | 1999-04-15 | 2009-07-30 | Integrated Materials Inc | ウェーハ処理用シリコン固定具およびその製造方法 |
| JP2009239289A (ja) * | 2002-06-27 | 2009-10-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US7915165B2 (en) | 2002-06-27 | 2011-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate treating apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2008095154A1 (en) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
| US7661544B2 (en) | 2007-02-01 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3507975B2 (ja) | 2004-03-15 |
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