JPH11353892A - 半導体メモリ装置の冗長デコ―ダイネイブル回路 - Google Patents
半導体メモリ装置の冗長デコ―ダイネイブル回路Info
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- JPH11353892A JPH11353892A JP11151732A JP15173299A JPH11353892A JP H11353892 A JPH11353892 A JP H11353892A JP 11151732 A JP11151732 A JP 11151732A JP 15173299 A JP15173299 A JP 15173299A JP H11353892 A JPH11353892 A JP H11353892A
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Abstract
イネイブル回路及び冗長デコーダ回路を備える。 【解決手段】 冗長活性化回路は、第1ヒューズを有
し、電源電圧を分圧した第1レベルの第1分圧を発生す
る第1分圧回路、第2ヒューズを有し、電源電圧を分圧
した電源電圧と第2レベルとの間の第3レベルを有する
第2分圧を発生する第2分圧回路、そして第1及び第2
分圧を比較した比較信号を発生する比較回路とを含む。
Description
(semiconductor memorydevi
ce)に関するものであり、より詳しくは、欠陥セルを
代替する冗長セルのワードラインやビットラインを選択
するための冗長デコーダ回路(redundancy
decoder circuit)をイネイブルさせる
冗長デコーダイネイブル回路(redundancy
decoder enablecircuit)に関す
るものである。
収率(yield rate)を得るため多くの方法を
研究している。一般に半導体メモリ装置が幾つの欠陥メ
モリセル、単に1つの欠陥セルだけを有してもそのメモ
リ装置は、製品で出荷することができない。高集積半導
体メモリ装置の製造のとき、欠陥セルが発生する確率は
相対的に低い集積率を有する装置の製造時の確率よりも
っと高い。即ち、メモリ装置が高集積化されれば高集積
化されるほどそれの製造工程上には多くの問題点が随伴
されて収率がさらに低下する。このように、メモリ装置
の高集積化による収率低下を改善するためいろいろ試み
が進行中である。
造過程において、できるだけ欠陥セルの発生を抑制する
ことができるように製造工程を改善することが一番望ま
しいが、このような努力には限界がある。従って、収率
改善のためのいろいろの他の技術が提案されている。こ
れらのうち、メモリ装置の構造(constructi
on)を改良して製造過程で発生した欠陥領域を訂正
(repair)する技術がある。
冗長技術である。この技術によると、メモリ装置には、
2進データ(binary data)の貯蔵のための
主メモリセルアレー(main memory cel
l array)と共にそれの各行と各列上の欠陥セル
を代替するための冗長メモリセルのアレー(redun
dant memory cells array)が
提供される。各冗長セルは、各冗長ワード及びビットラ
イン(redundant word andbit
lines)に接続される。主メモリセルアレーの検査
過程で、数乃至数千の欠陥セルが発見されたら、これら
は冗長メモリセルによって代替される。これによって、
全体チップ(chip)は欠陥のない製品で出荷され
る。
上に存在する欠陥セルを代替するための冗長セルアレー
は、行冗長アレー(rowredundancy ar
ray)と呼ばれ、それの列(column)上に存在
する欠陥セルを代替するための冗長セルアレーは、列冗
長アレー(column redundancy ar
ray)と呼ばれる。欠陥メモリセルを冗長セルに代替
するためには、欠陥セルの位置情報、即ち訂正アドレス
(repair address)を貯蔵するための回
路と、外部から入力されたアドレスが訂正アドレスと一
致するかを検査する回路が必要である。このような回路
と上述の冗長セルアレーは、一般に冗長回路と呼ばれ
る。行冗長回路は、任意の行アドレスを解読(deco
ding)してそのアドレスが貯蔵された訂正行アドレ
スと一致するとき、欠陥領域を冗長セルアレーの対応す
る行領域に代替する機能を行う。列冗長回路(colu
mnredundancy circuit)も上述の
ような行冗長回路と同じように、列アドレスと貯蔵され
た訂正列アドレスを比較して欠陥を有する主セルアレー
の列領域を冗長セルアレーに対応する列領域に各々代替
する機能をする。
冗長デコーダ回路の構成を示す図面として、冗長デコー
ダ回路200は、訂正アドレスを貯蔵し、行又は列アド
レスが訂正アドレスと一致するかを区別するようにな
る。冗長デコーダ回路のうち、行冗長回路では、冗長ワ
ードラインを駆動し、列冗長回路では、冗長デコーダ回
路200が冗長ビットライン対を選択するための列選択
ラインを駆動する。冗長デコーダ回路200は、複数の
ヒューズを具える。一般に冗長デコーダ回路200を具
える半導体メモリ装置は、欠陥セルを訂正する場合にヒ
ューズは切断されるが、欠陥セルの訂正が不必要な場合
には切断されない。具体的には、冗長デコーダイネイブ
ル回路100は、マスタヒューズFmを具え、図示され
なかったが、冗長デコーダ回路200は、行アドレス
(列アドレス)2倍に該当するデコーディング用ヒュー
ズを含んでいる。ヒューズのうち、マスタヒューズFm
は訂正動作時切断され−RCSxを印加して一定電圧レ
ベルにプレチャージさせて欠陥セルに対応される行/列
アドレス信号RA0、RA1、…、RAiによってデコ
ーディング用ヒューズFd0、Fd0’、Fd1、Fd
1’、Fdi、…、Fdi’を切断して冗長ワードライ
ンやビットラインを選択するようになる。しかし訂正動
作時にヒューズが不完全に切断されると、欠陥セルを冗
長セルに代替できない場合が発生するようになる。
は、ヒューズの切断が不完全であっても安定的に欠陥セ
ルを冗長セルに代替できる冗長デコーダ回路及び冗長デ
コーダイネイブル回路を提供することである。
めの1特徴によると、欠陥セルを訂正するための冗長イ
ネイブル回路及び冗長デコーダ回路を具える半導体メモ
リ装置において、冗長イネイブル回路は、第1ヒューズ
を有し、電源電圧を分圧した第1レベルの第1分圧を発
生し、冗長動作が要求されるとき、第1ヒューズが切断
されて第1レベルよりも低い第2レベルの第1分圧を発
生する第1分圧回路と、第2ヒューズを有し、電源電圧
を分圧して電源電圧と第2レベルとの間の第3レベルを
有する第2分圧を発生し、第2ヒューズが切断されると
き、第3レベルよりも高い第4レベルの第2分圧を発生
する第2分圧回路と、第1及び第2分圧を比較した結果
として比較信号を発生する比較回路とを含み、冗長デコ
ーダ回路は、第1ヒューズ切断時、出力される比較信号
によって活性化される。
は、第1分圧が出力される第1ノードと、一端に電源電
圧が印加される第1ヒューズと、第1ヒューズの他端と
第1ノードとの間に連結される第1抵抗と、第1ノード
と接地電位との間に連結される第2抵抗とを含む。
は、第2分圧が出力される第2ノードと、一端が電源電
圧を受け、他端が第2ノードに接続される第3抵抗と、
一端が第2ノードに接続される第4抵抗と、第4抵抗の
他端と接地電位との間に連結される第2ヒューズとを含
む。
1分圧より大きいとき、冗長デコーダ回路を活性化させ
る。
第1分圧及び第2分圧を比較して比較信号を発生する差
動増幅回路と、比較信号を電源電圧レベルに駆動するた
めの駆動回路とを含む。
イブル回路のヒューズが不安定に切断されても欠陥セル
を冗長セルに代替できる。
冗長デコーダイネイブル回路の構成を詳細に示す回路図
である。図2を参照すると、冗長回路は、図面に図示さ
れなかったが、冗長セルアレーと、訂正アドレスを貯蔵
し、行又は列アドレスが訂正アドレスと一致するかを検
査する冗長デコーダ回路とこれをイネイブルさせるため
の冗長デコーダイネイブル回路で構成される。
源電圧VCCと接地電圧VSSを受け、これを一定比率
で分配して第1分圧を出力する第1分圧回路120、電
源電圧VCCと接地電圧VSSを受けて一定比率に分配
して第2分圧を出力する第2分圧回路140と、第1及
び第2分圧を比較するための比較回路160を含み、比
較回路160は、第1及び第2分圧が入力される差動増
幅器160a(differential ampli
fier)と差動増幅器160aの出力を電源電圧、又
は接地電圧レベルに駆動するための駆動回路160bを
含む。
び接地電圧VSSを受けるための第1電源端子1及び第
2電源端子2との間に直列に接続される抵抗R1、R2
と第1マスタヒューズFm1を具えている。第2分圧回
路140は、第1電源端子1及び第2電源端子2との間
に直列に接続される抵抗R3、R4と第2マスタヒュー
ズFm2を具えている。比較回路160の差動増幅器1
60aは、PMOSトランジスター161、162とN
MOSトランジスター163〜166を含む。駆動回路
160bは、差動増幅器160aの出力端と冗長デコー
ダ回路200入力端との間に直列に連結されるインバー
タ167、168で構成される。
に示す回路図として、複数のデコーディングヒューズF
d0、Fd0’〜Fdi、Fdi’とアドレスデコーデ
ィング信号A0、A0’〜Ai、Ai’に応じてオン/
オフされるNMOSトランジスター204で構成され、
欠陥セルの訂正が必要な場合にはデコーディングヒュー
ズFd0、Fd0’〜Fdi、Fdi’が切断される
が、欠陥セルの訂正が不必要な場合には切断されない。
ーダイネイブル回路と冗長デコーダ回路の動作を詳細に
説明する。
レベルを示す図面であり、図4(b)は、冗長デコーダ
イネイブル回路の出力信号電圧レベルを示す図面であ
る。
ューズFm1、Fm2は切断されないし、その結果抵抗
比によって分配された電圧を比較回路160内の差動増
幅器160aの第1入力ノードAと第2入力ノードBに
入力する。このとき、第2入力ノードAに印加される分
配電圧が第1入力ノードBに印加される分配電圧より低
くなるように抵抗R1、R2、R3、R4の値を調節す
る。比較回路の差動増幅器160aに入力される分配電
圧は電圧分配原理によってVCCによって線形的に増加
するため工程上の抵抗に変化が発生しても図4(a)の
ようにAとBの大小は、そのまま維持される。
0aから高レベルの比較信号が発生されると、これは駆
動回路160bに入力される。駆動回路160bは、イ
ンバータ167、168を通して高レベルの比較信号を
電源電圧レベルに駆動させ、これは冗長デコーダ回路2
00に伝達される。冗長デコーダ回路200は、駆動回
路160bから高レベルの信号が印加されたPMOSト
ランジスター202がターンオフされることによって、
待機状態(stand by state)を維持する
ようになる。
動作を行おうとすると、冗長デコーダイネイブル回路1
00のマスタヒューズFm1、Fm2のうち、Fm1が
切断される。その結果AノードとBノードとの電圧レベ
ルの大きさが変わる。このとき、マスタヒューズFm1
が不完全に切断されても、AノードとBノードとの大小
が変わるほどの抵抗値を有していると、比較信号は低レ
ベルに遷移するようになる。比較信号は、インバータ1
67、168を通して接地電圧レベルに増幅された後、
冗長デコーダ回路のPMOSトランジスター202のゲ
ートに入力される。
低レベルに活性化される−RCSxを印加されるPMO
Sトランジスター201と駆動回路160bの出力端に
接続されるPMOSトランジスター202が、ターンオ
ンされることによって高レベルにチャージされる。そし
てチップ内に欠陥セルが全然存在しないと、ヒューズは
切断されず、NMOSトランジスター204がターンオ
ンされてノードN1を接地電圧レベルにディスチャージ
させる。これと反対にチップ内に欠陥セルが1つでも存
在すると、デコーディングヒューズFdiは切断され、
N1は高レベルをそのまま維持するようになる。
較回路の入力端の電圧を変えることができるほどの抵抗
値を有するようになると、これは駆動回路160bを通
して冗長デコーダ回路200をイネイブルさせることが
できる。
イブル回路のマスタヒューズが不完全に切断されても冗
長デコーダ回路を十分に活性化させることができる。
び冗長デコーダ回路のブロック図である。
ブル回路の回路図である。
を比較して示す図面であり、(b)は、マスタヒューズ
切断による冗長デコーダイネイブル回路の出力を示す図
面である。
イブル回路の出力を示す図面である。
Claims (5)
- 【請求項1】 欠陥セルを訂正するための冗長イネイブ
ル回路及び冗長デコーダ回路を具える半導体メモリ装置
において、 前記冗長イネイブル回路は、 第1ヒューズを有し、電源電圧を分圧した第1レベルの
第1分圧を発生し、冗長動作が要求されるとき、前記第
1ヒューズが切断されて前記第1レベルよりも低い第2
レベルの前記第1分圧を発生する第1分圧回路と、 第2ヒューズを有し、前記電源電圧を分圧して前記電源
電圧と前記第2レベルとの間の第3レベルを有する第2
分圧を発生し、前記第2ヒューズが切断されるとき、前
記第3レベルよりも高い第4レベルの前記第2分圧を発
生する第2分圧回路と、 前記第1及び第2分圧を比較した結果として比較信号を
発生する比較回路とを含み、 前記冗長デコーダ回路は、第1ヒューズ切断時、出力さ
れる前記比較信号によって活性化されることを特徴とす
る半導体メモリ装置。 - 【請求項2】 前記第1分圧回路は、 前記第1分圧が出力される第1ノードと、 一端に電源電圧が印加される第1ヒューズと、 前記第1ヒューズの他端と前記第1ノードとの間に連結
される第1抵抗と、 前記第1ノードと接地電位との間に連結される第2抵抗
とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモ
リ装置。 - 【請求項3】 前記第2分圧回路は、 前記第2分圧が出力される第2ノードと、 一端が電源電圧を受け、他端が前記第2ノードに接続さ
れる第3抵抗と、 一端が前記第2ノードに接続される第4抵抗と、 前記第4抵抗の他端と接地電位との間に連結される第2
ヒューズとを含むことを特徴とする請求項1に記載の半
導体メモリ装置。 - 【請求項4】 前記第2分圧が前記第1分圧より大きい
とき、前記冗長デコーダ回路を活性化させることを特徴
とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 【請求項5】 前記第1分圧及び第2分圧を比較して比
較信号を発生する差動増幅回路と、 前記比較信号を電源電圧レベルで駆動するための駆動回
路とを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体メモ
リ装置。
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