JPH11348031A

JPH11348031A - 半導体基板の製造方法、外面加工装置及び単結晶インゴット

Info

Publication number: JPH11348031A
Application number: JP16089998A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Tomita; 真一冨田
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1998-06-09
Filing date: 1998-06-09
Publication date: 1999-12-21
Anticipated expiration: 2018-06-09
Also published as: JP4224871B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高品質の半導体基板を経済的に製造する。【解決手段】ＣＺ法又はＦＺ法により育成された単結
晶インゴット１０から複数のブロック１１，１１・・を
切り出す。各ブロック１１を、外周面に複数の環状凸部
１２，１２・・が形成された特殊形状のブロック１４に
加工する。各環状凸部１２は、面取り加工を受けた単結
晶ウエーハの周縁部に対応する。ブロック１４をエッチ
ングして、外周面の加工歪層１６を除去する。その外周
面に保護膜１７を形成したあと、隣接する環状凸部１
２，１２間でブロック１４を切断して、複数枚の単結晶
ウエーハ１８，１８・・を採取する。ウエーハ外周面の
面取り加工及びエッチング処理をインゴットの状態で行
うことにより、工程が簡略化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの素
材として使用される半導体基板の製造方法、その製造方
法に使用される外面加工装置、及びその製造方法によっ
て中間製品として得られる単結晶インゴットに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの素材として使用される
半導体基板は、ＣＺ法又はＦＺ法によりシリコン単結晶
のインゴットを育成し、そのインゴットからウエーハを
切り出すことにより製造される。この製造方法は、例え
ば精密機械５１／７／１９８５「シリコン結晶とウエハ
加工」に説明されている。インゴットから製品ウエーハ
を得る工程の詳細は以下の通りである。

【０００３】ＣＺ法又はＦＺ法により育成されたシリコ
ン単結晶のインゴットは、図７（ａ）に示すように、複
数のブロック１，１・・に切断される。各ブロック１
は、図７（ｂ）に示すように、外面研削により直径が一
定のブロック２に丸め加工される。場合によっては、丸
め加工をした後に各ブロックに切断することもある。丸
め加工に使用される外面研削機としては、ダイヤモンド
カップホイールグラインダが一般的であり、円筒３次元
研削盤として市販されている。

【０００４】丸め加工が終わると、Ｘ線でブロック２の
結晶方位を確認し、その外周面の周方向一部に、結晶方
位を示すオリエンテーションフラット（以下オリフラと
いう）又はノッチを全長にわたって加工する。この加工
を受けたブロック２は、図７（ｃ）に示すように、内周
刃又はワイヤソーにより多数枚のウエーハ３，３・・・
にスライスされる。

【０００５】各ウエーハ３に対しては、まず、図７
（ｄ）に示すように、周縁部の欠けやチップ防止を目的
として、面取り加工を施す。次いで、ウエーハ３の厚み
を均一にするために、ラッピングを行う。ラッピングと
は、定盤と被加工物の間に砥液を注入し、定盤の回転に
よる砥液の移動や引き掻き作用で被加工物の表面を研磨
する加工である。

【０００６】ラッピングが終わると、図７（ｅ）に示す
ように、エッチングによりウエーハ３の表面全体を溶解
する。エッチングの目的は、これまでの機械加工により
形成された加工歪層４の除去や表面粗さの低減、平坦化
等にある。エッチング液としては、フッ酸と硝酸の混合
液に減速剤として酢酸を加えた酸性液が多用されている
が、ＫＯＨやＮａＯＨなどに界面活性剤を添加したアル
カリ液も一部では使用されている。

【０００７】エッチングが終わると、図には示されてい
ないが、ゲッタリングのために裏面にサンドブラストで
加工歪付けを行い、６５０℃でドナキラー処理を行う。
現在では、裏面の加工歪はデバイス工程で発塵源となる
ため、裏面にポリシリコン膜を形成する場合もある。ま
た、ＩＧを目的として６５０℃前後の温度で酸素析出核
を成長させる場合もある。更に、後述するエピ成長時の
オートドープ防止を目的として、裏面にＣＶＤで酸化膜
を形成する場合もある。

【０００８】そして最後に、表面研磨を行うことによ
り、鏡面をもつシリコンウエーハが得られる。この表面
研磨は、従来は片面のみに行われていたが、高精度の要
求により両面に行う場合も増加している。高精度化のた
めに、表面研磨の前に高精度で低ダメージの表面研削を
行う場合もある。また、デバイス工程での発塵、欠けな
どを低減するために、表面研磨の前に面取り面を鏡面に
研磨することもある。

【０００９】更に、上記工程の外にも、シリコンウエー
ハのデバイス形成層である表層の結晶品質を改善するこ
とを目的として、高温での熱処理やエピ層の成長を行う
場合がある。なお、洗浄は適宜行われる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体基板の製造方法では、インゴットから製品ウエーハを
得るのに多くの工程が必要である。主なものだけでも、
インゴットの切断によるブロック１の採取、外面研削に
よる定径ブロック２への丸め加工、結晶方位を表すオリ
フラ又はノッチの加工、スライスによるウエーハ３の採
取、ウエーハ周縁部の面取り加工、ウエーハ厚を均一に
するためのラッピング、加工歪層を除去するためのエッ
チング、表面研磨による鏡面加工などがある。

【００１１】これらの加工のなかでも、例えばウエーハ
周縁部の面取りは、ブロック２から切り出された多数枚
のウエーハ３，３・・のそれぞれに実施されるために、
能率が低く、能率を上げるためには多数の加工機を必要
とする。加工歪層を除去するためのエッチングも、多数
枚のウエーハ３，３・・のそれぞれに実施される。

【００１２】このような事情のため、インゴットから製
品ウエーハを得るための設備投資に必要な額は現状でも
膨大であり、現状より大径の基板を製造したり、デバイ
スの高集積化に伴う高平坦度化や、裏面・外周面の鏡面
化の要求に応えるためには、その額は更に膨らむことが
予想され、これによる製造コストの増大が大きな問題と
して懸念される。

【００１３】本発明の目的は、従来より低コストで高品
質の半導体基板を製造できる半導体基板の製造方法、そ
の製造方法に使用される外面加工装置、及びその製造方
法によって中間製品として得られる特殊な形状の単結晶
インゴットを提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶インゴッ
トから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴッ
トの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方
向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、外面加工工
程より後に、単結晶インゴットを、隣接する２つの環状
凸部の間で切断して、単結晶インゴットから複数枚の単
結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含してい
る。

【００１５】本発明の半導体基板の製造方法では、外面
加工の前に、インゴット外周面の周方向一部に結晶方位
を表す加工を軸方向の全長にわたって実施することがで
きる。その場合、インゴットの外周面に形成される環状
凸部は、全周に連続するものとはならない。周方向に連
続する環状凸部とは、全周にわたって切れ目なく連続す
るものを意味せず、周方向の一部で分断されているもの
を含む。

【００１６】環状凸部は、面取り加工を受けた単結晶ウ
エーハの周縁部形状に対応する形状とすることができ
る。

【００１７】外面加工は、エッチング等の化学的なもの
でもよいが、効率の点からはインゴットの外周面を研削
する機械加工が好ましい。

【００１８】外面加工では、丸め加工、凹凸加工及び面
取り加工を同時に行うことができる。これにより、工程
の簡素化が図られる。

【００１９】外面加工の後には、当該加工によって単結
晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去す
るための外面仕上げを実施することができる。この外面
仕上げとしては、例えばエッチングを用いることができ
る。この外面仕上げでは、加工歪層を除去した後に、単
結晶インゴットの外周面を鏡面に加工することができ
る。

【００２０】外面加工の後には又、単結晶インゴットの
外周面に保護膜を形成する膜付けを実施することができ
る。外面仕上げを実施する場合は、外面仕上げの後に膜
付けを実施する。この膜付けにより、後のスライスでは
ウエーハの周縁部が保護される。保護膜としては、ＣＶ
Ｄで形成された酸化膜等の他に、熱酸化膜、樹脂の塗布
膜等を挙げることができる。

【００２１】スライスの後には、単結晶ウエーハを製品
に仕上げるウエーハ仕上げ加工を実施することができ
る。ここにおけるウエーハ仕上げ加工としては、ラッピ
ング又は平面研削を挙げることができる。これによりウ
エーハ表面が平坦化され、ウエーハ厚が均一化される。
ラッピング又は平面研削の後には研磨を行うことができ
る。この研磨により、ウエーハ表面の加工歪層が除去さ
れる。また、その表面が鏡面に仕上げられる。研磨の後
には、平坦度を良くするために、月刊Semiconductor Wo
rld 1994.4「ＳＯＩウエーハ加工技術」に記載されてい
るようなプラズマエッチングを行うことができる。これ
らのウエーハ仕上げ加工では、ウエーハの外周面に保護
膜を残すことにより、周縁部が保護される。

【００２２】本発明の半導体基板の製造方法では、単結
晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前の外面加
工工程で、面取り加工を受けた単結晶ウエーハを複数枚
重ね合わせて一体化したような特殊形状の単結晶インゴ
ットが製造される。

【００２３】このような特殊形状の単結晶インゴットを
製造すれば、第１に、ウエーハ周縁部の面取り加工がイ
ンゴットの状態で一括して効率的に実施され、手数のか
かるウエーハ状態での面取り加工が不要となる。第２
に、加工歪層を除去するためのエッチングもインゴット
の状態で一括して効率的に実施され、手数のかかるウエ
ーハ状態でのエッチングが不要になる。第３に、インゴ
ットを定径化するための丸め加工も不要になる。第４
に、ウエーハの外周面を鏡面加工する場合も、その加工
がインゴットの状態で効率的に実施される。第５に、ウ
エーハの周縁部を保護膜で保護する場合も、その膜付け
がインゴットの状態で一括して効率的に実施される。

【００２４】そして膜付けは、スライスでウエーハの周
縁部を保護するだけでなく、その後のラッピングや平面
研削等でもウエーハの周縁部を効果的に保護する。

【００２５】これらにより、高品質の半導体基板が低コ
ストで製造される。

【００２６】また、本発明の第１の外面加工装置は、単
結晶インゴットを支持して周方向に回転させる手段と、
周方向に回転する単結晶インゴットの回転中心線に平行
に設けられ、溝付きの外周面を当該単結晶インゴットの
外周面に押し付けることにより、単結晶インゴットの外
周面に周方向に連続する環状凸部を形成する研削ロール
とを具備する外面研削装置である。この装置により丸め
加工、凹凸加工及び面取り加工を効率的な機械加工によ
り同時に実施でき、上述した特殊形状の単結晶インゴッ
トを経済的に製造できる。

【００２７】研削ロールは、複数の環状凸部を同時に形
成するために、その外周面に複数の溝を軸方向に連設し
た構成が好ましい。

【００２８】また、本発明の第２の外面加工装置は、外
周面に周方向に連続する環状凸部を形成された単結晶イ
ンゴットを支持して周方向に回転させる手段と、周方向
に回転する単結晶インゴットの回転中心線に平行に設け
られ、当該単結晶インゴットの外周面に押し付けられる
ことにより、環状凸部の表面を研磨するロール状の研磨
パッドとを具備する外面研磨装置である。この装置によ
り環状凸部の鏡面加工をメカノケミカル加工により効率
的に実施できる。

【００２９】また、本発明の単結晶インゴットは、軸方
向に所定の間隔で並列し、それぞれが周方向に連続する
複数の環状凸部を外周面に有する特殊形状のインゴット
であり、このインゴットからウエーハを切り出すことに
より、面取り加工やエッチングを必要としないウエーハ
を提供できる。

【００３０】ここにおける環状凸部も、面取り加工を受
けた単結晶ウエーハの周縁部形状に対応する形状とする
ことができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００３２】図１は本発明の実施形態に係る半導体基板
の製造方法の工程図、図２は同製造方法に使用される外
面加工装置（外面研削装置）の正面図、図３はノッチ部
の加工が可能な外面加工装置（外面研削装置）の正面
図、図４は同外面加工装置によるノッチ部の加工を示す
側面図、図５は同製造方法に使用される別の外面加工装
置（外面研磨装置）の正面図、図６は他の研削ロールの
正面図である。

【００３３】本発明の実施形態に係る半導体基板の製造
方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ＣＺ法又は
ＦＺ法により育成されたシリコン単結晶のインゴット１
０が複数のブロック１１，１１・・に切断分離される。

【００３４】各ブロック１１に対しては、先ず、Ｘ線で
結晶方位を確認し、その結晶方位を示すオリフラ又はノ
ッチを外周面の周方向一部に軸方向全長にわたって加工
する。オリフラ又はノッチが形成されると、図１（ｂ）
に示すように、スライス加工により得られる単結晶ウエ
ーハの所定の結晶方位に対応するよう、ブロック１１の
外周面を研削加工することにより、その外周面に周方向
に連続する複数の環状凸部１２，１２・・を軸方向に所
定の間隔で形成する。

【００３５】各環状凸部１２は、面取り加工を受けた単
結晶ウエーハの周縁部形状に対応する略半円形の断面形
状である。環状凸部１２の幅Ｗは、ブロック１１からス
ライスされたウエーハの厚み、即ちウエーハの最終厚Ｔ
＋ウエーハの両面加工代（ｔ１＋ｔ２）に相当し、隣接
する環状凸部１２，１２の間に形成される環状溝１３の
幅ｗはそのスライス代Ｓに相当する〔図１（ｅ）参
照〕。

【００３６】この外面加工には、例えば図２に示す外面
加工装置２０が使用される。図２に示された外面加工装
置２０は、ブロック１１を支持して周方向に回転させる
手段と、そのブロック１１の外周面に押圧される研削ロ
ール２１とを備えている。研削ロール２１は、所定数の
研削ディスク２２，２２・・を軸方向に連結して一体化
した構成になっており、その中心軸はブロック１１の回
転中心線に平行である。各研削ディスク２２は、環状凸
部１２に対応する断面形状の環状溝を外周面に備えた溝
付きディスクであり、その外周面はダイヤモンドが蒸着
された凹凸研削面になっている。この凹凸研削面は、軸
方向に複数形成されていてもよい。

【００３７】ブロック１１を周方向に回転させ、その外
周面に研削液をかけながら、研削ロール２１をその外周
面に押し付けることにより、ブロック１１の外周面に所
定数の環状凸部１２，１２・・が同時に形成される。所
定数の環状凸部１２，１２・・の形成が終わると、一
旦、研削ロール２１をブロック１１から離し、ブロック
１１を軸方向に移動させ、再び所定数の環状凸部１２，
１２・・を形成する。これを繰り返すことにより、ブロ
ック１１の外周面全体に環状凸部１２，１２・・が形成
され、面取り加工を受けた単結晶ウエーハを複数枚重ね
合わせて一体化したような特殊形状のブロック１４が製
造される。

【００３８】即ち、図２に示す外面加工装置２０による
と、定径のための丸め加工、凹凸加工及び面取り加工が
同時に行われる。

【００３９】ブロック１１の外周面にオリフラが形成さ
れている場合は問題ないが、ノッチが形成されている場
合は、図２の外面加工装置２０では研削ディスク２２が
ノッチ部に侵入しないため、ノッチ部に面取り加工を行
うことができない。そこで、例えば図３に示す外面加工
装置３０を用いてノッチ部に面取りを行う。

【００４０】図３に示された外面加工装置３０は、特殊
形状のブロック１４を支持して周方向に回転させる手段
と、そのブロック１４の外周面に押圧される研削ロール
３１とを備えている。研削ロール３１は、ノッチ部１５
に侵入する小径の研削ディスク３２，３２・・を軸方向
に連設した一体構成になっている。研削ロール３１を回
転させながらブロック１４の外周面に押し付け、ブロッ
ク１４を低速で回転させると、図４に示すように、研削
ロール３１の各研削ディスク３２がブロック１４のノッ
チ部１５を通過し、ノッチ部１５が面取りされる。

【００４１】ここでは、ノッチ部の形成、外面加工装置
２０による環状凸部１２，１２・・の形成、及び外面加
工装置３０によるノッチ部の面取りを順に行ったが、当
初より外面加工装置３０を使用してノッチ部の形成、環
状凸部１２，１２・・の形成、及びノッチ部の面取りを
同時に行うこともできる。また、オリフラを形成する場
合も外面加工装置３０を用いてオリフラの形成及び環状
凸部１２，１２・・の形成を同時に行うこともできる。

【００４２】環状凸部１２の断面形状は、ここでは半円
形状としたが、台形状でもよい。その場合は、図６
（ａ）示すような研削ロール２１，３１を使用すればよ
い。また、隣接する環状凸部１２，１２間に形成される
環状溝１３の底面形状は、軸方向でフラットであるが、
半円形状でもよい。その場合は、図６（ｂ）示すような
研削ロール２１，３１を使用すればよい。

【００４３】特殊形状のブロック１４が製造されると、
図１（ｃ）に示すように、ブロック１４の外周面表層部
に存在する加工歪層１６を除去するためにエッチングを
行う。エッチング液にはフッ酸と硝酸の混合液、又はＫ
ＯＨやＮａＯＨなどに界面活性剤を添加したアルカリ液
を用いる。ブロック１４の外周面が均一にエッチングさ
れるように、ブロック１４を両端面で保持して回転させ
たり、エッチング液を攪拌することが可能である。

【００４４】エッチングが終わると、ブロック１４の外
周面を、例えば図５に示す外面加工装置４０により鏡面
研磨する。外面加工装置４０は、特殊形状のブロック１
４を支持して回転させる手段と、そのブロック１４の外
周面に押圧されるロール状の研磨パッド４１，４２とを
備えている。研磨パッド４１は直胴ロールであるが、研
磨パッド４２の外周面には、環状凸部１２に対応する断
面形状の環状溝４３，４３・・が設けられている。ブロ
ック１４の外周面に研磨スラリを供給し、研磨パッド４
１，４２を回転させながらその外周面に押し付けること
により、研磨パッド４１で環状凸部１２，１２・・の各
先端面が、また研磨パッド４２で環状凸部１２，１２・
・の各側面がそれぞれ鏡面研磨される。

【００４５】鏡面研磨によって加工歪層１６の除去が可
能であれば、エッチングを省略して直接鏡面研磨を行う
ことも可能である。

【００４６】ブロック１４の外周面の鏡面研磨が終わる
と、図１（ｄ）に示すように、その外周面に保護膜１７
を形成する。保護膜１７の形成方法としては、例えばブ
ロック１４の外周面に樹脂を塗布したり、ＯＣＤ（Ｓｉ
Ｏ₂系被膜形成用塗布液）を塗布して加熱により硬化さ
せる方法がある。

【００４７】他の形成方法としては、減圧ＣＶＤ炉を用
いて例えば７００℃程度で酸化膜や窒化膜を形成する方
法がある。この場合、膜形成のための熱処理で酸素析出
核の成長を促すことができるので、ＩＧ源の形成が可能
となる。また、ブロック１４の外周面に凹凸が形成さ
れ、その表面積が大きく、冷却速度が速くなるため、ド
ナーキラー処理も可能となる。

【００４８】更に別の形成方法としては、拡散炉を用い
て酸化性雰囲気中で例えば８００〜１０００℃程度の熱
処理を行うことにより、熱酸化膜を形成する方法があ
る。この場合も同様に、ＩＧ源の形成やドナーキラー処
理が可能となる。

【００４９】膜形成時もエッチング時と同様にブロック
１４を両端面で保持して外周面を保護するようにする。

【００５０】膜形成が終わると、図１（ｅ）に示すよう
に、結晶面が所定の面になるように、ブロック１４をス
ライス機にセットし、隣接する環状凸部１２，１２の間
でブロック１４を切断することにより、ブロック１４か
ら複数枚のウエーハ１８，１８・・を切り出す。スライ
ス機としてはワイヤソーでも内周刃ソーでもよい。この
加工では、ブロック１４の外周面が保護膜１７にて保護
されているので、その外周面の損傷や汚れが防止され
る。切り出されたウエーハ１８は、既に外周面の面取り
及び鏡面仕上げを終え、更に仕上げ面が保護膜１７にて
保護された状態にある。

【００５１】各ウエーハ１８に対しては、先ず、スライ
ス面を平坦化しウエーハ厚を均一化するために、外周面
に保護膜１７を残した状態で両面にラッピング又は平面
研削を行う。両面の平面研削は片面ずつ行っても、両面
同時に行ってもよい。また、ラッピングの後に片面又は
両面の平面研削を行ってもよい。この加工では、ウエー
ハ１８の外周面に保護膜１７が残されているので、その
外周面の損傷や汚れが防止される。

【００５２】スライス面の平坦化及びウエーハ厚の均一
化が終わると、図１（ｆ）に示すように、表面の加工歪
層１９を除去しその表面を鏡面化するために、ウエーハ
１８の外周面に保護膜１７を残した状態で両面を研磨す
る。両面の研磨は片面ずつ行っても、両面同時に行って
もよい。この加工でも、ウエーハ１８の外周面に保護膜
１７が残されているので、その外周面の損傷や汚れが防
止される。

【００５３】外周面の損傷や汚れのおそれがない場合や
保護膜１７が研磨面に悪影響を及ぼすおそれがある場合
は、保護膜１７を除去した後に研磨を行ってもよい。そ
れ以外の場合は、図１（ｇ）に示すように、研磨後に保
護膜１７を除去し洗浄を行う。保護膜１７の除去は、そ
の保護膜１７が酸化膜であればＨＦで、エポキシ樹脂で
あれば溶剤を用いて行う。

【００５４】以上の工程により、両面が鏡面研磨され且
つ外周面の面取り及び鏡面研磨が行われた高品質なウエ
ーハ１８が、従来より僅かの工程数で、しかも周縁部の
欠けや汚れを生じることなく製造される。

【００５５】上記実施形態では、インゴット１１の外周
面に環状凸部１２，１２・・を形成することで、定径の
ための丸め加工、凹凸加工及び面取り加工を同時に行っ
たが、定径のための丸め加工の後に凹凸加工及び面取り
加工を行うことも可能である。また、凹凸加工及び面取
り加工は、凹凸加工の後に面取り加工を行うものでもよ
い。

【００５６】ウエーハの加工では、適当な工程間に裏面
へのＣＶＤ酸化膜形成、ＥＧとしてのポリシリコン膜の
形成、表層に無欠陥層を形成するための高温熱処理、平
坦度を良くするためのプラズマエッチング処理等を適宜
付加することができる。この場合、保護膜が樹脂膜であ
る場合は熱処理前に保護膜を除去するのがよい。研磨後
にエピ成長を行うことも可能である。

【００５７】なお、洗浄は必要な段階で適宜実施され
る。

【００５８】

【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の半導体基
板の製造方法は、インゴットの状態で外周面に複数の環
状凸部を形成する加工を行うことにより、多数枚のウエ
ーハに対する面取り加工を極めて簡単に実施することが
できる。また、インゴットの定径のための丸め加工を省
略することができる。更に、多数枚のウエーハに対する
エッチングを省略することもできる。これらにより、高
品質なウエーハを能率よく低コストで製造することが可
能になる。

【００５９】また、本発明の外面加工装置は、外周面に
複数の環状凸部が形成された特殊形状のインゴットを能
率よく経済的に製造したり、その環状凸部の表面を能率
よく鏡面加工することができる。

【００６０】また、本発明の単結晶インゴットは、面取
り及びエッチングを必要としないウエーハを低コストで
提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法
の工程図である。

【図２】同製造方法に使用される外面加工装置（外面研
削装置）の正面図である。

【図３】ノッチ部の加工が可能な外面加工装置（外面研
削装置）の正面図である。

【図４】同外面加工装置によるノッチ部の加工を示す側
面図である。

【図５】同製造方法に使用される外面加工装置（外面研
磨装置）の正面図である。

【図６】他の研削ロールの正面図である。

【図７】従来の半導体基板の製造方法の工程図である。

【符号の説明】

１０単結晶インゴット１１単結晶インゴットから切り出されたブロック１２環状凸部１３隣接する環状凸部間に形成される環状溝１４環状凸部が形成された特殊形状のブロック１５ノッチ部１６外周面の加工歪層１７保護膜１８単結晶ウエーハ１９ウエーハ表面の加工歪層２０，３０外面加工装置（外面研削装置）２１３１研削ロール２２３２研削ディスク４０外面加工装置（外面研磨装置）４１，４２研磨パッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶インゴットから単結晶ウエーハを
切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に
連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成す
る外面加工工程と、外面加工工程より後に、単結晶イン
ゴットを隣接する２つの環状凸部の間で切断して、単結
晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すス
ライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の
製造方法。
【請求項２】前記環状凸部は、面取り加工を受けた単
結晶ウエーハの周縁部形状に対応する形状であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】前記外面加工は丸め加工、凹凸加工及び
面取り加工を兼ねることを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】前記外面加工は、前記外周面を研削する
機械加工であることを特徴とする請求項１、２又は３に
記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】前記外面加工工程の後に、当該加工によ
って単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層
を除去する外面仕上げ工程を包含することを特徴とする
請求項１、２、３又は４に記載の半導体基板の製造方
法。
【請求項６】前記外面仕上げ加工では、加工歪層を除
去した後に単結晶インゴットの外周面を鏡面に加工する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方
法。
【請求項７】前記外面仕上げ工程の後に、単結晶イン
ゴットの外周面に保護膜を形成する膜付け工程を包含す
る請求項５又は６に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】前記スライス工程の後に、単結晶ウエー
ハを製品に仕上げるウエーハ仕上げ工程を包含する請求
項１、２、３、４、５、６又は７に記載の半導体基板の
製造方法。
【請求項９】前記ウエーハ仕上げ工程では、ウエーハ
の外周面に保護膜を残した状態でウエーハの表面を加工
することを特徴とする請求項８に記載の半導体基板の製
造方法。
【請求項１０】単結晶インゴットを支持して周方向に
回転させる手段と、周方向に回転する単結晶インゴット
の回転中心線に平行に設けられ、溝付きの外周面を当該
単結晶インゴットの外周面に押し付けることにより、単
結晶インゴットの外周面に周方向に連続する環状凸部を
形成する研削ロールとを具備する外面加工装置。
【請求項１１】外周面に周方向に連続する環状凸部を
形成された単結晶インゴットを支持して周方向に回転さ
せる手段と、周方向に回転する単結晶インゴットの回転
中心線に平行に設けられ、当該単結晶インゴットの外周
面に押し付けられることにより、環状凸部の表面を研磨
するロール状の研磨パッドとを具備する外面加工装置。
【請求項１２】軸方向に所定の間隔で並列し、それぞ
れが周方向に連続する複数の環状凸部を外周面に有する
ことを特徴とする単結晶インゴット。
【請求項１３】前記環状凸部は、面取り加工を受けた
単結晶ウエーハの周縁部形状に対応する形状であること
を特徴とする請求項１２に記載の単結晶インゴット。