JPH11340480A - プラスティックパッケージ - Google Patents
プラスティックパッケージInfo
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- JPH11340480A JPH11340480A JP10139950A JP13995098A JPH11340480A JP H11340480 A JPH11340480 A JP H11340480A JP 10139950 A JP10139950 A JP 10139950A JP 13995098 A JP13995098 A JP 13995098A JP H11340480 A JPH11340480 A JP H11340480A
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- chip
- plastic package
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- package
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトデバイスチップに加わる熱応力の影響
が少なくて耐温度衝撃性に優れたパッケージ構造を提供
する。 【解決手段】 このパッケージ１を構成する本体４は絶
縁性のモールド樹脂材料２からなる。本体４の一部であ
るチップ収容筒８は、リードフレーム３におけるダイエ
リアのあるダイパッド５を包囲する位置に形成される。
ダイエリア上にはフォトデバイスチップ６が実装され
る。フォトデバイスチップ６は、チップ収容筒８内に満
たされた絶縁性かつ光透過性の封止材料９により封止さ
れている。封止材料９は少なくともモールド樹脂材料２
よりも弾性係数が小さい。
が少なくて耐温度衝撃性に優れたパッケージ構造を提供
する。 【解決手段】 このパッケージ１を構成する本体４は絶
縁性のモールド樹脂材料２からなる。本体４の一部であ
るチップ収容筒８は、リードフレーム３におけるダイエ
リアのあるダイパッド５を包囲する位置に形成される。
ダイエリア上にはフォトデバイスチップ６が実装され
る。フォトデバイスチップ６は、チップ収容筒８内に満
たされた絶縁性かつ光透過性の封止材料９により封止さ
れている。封止材料９は少なくともモールド樹脂材料２
よりも弾性係数が小さい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスティックパ
ッケージに関するものである。
ッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フォトデバイスチップを備え
るプラスティックパッケージが各種提案されている。
るプラスティックパッケージが各種提案されている。
【０００３】この種のパッケージを構成するリードフレ
ームのダイエリア上には、ＣＣＤチップ等のようなフォ
トデバイスチップが実装され、かつワイヤボンディング
されている。このようなリードフレームは、アウターリ
ード部のみを露出させた状態で、例えば透明エポキシ樹
脂等のモールド樹脂材料によってモールドされている。
その結果、インナーリード部及びフォトデバイスチップ
が非露出状態となり、それらが外部の湿気等から保護さ
れている。
ームのダイエリア上には、ＣＣＤチップ等のようなフォ
トデバイスチップが実装され、かつワイヤボンディング
されている。このようなリードフレームは、アウターリ
ード部のみを露出させた状態で、例えば透明エポキシ樹
脂等のモールド樹脂材料によってモールドされている。
その結果、インナーリード部及びフォトデバイスチップ
が非露出状態となり、それらが外部の湿気等から保護さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、透明エポキ
シ樹脂製のモールド樹脂材料は硬質かつ弾性係数も大き
いため、パッケージが温度衝撃に遭遇した場合には熱応
力の影響を大きく受けてしまい、モールド樹脂材料にク
ラックが発生することがあった。
シ樹脂製のモールド樹脂材料は硬質かつ弾性係数も大き
いため、パッケージが温度衝撃に遭遇した場合には熱応
力の影響を大きく受けてしまい、モールド樹脂材料にク
ラックが発生することがあった。
【０００５】また、モールド樹脂材料はフォトデバイス
チップを全体的に包囲しかつそれに対してじかに接触し
ているため、熱応力の影響はフォトデバイスチップ側に
も波及しやすい。従って、このことがフォトデバイスチ
ップに破損をもたらす原因になっていた。
チップを全体的に包囲しかつそれに対してじかに接触し
ているため、熱応力の影響はフォトデバイスチップ側に
も波及しやすい。従って、このことがフォトデバイスチ
ップに破損をもたらす原因になっていた。
【０００６】さらに、チップ破損という重大な事態には
至らないとしても、熱応力の影響によりモールド樹脂材
料の屈折率が変動を来すことで、デバイスの性能低下に
つながることがあった。
至らないとしても、熱応力の影響によりモールド樹脂材
料の屈折率が変動を来すことで、デバイスの性能低下に
つながることがあった。
【０００７】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、フォトデバイスチップに加わる熱
応力の影響が少なくて耐温度衝撃性に優れたプラスティ
ックパッケージを提供することにある。
であり、その目的は、フォトデバイスチップに加わる熱
応力の影響が少なくて耐温度衝撃性に優れたプラスティ
ックパッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、リードフレームにお
けるダイエリアを包囲する位置にチップ収容筒が形成さ
れた絶縁性のモールド樹脂材料からなる本体と、前記ダ
イエリア上に実装されたフォトデバイスチップと、前記
フォトデバイスチップを封止すべく前記チップ収容筒内
に満たされた絶縁性かつ光透過性の封止材料と、その封
止材料は少なくとも前記モールド樹脂材料よりも弾性係
数が小さいものであることとを含むことを特徴とするプ
ラスティックパッケージをその要旨とする。
めに、請求項１に記載の発明では、リードフレームにお
けるダイエリアを包囲する位置にチップ収容筒が形成さ
れた絶縁性のモールド樹脂材料からなる本体と、前記ダ
イエリア上に実装されたフォトデバイスチップと、前記
フォトデバイスチップを封止すべく前記チップ収容筒内
に満たされた絶縁性かつ光透過性の封止材料と、その封
止材料は少なくとも前記モールド樹脂材料よりも弾性係
数が小さいものであることとを含むことを特徴とするプ
ラスティックパッケージをその要旨とする。
【０００９】請求項２に記載の発明では、請求項１にお
いて、前記チップ収容筒の開口部は光透過性の蓋体で封
止されているとした。請求項３に記載の発明では、請求
項２において、前記蓋体はレンズ機能を有するとした。
いて、前記チップ収容筒の開口部は光透過性の蓋体で封
止されているとした。請求項３に記載の発明では、請求
項２において、前記蓋体はレンズ機能を有するとした。
【００１０】請求項４に記載の発明では、請求項１乃至
３のいずれか１項において、前記封止材料はゲル状物で
あるとした。請求項５に記載の発明では、請求項１乃至
３のいずれか１項において、前記封止材料は軟質エポキ
シ樹脂であるとした。
３のいずれか１項において、前記封止材料はゲル状物で
あるとした。請求項５に記載の発明では、請求項１乃至
３のいずれか１項において、前記封止材料は軟質エポキ
シ樹脂であるとした。
【００１１】請求項６に記載の発明では、請求項１乃至
５のいずれか１項において、前記封止材料には透明度の
高いガラス製のフィラーが添加されているとした。請求
項７に記載の発明では、前記フィラーは真球度の高いも
のであるとした。
５のいずれか１項において、前記封止材料には透明度の
高いガラス製のフィラーが添加されているとした。請求
項７に記載の発明では、前記フィラーは真球度の高いも
のであるとした。
【００１２】請求項８に記載の発明では、請求項２乃至
７のいずれか１項において、前記モールド樹脂材料は熱
硬化性を有するエポキシ樹脂であり、前記蓋体はエポキ
シ樹脂製であるとした。
７のいずれか１項において、前記モールド樹脂材料は熱
硬化性を有するエポキシ樹脂であり、前記蓋体はエポキ
シ樹脂製であるとした。
【００１３】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項１〜８に記載の発明によると、モールド樹脂
材料よりも弾性係数の小さい封止材料であるため、パッ
ケージが温度衝撃に遭遇した場合でも、封止材料自身が
弾性変形することによって熱応力が緩衝されてしまう。
このように熱応力の影響を受けにくい封止材料であるこ
とから、それ自体にクラックが発生することがない。ま
た、前記封止材料により全体的に封止されるフォトデバ
イスチップには、熱応力の影響が波及することもないの
で、チップ破損も確実に回避される。しかも、このよう
な封止材料であれば屈折率が変動を来すおそれも少な
く、デバイスの性能が確実に維持される。つまり、本発
明によると、耐温度衝撃性に優れたパッケージを提供す
ることができる。
る。請求項１〜８に記載の発明によると、モールド樹脂
材料よりも弾性係数の小さい封止材料であるため、パッ
ケージが温度衝撃に遭遇した場合でも、封止材料自身が
弾性変形することによって熱応力が緩衝されてしまう。
このように熱応力の影響を受けにくい封止材料であるこ
とから、それ自体にクラックが発生することがない。ま
た、前記封止材料により全体的に封止されるフォトデバ
イスチップには、熱応力の影響が波及することもないの
で、チップ破損も確実に回避される。しかも、このよう
な封止材料であれば屈折率が変動を来すおそれも少な
く、デバイスの性能が確実に維持される。つまり、本発
明によると、耐温度衝撃性に優れたパッケージを提供す
ることができる。
【００１４】勿論、前記封止材料は絶縁性を有している
ので、フォトデバイスチップ側と本体側との電気的接合
部分を確実に保護することができる。また、前記封止材
料は光透過性も有しているので、同チップの発光した光
のパッケージ外への通過、または同チップが受光すべき
光のパッケージ内への透過を妨げることがない。
ので、フォトデバイスチップ側と本体側との電気的接合
部分を確実に保護することができる。また、前記封止材
料は光透過性も有しているので、同チップの発光した光
のパッケージ外への通過、または同チップが受光すべき
光のパッケージ内への透過を妨げることがない。
【００１５】請求項２に記載の発明によると、チップ収
容筒の開口部を光透過性の蓋体で封止することにより、
封止材料が安定化して外部へ漏れ出さなくなるととも
に、封止材料の選択の余地もいくぶん広くなる。なお、
この蓋体自身も光透過性を有しているので、チップの発
光した光のパッケージ外への通過、または同チップが受
光すべき光のパッケージ内への透過を妨げることはな
い。
容筒の開口部を光透過性の蓋体で封止することにより、
封止材料が安定化して外部へ漏れ出さなくなるととも
に、封止材料の選択の余地もいくぶん広くなる。なお、
この蓋体自身も光透過性を有しているので、チップの発
光した光のパッケージ外への通過、または同チップが受
光すべき光のパッケージ内への透過を妨げることはな
い。
【００１６】請求項３に記載の発明によると、レンズ機
能を有する蓋体により、直進する光が屈曲される結果、
必要に応じて集光または散光することが可能となる。請
求項４に記載の発明によると、封止材料がゲル状物であ
れば、液状物を用いたときの「おどり現象」が回避され
るため、加速度印加時においてもデバイス性能が維持さ
れる。また、流動性の小さなゲル状物であれば、蓋体を
省略した構造とすることも可能となり、部品点数の削減
及び低コスト化を図ることができる。
能を有する蓋体により、直進する光が屈曲される結果、
必要に応じて集光または散光することが可能となる。請
求項４に記載の発明によると、封止材料がゲル状物であ
れば、液状物を用いたときの「おどり現象」が回避され
るため、加速度印加時においてもデバイス性能が維持さ
れる。また、流動性の小さなゲル状物であれば、蓋体を
省略した構造とすることも可能となり、部品点数の削減
及び低コスト化を図ることができる。
【００１７】請求項５に記載の発明によると、絶縁性に
優れた軟質エポキシ樹脂を用いることにより、フォトデ
バイスチップ側と本体側との電気的接合部分がより確実
に保護され、高信頼性化を図ることができる。また、軟
質エポキシ樹脂はそれ自体が光透過性に優れている。
優れた軟質エポキシ樹脂を用いることにより、フォトデ
バイスチップ側と本体側との電気的接合部分がより確実
に保護され、高信頼性化を図ることができる。また、軟
質エポキシ樹脂はそれ自体が光透過性に優れている。
【００１８】請求項６に記載の発明によると、封止材料
に透明度の高いガラス製のフィラーを添加した場合、例
えば透明度の低い色付きのフィラーを添加した場合に比
べて、封止材料全体としての光透過性が高くなる。ま
た、かかるフィラーの添加により封止材料全体の熱膨張
係数を効果的に下げることができるため、温度衝撃によ
る屈折率の変動がより小さくなる。
に透明度の高いガラス製のフィラーを添加した場合、例
えば透明度の低い色付きのフィラーを添加した場合に比
べて、封止材料全体としての光透過性が高くなる。ま
た、かかるフィラーの添加により封止材料全体の熱膨張
係数を効果的に下げることができるため、温度衝撃によ
る屈折率の変動がより小さくなる。
【００１９】請求項７に記載の発明によると、真球度の
高いフィラーを用いることにより、封止材料全体として
の光透過性がより高くなる。
高いフィラーを用いることにより、封止材料全体として
の光透過性がより高くなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をＣＣＤチップを備
えるプラスティックパッケージ１に具体化した一実施の
形態を図１，図２に基づき詳細に説明する。
えるプラスティックパッケージ１に具体化した一実施の
形態を図１，図２に基づき詳細に説明する。
【００２１】図１，図２には、本実施形態のパッケージ
１が示されている。このパッケージ１は、いわゆるＤＩ
Ｐタイプのプラスティックパッケージ１の形態を採って
いる。即ち、モールド樹脂材料（本実施形態では熱硬化
性を有するエポキシ樹脂）２からなる本体４によって、
導電性金属材料からなるリードフレーム３を部分的にモ
ールドした構成となっている。リードフレーム３は、そ
の中心部分にダイパッド５を有している。ダイパッド５
の上面（即ちダイエリア）には、フォトデバイスチップ
としてのＣＣＤチップ６がダイボンディングされてい
る。リードフレーム３のインナーリード部３ａは、ダイ
パッド５を包囲している。リードフレーム３のアウター
リード部３ｂは、モールド樹脂材料２からなる本体４か
ら突出しており、外部接続端子として使用される。な
お、各アウターリード部３ｂはいずれも２箇所で屈曲さ
れている。
１が示されている。このパッケージ１は、いわゆるＤＩ
Ｐタイプのプラスティックパッケージ１の形態を採って
いる。即ち、モールド樹脂材料（本実施形態では熱硬化
性を有するエポキシ樹脂）２からなる本体４によって、
導電性金属材料からなるリードフレーム３を部分的にモ
ールドした構成となっている。リードフレーム３は、そ
の中心部分にダイパッド５を有している。ダイパッド５
の上面（即ちダイエリア）には、フォトデバイスチップ
としてのＣＣＤチップ６がダイボンディングされてい
る。リードフレーム３のインナーリード部３ａは、ダイ
パッド５を包囲している。リードフレーム３のアウター
リード部３ｂは、モールド樹脂材料２からなる本体４か
ら突出しており、外部接続端子として使用される。な
お、各アウターリード部３ｂはいずれも２箇所で屈曲さ
れている。
【００２２】モールド樹脂材料２の一部には、円筒形状
のチップ収容筒８が形成されている。チップ収容筒８の
上部開口縁には充填孔１２が形成されている。ダイパッ
ド５は、チップ収容筒８の底面中央部に位置している。
そして、このチップ収容筒８内の空間には、絶縁性かつ
光透過性を有する封止材料９が充填されている。その結
果、ダイパッド５に搭載されたＣＣＤチップ６が全体的
に絶縁状態で封止されている。なお、前記封止材料９
は、ＣＣＤチップ６にパッケージ外部から入射しくる光
を伝達するための媒体としての役割も果たしている。
のチップ収容筒８が形成されている。チップ収容筒８の
上部開口縁には充填孔１２が形成されている。ダイパッ
ド５は、チップ収容筒８の底面中央部に位置している。
そして、このチップ収容筒８内の空間には、絶縁性かつ
光透過性を有する封止材料９が充填されている。その結
果、ダイパッド５に搭載されたＣＣＤチップ６が全体的
に絶縁状態で封止されている。なお、前記封止材料９
は、ＣＣＤチップ６にパッケージ外部から入射しくる光
を伝達するための媒体としての役割も果たしている。
【００２３】このような封止材料９としては、少なくと
もモールド樹脂材料２よりも弾性係数の小さなものを使
用することが必要とされる。従って、モールド樹脂材料
２として熱硬化性エポキシ樹脂を選択した本実施形態で
は、それよりも弾性係数の小さな封止材料９を選択する
必要がある。ここではそのような条件を満たす封止材料
９として、シリコーン樹脂のゲル状物（以下、単にシリ
コーンゲル９と呼ぶ。）を選択している。
もモールド樹脂材料２よりも弾性係数の小さなものを使
用することが必要とされる。従って、モールド樹脂材料
２として熱硬化性エポキシ樹脂を選択した本実施形態で
は、それよりも弾性係数の小さな封止材料９を選択する
必要がある。ここではそのような条件を満たす封止材料
９として、シリコーン樹脂のゲル状物（以下、単にシリ
コーンゲル９と呼ぶ。）を選択している。
【００２４】チップ収容筒８の開口部は、光透過性の蓋
体としてのエポキシ樹脂製のレンズ１０によって封止さ
れている。その結果、シリコーンゲル９がチップ収容筒
８内に安定した状態にかつ外漏れ不能状態に保持される
ようになっている。なお、同レンズ１０の上面は凸面１
０ａになっているため、外部からの入射光はレンズ１０
を通過する際に屈曲されかつ集光される。
体としてのエポキシ樹脂製のレンズ１０によって封止さ
れている。その結果、シリコーンゲル９がチップ収容筒
８内に安定した状態にかつ外漏れ不能状態に保持される
ようになっている。なお、同レンズ１０の上面は凸面１
０ａになっているため、外部からの入射光はレンズ１０
を通過する際に屈曲されかつ集光される。
【００２５】図２に概略的に示されるように、ＣＣＤチ
ップ６の上面にある図示しない複数のパッドと各インナ
ーリード部３ａとは、ボンディングワイヤ１１を介して
それぞれワイヤボンディングされている。その結果、Ｃ
ＣＤチップ６側と本体４側とが電気的に接続されてい
る。
ップ６の上面にある図示しない複数のパッドと各インナ
ーリード部３ａとは、ボンディングワイヤ１１を介して
それぞれワイヤボンディングされている。その結果、Ｃ
ＣＤチップ６側と本体４側とが電気的に接続されてい
る。
【００２６】次に、本実施形態のパッケージ１を製造す
る手順について説明する。まず、４２アロイ等の導電性
金属板をプレス加工またはエッチング加工することによ
って、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造す
る。
る手順について説明する。まず、４２アロイ等の導電性
金属板をプレス加工またはエッチング加工することによ
って、所定パターンを備えるリードフレーム３を製造す
る。
【００２７】リードフレーム製造工程の後、リードフレ
ーム３を成形用金型内にセットして、モールド樹脂材料
２によるモールド成形を行う。その結果、ダイパッド５
の周囲にはチップ収容筒８が形成される。
ーム３を成形用金型内にセットして、モールド樹脂材料
２によるモールド成形を行う。その結果、ダイパッド５
の周囲にはチップ収容筒８が形成される。
【００２８】モールド成形工程の後、従来公知の方法に
よりダイパッド５上に接着剤を塗布する。塗布方法とし
ては転写法またはディスペンス法がある。前記塗布工程
の後、リードフレーム３をダイボンダにセットして、Ｃ
ＣＤチップ６をダイパッド５上にダイボンディングす
る。この後、接着剤を熱硬化させ、ＣＣＤチップ６をダ
イパッド５上に完全に接着する。
よりダイパッド５上に接着剤を塗布する。塗布方法とし
ては転写法またはディスペンス法がある。前記塗布工程
の後、リードフレーム３をダイボンダにセットして、Ｃ
ＣＤチップ６をダイパッド５上にダイボンディングす
る。この後、接着剤を熱硬化させ、ＣＣＤチップ６をダ
イパッド５上に完全に接着する。
【００２９】ダイボンディング工程の後、リードフレー
ム３をワイヤボンダにセットして、ワイヤボンディング
を行う。その結果、複数本のボンディングワイヤ１１を
介して、ＣＣＤチップ６がインナーリード部３ａに電気
的に接続される。
ム３をワイヤボンダにセットして、ワイヤボンディング
を行う。その結果、複数本のボンディングワイヤ１１を
介して、ＣＣＤチップ６がインナーリード部３ａに電気
的に接続される。
【００３０】ワイヤボンディング工程の後、あらかじめ
チップ収容筒８にレンズ１０を接着した状態で、充填孔
１２を介してチップ収容筒８内にシリコーンゲル９を隙
間なく充填する。その結果、ＣＣＤチップ６をシリコー
ンゲル９によって完全に封止される。なお、封止材料充
填工程を行った後に蓋体取付工程を実施しても構わな
い。
チップ収容筒８にレンズ１０を接着した状態で、充填孔
１２を介してチップ収容筒８内にシリコーンゲル９を隙
間なく充填する。その結果、ＣＣＤチップ６をシリコー
ンゲル９によって完全に封止される。なお、封止材料充
填工程を行った後に蓋体取付工程を実施しても構わな
い。
【００３１】そして、アウターリード部３ｂを屈曲させ
るリードフォーミング工程を実施すれば、図１，図２に
示されるような所望のプラスティックパッケージ１を得
ることができる。
るリードフォーミング工程を実施すれば、図１，図２に
示されるような所望のプラスティックパッケージ１を得
ることができる。
【００３２】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。 （１）本実施形態では、ＣＣＤチップ６の封止のために
チップ収容筒８内に満たされる封止材料９として、少な
くともモールド樹脂材料２よりも弾性係数が小さいシリ
コーンゲル９を使用している。そのため、パッケージ１
が温度衝撃に遭遇した場合でも、シリコーンゲル９自身
が弾性変形することによって、熱応力が緩衝されてしま
う。このように熱応力の影響を受けにくい封止材料９を
用いた結果、封止材料９それ自体にクラックが発生する
ことがなくなる。また、シリコーンゲル９により全体的
に封止されるＣＣＤチップ６には、熱応力の影響が波及
することもないので、チップ破損という事態も確実に回
避することができる。しかも、このような封止材料９で
あれば、温度衝撃遭遇時であっても屈折率が変動を来す
おそれも少ない。ゆえに、デバイスの性能を確実に維持
することができる。つまり、本実施形態によると、耐温
度衝撃性に優れたパッケージ１を提供することができ
る。
効果を得ることができる。 （１）本実施形態では、ＣＣＤチップ６の封止のために
チップ収容筒８内に満たされる封止材料９として、少な
くともモールド樹脂材料２よりも弾性係数が小さいシリ
コーンゲル９を使用している。そのため、パッケージ１
が温度衝撃に遭遇した場合でも、シリコーンゲル９自身
が弾性変形することによって、熱応力が緩衝されてしま
う。このように熱応力の影響を受けにくい封止材料９を
用いた結果、封止材料９それ自体にクラックが発生する
ことがなくなる。また、シリコーンゲル９により全体的
に封止されるＣＣＤチップ６には、熱応力の影響が波及
することもないので、チップ破損という事態も確実に回
避することができる。しかも、このような封止材料９で
あれば、温度衝撃遭遇時であっても屈折率が変動を来す
おそれも少ない。ゆえに、デバイスの性能を確実に維持
することができる。つまり、本実施形態によると、耐温
度衝撃性に優れたパッケージ１を提供することができ
る。
【００３３】（２）勿論、シリコーンゲル９は好適な絶
縁性を有しているので、ＣＣＤチップ６側と本体４側と
の電気的接合部分が確実に保護され、パッケージ１に信
頼性を確保することができる。また、シリコーンゲル９
は光透過性も有しているので、ＣＣＤチップ６が受光す
べき光のパッケージ１内への透過を妨げるということも
ない。
縁性を有しているので、ＣＣＤチップ６側と本体４側と
の電気的接合部分が確実に保護され、パッケージ１に信
頼性を確保することができる。また、シリコーンゲル９
は光透過性も有しているので、ＣＣＤチップ６が受光す
べき光のパッケージ１内への透過を妨げるということも
ない。
【００３４】（３）本実施形態のパッケージ１では、光
透過性の蓋体であるレンズ１０によって、チップ収容筒
８の開口部を封止している。従って、シリコーンゲル９
が安定化してチップ収容筒８の外部に漏れ出さなくな
る。また、この構成を採用した場合には、液状物の使用
も可能となるので、封止材料９の選択の余地がいくぶん
広くなる。なお、レンズ１０はそれ自身が光透過性を有
しているので、入射してくる光の透過を妨げることもな
い。
透過性の蓋体であるレンズ１０によって、チップ収容筒
８の開口部を封止している。従って、シリコーンゲル９
が安定化してチップ収容筒８の外部に漏れ出さなくな
る。また、この構成を採用した場合には、液状物の使用
も可能となるので、封止材料９の選択の余地がいくぶん
広くなる。なお、レンズ１０はそれ自身が光透過性を有
しているので、入射してくる光の透過を妨げることもな
い。
【００３５】（４）本実施形態のパッケージ１では封止
材料９をゲル状物としている。そのため、シリコーンオ
イル等のような液状物を用いたときのような「おどり現
象」、即ち加速度印加時にオイルの振動が一定時間継続
してしまう現象を確実に回避することができる。従っ
て、加速度印加時においてもデバイス性能が維持され、
結果として耐衝撃性の向上が図られる。また、流動性の
小さなゲル状物であれば、例えばレンズ１０を省略した
構造とすることも可能となる。従って、その場合には部
品点数の削減及び低コスト化を図ることができる。
材料９をゲル状物としている。そのため、シリコーンオ
イル等のような液状物を用いたときのような「おどり現
象」、即ち加速度印加時にオイルの振動が一定時間継続
してしまう現象を確実に回避することができる。従っ
て、加速度印加時においてもデバイス性能が維持され、
結果として耐衝撃性の向上が図られる。また、流動性の
小さなゲル状物であれば、例えばレンズ１０を省略した
構造とすることも可能となる。従って、その場合には部
品点数の削減及び低コスト化を図ることができる。
【００３６】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 図３に示される別例のパッケージ２１のように、透
明度の高いガラス製のフィラー２２が添加されている封
止材料（ここでは具体的には軟質エポキシ樹脂）２３を
用いた構成としてもよい。この場合、軟質エポキシ樹脂
２３に添加されるフィラー２２としては、できるだけ真
球度の高いものが使用されることが好ましい。また、フ
ィラー２２の平均粒径は１μｍ〜１００μｍであること
がよい。この別例によると、例えば透明度の低い色付き
のフィラーを添加した場合に比べ、封止材料２３全体と
しての光透過性を高くすることができる。また、かかる
フィラー２２の添加により、封止材料２３全体としての
熱膨張係数を効果的に下げることができ、温度衝撃によ
る屈折率の変動をより小さくすることができる。なお、
ガラス製のフィラー２２に代えて、透明度の高い無機材
料（例えばジルコニア等）からなるフィラーを用いるこ
とも可能である。
更してもよい。 ・ 図３に示される別例のパッケージ２１のように、透
明度の高いガラス製のフィラー２２が添加されている封
止材料（ここでは具体的には軟質エポキシ樹脂）２３を
用いた構成としてもよい。この場合、軟質エポキシ樹脂
２３に添加されるフィラー２２としては、できるだけ真
球度の高いものが使用されることが好ましい。また、フ
ィラー２２の平均粒径は１μｍ〜１００μｍであること
がよい。この別例によると、例えば透明度の低い色付き
のフィラーを添加した場合に比べ、封止材料２３全体と
しての光透過性を高くすることができる。また、かかる
フィラー２２の添加により、封止材料２３全体としての
熱膨張係数を効果的に下げることができ、温度衝撃によ
る屈折率の変動をより小さくすることができる。なお、
ガラス製のフィラー２２に代えて、透明度の高い無機材
料（例えばジルコニア等）からなるフィラーを用いるこ
とも可能である。
【００３７】・ 蓋体であるレンズ１０は、前記実施形
態のように凸面１０ａを有するもの（即ち凸レンズ）に
限定されることはなく、用途に応じて凹面を有するもの
（即ち凹レンズ）としてもよい。
態のように凸面１０ａを有するもの（即ち凸レンズ）に
限定されることはなく、用途に応じて凹面を有するもの
（即ち凹レンズ）としてもよい。
【００３８】・ 図４に示される別例のパッケージ３１
のように、上面が平坦状の蓋体３２、言い換えるとレン
ズ機能を有していない蓋体３２を用いても構わない。 ・ シリコーンゲル９や軟質エポキシ樹脂２３以外の封
止材料として、例えばウレタン樹脂等を選択することが
可能である。
のように、上面が平坦状の蓋体３２、言い換えるとレン
ズ機能を有していない蓋体３２を用いても構わない。 ・ シリコーンゲル９や軟質エポキシ樹脂２３以外の封
止材料として、例えばウレタン樹脂等を選択することが
可能である。
【００３９】・ プラスティックパッケージ１は前記実
施形態のようなＤＩＰの形態のみに限定されることはな
く、例えばＳＩＰ，ＳＯＰ，ＱＦＰ，ＱＦＪ，ＱＦＬ等
の各種形態を採ることが許容される。
施形態のようなＤＩＰの形態のみに限定されることはな
く、例えばＳＩＰ，ＳＯＰ，ＱＦＰ，ＱＦＪ，ＱＦＬ等
の各種形態を採ることが許容される。
【００４０】・ 本発明はＣＣＤチップ６以外のフォト
デバイスチップに適用されてもよい。また、前記ＣＣＤ
チップ６のように外部からの光を受光するものに限定さ
れることはなく、外部に光を発するものであってもい。
デバイスチップに適用されてもよい。また、前記ＣＣＤ
チップ６のように外部からの光を受光するものに限定さ
れることはなく、外部に光を発するものであってもい。
【００４１】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１乃至８のいずれか１項において、前記
チップ収容筒は円筒形状であること。従って、この技術
的思想１に記載の発明によれば、円筒形状としたことに
より特定の部位に熱応力が集中しにくくなるので、より
熱応力の影響を受けにくいものとすることができる。
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１乃至８のいずれか１項において、前記
チップ収容筒は円筒形状であること。従って、この技術
的思想１に記載の発明によれば、円筒形状としたことに
より特定の部位に熱応力が集中しにくくなるので、より
熱応力の影響を受けにくいものとすることができる。
【００４２】（２） 請求項６乃至８のいずれか１項に
おいて、前記フィラーの平均粒径は１μｍ〜１００μｍ
であること。
おいて、前記フィラーの平均粒径は１μｍ〜１００μｍ
であること。
【００４３】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜８に記
載の発明によれば、フォトデバイスチップに加わる熱応
力の影響が少なくて耐温度衝撃性に優れたプラスティッ
クパッケージを提供することができる。
載の発明によれば、フォトデバイスチップに加わる熱応
力の影響が少なくて耐温度衝撃性に優れたプラスティッ
クパッケージを提供することができる。
【００４４】請求項２に記載の発明によれば、封止材料
の外漏れ防止が図られるとともに、封止材料の選択の余
地をいくぶん広くすることができる。請求項４に記載の
発明によれば、パッケージの耐衝撃性の向上に加え、蓋
体の省略による部品点数の削減及び低コスト化を図るこ
とができる。
の外漏れ防止が図られるとともに、封止材料の選択の余
地をいくぶん広くすることができる。請求項４に記載の
発明によれば、パッケージの耐衝撃性の向上に加え、蓋
体の省略による部品点数の削減及び低コスト化を図るこ
とができる。
【００４５】請求項５に記載の発明によれば、パッケー
ジの高信頼性化を図ることができる。請求項６に記載の
発明によれば、封止材料全体としての光透過性が高くな
り、かつ温度衝撃による屈折率の変動がより小さくな
る。
ジの高信頼性化を図ることができる。請求項６に記載の
発明によれば、封止材料全体としての光透過性が高くな
り、かつ温度衝撃による屈折率の変動がより小さくな
る。
【００４６】請求項７に記載の発明によれば、封止材料
全体としての光透過性がより高くなる。
全体としての光透過性がより高くなる。
【図１】本発明を具体化した実施形態のプラスティック
パッケージを示す全体斜視図。
パッケージを示す全体斜視図。
【図２】同じくその概略断面図。
【図３】別例のパッケージの概略断面図。
【図４】別例のパッケージの概略断面図。
１…プラスティックパッケージ、２…モールド樹脂材
料、３…リードフレーム、４…本体、６…フォトデバイ
スチップとしてのＣＣＤチップ、８…チップ収容筒、９
…封止材料としてのシリコーンゲル、１０…蓋体として
のエポキシ樹脂製のレンズ、２２…フィラー、２３…封
止材料としての軟質エポキシ樹脂、３２…蓋体。
料、３…リードフレーム、４…本体、６…フォトデバイ
スチップとしてのＣＣＤチップ、８…チップ収容筒、９
…封止材料としてのシリコーンゲル、１０…蓋体として
のエポキシ樹脂製のレンズ、２２…フィラー、２３…封
止材料としての軟質エポキシ樹脂、３２…蓋体。
Claims (8)
- 【請求項１】リードフレームにおけるダイエリアを包囲
する位置にチップ収容筒が形成された絶縁性のモールド
樹脂材料からなる本体と、前記ダイエリア上に実装され
たフォトデバイスチップと、前記フォトデバイスチップ
を封止すべく前記チップ収容筒内に満たされた絶縁性か
つ光透過性の封止材料と、その封止材料は少なくとも前
記モールド樹脂材料よりも弾性係数が小さいものである
こととを含むことを特徴とするプラスティックパッケー
ジ。 - 【請求項２】前記チップ収容筒の開口部は光透過性の蓋
体で封止されていることを特徴とする請求項１に記載の
プラスティックパッケージ。 - 【請求項３】前記蓋体はレンズ機能を有することを特徴
とする請求項２に記載のプラスティックパッケージ。 - 【請求項４】前記封止材料はゲル状物であることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラステ
ィックパッケージ。 - 【請求項５】前記封止材料は軟質エポキシ樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
プラスティックパッケージ。 - 【請求項６】前記封止材料には透明度の高いガラス製の
フィラーが添加されていることを特徴とする請求項１乃
至５のいずれか１項に記載のプラスティックパッケー
ジ。 - 【請求項７】前記フィラーは真球度の高いものであるこ
とを特徴とする請求項６に記載のプラスティックパッケ
ージ。 - 【請求項８】前記モールド樹脂材料は熱硬化性を有する
エポキシ樹脂であり、前記蓋体はエポキシ樹脂製である
ことを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載
のプラスティックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139950A JPH11340480A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラスティックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139950A JPH11340480A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラスティックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340480A true JPH11340480A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15257462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139950A Pending JPH11340480A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラスティックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007524243A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-23 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器 |
| JP2010537177A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | パーキンエルマー テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コー． カーゲー | センサキャップアセンブリ、センサ、回路 |
| CN104425632A (zh) * | 2013-08-21 | 2015-03-18 | 佳能株式会社 | 光学装置及其制造方法 |
| WO2017052089A1 (ko) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | (주)파트론 | 센서 패키지 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083337A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6464254A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor and manufacture thereof |
| JPH01137655A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-30 | Hitachi Ltd | 光デバイス |
| JPH03166769A (ja) * | 1989-11-25 | 1991-07-18 | Fuji Electric Co Ltd | 光学センサ素子 |
| JPH08288539A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nitto Denko Corp | フォトカプラー用一次封止樹脂組成物 |
| JPH1065219A (ja) * | 1996-08-15 | 1998-03-06 | Nippon Retsuku Kk | 光電子部品の製造方法 |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139950A patent/JPH11340480A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007524243A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-08-23 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | オプトエレクトロニクスによるマイクロ光学機器 |
| JP4903685B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2012-03-28 | ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア | 集積光学システムを製造する方法 |
| KR101194452B1 (ko) | 2004-02-27 | 2012-10-24 | 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 | 광전자 기기 상의 마이크로 광학 기기 |
| JP2010537177A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | パーキンエルマー テクノロジーズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コー． カーゲー | センサキャップアセンブリ、センサ、回路 |
| CN104425632A (zh) * | 2013-08-21 | 2015-03-18 | 佳能株式会社 | 光学装置及其制造方法 |
| US9570632B2 (en) | 2013-08-21 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing the optical apparatus |
| US9887222B2 (en) | 2013-08-21 | 2018-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical apparatus |
| WO2017052089A1 (ko) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | (주)파트론 | 센서 패키지 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041029 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090106 |