JPH11326911A - 反射型液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高分子層と液晶層が交互に積層された反射層
に電界を印加しない状態で、高分子層と液晶層との間の
屈折率差を十分に大きくすることができ、十分な反射光
強度が得られるようにする。 【解決手段】 基板１１上の電極１２上に光分解性ポリ
イミドを塗布し、加熱して、ポリイミド膜２１ｂを形成
する。次に、ポリイミド膜２１ｂ上に液晶とポリビニル
シンナメートなどの光２量化材料と光重合性モノマーと
の混合液を塗布し、基板面に垂直な方向を偏光方向とす
る偏光紫外線を照射する。これによって、ポリイミド膜
２１ｂ上にＰＤＬＣ構造の液晶層２２ｂが形成され、か
つ液晶層２２ｂ中の光２量化材料４が光２量化反応を起
こすとともに、ポリイミド膜２１ｂにおいては、偏光紫
外線の偏光方向と同一方向のポリイミド鎖１ａが分解さ
れて、偏光方向に垂直な方向のポリイミド鎖１ｂだけが
残存し、液晶層２２ｂ中の液晶分子３ａが基板面方向に
配向される。上記のポリイミド膜２１ｂと液晶層２２ｂ
とを交互に積層形成して反射層を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、カラー表示が可
能な反射型液晶表示素子、およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】反射型液晶表示素子は、透過型液晶表示
素子のようにバックライトのような専用の光源を必要と
せず、消費電力が少ないとともに、薄型軽量に構成でき
ることから、小型情報機器や携帯情報端末などの表示装
置に適する。

【０００３】カラー表示が可能な反射型液晶表示素子と
しては、従来、ＴＮ液晶またはＳＴＮ液晶のセルの両側
に偏光板を配して光シャッタを構成し、外光である入射
光をカラーフィルタで着色し、光シャッタを透過させ
て、反射板で反射させるものが知られている。しかしな
がら、この反射型液晶表示素子は、偏光板およびカラー
フィルタを使用するので、光のロスが大きく、出力の反
射光が微弱となって、輝度が低くなる欠点がある。

【０００４】そこで、偏光板やカラーフィルタなどを用
いない反射型液晶表示素子として、それぞれ電極が形成
された２枚の基板の電極間に、液晶層と高分子層とを交
互に多層に渡って積層して、屈折率の周期的な変化によ
って可視光中の特定波長の光を反射させる反射層を形成
したものが考えられている。

【０００５】例えば、特開平４−３５５４２４号や特開
平５−１３４２６６号には、図１０（Ｃ）に示すよう
に、電極１２，１４が形成された基板１１，１３の電極
１２，１４間に、高分子層１７と液晶層１８が交互に積
層形成された反射層を挟持させたものが示されている。

【０００６】この表示素子は、電極１２，１４間に印加
される電圧に応じて屈折率が変化する液晶層１８と、屈
折率の変化を生じない高分子層１７との、周期的な屈折
率の違いによって、干渉フィルタの原理により、入射光
中の特定波長の光を反射させ、他の波長領域の光を透過
させる。

【０００７】例えば、電極１２，１４間に電圧を印加し
ない状態では、液晶がランダムな方向を向くことによ
り、高分子層１７と液晶層１８との間に屈折率の違いを
生じて、電極１２，１４間において屈折率の周期的な変
化を生じ、図１０（Ｃ）に示すように、入射光５５中の
特定波長の光５６が反射する。反射波長は、屈折率の変
化の周期、すなわち高分子層１７と液晶層１８の厚みに
よって決まる。

【０００８】これに対して、電極１２，１４間に十分な
電圧を印加した状態では、液晶が基板１１，１３に垂直
な方向に配列されることにより、高分子層１７と液晶層
１８の屈折率が近くなって、電極１２，１４間の屈折率
の周期的な変化が小さくなり、入射光５５は大部分が表
示素子を透過する。

【０００９】この反射型液晶表示素子は、偏光板やカラ
ーフィルタなどを用いないため、光のロスが少ないとと
もに、高い反射率が得られるので、高輝度の表示が得ら
れる。

【００１０】この反射型液晶表示素子の製造方法とし
て、従来、電極１２，１４間に液晶と光重合性モノマー
との混合液を注入し、この混合液に所定波長の同位相の
レーザ光を２方向から照射して、両者の光の干渉によ
り、光重合性モノマーを重合させて高分子層１７を形成
し、この高分子層１７以外の領域に液晶を析出させて液
晶層１８を形成する方法が考えられている。

【００１１】例えば、SPIE Vol.2152/303('94)「Develo
pment of photopolymer-liquid crystal composite mat
erials for dynamic hologram applications」には、図
１０（Ａ）（Ｂ）に示すように電極１２，１４間に上記
のような混合液１６を注入して、同図（Ａ）に示すよう
に基板１３，１１の両面からレーザ光５１，５２を照射
し、または同図（Ｂ）に示すように基板１３側からレー
ザ光５３，５４を照射することによって、同図（Ｃ）に
示したように高分子層１７と液晶層１８が交互に積層形
成された反射層を得ることが示されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１０（Ｃ）に示した
反射型液晶表示素子では、電極１２，１４間に電圧を印
加しない状態で、高分子層１７と液晶層１８との間に屈
折率の違いを生じて、入射光５５中の特定波長の光５６
が反射する。

【００１３】しかし、このとき、液晶層１８中の液晶
は、配向が制御されてなく、ランダムな方向を向いてい
るので、高分子層１７と液晶層１８との間の屈折率差を
大きくすることができない。そのため、十分な強度の反
射光を得ることができない。

【００１４】電極１２，１４間に電圧を印加しない状態
で、液晶層１８中の液晶を特定方向に配向させることが
できれば、高分子層１７と液晶層１８との間の屈折率差
を十分に大きくすることができ、十分な反射光強度を得
ることができる。

【００１５】光分解性ポリイミドなどの液晶配向性材料
は、液晶を一定方向に配向させる効力がある。例えば、
Ｏ plus Ｅ No.207('97)p81 〜87「液晶配向膜の現状と
将来」に示されているように、光分解性ポリイミドは、
偏光紫外線を照射すると、その偏光方向と同一方向のポ
リイミド鎖が分解されて、偏光方向に垂直な方向のポリ
イミド鎖だけが残存し、その残存したポリイミド鎖の方
向に液晶分子を配向させることができる。

【００１６】また、ポリビニルシンナメート（ＰＶＣ
ｉ）やシンナメートエチルメタクリレート（ＣＥＭＡ）
などの光２量化材料も、液晶を一定方向に配向させる効
力がある。例えば、応用物理第64巻第10号('95)p1007〜
1012「光二量化反応性高分子膜を用いた液晶配向制御」
に示されているように、ポリビニルシンナメート膜は、
偏光紫外線を照射することによって、その偏光方向に平
行な側鎖を有するポリビニルシンナメート分子が優先的
に光２量化反応を起こして、光学異方性を発現し、液晶
分子を一定方向に配向させることができる。また、シン
ナメートエチルメタクリレート膜は、偏光紫外線を照射
することによって、その偏光方向に平行なシンナメート
エチルメタクリレート自体が優先的に光２量化反応を起
こして、光学異方性を発現し、液晶分子を一定方向に配
向させることができる。

【００１７】このように、一定方向のポリイミド鎖は、
その方向に液晶を配向させることができる。また、光２
量化反応後のポリビニルシンナメートやシンナメートエ
チルメタクリレートも、液晶を一定方向に配向させるこ
とができる。

【００１８】しかしながら、一定方向のポリイミド鎖な
どの液晶配向性材料が有する液晶配向力は弱い。同様
に、光２量化反応後のポリビニルシンナメートやシンナ
メートエチルメタクリレートなどの光２量化材料が有す
る液晶配向力も弱い。

【００１９】そのため、図１０（Ｃ）に示した反射型液
晶表示素子において、液晶配向性材料または光２量化材
料によって、電極１２，１４間に電圧を印加しない状態
で、液晶層１８中の液晶を特定方向に配向させようとし
ても、確実かつ十分に配向させることができず、高分子
層１７と液晶層１８との間の屈折率差を十分に大きくす
ることは困難である。

【００２０】しかも、この場合、一般に液晶表示素子で
液晶を特定方向に配向させる方法として採られているの
と同様に、基板１１，１３の電極１２，１４が形成され
た面上に、一定方向のポリイミド鎖などの液晶配向性材
料、または光２量化反応後のポリビニルシンナメートや
シンナメートエチルメタクリレートなどの光２量化材料
を、配向膜として形成したのでは、液晶配向性材料また
は光２量化材料の液晶配向力は、多数の液晶層１８中
の、その配向膜に近接する液晶層にしか及ばない。特
に、図１０（Ｃ）に示した反射型液晶表示素子では、反
射層の厚み方向において高分子層１７と液晶層１８が交
互に存在するので、反射層の厚み方向の中央部分の液晶
層に対しては、基板１１，１３上の配向膜の液晶配向力
が、より影響しにくくなる。

【００２１】そこで、この発明は、２枚の基板間に、高
分子層と液晶層が交互に積層された反射層が形成された
反射型液晶表示素子において、反射層に電界を印加しな
い状態で、高分子層と液晶層との間の屈折率差を十分に
大きくすることができ、十分な反射光強度を得ることが
できるようにしたものである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この発明の反射型液晶表
示素子は、２枚の基板間に、液晶配向性材料からなる高
分子層と、光２量化材料を含む液晶層とが、交互に積層
された反射層が形成され、上記それぞれの液晶層中の液
晶が、その液晶層中の光２量化材料と、隣接する高分子
層を形成する液晶配向性材料とによって、特定方向に配
向されているものとする。

【００２３】

【作用】上述したように、一定方向のポリイミド鎖など
の液晶配向性材料や、光２量化反応後のポリビニルシン
ナメートやシンナメートエチルメタクリレートなどの光
２量化材料は、それぞれ液晶を一定方向に配向させるこ
とができるが、それぞれの液晶配向力は弱い。

【００２４】これに対して、この発明では、高分子層と
液晶層が交互に積層された反射層のそれぞれの高分子層
を、一定方向のポリイミド鎖などの液晶配向性材料によ
って形成するとともに、それぞれの液晶層を、光２量化
反応後のポリビニルシンナメートやシンナメートエチル
メタクリレートなどの光２量化材料を含むものとするの
で、反射層に電界を印加しない状態で、反射層の厚み方
向の中央部分の液晶層を含めて、すべての液晶層中の液
晶が、それぞれの液晶層中の光２量化材料の液晶配向力
と、隣接する高分子層を形成する液晶配向性材料の液晶
配向力とを、同時に受けるようになり、特定方向、例え
ば基板面に平行な方向に確実かつ十分に配向されるよう
になる。

【００２５】したがって、反射層に電界を印加しない状
態で、反射層の厚み方向の全域に渡って高分子層と液晶
層との間の屈折率差を十分に大きくすることができ、十
分な反射光強度を得ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】〔製造方法としての第１の実施形
態〕図１〜図３は、この発明の製造方法の第１の例を示
す。

【００２７】この例では、まず、図１（Ａ）に示すよう
に、一面側に電極１２が形成された基板１１の電極１２
上に、光分解性ポリイミド２１ａを、印刷法、転写法ま
たはスピンコート法などによって、７０〜１１０ｎｍ程
度の膜厚で塗布する。光分解性ポリイミド２１ａとして
は、例えば、日本合成ゴム社製のオプトマーＡＬ１２５
４を用いることができる。

【００２８】次に、光分解性ポリイミド２１ａに熱を加
えて、光分解性ポリイミド２１ａを重合させることによ
って、図１（Ｂ）に示すように、電極１２上にポリイミ
ド膜２１ｂを形成する。このとき、図２（Ａ）に示すよ
うに、ポリイミド膜２１ｂ中のポリイミド鎖１はランダ
ムな方向を向いている。

【００２９】次に、図１（Ｃ）に示すように、ポリイミ
ド膜２１ｂ上に、液晶と光重合性モノマーとの混合液
に、さらに光２量化材料を溶解させた混合液２２ａを、
印刷法、転写法またはスピンコート法などによって、７
０〜１１０ｎｍ程度の膜厚で塗布する。光重合性モノマ
ーとしては、液晶との間で相溶性を有し、透明性があ
り、かつ後述する紫外線領域で重合硬化するものを用い
る。

【００３０】光２量化材料としては、例えば、図５に示
すような分子構造を有し、偏光紫外線の照射によって後
述するように光２量化反応を生じるポリビニルシンナメ
ートや、図６に示すような分子構造を有し、偏光紫外線
の照射によって後述するように光２量化反応を生じるシ
ンナメートエチルメタクリレートを用いる。

【００３１】次に、図１（Ｃ）に示すように、混合液２
２ａおよびポリイミド膜２１ｂに、これらの厚み方向を
偏光方向とする偏光紫外線２５を、これらの厚み方向に
照射する。

【００３２】これによって、混合液２２ａ中の光重合性
モノマーが重合して、図１（Ｄ）および図２（Ｂ）に示
すように、ポリイミド膜２１ｂ上に、高分子２中に液晶
ドロップレット３が分散されたＰＤＬＣ構造の液晶層２
２ｂが形成されるとともに、高分子２中の光２量化材料
４が光２量化反応を起こして、光学異方性を発現する。

【００３３】すなわち、光２量化材料４としてポリビニ
ルシンナメートを用いた場合には、偏光紫外線２５の偏
光方向に平行な側鎖を有するポリビニルシンナメート分
子が優先的に光２量化反応を起こし、光２量化材料４と
してシンナメートエチルメタクリレートを用いた場合に
は、偏光紫外線２５の偏光方向に平行なシンナメートエ
チルメタクリレート自体が優先的に光２量化反応を起こ
して、それぞれ光２量化材料４に、液晶ドロップレット
３内の液晶分子３ａを基板１１の面方向に配向させる光
学異方性が発現する。

【００３４】同時に、偏光紫外線２５の照射によって、
ポリイミド膜２１ｂにおいては、図２（Ｂ）に示すよう
に、図２（Ａ）に示したポリイミド鎖１のうちの、偏光
紫外線２５の偏光方向と同一方向のポリイミド鎖１ａが
分解されて、偏光方向に垂直な方向のポリイミド鎖１ｂ
だけが残存し、その残存したポリイミド鎖１ｂの方向、
すなわち基板１１の面方向に液晶分子３ａを配向させる
効力を生じる。

【００３５】液晶層２２ｂは、光重合性モノマーの重合
によって、液晶分子３ａのスイッチング性は失われない
が、層全体としてポリイミド膜２１ｂ上に固定されるの
で、以後、その上に光分解性ポリイミドを塗布すること
ができる。

【００３６】以後、図１（Ａ）〜（Ｄ）に示した工程を
所定回数、繰り返して、図３（Ａ）に示すように、電極
１２上に、ポリイミド膜２１ｂと液晶層２２ｂとを交互
に、所定の積層数に渡って積層形成して、反射層を得
る。

【００３７】この場合、反射層を構成するそれぞれの液
晶層２２ｂにおいては、図２（Ｂ）に示したように、光
２量化反応後の光２量化材料４によって、液晶分子３ａ
を基板１１の面方向に配向させる効力を生じるととも
に、反射層を構成するそれぞれのポリイミド膜２１ｂに
おいては、図２（Ｂ）に示したように、残存したポリイ
ミド鎖１ｂによって、液晶分子３ａを基板１１の面方向
に配向させる効力を生じるので、それぞれの液晶層２２
ｂにおいては、図２（Ｂ）に示すように、液晶分子３ａ
が基板１１の面方向に確実かつ十分に配向される。

【００３８】次に、図３（Ｂ）に示すように、その反射
層上に、一面側に電極１４が形成された基板１３の電極
１４側を接着して、反射型液晶表示素子を得る。

【００３９】〔製造方法としての第２の実施形態〕図４
は、この発明の製造方法の第２の例を示す。

【００４０】この例では、図４（Ａ）に示すように、基
板１１上の電極１２上に、図１（Ａ）〜（Ｄ）に示した
工程を繰り返して、ポリイミド膜２１ｂと液晶層２２ｂ
とが交互に積層された多層膜を形成するとともに、図４
（Ｂ）に示すように、基板１３上の電極１４上に、図１
（Ａ）〜（Ｄ）に示した工程を繰り返して、ポリイミド
膜２１ｂと液晶層２２ｂとが交互に積層された多層膜を
形成し、次いで、図４（Ｃ）に示すように、基板１１上
の多層膜と基板１２上の多層膜とを接着する。

【００４１】〔反射型液晶表示素子としての実施形態〕
以上の方法によって得られた反射型液晶表示素子におい
ては、図７（Ａ）に示すように、電極１２，１４間に電
圧が印加されないとき、屈折率ｎ１の液晶層２２ｂと屈
折率ｎ３のポリイミド膜２１ｂとの間の屈折率差（ｎ１
〜ｎ３）によって、すなわち反射層における屈折率の周
期的な変化によって、入射光５５中の特定波長の光５７
が反射し、それ以外の光は透過する。

【００４２】しかも、このとき、それぞれの液晶層２２
ｂ中の液晶が、その液晶層２２ｂ中の図２（Ｂ）に示し
た光２量化反応後の光２量化材料４の液晶配向力と、隣
接するポリイミド膜２１ｂの図２（Ｂ）に示した残存し
たポリイミド鎖１ｂの液晶配向力とによって、基板１
１，１３の面方向に確実かつ十分に配向されるので、液
晶層２２ｂとポリイミド膜２１ｂとの間の屈折率差（ｎ
１〜ｎ３）が十分に大きくなり、十分な反射光強度が得
られる。

【００４３】図８の曲線６は、高分子層として上記の残
存したポリイミド鎖からなるポリイミド膜を形成し、液
晶層は光２量化材料を含まないものとした場合の、曲線
７は、高分子層は液晶配向性を持たない材料によって形
成し、液晶層は光２量化反応後の光２量化材料を含むも
のとした場合の、さらに曲線８は、この発明の上記の実
施形態のように、高分子層として残存したポリイミド鎖
からなるポリイミド膜を形成し、液晶層も光２量化反応
後の光２量化材料を含むものとした場合の、それぞれ、
高分子層と液晶層の一層分の、入射光の入射角度に対す
る反射率の変化を測定したものである。測定は、それぞ
れ、偏光顕微鏡をクロスニコル状態にし、サンプルを０
°から９０°まで回転させて行った。

【００４４】これからも明らかなように、この発明によ
れば、液晶層中の光２量化反応後の光２量化材料と隣接
する高分子層を形成する液晶配向性材料との相乗効果に
よって、反射率が著しく増大する。

【００４５】図９は、この発明の上記の実施形態の反射
型液晶表示素子における、高分子層と液晶層の積層数に
対する最大反射率（図８において角度が４５°のときの
反射率）の関係を示したもので、上記のように偏光顕微
鏡をクロスニコル状態にし、サンプルを０°から９０°
まで回転させて測定した結果である。これから明らかな
ように、積層数を一定以上にすることによって、最大反
射率を著しく大きくすることができる。

【００４６】上記の実施形態の反射型液晶表示素子で
は、図７（Ｂ）のように電極１２，１４間に十分な電圧
を印加したときには、液晶層２２ｂ中の液晶が基板１
１，１３に垂直な方向に配向されることによって、入射
光５５に対する液晶層２２ｂの屈折率がポリイミド膜２
１ｂの屈折率ｎ３に近い屈折率ｎ２に変化して、液晶層
２２ｂとポリイミド膜２１ｂとの間の屈折率差（ｎ２〜
ｎ３）が小さくなり、入射光５５は大部分が表示素子１
０を透過する。

【００４７】

【発明の効果】上述したように、この発明の反射型液晶
表示素子によれば、反射層に電界を印加しない状態で、
高分子層と液晶層との間の屈折率差を十分に大きくする
ことができ、十分な反射光強度を得ることができる。ま
た、高い輝度が得られるので、その輝度が若干低下する
ものの、散乱板を配置して視野角を広げることもでき
る。

【００４８】この発明の製造方法によれば、上記のよう
な反射型液晶表示素子を、確実かつ容易に得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の製造方法の第１の例の一部の工程を
示す図である。

【図２】ポリイミド膜および液晶層の状態を示す図であ
る。

【図３】この発明の製造方法の第１の例のその後の工程
を示す図である。

【図４】この発明の製造方法の第２の例を示す図であ
る。

【図５】ポリビニルシンナメートの分子構造と光２量化
反応過程を示す図である。

【図６】シンナメートエチルメタクリレートの分子構造
と光２量化反応過程を示す図である。

【図７】この発明の反射型液晶表示素子の一例の動作の
説明に供する図である。

【図８】この発明の反射型液晶表示素子と液晶配向性材
料または光２量化材料のみを用いた反射型液晶表示素子
との反射率特性を比較して示す図である。

【図９】この発明の反射型液晶表示素子における積層数
と最大反射率との関係を示す図である。

【図１０】従来の製造方法とそれによって得られる反射
型液晶表示素子の一例を示す図である。

【符号の説明】

１１，１３ 基板 １２，１４ 電極 ２１ａ 光分解性ポリイミド ２１ｂ ポリイミド膜 ２２ａ 混合液 ２２ｂ 液晶層 ２５ 偏光紫外線 １，１ａ，１ｂ ポリイミド鎖 ２ 高分子 ３ 液晶ドロップレット ３ａ 液晶分子 ４ 光２量化材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 曳地 丈人 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 氷治 直樹 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 二宮 正伸 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】２枚の基板間に、液晶配向性材料からなる
   高分子層と、光２量化材料を含む液晶層とが、交互に積
   層された反射層が形成され、上記それぞれの液晶層中の
   液晶が、その液晶層中の光２量化材料と、隣接する高分
   子層を形成する液晶配向性材料とによって、特定方向に
   配向されていることを特徴とする反射型液晶表示素子。
2. 【請求項２】請求項１の反射型液晶表示素子において、 上記液晶配向性材料は、光分解性ポリイミドが熱によっ
   て硬化され、さらに偏光紫外線の照射によって一部が分
   解された後の、残存したポリイミド鎖であることを特徴
   とする反射型液晶表示素子。
3. 【請求項３】請求項１の反射型液晶表示素子において、 上記光２量化材料は、偏光紫外線の照射による光２量化
   反応後のポリビニルシンナメートまたはシンナメートエ
   チルメタクリレートであることを特徴とする反射型液晶
   表示素子。
4. 【請求項４】請求項１の反射型液晶表示素子において、 上記液晶配向性材料が光分解性材料であり、この高分子
   層を形成する液晶配向性材料の光分解反応と、隣接する
   液晶層中の光２量化材料の光２量化反応とが、高分子層
   およびこれと隣接する液晶層への偏光紫外線の照射によ
   って、同時に生じたものであることを特徴とする反射型
   液晶表示素子。
5. 【請求項５】電極が形成された第１基板の電極側に、液
   晶配向性材料からなる高分子層を形成し、熱硬化させた
   後、その高分子層上に、光２量化材料を含む液晶層を形
   成し、その後、この液晶層および上記高分子層に偏光紫
   外線を照射して、上記液晶層中の光２量化材料を光２量
   化反応させると同時に、上記高分子層を形成する液晶配
   向性材料の上記偏光紫外線の偏光方向と同一方向の高分
   子鎖を分解させる工程を繰り返して、多層膜を形成し、
   その多層膜上に、電極が形成された第２基板の電極側を
   接着することを特徴とする、反射型液晶表示素子の製造
   方法。
6. 【請求項６】電極が形成された第１基板の電極側に、液
   晶配向性材料からなる高分子層を形成し、熱硬化させた
   後、その高分子層上に、光２量化材料を含む液晶層を形
   成し、その後、この液晶層および上記高分子層に偏光紫
   外線を照射して、上記液晶層中の光２量化材料を光２量
   化反応させると同時に、上記高分子層を形成する液晶配
   向性材料の上記偏光紫外線の偏光方向と同一方向の高分
   子鎖を分解させる工程を繰り返して、多層膜を形成する
   とともに、電極が形成された第２基板の電極側に、上記
   工程を繰り返して、多層膜を形成し、その後、上記第１
   基板上の多層膜と上記第２基板上の多層膜とを接着する
   ことを特徴とする、反射型液晶表示素子の製造方法。