JPH11325859A - バンプ外観検査方法及び装置 - Google Patents
バンプ外観検査方法及び装置Info
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- JPH11325859A JPH11325859A JP13195598A JP13195598A JPH11325859A JP H11325859 A JPH11325859 A JP H11325859A JP 13195598 A JP13195598 A JP 13195598A JP 13195598 A JP13195598 A JP 13195598A JP H11325859 A JPH11325859 A JP H11325859A
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Abstract
バンプの高さを測定し、(S4)その測定値に基づいて
ウェーハ上のバンプの高さ分布を推定し、(S5)推定
した高さ分布が設定範囲外の部分を検査領域と決定し、
(S6)該検査領域でバンプ高さを測定し、設定範囲外
の高さのバンプを含むチップ領域を不良と判定する。
(S7)検査領域と検査結果とのデータを蓄積し、(S
9及びS9)蓄積されたデータに基づいて検査密度を定
める。
Description
法及び装置に関する。
したフリップチップでは、そのバンプ頂部を基板上に接
合することにより、高密度実装が可能である。バンプの
高さに差があると、基板に接合したときに接合不足や未
接合の不良が生じ、バンプの直径が大き過ぎると、隣り
合うバンプとショートする不良が生ずる。これらの不良
は、フリップチップを基板に実装した後に電気試験で検
出することができるが、実装前に外観検査で検出した方
が好ましい。
の反射光をセンサで受け、三角測量等の原理でバンプの
高さ、直径又は体積等のうち1つあるいは複数を計測
し、良否判定を行う外観検査装置が用いられている。
バンプが数千個配列されているので、チップ形成時間に
対するバンプ外観検査時間の割合が大きい。特に、図2
1(A)に示す如くウェーハ10上にチップ領域11が
多数形成され、チップに分割する前に各チップ領域11
上に、図19(B)に示す如くバンプ12を配列接合し
たものに対し、バンプ12の外観検査を行う場合には、
検査の高速化が要求される。
み、検査効率向上により検査を高速化することが可能な
バンプ外観検査方法及び装置を提供することにある。
にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量
を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ
外観検査方法において、(1)該検査対象物上のサンプ
ル領域につき該バンプの幾何学量を計測し、(2)ステ
ップ(1)で計測した値に基づいて該基板上のバンプの
幾何学量分布を推定し、(3)該幾何学量分布に基づい
て検査領域を決定し、(4)該検査領域について、該良
否判定を行うために該バンプの幾何学量を計測する。
ル領域のバンプの幾何学量を計測して、不良が含まれる
と推定される検査領域を限定し、この検査領域のみにつ
いてバンプの検査を行うので、効率の良い高速検査が可
能となるという効果を奏する。請求項2のバンプ外観検
査方法では、請求項1において、上記基板は、チップ領
域が配列された半導体ウェーハであり、上記幾何学量が
所定範囲外のバンプが存在するチップ領域を不良と判定
する。
象の面積が広いので特に効果的であり、ウェーハから切
り離された個々のフリップチップを検査する場合よりも
検査効率が向上するという効果を奏する。請求項3のバ
ンプ外観検査方法では、請求項1において、上記幾何学
量は、上記バンプの高さ、直径又は体積の1つを含む。
項1において例えば図11に示す如く、上記ステップ
(2)では、上記検査対象物上を複数の領域に分割し、
分割された各領域について上記幾何学量を推定する。こ
のバンプ外観検査方法によれば、この分割を行わない場
合よりも正確にバンプの幾何学量分布を推定することが
でき、検査の信頼性が向上するという効果を奏する。
項1において例えば図7に示す如く、上記ステップ
(2)では、上記計測した幾何学量の推定値を面上の点
の高さで表し、上記ステップ(3)では、該高さが設定
範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定す
る。
項4において例えば図18(A)に示す如く、上記ステ
ップ(2)では、上記計測した幾何学量の局所的平均及
び標準偏差を求め、求めたこれらの値から上記分割され
た複数の領域の各々について該幾何学量の局所的平均及
び標準偏差の分布を推定し、上記ステップ(3)では、
該分布に基づいて上記検査領域を決定する。
項4において例えば図18(B)に示す如く、上記ステ
ップ(2)では、上記計測した幾何学量の局所的最大値
及び最小値を求め、求めたこれらの値から上記分割され
た複数の領域の各々について該幾何学量の局所的最大値
及び最小値を推定し、上記ステップ(3)では、該分布
に基づいて上記検査領域を決定する。
項1において例えば図19に示す如く、上記ステップ
(1)で、計測した幾何学量に偏差値が所定値以上のも
のが含まれていた場合には含まれていない場合よりも、
上記ステップ(3)において検査密度を高くする。この
バンプ外観検査方法によれば、検査密度を一律に高くす
る場合よりも、検査の信頼性を高く維持しつつ検査効率
を高くすることができるという効果を奏する。
項1において例えば図1及び図5に示す如く、(5)上
記検査領域と検査結果とのデータを蓄積する工程をさら
に有し、上記ステップ(3)では、蓄積された該データ
に基づいて検査密度を定める。このバンプ外観検査方法
によれば、検査密度を一律に高くする場合よりも、検査
の信頼性を高く維持しつつ検査効率を高くすることがで
きるという効果を奏する。
求項9において例えば図9に示す如く、上記ステップ
(5)では、上記バンプの形成条件により上記データを
分類し、上記ステップ(3)では、該分類されたデータ
毎に、上記蓄積されたデータに基づいて上記検査密度を
定める。
求項10において、上記バンプの形成条件は、該バンプ
の表面に被着する鍍金の鍍金槽である。請求項12のバ
ンプ外観検査方法では、請求項8乃至11のいずれか1
つにおいて例えば図15に示す如く、上記ステップ
(3)では、上記決定された検査領域をその周辺部まで
拡大することにより、上記検査密度を高くする。
つ効果的に検査密度を高くすることができるという効果
を奏する。請求項13のバンプ外観検査方法では、請求
項8乃至11のいずれか1つにおいて例えば図16に示
す如く、上記ステップ(3)では、検査領域を一部含む
チップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密度
を高くする。
つ効果的に検査密度を高くすることができるという効果
を奏する。請求項14のバンプ外観検査方法では、請求
項8乃至11のいずれか1つにおいて、上記ステップ
(3)では、上記幾何学量が設定範囲内であるかどうか
に基づいて上記検査領域を決定し、該設定範囲を変える
ことにより上記検査密度を変える。
求項8乃至11のいずれか1つにおいて例えば図17に
示す如く、上記ステップ(3)で決定された検査領域を
除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上
記検査密度を高くする。請求項16のバンプ外観検査装
置では、例えば図1及び図5に示す如く、基板上にバン
プが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測
する計測装置と、該基板上でのバンプの配列データが格
納される記憶装置と、該データを参照し該計測装置に対
し該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何
学量を計測させ、その計測値に基づいて該基板上のバン
プの幾何学量分布を推定し、該幾何学量分布に基づいて
検査領域を決定し、該データを参照し該計測装置に対し
該検査領域について該バンプの幾何学量を計測させ、そ
の計測値に基づいて良否判定を行う処理装置とを有す
る。
施形態を説明する。 [第1実施形態]図1は、バンプ外観検査装置の概略構
成を示す。検査対象物としてのウェーハ10は、X−Y
−Zステージ20上にθステージ21を介して搭載され
ている。ウェーハ10には、図21(A)に示す如く多
数のチップ領域11が形成され、図19(B)に示すよ
うに各チップ領域11上にバンプ12が配列形成されて
いる。ウェーハ10の上方には、光走査装置30及び高
さ検出装置40が配置され、これらは使用時に固定され
ている。
された光ビームがAOD(音響光学偏向器)32で紙面
垂直方向に走査され、リレーレンズ33、34及び対物
レンズ35を通ってウェーハ10上で紙面垂直方向に走
査される。すなわち、図2に示す如く、AOD32でレ
ーザ光が方向CWに走査され、光路L1からL2へ、光
路L2からL3へと変化して、ウェーハ10上で光スポ
ットが図示X方向に走査される。
反射された光束が対物レンズ41及び結像レンズ42を
通ってPSD(光位置検出器)43の受光面に結像され
る。PSD43の一端及び他端から出力される電流I1
及びI2はそれぞれ、増幅器50及び51により電圧に
変換され且つ増幅される。増幅器50及び51の出力は
それぞれ、A/D変換器52及び53でデジタル値D1
及びD2に変換されて、高さ・明るさ演算回路54に供
給される。高さ・明るさ演算回路54は、ウェーハ10
上の光スポットの明るさB=(D1+D2)及び規格化
された高さH=(D1−D2)/(D1+D2)を演算
する。
に、光走査装置30によりウェーハ10上に形成される
光スポットの軌跡が例えば図3中のLになるように、処
理装置55はステージ駆動回路56を介してX−Y−Z
ステージ20を駆動する。処理装置55は、AOD駆動
回路57を介してAOD32を駆動する。AOD32を
駆動したときの光スポットの主走査方向は、副走査の軌
跡Lに垂直なX方向である。X−Y−Zステージ20の
位置及びAOD駆動回路57の出力信号に含まれる光走
査位置情報がそれぞれ、ステージ駆動回路56及びAO
D駆動回路57からアドレス計算回路58へ供給され
る。アドレス計算回路58はこれらの値に基づき高さH
の格納アドレスを算出して、メモリ59をアドレス指定
する。このアドレスに、高さ・明るさ演算回路54から
の高さHが書き込まれる。
4からの明るさBが所定値になるようにレーザ31の光
出力を制御し、高さ検出装置40への入射光の強度が低
くて明るさBを該所定値にすることができない時には、
メモリ59をディセイブル状態にする。メモリ59は、
例えば記憶領域MAとMBとに分けられ、両領域の一方
へ高さHがDMA転送され、これと並列して両領域の他
方のデータが処理装置55で処理され、該一方と該他方
とが交互に切り換えられる。
1及び検査情報ファイル62が格納されている。バンプ
情報ファイル61は、CADデータから抽出されたバン
プ配列の情報と、バンプの材料やバンプに鍍金を被着す
る時に使用される鍍金槽の番号などのバンプ形成条件と
を含んでいる。処理装置55は、バンプ情報ファイル6
1からバンプ配列情報を読み込み、これに基づいてステ
ージ駆動回路56及びAOD駆動回路57を駆動する。
の入力装置と、表示装置とからなるコンソール63が接
続されている。図4(A)において、ウェーハ10の表
面に形成されたパッド131〜134上にそれぞれバン
プ121〜124が接合されている。AOD32でバン
プ121〜124上に光が走査されて高さHがメモリ5
9に格納されると、図4(B)に示すような高さHの分
布がメモリ59内に得られる。121T〜124Tはそ
れぞれバンプ121〜124の頂部の高さを示してい
る。この光走査の前に、ウェーハ10の基材表面に形成
された3箇所以上の不図示のマーク、パッド又は配線の
高さが上記同様にして測定され、基材表面Sが図4
(C)に示す如く決定される。基材表面Sからの頂部1
21T〜124Tの高さh1〜h4が処理装置55で求
められる。
る検査手順を説明する。以下、括弧内は図中のステップ
識別符号である。 (S1)コンソール63の表示装置に、多数のチップ領
域11が形成された図6に示すような検査対象のウェー
ハ10を表示させる。操作者は、コンソール63の入力
装置を操作してこのウェーハ10上に、サンプル領域を
設定する。図6中には、ハッチングが施された帯状のク
ロスしているサンプル領域SA及びSBが示されてい
る。
が搬送されてθステージ21上に搭載されたことを検出
すると、ステップS3へ進む。 (S3)設定されたサンプル領域内をX−Y−Zステー
ジ20及びAOD32で走査しながら、上述のようにバ
ンプの高さを測定する。 (S4)測定結果から、ウェーハ10上のすべてのバン
プの高さ分布を推定する。
例えばチップ領域毎に、バンプ高さの平均値HMを求
め、これを図7に示す如く、最小二乗法で決定した直線
LAで近似する。図7中の×印は、この平均値を示し、
○は、高さがこの平均値のバンプを示している。図6の
サンプル領域SBについても同様に近似直線を求め、両
直線を通る平面PLでウェーハ10上のバンプ高さ分布
を推定する。
が、予め定められた上限値UL1より高い部分及び予め
定められた下限値LL1より低い部分の領域を、検査領
域と決定する。これら検査領域は、例えば図8に示す点
線で仕切られた領域となる。上限値UL1及び下限値L
L1は例えば、ウェーハ全面検査での不良検出率と、上
限値UL1及び下限値LL1を設定して得られた検査領
域での不良検出率との比がほぼ1になり、かつ、検査領
域ができるだけ狭くなるように決定される。
さを測定し、チップ領域内に所定範囲外の高さHのバン
プが1つでも見つかれば、そのチップ領域が不良である
と判定する。 (S7)サンプル領域、検査領域及び検査結果を検査情
報として検査情報ファイル62に保存する。
され、検査の信頼性を高めると共に検査効率を高めるた
めに、統計解析を行う。例えば、バンプ12の表面に鍍
金が被着されている場合にはその鍍金の鍍金槽番号も検
査情報ファイル62に保存する。そして、この番号毎に
図9に示す如く、検査領域のチップ数に対する不良チッ
プ数の割合である不良率の平均値を求める。
いて、バンプ情報ファイル61から情報を読み込み、検
査情報ファイル62に蓄積された情報を参照して、検査
密度を更新すべきかどうかを判定する。ここに検査密度
とは、ウェーハ10上の全チップ領域に対する検査領域
の割合又は局所的なバンプ領域に対する検査領域の割合
である。
R0以上であれば、更新要と判定する。また、検査領域
の境界線上のチップ数に対する不良チップ数が設定値以
上であれば、更新要と判定する。 (S9)更新要と判定した場合にはステップS10へ進
み、更新不要と判定した場合にはステップS11へ進
む。
るように、検査密度を更新する。例えば図9において、
平均不良率が設定値R0以上であれば、図7の上限値U
L1と下限値LL1との間を狭くすることにより、検査
密度を高くする。 (S11)ウェーハ10上からウェーハが排出されるの
を待って、ステップS2へ進む。
と推定される領域を検査領域と決定し、検査領域のみに
ついてバンプ高さを測定し良否判定するので、効率の良
い高速検査が可能となる。また、検査情報ファイル62
に蓄積された情報を活用することにより、より適正な検
査領域を決定することができ、検査の信頼性が確保され
る。
は、図10において、サンプル領域SAを領域A1とA
2とA3とに分割し、その各々について図11に示す如
く、バンプ高さを直線LA1、LA2及びLA3で近似
する。サンプル領域SBについても同様に領域B1とB
2とB3とに分割し、その各々についてバンプ高さを直
線で近似する。そして、図10中の点線で区切られた各
領域のバンプ高さを、これらの直線が通る平面で近似す
る。
る。本第2実施形態によれば、第1実施形態の場合より
も正確にバンプ高さ分布を推定することができ、検査の
信頼性が向上する。 [第3実施形態]図12は、本発明の第3実施形態のサ
ンプル領域SCの取り方を示している。
領域にサンプル領域SCが設定され、サンプル領域SC
に基づいてこれを含む分割領域の高さが推定される。他
の点は、上記第1実施形態と同一である。 [第4実施形態]図13は、本発明の第4実施形態のサ
ンプル領域の取り方を示している。
D1と、その周りのリング状のサンプル領域SD2とが
設定される。図14に示す如く、各局所領域、例えばチ
ップ領域毎のバンプ平均高さHMを通る曲線又は折れ線
LCで、サンプル領域SD2内のバンプ高さが近似され
る。サンプル領域SD1でのバンプ平均高さの点を中心
とし、この点と近似線LC上の点とを通る直線を、両点
を通るように回転させて得られる面で、ウェーハ10上
のバンプ高さが推定される。図13中の点線は、この直
線の一部を示している。
る。 [第5実施形態]本発明の第5実施形態では、図15に
示す如く、図5のステップS5で決定された検査領域の
境界線が図15に示す点線であった場合にこのステップ
S5においてさらに、検査領域をその周辺部まで拡大し
て、一点鎖線を境界線とする。
密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第1実施形態と同一である。 [第6実施形態]本発明の第6実施形態では、図5のス
テップS5で決定された検査領域の境界線が図16に示
す点線であった場合にこのステップS5においてさら
に、点線で示す検査領域の境界線が含まれるチップ領域
まで、検査領域を拡大する。
密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第1実施形態と同一である。 [第7実施形態]本発明の第7実施形態では、図5のス
テップS5で決定された検査領域の境界線が図17に示
す点線であった場合にこのステップS5においてさら
に、図15と同様に検査領域を拡大してこの境界線を一
点鎖線までずらし、次に図16の場合と同様に、この一
点鎖線が含まれるチップ領域まで検査領域を拡大してい
る。さらに、非検査領域についてもハッチングを施した
チップ領域で抜き取り検査を行うことにより、検査の信
頼性を向上させている。
密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
また、上記のように拡大された検査領域では、例えばバ
ンプ12の1ライン毎にバンプ高さを測定して、すなわ
ち局所的検査密度を小さくして、他の検査領域よりも検
査を高速化してもよい。さらに、拡大前の検査領域につ
いても、例えば図7において近似平面PLの(UL1+
LL1)/2からのずれが大きいほど局所的検査密度が
高くなるようにしてもよい。
る。 [第8実施形態]本発明の第8実施形態では、図18
(A)に示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例え
ば各チップ領域について、平均高さHMと標準偏差σと
を求め、(HM+σ)と(HM−σ)の近似面を図10
に示す各分割領域について求め、(HM+σ)又は(H
M−σ)の面がそれぞれ予め設定された上限値UL2以
上又は下限値LL2以下であれば検査領域と決定する。
り、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域
について、バンプ高さの最大値HMmaxと最小値HMmin
とを求め、上記同様にしてHMmaxの近似面及びHMmin
の近似面を求め、これらがそれぞれ予め設定された上限
値UL3以上又は下限値LL3以下であれば検査領域と
決定する。
る。 [第9実施形態]本発明の第9実施形態では、図19に
示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チッ
プ領域でのバンプ高さの平均値HMの近似直線LDから
のずれΔHMが所定値以上である場合に、図5のステッ
プS5において、例えば上記のように検査領域を拡大
し、又は、上限値UL1と下限値LL1との間を狭める
ことにより、そうでない場合よりも検査密度を高くし
て、検査の信頼性を向上させる。
る。 [第10実施形態]一般に、バンプ12の高さと直径と
の間には正の相関関係があるので、バンプの高さを測定
する替わりにバンプの直径を測定し、この直径を上記高
さの替わりに用いることにより、上記同様の処理を行っ
てもよい。
の付近に対し、レーザビームを、AOD32で紙面垂直
方向へ主走査しながらX−Y−Zステージ20で左右方
向に副走査し、この際、明るさBを2値化し、これをメ
モリ59に書き込むことにより、図20(B)に示すよ
うな明暗像が得られる。バンプ直径2rは、この像から
計測される。
まれる。例えば、バンプの高さと直径との両方を測定
し、直径の平方と高さとの積に比例した値をバンプ12
の体積と近似し、この体積を上記高さの替わりに用いる
ことにより、上記同様の処理を行ってもよい。また、バ
ンプの高さ又は直径の3乗に比例した値を、バンプ12
の体積と近似してもよい。
れたウェーハに限定されず、ウェーハから切り離された
個々のフリップチップであってもよい。ライン
略構成を示す図である。
Dによる主走査の方向とを示す図である。
ある。
である。
説明図である。
である。
割と高さ推定領域の分割とを示す図である。
である。
割された高さ推定領域を示す図である。
さ推定面の説明図である。
プ高さ近似曲線を示す図である。
である。
である。
である。
定説明図であり、(B)はその変形例を示す図である。
ける高さ異常値を示す図である。
明図であり、(A)はバンプに対する光走査説明図、
(B)は(A)の場合の反射光明るさ分布を2値化した
図である。
平面図であり、(B)はチップ領域上のバンプ配列図で
ある。
Claims (16)
- 【請求項1】 基板上にバンプが配列された検査対象物
の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて
良否判定を行うバンプ外観検査方法において、 該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学
量を計測し、 ステップで計測した値に基づいて該基板上のバンプの幾
何学量分布を推定し、 該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、 該検査領域について、該良否判定を行うために該バンプ
の幾何学量を計測する、 ことを特徴とするバンプ外観検査方法。 - 【請求項2】 上記基板は、チップ領域が配列された半
導体ウェーハであり、 上記幾何学量が所定範囲外のバンプが存在するチップ領
域を不良と判定する、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項3】 上記幾何学量は、上記バンプの高さ、直
径又は体積の1つを含むことを特徴とする請求項1記載
のバンプ外観検査方法。 - 【請求項4】 上記ステップでは、上記検査対象物上を
複数の領域に分割し、分割された各領域について上記幾
何学量を推定する、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項5】 上記ステップでは、上記計測した幾何学
量の推定値を面上の点の高さで表し、 上記ステップでは、該高さが設定範囲内であるかどうか
に基づいて上記検査領域を決定する、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項6】 上記ステップでは、上記計測した幾何学
量の局所的平均及び標準偏差を求め、求めたこれらの値
から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学
量の局所的平均及び標準偏差の分布を推定し、 上記ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決
定する、 ことを特徴とする請求項4記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項7】 上記ステップでは、上記計測した幾何学
量の局所的最大値及び最小値を求め、求めたこれらの値
から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学
量の局所的最大値及び最小値を推定し、 上記ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決
定する、 ことを特徴とする請求項4記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項8】 上記ステップで、計測した幾何学量に偏
差値が所定値以上のものが含まれていた場合には含まれ
ていない場合よりも、上記ステップにおいて検査密度を
高くする、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項9】 上記検査領域と検査結果とのデータを蓄
積する工程をさらに有し、 上記ステップでは、蓄積された該データに基づいて検査
密度を定める、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項10】 上記ステップでは、上記バンプの形成
条件により上記データを分類し、 上記ステップでは、該分類されたデータ毎に、上記蓄積
されたデータに基づいて上記検査密度を定める、 ことを特徴とする請求項9記載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項11】 上記バンプの形成条件は、該バンプの
表面に被着する鍍金の鍍金槽である、 ことを特徴とする請求項10記載のバンプ外観検査方
法。 - 【請求項12】 上記ステップでは、上記決定された検
査領域をその周辺部まで拡大することにより、上記検査
密度を高くする、 ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記
載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項13】 上記ステップでは、検査領域を一部含
むチップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密
度を高くする、 ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記
載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項14】 上記ステップでは、上記幾何学量が設
定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定
し、該設定範囲を変えることにより上記検査密度を変え
る、 ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記
載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項15】 上記ステップで決定された検査領域を
除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上
記検査密度を高くする、 ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記
載のバンプ外観検査方法。 - 【請求項16】 基板上にバンプが配列された検査対象
物の該バンプの幾何学量を計測する計測装置と、 該基板上でのバンプの配列データが格納される記憶装置
と、 該データを参照し該計測装置に対し該検査対象物上のサ
ンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測させ、その
計測値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推
定し、該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、該
データを参照し該計測装置に対し該検査領域について該
バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて良
否判定を行う処理装置と、 を有することを特徴とするバンプ外観検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13195598A JP3872894B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | バンプ外観検査方法及び装置 |
US09/310,089 US6104493A (en) | 1998-05-14 | 1999-05-12 | Method and apparatus for visual inspection of bump array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003109985A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウェーハバンプ検査方法及びウェーハバンプ検査装置 |
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-
1998
- 1998-05-14 JP JP13195598A patent/JP3872894B2/ja not_active Expired - Lifetime
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