JP3872894B2 - バンプ外観検査方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ外観検査方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIチップの表面にバンプを配列接合したフリップチップでは、そのバンプ頂部を基板上に接合することにより、高密度実装が可能である。バンプの高さに差があると、基板に接合したときに接合不足や未接合の不良が生じ、バンプの直径が大き過ぎると、隣り合うバンプとショートする不良が生ずる。これらの不良は、フリップチップを基板に実装した後に電気試験で検出することができるが、実装前に外観検査で検出した方が好ましい。
【0003】
そこで、検査対象にレーザ光を照射し、その反射光をセンサで受け、三角測量等の原理でバンプの高さ、直径又は体積等のうち1つあるいは複数を計測し、良否判定を行う外観検査装置が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、チップ上にはバンプが数千個配列されているので、チップ形成時間に対するバンプ外観検査時間の割合が大きい。特に、図21(A)に示す如くウェーハ10上にチップ領域11が多数形成され、チップに分割する前に各チップ領域11上に、図19(B)に示す如くバンプ12を配列接合したものに対し、バンプ12の外観検査を行う場合には、検査の高速化が要求される。
【0005】
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、検査効率向上により検査を高速化することが可能なバンプ外観検査方法及び装置を提供することにある。
【0006】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、
(1)該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測し、
(2)ステップ(1)で計測した値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、
(3)該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、
(4)該検査領域について、該良否判定を行うために該バンプの幾何学量を計測する、
ステップを有する。
【0007】
このバンプ外観検査方法によれば、サンプル領域のバンプの幾何学量を計測して、不良が含まれると推定される検査領域を限定し、この検査領域のみについてバンプの検査を行うので、効率の良い高速検査が可能となるという効果を奏する。
請求項2のバンプ外観検査方法では、請求項1において、
上記基板は、チップ領域が配列された半導体ウェーハであり、
上記幾何学量が所定範囲外のバンプが存在するチップ領域を不良と判定する。
【0008】
このバンプ外観検査方法によれば、検査対象の面積が広いので特に効果的であり、ウェーハから切り離された個々のフリップチップを検査する場合よりも検査効率が向上するという効果を奏する。
請求項3のバンプ外観検査方法では、請求項1において、上記幾何学量は、上記バンプの高さ、直径又は体積の1つを含む。
【0009】
請求項4のバンプ外観検査方法では、請求項1において例えば図11に示す如く、上記ステップ(2)では、上記検査対象物上を複数の領域に分割し、分割された各領域について上記幾何学量を推定する。
このバンプ外観検査方法によれば、この分割を行わない場合よりも正確にバンプの幾何学量分布を推定することができ、検査の信頼性が向上するという効果を奏する。
【0010】
請求項5のバンプ外観検査方法では、請求項1において例えば図7に示す如く、上記ステップ(2)では、上記計測した幾何学量の推定値を面上の点の高さで表し、
上記ステップ(3)では、該高さが設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定する。
【0011】
請求項6のバンプ外観検査方法では、請求項4において例えば図18(A)に示す如く、上記ステップ(2)では、上記計測した幾何学量の局所的平均及び標準偏差を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的平均及び標準偏差の分布を推定し、
上記ステップ(3)では、該分布に基づいて上記検査領域を決定する。
【0012】
請求項7のバンプ外観検査方法では、請求項4において例えば図18(B)に示す如く、上記ステップ(2)では、上記計測した幾何学量の局所的最大値及び最小値を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的最大値及び最小値を推定し、
上記ステップ(3)では、該分布に基づいて上記検査領域を決定する。
【0013】
請求項8のバンプ外観検査方法では、請求項1において例えば図19に示す如く、上記ステップ(1)で、計測した幾何学量に局所的平均値からのずれが所定値以上のものが含まれていた場合には含まれていない場合よりも、上記ステップ(3)において検査密度を高くする。
このバンプ外観検査方法によれば、検査密度を一律に高くする場合よりも、検査の信頼性を高く維持しつつ検査効率を高くすることができるという効果を奏する。
【0014】
請求項9のバンプ外観検査方法では、請求項1において例えば図1及び図5に示す如く、
(5)上記検査領域と検査結果とのデータを蓄積するステップをさらに有し、
上記ステップ(3)では、蓄積された該データに基づいて検査密度を定める。
このバンプ外観検査方法によれば、検査密度を一律に高くする場合よりも、検査の信頼性を高く維持しつつ検査効率を高くすることができるという効果を奏する。
【0015】
請求項10のバンプ外観検査方法では、請求項9において例えば図9に示す如く、上記ステップ(5)では、上記バンプの形成条件により上記データを分類し、
上記ステップ(3)では、該分類されたデータ毎に、上記蓄積されたデータに基づいて上記検査密度を定める。
【0016】
請求項11のバンプ外観検査方法では、請求項10において、上記バンプの形成条件は、該バンプの表面に被着する鍍金の鍍金槽である。
請求項12のバンプ外観検査方法では、請求項8乃至11のいずれか1つにおいて例えば図15に示す如く、上記ステップ(3)では、上記決定された検査領域をその周辺部まで拡大することにより、上記検査密度を高くする。
【0017】
このバンプ外観検査方法によれば、容易かつ効果的に検査密度を高くすることができるという効果を奏する。
請求項13のバンプ外観検査方法では、請求項8乃至11のいずれか1つにおいて例えば図16に示す如く、上記ステップ(3)では、検査領域を一部含むチップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密度を高くする。
【0018】
このバンプ外観検査方法によれば、容易かつ効果的に検査密度を高くすることができるという効果を奏する。
請求項14のバンプ外観検査方法では、請求項8乃至11のいずれか1つにおいて、上記ステップ(3)では、上記幾何学量が設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定し、該設定範囲を変えることにより上記検査密度を変える。
【0019】
請求項15のバンプ外観検査方法では、請求項8乃至11のいずれか1つにおいて例えば図17に示す如く、上記ステップ(3)で決定された検査領域を除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上記検査密度を高くする。
請求項16のバンプ外観検査装置では、例えば図1及び図5に示す如く、基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測する計測装置と、
該基板上でのバンプの配列データが格納される記憶装置と、
該データを参照し該計測装置に対し該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、該データを参照し該計測装置に対し該検査領域について該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて良否判定を行う処理装置とを有する。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
[第1実施形態]
図1は、バンプ外観検査装置の概略構成を示す。
検査対象物としてのウェーハ10は、X−Y−Zステージ20上にθステージ21を介して搭載されている。ウェーハ10には、図21(A)に示す如く多数のチップ領域11が形成され、図19(B)に示すように各チップ領域11上にバンプ12が配列形成されている。ウェーハ10の上方には、光走査装置30及び高さ検出装置40が配置され、これらは使用時に固定されている。
【0021】
光走査装置30では、レーザ31から放射された光ビームがAOD(音響光学偏向器)32で紙面垂直方向に走査され、リレーレンズ33、34及び対物レンズ35を通ってウェーハ10上で紙面垂直方向に走査される。すなわち、図2に示す如く、AOD32でレーザ光が方向CWに走査され、光路L1からL2へ、光路L2からL3へと変化して、ウェーハ10上で光スポットが図示X方向に走査される。
【0022】
高さ検出装置40では、ウェーハ10上で反射された光束が対物レンズ41及び結像レンズ42を通ってPSD(光位置検出器)43の受光面に結像される。PSD43の一端及び他端から出力される電流I1及びI2はそれぞれ、増幅器50及び51により電圧に変換され且つ増幅される。増幅器50及び51の出力はそれぞれ、A/D変換器52及び53でデジタル値D1及びD2に変換されて、高さ・明るさ演算回路54に供給される。高さ・明るさ演算回路54は、ウェーハ10上の光スポットの明るさB=(D1+D2)及び規格化された高さH=(D1−D2)/(D1+D2)を演算する。
【0023】
ここで、AOD32が非動作状態のときに、光走査装置30によりウェーハ10上に形成される光スポットの軌跡が例えば図3中のLになるように、処理装置55はステージ駆動回路56を介してX−Y−Zステージ20を駆動する。処理装置55は、AOD駆動回路57を介してAOD32を駆動する。AOD32を駆動したときの光スポットの主走査方向は、副走査の軌跡Lに垂直なX方向である。X−Y−Zステージ20の位置及びAOD駆動回路57の出力信号に含まれる光走査位置情報がそれぞれ、ステージ駆動回路56及びAOD駆動回路57からアドレス計算回路58へ供給される。アドレス計算回路58はこれらの値に基づき高さHの格納アドレスを算出して、メモリ59をアドレス指定する。このアドレスに、高さ・明るさ演算回路54からの高さHが書き込まれる。
【0024】
処理装置55は、高さ・明るさ演算回路54からの明るさBが所定値になるようにレーザ31の光出力を制御し、高さ検出装置40への入射光の強度が低くて明るさBを該所定値にすることができない時には、メモリ59をディセイブル状態にする。
メモリ59は、例えば記憶領域MAとMBとに分けられ、両領域の一方へ高さHがDMA転送され、これと並列して両領域の他方のデータが処理装置55で処理され、該一方と該他方とが交互に切り換えられる。
【0025】
記憶装置60には、バンプ情報ファイル61及び検査情報ファイル62が格納されている。バンプ情報ファイル61は、CADデータから抽出されたバンプ配列の情報と、バンプの材料やバンプに鍍金を被着する時に使用される鍍金槽の番号などのバンプ形成条件とを含んでいる。処理装置55は、バンプ情報ファイル61からバンプ配列情報を読み込み、これに基づいてステージ駆動回路56及びAOD駆動回路57を駆動する。
【0026】
処理装置55には、キーボードやマウス等の入力装置と、表示装置とからなるコンソール63が接続されている。
図4(A)において、ウェーハ10の表面に形成されたパッド131〜134上にそれぞれバンプ121〜124が接合されている。AOD32でバンプ121〜124上に光が走査されて高さHがメモリ59に格納されると、図4(B)に示すような高さHの分布がメモリ59内に得られる。121T〜124Tはそれぞれバンプ121〜124の頂部の高さを示している。この光走査の前に、ウェーハ10の基材表面に形成された3箇所以上の不図示のマーク、パッド又は配線の高さが上記同様にして測定され、基材表面Sが図4(C)に示す如く決定される。基材表面Sからの頂部121T〜124Tの高さh1〜h4が処理装置55で求められる。
【0027】
次に、図5を参照して、処理装置55による検査手順を説明する。以下、括弧内は図中のステップ識別符号である。
(S1)コンソール63の表示装置に、多数のチップ領域11が形成された図6に示すような検査対象のウェーハ10を表示させる。操作者は、コンソール63の入力装置を操作してこのウェーハ10上に、サンプル領域を設定する。図6中には、ハッチングが施された帯状のクロスしているサンプル領域SA及びSBが示されている。
【0028】
(S2)不図示の搬送装置でウェーハ10が搬送されてθステージ21上に搭載されたことを検出すると、ステップS3へ進む。
(S3)設定されたサンプル領域内をX−Y−Zステージ20及びAOD32で走査しながら、上述のようにバンプの高さを測定する。
(S4)測定結果から、ウェーハ10上のすべてのバンプの高さ分布を推定する。
【0029】
すなわち、サンプル領域内の各局所領域、例えばチップ領域毎に、バンプ高さの平均値HMを求め、これを図7に示す如く、最小二乗法で決定した直線LAで近似する。図7中の×印は、この平均値を示し、○は、高さがこの平均値のバンプを示している。図6のサンプル領域SBについても同様に近似直線を求め、両直線を通る平面PLでウェーハ10上のバンプ高さ分布を推定する。
【0030】
(S5)図7に示す如く、近似平面PLが、予め定められた上限値UL1より高い部分及び予め定められた下限値LL1より低い部分の領域を、検査領域と決定する。これら検査領域は、例えば図8に示す点線で仕切られた領域となる。
上限値UL1及び下限値LL1は例えば、ウェーハ全面検査での不良検出率と、上限値UL1及び下限値LL1を設定して得られた検査領域での不良検出率との比がほぼ1になり、かつ、検査領域ができるだけ狭くなるように決定される。
【0031】
(S6)検査領域のみを走査してバンプ高さを測定し、チップ領域内に所定範囲外の高さHのバンプが1つでも見つかれば、そのチップ領域が不良であると判定する。
(S7)サンプル領域、検査領域及び検査結果を検査情報として検査情報ファイル62に保存する。
【0032】
検査情報ファイル62には検査情報が蓄積され、検査の信頼性を高めると共に検査効率を高めるために、統計解析を行う。例えば、バンプ12の表面に鍍金が被着されている場合にはその鍍金の鍍金槽番号も検査情報ファイル62に保存する。そして、この番号毎に図9に示す如く、検査領域のチップ数に対する不良チップ数の割合である不良率の平均値を求める。
【0033】
(S8)次の検査対象のウェーハ10について、バンプ情報ファイル61から情報を読み込み、検査情報ファイル62に蓄積された情報を参照して、検査密度を更新すべきかどうかを判定する。ここに検査密度とは、ウェーハ10上の全チップ領域に対する検査領域の割合又は局所的なバンプ領域に対する検査領域の割合である。
【0034】
例えば図9において、平均不良率が設定値R0以上であれば、更新要と判定する。また、検査領域の境界線上のチップ数に対する不良チップ数が設定値以上であれば、更新要と判定する。
(S9)更新要と判定した場合にはステップS10へ進み、更新不要と判定した場合にはステップS11へ進む。
【0035】
(S10)検査領域の決定がより適正になるように、検査密度を更新する。例えば図9において、平均不良率が設定値R0以上であれば、図7の上限値UL1と下限値LL1との間を狭くすることにより、検査密度を高くする。
(S11)ウェーハ10上からウェーハが排出されるのを待って、ステップS2へ進む。
【0036】
本第1実施形態によれば、不良が含まれると推定される領域を検査領域と決定し、検査領域のみについてバンプ高さを測定し良否判定するので、効率の良い高速検査が可能となる。また、検査情報ファイル62に蓄積された情報を活用することにより、より適正な検査領域を決定することができ、検査の信頼性が確保される。
【0037】
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態では、図10において、サンプル領域SAを領域A1とA2とA3とに分割し、その各々について図11に示す如く、バンプ高さを直線LA1、LA2及びLA3で近似する。サンプル領域SBについても同様に領域B1とB2とB3とに分割し、その各々についてバンプ高さを直線で近似する。そして、図10中の点線で区切られた各領域のバンプ高さを、これらの直線が通る平面で近似する。
【0038】
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
本第2実施形態によれば、第1実施形態の場合よりも正確にバンプ高さ分布を推定することができ、検査の信頼性が向上する。
[第3実施形態]
図12は、本発明の第3実施形態のサンプル領域SCの取り方を示している。
【0039】
ウェーハ10上が点線で分割され、その各領域にサンプル領域SCが設定され、サンプル領域SCに基づいてこれを含む分割領域の高さが推定される。
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第4実施形態]
図13は、本発明の第4実施形態のサンプル領域の取り方を示している。
【0040】
ウェーハ10上の中央部のサンプル領域SD1と、その周りのリング状のサンプル領域SD2とが設定される。図14に示す如く、各局所領域、例えばチップ領域毎のバンプ平均高さHMを通る曲線又は折れ線LCで、サンプル領域SD2内のバンプ高さが近似される。サンプル領域SD1でのバンプ平均高さの点を中心とし、この点と近似線LC上の点とを通る直線を、両点を通るように回転させて得られる面で、ウェーハ10上のバンプ高さが推定される。図13中の点線は、この直線の一部を示している。
【0041】
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態では、図15に示す如く、図5のステップS5で決定された検査領域の境界線が図15に示す点線であった場合にこのステップS5においてさらに、検査領域をその周辺部まで拡大して、一点鎖線を境界線とする。
【0042】
この拡大は、図5のステップS9で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第6実施形態]
本発明の第6実施形態では、図5のステップS5で決定された検査領域の境界線が図16に示す点線であった場合にこのステップS5においてさらに、点線で示す検査領域の境界線が含まれるチップ領域まで、検査領域を拡大する。
【0043】
この拡大は、図5のステップS9で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第7実施形態]
本発明の第7実施形態では、図5のステップS5で決定された検査領域の境界線が図17に示す点線であった場合にこのステップS5においてさらに、図15と同様に検査領域を拡大してこの境界線を一点鎖線までずらし、次に図16の場合と同様に、この一点鎖線が含まれるチップ領域まで検査領域を拡大している。さらに、非検査領域についてもハッチングを施したチップ領域で抜き取り検査を行うことにより、検査の信頼性を向上させている。
【0044】
この拡大は、図5のステップS9で、検査密度更新要と判定されたときに行うようにしてもよい。また、上記のように拡大された検査領域では、例えばバンプ12の1ライン毎にバンプ高さを測定して、すなわち局所的検査密度を小さくして、他の検査領域よりも検査を高速化してもよい。さらに、拡大前の検査領域についても、例えば図7において近似平面PLの(UL1+LL1)/2からのずれが大きいほど局所的検査密度が高くなるようにしてもよい。
【0045】
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第8実施形態]
本発明の第8実施形態では、図18(A)に示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域について、平均高さHMと標準偏差σとを求め、(HM+σ)と(HM−σ)の近似面を図10に示す各分割領域について求め、(HM+σ)又は(HM−σ)の面がそれぞれ予め設定された上限値UL2以上又は下限値LL2以下であれば検査領域と決定する。
【0046】
図18(B)は図18(A)の変形例であり、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域について、バンプ高さの最大値HMmaxと最小値HMminとを求め、上記同様にしてHMmaxの近似面及びHMminの近似面を求め、これらがそれぞれ予め設定された上限値UL3以上又は下限値LL3以下であれば検査領域と決定する。
【0047】
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第9実施形態]
本発明の第9実施形態では、図19に示す如く、サンプル領域内の各局所領域、例えば各チップ領域でのバンプ高さの平均値HMの近似直線LDからのずれΔHMが所定値以上である場合に、図5のステップS5において、例えば上記のように検査領域を拡大し、又は、上限値UL1と下限値LL1との間を狭めることにより、そうでない場合よりも検査密度を高くして、検査の信頼性を向上させる。
【0048】
他の点は、上記第1実施形態と同一である。
[第10実施形態]
一般に、バンプ12の高さと直径との間には正の相関関係があるので、バンプの高さを測定する替わりにバンプの直径を測定し、この直径を上記高さの替わりに用いることにより、上記同様の処理を行ってもよい。
【0049】
図20(A)に示す如くバンプ12及びその付近に対し、レーザビームを、AOD32で紙面垂直方向へ主走査しながらX−Y−Zステージ20で左右方向に副走査し、この際、明るさBを2値化し、これをメモリ59に書き込むことにより、図20(B)に示すような明暗像が得られる。バンプ直径2rは、この像から計測される。
【0050】
なお、本発明には外にも種々の変形例が含まれる。
例えば、バンプの高さと直径との両方を測定し、直径の平方と高さとの積に比例した値をバンプ12の体積と近似し、この体積を上記高さの替わりに用いることにより、上記同様の処理を行ってもよい。また、バンプの高さ又は直径の3乗に比例した値を、バンプ12の体積と近似してもよい。
【0051】
検査対象は、フリップチップ領域が形成されたウェーハに限定されず、ウェーハから切り離された個々のフリップチップであってもよい。
ライン
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態のバンプ外観検査装置概略構成を示す図である。
【図2】図1中の光走査装置の光路説明図である。
【図3】X−Y−Zステージによる副走査の軌跡とAODによる主走査の方向とを示す図である。
【図4】(A)〜(C)はバンプ高さ測定方法説明図である。
【図5】バンプ外観検査手順を示す概略フローチャートである。
【図6】ウェーハ上のサンプル領域を示す図である。
【図7】バンプ高さの近似直線及び検査領域判定方法の説明図である。
【図8】ウェーハ上の検査領域を示す図である。
【図9】鍍金槽毎の検査領域での不良率を示す棒グラフである。
【図10】本発明の第2実施形態の、サンプル領域の分割と高さ推定領域の分割とを示す図である。
【図11】本発明の第2実施形態の、図7に対応した図である。
【図12】本発明の第3実施形態のサンプル領域及び分割された高さ推定領域を示す図である。
【図13】本発明の第4実施形態のサンプル領域及び高さ推定面の説明図である。
【図14】図13のリング状サンプル領域におけるバンプ高さ近似曲線を示す図である。
【図15】本発明の第5実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図16】本発明の第6実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図17】本発明の第7実施形態の検査領域拡大説明図である。
【図18】(A)は本発明の第8実施形態の検査領域決定説明図であり、(B)はその変形例を示す図である。
【図19】本発明の第9実施形態の、サンプル領域における高さ異常値を示す図である。
【図20】本発明の第9実施形態の反射光明るさ分布説明図であり、(A)はバンプに対する光走査説明図、(B)は(A)の場合の反射光明るさ分布を2値化した図である。
【図21】(A)はチップ領域が形成されたウェーハの平面図であり、(B)はチップ領域上のバンプ配列図である。
【符号の説明】
10 ウェーハ
11 チップ領域
12、121〜124 バンプ
20 X−Y−Zステージ
30 光走査装置
31 レーザ
32 AOD
40 高さ検出装置
43 PSD
54 高さ・明るさ演算回路
55 処理装置
59 メモリ
61 バンプ情報ファイル
62 検査情報ファイル
Claims (16)
- 基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、
該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測する第1ステップと、
該第1ステップで計測した値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定する第2ステップと、
該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定する第3ステップと、
該検査領域について、該良否判定を行うために該バンプの幾何学量を計測する第4ステップと、
を有することを特徴とするバンプ外観検査方法。 - 上記基板は、チップ領域が配列された半導体ウェーハであり、
上記幾何学量が所定範囲外のバンプが存在するチップ領域を不良と判定する、
ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 上記幾何学量は、上記バンプの高さ、直径又は体積の1つを含むことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。
- 上記第2ステップでは、上記検査対象物上を複数の領域に分割し、分割された各領域について上記幾何学量を推定する、
ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第2ステップでは、上記計測した幾何学量の推定値を面上の点の高さで表し、
上記第3ステップでは、該高さが設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第2ステップでは、上記計測した幾何学量の局所的平均及び標準偏差を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的平均及び標準偏差の分布を推定し、
上記第3ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項4記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第2ステップでは、上記計測した幾何学量の局所的最大値及び最小値を求め、求めたこれらの値から上記分割された複数の領域の各々について該幾何学量の局所的最大値及び最小値を推定し、
上記第3ステップでは、該分布に基づいて上記検査領域を決定する、
ことを特徴とする請求項4記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第1ステップで、計測した幾何学量に局所的平均値からのずれが所定値以上のものが含まれていた場合には含まれていない場合よりも、上記第3ステップにおいて検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 上記検査領域と検査結果とのデータを蓄積する第5ステップをさらに有し、
上記第3ステップでは、蓄積された該データに基づいて検査密度を定める、
ことを特徴とする請求項1記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第5ステップでは、上記バンプの形成条件により上記データを分類し、
上記第3ステップでは、該分類されたデータ毎に、上記蓄積されたデータに基づいて上記検査密度を定める、
ことを特徴とする請求項9記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第5ステップにおける上記バンプの形成条件は、該バンプの表面に被着する鍍金の鍍金槽である、
ことを特徴とする請求項10記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第3ステップでは、上記決定された検査領域をその周辺部まで拡大することにより、上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第3ステップでは、検査領域を一部含むチップ領域を検査領域に含めることにより上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第3ステップでは、上記幾何学量が設定範囲内であるかどうかに基づいて上記検査領域を決定し、該設定範囲を変えることにより上記検査密度を変える、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記載のバンプ外観検査方法。 - 上記第3ステップで決定された検査領域を除いた領域に対して抜き取り検査を行うことにより、上記検査密度を高くする、
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1つに記載のバンプ外観検査方法。 - 基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測する計測装置と、
該基板上でのバンプの配列データが格納される記憶装置と、
該データを参照し該計測装置に対し該検査対象物上のサンプル領域につき該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて該基板上のバンプの幾何学量分布を推定し、該幾何学量分布に基づいて検査領域を決定し、該データを参照し該計測装置に対し該検査領域について該バンプの幾何学量を計測させ、その計測値に基づいて良否判定を行う処理装置と、
を有することを特徴とするバンプ外観検査装置。
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