JPH11284276A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JPH11284276A JPH11284276A JP8654098A JP8654098A JPH11284276A JP H11284276 A JPH11284276 A JP H11284276A JP 8654098 A JP8654098 A JP 8654098A JP 8654098 A JP8654098 A JP 8654098A JP H11284276 A JPH11284276 A JP H11284276A
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- Japan
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- layer
- laser device
- semiconductor laser
- gaas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より少ない成長で作製することができる半導
体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基
板４１上に、ＭＯＶＰＥ法などにより連続的に１回目の
結晶成長で、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、膜
厚３Åのｐ−ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
ブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次
成長させ、また、選択エッチングによるストライプ状溝
形成後、ＭＯＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、
ｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層４８及びｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層４９を成長させる。
体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基
板４１上に、ＭＯＶＰＥ法などにより連続的に１回目の
結晶成長で、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、膜
厚３Åのｐ−ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
ブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次
成長させ、また、選択エッチングによるストライプ状溝
形成後、ＭＯＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、
ｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層４８及びｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層４９を成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用、民生用
及び産業機器用光源として用いられる半導体レーザ装置
及びその製造方法に係り、詳細には、活性層材料のバン
ドギャップよりも広い禁制帯エネルギを持つクラッド層
により完全に囲まれているダブルヘテロ構造を有する半
導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
及び産業機器用光源として用いられる半導体レーザ装置
及びその製造方法に係り、詳細には、活性層材料のバン
ドギャップよりも広い禁制帯エネルギを持つクラッド層
により完全に囲まれているダブルヘテロ構造を有する半
導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】発振横モードを制御し単一モードの発振
を実現するため、液相成長法を用いた埋込みヘテロ構造
が多く採用されている。レーザの層構造は、例えば厚さ
１００ｎｍ程度のＧａＩｎＡｓＰ発光層とこれをバンド
ギャップの大きいＩｎＰ層で挟んだダブルヘテロ構造
（ＤＨ構造）からなっている。ここで埋込み構造とは、
活性層がそれよりもバンドギャップの大きな層で完全に
囲まれている構造をいう。
を実現するため、液相成長法を用いた埋込みヘテロ構造
が多く採用されている。レーザの層構造は、例えば厚さ
１００ｎｍ程度のＧａＩｎＡｓＰ発光層とこれをバンド
ギャップの大きいＩｎＰ層で挟んだダブルヘテロ構造
（ＤＨ構造）からなっている。ここで埋込み構造とは、
活性層がそれよりもバンドギャップの大きな層で完全に
囲まれている構造をいう。
【０００３】埋込み構造は、屈折率差を利用してストラ
イプ状の活性層に光を閉じ込める働きと、活性層の外に
むだな電流が流れないようにする働きとを兼ねており、
通常ＩｎＰのｐｎｐｎ多層構造（電流ブロック層）を採
用している場合が多い。また、半導体レーザ装置のしき
い値電流は、温度依存性が大きく高温動作させるために
はしきい値電流の小さいことが必須条件になるが、上記
埋込み構造では、低いしきい値電流の半導体レーザ装置
を実現することができる。
イプ状の活性層に光を閉じ込める働きと、活性層の外に
むだな電流が流れないようにする働きとを兼ねており、
通常ＩｎＰのｐｎｐｎ多層構造（電流ブロック層）を採
用している場合が多い。また、半導体レーザ装置のしき
い値電流は、温度依存性が大きく高温動作させるために
はしきい値電流の小さいことが必須条件になるが、上記
埋込み構造では、低いしきい値電流の半導体レーザ装置
を実現することができる。
【０００４】この埋込み構造を持つ半導体レーザ装置を
簡易な製造工程で歩留まりよく作製するために、有機金
属の熱分解によるＭＯＶＰＥ（metalorganic vapor pha
se epitaxy：有機金属気相成長）法などを用いて例えば
３回の結晶成長で作製する方法がある。
簡易な製造工程で歩留まりよく作製するために、有機金
属の熱分解によるＭＯＶＰＥ（metalorganic vapor pha
se epitaxy：有機金属気相成長）法などを用いて例えば
３回の結晶成長で作製する方法がある。
【０００５】図４は、ダブルヘテロ構造を有する半導体
レーザの構造を模式的に示す断面図であり、反射面方向
から見たレーザ結晶の断面構造の例である。
レーザの構造を模式的に示す断面図であり、反射面方向
から見たレーザ結晶の断面構造の例である。
【０００６】図４において、１１はｎ−ＧａＡｓ基板で
あり、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上には有機金属の熱分解に
よるＭＯＶＰＥ法などにより連続的に、ｎ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１２、ＧａＩｎＰ活性層１３、ストライ
プ状のメサに加工されたｐ−ＧａＩｎＰクラッド層１
４、ｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層（キャップ層）１６が
形成されている。また、図示は省略されているが、実際
にはｎ−ＧａＡｓ基板１１とｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１２間にはｎ−ＧａＩｎＰバッファ層が、またｐ−
ＧａＩｎＰクラッド層１４上にはｐ−ＧａＩｎＰコンタ
クト層が順次形成されており、さらにｐ−ＧａＩｎＰコ
ンタクト層（キャップ層）１６にはｐ−電極（正電極）
が、またｎ−ＧａＡｓ基板１１にはｎ−電極（負電極）
が、順次形成された構造となっている。
あり、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上には有機金属の熱分解に
よるＭＯＶＰＥ法などにより連続的に、ｎ−ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１２、ＧａＩｎＰ活性層１３、ストライ
プ状のメサに加工されたｐ−ＧａＩｎＰクラッド層１
４、ｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層（キャップ層）１６が
形成されている。また、図示は省略されているが、実際
にはｎ−ＧａＡｓ基板１１とｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１２間にはｎ−ＧａＩｎＰバッファ層が、またｐ−
ＧａＩｎＰクラッド層１４上にはｐ−ＧａＩｎＰコンタ
クト層が順次形成されており、さらにｐ−ＧａＩｎＰコ
ンタクト層（キャップ層）１６にはｐ−電極（正電極）
が、またｎ−ＧａＡｓ基板１１にはｎ−電極（負電極）
が、順次形成された構造となっている。
【０００７】ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層１３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
は、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成されたダブルヘテロ
構造部であり、発光波長に対応するエネルギーバンドギ
ャップのＧａＩｎＰ活性層１３を、この活性層１３より
もエネルギーバンドギャップの大きいｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１２、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
で挟んだダブルヘテロ構造となっている。このダブルヘ
テロ構造部上には、ｎ−ＧａＡｓブロック層１５が形成
されている。ｎ−ＧａＡｓブロック層１５により電流が
ストライプ部分に狭窄され、光の閉じ込めが行われる。
ＩｎＰ活性層１３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
は、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成されたダブルヘテロ
構造部であり、発光波長に対応するエネルギーバンドギ
ャップのＧａＩｎＰ活性層１３を、この活性層１３より
もエネルギーバンドギャップの大きいｎ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１２、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
で挟んだダブルヘテロ構造となっている。このダブルヘ
テロ構造部上には、ｎ−ＧａＡｓブロック層１５が形成
されている。ｎ−ＧａＡｓブロック層１５により電流が
ストライプ部分に狭窄され、光の閉じ込めが行われる。
【０００８】ストライプ状のメサに加工されたｐ−Ｇａ
ＩｎＰクラッド層１４は、ＧａＩｎＰ活性層１３にキャ
リアを閉じ込める働きをするもので、この構造ではＧａ
ＩｎＰ活性層１３は平坦で水平方向でのキャリア閉じ込
めは生じないが、ＧａＩｎＰ活性層１３に接するｐ−Ｇ
ａＩｎＰクラッド層１４の厚さがＶ字形のリッジ構造に
変化しているために、ＧａＩｎＰ活性層１３付近を伝搬
するレーザ光に対して実効的な屈折率分布が水平方向に
形成され、光導波が行われる。
ＩｎＰクラッド層１４は、ＧａＩｎＰ活性層１３にキャ
リアを閉じ込める働きをするもので、この構造ではＧａ
ＩｎＰ活性層１３は平坦で水平方向でのキャリア閉じ込
めは生じないが、ＧａＩｎＰ活性層１３に接するｐ−Ｇ
ａＩｎＰクラッド層１４の厚さがＶ字形のリッジ構造に
変化しているために、ＧａＩｎＰ活性層１３付近を伝搬
するレーザ光に対して実効的な屈折率分布が水平方向に
形成され、光導波が行われる。
【０００９】上記ダブルヘテロ構造を有する半導体レー
ザは、ＭＯＶＰＥ法などを用いて３回の結晶成長でレー
ザ構造が形成される。すなわち、図４の〜に示すよ
うに、ＤＨ構造（ＧａＩｎＰ系）の成長形成、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４のリッジエッチング後の
ｎ−ＧａＡｓブロック層１５の選択成長、ＳｉＯ2マ
スク除去後のｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層１６成長であ
る。
ザは、ＭＯＶＰＥ法などを用いて３回の結晶成長でレー
ザ構造が形成される。すなわち、図４の〜に示すよ
うに、ＤＨ構造（ＧａＩｎＰ系）の成長形成、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４のリッジエッチング後の
ｎ−ＧａＡｓブロック層１５の選択成長、ＳｉＯ2マ
スク除去後のｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層１６成長であ
る。
【００１０】このように３回の結晶成長でレーザ構造が
形成されることをさらに詳細に説明する。
形成されることをさらに詳細に説明する。
【００１１】図５及び図６は上記埋込みリッジ構造を有
する半導体レーザ装置の製造方法を説明するための工程
断面図であり（特開平８−５６０５２号公報参照）、反
射面方向から見たレーザ結晶の断面構造の例である。
する半導体レーザ装置の製造方法を説明するための工程
断面図であり（特開平８−５６０５２号公報参照）、反
射面方向から見たレーザ結晶の断面構造の例である。
【００１２】まず、図５（ａ）に示すｎ−ＧａＡｓ基板
２１の（１００）面上に、ＭＯＣＶＤ法により、図５
（ｂ）に示すように連続的に、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ
層２２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、活性層２
４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５、ＧａＩｎＰス
トッパ層２６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２７、ｐ
−ＧａＩｎＰクラッド層２８及びｐ−ＧａＩｎコンタク
ト層２９を順次成長してダブルヘテロ構造結晶を形成す
る。
２１の（１００）面上に、ＭＯＣＶＤ法により、図５
（ｂ）に示すように連続的に、ｎ−ＧａＩｎＰバッファ
層２２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、活性層２
４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５、ＧａＩｎＰス
トッパ層２６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２７、ｐ
−ＧａＩｎＰクラッド層２８及びｐ−ＧａＩｎコンタク
ト層２９を順次成長してダブルヘテロ構造結晶を形成す
る。
【００１３】ここまでが、上記ＤＨ構造（ＧａＩｎＰ
系）の成長形成である。
系）の成長形成である。
【００１４】次いで、図５（ｃ）に示すように、ｐ−Ｇ
ａＩｎコンタクト層２９上に、例えばシランガスの熱分
解と写真蝕刻によりストライプ状にＳｉＯ2マスク３０
を形成する。
ａＩｎコンタクト層２９上に、例えばシランガスの熱分
解と写真蝕刻によりストライプ状にＳｉＯ2マスク３０
を形成する。
【００１５】次いで、図５（ｄ）に示すように、ＳｉＯ
2マスク３０を用いて例えば塩素系エッチャントにより
ｐ−ＧａＩｎコンタクト層２９、ｐ−ＧａＩｎＰクラッ
ド層２８及びｐ−ＧａＩｎＰクラッド層２７を選択エッ
チングして、ストライプ状メサのリッジを形成した。ウ
ェットエッチングによるリッジ作製のためＳｉＯ2マス
ク３０下部ではアンダーカットが進行する。この選択エ
ッチングはＧａＩｎＰストッパ層２６で止まる。
2マスク３０を用いて例えば塩素系エッチャントにより
ｐ−ＧａＩｎコンタクト層２９、ｐ−ＧａＩｎＰクラッ
ド層２８及びｐ−ＧａＩｎＰクラッド層２７を選択エッ
チングして、ストライプ状メサのリッジを形成した。ウ
ェットエッチングによるリッジ作製のためＳｉＯ2マス
ク３０下部ではアンダーカットが進行する。この選択エ
ッチングはＧａＩｎＰストッパ層２６で止まる。
【００１６】次いで、図６（ｅ）に示すように、リッジ
が形成されたウエハ上に、ＭＯＶＰＥ法によりｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層３１を成長した。このとき、例えばホス
フィンガス及びトリメチルガリウム有機金属ガス等のガ
ス流を選択導入することにより、ＳｉＯ2マスク３０上
にはＧａＡｓを成長させずｐ−ＧａＩｎコンタクト層２
９、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層２８、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２７の各側面及びＧａＩｎＰストッパ層２
６の上面にｎ−ＧａＡｓブロック層３１を成長させる。
が形成されたウエハ上に、ＭＯＶＰＥ法によりｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層３１を成長した。このとき、例えばホス
フィンガス及びトリメチルガリウム有機金属ガス等のガ
ス流を選択導入することにより、ＳｉＯ2マスク３０上
にはＧａＡｓを成長させずｐ−ＧａＩｎコンタクト層２
９、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層２８、ｐ−ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２７の各側面及びＧａＩｎＰストッパ層２
６の上面にｎ−ＧａＡｓブロック層３１を成長させる。
【００１７】この成長が、上記リッジエッチング後の
ｎ−ＧａＡｓブロック層の選択成長である。
ｎ−ＧａＡｓブロック層の選択成長である。
【００１８】次いで、図６（ｆ）に示すように、ＳｉＯ
2マスク３０をエッチングにより除去する。
2マスク３０をエッチングにより除去する。
【００１９】次いで、図６（ｇ）に示すように、ＳｉＯ
2マスク３０を除去した後、ＭＯＣＶＤ法により全面に
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１を成長する。
2マスク３０を除去した後、ＭＯＣＶＤ法により全面に
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１を成長する。
【００２０】この成長が、上記ＳｉＯ2マスク除去後
のｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層の成長である。
のｐ−ＧａＩｎＰコンタクト層の成長である。
【００２１】その後、通常の電極付け工程によりｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層３１の上面にｐ−電極（図示せず）
を、ｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面にｎ−電極（図示せ
ず）を被着することによって前記図４に示す構造のレー
ザ用ウエハを得る。このレーザ用ウエハをへき開してレ
ーザ素子を作製する。
ａＡｓコンタクト層３１の上面にｐ−電極（図示せず）
を、ｎ−ＧａＡｓ基板２１の下面にｎ−電極（図示せ
ず）を被着することによって前記図４に示す構造のレー
ザ用ウエハを得る。このレーザ用ウエハをへき開してレ
ーザ素子を作製する。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ装置
にあっては、上述したように３回の結晶成長で作製され
ていたため、より少ない成長でレーザ構造が作製できる
ことが求められている。
うな従来のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ装置
にあっては、上述したように３回の結晶成長で作製され
ていたため、より少ない成長でレーザ構造が作製できる
ことが求められている。
【００２３】すなわち、ダブルヘテロ構造を有する半導
体レーザ装置を、より少ない成長で作製することができ
れば製造工程を簡略化することができ、高歩留まり及び
低価格化を実現することが可能になる。
体レーザ装置を、より少ない成長で作製することができ
れば製造工程を簡略化することができ、高歩留まり及び
低価格化を実現することが可能になる。
【００２４】本発明は、上述した従来の問題点を解消す
ることを目的とし、より少ない成長で作製することがで
きる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
ることを目的とし、より少ない成長で作製することがで
きる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、半導体基板と、第１のクラッド層、活性層及
び第２のクラッド層からなり、半導体基板上に形成され
たダブルヘテロ構造部と、ダブルヘテロ構造部上に形成
されストライプ状溝を有する電流阻止層と、ダブルヘテ
ロ構造部及び電流阻止層上に形成されたコンタクト層と
を備えたセルフアライン構造の半導体レーザ装置におい
て、電流阻止層が、半導体基板上にダブルヘテロ構造部
を結晶成長する工程で作製されたことを基本構成とす
る。
ザ装置は、半導体基板と、第１のクラッド層、活性層及
び第２のクラッド層からなり、半導体基板上に形成され
たダブルヘテロ構造部と、ダブルヘテロ構造部上に形成
されストライプ状溝を有する電流阻止層と、ダブルヘテ
ロ構造部及び電流阻止層上に形成されたコンタクト層と
を備えたセルフアライン構造の半導体レーザ装置におい
て、電流阻止層が、半導体基板上にダブルヘテロ構造部
を結晶成長する工程で作製されたことを基本構成とす
る。
【００２６】上記成長工程は、１回の結晶成長を行うこ
とにより作製されたことを特徴とする。
とにより作製されたことを特徴とする。
【００２７】上記電流阻止層は、ｎ型ＧａＡｓ又はｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ／ｎ型ＧａＡｓであってもよい。
ＡｌＧａＩｎＰ／ｎ型ＧａＡｓであってもよい。
【００２８】また、上記半導体レーザ装置は、ダブルヘ
テロ構造部上に、量子効果によりレーザ光を吸収しない
ような膜厚を有する表面層を備えたものであってもよ
く、この表面層は、ｐ型ＧａＡｓであってもよい。
テロ構造部上に、量子効果によりレーザ光を吸収しない
ような膜厚を有する表面層を備えたものであってもよ
く、この表面層は、ｐ型ＧａＡｓであってもよい。
【００２９】上記コンタクト層は、電流阻止層形成後の
２回目の結晶成長工程で作製されたものであってもよ
く、また、上記コンタクト層は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ／ｐ
型ＧａＡｓ又はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ／ｐ型ＧａＡｓであ
ってもよい。
２回目の結晶成長工程で作製されたものであってもよ
く、また、上記コンタクト層は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ／ｐ
型ＧａＡｓ又はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ／ｐ型ＧａＡｓであ
ってもよい。
【００３０】上記半導体基板及び各半導体層は、III−
Ｖ族半導体からなるものであってもよい。
Ｖ族半導体からなるものであってもよい。
【００３１】本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法
は、半導体基板上に、第１のクラッド層、活性層及び第
２のクラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、ダブル
ヘテロ構造部上に電流阻止層を有機金属を用いた化学気
相成長法により上記順に連続して成長形成する工程と、
電流阻止層上にエッチングマスクを形成する工程と、エ
ッチングマスクを用いて電流阻止層を選択エッチング
し、ストライプ状溝を形成する工程と、ダブルヘテロ構
造部及び電流阻止層上にコンタクト層を成長形成する工
程とを含むことを特徴とする。
は、半導体基板上に、第１のクラッド層、活性層及び第
２のクラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、ダブル
ヘテロ構造部上に電流阻止層を有機金属を用いた化学気
相成長法により上記順に連続して成長形成する工程と、
電流阻止層上にエッチングマスクを形成する工程と、エ
ッチングマスクを用いて電流阻止層を選択エッチング
し、ストライプ状溝を形成する工程と、ダブルヘテロ構
造部及び電流阻止層上にコンタクト層を成長形成する工
程とを含むことを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体レーザ装置及
びその製造方法は、ダブルヘテロ構造を有する半導体レ
ーザの構造に適用することができる。
びその製造方法は、ダブルヘテロ構造を有する半導体レ
ーザの構造に適用することができる。
【００３３】図１は本発明の実施形態の半導体レーザ装
置の構造を示す断面図であり、本実施形態はセルフアラ
イン構造を有する半導体レーザ装置をＧａＩｎＰ系材料
で作製した赤色レーザの構造例である。
置の構造を示す断面図であり、本実施形態はセルフアラ
イン構造を有する半導体レーザ装置をＧａＩｎＰ系材料
で作製した赤色レーザの構造例である。
【００３４】図１において、４１はｎ−ＧａＡｓ基板で
あり、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上には有機金属の熱分解に
よるＭＯＶＰＥ法などにより連続的に１回目の結晶成長
で、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、ＧａＩｎＰ活
性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、所定の膜厚
を有するｐ−ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
ブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７（電流
阻止層）が形成されている。また、ストライプ状溝形成
後、ＭＯＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、ｐ−
ＡｌＧａＡｓコンタクト層（キャップ層）４８及びｐ−
ＧａＡｓコンタクト層（キャップ層）４９が形成されて
いる。また、図示は省略されているが、実際にはｎ−Ｇ
ａＡｓ基板４１とｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２間
にはｎ−ＧａＩｎＰバッファ層が、またｐ−ＧａＩｎＰ
クラッド層４４上にはｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４及
びｐ−ＧａＩｎＰストッパ層が順次形成されており、さ
らにｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９にはｐ−電極（正電
極）が、またｎ−ＧａＡｓ基板４１にはｎ−電極（負電
極）が、順次形成された構造となっている。
あり、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上には有機金属の熱分解に
よるＭＯＶＰＥ法などにより連続的に１回目の結晶成長
で、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、ＧａＩｎＰ活
性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、所定の膜厚
を有するｐ−ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
ブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７（電流
阻止層）が形成されている。また、ストライプ状溝形成
後、ＭＯＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、ｐ−
ＡｌＧａＡｓコンタクト層（キャップ層）４８及びｐ−
ＧａＡｓコンタクト層（キャップ層）４９が形成されて
いる。また、図示は省略されているが、実際にはｎ−Ｇ
ａＡｓ基板４１とｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２間
にはｎ−ＧａＩｎＰバッファ層が、またｐ−ＧａＩｎＰ
クラッド層４４上にはｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４及
びｐ−ＧａＩｎＰストッパ層が順次形成されており、さ
らにｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９にはｐ−電極（正電
極）が、またｎ−ＧａＡｓ基板４１にはｎ−電極（負電
極）が、順次形成された構造となっている。
【００３５】本レーザ構造の特徴的な部分としては、セ
ルフアライン構造において、１回目の結晶成長で、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロッ
ク層４７からなるブロック層を成長させ、選択エッチン
グによりストライプ状溝を形成したことにある。また、
ｐ−ＧａＡｓ表面層４５としては、量子効果によりレー
ザ光を吸収しないような厚みに設定する。具体的には、
厚み３０Åの薄膜とする。さらに、２回目の結晶成長
で、キャップ層となるｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層４
８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９を連続成長させ
る。
ルフアライン構造において、１回目の結晶成長で、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰブロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロッ
ク層４７からなるブロック層を成長させ、選択エッチン
グによりストライプ状溝を形成したことにある。また、
ｐ−ＧａＡｓ表面層４５としては、量子効果によりレー
ザ光を吸収しないような厚みに設定する。具体的には、
厚み３０Åの薄膜とする。さらに、２回目の結晶成長
で、キャップ層となるｐ−ＡｌＧａＡｓコンタクト層４
８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９を連続成長させ
る。
【００３６】ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、Ｇａ
ＩｎＰ活性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４及び
ｐ−ＧａＡｓ表面層４５は、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上に
形成されたダブルヘテロ構造部であり、発光波長に対応
するエネルギーバンドギャップのＧａＩｎＰ活性層４３
を、このＧａＩｎＰ活性層４３よりもエネルギーバンド
ギャップの大きいｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、
ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４で挟んだダブルヘテロ構
造となっている。ＧａＩｎＰ活性層４３は、ＭＱＷ（mu
ltiple quantum well：多重量子井戸）構造とすること
ができる。上記ダブルヘテロ構造部及びブロック層の詳
細な成長方法については図２及び図３により後述する。
ＩｎＰ活性層４３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４及び
ｐ−ＧａＡｓ表面層４５は、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上に
形成されたダブルヘテロ構造部であり、発光波長に対応
するエネルギーバンドギャップのＧａＩｎＰ活性層４３
を、このＧａＩｎＰ活性層４３よりもエネルギーバンド
ギャップの大きいｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、
ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４で挟んだダブルヘテロ構
造となっている。ＧａＩｎＰ活性層４３は、ＭＱＷ（mu
ltiple quantum well：多重量子井戸）構造とすること
ができる。上記ダブルヘテロ構造部及びブロック層の詳
細な成長方法については図２及び図３により後述する。
【００３７】このセルフアライン構造では、電流狭窄
は、ストライプ状溝が形成されたｐ−ＡｌＧａＩｎＰブ
ロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７で行わ
れ、光導波はストライプに加工されたｐ−ＧａＩｎＰク
ラッド層４４の、電流狭窄された部分により行われる。
は、ストライプ状溝が形成されたｐ−ＡｌＧａＩｎＰブ
ロック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７で行わ
れ、光導波はストライプに加工されたｐ−ＧａＩｎＰク
ラッド層４４の、電流狭窄された部分により行われる。
【００３８】次に、このセルフアライン構造を有する半
導体レーザ装置を作製する方法について説明する。
導体レーザ装置を作製する方法について説明する。
【００３９】図２は上記半導体レーザ装置の製造方法を
説明するための工程断面図である。また、図３は本レー
ザ構造を成長する場合の具体例であり、成長順序、その
材料、組成、厚み、キャリア濃度等を示したものであ
る。
説明するための工程断面図である。また、図３は本レー
ザ構造を成長する場合の具体例であり、成長順序、その
材料、組成、厚み、キャリア濃度等を示したものであ
る。
【００４０】まず、図２（ａ）に示すｎ−ＧａＡｓ基板
４１の（１００）面上に、ＭＯＣＶＤ法により、図２
（ｂ）に示すように連続的に１回目の結晶成長で、厚さ
０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層５１、厚さ０．３
μｍのｎ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層（図示略）、厚さ０．
８μｍのｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層４２、Ｇ
ａＩｎＰ活性層４３、厚さ０．２μｍのアンドープｐ−
Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層（図示略）、厚さ０．
２μｍのｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層４４、厚
さ０．０２μｍのｐ−ＧａＩｎＰストッパ層５２、厚さ
３０Åのｐ−ＧａＡｓ表面層４５、厚さ０．０１μｍの
ｐ−Ａｌ0.49Ｇａ0.51ＩｎＰブロック層４６及び厚さ１
μｍのｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次成長してダブ
ルヘテロ構造結晶及びブロック層を形成した。ＧａＩｎ
Ｐ活性層４３の詳細な構造は、図３に示される。なお、
上記ダブルヘテロ構造は一例であって上記以外の材料、
組成、結晶成長等を用いてもよい。
４１の（１００）面上に、ＭＯＣＶＤ法により、図２
（ｂ）に示すように連続的に１回目の結晶成長で、厚さ
０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層５１、厚さ０．３
μｍのｎ−Ｇａ0.51Ｉｎ0.49Ｐ層（図示略）、厚さ０．
８μｍのｎ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層４２、Ｇ
ａＩｎＰ活性層４３、厚さ０．２μｍのアンドープｐ−
Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層（図示略）、厚さ０．
２μｍのｐ−Ａｌ0.7Ｇａ0.3ＩｎＰクラッド層４４、厚
さ０．０２μｍのｐ−ＧａＩｎＰストッパ層５２、厚さ
３０Åのｐ−ＧａＡｓ表面層４５、厚さ０．０１μｍの
ｐ−Ａｌ0.49Ｇａ0.51ＩｎＰブロック層４６及び厚さ１
μｍのｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次成長してダブ
ルヘテロ構造結晶及びブロック層を形成した。ＧａＩｎ
Ｐ活性層４３の詳細な構造は、図３に示される。なお、
上記ダブルヘテロ構造は一例であって上記以外の材料、
組成、結晶成長等を用いてもよい。
【００４１】本レーザ構造では、１回目の結晶成長でダ
ブルヘテロ構造部の最上層に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰブロ
ック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７からなるブ
ロック層を成長させておくことを特徴とする。また、本
発明者等は、ＧａＩｎＰ系材料の場合には、本実施形態
のように薄膜化したｐ−ＧａＡｓ表面層４５を成長した
多層構造にする必要があることを見出した。このｐ−Ｇ
ａＡｓ表面層４５は、量子効果によりレーザ光を吸収し
ないような厚み、例えば３０Åの薄膜とする。
ブルヘテロ構造部の最上層に、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰブロ
ック層４６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７からなるブ
ロック層を成長させておくことを特徴とする。また、本
発明者等は、ＧａＩｎＰ系材料の場合には、本実施形態
のように薄膜化したｐ−ＧａＡｓ表面層４５を成長した
多層構造にする必要があることを見出した。このｐ−Ｇ
ａＡｓ表面層４５は、量子効果によりレーザ光を吸収し
ないような厚み、例えば３０Åの薄膜とする。
【００４２】次いで、図２（ｃ）に示すように、ｎ−Ｇ
ａＡｓブロック層４７上に、例えばシランガスの熱分解
と写真蝕刻によりストライプ以外の部分にレジストマス
ク５３を形成した。
ａＡｓブロック層４７上に、例えばシランガスの熱分解
と写真蝕刻によりストライプ以外の部分にレジストマス
ク５３を形成した。
【００４３】次いで、図２（ｄ）に示すように、レジス
トマスク５３を用いて例えば燐酸＋メタノール系エッチ
ャントにより３０℃で３分選択エッチングしてｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層４７をエッチングし、さらに、例えばＨ
Ｂｒ＋ＨＣｌ系エッチャントにより３０℃で３秒選択エ
ッチングしてｐ−Ａｌ0.49Ｇａ0.51ＩｎＰブロック層４
６をエッチングしてストライプ状溝５４を形成した。
トマスク５３を用いて例えば燐酸＋メタノール系エッチ
ャントにより３０℃で３分選択エッチングしてｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層４７をエッチングし、さらに、例えばＨ
Ｂｒ＋ＨＣｌ系エッチャントにより３０℃で３秒選択エ
ッチングしてｐ−Ａｌ0.49Ｇａ0.51ＩｎＰブロック層４
６をエッチングしてストライプ状溝５４を形成した。
【００４４】次いで、図２（ｅ）に示すように、レジス
トマスク５３をエッチングにより除去する。
トマスク５３をエッチングにより除去する。
【００４５】次いで、図２（ｆ）に示すように、レジス
トマスク５３を除去した後、ＭＯＣＶＤ法などにより２
回目の結晶成長で、厚さ１μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓコン
タクト層４８及び厚さ０．３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層４９からなるキャップ層を連続成長してレーザ結
晶構造を得た。本実施形態では、キャップ層として２回
目の結晶成長で、ｐ−ＡｌＧａＡｓ／ｐ−ＧａＡｓを連
続成長させているが、これに代えてｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
／ｐ−ＧａＡｓを成長させてもよい。
トマスク５３を除去した後、ＭＯＣＶＤ法などにより２
回目の結晶成長で、厚さ１μｍのｐ−ＡｌＧａＡｓコン
タクト層４８及び厚さ０．３μｍのｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層４９からなるキャップ層を連続成長してレーザ結
晶構造を得た。本実施形態では、キャップ層として２回
目の結晶成長で、ｐ−ＡｌＧａＡｓ／ｐ−ＧａＡｓを連
続成長させているが、これに代えてｐ−ＡｌＧａＩｎＰ
／ｐ−ＧａＡｓを成長させてもよい。
【００４６】その後、通常の電極付け工程によりｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層４９の上面にｐ−電極を、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板４１の下面にｎ−電極を被着することによって
レーザ用ウエハを完成し、このレーザ用ウエハをへき開
してレーザ素子を作製する。なお、共振器の反射面は、
結晶の割れ易い（１１０）へき開面をへき開して用い
る。
ａＡｓコンタクト層４９の上面にｐ−電極を、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板４１の下面にｎ−電極を被着することによって
レーザ用ウエハを完成し、このレーザ用ウエハをへき開
してレーザ素子を作製する。なお、共振器の反射面は、
結晶の割れ易い（１１０）へき開面をへき開して用い
る。
【００４７】以上説明したように、本実施形態に係る半
導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上に、ＭＯ
ＶＰＥ法などにより連続的に１回目の結晶成長で、ｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、ＧａＩｎＰ活性層４
３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、膜厚３０Åのｐ−
ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層４
６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次成長させ、ま
た、選択エッチングによるストライプ状溝形成後、ＭＯ
ＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓコンタクト層４８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４
９を成長させるようにしたので、図１の、に示すよ
うに、２回の結晶成長で従来例と同じ機能を有する半導
体レーザ装置を作製することができ、製造工程を簡略化
して、高歩留まり及び低価格化を実現することができ
る。
導体レーザ装置では、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上に、ＭＯ
ＶＰＥ法などにより連続的に１回目の結晶成長で、ｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４２、ＧａＩｎＰ活性層４
３、ｐ−ＧａＩｎＰクラッド層４４、膜厚３０Åのｐ−
ＧａＡｓ表面層４５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層４
６及びｎ−ＧａＡｓブロック層４７を順次成長させ、ま
た、選択エッチングによるストライプ状溝形成後、ＭＯ
ＶＰＥ法などにより２回目の結晶成長で、ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓコンタクト層４８及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４
９を成長させるようにしたので、図１の、に示すよ
うに、２回の結晶成長で従来例と同じ機能を有する半導
体レーザ装置を作製することができ、製造工程を簡略化
して、高歩留まり及び低価格化を実現することができ
る。
【００４８】また、ＩｎＧａＡｌＰ系の材料で半導体レ
ーザを実現できたことにより光情報処理用光源として極
めて有効である。
ーザを実現できたことにより光情報処理用光源として極
めて有効である。
【００４９】なお、上記実施形態では、セルフアライン
構造の半導体レーザ装置をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系材
料で作製しているが、III−Ｖ族半導体で構成された他
の化合物半導体、例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系材料
でも同様に適用できることは言うまでもない。また、ダ
ブルヘテロ構造部上にストライプ状溝を有する電流阻止
層が形成されたストライプ構造を含むものであればどの
ような構造でもよく、セルフアライン構造という名称に
は限定されない。
構造の半導体レーザ装置をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系材
料で作製しているが、III−Ｖ族半導体で構成された他
の化合物半導体、例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系材料
でも同様に適用できることは言うまでもない。また、ダ
ブルヘテロ構造部上にストライプ状溝を有する電流阻止
層が形成されたストライプ構造を含むものであればどの
ような構造でもよく、セルフアライン構造という名称に
は限定されない。
【００５０】また、上記実施形態の半導体レーザ装置に
おいて、ｎ型をｐ型とし、ｐ型をｎ型とした構造であっ
てもよく、また、コンタクト層（キャップ層）、電極等
はどのような構造であってもなんら問題はない。また、
半導体層の材料、例えばＡｌＧａＩｎＰ層のＡｌ組成
は、ＡｌxＧａ1-xＩｎＰでｘが０．１〜１．０の範囲で
もよい。
おいて、ｎ型をｐ型とし、ｐ型をｎ型とした構造であっ
てもよく、また、コンタクト層（キャップ層）、電極等
はどのような構造であってもなんら問題はない。また、
半導体層の材料、例えばＡｌＧａＩｎＰ層のＡｌ組成
は、ＡｌxＧａ1-xＩｎＰでｘが０．１〜１．０の範囲で
もよい。
【００５１】また、上記各実施形態では、電流阻止層を
選択エッチングにより形成する方法を示しているが、選
択エッチングに限らずどのような方法で作製したもので
もよい。例えば、ドライエッチング法により作製したも
のでもよい。
選択エッチングにより形成する方法を示しているが、選
択エッチングに限らずどのような方法で作製したもので
もよい。例えば、ドライエッチング法により作製したも
のでもよい。
【００５２】また、上記各実施形態はＭＯＶＰＥ法によ
り連続的に結晶成長させているが、これに限定されるも
のではなく、ＶＰＥ（vapor phase epitaxy：気相成
長）法を用いてもよいことは勿論である。
り連続的に結晶成長させているが、これに限定されるも
のではなく、ＶＰＥ（vapor phase epitaxy：気相成
長）法を用いてもよいことは勿論である。
【００５３】さらに、上記実施形態に係る半導体レーザ
装置及びその製造方法が、上述した構造をとるものであ
れば、どのような構成でもよく、その製造プロセス、基
板、半導体材料の種類、エッチャント等は上記実施形態
に限定されない。
装置及びその製造方法が、上述した構造をとるものであ
れば、どのような構成でもよく、その製造プロセス、基
板、半導体材料の種類、エッチャント等は上記実施形態
に限定されない。
【００５４】
【発明の効果】本発明に係る半導体レーザ装置及びその
製造方法は、セルフアライン構造の半導体レーザ装置に
おいて、電流阻止層が、半導体基板上にダブルヘテロ構
造部を結晶成長する工程で作製されているので、２回の
結晶成長で半導体レーザ装置を作製することができ、製
造工程を簡略化して、高歩留まり及び低価格化を実現す
ることができる。
製造方法は、セルフアライン構造の半導体レーザ装置に
おいて、電流阻止層が、半導体基板上にダブルヘテロ構
造部を結晶成長する工程で作製されているので、２回の
結晶成長で半導体レーザ装置を作製することができ、製
造工程を簡略化して、高歩留まり及び低価格化を実現す
ることができる。
【図１】本発明を適用した実施形態に係る半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。
装置の構造を示す断面図である。
【図２】上記半導体レーザ装置の製造方法を説明するた
めの工程断面図である。
めの工程断面図である。
【図３】上記半導体レーザ装置の製造方法を説明するた
めのレーザ構造を成長する場合の具体例を示す図であ
る。
めのレーザ構造を成長する場合の具体例を示す図であ
る。
【図４】従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明する
ための工程断面図である。
ための工程断面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の製造方法を説明する
ための工程断面図である。
ための工程断面図である。
４１ ｎ−ＧａＡｓ基板、４２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層、４３ ＧａＩｎＰ活性層、４４ ｐ−ＧａＩ
ｎＰクラッド層、４５ ｐ−ＧａＡｓ表面層、４６ ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰブロック層（電流阻止層）、４７ ｎ
−ＧａＡｓブロック層（電流阻止層）、４８ ｐ−Ａｌ
ＧａＡｓコンタクト層、４９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層
ラッド層、４３ ＧａＩｎＰ活性層、４４ ｐ−ＧａＩ
ｎＰクラッド層、４５ ｐ−ＧａＡｓ表面層、４６ ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰブロック層（電流阻止層）、４７ ｎ
−ＧａＡｓブロック層（電流阻止層）、４８ ｐ−Ａｌ
ＧａＡｓコンタクト層、４９ ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 裕記 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板と、第１のクラッド層、活性
層及び第２のクラッド層からなり、半導体基板上に形成
されたダブルヘテロ構造部と、ダブルヘテロ構造部上に
形成されストライプ状溝を有する電流阻止層と、ダブル
ヘテロ構造部及び電流阻止層上に形成されたコンタクト
層とを備えたセルフアライン構造の半導体レーザ装置に
おいて、 前記電流阻止層は、半導体基板上にダブルヘテロ構造部
を結晶成長する工程で作製されたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記成長工程は、１回の結晶成長を行う
ことにより作製されたことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記電流阻止層は、ｎ型ＧａＡｓ又はｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ／ｎ型ＧａＡｓであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記ダブルヘテロ構造部上に、量子効果によりレーザ光
を吸収しないような膜厚を有する表面層を備えたことを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記表面層は、ｐ型ＧａＡｓであること
を特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記コンタクト層は、前記電流阻止層形
成後の２回目の結晶成長工程で作製されたことを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 前記コンタクト層は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ
／ｐ型ＧａＡｓ又はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ／ｐ型ＧａＡｓ
であることを特徴とする請求項１又は６の何れかに記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 前記半導体基板及び各半導体層は、III
−Ｖ族半導体からなるものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 半導体基板上に、第１のクラッド層、活
性層及び第２のクラッド層からなるダブルヘテロ構造部
と、ダブルヘテロ構造部上に電流阻止層を有機金属を用
いた化学気相成長法により上記順に連続して成長形成す
る工程と、 前記電流阻止層上にエッチングマスクを形成する工程
と、 前記エッチングマスクを用いて電流阻止層を選択エッチ
ングし、ストライプ状溝を形成する工程と、 前記ダブルヘテロ構造部及び電流阻止層上にコンタクト
層を成長形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8654098A JPH11284276A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8654098A JPH11284276A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284276A true JPH11284276A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13889844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8654098A Pending JPH11284276A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284276A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005073A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Cable Ltd | レーザダイオード用エピタキシャルウェハ及びレーザダイオード |
| JP2006086494A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Victor Co Of Japan Ltd | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2006222187A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8654098A patent/JPH11284276A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005073A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Hitachi Cable Ltd | レーザダイオード用エピタキシャルウェハ及びレーザダイオード |
| JP4534615B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2010-09-01 | 日立電線株式会社 | レーザダイオード用エピタキシャルウェハ及びレーザダイオード |
| JP2006086494A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Victor Co Of Japan Ltd | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP4678208B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-04-27 | 日本ビクター株式会社 | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2006222187A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
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