JPH11274685A

JPH11274685A - プリント回路基板の加工方法

Info

Publication number: JPH11274685A
Application number: JP7585498A
Authority: JP
Inventors: Akira Iwamori; 暁岩森; Noriyuki Yanagawa; 紀行柳川; Mitsuru Sadamoto; 満貞本; Moriji Morita; 守次森田
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1998-03-24
Filing date: 1998-03-24
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】プリント回路基板のポリイミド層を高速でエッ
チングする方法の提供。【解決手段】回路基板の絶縁層は、導電層と導電層との
間に形成され、主に樹脂から構成される。該絶縁層は異
なる種類の樹脂の層を複数積層して構成されている。電
気的接続をとるための樹脂層の孔開け加工をプラズマを
用いて行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプリント回路基板の
絶縁層の孔開け方法に関する。詳しくは本発明は、異な
る種類の樹脂の層を複数積層して得られる、絶縁層を用
いてなる、プリント回路基板の絶縁層の孔開け方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子産業において、電子機器の高
性能化、高機能化、コンパクト化が求められており、そ
れに伴ってＩＣチップ、ＩＣチップを実装する為のボー
ド（Ｂｏａｒｄ）も微細化、高密度化が進んでいる。Ｉ
Ｃチップでは、シリコン等の微細なパターニングに際し
て、プラズマを用いたドライプロセスは必須である。ま
た、導電層である銅箔と絶縁層であるポリイミドを交互
に積層した回路基板はポリイミドの有する優れた耐熱
性、電気的特性、等の理由によりＩＣの実装用基板とし
て広く用いられている。

【０００３】プリント配線板の実装技術、とりわけプリ
ント回路基板製造時における、スルーホール、バイアホ
ール形成技術は特に重要である。現在のスルーホール
（Through Hole）、バイアホール（Via Hole）形成法と
してメカニカルドリル法、レーザー加工法等のドライプ
ロセスがあるが、コスト或いは処理能力（エッチング速
度）の面においてウエット法を用いている場合が多いの
が現状である。

【０００４】近年、プリント基板においては、様々な機
械的、電気的特性が要求され、絶縁層である樹脂層に複
数の異なる構造を有するポリマーを用いる場合がある。
例えば、絶縁層として耐熱性ポリマーであるポリイミド
を用いることが多いが、ポリイミドの種類により物理化
学的性質が異なり、必要に応じて複数のポリイミドを絶
縁層として用いることがある。

【０００５】従来のウエットエッチング法においては絶
縁層の種類によってそのエッチング速度が異なる為、絶
縁層のある層ではエッチング速度が速く、他の層では遅
くなることがある。特にエッチングされ易い樹脂層を先
にエッチングし、その後エッチングされ難い樹脂層をエ
ッチングする場合、新たな問題が生じることが分かっ
た。すなわち、エッチング速度の遅い層をエッチングし
ている間に、エッチング速度の速い層は更にエッチング
されてアンダーカットが大きくなり、絶縁層全体でみた
場合の加工形状が一定に保たれないのである。さらに、
プリント回路基板のファイン化に伴い、複数の絶縁層を
用いた場合では、前記加工形状の問題は一層深刻になっ
てきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラ
ズマを用いた、回路基板の絶縁層の孔明け加工方法、よ
り詳しくは、絶縁層として、異なる構造のポリマーから
得られる層を複数積層して得た、ポリイミド層を有す
る、プリント回路基板をプラズマを用いてエッチングす
る技術を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記した
問題点について鋭意検討した結果、構造の異なる樹脂の
層を複数積層してなる絶縁層を有する、プリント回路基
板の孔明け加工に際し、プラズマを用いればよいことを
見だした。とりわけ、ポリマーの構造によらず、高速で
エッチングしても各絶縁層のエッチング速度に殆ど差が
なく、一定の加工形状を提供する技術を見いだし、本発
明を完成させるに至った。

【０００８】即ち、本発明は、（１）導電層と導電層と
の間に形成された、主に樹脂からなる、絶縁層におい
て、該絶縁層が異なる種類の樹脂の層を複数積層して構
成され、電気的接続をとるための樹脂の層の孔開け加工
がプラズマを用いて行われることを特徴とするプリント
回路基板の加工方法であり、（２）樹脂の層のガラス転
位温度Ｔｇが少なくとも１３０℃である耐熱性樹脂から
なることを特徴とする（１）に記載のプリント回路基板
の加工方法であり、（３）樹脂が異なる構造のポリイミ
ドからなることを特徴とする（１）又は（２）のいずれ
かに記載のプリント回路基板の加工方法であり、（４）
芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを反応させた
ポリイミドにおいて、芳香族テトラカルボン酸の構造体
が、式（１）〔化１３〕、式（２）〔化１４〕、式
（３）〔化１５〕および式（４）〔化１６〕の内の少な
くとも１種、芳香族ジアミンの構造体が、式（５）〔化
１７〕、式（６）〔化１８〕、式（７）〔化１９〕、式
（８）〔化２０〕および式（９）〔化２１〕の内の少な
くとも１種からなることを特徴とする（３）に記載のプ
リント回路基板の加工方法であり、

【０００９】

【化１３】

【００１０】

【化１４】

【００１１】

【化１５】

【００１２】

【化１６】

【００１３】

【化１７】

【００１４】

【化１８】

【００１５】

【化１９】

【００１６】

【化２０】

【００１７】

【化２１】（５）ポリイミドの構造体が、式（１０）〔化２２〕、
式（１１）〔化２３〕および式（１２）〔化２４〕の内
少なくとも２種を組み合わせたものであることを特徴と
する（４）に記載のプリント回路基板の加工方法であ
り、

【００１８】

【化２２】

【００１９】

【化２３】

【００２０】

【化２４】（６）樹脂の層の樹脂のＴｇの内最も低いものをＴｇ１
とし、孔開けを行う雰囲気の温度Ｔを、（Ｔｇ１−１
００）℃≦Ｔ≦（Ｔｇ１＋１００）℃ の範囲に制御し
てプラズマ加工することを特徴とする（１）乃至（５）
のいずれかに記載のプリント回路基板の加工方法であ
り、（７）プラズマを生起させるのに用いるガスが、酸
素とフッ素系化合物ガスの混合ガスであることを特徴と
する（１）乃至（６）のいずれかに記載のプリント回路
基板の加工方法であり、（８）フッ素系化合物ガスがフ
ッ素であることを特徴とする（７）に記載のプリント回
路基板の加工方法であり、（９）フッ素系化合物ガスが
三フッ化窒素であることを特徴とする（７）に記載のプ
リント回路基板の加工方法であり、（１０）プラズマを
生起させる方法が１０乃至１００ＭＨｚの高周波電源を
用いることを特徴とする（１）乃至（９）のいずれかに
記載のプリント回路基板の加工方法であり、および（１
１）高周波電源とは独立に、高周波電圧に負の直流電圧
を印加することを特徴とする（１０）に記載のプリント
回路基板の加工方法である。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の回路基板は、導電層であ
る銅箔と絶縁層である樹脂層を交互に積層した回路基板
である。銅箔と銅箔に挟まれた絶縁層として、複数の種
類の樹脂の層を積層する。本発明は、かかる回路基板で
あれば、何れの回路基板にも適応できる。なかんずく優
れた耐熱性、電気的特性等を有するポリイミドを該樹脂
として用いた、多層回路基板に好適に用いることができ
る。

【００２２】絶縁層のエッチングに、従来用いられてき
たウエット法と遜色のない程度のエッチング速度を得る
ことが工業的には重要である。その為にはプリント回路
基板を加熱すること、酸素系ガスとフッ素系化合物ガス
の混合ガスによるプラズマを用いること、が有効な手段
である。

【００２３】エッチングは物理的反応ではなくむしろ化
学的反応で進行することを考えると、加熱下に行うこと
が反応速度を向上させる上で必要であり、特に絶縁層の
ガラス転移温度付近に加熱して行うのが最も反応性が高
い。ポリマーの種類により最適な温度Ｔは異なる。例え
ばＴｇが１５０℃以上の耐熱性を有するポリマーの場
合、そのポリマーのガラス転移温度をＴｇとする。（Ｔ
ｇ−１００）℃≦Ｔ≦（Ｔｇ＋１００）℃で行えば、室
温で行った場合よりも高いエッチング速度が得られるこ
と、このエッチング速度はＴｇ付近の温度、つまり（Ｔ
ｇ−５０）℃≦Ｔ≦Ｔｇ℃の温度雰囲気中で更に高くな
る。

【００２４】Ｔｇよりも高い温度ではポリマーの熱物性
が大きく変化し、エッチング後の回路基板の不良をもた
らすことがある。従って、本発明において絶縁層として
異なる種類の樹脂の積層体を用いる場合、これら樹脂の
内、Ｔｇが最も低いものをＴｇ１とすると、エッチング
を行う雰囲気の温度Ｔは、（Ｔｇ１−１００）℃≦Ｔ≦
（Ｔｇ１＋１００）℃、好ましくは（Ｔｇ１−５０）℃
≦Ｔ≦Ｔｇ１℃である。

【００２５】更に、エッチング種として酸素ガスの他に
フッ素系化合物ガス、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ₃）
ガスやフッ素（Ｆ₂）ガスを添加した系が良いこと、つ
まり酸素ガスにこれらのガスを添加した系は高速エッチ
ングに効果的である。これらのガスの添加が効果的であ
る理由は一般的にエッチング種として用いられているＣ
Ｆ₄等のフッ素系化合物ガスに比べ、Ｆ−Ｆ結合やＮ−
Ｆ結合はＣ−Ｆ結合より結合エネルギーが低く、プラズ
マ中で容易にフッ素イオンやＮＦｘイオン、ラジカルに
なり易いためである。

【００２６】本発明において回路基板の絶縁層としての
ポリマーは特に限定されるわけではないが、現在は耐熱
性樹脂であるポリイミド系の樹脂を用いる場合が多い。
ポリイミド層として具体的な例を示すとすれば、カプト
ン、ユーピレックス、アピカル等の商品名で、市場で入
手できるポリイミドフィルムである。さらに、ピロメリ
ット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイド
ロフランジフタル酸無水物等の酸無水物とメトキシジア
ミノベンゼン、４，４’ーオキシジアニリン、３，４’
オキシジアニリン、３，３’オキシジアニリン、ビスジ
アニリノメタン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフ
ェノキシベンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼ
ン、ｍ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−
アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノ
キシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼ
ン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェ
ノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジル
スルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルスルホ
ン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビ
スアミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフ
ェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスア
ミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−
ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパ
ン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−
ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミ
ノフェノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキ
シベンジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベン
ジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミ
ン、ジケトンジアミン等のアミンと反応、イミド化して
形成されるポリイミドも本発明に効果的に用いることが
できる。

【００２７】この中でも特に芳香族テトラカルボン酸と
芳香族ジアミンを反応させたポリイミドにおいて、芳香
族テトラカルボン酸の構造体が、前述の式（１）、式
（２）、式（３）および式（４）の内の少なくとも１
種、芳香族ジアミンの構造が、式（５）、式（６）、式
（７）、式（８）および式（９）の内の少なくとも１種
からなるものが、プリント回路基板の絶縁層として良く
用いられており、本発明において効果的に用いられる。
ここで言う各構造体の少なくとも１種類とは、例えば式
（１）と式（５）を構造単位とするポリイミドにおい
て、芳香族テトラカルボン酸が、式（１）と、式（２）
または式（３）の構造体を一定の割合で含むもの、或い
は芳香族ジアミンが、式（５）と、式（６）、式
（７）、または式（８）を一定の割合で含むものでいわ
ゆるブロックポリマーをさす。

【００２８】絶縁層の厚みは特に限定はされないが、回
路基板の絶縁層としての役割を考えると、余り薄すぎて
は絶縁性が保たれ難く、また厚すぎるとエッチング加工
に時間を要するばかりか、コスト増、その他性能面でも
問題が生じる。従って、１つの絶縁層（複数の絶縁層を
積層した状態で）としての厚みは５〜５００μｍ程度、
好ましくは１０〜１００μｍ程度である。

【００２９】このようなポリイミド系の樹脂を中心とし
た、複数の異なる種類の樹脂からなる、絶縁層を有する
回路基板を、プラズマを用いてドライエッチングするに
際し、絶縁層を構成する樹脂のうちＴｇが最も低いもの
に近い温度雰囲気下、より具体的には、例えば、Ｔｇが
約２５０℃と３５０℃のポリイミドを積層した絶縁層の
場合、Ｔｇ１は２５０℃であるから、１５０℃〜３５０
℃の範囲、好ましくは２００℃〜２５０℃の範囲でエッ
チングを行うと速度が飛躍的に向上する。

【００３０】エッチングガスの添加量は、酸素ガスに対
して５〜９０ vol％、好ましくは１０〜５０ vol％程度
である。また、本発明において、プラズマを生起させる
のに用いる電源としては、高周波電源が好ましく、その
周波数は１０ｋＨｚ〜１０００ＭＨｚ、好ましくは１０
ＭＨｚ〜１００ＭＨｚであるが、電波法上および取扱い
上１３．５６ＭＨｚ或いは２７ＭＨｚが好適に用いられ
る。特にこの範囲の周波数がプラズマ中でのイオン、ラ
ジカルの運動性を制御する上で好ましいためである。更
に前記した高周波電源とは独立に、高周波に負の直流成
分を印加することは、イオンポテンシャルを制御し、イ
オンによる選択的エッチング性を制御するのに有効な手
段である。

【００３１】本発明においては、少なくとも、（ａ）回
路基板の導入手段、その保持手段、その排出手段を具備
した、プラズマ処理を行うプラズマ処理室、（ｂ）電力
印加装置、（ｃ）真空排気手段、（ｄ）基板加熱及び温
度制御手段を備えたドライエッチング装置であればよ
い。更に、エッチング工程の効率を向上させる為には
（ｅ）基板ホルダー上に設置された回路基板を搬入する
為の搬入室、（ｆ）搬出する為の搬出室、ならびに
（ｇ）搬入室からプラズマ処理室、プラズマ処理室から
搬出室へ基板ホルダーを搬送する為の搬送機構、をも備
えた装置を用いるのが良い。これは、プラズマ処理を連
続的に行なう場合、処理室は高真空である為、予めある
程度の真空を保ったチャンバー内に回路基板を保持させ
ておき、そこからエッチング処理を行う処理室へ回路基
板を搬送させた方が高真空になるまでの時間を短縮でき
るからである。ここで言う予備室とは、この予めある程
度の真空を保ったチャンバーで（ｅ）搬入室と（ｆ）搬
出室のことを指す。

【００３２】また、本発明におけるプラズマ処理装置の
操作圧力は、プラズマ処理室はプラズマが生起可能な圧
力であれば特に限定はされない。例えば０．１３〜１，
３３０Ｐａ、好ましくは１．３〜２７０Ｐａ程度であ
る。また、搬入室と搬出室の操作圧力はプラズマ処理室
の圧力よりも高い圧力、例えば１．３〜１３，３００Ｐ
ａ、好ましくは１３〜１，３３０Ｐａ程度である。搬入
室と搬出室の圧力が高いのは、プラズマ処理室を真空に
引く為の時間を節約する為であり、前記した圧力から大
気開放、大気から前記した圧力に真空引きを行って操作
する。尚、プラズマ処理室の圧力のコントロールは、搬
入室との間のゲートバルブ開放時に室内の圧力が上昇す
るので、プラズマ生起圧力まで真空引きを行い、一方、
搬出室との間のゲートバルブ開放時に再び室内の圧力が
上昇するので、プラズマ生起圧力まで真空引きを行うこ
とによって行われる。以下、平行平板型のＲＦ電極を用
いた場合の連続処理装置を例に、より具体的に説明す
る。

【００３３】プラズマ処理室１１は、１３．５６ＭＨｚ
の平行平板型高周波電極（ＲＦ電源を含む電極）６１
と、それとは独立にＲＦ電極６１に直流電圧を印加でき
るローパスフィルター６２とおよび、対向電極７１（接
地）を有する。該プラズマ処理室１１にベローバルブ付
きフランジ８１、８１’、部屋を仕切るゲートバルブ８
２、８２’を取り付け、次いで基板搬入室２１、基板搬
出室２２を連結する。尚、プラズマ処理室１１と電極６
１、７１には温度制御、加熱ができるようヒーターが取
り付けてある。また、基板搬入室２１とプラズマ処理室
１１との間の基板の搬入手段及び、基板搬出室２２とプ
ラズマ処理室１１との間の基板の搬出手段として搬送用
のアーム４１、４１’がそれぞれ設置されている。搬送
用アーム４１、４１’の先端は基板ホルダー３１を載せ
られるようにフォーク状になっている。基板搬入室２
１、基板搬出室２２には、大気開放できるように、リー
クバルブが備え付けられている。また、プラズマ処理室
１１には、内部を真空にできるように、ロータリーポン
プ１２、更に高い真空度を達成できるようにメカニカル
ブースターポンプ１３が連結されている。また基板搬入
室２１及び搬出室２２にも、内部が真空に保てるよう
に、ロータリーポンプ１２’、１２”がそれぞれ備え付
けられている。また、プラズマ処理室１１にはエッチン
グに用いるガスライン１４（酸素及びＮＦ₃他）が連結
されている。

【００３４】プラズマエッチング法として、まず回路基
板５１を基板ホルダー３１に設置する。その後、回路基
板５１及び基板ホルダー３１を、基板搬入室２１内の基
板搬送用アーム４１の先端（フォーク状構造）に設置
し、基板搬入室２１の蓋を閉じ、真空引きを行う。真空
度がプラズマ処理室１１と同等かやや高い圧力に達する
とゲートバルブ８２が開く。ゲートバルブ８２が開いた
後、基板５１を載せた基板ホルダー３１をプラズマ処理
室１１に搬入し、電極６１上に設置する。その後、搬送
用アーム４１は基板搬入室へ戻り、ゲートバルブ８２を
閉じる。プラズマ処理室１１にはガスライン１４を通し
てガスが流れ、一定時間プラズマが生起される。この
時、基板搬入室２１は大気開放されているので、新たに
基板５１を載せた基板ホルダー３１をセットすることが
できる。一定時間のプラズマ処理（エッチング）が終了
した後、基板搬出室２２の真空度がプラズマ処理室１１
と同等かやや高い圧力に達するとゲートバルブ８２’が
開く。ゲートバルブ８２が開いた後、基板搬出室２２に
あった搬送用アーム４１’が基板５１を載せた基板ホル
ダー３１をプラズマ処理室１１から基板搬出室２２へ搬
出し、ゲートバルブ８２’は閉じる。基板搬出室２２は
大気開放され、大気圧に戻れば基板５１並びに基板ホル
ダー３１を取り出す。この時、基板搬入室２１にある基
板ホルダー３１にセットされた新たな基板５１は、ゲー
トバルブ８２が開放された後、プラズマ処理室１１へ搬
送される。このようにして搬送、プラズマ処理を繰り返
すことで、連続的にかつ高速で回路基板のエッチングが
行われる。なお、本装置の例では、ＲＦ電極上に回路基
板を設置してエッチングしているが、電極の設置場所を
換え、対向電極上に基板を設置して行っても良い。この
ような装置の模式図を図１に示す。

【００３５】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。ポリイミドの構造が、前記式（１０）、式
（１１）、式（１２）で示されるものからなるフィルム
を、接着性ポリイミドＰＩ−Ａを用いて、貼り合わせた
場合について示す。

【００３６】実施例１厚さ１８μｍ、０．３ｍｍφの孔径を有する銅薄膜と、
熱可塑性ポリイミドフィルム（商品名：レグルス，厚さ
１２．５μｍ，Ｔｇ＝２７０℃、三井化学株式会社製）
の両面に、熱可塑性の接着性ポリイミドＰＩ−Ａ（三井
化学株式会社製：厚さ３μｍ、Ｔｇ＝約２００℃）を塗
布し、更にその片面上にポリイミドフィルム（商品名：
カプトンＨ，厚さ１２．５μｍ，Ｔｇ＝約４２０℃、東
レ−デュポン社製）とＰＩ−Ａを積層して得られた、ポ
リイミド層とおよび、厚さ２ｍｍの銅板とをプレスによ
り張り合わせた、銅板／ポリイミド／銅薄膜からなる積
層体を回路基板とした（構成は図２参照；ウエット法で
はカプトンＨよりもレグルスの方がエッチングされ難
い）。酸素ガスとＮＦ₃の混合ガス（組成比は８０：２
０）を用いて、図１に記載のプラズマエッチング装置
（但し、ローパスフィルター６２による直流電圧の印加
は行わなかった）によりエッチングを行った。エッチン
グ条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力１３．３ＰａＲＦ電極パワー４００Ｗ温度２００ ℃ （処理室）

【００３７】実施例２厚さ１８μｍ、０．３ｍｍφの孔径を有する銅薄膜と、
ポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックスＳ，厚さ
１２．５μｍ，Ｔｇ＝３５９℃、宇部興産社製）の両面
に、熱可塑性の接着性ポリイミドＰＩ−Ａ（三井化学株
式会社製：厚さ３μｍ、Ｔｇ＝約２００℃）を塗布し、
更にその片面上に、ポリイミドフィルム（商品名：カプ
トンＨ，厚さ１２．５μｍ，Ｔｇ＝約４２０℃、東レ−
デュポン社製）とＰＩ−Ａを積層して得られた、ポリイ
ミド層とおよび、厚さ２ｍｍの銅板とをプレスにより張
り合わせた、銅板／ポリイミド／銅薄膜からなる積層体
を回路基板とした（構成は図３参照；ウエット法ではユ
ーピレックスＳの方がカプトンＨよりもエッチングされ
難い）。酸素ガスとＦ₂の混合ガス（組成比は８０：２
０）を用いて、図１に記載のプラズマエッチング装置
（但し、ローパスフィルター６２により−３００Ｖの負
の直流電圧の印加を行った）によりエッチングを行っ
た。エッチング条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／Ｆ₂ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー４００Ｗ直流電圧 −３００Ｖ温度１８０ ℃ （処理室）

【００３８】実施例３図１において１３．５６ＭＨｚの高周波電源に換えて２
７ＭＨｚの高周波電源を用いた以外は、実施例１と同様
な条件でエッチングを行った。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力１３．３ＰａＲＦ電極パワー４００Ｗ温度２００ ℃ （処理室）

【００３９】比較例１実施例１記載の回路基板を用いて、ヒドラジン溶液によ
りエッチングを行った。

【００４０】比較例２実施例１記載の回路基板を用いた。実施例１と同様にし
てエッチングを行った。但し、処理室の温度は室温（約
２０℃）に一定にして行った。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー４００Ｗ温度２０ ℃ （処理室）

【００４１】試験例１実施例１、２、および比較例１、２において、ポリイミ
ド層の孔開けに要した時間を測定し、表１にまとめた。
また、エッチング加工形状についても評価を行ない、異
方性を、＋、−（アスペクト比が３以上で異方性の大き
いものは＋、部分的に等方的（アスペクト比が１に近い
もの）になったものは−）で記した。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【発明の効果】本発明によって、ドライエッチングによ
り、複数の、構造の異なる樹脂の、層を絶縁層とした、
回路基板の孔明け加工法が提供可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】装置の模式図である。

【図２】回路基板の断面図である。

【図３】回路基板の断面図である。

【符号の説明】

１１：プラズマ処理室１２、１２’、１２”：ロータリーポンプ１３：メカニカルブースターポンプ１４：ガスライン２１：基板搬入室２２：基板搬出室３１：基板ホルダー４１、４１’：搬送用アーム５１：回路基板６１：ＲＦ電極６２：直流電圧を印加する為のローパスフィルター７１：対向電極８１、８１’：バルブ付きフランジ８２、８２’：ゲートバルブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森田守次神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電層と導電層との間に形成された、主に
樹脂からなる、絶縁層において、該絶縁層が異なる種類
の樹脂の層を複数積層して構成され、電気的接続をとる
ための樹脂の層の孔開け加工がプラズマを用いて行われ
ることを特徴とするプリント回路基板の加工方法。
【請求項２】樹脂の層のガラス転位温度Ｔｇが少なくと
も１３０℃である耐熱性樹脂からなることを特徴とする
請求項１に記載のプリント回路基板の加工方法。
【請求項３】樹脂が異なる構造のポリイミドからなるこ
とを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のプリ
ント回路基板の加工方法。
【請求項４】芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン
を反応させたポリイミドにおいて、芳香族テトラカルボ
ン酸の構造体が、式（１）〔化１〕、式（２）〔化
２〕、式（３）〔化３〕および式（４）〔化４〕の内の
少なくとも１種、芳香族ジアミンの構造体が、式（５）
〔化５〕、式（６）〔化６〕、式（７）〔化７〕、式
（８）〔化８〕および式（９）〔化９〕の内の少なくと
も１種からなることを特徴とする請求項３に記載のプリ
ント回路基板の加工方法。【化１】【化２】【化３】【化４】【化５】【化６】【化７】【化８】【化９】
【請求項５】ポリイミドの構造体が、式（１０）〔化１
０〕、式（１１）〔化１１〕および式（１２）〔化１
２〕の内少なくとも２種を組み合わせたものであること
を特徴とする請求項４に記載のプリント回路基板の加工
方法。【化１０】【化１１】【化１２】
【請求項６】樹脂の層の樹脂のＴｇの内最も低いものを
Ｔｇ１とし、孔開けを行う雰囲気の温度Ｔを、（Ｔｇ
１−１００）℃≦Ｔ≦（Ｔｇ１＋１００）℃の範囲に制
御してプラズマ加工することを特徴とする請求項１乃至
５のいずれかに記載のプリント回路基板の加工方法。
【請求項７】プラズマを生起させるのに用いるガスが、
酸素とフッ素系化合物ガスの混合ガスであることを特徴
とする請求項１乃至６のいずれかに記載のプリント回路
基板の加工方法。
【請求項８】フッ素系化合物ガスがフッ素であることを
特徴とする請求項７に記載のプリント回路基板の加工方
法。
【請求項９】フッ素系化合物ガスが三フッ化窒素である
ことを特徴とする請求項７に記載のプリント回路基板の
加工方法。
【請求項１０】プラズマを生起させる方法が１０乃至１
００ＭＨｚの高周波電源を用いることを特徴とする請求
項１乃至９のいずれかに記載のプリント回路基板の加工
方法。
【請求項１１】高周波電源とは独立に、高周波電圧に負
の直流電圧を印加することを特徴とする請求項１０に記
載のプリント回路基板の加工方法。