JPH11273870A

JPH11273870A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH11273870A
Application number: JP10095274A
Authority: JP
Inventors: Michio Arai; 三千男荒井
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-03-24
Filing date: 1998-03-24
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】コントラスト比や視認性を向上させ、低コス
ト化を実現しうる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】ホール注入電極と電子注入電極と、これ
らの電極間に１種以上の有機層とを有し、前記ホール注
入電極の周囲に形成されている層間絶縁層および／また
は素子分離構造体の基部を黒色とした有機ＥＬ素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示パネル、
自動車用の計器パネル、動画・静止画を表示させるディ
スプレイ等、家電製品、自動車、二輪車等の電装品に使
用され、有機化合物を用いて構成された有機ＥＬ素子の
構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究され、
実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入電極）上にトリ
フェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸
着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａ
ｌｑ3 ）などの蛍光物質を発光層として積層し、さらに
Ｍｇなどの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）
を形成した基本構成を有する素子で、１０V 前後の電圧
で数１００から数１００００cd/m² ときわめて高い輝度
が得られることで、家電製品、自動車、二輪車電装品等
のディスプレイとして注目されている。

【０００３】このような有機ＥＬ素子を用いてディスプ
レイ等を構成する場合、画質の向上を図ることが一つの
大きな課題となる。画質を左右する要素として、発光輝
度、発光波長等、直接発光機能に関わるものの他にコン
トラストや見やすさといった間接的な内容のものがあ
る。コントラストや見やすさを向上させる試みも種々な
されており、防眩フィルターを設けたり、ブラックマト
リクスと称する黒色フィルター層を設けるなどの工夫も
なされている。しかしながら、これら防眩フィルターや
ブラックマトリクス等を用いたディスプレイでもコント
ラストや見やすさを向上させるための要請は強く、素子
のさらなる改善が望まれていた。

【０００４】また、素子単体である程度のコントラスト
比や見やすさを備えたものであれば、使用目的によって
は防眩フィルターやブラックマトリクス等を用いること
なくそのまま使用することができ、コストを削減するこ
とができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
トラスト比や視認性を向上させた有機ＥＬ素子を提供す
ることである。また、低コスト化を実現しうる有機ＥＬ
素子を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の構成に
より達成される。（１）ホール注入電極と電子注入電極と、これらの電
極間に１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極
の周囲に形成されている層間絶縁層および／または素子
分離構造体の基部を黒色とした有機ＥＬ素子。（２）前記層間絶縁層および／または素子分離構造体
の基部は、酸化第１鉄、シリコンまたはアモルファス状
態の炭素を有する上記（１）の有機ＥＬ素子。（３）前記層間絶縁層および／または素子分離構造体
の基部は、ポリイミドとカーボンとを有する上記（１）
の有機ＥＬ素子。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子は、ホール
注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に１種以上
の有機層とを有し、前記ホール注入電極の周囲に形成さ
れている層間絶縁層および／または素子分離構造体の基
部を黒色としたものである。このように、層間絶縁層お
よび／または素子分離構造体の基部を黒色とすることに
より、外部から視認可能な非発光領域を黒色とすること
となり、コントラスト比が向上したり、見やすくなった
りする。

【０００８】また、好ましくは層間絶縁層および／また
は素子分離構造体の基部は、ＦｅＯまたはＳｉを有する
か、あるいはポリイミドとアモルファス状態の炭素とを
有することが好ましい。これらの材料を有することで黒
色とすることができる。

【０００９】有機ＥＬ素子はその基本構成として、例え
ば図１に示すように、基板１上にＩＴＯ等のホール注入
電極２と、その周囲に層間絶縁層３とを有する。さら
に、この層間絶縁層３上であってホール注入電極２の周
囲には、素子分離構造体７が設けられている。この素子
分離構造体７で仕切られた領域のホール注入電極２上に
は、さらに有機層４と電子注入電極５とが積層され、こ
れらにより、有機ＥＬ素子が形成されている。なお、素
子分離構造体７は、基部７ｂとこの基部７ｂ上に形成さ
れたオーバーハング部７ａとを有し、オーバーハング部
７ａによりホール注入電極２上に積層される有機層４や
電子注入電極層５を規制すると共に、全体で素子内の特
定の領域を分割ないし分離するようになっている。

【００１０】また、有機ＥＬ素子は上記で説明した構造
物以外にも、例えばホール注入電極の保護電極や、電子
注入電極の配線電極、補助電極等が必要により形成され
るが、説明を簡単にするため、上記図示例ではこれらを
省略している。有機層はホール注入輸送層、発光層、電
子注入輸送層等、発光に必要な機能を備えた１種以上の
有機層からなっている。

【００１１】電子注入電極は、通常、金属である。この
ため、基板側からホール注入電極、層間絶縁層、有機層
等を介して入射してくる外部光を反射し、コントラスト
比や視認性を低下させる要因となる。そこで、層間絶縁
層および／または素子分離構造体の基部を黒色とするこ
とで、少なくとも発光に寄与しない領域の一部、つまり
非発光部の一部を黒化させ、非発光部からの反射光を抑
制し、コントラスト比や視認性を向上させる。また、非
発光部が黒くなることで直接的に視認性を向上させた
り、画質を向上させたりする効果もある。

【００１２】層間絶縁層および／または素子分離構造体
の基部を黒色とさせる手段としては、これらを黒色ない
し比較的黒色に近い材質のもので形成したり、黒色ない
し比較的黒色に近い材料を添加した材質で形成したりす
ればよい。これらの材質は完全な黒色である必要はな
く、入射光あるいは反射光を減衰させるのに必要な程度
の暗色であればよい。黒色とするのは層間絶縁層、素子
分離構造体いずれか一方であってもよく、両方を黒色と
してもよい。黒色としては、白色光に対し、波長４００
〜７００nmにおいて、好ましくは５０％以下、より好ま
しくは４０％以下の反射率であるものが好ましい。

【００１３】このような材質として、酸化第１鉄（Ｆｅ
Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、アモルファス状態の炭素また
はポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂、特にポ
リイミド樹脂にカーボン、つまりカーボンブラックを添
加したもの等を好ましく挙げることができる。酸化第１
鉄は、一般にＦｅＯの化学量論組成で存在することは困
難であり、通常、Ｆｅ_xＯとしたとき、ｘ＝０．９１〜
０．９５程度である。これらの材質は、層間絶縁層、素
子分離構造体の基部のいずれにも用いることができ
る。。

【００１４】有機樹脂に対するカーボンブラックの添加
量は、好ましくは１０〜５０ mol％、より好ましくは３
０〜４０ mol％である。また、カーボンブラックの１次
粒径は、通常、１〜５００nm程度、特に１０〜１００nm
程度である。

【００１５】酸化第１鉄（ＦｅＯ）、シリコン（Ｓ
ｉ）、アモルファス状態の炭素により層間絶縁層および
／または素子分離構造体の基部を形成する場合、スパッ
タ法を用いることが好ましい。これらの各層は、マスク
やフォトリソグラフィー等により、所定のパターンに形
成することができる。

【００１６】層間絶縁層のみを黒色とし、素子分離構造
体を通常のまま使用する場合、素子分離構造体を構成す
る材料としては、特に限定されるものではなく、ホール
注入電極や層間絶縁層上に形成され、さらにその上に有
機層、電子注入電極等が積層されることから、これらの
構造膜と干渉しない材料であって、分離された各素子間
とが電気的に接続されない材料であることが好ましい。
また、基部とオーバーハング部とは、同一材料であって
も異なる材料を用いて形成してもよいが、それぞれ異な
る材料を用いるとオーバーハング形状が得られ易く好ま
しい。

【００１７】層間絶縁層は、黒色化しない場合には上記
材質に限定されるものではなく、ＳｉＯ₂ 等の酸化ケイ
素、窒化ケイ素、ＦｅＯ等の無機系材料をスパッタや真
空蒸着で成膜したもの、ＳＯＧ（スピン・オン・グラ
ス）で形成した酸化ケイ素層、フォトレジスト、ポリイ
ミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁
性を有するものであればいずれであってもよい。ただ
し、絶縁層の下側にはＩＴＯ等のホール注入電極（いわ
ゆる逆積層では電子注入電極）が存在するので、絶縁層
形状にパターニングする際に電極へダメージを与えない
ようなパターニングが可能な材料を用いることが好まし
い。このような好ましい層間絶縁層材として、例えばポ
リイミドが挙げられる。

【００１８】層間絶縁層の膜厚は、５０〜７５０nm程度
が好ましい。層間絶縁層の膜厚が薄すぎると本発明の効
果が得難くなる。また、厚すぎると有機層、電子注入電
極および補助電極等に段切れ（段部、特に層間絶縁層縁
部から発光部の中央部分に向かう部分等での成膜時ない
し成膜後に生じる膜の不連続部分）が生じる場合があ
る。層間絶縁層の形成領域は、通常、ホール注入電極の
周囲に形成される。層間絶縁層は、発光領域の大きさ
や、発光パターンなどにより必要な成膜領域が決定さ
れ、特に規制されるものではないが、一般に、電極上で
５〜５０μm の幅、基板上で５〜５０μm の幅に成膜さ
れる。

【００１９】層間絶縁層をスパッタ法で成膜する場合、
特に限定されるものではないが、ＲＦスパッタやＤＣス
パッタが好ましい。その投入電力としては、ＤＣスパッ
タ装置では、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に
０．５〜７Ｗ／cm²の範囲である。また、成膜レートは
５〜１００nm／min 、特に１０〜５０nm／min の範囲が
好ましい。また、ＲＦスパッタでは、、ＲＦ帯域の高周
波を供給しうる電源を有するものであれば特に限定され
るものではないが、通常、周波数：１３．５６ＭHz、投
入電力：１００〜５００Ｗ程度である。

【００２０】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。スパッ
タガス圧力は、ＲＦスパッタで好ましくは０．３〜３．
０Pa、より好ましくは０．５〜１．０Pa程度である。ま
た、ＤＣスパッタで、０．１〜２０Pa程度である。

【００２１】フォトレジスト、ポリイミド、アクリル樹
脂などの樹脂系材料を用いる場合、通常の塗布、スピン
コート、ディッピング等により設けることができる。

【００２２】層間絶縁層を所定のパターンに形成するリ
ソグラフィ工程は、通常、上記のような無機系材料が成
膜された基板や、有機高分子の溶液が塗布等された基板
にレジスト塗布し、このレジスト膜に電子線、紫外線、
Ｘ線等を照射して露光した後、適当なアルカリ液で現像
を行う。次いで、層間絶縁層のエッチングを施し、その
後レジストを除去する。レジスト膜の膜厚としては、通
常１〜２μm 程度である。

【００２３】すなわち、上記のレジスト膜を所定のパタ
ーンに露光する。露光に用いられるのは、電子線、紫外
線、Ｘ線等が挙げられ、照射は通常の方法に従えばよ
い。また描画は用いる電子線、紫外線等に応じて、マス
クを用いるなど、適宜所定の方法を選択すればよい。そ
の後、プレベークを行い、アルカリ液を用いて現像す
る。

【００２４】レジストがネガ形である場合、未露光部分
のレジスト膜が溶解除去され、その部分の基板や下地が
露出する。その後ポストベークを行う。

【００２５】現像後、基板に残ったレジスト膜を保護膜
として、基板をエッチングする。エッチングは、化学エ
ッチング液を用いる湿式エッチングでもプラズマや加速
イオンを用いるドライエッチングでもよい。湿式エッチ
ングに用いる化学エッチング液は基板の材質に応じて適
宜選択すればよく、Ｈ₂Ｏ：ＨＦ：ＣＨ₃ＣＯＯＨ＝５：
１：１０等の他、ＨＦ液、ＮＨ₄ Ｆ／ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合
液等が挙げられる。

【００２６】また、ドライエッチングとして汎用されて
いるプラズマエッチングに用いるプラズマガスは、被着
体の材質に応じて適宜選択すればよく、ＳＦ₆ 、ＣＨＢ
ｒ₃、ＣＦ₄ 等が挙げられる。

【００２７】エッチングの具体的方法、条件等について
は、常法に従えばよい。そして、エッチング終了後、レ
ジスト膜が除去される。

【００２８】素子分離構造体の基部の形成に用いられる
材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機
樹脂膜、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ_x 、ａ−Ｓｉ、ＳＯＧ（Spin
onGlass ）等の無機絶縁膜、Ａｌ等の容易に膜厚を厚
くすることが可能で応力が小さい金属薄膜等が挙げら
れ、好ましくは、ポリイミド樹脂、ＳｉＯ₂ 、ＳＯＧ、
Ａｌ等である。オーバーハング部の形成に用いられる材
料としては、感光性を有するものが好ましく、例えばフ
ォトレジスト、感光性ポリイミド、あるいは、ＳｉＯ
₂ 、ＳｉＮ_x 、Ａｌ₂Ｏ₃ 、ＣｒＯ_X 、ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ等の堅い絶縁膜や半導体膜、あるいはＣｒ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＺｎＯ，ＩＴＯ等の導電
性薄膜が使用可能であり、さらに絶縁膜や半導体膜、導
電性薄膜の上に感光性の膜が積層されたもの等が挙げら
れ、好ましくは、フォトレジスト、ＳｉＯ₂ 、Ｃｒ、Ｔ
ｉ等である。

【００２９】基部の大きさとしては、特に限定されるも
のではないが、通常幅１μm 以上であれば十分に基部と
しての機能は果たすが、特に５μm 以上が好ましく、高
さ（膜厚）は０．２μm 以上、特に０．５〜１０μm 程
度が好ましい。また、オーバーハング部の大きさとして
は、特に限定されるものではないが、通常基部の膜厚の
１／２と同程度以上のオーバーハング長を有するような
構造とすることが好ましい。高さ（膜厚）は０．１〜１
０μm 、特に０．２〜５μm 程度が好ましい。これらを
合わせた高さは、１〜２０μm 、特に０．７〜１０μm
程度が好ましい。

【００３０】素子分離構造体を形成するには、先ず、ホ
ール注入電極、層間絶縁層等が形成された基板上に、上
記基部の材料よりなる基部層を、好ましくは樹脂膜やＳ
ＯＧ膜はスピンコート法やロールコート法で、絶縁膜や
半導体膜はスパッタ法やＣＶＤ法で、金属膜は蒸着法等
により形成し、さらに、上記同様に、基部層上に感光性
を有するオーバーハング部層を形成する。このオーバー
ハング部層を露光、現像してパターニングすると同時、
またはその後に、前記基部層をエッチングし、かつこの
基部層がオーバーハング部層より小さくなるようにオー
バーエッチングさせてオーバーハング体とすればよい。
基部の形成にスパッタ法を用いる場合、その条件等は上
記層間絶縁層と同様である。また、基部やオーバーハン
グ部を樹脂等で形成する際の形成方法は、上記層間絶縁
層で説明したフォトレジストの手法等に準じればよい。

【００３１】本発明の有機ＥＬ素子は、マトリクスタイ
プのディスプレイやセグメントタイプのディスプレイ
等、種々の有機ＥＬ素子を用いたディスプレイに応用す
ることができる。

【００３２】次に、本発明の有機ＥＬ素子を構成する有
機ＥＬ構造体について説明する。

【００３３】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸
化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂Ｏ₃ 等が挙げられる
が、好ましくはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、Ｉ
ＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）が好ましい。ＩＴＯ
は、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯとを化学量論組成で含有す
るが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。

【００３４】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００３５】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。

【００３６】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：１〜２０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４
at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・
Ｃａ（Ｃａ：５〜２０at％）等が好ましい。なお、電子
注入電極は蒸着法やスパッタ法で形成することが可能で
ある。

【００３７】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．１nm以上、
好ましくは１nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は１〜５００nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。

【００３８】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらには１００nm以上、特に１００〜１０００nmの
範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。

【００３９】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常１００〜１００
０nm程度とすればよい。

【００４０】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、Ｓ
ｉＯ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は、前記の
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、ＰＥＣＶＤ法等により形成すればよい。

【００４１】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために、素子上に封止層を形成することが好ましい。封
止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層を用い
て、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ａｒ、Ｈ
ｅ、Ｎ₂等の不活性ガス等が好ましい。また、この封止
ガスの水分含有量は、１００ｐｐｍ以下、より好ましく
は１０ｐｐｍ以下、特には１ｐｐｍ以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
０．１ｐｐｍ程度である。

【００４２】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、アルカリガラスが好ましいが、この
他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものも好ましい。また、その製板方法として
は、ロールアウト法、ダウンロード法、フュージョン
法、フロート法等が好ましい。ガラス材の表面処理法と
しては、研磨加工処理、ＳｉＯ₂バリヤーコート処理等
が好ましい。これらの中でも、フロート法で製板された
ソーダ石灰ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に
使用でき、好ましい。封止板としては、ガラス板以外に
も、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。

【００４３】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
１〜２０μm 、より好ましくは１〜１０μm 、特に２〜
８μm が好ましい。このような直径のものは、粒長１０
０μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常１μm程度である。

【００４４】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に２〜８μm の範囲が好ましい。

【００４５】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは０．０１
〜３０wt％、より好ましくは０．１〜５wt％である。

【００４６】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。

【００４７】基板材料としては特に限定するものではな
く、積層する有機ＥＬ構造体の電極の材質等により適宜
決めることができ、例えば、Ａｌ等の金属材料や、ガラ
ス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不
透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂な
どを用いることができる。

【００４８】次に、有機ＥＬ素子に設けられる有機物層
について述べる。発光層は、ホール（正孔）および電子
の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合
により励起子を生成させる機能を有する。発光層には、
比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好
ましい。

【００４９】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を容易にす
る機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げ
る機能を有するものである。これらの層は、発光層に注
入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００５０】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００５１】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。

【００５２】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６９号
のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４４５
６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることがで
きる。

【００５３】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．
１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００５４】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００５５】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００５６】また、８−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００５７】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００５８】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００５９】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００６０】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。

【００６１】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００６２】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００６３】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００６４】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００６５】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００６６】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００６７】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００６８】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９
４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４
６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平
５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物（トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用
してもよい。２種以上を併用するときは、別層にして積
層したり、混合したりすればよい。

【００６９】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、陽電極表面には薄膜性の良好
な化合物を用いることが好ましい。このような積層順に
ついては、ホール注入輸送層を２層以上設けるときも同
様である。このような積層順とすることによって、駆動
電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発
生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、
蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜も均一か
つピンホールフリーとすることができるため、ホール注
入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収を
もつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸
収による効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸
送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着すること
により形成することができる。

【００７０】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によれ
ばよい。

【００７１】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００７２】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【００７３】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００７４】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００７５】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００７６】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００７７】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【００７８】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、ＩＴＯ、ＩＺＯの成膜時にダメージを受けな
いような材料が好ましい。

【００７９】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００８０】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。

【００８１】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００８２】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００８３】有機ＥＬ素子は、直流駆動やパルス駆動さ
れ、印加電圧は、通常、２〜２０V程度である。

【００８４】

【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。＜実施例１＞ガラス基板をＤＣスパッタ装置内に配置
し、錫ドープ酸化インジウム焼結体（ＳｎＯ：１０wt
％）をターゲットとして、ＩＴＯ電極を１００nm成膜し
た。このときの成膜条件は、投入電力１００Ｗ、スパッ
タ時の圧力０．５Pa、スパッタガスはＡｒ＋１％Ｏ₂ で
あった。

【００８５】ＩＴＯからなるホール注入電極が成膜され
た基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し
た。次いで、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した後、層間絶縁膜
を基板全面に形成した。層間絶縁層にはポリイミドにカ
ーボンブラックを添加したものを用いた。ポリイミドは
非感光性の材料を選び、５％程度の濃度にＮＭＰ（N-me
thyl pyrrolidone）で希釈し、これにカーボンブラック
（一次粒径：５０nm）を３０ mol％添加し、よく撹拌・
混合したものをスピンコート法で塗布し、１５０℃で３
０分間、さらに３００℃で１時間ベークした。このとき
の膜厚は２００nmとした。

【００８６】次いで、フォトリソグラフィーによって、
実際の発光部となるホール注入電極を露出させるための
開口を有するパターンを作り、酸素プラズマにより層間
絶縁膜をエッチングした後、レジストを剥離した。

【００８７】次いで、素子分離構造体の基部を形成する
ため、ＩＴＯ透明電極と層間絶縁層が成膜された基板上
に、ポリイミドを２μm の厚さに塗布し、続けてオーバ
ーハング部となるポジレジスト層を３μm の厚さに塗布
し、露光し、現像して素子分離構造体を得た。

【００８８】次いで、有機層と、電子注入電極と、配線
電極とを連続して形成した。なお、保護電極（配線電
極）の形成が終了するまで真空を破らなかった。

【００８９】次いで、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した後、真
空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を１×１０
^-4Pa以下まで減圧した。４，４’，４”−トリス（−Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリ
フェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速度
０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−
１，１’−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を蒸着速度０．
２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とし
た。さらに、減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０.
２nm／sec.で５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・
発光層とした。

【００９０】次いで減圧を保ったまま、このＥＬ素子構
造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパ
ッタ圧力１．０PaにてＡｌＬｉ電子注入電極（Ｌｉ濃
度：６at％）を５０nmの厚さに成膜した。その際スパッ
タガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ターゲッ
トの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は９
０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ素子
基板を他のスパッタ装置に移し、Ａｌターゲットを用い
たＤＣスパッタ法により、スパッタ圧力０．３PaにてＡ
ｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜した。この時スパッ
タガスにはＡｒを用い、投入電力は５００Ｗ、ターゲッ
トの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は９
０mmとした。

【００９１】最後にガラス封止板を貼り合わせ、有機Ｅ
Ｌディスプレイとした。

【００９２】また、比較サンプルとして層間絶縁層を黒
化しないサンプルを作製した。

【００９３】得られた各有機ＥＬディスプレイを、大気
中で直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で１：１００であっ
たのに対し、本発明サンプルは１：５００と向上してい
た。

【００９４】また、スパッタ法によりＦｅＯ、Ｓｉ、α
−Ｃにより層間絶縁層を形成し、黒化した場合にも同等
の結果を得ることができた。

【００９５】＜実施例２＞実施例１において、カーボン
ブラックを添加することなく層間絶縁層を形成した。素
子分離構造体の基部を形成するため、ＩＴＯ透明電極と
層間絶縁層が成膜された基板上に、ポリイミドを２μm
の厚さに塗布した。ポリイミドは非感光性の材料を選
び、５％程度の濃度にＮＭＰ（N-methyl pyrrolidone）
で希釈し、これにカーボンブラック（一次粒径：１００
nm）を３０ mol％添加し、よく撹拌・混合したものをス
ピンコート法で塗布し、１５０℃で３０分間、さらに３
００℃で１時間ベークした。続けてオーバーハング部と
なるポジレジスト層を３μm の厚さに塗布し、露光し、
現像して素子分離構造体を得た。その他は実施例１と同
様にして有機ＥＬディスプレイを作製した。

【００９６】また、比較サンプルとして素子分離構造体
の基部を黒化しないサンプルを作製した。

【００９７】得られた各有機ＥＬディスプレイを、大気
中で直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で１：１００であっ
たのに対し、本発明サンプルは１：４００と向上してい
た。

【００９８】＜実施例３＞実施例２において、素子分離
構造体の基部を形成するため、ＩＴＯ透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるＦｅＯ膜を２μ
m の厚さに成膜した。スパッタ条件として、ＲＦスパッ
タ法を用い、ターゲットはＦｅＯとし、ターゲット−基
板間の距離：８０mm、投入電力：５００Ｗ、成膜時の圧
力０．３Paで、スパッタガスにはアルゴンを５０SCCMの
流量で用いた。

【００９９】次いで、オーバーハング部となるポジレジ
スト層を３μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例１と同様にして有機ＥＬディスプレイを作製した。

【０１００】得られた各有機ＥＬディスプレイを、実施
例２と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。また、基部の材質をＦｅＯからＳｉ（ターゲッ
ト：Ｓｉ、成膜後のＳｉ層はアモルファス状態であっ
た。）に変えた場合にも同様の評価が得られた。

【０１０１】＜実施例４＞実施例２において、素子分離
構造体の基部を形成するため、ＩＴＯ透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるα−Ｃ膜を２μ
m の厚さに成膜、パターニングした。スパッタ条件とし
て、ＤＣスパッタ法を用い、ターゲットはグラファイト
とし、ターゲット−基板間の距離：８０mm、投入電力：
５００Ｗ、成膜時の圧力０．３Paで、スパッタガスには
アルゴンを用い、成膜レート１０nm／min で行った。

【０１０２】次いで、オーバーハング部となるポジレジ
スト層を３μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例１と同様にして有機ＥＬディスプレイを作製した。

【０１０３】得られた各有機ＥＬディスプレイを、実施
例２と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。

【０１０４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、コントラ
スト比や視認性を向上させた有機ＥＬ素子を提供するこ
とである。また、低コスト化を実現しうる有機ＥＬ素子
を提供することである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一構成例を、概念的に
示した断面図である。

【符号の説明】

１基板２ホール注入電極３層間絶縁層４有機層５電子注入電極７素子分離構造体７ａオーバーハング部７ｂ基部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ホール注入電極と電子注入電極と、これ
らの電極間に１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極の周囲に形成されている層間絶縁層
および／または素子分離構造体の基部を黒色とした有機
ＥＬ素子。
【請求項２】前記層間絶縁層および／または素子分離
構造体の基部は、酸化第１鉄、シリコンまたはアモルフ
ァス状態の炭素を有する請求項１の有機ＥＬ素子。
【請求項３】前記層間絶縁層および／または素子分離
構造体の基部は、ポリイミドとカーボンとを有する請求
項１の有機ＥＬ素子。