JPH11273870A - 有機el素子 - Google Patents
有機el素子Info
- Publication number
- JPH11273870A JPH11273870A JP10095274A JP9527498A JPH11273870A JP H11273870 A JPH11273870 A JP H11273870A JP 10095274 A JP10095274 A JP 10095274A JP 9527498 A JP9527498 A JP 9527498A JP H11273870 A JPH11273870 A JP H11273870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- preferable
- insulating layer
- quinolinolato
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 68
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 143
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 44
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 32
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 14
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000002585 base Substances 0.000 description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 9
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 12-phthaloperinone Chemical class C1=CC(N2C(=O)C=3C(=CC=CC=3)C2=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- PSYWRPCLOJXWEN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-phenylphenolate Chemical compound [Al+3].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 PSYWRPCLOJXWEN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methylaniline Chemical group CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007372 rollout process Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラスト比や視認性を向上させ、低コス
ト化を実現しうる有機EL素子を提供する。 【解決手段】 ホール注入電極と電子注入電極と、これ
らの電極間に1種以上の有機層とを有し、前記ホール注
入電極の周囲に形成されている層間絶縁層および/また
は素子分離構造体の基部を黒色とした有機EL素子。
ト化を実現しうる有機EL素子を提供する。 【解決手段】 ホール注入電極と電子注入電極と、これ
らの電極間に1種以上の有機層とを有し、前記ホール注
入電極の周囲に形成されている層間絶縁層および/また
は素子分離構造体の基部を黒色とした有機EL素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示パネル、
自動車用の計器パネル、動画・静止画を表示させるディ
スプレイ等、家電製品、自動車、二輪車等の電装品に使
用され、有機化合物を用いて構成された有機EL素子の
構造に関する。
自動車用の計器パネル、動画・静止画を表示させるディ
スプレイ等、家電製品、自動車、二輪車等の電装品に使
用され、有機化合物を用いて構成された有機EL素子の
構造に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、有機EL素子が盛んに研究され、
実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
(ITO)などの透明電極(ホール注入電極)上にトリ
フェニルジアミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸
着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(A
lq3 )などの蛍光物質を発光層として積層し、さらに
Mgなどの仕事関数の小さな金属電極(電子注入電極)
を形成した基本構成を有する素子で、10V 前後の電圧
で数100から数10000cd/m2 ときわめて高い輝度
が得られることで、家電製品、自動車、二輪車電装品等
のディスプレイとして注目されている。
実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
(ITO)などの透明電極(ホール注入電極)上にトリ
フェニルジアミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸
着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(A
lq3 )などの蛍光物質を発光層として積層し、さらに
Mgなどの仕事関数の小さな金属電極(電子注入電極)
を形成した基本構成を有する素子で、10V 前後の電圧
で数100から数10000cd/m2 ときわめて高い輝度
が得られることで、家電製品、自動車、二輪車電装品等
のディスプレイとして注目されている。
【0003】このような有機EL素子を用いてディスプ
レイ等を構成する場合、画質の向上を図ることが一つの
大きな課題となる。画質を左右する要素として、発光輝
度、発光波長等、直接発光機能に関わるものの他にコン
トラストや見やすさといった間接的な内容のものがあ
る。コントラストや見やすさを向上させる試みも種々な
されており、防眩フィルターを設けたり、ブラックマト
リクスと称する黒色フィルター層を設けるなどの工夫も
なされている。しかしながら、これら防眩フィルターや
ブラックマトリクス等を用いたディスプレイでもコント
ラストや見やすさを向上させるための要請は強く、素子
のさらなる改善が望まれていた。
レイ等を構成する場合、画質の向上を図ることが一つの
大きな課題となる。画質を左右する要素として、発光輝
度、発光波長等、直接発光機能に関わるものの他にコン
トラストや見やすさといった間接的な内容のものがあ
る。コントラストや見やすさを向上させる試みも種々な
されており、防眩フィルターを設けたり、ブラックマト
リクスと称する黒色フィルター層を設けるなどの工夫も
なされている。しかしながら、これら防眩フィルターや
ブラックマトリクス等を用いたディスプレイでもコント
ラストや見やすさを向上させるための要請は強く、素子
のさらなる改善が望まれていた。
【0004】また、素子単体である程度のコントラスト
比や見やすさを備えたものであれば、使用目的によって
は防眩フィルターやブラックマトリクス等を用いること
なくそのまま使用することができ、コストを削減するこ
とができる。
比や見やすさを備えたものであれば、使用目的によって
は防眩フィルターやブラックマトリクス等を用いること
なくそのまま使用することができ、コストを削減するこ
とができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
トラスト比や視認性を向上させた有機EL素子を提供す
ることである。また、低コスト化を実現しうる有機EL
素子を提供することである。
トラスト比や視認性を向上させた有機EL素子を提供す
ることである。また、低コスト化を実現しうる有機EL
素子を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の構成に
より達成される。 (1) ホール注入電極と電子注入電極と、これらの電
極間に1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極
の周囲に形成されている層間絶縁層および/または素子
分離構造体の基部を黒色とした有機EL素子。 (2) 前記層間絶縁層および/または素子分離構造体
の基部は、酸化第1鉄、シリコンまたはアモルファス状
態の炭素を有する上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記層間絶縁層および/または素子分離構造体
の基部は、ポリイミドとカーボンとを有する上記(1)
の有機EL素子。
より達成される。 (1) ホール注入電極と電子注入電極と、これらの電
極間に1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極
の周囲に形成されている層間絶縁層および/または素子
分離構造体の基部を黒色とした有機EL素子。 (2) 前記層間絶縁層および/または素子分離構造体
の基部は、酸化第1鉄、シリコンまたはアモルファス状
態の炭素を有する上記(1)の有機EL素子。 (3) 前記層間絶縁層および/または素子分離構造体
の基部は、ポリイミドとカーボンとを有する上記(1)
の有機EL素子。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子は、ホール
注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に1種以上
の有機層とを有し、前記ホール注入電極の周囲に形成さ
れている層間絶縁層および/または素子分離構造体の基
部を黒色としたものである。このように、層間絶縁層お
よび/または素子分離構造体の基部を黒色とすることに
より、外部から視認可能な非発光領域を黒色とすること
となり、コントラスト比が向上したり、見やすくなった
りする。
注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に1種以上
の有機層とを有し、前記ホール注入電極の周囲に形成さ
れている層間絶縁層および/または素子分離構造体の基
部を黒色としたものである。このように、層間絶縁層お
よび/または素子分離構造体の基部を黒色とすることに
より、外部から視認可能な非発光領域を黒色とすること
となり、コントラスト比が向上したり、見やすくなった
りする。
【0008】また、好ましくは層間絶縁層および/また
は素子分離構造体の基部は、FeOまたはSiを有する
か、あるいはポリイミドとアモルファス状態の炭素とを
有することが好ましい。これらの材料を有することで黒
色とすることができる。
は素子分離構造体の基部は、FeOまたはSiを有する
か、あるいはポリイミドとアモルファス状態の炭素とを
有することが好ましい。これらの材料を有することで黒
色とすることができる。
【0009】有機EL素子はその基本構成として、例え
ば図1に示すように、基板1上にITO等のホール注入
電極2と、その周囲に層間絶縁層3とを有する。さら
に、この層間絶縁層3上であってホール注入電極2の周
囲には、素子分離構造体7が設けられている。この素子
分離構造体7で仕切られた領域のホール注入電極2上に
は、さらに有機層4と電子注入電極5とが積層され、こ
れらにより、有機EL素子が形成されている。なお、素
子分離構造体7は、基部7bとこの基部7b上に形成さ
れたオーバーハング部7aとを有し、オーバーハング部
7aによりホール注入電極2上に積層される有機層4や
電子注入電極層5を規制すると共に、全体で素子内の特
定の領域を分割ないし分離するようになっている。
ば図1に示すように、基板1上にITO等のホール注入
電極2と、その周囲に層間絶縁層3とを有する。さら
に、この層間絶縁層3上であってホール注入電極2の周
囲には、素子分離構造体7が設けられている。この素子
分離構造体7で仕切られた領域のホール注入電極2上に
は、さらに有機層4と電子注入電極5とが積層され、こ
れらにより、有機EL素子が形成されている。なお、素
子分離構造体7は、基部7bとこの基部7b上に形成さ
れたオーバーハング部7aとを有し、オーバーハング部
7aによりホール注入電極2上に積層される有機層4や
電子注入電極層5を規制すると共に、全体で素子内の特
定の領域を分割ないし分離するようになっている。
【0010】また、有機EL素子は上記で説明した構造
物以外にも、例えばホール注入電極の保護電極や、電子
注入電極の配線電極、補助電極等が必要により形成され
るが、説明を簡単にするため、上記図示例ではこれらを
省略している。有機層はホール注入輸送層、発光層、電
子注入輸送層等、発光に必要な機能を備えた1種以上の
有機層からなっている。
物以外にも、例えばホール注入電極の保護電極や、電子
注入電極の配線電極、補助電極等が必要により形成され
るが、説明を簡単にするため、上記図示例ではこれらを
省略している。有機層はホール注入輸送層、発光層、電
子注入輸送層等、発光に必要な機能を備えた1種以上の
有機層からなっている。
【0011】電子注入電極は、通常、金属である。この
ため、基板側からホール注入電極、層間絶縁層、有機層
等を介して入射してくる外部光を反射し、コントラスト
比や視認性を低下させる要因となる。そこで、層間絶縁
層および/または素子分離構造体の基部を黒色とするこ
とで、少なくとも発光に寄与しない領域の一部、つまり
非発光部の一部を黒化させ、非発光部からの反射光を抑
制し、コントラスト比や視認性を向上させる。また、非
発光部が黒くなることで直接的に視認性を向上させた
り、画質を向上させたりする効果もある。
ため、基板側からホール注入電極、層間絶縁層、有機層
等を介して入射してくる外部光を反射し、コントラスト
比や視認性を低下させる要因となる。そこで、層間絶縁
層および/または素子分離構造体の基部を黒色とするこ
とで、少なくとも発光に寄与しない領域の一部、つまり
非発光部の一部を黒化させ、非発光部からの反射光を抑
制し、コントラスト比や視認性を向上させる。また、非
発光部が黒くなることで直接的に視認性を向上させた
り、画質を向上させたりする効果もある。
【0012】層間絶縁層および/または素子分離構造体
の基部を黒色とさせる手段としては、これらを黒色ない
し比較的黒色に近い材質のもので形成したり、黒色ない
し比較的黒色に近い材料を添加した材質で形成したりす
ればよい。これらの材質は完全な黒色である必要はな
く、入射光あるいは反射光を減衰させるのに必要な程度
の暗色であればよい。黒色とするのは層間絶縁層、素子
分離構造体いずれか一方であってもよく、両方を黒色と
してもよい。黒色としては、白色光に対し、波長400
〜700nmにおいて、好ましくは50%以下、より好ま
しくは40%以下の反射率であるものが好ましい。
の基部を黒色とさせる手段としては、これらを黒色ない
し比較的黒色に近い材質のもので形成したり、黒色ない
し比較的黒色に近い材料を添加した材質で形成したりす
ればよい。これらの材質は完全な黒色である必要はな
く、入射光あるいは反射光を減衰させるのに必要な程度
の暗色であればよい。黒色とするのは層間絶縁層、素子
分離構造体いずれか一方であってもよく、両方を黒色と
してもよい。黒色としては、白色光に対し、波長400
〜700nmにおいて、好ましくは50%以下、より好ま
しくは40%以下の反射率であるものが好ましい。
【0013】このような材質として、酸化第1鉄(Fe
O)、シリコン(Si)、アモルファス状態の炭素また
はポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂、特にポ
リイミド樹脂にカーボン、つまりカーボンブラックを添
加したもの等を好ましく挙げることができる。酸化第1
鉄は、一般にFeOの化学量論組成で存在することは困
難であり、通常、FexOとしたとき、x=0.91〜
0.95程度である。これらの材質は、層間絶縁層、素
子分離構造体の基部のいずれにも用いることができ
る。。
O)、シリコン(Si)、アモルファス状態の炭素また
はポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂、特にポ
リイミド樹脂にカーボン、つまりカーボンブラックを添
加したもの等を好ましく挙げることができる。酸化第1
鉄は、一般にFeOの化学量論組成で存在することは困
難であり、通常、FexOとしたとき、x=0.91〜
0.95程度である。これらの材質は、層間絶縁層、素
子分離構造体の基部のいずれにも用いることができ
る。。
【0014】有機樹脂に対するカーボンブラックの添加
量は、好ましくは10〜50 mol%、より好ましくは3
0〜40 mol%である。また、カーボンブラックの1次
粒径は、通常、1〜500nm程度、特に10〜100nm
程度である。
量は、好ましくは10〜50 mol%、より好ましくは3
0〜40 mol%である。また、カーボンブラックの1次
粒径は、通常、1〜500nm程度、特に10〜100nm
程度である。
【0015】酸化第1鉄(FeO)、シリコン(S
i)、アモルファス状態の炭素により層間絶縁層および
/または素子分離構造体の基部を形成する場合、スパッ
タ法を用いることが好ましい。これらの各層は、マスク
やフォトリソグラフィー等により、所定のパターンに形
成することができる。
i)、アモルファス状態の炭素により層間絶縁層および
/または素子分離構造体の基部を形成する場合、スパッ
タ法を用いることが好ましい。これらの各層は、マスク
やフォトリソグラフィー等により、所定のパターンに形
成することができる。
【0016】層間絶縁層のみを黒色とし、素子分離構造
体を通常のまま使用する場合、素子分離構造体を構成す
る材料としては、特に限定されるものではなく、ホール
注入電極や層間絶縁層上に形成され、さらにその上に有
機層、電子注入電極等が積層されることから、これらの
構造膜と干渉しない材料であって、分離された各素子間
とが電気的に接続されない材料であることが好ましい。
また、基部とオーバーハング部とは、同一材料であって
も異なる材料を用いて形成してもよいが、それぞれ異な
る材料を用いるとオーバーハング形状が得られ易く好ま
しい。
体を通常のまま使用する場合、素子分離構造体を構成す
る材料としては、特に限定されるものではなく、ホール
注入電極や層間絶縁層上に形成され、さらにその上に有
機層、電子注入電極等が積層されることから、これらの
構造膜と干渉しない材料であって、分離された各素子間
とが電気的に接続されない材料であることが好ましい。
また、基部とオーバーハング部とは、同一材料であって
も異なる材料を用いて形成してもよいが、それぞれ異な
る材料を用いるとオーバーハング形状が得られ易く好ま
しい。
【0017】層間絶縁層は、黒色化しない場合には上記
材質に限定されるものではなく、SiO2 等の酸化ケイ
素、窒化ケイ素、FeO等の無機系材料をスパッタや真
空蒸着で成膜したもの、SOG(スピン・オン・グラ
ス)で形成した酸化ケイ素層、フォトレジスト、ポリイ
ミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁
性を有するものであればいずれであってもよい。ただ
し、絶縁層の下側にはITO等のホール注入電極(いわ
ゆる逆積層では電子注入電極)が存在するので、絶縁層
形状にパターニングする際に電極へダメージを与えない
ようなパターニングが可能な材料を用いることが好まし
い。このような好ましい層間絶縁層材として、例えばポ
リイミドが挙げられる。
材質に限定されるものではなく、SiO2 等の酸化ケイ
素、窒化ケイ素、FeO等の無機系材料をスパッタや真
空蒸着で成膜したもの、SOG(スピン・オン・グラ
ス)で形成した酸化ケイ素層、フォトレジスト、ポリイ
ミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁
性を有するものであればいずれであってもよい。ただ
し、絶縁層の下側にはITO等のホール注入電極(いわ
ゆる逆積層では電子注入電極)が存在するので、絶縁層
形状にパターニングする際に電極へダメージを与えない
ようなパターニングが可能な材料を用いることが好まし
い。このような好ましい層間絶縁層材として、例えばポ
リイミドが挙げられる。
【0018】層間絶縁層の膜厚は、50〜750nm程度
が好ましい。層間絶縁層の膜厚が薄すぎると本発明の効
果が得難くなる。また、厚すぎると有機層、電子注入電
極および補助電極等に段切れ(段部、特に層間絶縁層縁
部から発光部の中央部分に向かう部分等での成膜時ない
し成膜後に生じる膜の不連続部分)が生じる場合があ
る。層間絶縁層の形成領域は、通常、ホール注入電極の
周囲に形成される。層間絶縁層は、発光領域の大きさ
や、発光パターンなどにより必要な成膜領域が決定さ
れ、特に規制されるものではないが、一般に、電極上で
5〜50μm の幅、基板上で5〜50μm の幅に成膜さ
れる。
が好ましい。層間絶縁層の膜厚が薄すぎると本発明の効
果が得難くなる。また、厚すぎると有機層、電子注入電
極および補助電極等に段切れ(段部、特に層間絶縁層縁
部から発光部の中央部分に向かう部分等での成膜時ない
し成膜後に生じる膜の不連続部分)が生じる場合があ
る。層間絶縁層の形成領域は、通常、ホール注入電極の
周囲に形成される。層間絶縁層は、発光領域の大きさ
や、発光パターンなどにより必要な成膜領域が決定さ
れ、特に規制されるものではないが、一般に、電極上で
5〜50μm の幅、基板上で5〜50μm の幅に成膜さ
れる。
【0019】層間絶縁層をスパッタ法で成膜する場合、
特に限定されるものではないが、RFスパッタやDCス
パッタが好ましい。その投入電力としては、DCスパッ
タ装置では、好ましくは0.1〜10W/cm2、特に
0.5〜7W/cm2の範囲である。また、成膜レートは
5〜100nm/min 、特に10〜50nm/min の範囲が
好ましい。また、RFスパッタでは、、RF帯域の高周
波を供給しうる電源を有するものであれば特に限定され
るものではないが、通常、周波数:13.56MHz、投
入電力:100〜500W程度である。
特に限定されるものではないが、RFスパッタやDCス
パッタが好ましい。その投入電力としては、DCスパッ
タ装置では、好ましくは0.1〜10W/cm2、特に
0.5〜7W/cm2の範囲である。また、成膜レートは
5〜100nm/min 、特に10〜50nm/min の範囲が
好ましい。また、RFスパッタでは、、RF帯域の高周
波を供給しうる電源を有するものであれば特に限定され
るものではないが、通常、周波数:13.56MHz、投
入電力:100〜500W程度である。
【0020】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ar、He、Ne、Kr、Xe等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。スパッ
タガス圧力は、RFスパッタで好ましくは0.3〜3.
0Pa、より好ましくは0.5〜1.0Pa程度である。ま
た、DCスパッタで、0.1〜20Pa程度である。
はなく、Ar、He、Ne、Kr、Xe等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。スパッ
タガス圧力は、RFスパッタで好ましくは0.3〜3.
0Pa、より好ましくは0.5〜1.0Pa程度である。ま
た、DCスパッタで、0.1〜20Pa程度である。
【0021】フォトレジスト、ポリイミド、アクリル樹
脂などの樹脂系材料を用いる場合、通常の塗布、スピン
コート、ディッピング等により設けることができる。
脂などの樹脂系材料を用いる場合、通常の塗布、スピン
コート、ディッピング等により設けることができる。
【0022】層間絶縁層を所定のパターンに形成するリ
ソグラフィ工程は、通常、上記のような無機系材料が成
膜された基板や、有機高分子の溶液が塗布等された基板
にレジスト塗布し、このレジスト膜に電子線、紫外線、
X線等を照射して露光した後、適当なアルカリ液で現像
を行う。次いで、層間絶縁層のエッチングを施し、その
後レジストを除去する。レジスト膜の膜厚としては、通
常1〜2μm 程度である。
ソグラフィ工程は、通常、上記のような無機系材料が成
膜された基板や、有機高分子の溶液が塗布等された基板
にレジスト塗布し、このレジスト膜に電子線、紫外線、
X線等を照射して露光した後、適当なアルカリ液で現像
を行う。次いで、層間絶縁層のエッチングを施し、その
後レジストを除去する。レジスト膜の膜厚としては、通
常1〜2μm 程度である。
【0023】すなわち、上記のレジスト膜を所定のパタ
ーンに露光する。露光に用いられるのは、電子線、紫外
線、X線等が挙げられ、照射は通常の方法に従えばよ
い。また描画は用いる電子線、紫外線等に応じて、マス
クを用いるなど、適宜所定の方法を選択すればよい。そ
の後、プレベークを行い、アルカリ液を用いて現像す
る。
ーンに露光する。露光に用いられるのは、電子線、紫外
線、X線等が挙げられ、照射は通常の方法に従えばよ
い。また描画は用いる電子線、紫外線等に応じて、マス
クを用いるなど、適宜所定の方法を選択すればよい。そ
の後、プレベークを行い、アルカリ液を用いて現像す
る。
【0024】レジストがネガ形である場合、未露光部分
のレジスト膜が溶解除去され、その部分の基板や下地が
露出する。その後ポストベークを行う。
のレジスト膜が溶解除去され、その部分の基板や下地が
露出する。その後ポストベークを行う。
【0025】現像後、基板に残ったレジスト膜を保護膜
として、基板をエッチングする。エッチングは、化学エ
ッチング液を用いる湿式エッチングでもプラズマや加速
イオンを用いるドライエッチングでもよい。湿式エッチ
ングに用いる化学エッチング液は基板の材質に応じて適
宜選択すればよく、H2O:HF:CH3COOH=5:
1:10等の他、HF液、NH4 F/HF/H2 O混合
液等が挙げられる。
として、基板をエッチングする。エッチングは、化学エ
ッチング液を用いる湿式エッチングでもプラズマや加速
イオンを用いるドライエッチングでもよい。湿式エッチ
ングに用いる化学エッチング液は基板の材質に応じて適
宜選択すればよく、H2O:HF:CH3COOH=5:
1:10等の他、HF液、NH4 F/HF/H2 O混合
液等が挙げられる。
【0026】また、ドライエッチングとして汎用されて
いるプラズマエッチングに用いるプラズマガスは、被着
体の材質に応じて適宜選択すればよく、SF6 、CHB
r3、CF4 等が挙げられる。
いるプラズマエッチングに用いるプラズマガスは、被着
体の材質に応じて適宜選択すればよく、SF6 、CHB
r3、CF4 等が挙げられる。
【0027】エッチングの具体的方法、条件等について
は、常法に従えばよい。そして、エッチング終了後、レ
ジスト膜が除去される。
は、常法に従えばよい。そして、エッチング終了後、レ
ジスト膜が除去される。
【0028】素子分離構造体の基部の形成に用いられる
材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機
樹脂膜、SiO2 、SiNx 、a−Si、SOG(Spin
onGlass )等の無機絶縁膜、Al等の容易に膜厚を厚
くすることが可能で応力が小さい金属薄膜等が挙げら
れ、好ましくは、ポリイミド樹脂、SiO2 、SOG、
Al等である。オーバーハング部の形成に用いられる材
料としては、感光性を有するものが好ましく、例えばフ
ォトレジスト、感光性ポリイミド、あるいは、SiO
2 、SiNx 、Al2O3 、CrOX 、a−Si、Si
C等の堅い絶縁膜や半導体膜、あるいはCr,Ta,M
o,Ni,W,Ti,TiN,ZnO,ITO等の導電
性薄膜が使用可能であり、さらに絶縁膜や半導体膜、導
電性薄膜の上に感光性の膜が積層されたもの等が挙げら
れ、好ましくは、フォトレジスト、SiO2 、Cr、T
i等である。
材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機
樹脂膜、SiO2 、SiNx 、a−Si、SOG(Spin
onGlass )等の無機絶縁膜、Al等の容易に膜厚を厚
くすることが可能で応力が小さい金属薄膜等が挙げら
れ、好ましくは、ポリイミド樹脂、SiO2 、SOG、
Al等である。オーバーハング部の形成に用いられる材
料としては、感光性を有するものが好ましく、例えばフ
ォトレジスト、感光性ポリイミド、あるいは、SiO
2 、SiNx 、Al2O3 、CrOX 、a−Si、Si
C等の堅い絶縁膜や半導体膜、あるいはCr,Ta,M
o,Ni,W,Ti,TiN,ZnO,ITO等の導電
性薄膜が使用可能であり、さらに絶縁膜や半導体膜、導
電性薄膜の上に感光性の膜が積層されたもの等が挙げら
れ、好ましくは、フォトレジスト、SiO2 、Cr、T
i等である。
【0029】基部の大きさとしては、特に限定されるも
のではないが、通常幅1μm 以上であれば十分に基部と
しての機能は果たすが、特に5μm 以上が好ましく、高
さ(膜厚)は0.2μm 以上、特に0.5〜10μm 程
度が好ましい。また、オーバーハング部の大きさとして
は、特に限定されるものではないが、通常基部の膜厚の
1/2と同程度以上のオーバーハング長を有するような
構造とすることが好ましい。高さ(膜厚)は0.1〜1
0μm 、特に0.2〜5μm 程度が好ましい。これらを
合わせた高さは、1〜20μm 、特に0.7〜10μm
程度が好ましい。
のではないが、通常幅1μm 以上であれば十分に基部と
しての機能は果たすが、特に5μm 以上が好ましく、高
さ(膜厚)は0.2μm 以上、特に0.5〜10μm 程
度が好ましい。また、オーバーハング部の大きさとして
は、特に限定されるものではないが、通常基部の膜厚の
1/2と同程度以上のオーバーハング長を有するような
構造とすることが好ましい。高さ(膜厚)は0.1〜1
0μm 、特に0.2〜5μm 程度が好ましい。これらを
合わせた高さは、1〜20μm 、特に0.7〜10μm
程度が好ましい。
【0030】素子分離構造体を形成するには、先ず、ホ
ール注入電極、層間絶縁層等が形成された基板上に、上
記基部の材料よりなる基部層を、好ましくは樹脂膜やS
OG膜はスピンコート法やロールコート法で、絶縁膜や
半導体膜はスパッタ法やCVD法で、金属膜は蒸着法等
により形成し、さらに、上記同様に、基部層上に感光性
を有するオーバーハング部層を形成する。このオーバー
ハング部層を露光、現像してパターニングすると同時、
またはその後に、前記基部層をエッチングし、かつこの
基部層がオーバーハング部層より小さくなるようにオー
バーエッチングさせてオーバーハング体とすればよい。
基部の形成にスパッタ法を用いる場合、その条件等は上
記層間絶縁層と同様である。また、基部やオーバーハン
グ部を樹脂等で形成する際の形成方法は、上記層間絶縁
層で説明したフォトレジストの手法等に準じればよい。
ール注入電極、層間絶縁層等が形成された基板上に、上
記基部の材料よりなる基部層を、好ましくは樹脂膜やS
OG膜はスピンコート法やロールコート法で、絶縁膜や
半導体膜はスパッタ法やCVD法で、金属膜は蒸着法等
により形成し、さらに、上記同様に、基部層上に感光性
を有するオーバーハング部層を形成する。このオーバー
ハング部層を露光、現像してパターニングすると同時、
またはその後に、前記基部層をエッチングし、かつこの
基部層がオーバーハング部層より小さくなるようにオー
バーエッチングさせてオーバーハング体とすればよい。
基部の形成にスパッタ法を用いる場合、その条件等は上
記層間絶縁層と同様である。また、基部やオーバーハン
グ部を樹脂等で形成する際の形成方法は、上記層間絶縁
層で説明したフォトレジストの手法等に準じればよい。
【0031】本発明の有機EL素子は、マトリクスタイ
プのディスプレイやセグメントタイプのディスプレイ
等、種々の有機EL素子を用いたディスプレイに応用す
ることができる。
プのディスプレイやセグメントタイプのディスプレイ
等、種々の有機EL素子を用いたディスプレイに応用す
ることができる。
【0032】次に、本発明の有機EL素子を構成する有
機EL構造体について説明する。
機EL構造体について説明する。
【0033】ホール注入電極は、通常基板側から発光し
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸
化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)、ZnO、SnO2 、In2O3 等が挙げられる
が、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、I
ZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。ITO
は、通常In2 O3 とSnOとを化学量論組成で含有す
るが、O量は多少これから偏倚していてもよい。
た光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電
極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸
化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウ
ム)、ZnO、SnO2 、In2O3 等が挙げられる
が、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、I
ZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。ITO
は、通常In2 O3 とSnOとを化学量論組成で含有す
るが、O量は多少これから偏倚していてもよい。
【0034】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは5
0〜500nm、さらには50〜300nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。
【0035】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。
も形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成する
ことが好ましい。
【0036】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14
at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・
Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。なお、電子
注入電極は蒸着法やスパッタ法で形成することが可能で
ある。
が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、C
e、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Z
n、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(A
g:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14
at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・
Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。なお、電子
注入電極は蒸着法やスパッタ法で形成することが可能で
ある。
【0037】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。
分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.1nm以上、
好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値に
は特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とす
ればよい。電子注入電極の上には、さらに保護電極を設
けてもよい。
【0038】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらには100nm以上、特に100〜1000nmの
範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以
上、さらには100nm以上、特に100〜1000nmの
範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が
得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が速くなってしま
う。
【0039】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100
0nm程度とすればよい。
厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜100
0nm程度とすればよい。
【0040】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、S
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は、前記の
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。
iOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は、前記の
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着
法、PECVD法等により形成すればよい。
【0041】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために、素子上に封止層を形成することが好ましい。封
止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層を用い
て、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ar、H
e、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、この封止
ガスの水分含有量は、100ppm以下、より好ましく
は10ppm以下、特には1ppm以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
0.1ppm程度である。
ために、素子上に封止層を形成することが好ましい。封
止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層を用い
て、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ar、H
e、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、この封止
ガスの水分含有量は、100ppm以下、より好ましく
は10ppm以下、特には1ppm以下であることが好
ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常
0.1ppm程度である。
【0042】封止板の材料としては、好ましくは平板状
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、アルカリガラスが好ましいが、この
他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものも好ましい。また、その製板方法として
は、ロールアウト法、ダウンロード法、フュージョン
法、フロート法等が好ましい。ガラス材の表面処理法と
しては、研磨加工処理、SiO2バリヤーコート処理等
が好ましい。これらの中でも、フロート法で製板された
ソーダ石灰ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に
使用でき、好ましい。封止板としては、ガラス板以外に
も、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。
であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材
料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このような
ガラス材として、アルカリガラスが好ましいが、この
他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸
ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラ
ス組成のものも好ましい。また、その製板方法として
は、ロールアウト法、ダウンロード法、フュージョン
法、フロート法等が好ましい。ガラス材の表面処理法と
しては、研磨加工処理、SiO2バリヤーコート処理等
が好ましい。これらの中でも、フロート法で製板された
ソーダ石灰ガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に
使用でき、好ましい。封止板としては、ガラス板以外に
も、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。
【0043】封止板は、スペーサーを用いて高さを調整
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常1μm程度である。
し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料と
しては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガ
ラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好
ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であ
るが、その形状は特に限定されるものではなく、スペー
サーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状
であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が
1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜
8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長10
0μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に
規制されるものではないが、通常1μm程度である。
【0044】なお、封止板に凹部を形成した場合には、
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用す
る場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、
特に2〜8μm の範囲が好ましい。
【0045】スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤
中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01
〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
【0046】接着剤としては、安定した接着強度が保
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
て、気密性が良好なものであれば特に限定されるもので
はないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ
樹脂接着剤を用いることが好ましい。
【0047】基板材料としては特に限定するものではな
く、積層する有機EL構造体の電極の材質等により適宜
決めることができ、例えば、Al等の金属材料や、ガラ
ス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不
透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂な
どを用いることができる。
く、積層する有機EL構造体の電極の材質等により適宜
決めることができ、例えば、Al等の金属材料や、ガラ
ス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不
透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アル
ミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂な
どを用いることができる。
【0048】次に、有機EL素子に設けられる有機物層
について述べる。発光層は、ホール(正孔)および電子
の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合
により励起子を生成させる機能を有する。発光層には、
比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好
ましい。
について述べる。発光層は、ホール(正孔)および電子
の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合
により励起子を生成させる機能を有する。発光層には、
比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好
ましい。
【0049】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を容易にす
る機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げ
る機能を有するものである。これらの層は、発光層に注
入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を容易にす
る機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げ
る機能を有するものである。これらの層は、発光層に注
入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。
【0050】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm
程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
【0051】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
2層設けるときも同じである。
【0052】有機EL素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特願平6−110569号
のフェニルアントラセン誘導体、特願平6−11445
6号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることがで
きる。
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−26469
2号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8
−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特願平6−110569号
のフェニルアントラセン誘導体、特願平6−11445
6号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることがで
きる。
【0053】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は0.01〜10wt% 、さらには0.
1〜5wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。
【0054】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。
【0055】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]等がある。
【0056】また、8−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。
【0057】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。
【0058】このほかのホスト物質としては、特願平6
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。
【0059】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
ってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。
【0060】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
も1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% と
することが好ましい。
【0061】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
【0062】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0063】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3)を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
ン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム(Alq3)を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0064】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。
【0065】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましく
は10/90〜90/10、特に好ましくは20/80
〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
【0066】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好まし
く、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすること
が好ましい。
【0067】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。
【0068】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭63−295695号公報、特開平2−19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平
5−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用
してもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積
層したり、混合したりすればよい。
開昭63−295695号公報、特開平2−19169
4号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234
681号公報、特開平5−239455号公報、特開平
5−299174号公報、特開平7−126225号公
報、特開平7−126226号公報、特開平8−100
172号公報、EP0650955A1等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用
してもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積
層したり、混合したりすればよい。
【0069】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、陽電極表面には薄膜性の良好
な化合物を用いることが好ましい。このような積層順に
ついては、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同
様である。このような積層順とすることによって、駆動
電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発
生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、
蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一か
つピンホールフリーとすることができるため、ホール注
入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収を
もつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸
収による効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸
送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着すること
により形成することができる。
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、陽電極表面には薄膜性の良好
な化合物を用いることが好ましい。このような積層順に
ついては、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同
様である。このような積層順とすることによって、駆動
電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発
生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、
蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一か
つピンホールフリーとすることができるため、ホール注
入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収を
もつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸
収による効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸
送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着すること
により形成することができる。
【0070】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
(Alq3)等の8−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によれ
ばよい。
送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム
(Alq3)等の8−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によれ
ばよい。
【0071】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を2層以上設け
るときも同様である。
【0072】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。
【0073】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
【0074】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
【0075】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【0076】蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
【0077】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニ
ン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニ
ン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
【0078】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けな
いような材料が好ましい。
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けな
いような材料が好ましい。
【0079】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
【0080】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。
【0081】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
0-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。
【0082】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。
【0083】有機EL素子は、直流駆動やパルス駆動さ
れ、印加電圧は、通常、2〜20V程度である。
れ、印加電圧は、通常、2〜20V程度である。
【0084】
【実施例】次に実施例を示し、本発明をより具体的に説
明する。 <実施例1>ガラス基板をDCスパッタ装置内に配置
し、錫ドープ酸化インジウム焼結体(SnO:10wt
%)をターゲットとして、ITO電極を100nm成膜し
た。このときの成膜条件は、投入電力100W、スパッ
タ時の圧力0.5Pa、スパッタガスはAr+1%O2 で
あった。
明する。 <実施例1>ガラス基板をDCスパッタ装置内に配置
し、錫ドープ酸化インジウム焼結体(SnO:10wt
%)をターゲットとして、ITO電極を100nm成膜し
た。このときの成膜条件は、投入電力100W、スパッ
タ時の圧力0.5Pa、スパッタガスはAr+1%O2 で
あった。
【0085】ITOからなるホール注入電極が成膜され
た基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し
た。次いで、表面をUV/O3 洗浄した後、層間絶縁膜
を基板全面に形成した。層間絶縁層にはポリイミドにカ
ーボンブラックを添加したものを用いた。ポリイミドは
非感光性の材料を選び、5%程度の濃度にNMP(N-me
thyl pyrrolidone)で希釈し、これにカーボンブラック
(一次粒径:50nm)を30 mol%添加し、よく撹拌・
混合したものをスピンコート法で塗布し、150℃で3
0分間、さらに300℃で1時間ベークした。このとき
の膜厚は200nmとした。
た基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超
音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し
た。次いで、表面をUV/O3 洗浄した後、層間絶縁膜
を基板全面に形成した。層間絶縁層にはポリイミドにカ
ーボンブラックを添加したものを用いた。ポリイミドは
非感光性の材料を選び、5%程度の濃度にNMP(N-me
thyl pyrrolidone)で希釈し、これにカーボンブラック
(一次粒径:50nm)を30 mol%添加し、よく撹拌・
混合したものをスピンコート法で塗布し、150℃で3
0分間、さらに300℃で1時間ベークした。このとき
の膜厚は200nmとした。
【0086】次いで、フォトリソグラフィーによって、
実際の発光部となるホール注入電極を露出させるための
開口を有するパターンを作り、酸素プラズマにより層間
絶縁膜をエッチングした後、レジストを剥離した。
実際の発光部となるホール注入電極を露出させるための
開口を有するパターンを作り、酸素プラズマにより層間
絶縁膜をエッチングした後、レジストを剥離した。
【0087】次いで、素子分離構造体の基部を形成する
ため、ITO透明電極と層間絶縁層が成膜された基板上
に、ポリイミドを2μm の厚さに塗布し、続けてオーバ
ーハング部となるポジレジスト層を3μm の厚さに塗布
し、露光し、現像して素子分離構造体を得た。
ため、ITO透明電極と層間絶縁層が成膜された基板上
に、ポリイミドを2μm の厚さに塗布し、続けてオーバ
ーハング部となるポジレジスト層を3μm の厚さに塗布
し、露光し、現像して素子分離構造体を得た。
【0088】次いで、有機層と、電子注入電極と、配線
電極とを連続して形成した。なお、保護電極(配線電
極)の形成が終了するまで真空を破らなかった。
電極とを連続して形成した。なお、保護電極(配線電
極)の形成が終了するまで真空を破らなかった。
【0089】次いで、表面をUV/O3 洗浄した後、真
空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10
-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”−トリス(−N
−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリ
フェニルアミン(以下、m−MTDATA)を蒸着速度
0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−
1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速度0.
2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とし
た。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速度0.
2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・
発光層とした。
空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10
-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”−トリス(−N
−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリ
フェニルアミン(以下、m−MTDATA)を蒸着速度
0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層
とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’−ジフェ
ニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−
1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速度0.
2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とし
た。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速度0.
2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・
発光層とした。
【0090】次いで減圧を保ったまま、このEL素子構
造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパ
ッタ圧力1.0PaにてAlLi電子注入電極(Li濃
度:6at%)を50nmの厚さに成膜した。その際スパッ
タガスにはArを用い、投入電力は100W、ターゲッ
トの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は9
0mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子
基板を他のスパッタ装置に移し、Alターゲットを用い
たDCスパッタ法により、スパッタ圧力0.3PaにてA
l保護電極を200nmの厚さに成膜した。この時スパッ
タガスにはArを用い、投入電力は500W、ターゲッ
トの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は9
0mmとした。
造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパ
ッタ圧力1.0PaにてAlLi電子注入電極(Li濃
度:6at%)を50nmの厚さに成膜した。その際スパッ
タガスにはArを用い、投入電力は100W、ターゲッ
トの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は9
0mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子
基板を他のスパッタ装置に移し、Alターゲットを用い
たDCスパッタ法により、スパッタ圧力0.3PaにてA
l保護電極を200nmの厚さに成膜した。この時スパッ
タガスにはArを用い、投入電力は500W、ターゲッ
トの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は9
0mmとした。
【0091】最後にガラス封止板を貼り合わせ、有機E
Lディスプレイとした。
Lディスプレイとした。
【0092】また、比較サンプルとして層間絶縁層を黒
化しないサンプルを作製した。
化しないサンプルを作製した。
【0093】得られた各有機ELディスプレイを、大気
中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で1:100であっ
たのに対し、本発明サンプルは1:500と向上してい
た。
中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で1:100であっ
たのに対し、本発明サンプルは1:500と向上してい
た。
【0094】また、スパッタ法によりFeO、Si、α
−Cにより層間絶縁層を形成し、黒化した場合にも同等
の結果を得ることができた。
−Cにより層間絶縁層を形成し、黒化した場合にも同等
の結果を得ることができた。
【0095】<実施例2>実施例1において、カーボン
ブラックを添加することなく層間絶縁層を形成した。素
子分離構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と
層間絶縁層が成膜された基板上に、ポリイミドを2μm
の厚さに塗布した。ポリイミドは非感光性の材料を選
び、5%程度の濃度にNMP(N-methyl pyrrolidone)
で希釈し、これにカーボンブラック(一次粒径:100
nm)を30 mol%添加し、よく撹拌・混合したものをス
ピンコート法で塗布し、150℃で30分間、さらに3
00℃で1時間ベークした。続けてオーバーハング部と
なるポジレジスト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、
現像して素子分離構造体を得た。その他は実施例1と同
様にして有機ELディスプレイを作製した。
ブラックを添加することなく層間絶縁層を形成した。素
子分離構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と
層間絶縁層が成膜された基板上に、ポリイミドを2μm
の厚さに塗布した。ポリイミドは非感光性の材料を選
び、5%程度の濃度にNMP(N-methyl pyrrolidone)
で希釈し、これにカーボンブラック(一次粒径:100
nm)を30 mol%添加し、よく撹拌・混合したものをス
ピンコート法で塗布し、150℃で30分間、さらに3
00℃で1時間ベークした。続けてオーバーハング部と
なるポジレジスト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、
現像して素子分離構造体を得た。その他は実施例1と同
様にして有機ELディスプレイを作製した。
【0096】また、比較サンプルとして素子分離構造体
の基部を黒化しないサンプルを作製した。
の基部を黒化しないサンプルを作製した。
【0097】得られた各有機ELディスプレイを、大気
中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で1:100であっ
たのに対し、本発明サンプルは1:400と向上してい
た。
中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で連
続駆動させた。画面全体で観察したときの、非発光時と
発光時のコントラスト比が、比較例で1:100であっ
たのに対し、本発明サンプルは1:400と向上してい
た。
【0098】<実施例3>実施例2において、素子分離
構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるFeO膜を2μ
m の厚さに成膜した。スパッタ条件として、RFスパッ
タ法を用い、ターゲットはFeOとし、ターゲット−基
板間の距離:80mm、投入電力:500W、成膜時の圧
力0.3Paで、スパッタガスにはアルゴンを50SCCMの
流量で用いた。
構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるFeO膜を2μ
m の厚さに成膜した。スパッタ条件として、RFスパッ
タ法を用い、ターゲットはFeOとし、ターゲット−基
板間の距離:80mm、投入電力:500W、成膜時の圧
力0.3Paで、スパッタガスにはアルゴンを50SCCMの
流量で用いた。
【0099】次いで、オーバーハング部となるポジレジ
スト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例1と同様にして有機ELディスプレイを作製した。
スト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例1と同様にして有機ELディスプレイを作製した。
【0100】得られた各有機ELディスプレイを、実施
例2と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。また、基部の材質をFeOからSi(ターゲッ
ト:Si、成膜後のSi層はアモルファス状態であっ
た。)に変えた場合にも同様の評価が得られた。
例2と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。また、基部の材質をFeOからSi(ターゲッ
ト:Si、成膜後のSi層はアモルファス状態であっ
た。)に変えた場合にも同様の評価が得られた。
【0101】<実施例4>実施例2において、素子分離
構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるα−C膜を2μ
m の厚さに成膜、パターニングした。スパッタ条件とし
て、DCスパッタ法を用い、ターゲットはグラファイト
とし、ターゲット−基板間の距離:80mm、投入電力:
500W、成膜時の圧力0.3Paで、スパッタガスには
アルゴンを用い、成膜レート10nm/min で行った。
構造体の基部を形成するため、ITO透明電極と層間絶
縁層が成膜された基板上に、基部となるα−C膜を2μ
m の厚さに成膜、パターニングした。スパッタ条件とし
て、DCスパッタ法を用い、ターゲットはグラファイト
とし、ターゲット−基板間の距離:80mm、投入電力:
500W、成膜時の圧力0.3Paで、スパッタガスには
アルゴンを用い、成膜レート10nm/min で行った。
【0102】次いで、オーバーハング部となるポジレジ
スト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例1と同様にして有機ELディスプレイを作製した。
スト層を3μm の厚さに塗布し、露光し、現像し、さら
にエッチングして素子分離構造体を得た。その他は実施
例1と同様にして有機ELディスプレイを作製した。
【0103】得られた各有機ELディスプレイを、実施
例2と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。
例2と同様にして評価したところほぼ同等の評価が得ら
れた。
【0104】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、コントラ
スト比や視認性を向上させた有機EL素子を提供するこ
とである。また、低コスト化を実現しうる有機EL素子
を提供することである。
スト比や視認性を向上させた有機EL素子を提供するこ
とである。また、低コスト化を実現しうる有機EL素子
を提供することである。
【図1】本発明の有機EL素子の一構成例を、概念的に
示した断面図である。
示した断面図である。
1 基板 2 ホール注入電極 3 層間絶縁層 4 有機層 5 電子注入電極 7 素子分離構造体 7a オーバーハング部 7b 基部
Claims (3)
- 【請求項1】 ホール注入電極と電子注入電極と、これ
らの電極間に1種以上の有機層とを有し、 前記ホール注入電極の周囲に形成されている層間絶縁層
および/または素子分離構造体の基部を黒色とした有機
EL素子。 - 【請求項2】 前記層間絶縁層および/または素子分離
構造体の基部は、酸化第1鉄、シリコンまたはアモルフ
ァス状態の炭素を有する請求項1の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記層間絶縁層および/または素子分離
構造体の基部は、ポリイミドとカーボンとを有する請求
項1の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10095274A JPH11273870A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10095274A JPH11273870A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11273870A true JPH11273870A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=14133203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10095274A Withdrawn JPH11273870A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11273870A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093672A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板及び表示素子 |
JP2001250694A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 |
JP2002040644A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物および有機el素子の絶縁膜 |
KR100397877B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2003-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 |
KR100424204B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-03-24 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 무반사 유기 전계발광소자 |
WO2004026003A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイ |
KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2006221916A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 |
US7164228B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Display panel and electronic apparatus with the same |
KR20100109390A (ko) | 2009-03-30 | 2010-10-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물, 유기 el 표시 소자용 격벽 및 절연막 및, 그의 형성 방법 |
JP2013533508A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-22 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型感光性樹脂組成物およびこれを含む有機発光素子ブラックバンク |
WO2017073459A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | パイオニア株式会社 | 発光システム |
WO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP10095274A patent/JPH11273870A/ja not_active Withdrawn
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093672A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板及び表示素子 |
JP2001250694A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置およびその製造方法 |
JP2002040644A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物および有機el素子の絶縁膜 |
KR100424204B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-03-24 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 무반사 유기 전계발광소자 |
KR100397877B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2003-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 |
KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100711161B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2007-04-24 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 유기 el 디스플레이 |
KR100710763B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2007-04-24 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 유기 el 디스플레이 |
WO2004026003A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 有機elディスプレイ |
US7164228B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-01-16 | Seiko Epson Corporation | Display panel and electronic apparatus with the same |
JP2006221916A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 |
JP4622563B2 (ja) * | 2005-02-09 | 2011-02-02 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 |
KR20100109390A (ko) | 2009-03-30 | 2010-10-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물, 유기 el 표시 소자용 격벽 및 절연막 및, 그의 형성 방법 |
JP2013533508A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-08-22 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型感光性樹脂組成物およびこれを含む有機発光素子ブラックバンク |
WO2017073459A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-04 | パイオニア株式会社 | 発光システム |
JPWO2017073459A1 (ja) * | 2015-10-27 | 2018-09-06 | パイオニア株式会社 | 発光システム |
US11267392B2 (en) | 2015-10-27 | 2022-03-08 | Pioneer Corporation | Light-emitting system |
WO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JPWO2019163009A1 (ja) * | 2018-02-21 | 2020-02-27 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
CN111788863A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el器件及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4114895B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
CN103022364B (zh) | 电致发光元件以及采用它的发光器件 | |
JP3875401B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el素子 | |
JP3078257B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
US6091196A (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacture thereof | |
JP3188678B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
JP3886607B2 (ja) | 有機elディスプレイ | |
JP3078268B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP3758369B2 (ja) | 有機el表示装置とその製造方法 | |
JPH11297477A (ja) | 有機elカラーディスプレイ | |
JP2001057287A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11273870A (ja) | 有機el素子 | |
JP4255041B2 (ja) | 有機el素子 | |
JPH10214683A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR20010051823A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
JPH11345688A (ja) | 有機elディスプレイ | |
JPH09245964A (ja) | 光学的素子の製造方法 | |
JP3223250B2 (ja) | 有機el表示装置、およびその製造方法 | |
JP3078267B2 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JPH10189238A (ja) | 光学的素子及びその製造方法 | |
JPH09320760A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法 | |
JP2001068272A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11260546A (ja) | 有機el素子 | |
JP2009076544A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11121172A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |