JPH10189238A - 光学的素子及びその製造方法 - Google Patents
光学的素子及びその製造方法Info
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- JPH10189238A JPH10189238A JP8350715A JP35071596A JPH10189238A JP H10189238 A JPH10189238 A JP H10189238A JP 8350715 A JP8350715 A JP 8350715A JP 35071596 A JP35071596 A JP 35071596A JP H10189238 A JPH10189238 A JP H10189238A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極の酸化を防止し、動作安定性の優れ
た光学的素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板26上に形成されるITO透明電極
25、有機層及び金属電極21からなる積層体を、貫通
孔28a、28bを設けたガラス板28の周縁に紫外線
硬化樹脂29を施した容器で被覆し、紫外線硬化樹脂を
基板26に接着後に、貫通孔28aから容器内の空間に
窒素ガスを注入して貫通孔28a、28bを封じる。こ
れにより容器内の空気が除去されるので金属電極の酸化
が防止できる。
た光学的素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板26上に形成されるITO透明電極
25、有機層及び金属電極21からなる積層体を、貫通
孔28a、28bを設けたガラス板28の周縁に紫外線
硬化樹脂29を施した容器で被覆し、紫外線硬化樹脂を
基板26に接着後に、貫通孔28aから容器内の空間に
窒素ガスを注入して貫通孔28a、28bを封じる。こ
れにより容器内の空気が除去されるので金属電極の酸化
が防止できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光素子(例
えば、電界発光素子の樹脂封止時に不活性ガスで内部を
置換して封止する電界発光素子)に関するものである。
えば、電界発光素子の樹脂封止時に不活性ガスで内部を
置換して封止する電界発光素子)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、マルチメディア指向の商品を初め
として、人間と機械とのインターフェースの重要性が高
まってきている。人間がより快適に効率良く機械操作す
るためには、操作される機械からの情報を誤りなく、簡
潔に、瞬時に、十分な量で取り出す必要があり、そのた
めに、ディスプレイを初めとする様々な表示素子につい
て研究が行われている。
として、人間と機械とのインターフェースの重要性が高
まってきている。人間がより快適に効率良く機械操作す
るためには、操作される機械からの情報を誤りなく、簡
潔に、瞬時に、十分な量で取り出す必要があり、そのた
めに、ディスプレイを初めとする様々な表示素子につい
て研究が行われている。
【0003】中でも、軽量で高効率のフラットパネルデ
ィスプレイは、例えばコンピュータやテレビジョンの画
面表示用として期待されている。一方、ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとし
て最も多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電
力も高いということも今後解決すべき問題である。
ィスプレイは、例えばコンピュータやテレビジョンの画
面表示用として期待されている。一方、ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いため、現在ディスプレイとし
て最も多く使われているが、嵩高く、重く、また消費電
力も高いということも今後解決すべき問題である。
【0004】フラットパネルディスプレイとしては、ア
クティブマトリックス駆動の液晶ディスプレイが既に商
品化されている。しかしながら、視野角が狭く、また、
自発光でないため周囲が暗い環境下ではバックライトの
消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されている
ところの、高精細度で高速のビデオ信号に対しては十分
な応答性能を有していない等の問題点もある。更に、大
画面サイズのディスプレイを製造するにはコストが高い
等の課題もある。
クティブマトリックス駆動の液晶ディスプレイが既に商
品化されている。しかしながら、視野角が狭く、また、
自発光でないため周囲が暗い環境下ではバックライトの
消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されている
ところの、高精細度で高速のビデオ信号に対しては十分
な応答性能を有していない等の問題点もある。更に、大
画面サイズのディスプレイを製造するにはコストが高い
等の課題もある。
【0005】これに対する代替として、発光ダイオード
が可能性があるが、やはり製造コストが高く、また1つ
の基板上に発光ダイオードのマトリックスを製造するこ
とが難しい等の問題があり、ブラウン管に代わる低価格
のディスプレイの候補としては、実用化までの課題が大
きい。
が可能性があるが、やはり製造コストが高く、また1つ
の基板上に発光ダイオードのマトリックスを製造するこ
とが難しい等の問題があり、ブラウン管に代わる低価格
のディスプレイの候補としては、実用化までの課題が大
きい。
【0006】上記の諸課題を解決できる可能性のあるフ
ラットパネルディスプレイの候補としては、最近有機発
光材料が注目されている。これは、有機発光材料を用い
ることにより、自発光で、応答速度が高速であり、これ
により視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイ
の実現が期待されている。
ラットパネルディスプレイの候補としては、最近有機発
光材料が注目されている。これは、有機発光材料を用い
ることにより、自発光で、応答速度が高速であり、これ
により視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイ
の実現が期待されている。
【0007】図31は、有機発光材料を用いた従来の電
界発光素子(以下、有機EL(エレクトロルミネセン
ス)素子と称することがある。)10の一例を示す。こ
の有機EL素子10は、透明基板(例えばガラス基板)
6上に、ITO(Indium tin oxide)透明電極5、ホー
ル輸送層4、発光層3、電子輸送層2、陰極(例えばア
ルミニウム電極)1を例えば真空蒸着法で順次製膜した
ダブルヘテロ型である。
界発光素子(以下、有機EL(エレクトロルミネセン
ス)素子と称することがある。)10の一例を示す。こ
の有機EL素子10は、透明基板(例えばガラス基板)
6上に、ITO(Indium tin oxide)透明電極5、ホー
ル輸送層4、発光層3、電子輸送層2、陰極(例えばア
ルミニウム電極)1を例えば真空蒸着法で順次製膜した
ダブルヘテロ型である。
【0008】そして、陽極である透明電極5と陰極(以
下、金属電極と称することがある。)1との間に直流電
圧7を選択的に印加することによって、透明電極5から
注入されたキャリアとしてのホールがホール輸送層4を
経て、また陰極1から注入された電子が電子輸送層2を
経て移動し、電子−ホールの再結合が生じ、ここから所
定波長の発光8が生じ、透明基板6の側から観察でき
る。
下、金属電極と称することがある。)1との間に直流電
圧7を選択的に印加することによって、透明電極5から
注入されたキャリアとしてのホールがホール輸送層4を
経て、また陰極1から注入された電子が電子輸送層2を
経て移動し、電子−ホールの再結合が生じ、ここから所
定波長の発光8が生じ、透明基板6の側から観察でき
る。
【0009】発光層3には、例えばアントラセン、ナフ
タリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレ
ン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、
ユーロピウム錯体等の発光物質を使用してよい。これ
は、電子輸送層2に含有させることができる。
タリン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレ
ン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、
ユーロピウム錯体等の発光物質を使用してよい。これ
は、電子輸送層2に含有させることができる。
【0010】図32は、有機発光材料を用いた別の従来
例を示すものであり、発光層3を省略し、電子輸送層2
に上記の如き発光物質を含有させ、電子輸送層2とホー
ル輸送層4との界面から所定波長の発光18が生じるよ
うに構成したシングルヘテロ型の有機EL素子20を示
すものである。
例を示すものであり、発光層3を省略し、電子輸送層2
に上記の如き発光物質を含有させ、電子輸送層2とホー
ル輸送層4との界面から所定波長の発光18が生じるよ
うに構成したシングルヘテロ型の有機EL素子20を示
すものである。
【0011】図33は、上記の有機EL素子の具体例を
示す。即ち、各有機層(ホール輸送層4、発光層3又は
電子輸送層2)の積層体を陰極1と陽極5との間に配す
るが、これらの電極をマトリックス状に交差させてスト
ライプ状に設け、輝度信号回路40、シフトレジスタ内
蔵の制御回路41によって時系列に信号電圧を印加し、
多数の交差位置(画素)にてそれぞれ発光させるように
構成している。
示す。即ち、各有機層(ホール輸送層4、発光層3又は
電子輸送層2)の積層体を陰極1と陽極5との間に配す
るが、これらの電極をマトリックス状に交差させてスト
ライプ状に設け、輝度信号回路40、シフトレジスタ内
蔵の制御回路41によって時系列に信号電圧を印加し、
多数の交差位置(画素)にてそれぞれ発光させるように
構成している。
【0012】従って、このような構成により、ディスプ
レイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンをR(赤)、G
(緑)、B(青)の各色毎に配し、フルカラー又はマル
チカラー用として構成することができる。
レイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンをR(赤)、G
(緑)、B(青)の各色毎に配し、フルカラー又はマル
チカラー用として構成することができる。
【0013】こうした有機EL素子を用いた、複数の画
素からなる表示デバイスにおいて、発光する有機薄膜層
2、3、4は一般に、透明電極5と金属電極1との間に
挟まれており、透明電極5側で発光する。
素からなる表示デバイスにおいて、発光する有機薄膜層
2、3、4は一般に、透明電極5と金属電極1との間に
挟まれており、透明電極5側で発光する。
【0014】上記のように、有機発光素子の構成は、透
光性の正極と金属からなる陰極との間に発光材料を含む
有機薄膜を形成したものである。
光性の正極と金属からなる陰極との間に発光材料を含む
有機薄膜を形成したものである。
【0015】このような有機EL素子としては、C. W.
TangとS. A. VanSlyke等はAppliedPhysics Letters 第
51巻12号 913〜915頁(1987年)掲載の
研究報告において、有機薄膜を正孔輸送材料からなる薄
膜と電子輸送材料からなる薄膜との2層構造として、各
々の電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結
合することにより発光するいわゆるシングルヘテロ型の
素子構造を開発した。
TangとS. A. VanSlyke等はAppliedPhysics Letters 第
51巻12号 913〜915頁(1987年)掲載の
研究報告において、有機薄膜を正孔輸送材料からなる薄
膜と電子輸送材料からなる薄膜との2層構造として、各
々の電極から有機膜中に注入されたホールと電子が再結
合することにより発光するいわゆるシングルヘテロ型の
素子構造を開発した。
【0016】このシングルヘテロ型の有機EL素子は、
正孔輸送材料又は電子輸送材料のいずれかが発光材料を
兼ねており、発光は発光材料の基底状態と励起状態のエ
ネルギーギャップに対応した波長帯で起きる。このよう
な2層構造とすることにより、大幅な駆動電圧の低減、
発光効率の改善が行われた。
正孔輸送材料又は電子輸送材料のいずれかが発光材料を
兼ねており、発光は発光材料の基底状態と励起状態のエ
ネルギーギャップに対応した波長帯で起きる。このよう
な2層構造とすることにより、大幅な駆動電圧の低減、
発光効率の改善が行われた。
【0017】その後、C. Adachi 、S. Tokito 、T. Tsu
tsui、S.Saito 等のJapanese Journal of Applied Phys
ics 第27巻2号 L269〜L271頁(1988
年)掲載の研究報告に記載されているような、正孔輸送
材料、発光材料、電子輸送材料の3層からなるいわゆる
ダブルヘテロ構造の有機EL素子が開発された。
tsui、S.Saito 等のJapanese Journal of Applied Phys
ics 第27巻2号 L269〜L271頁(1988
年)掲載の研究報告に記載されているような、正孔輸送
材料、発光材料、電子輸送材料の3層からなるいわゆる
ダブルヘテロ構造の有機EL素子が開発された。
【0018】更に、C. W. Tang、S. A. VanSlyke、C.
H. Chen等のJournal of Applied Physics 第65巻9
号 3610〜3616頁(1989年)掲載の研究報
告に記載されている、電子輸送材料中に発光材料を含ま
せた素子構造等が開発されている。
H. Chen等のJournal of Applied Physics 第65巻9
号 3610〜3616頁(1989年)掲載の研究報
告に記載されている、電子輸送材料中に発光材料を含ま
せた素子構造等が開発されている。
【0019】これらの研究により、低電圧で、高輝度の
発光の可能性が実証され、近年、有機EL素子の研究開
発が非常に活発に行われている。しかしながら、実用化
のためには、有機EL素子の封止技術等、解決すべき多
くの課題を抱えているのが現状である。
発光の可能性が実証され、近年、有機EL素子の研究開
発が非常に活発に行われている。しかしながら、実用化
のためには、有機EL素子の封止技術等、解決すべき多
くの課題を抱えているのが現状である。
【0020】図34は、シングルヘテロ型有機EL素子
の封止構造を示す概略断面図である。図示の如く、基板
6上に形成されたITO透明電極5、ホール輸送層4、
電子輸送層2及び金属電極1の積層体が紫外線硬化樹脂
膜9で封止されているが、この封止は一般に大気中で行
われる。
の封止構造を示す概略断面図である。図示の如く、基板
6上に形成されたITO透明電極5、ホール輸送層4、
電子輸送層2及び金属電極1の積層体が紫外線硬化樹脂
膜9で封止されているが、この封止は一般に大気中で行
われる。
【0021】このような有機EL素子は、陰極としてリ
チウム、マグネシウム、カルシウム等の活性な金属を使
用するため、封止の際に空気を巻き込み易く、このため
金属電極が酸化して整流作用が低下し、有機EL素子と
しての性能に重大な支障をきたすことがある。従って、
長期に亘り素子が安定な動作を行うためには、空気中の
水分、酸素を完全に遮断する必要があり、このような素
子の封止技術は実用上の大きな課題となっている。
チウム、マグネシウム、カルシウム等の活性な金属を使
用するため、封止の際に空気を巻き込み易く、このため
金属電極が酸化して整流作用が低下し、有機EL素子と
しての性能に重大な支障をきたすことがある。従って、
長期に亘り素子が安定な動作を行うためには、空気中の
水分、酸素を完全に遮断する必要があり、このような素
子の封止技術は実用上の大きな課題となっている。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の如き
事情に鑑みてなされたものであって、金属電極の酸化を
防止するため効果的に封止され、かつ動作安定性の優れ
た光学的素子及びその製造方法を提供することを目的と
するものである。
事情に鑑みてなされたものであって、金属電極の酸化を
防止するため効果的に封止され、かつ動作安定性の優れ
た光学的素子及びその製造方法を提供することを目的と
するものである。
【0023】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を解決するため鋭意検討を重ねた結果、金属電極と共に
封入される空気を排除し、金属電極と空気との接触を絶
って金属電極の酸化を防止する効果的な方法を見出し、
本発明に到達したものである。
を解決するため鋭意検討を重ねた結果、金属電極と共に
封入される空気を排除し、金属電極と空気との接触を絶
って金属電極の酸化を防止する効果的な方法を見出し、
本発明に到達したものである。
【0024】即ち、本発明は、基体上に配した電極上
に、発光領域を含む積層体が設けられている光学的素子
において、前記積層体を被覆して封入した封止材が前記
基体上に固定され、前記封止材と前記基体との間の空間
に不活性ガスが充填されていることを特徴とする光学的
素子に係るものである。
に、発光領域を含む積層体が設けられている光学的素子
において、前記積層体を被覆して封入した封止材が前記
基体上に固定され、前記封止材と前記基体との間の空間
に不活性ガスが充填されていることを特徴とする光学的
素子に係るものである。
【0025】また、本発明は、基体上に配した電極上に
発光領域を含む積層体が設けられている光学的素子を製
造するに際し、前記基体上に前記電極を形成し、この電
極上に前記積層体を形成し、この積層体を被覆して封入
する封止材を前記基体上に固定し、前記封止材と前記基
体との間の空間に不活性ガスを充填する、光学的素子の
製造方法に係るものである。
発光領域を含む積層体が設けられている光学的素子を製
造するに際し、前記基体上に前記電極を形成し、この電
極上に前記積層体を形成し、この積層体を被覆して封入
する封止材を前記基体上に固定し、前記封止材と前記基
体との間の空間に不活性ガスを充填する、光学的素子の
製造方法に係るものである。
【0026】これにより、封止材と基体との間の空間に
充填される不活性ガスにより、この空間の空気が排出さ
れるため積層体が空気に触れることがない。従って、積
層体に形成される上部電極の酸化が防止され、動作安定
性に優れた光学的素子とその製造方法を提供することが
できる。
充填される不活性ガスにより、この空間の空気が排出さ
れるため積層体が空気に触れることがない。従って、積
層体に形成される上部電極の酸化が防止され、動作安定
性に優れた光学的素子とその製造方法を提供することが
できる。
【0027】
【発明の実施の形態】本発明の光学的素子及びその製造
方法において、不活性ガスとして窒素又は希ガスが1気
圧以上の圧力で充填されていることが望ましい。
方法において、不活性ガスとして窒素又は希ガスが1気
圧以上の圧力で充填されていることが望ましい。
【0028】そして、上記の素子は、前記積層体に活性
導電層が設けられ、前記封止材が、前記活性導電層上の
板状部と、この板状部をその周縁において前記基体に気
密に固定した接着部とによって構成されていることが望
ましい。
導電層が設けられ、前記封止材が、前記活性導電層上の
板状部と、この板状部をその周縁において前記基体に気
密に固定した接着部とによって構成されていることが望
ましい。
【0029】この場合、前記活性導電層が上部電極とし
て形成されており、前記板状部が絶縁材からなっている
ことが望ましい。
て形成されており、前記板状部が絶縁材からなっている
ことが望ましい。
【0030】また、上記の素子は、前記封止材がケーシ
ング状のカバーによって構成され、このカバーの縁が前
記基体に気密に固定されていてもよく、この場合、前記
封止材が導電性カバーからなっていることが望ましい。
ング状のカバーによって構成され、このカバーの縁が前
記基体に気密に固定されていてもよく、この場合、前記
封止材が導電性カバーからなっていることが望ましい。
【0031】また、上記の素子は、前記封止材にガス置
換用の貫通孔が設けられ、この貫通孔を介して前記不活
性ガスが充填されることが望ましい。
換用の貫通孔が設けられ、この貫通孔を介して前記不活
性ガスが充填されることが望ましい。
【0032】更に、前記基体に対する前記封止材の接着
及び前記貫通孔の閉塞に紫外線硬化樹脂が用いられてい
ることが望ましい。
及び前記貫通孔の閉塞に紫外線硬化樹脂が用いられてい
ることが望ましい。
【0033】そして、上記の素子は、前記基体上に複数
の前記電極が下部電極として所定パターンにそれぞれ形
成され、これらの下部電極のそれぞれの各一部分が島状
に露出するように絶縁材が被着され、これらの露出部分
上に前記積層体が設けられ、更にこの積層体上に上部電
極が形成されていることが望ましい。
の前記電極が下部電極として所定パターンにそれぞれ形
成され、これらの下部電極のそれぞれの各一部分が島状
に露出するように絶縁材が被着され、これらの露出部分
上に前記積層体が設けられ、更にこの積層体上に上部電
極が形成されていることが望ましい。
【0034】この場合、前記積層体が複数の前記露出部
分にそれぞれ設けられ、これらの積層体に前記上部電極
が個々に形成されていることが望ましい。
分にそれぞれ設けられ、これらの積層体に前記上部電極
が個々に形成されていることが望ましい。
【0035】また、前記積層体が複数の前記露出部分に
共通に設けられ、この積層体に前記上部電極が共通に形
成されていてもよい。
共通に設けられ、この積層体に前記上部電極が共通に形
成されていてもよい。
【0036】そして、上記の素子は、複数の前記電極が
前記下部電極と前記上部電極に接続された配線とを含
み、これらの下部電極及び配線の各端部が外部接続端子
部となるように前記封止材が前記基体上に固定されてい
ることが望ましい。
前記下部電極と前記上部電極に接続された配線とを含
み、これらの下部電極及び配線の各端部が外部接続端子
部となるように前記封止材が前記基体上に固定されてい
ることが望ましい。
【0037】このように構成する上記の素子は、光学的
に透明な前記基体上に、下部電極としての陽極、有機ホ
ール輸送層、有機発光層及び/又は有機電子輸送層、及
び上部電極としての陰極が順次積層されていることが望
ましい。
に透明な前記基体上に、下部電極としての陽極、有機ホ
ール輸送層、有機発光層及び/又は有機電子輸送層、及
び上部電極としての陰極が順次積層されていることが望
ましい。
【0038】これにより、有機電界発光素子として好適
に構成され、好適なカラーディスプレイ用の有機電界発
光素子として構成することができる。
に構成され、好適なカラーディスプレイ用の有機電界発
光素子として構成することができる。
【0039】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、
本発明が以下の実施例に限定されるものでないことは勿
論である。
本発明が以下の実施例に限定されるものでないことは勿
論である。
【0040】図1は本発明の第1の実施例を示す平面図
であり、図2は第3の実施例を示す平面図であるが、い
ずれも本発明の基本構成を模式的に示した概略図であ
る。即ち、本発明は、図1のような構成を基本とする第
1の実施例及び第2の実施例と、図2のような構成を基
本とする第3の実施例及び第4の実施例とを有してい
る。
であり、図2は第3の実施例を示す平面図であるが、い
ずれも本発明の基本構成を模式的に示した概略図であ
る。即ち、本発明は、図1のような構成を基本とする第
1の実施例及び第2の実施例と、図2のような構成を基
本とする第3の実施例及び第4の実施例とを有してい
る。
【0041】これらの構成の詳細については後述する
が、いずれも共通する製造工程の後に、図1に示す第1
の実施例は有機層が画素単位で形成され、カソードも個
別配線になっており、図2に示す第3の実施例は有機層
が各画素共通に形成され、カソードも共通配線とされて
いる。そして、図1及び図2の場合も積層体の封止が後
述する2通りの封止方法により形成される。
が、いずれも共通する製造工程の後に、図1に示す第1
の実施例は有機層が画素単位で形成され、カソードも個
別配線になっており、図2に示す第3の実施例は有機層
が各画素共通に形成され、カソードも共通配線とされて
いる。そして、図1及び図2の場合も積層体の封止が後
述する2通りの封止方法により形成される。
【0042】即ち、図1及び図2共に、所定パターンに
形成したITO透明電極25上にSiO2 からなる絶縁
膜27を設け、この絶縁膜27からITO透明電極25
を島状に露出させ、この露出部25a上に有機層及びカ
ソード電極が形成されている。
形成したITO透明電極25上にSiO2 からなる絶縁
膜27を設け、この絶縁膜27からITO透明電極25
を島状に露出させ、この露出部25a上に有機層及びカ
ソード電極が形成されている。
【0043】そして、図1の場合は、図示の如く、それ
ぞれのITO透明電極25の露出部25aからそれぞれ
の隣接するITO透明配線25Aにカソード電極21が
個々に設けられ、有機EL素子20Aが形成されてい
る。図2の場合は、それぞれのITO透明電極25の露
出部25aとそれぞれの隣接するITO透明配線25A
とが共通のカソード電極21Aにより接続され、有機E
L素子20Bが形成されている。
ぞれのITO透明電極25の露出部25aからそれぞれ
の隣接するITO透明配線25Aにカソード電極21が
個々に設けられ、有機EL素子20Aが形成されてい
る。図2の場合は、それぞれのITO透明電極25の露
出部25aとそれぞれの隣接するITO透明配線25A
とが共通のカソード電極21Aにより接続され、有機E
L素子20Bが形成されている。
【0044】そして、いずれの場合も、露出部25aを
有するITO透明電極25が陽極となり、これに隣接す
るITO透明配線25Aに陰極21又は21Aが接続さ
れ、陽極と陰極との間に各信号電源V1 、V2 、V3 、
V4 がそれぞれ接続され、駆動される。
有するITO透明電極25が陽極となり、これに隣接す
るITO透明配線25Aに陰極21又は21Aが接続さ
れ、陽極と陰極との間に各信号電源V1 、V2 、V3 、
V4 がそれぞれ接続され、駆動される。
【0045】図3は、上記した本実施例の基本的な構造
の理解を容易にするために、図1及び図2に示した有機
EL素子の一製造工程段階における共通する構造を示し
た斜視図である。即ち、基板26上に所定パターンのI
TO透明電極25及びITO透明配線25Aを形成し、
このうち、ITO透明電極25の一部をSiO2 絶縁膜
27で被覆してその一部に開口27aを設け、被膜され
たITO透明電極25の一部を露出させるものであり、
これが共通する構造となっている。
の理解を容易にするために、図1及び図2に示した有機
EL素子の一製造工程段階における共通する構造を示し
た斜視図である。即ち、基板26上に所定パターンのI
TO透明電極25及びITO透明配線25Aを形成し、
このうち、ITO透明電極25の一部をSiO2 絶縁膜
27で被覆してその一部に開口27aを設け、被膜され
たITO透明電極25の一部を露出させるものであり、
これが共通する構造となっている。
【0046】図3において、ITO透明電極25の露出
部25a上の仮想線で示す有機層22、24は、上記し
た図1の場合の個別の有機層を示しているが、図2の場
合はこの有機層が共通に形成される。
部25a上の仮想線で示す有機層22、24は、上記し
た図1の場合の個別の有機層を示しているが、図2の場
合はこの有機層が共通に形成される。
【0047】本実施例の有機EL素子は、例えば図4に
示す真空蒸着装置11を用いて後述する製造工程の下で
作製される。図4はその真空蒸着装置11の概略断面図
である。
示す真空蒸着装置11を用いて後述する製造工程の下で
作製される。図4はその真空蒸着装置11の概略断面図
である。
【0048】この装置11の内部には、アーム12の下
に固定された一対の支持手段13が設けられ、この双方
の固定手段13、13の間には、透明ガラス基板26を
下向きにし、マスク15(32、35、36)をセット
できるステージ機構(図示省略)が設けられている。そ
して、ガラス基板26及びマスク15の下方には、支軸
14aに支持されたシャッター14が配置され、その下
方に所定個数の各種蒸着源18を配置する。各蒸着源
は、電源19による抵抗加熱方式で加熱される。この加
熱には、必要に応じてEB(電子線)加熱方式等も使用
される。
に固定された一対の支持手段13が設けられ、この双方
の固定手段13、13の間には、透明ガラス基板26を
下向きにし、マスク15(32、35、36)をセット
できるステージ機構(図示省略)が設けられている。そ
して、ガラス基板26及びマスク15の下方には、支軸
14aに支持されたシャッター14が配置され、その下
方に所定個数の各種蒸着源18を配置する。各蒸着源
は、電源19による抵抗加熱方式で加熱される。この加
熱には、必要に応じてEB(電子線)加熱方式等も使用
される。
【0049】上記の装置において、マスク15(32、
35、36)は画素用等であり、シャッター14は蒸着
材料用である。そして、シャッター14は支軸14aを
中心に回動し、蒸着材料の昇華温度に合わせて、材料の
蒸気流を遮断するためのものである。
35、36)は画素用等であり、シャッター14は蒸着
材料用である。そして、シャッター14は支軸14aを
中心に回動し、蒸着材料の昇華温度に合わせて、材料の
蒸気流を遮断するためのものである。
【0050】本実施例として示す各図は前述したよう
に、本発明の基本構造の理解を容易にするために示した
ものである。従って、実際には、例えば次に示すような
有機EL素子の作製に適用するものであり、本実施例に
示す各図は、次に示す有機EL素子の画素の4個を表す
ものでもあり、若しくは次に示す有機EL素子を例えば
4個単位で本実施例の如く形成するものであってもよ
い。
に、本発明の基本構造の理解を容易にするために示した
ものである。従って、実際には、例えば次に示すような
有機EL素子の作製に適用するものであり、本実施例に
示す各図は、次に示す有機EL素子の画素の4個を表す
ものでもあり、若しくは次に示す有機EL素子を例えば
4個単位で本実施例の如く形成するものであってもよ
い。
【0051】図5は、上記の真空蒸着装置により作製す
る有機EL素子20の具体例を示す平面図である。即
ち、サイズLが30mm×30mmのガラス基板26上
に、サイズが2mm×2mmのITO透明電極5を上記
した真空蒸着装置により所定の厚さで蒸着後に、全面に
SiO2 絶縁膜30を蒸着し、これを所定の画素パター
ンにエッチングして多数の開口31を形成し、ここに透
明電極25をそれぞれ露出させる。従って、SiO2 に
よって形成した2mm×2mmの発光領域(画素)PX
に対し蒸着マスク15(32、35、36)を用いて各
有機層24、22及び金属電極21を順次形成する。
る有機EL素子20の具体例を示す平面図である。即
ち、サイズLが30mm×30mmのガラス基板26上
に、サイズが2mm×2mmのITO透明電極5を上記
した真空蒸着装置により所定の厚さで蒸着後に、全面に
SiO2 絶縁膜30を蒸着し、これを所定の画素パター
ンにエッチングして多数の開口31を形成し、ここに透
明電極25をそれぞれ露出させる。従って、SiO2 に
よって形成した2mm×2mmの発光領域(画素)PX
に対し蒸着マスク15(32、35、36)を用いて各
有機層24、22及び金属電極21を順次形成する。
【0052】上記した図4の真空蒸着装置11において
は、図5のような多数の画素を有するもの以外に、サイ
ズの大きい画素を単独に形成することもできる。
は、図5のような多数の画素を有するもの以外に、サイ
ズの大きい画素を単独に形成することもできる。
【0053】以下、各実施例をその製造工程に合わせて
その構造等を詳細に説明する。
その構造等を詳細に説明する。
【0054】このような電界発光素子の作製方法は、例
えば、C. W. TangとS. A. VanSlyke等のApplied Physic
s Letters 第51巻12号 913〜915頁(198
7年)掲載の研究報告、C. Adachi 、S. Tokito 、T. T
sutsui、S. Saito等のJapanese Journal of Applied Ph
ysics 第27巻2号 L269〜L271頁(1988
年)掲載の研究報告、C. W. Tang、S. A. VanSlyke、C.
H. Chen等のJournalof Applied Physics 第65巻9
号 3610〜3616頁(1989年)、C.Adachi、
T. Tsutsui、S. Saito等のApplied Physics Letters 第
56巻9号 799〜801頁(1990年)の研究報
告等に記載されている公知の技術を用いることができ
る。
えば、C. W. TangとS. A. VanSlyke等のApplied Physic
s Letters 第51巻12号 913〜915頁(198
7年)掲載の研究報告、C. Adachi 、S. Tokito 、T. T
sutsui、S. Saito等のJapanese Journal of Applied Ph
ysics 第27巻2号 L269〜L271頁(1988
年)掲載の研究報告、C. W. Tang、S. A. VanSlyke、C.
H. Chen等のJournalof Applied Physics 第65巻9
号 3610〜3616頁(1989年)、C.Adachi、
T. Tsutsui、S. Saito等のApplied Physics Letters 第
56巻9号 799〜801頁(1990年)の研究報
告等に記載されている公知の技術を用いることができ
る。
【0055】図6〜図19は第1の実施例による有機E
L素子の製造工程を示すものであり、上記した図1のA
−A線断面に対応する断面図(後述する第2の実施例も
同様である。)を示している。
L素子の製造工程を示すものであり、上記した図1のA
−A線断面に対応する断面図(後述する第2の実施例も
同様である。)を示している。
【0056】まず、図6に示すガラス基板26は、大き
さが50mm×50mm、厚さが2mmに形成されてお
り、図7に示すように、基板26上の全面にスパッタリ
ングによりアノード電極となるITO薄膜25’を形成
する。
さが50mm×50mm、厚さが2mmに形成されてお
り、図7に示すように、基板26上の全面にスパッタリ
ングによりアノード電極となるITO薄膜25’を形成
する。
【0057】基板26の材料としては、ガラスの他にプ
ラスチック及び他の適宜の材料を用いることができる。
そして、アノード電極としては、ITOの他にSnO2
等が使用できる。また、透明電極とこの上に設ける有機
層の間に電荷物注入効率を改善するために有機物若しく
は有機金属化合物からなる薄膜を挟持させてもよい。後
述する他の実施例も同様である。
ラスチック及び他の適宜の材料を用いることができる。
そして、アノード電極としては、ITOの他にSnO2
等が使用できる。また、透明電極とこの上に設ける有機
層の間に電荷物注入効率を改善するために有機物若しく
は有機金属化合物からなる薄膜を挟持させてもよい。後
述する他の実施例も同様である。
【0058】次いで、図8に示すように、ITO膜2
5’上にマスク31をかけて露光し、マスク開口31a
の下部以外を除去し、図9に示すように所定パターンの
ITO透明電極25及びITO透明配線25A(幅W=
5mm、長さL=15mm)を形成する。図9(a)
は、(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
5’上にマスク31をかけて露光し、マスク開口31a
の下部以外を除去し、図9に示すように所定パターンの
ITO透明電極25及びITO透明配線25A(幅W=
5mm、長さL=15mm)を形成する。図9(a)
は、(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
【0059】次いで、図10に示すように、ITO透明
電極25及びITO透明配線25Aが形成された基板2
6上の全面にSiO2 絶縁膜27’を被膜し、この上に
所定のマスク(図示省略)をかけてフォトエッチング加
工して不要部分のSiO2 膜27’を除去して所定パタ
ーンの絶縁膜27を形成し、更にこのSiO2 膜27
に、3mm×3mmの方形の開口27aを形成してIT
O透明電極25の一部分を島状に露出させる。
電極25及びITO透明配線25Aが形成された基板2
6上の全面にSiO2 絶縁膜27’を被膜し、この上に
所定のマスク(図示省略)をかけてフォトエッチング加
工して不要部分のSiO2 膜27’を除去して所定パタ
ーンの絶縁膜27を形成し、更にこのSiO2 膜27
に、3mm×3mmの方形の開口27aを形成してIT
O透明電極25の一部分を島状に露出させる。
【0060】図11は、上記のように形成したITO透
明電極25の露出部25aを示す図であり、(a)は、
(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
明電極25の露出部25aを示す図であり、(a)は、
(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
【0061】次いで、図12に示すように、上記の電極
露出部25aの位置に符号し、5mm×5mmの開口1
5aを有するマスク15を用い、このマスクを図4の真
空蒸着装置11に取付けてホール輸送層24を蒸着し
た。図12(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断
面図である。
露出部25aの位置に符号し、5mm×5mmの開口1
5aを有するマスク15を用い、このマスクを図4の真
空蒸着装置11に取付けてホール輸送層24を蒸着し
た。図12(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断
面図である。
【0062】このホール輸送層24としては、N,N’
−diphenyl−N,N’−bis(3−methylphenyl)1,
1’−biphenyl−4,4’−dianine(以下、単にTPD
と称する。)を、<10-6Torrの真空下で、抵抗加
熱法により0.2〜0.4nm/sの蒸発速度で50n
mの厚さに蒸着した。
−diphenyl−N,N’−bis(3−methylphenyl)1,
1’−biphenyl−4,4’−dianine(以下、単にTPD
と称する。)を、<10-6Torrの真空下で、抵抗加
熱法により0.2〜0.4nm/sの蒸発速度で50n
mの厚さに蒸着した。
【0063】ホール輸送層に使用する材料としては、上
記のTPD以外に例えば芳香族アミン類、ピラゾリン類
等の公知の種々の材料を使用できる。また、ホール輸送
層は単層であってもよいし、電荷輸送性能を上げるため
に積層した構造としてもよい。後述する他の実施例も同
様である。
記のTPD以外に例えば芳香族アミン類、ピラゾリン類
等の公知の種々の材料を使用できる。また、ホール輸送
層は単層であってもよいし、電荷輸送性能を上げるため
に積層した構造としてもよい。後述する他の実施例も同
様である。
【0064】次いで、同じマスク15を用いて図13に
示すように、ホール輸送層24上に電子輸送と発光を兼
ねるtris−(8−hydroxyquinoline)aluminum(以下、
単にAlq3 と称する。)を0.2〜0.4nm/sの
蒸発速度で50nmの厚さに真空蒸着して電子輸送層2
2を形成した。
示すように、ホール輸送層24上に電子輸送と発光を兼
ねるtris−(8−hydroxyquinoline)aluminum(以下、
単にAlq3 と称する。)を0.2〜0.4nm/sの
蒸発速度で50nmの厚さに真空蒸着して電子輸送層2
2を形成した。
【0065】この電子輸送層22に用いる材料として
は、アルミニウムや亜鉛の金属錯体化合物、芳香族炭素
化合物、オキサジアゾール系化合物等が使用できる。後
述する他の実施例も同様である。
は、アルミニウムや亜鉛の金属錯体化合物、芳香族炭素
化合物、オキサジアゾール系化合物等が使用できる。後
述する他の実施例も同様である。
【0066】上記の如く、発光性の有る材料で電子輸送
層22を形成してもよく、ホール輸送層24と電子輸送
層22との間に発光層だけの単独層を形成することもで
きる。また、電子輸送材料からなる薄膜と発光材料を電
子輸送材料中に含ませた薄膜との積層構造、或いは電子
輸送材料からなる薄膜と発光材料だけからなる薄膜の積
層構造が使用できる。後述する他の実施例も同様であ
る。
層22を形成してもよく、ホール輸送層24と電子輸送
層22との間に発光層だけの単独層を形成することもで
きる。また、電子輸送材料からなる薄膜と発光材料を電
子輸送材料中に含ませた薄膜との積層構造、或いは電子
輸送材料からなる薄膜と発光材料だけからなる薄膜の積
層構造が使用できる。後述する他の実施例も同様であ
る。
【0067】また、使用目的に合わせてテリレン誘導体
をホール輸送層、発光層若しくは電子輸送層に使用でき
る。更にホール輸送層、発光層、電子輸送層以外に、発
光効率を改善する目的で、ホールまたは電子の輸送を制
御するための薄膜をその層構成に含ませることもでき
る。後述する他の実施例も同様である。
をホール輸送層、発光層若しくは電子輸送層に使用でき
る。更にホール輸送層、発光層、電子輸送層以外に、発
光効率を改善する目的で、ホールまたは電子の輸送を制
御するための薄膜をその層構成に含ませることもでき
る。後述する他の実施例も同様である。
【0068】次に、図14に示すように、開口32aを
有するマスク32に取り替えて真空蒸着装置11により
有機層22、24上にカソード電極21を形成した。こ
の図の(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断面図
である。
有するマスク32に取り替えて真空蒸着装置11により
有機層22、24上にカソード電極21を形成した。こ
の図の(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断面図
である。
【0069】この蒸着に際しては、蒸着マスク32を装
置11内の真空下で交換して、図示の如く4個の有機層
のそれぞれを覆い、かつ、その外側に配置したITO透
明配線25Aと電気的に接続するように金属電極21を
抵抗加熱により蒸着した。陰極21の金属としては例え
ばMg−Ag(30:1)合金を用い、膜厚は200n
mに形成した。
置11内の真空下で交換して、図示の如く4個の有機層
のそれぞれを覆い、かつ、その外側に配置したITO透
明配線25Aと電気的に接続するように金属電極21を
抵抗加熱により蒸着した。陰極21の金属としては例え
ばMg−Ag(30:1)合金を用い、膜厚は200n
mに形成した。
【0070】そして更に、封止工程が完了する迄の金属
電極21の劣化を防止するために、図15に示すよう
に、同じマスク32を用いてこの金属電極21上にアル
ミニウムを約200nmの膜厚で真空蒸着して保護膜2
1Aを形成した。
電極21の劣化を防止するために、図15に示すよう
に、同じマスク32を用いてこの金属電極21上にアル
ミニウムを約200nmの膜厚で真空蒸着して保護膜2
1Aを形成した。
【0071】陰極21の電極材料としては、Li、M
g、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の金属と
の合金或いは積層した構造が使用できる。また、陰極の
厚さを調節することにより、用途にあった光透過率を得
ることができ、透過型の有機電界発光素子も作製でき
る。この場合には、金属陰極の上に電気的接続を安定に
保つために透明電極を形成してもよい。後述する他の実
施例も同様である。
g、Ca等の活性な金属とAg、Al、In等の金属と
の合金或いは積層した構造が使用できる。また、陰極の
厚さを調節することにより、用途にあった光透過率を得
ることができ、透過型の有機電界発光素子も作製でき
る。この場合には、金属陰極の上に電気的接続を安定に
保つために透明電極を形成してもよい。後述する他の実
施例も同様である。
【0072】次いで、図16に示すように、上記した積
層体の封止のためには、ITO透明電極25及び透明配
線25A全体にわたり、幅W1 が25mm×長さL1 が
35mmのサイズで厚さが2mmのガラス板28を使用
し、このガラス板28には直径3mmの貫通孔28a、
28bを2個設けた。この図の(a)は、(b)に示す
平面図のa−a線断面図である。
層体の封止のためには、ITO透明電極25及び透明配
線25A全体にわたり、幅W1 が25mm×長さL1 が
35mmのサイズで厚さが2mmのガラス板28を使用
し、このガラス板28には直径3mmの貫通孔28a、
28bを2個設けた。この図の(a)は、(b)に示す
平面図のa−a線断面図である。
【0073】次いで、図17に示すように、ガラス板2
8の縁に紫外線硬化樹脂29を施し、このガラス板28
と基板26とを発光部全体を囲み紫外線硬化樹脂29を
用いて窒素雰囲気で接着した。この図の(a)は、
(b)に示す平面図のa−a線断面図てある。
8の縁に紫外線硬化樹脂29を施し、このガラス板28
と基板26とを発光部全体を囲み紫外線硬化樹脂29を
用いて窒素雰囲気で接着した。この図の(a)は、
(b)に示す平面図のa−a線断面図てある。
【0074】次いで、図18に示すように、上記の如く
形成した封止構造の一方の貫通孔28aから、窒素ガス
Gを5分間注入した後、2つの貫通孔28a、28bを
紫外線硬化樹脂で封じて有機EL素子20Aを作製し
た。このように一方の貫通孔28aからの窒素ガスGの
注入により、封止構造内の空気は他方の貫通孔28bか
ら排出され、金属電極21の酸化要因は完全に除去され
る。
形成した封止構造の一方の貫通孔28aから、窒素ガス
Gを5分間注入した後、2つの貫通孔28a、28bを
紫外線硬化樹脂で封じて有機EL素子20Aを作製し
た。このように一方の貫通孔28aからの窒素ガスGの
注入により、封止構造内の空気は他方の貫通孔28bか
ら排出され、金属電極21の酸化要因は完全に除去され
る。
【0075】図19は、前記した図1のB−B線断面に
対応する図18の XIX−XIX 線断面図である。
対応する図18の XIX−XIX 線断面図である。
【0076】上記のような構造をなす封止容器の材質
は、気密性が保たれれば、ガラス、金属セラミックス等
の適宜の材料を使用することができる。そして、その形
状も気密性が保てれば、適宜の形状であってよい。封止
容器に設けるガス置換用の開口28a、28bの数は少
なくとも1つ以上あればよく、その大きさや位置に制限
はない。
は、気密性が保たれれば、ガラス、金属セラミックス等
の適宜の材料を使用することができる。そして、その形
状も気密性が保てれば、適宜の形状であってよい。封止
容器に設けるガス置換用の開口28a、28bの数は少
なくとも1つ以上あればよく、その大きさや位置に制限
はない。
【0077】また、使用する紫外線硬化樹脂29は気密
性が保たれればよく、適宜の材料が使用できる。そし
て、作業能率を向上させるために紫外線硬化樹脂に増粘
剤やフィラーを含ませてもよい。
性が保たれればよく、適宜の材料が使用できる。そし
て、作業能率を向上させるために紫外線硬化樹脂に増粘
剤やフィラーを含ませてもよい。
【0078】また、容器内を置換するのに用いるガスは
窒素以外に、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン
等の化学的に不活性なガスが使用でき、ガスの圧力は1
気圧以上あればよい。更に、ガス置換に加えて、モレキ
ュラーシープやシリカゲル等の乾燥剤、活性金属等の酸
素吸収材を密封容器中に併用すれば、一層効果を高める
ことができる。上記を含むこのような他の材料等の応用
は後述する他の実施例も同様である。
窒素以外に、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン
等の化学的に不活性なガスが使用でき、ガスの圧力は1
気圧以上あればよい。更に、ガス置換に加えて、モレキ
ュラーシープやシリカゲル等の乾燥剤、活性金属等の酸
素吸収材を密封容器中に併用すれば、一層効果を高める
ことができる。上記を含むこのような他の材料等の応用
は後述する他の実施例も同様である。
【0079】上記のように、窒素ガスGを注入した有機
EL素子20Aと、これと同様に作製し、紫外線効果樹
脂29で接着して封止後に窒素ガスGを注入しなかった
有機EL素子とで動作安定性を評価した。
EL素子20Aと、これと同様に作製し、紫外線効果樹
脂29で接着して封止後に窒素ガスGを注入しなかった
有機EL素子とで動作安定性を評価した。
【0080】その結果、初期には両方の有機EL素子に
おいて、10Vの電圧で、電流密度20mAのときに約
500cd/m2 の輝度が得られた。発光色は緑色であ
った。そして、更に通電を続けると、窒素ガスを使用し
なかった有機EL素子は500時間後に輝度が初期の5
0%以下となった。一方、窒素ガスを使用した方は10
00時間後も70%の輝度を保ち、本発明の効果が確か
められた。
おいて、10Vの電圧で、電流密度20mAのときに約
500cd/m2 の輝度が得られた。発光色は緑色であ
った。そして、更に通電を続けると、窒素ガスを使用し
なかった有機EL素子は500時間後に輝度が初期の5
0%以下となった。一方、窒素ガスを使用した方は10
00時間後も70%の輝度を保ち、本発明の効果が確か
められた。
【0081】本実施例によれば、従来の封止におけるよ
うに、封止に伴い空気を抱き込んで封止してしまうこと
がない。しかも、封止容器と封止される積層体との間に
空間が形成され、この空間に不活性ガスを注入して内部
の空気を排出後に、注入した不活性ガスを封入して注入
口を封止するので、内部に封入された金属電極21や保
護膜21Aの酸化要因が無くなる。
うに、封止に伴い空気を抱き込んで封止してしまうこと
がない。しかも、封止容器と封止される積層体との間に
空間が形成され、この空間に不活性ガスを注入して内部
の空気を排出後に、注入した不活性ガスを封入して注入
口を封止するので、内部に封入された金属電極21や保
護膜21Aの酸化要因が無くなる。
【0082】従って、有機EL素子の輝度保持時間を伸
ばすことが可能になり、有機EL素子の動作安定性を向
上させることができる。そして、これは後述する他の実
施例についても共通する効果である。
ばすことが可能になり、有機EL素子の動作安定性を向
上させることができる。そして、これは後述する他の実
施例についても共通する効果である。
【0083】図20〜図24は、第2の実施例による有
機EL素子の製造工程を示すものであり、上記した第1
の実施例と共通の製造工程以後(第1の実施例における
図16以後)の工程を示している。
機EL素子の製造工程を示すものであり、上記した第1
の実施例と共通の製造工程以後(第1の実施例における
図16以後)の工程を示している。
【0084】本実施例が上記した第1の実施例と異なる
点は、図20に示すように、封止にアルミニウム製容器
33を使用していることである。この図において(a)
は、(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
点は、図20に示すように、封止にアルミニウム製容器
33を使用していることである。この図において(a)
は、(b)に示す平面図のa−a線断面図である。
【0085】この封止容器33は図20に示す如く、外
寸法:幅W2 が25mm×長さL2が38mmで厚さ5
mmのアルミニウム製で、内寸法:幅wが20mm×長
さlが30mmで高さhが3mmの凹部を形成したもの
である。そして、外部と凹部とを通じるように直径4m
mの貫通孔33a、33bを設けた。
寸法:幅W2 が25mm×長さL2が38mmで厚さ5
mmのアルミニウム製で、内寸法:幅wが20mm×長
さlが30mmで高さhが3mmの凹部を形成したもの
である。そして、外部と凹部とを通じるように直径4m
mの貫通孔33a、33bを設けた。
【0086】そして、図21に示すように、この容器3
3を基板26上に形成した積層体の上に被覆させてか
ら、図22に示すように、容器33の内部周縁部の全面
にシリカゲルをエポキシ樹脂34aで接着した。
3を基板26上に形成した積層体の上に被覆させてか
ら、図22に示すように、容器33の内部周縁部の全面
にシリカゲルをエポキシ樹脂34aで接着した。
【0087】次いで、図23に示すように、この容器3
3の内周縁の接着後、真空乾燥器内で加熱を行い十分に
ガス出しを行った後、窒素雰囲気下で容器33の外周縁
に紫外線硬化樹脂34bを施し、基板26に密着させ、
基板26側から紫外線を照射して容器33を基板26に
接着した。
3の内周縁の接着後、真空乾燥器内で加熱を行い十分に
ガス出しを行った後、窒素雰囲気下で容器33の外周縁
に紫外線硬化樹脂34bを施し、基板26に密着させ、
基板26側から紫外線を照射して容器33を基板26に
接着した。
【0088】次いで、図23に示すように、一方の貫通
孔33aを介して、容器33内に窒素ガスGを10分間
通じた後、貫通孔33a、33bを紫外線硬化樹脂で封
じて有機EL素子20A’を作製した。
孔33aを介して、容器33内に窒素ガスGを10分間
通じた後、貫通孔33a、33bを紫外線硬化樹脂で封
じて有機EL素子20A’を作製した。
【0089】図24は、前記した図1のB−B線断面に
対応する図23のXXIV−XXIV線断面図である。
対応する図23のXXIV−XXIV線断面図である。
【0090】上記のように窒素ガスGを注入した有機E
L素子20A’と、これと同様に作製し紫外線硬化樹脂
34b及びエポキシ樹脂34aで接着して封止後に窒素
ガスGを注入しなかった有機EL素子とで実施例1と同
様に動作安定性を評価した。
L素子20A’と、これと同様に作製し紫外線硬化樹脂
34b及びエポキシ樹脂34aで接着して封止後に窒素
ガスGを注入しなかった有機EL素子とで実施例1と同
様に動作安定性を評価した。
【0091】その結果、初期には両方の有機EL素子に
おいて、10Vの電圧で、電流密度20mAのときに約
500cd/m2 の輝度が得られた。発光色は緑色であ
った。そして、更に通電を続けると、窒素ガスを使用し
なかった有機EL素子は540時間後に輝度が初期の5
0%以下となった。前記した第1の実施例のシリカゲル
を用いなかった場合と比較して動作時間が伸びたのは、
シリカゲルを用いた効果が現れたと考えられる。一方、
窒素ガスを使用した方では1000時間後も75%の輝
度を保ち、本発明の効果が確かめられた。
おいて、10Vの電圧で、電流密度20mAのときに約
500cd/m2 の輝度が得られた。発光色は緑色であ
った。そして、更に通電を続けると、窒素ガスを使用し
なかった有機EL素子は540時間後に輝度が初期の5
0%以下となった。前記した第1の実施例のシリカゲル
を用いなかった場合と比較して動作時間が伸びたのは、
シリカゲルを用いた効果が現れたと考えられる。一方、
窒素ガスを使用した方では1000時間後も75%の輝
度を保ち、本発明の効果が確かめられた。
【0092】図25〜図29は、第3の実施例による有
機EL素子の製造工程を示すものであり、上記した図2
のA’−A’線断面に対応する断面図(後述する第4の
実施例も同様)を示し、上記した第1の実施例と共通の
製造工程以後(第1の実施例における図12以後)の工
程を示している。
機EL素子の製造工程を示すものであり、上記した図2
のA’−A’線断面に対応する断面図(後述する第4の
実施例も同様)を示し、上記した第1の実施例と共通の
製造工程以後(第1の実施例における図12以後)の工
程を示している。
【0093】本実施例は、前述したように図2に示した
有機EL素子であり、有機層及び陰極の配線が共通に設
けられている。即ち、一部分の製造工程が上記した第1
の実施例と同様の製造工程を経て作製され、これにより
形成されたITO透明電極25の露出部25a上に、第
1の実施例とは異なる本実施例の構造を形成している。
有機EL素子であり、有機層及び陰極の配線が共通に設
けられている。即ち、一部分の製造工程が上記した第1
の実施例と同様の製造工程を経て作製され、これにより
形成されたITO透明電極25の露出部25a上に、第
1の実施例とは異なる本実施例の構造を形成している。
【0094】図25は、本実施例のホール輸送層24A
の形成を示すものであり、前記した図4の真空蒸着装置
11により、広幅な開口35aを有するマスク35を用
い、第1の実施例と同様のTPDを同様の条件で蒸着し
てホール輸送層24Aを形成した。しかし本実施例の場
合は、図示の如く、4つのITO電極の露出部25aに
対して共通のホール輸送層24Aが形成されている。こ
の図において、(a)は、(b)に示す平面図のa−a
線断面図である。
の形成を示すものであり、前記した図4の真空蒸着装置
11により、広幅な開口35aを有するマスク35を用
い、第1の実施例と同様のTPDを同様の条件で蒸着し
てホール輸送層24Aを形成した。しかし本実施例の場
合は、図示の如く、4つのITO電極の露出部25aに
対して共通のホール輸送層24Aが形成されている。こ
の図において、(a)は、(b)に示す平面図のa−a
線断面図である。
【0095】次いで、図26に示すように、同じマスク
35を用い、上記の如く形成したホール輸送層24A上
に、第1の実施例と同様のAlq3 を同様の条件で蒸着
し、発光層を兼ねる電子輸送層22Aを形成した。
35を用い、上記の如く形成したホール輸送層24A上
に、第1の実施例と同様のAlq3 を同様の条件で蒸着
し、発光層を兼ねる電子輸送層22Aを形成した。
【0096】次いで、図27に示すように、更に広幅の
開口36aを有するマスク36に替えて、第1の実施例
と同様の条件下で上記した有機層22A、24Aを覆
い、かつ、その外側に配したITO透明配線25Aと電
気的に接続するように、第1の実施例と同様のMg−A
g(30:1)合金を蒸着して陰極23を形成した。こ
の図の(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断面図
である。
開口36aを有するマスク36に替えて、第1の実施例
と同様の条件下で上記した有機層22A、24Aを覆
い、かつ、その外側に配したITO透明配線25Aと電
気的に接続するように、第1の実施例と同様のMg−A
g(30:1)合金を蒸着して陰極23を形成した。こ
の図の(a)は、(b)に示す平面図のa−a線断面図
である。
【0097】次いで、図28に示すように、上記と同じ
マスク36を用い、第1の実施例と同様に金属電極23
の劣化防止のために、この金属電極23上に第1の実施
例と同様にアルミニウムを蒸着して保護膜23Aを形成
した。
マスク36を用い、第1の実施例と同様に金属電極23
の劣化防止のために、この金属電極23上に第1の実施
例と同様にアルミニウムを蒸着して保護膜23Aを形成
した。
【0098】次いで、図29に示すように、上記した積
層体を封止するために、第1の実施例と同様のガラス板
28で覆い、同様の条件下で紫外線硬化樹脂29を用い
て基板26を接着した。
層体を封止するために、第1の実施例と同様のガラス板
28で覆い、同様の条件下で紫外線硬化樹脂29を用い
て基板26を接着した。
【0099】そして、上記の如くに形成した封止容器の
中に、第1の実施例と同様に窒素ガスGを注入した後、
貫通孔28a、28bを紫外線硬化樹脂で封じて有機E
L素子20Bを作製した。図29において、(a)は、
(c)に示す平面図のa−a線断面図、(b)は同じく
(c)のb−b線断面図である。
中に、第1の実施例と同様に窒素ガスGを注入した後、
貫通孔28a、28bを紫外線硬化樹脂で封じて有機E
L素子20Bを作製した。図29において、(a)は、
(c)に示す平面図のa−a線断面図、(b)は同じく
(c)のb−b線断面図である。
【0100】上記のように作製し窒素ガスGを注入した
有機EL素子と、同様に作製し窒素ガスGを注入しない
有機EL素子とにより、前記した第1の実施例と同様に
素子の動作安定性を評価した。その結果、本実施例にお
いても第1の実施例の場合とほぼ同様の効果が得られ
た。
有機EL素子と、同様に作製し窒素ガスGを注入しない
有機EL素子とにより、前記した第1の実施例と同様に
素子の動作安定性を評価した。その結果、本実施例にお
いても第1の実施例の場合とほぼ同様の効果が得られ
た。
【0101】図30は、第4の実施例による有機EL素
子の製造工程を示すものであり、上記した第3の実施例
における封止容器に代えて、前記した第2の実施例の場
合と同様の封止容器を用い、有機EL素子20B’を作
製したものである。
子の製造工程を示すものであり、上記した第3の実施例
における封止容器に代えて、前記した第2の実施例の場
合と同様の封止容器を用い、有機EL素子20B’を作
製したものである。
【0102】即ち、金属電極23及び保護膜23Aが形
成された上に、前記した第2の実施例と同様のアルミニ
ウム製容器33を被覆させ、同様に基板26に接する容
器33の内周縁を接着後、同様の条件で外周縁を接着し
て窒素ガスGを注入して貫通孔33a、33bを封じた
ものである。
成された上に、前記した第2の実施例と同様のアルミニ
ウム製容器33を被覆させ、同様に基板26に接する容
器33の内周縁を接着後、同様の条件で外周縁を接着し
て窒素ガスGを注入して貫通孔33a、33bを封じた
ものである。
【0103】図30において、(a)は、(c)に示す
平面図のa−a線断面図、(b)は同じく(c)のb−
b線断面図である。
平面図のa−a線断面図、(b)は同じく(c)のb−
b線断面図である。
【0104】そして、上記のように作製し窒素ガスGを
注入した有機EL素子と、同様に作製し窒素ガスGを注
入しない有機EL素子とにより、前記した第2の実施例
と同様に素子の動作安定性を評価した。その結果、本実
施例においても第2の実施例の場合とほぼ同様の効果が
得られた。
注入した有機EL素子と、同様に作製し窒素ガスGを注
入しない有機EL素子とにより、前記した第2の実施例
と同様に素子の動作安定性を評価した。その結果、本実
施例においても第2の実施例の場合とほぼ同様の効果が
得られた。
【0105】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
した実施例は本発明の技術的思想に基づいて種々に変形
することができる。
した実施例は本発明の技術的思想に基づいて種々に変形
することができる。
【0106】例えば、積層体の封止構造は、上述した実
施例以外の適宜な構造にすることができ、陽極、有機層
及び陰極の形状や材料等も適宜に変更することができ
る。また、不活性ガスの注入方法についても変えること
ができる。
施例以外の適宜な構造にすることができ、陽極、有機層
及び陰極の形状や材料等も適宜に変更することができ
る。また、不活性ガスの注入方法についても変えること
ができる。
【0107】また、上記の実施例による有機EL素子の
ITO透明電極5、ホール輸送層4、電子輸送層2、金
属電極1は、それぞれが複数層からなる積層構造であっ
てもよい。
ITO透明電極5、ホール輸送層4、電子輸送層2、金
属電極1は、それぞれが複数層からなる積層構造であっ
てもよい。
【0108】また、上記実施例における各有機層は、蒸
着以外にも、昇華又は気化を伴う他の成膜方法でも形成
可能である。
着以外にも、昇華又は気化を伴う他の成膜方法でも形成
可能である。
【0109】また、アノード電極、電子輸送層、ホール
輸送層、カソード電極等の材料は上記に限るものではな
く、例えばホール輸送層であるならば、ベンジジン誘導
体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導
体、ヒドラゾン誘導体等のホール輸送性有機物質を用い
てもよい。同様に、電子輸送層には、ペリレン誘導体、
ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体等の電子輸送性有
機物質を用いてもよい。
輸送層、カソード電極等の材料は上記に限るものではな
く、例えばホール輸送層であるならば、ベンジジン誘導
体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導
体、ヒドラゾン誘導体等のホール輸送性有機物質を用い
てもよい。同様に、電子輸送層には、ペリレン誘導体、
ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体等の電子輸送性有
機物質を用いてもよい。
【0110】また、カソード電極材料については、効率
良く電子を注入するために、電極材料の真空準位からの
仕事関数の小さい金属を用いるのが好ましく、アルミニ
ウム−リチウム合金以外にも、例えば、アルミニウム、
インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリウ
ム、リチウム等の低仕事関数金属を単体で、または他の
金属との合金として安定性を高めて使用してもよい。
良く電子を注入するために、電極材料の真空準位からの
仕事関数の小さい金属を用いるのが好ましく、アルミニ
ウム−リチウム合金以外にも、例えば、アルミニウム、
インジウム、マグネシウム、銀、カルシウム、バリウ
ム、リチウム等の低仕事関数金属を単体で、または他の
金属との合金として安定性を高めて使用してもよい。
【0111】また、アノード電極側から有機電界発光を
取り出すため、アノード電極には透明電極であるITO
を用いたが、効率良くホールを注入するために、アノー
ド電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例
えば金、二酸化スズ−アンチモン混合物、酸化亜鉛−ア
ルミニウム混合物の電極を用いてもよい。
取り出すため、アノード電極には透明電極であるITO
を用いたが、効率良くホールを注入するために、アノー
ド電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例
えば金、二酸化スズ−アンチモン混合物、酸化亜鉛−ア
ルミニウム混合物の電極を用いてもよい。
【0112】なお、モノカラー用の有機EL素子は勿
論、発光材料を選択することによって、R、G、Bの三
色を発光するフルカラー用、又はマルチカラー用の有機
EL素子を作製することができる。その他、本発明はデ
ィスプレイ用としてだけでなく、光源用としても使用可
能な有機EL素子に適用できると共に、他の光学的用途
にも適用することができる。
論、発光材料を選択することによって、R、G、Bの三
色を発光するフルカラー用、又はマルチカラー用の有機
EL素子を作製することができる。その他、本発明はデ
ィスプレイ用としてだけでなく、光源用としても使用可
能な有機EL素子に適用できると共に、他の光学的用途
にも適用することができる。
【0113】
【発明の作用効果】本発明は、上述した如く、積層体を
被覆して封入した封止材が基体上に固定され、前記封止
材と前記基体との間の空間に不活性ガスが充填されてい
るので、不活性ガスが充填される前にこの空間に存在し
ていた空気が不活性ガスの充填と共に排除される。
被覆して封入した封止材が基体上に固定され、前記封止
材と前記基体との間の空間に不活性ガスが充填されてい
るので、不活性ガスが充填される前にこの空間に存在し
ていた空気が不活性ガスの充填と共に排除される。
【0114】従って、積層体に金属が含まれている場合
には、この金属の酸化が防止できるため、例えば有機E
L素子の封止にこれを適用すれば、金属電極の劣化が防
止され動作安定性を維持することができる。
には、この金属の酸化が防止できるため、例えば有機E
L素子の封止にこれを適用すれば、金属電極の劣化が防
止され動作安定性を維持することができる。
【図1】本発明の第1の実施例による有機EL素子を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図2】同、第3の実施例による有機EL素子を示す概
略平面図である。
略平面図である。
【図3】同、製造工程の一工程段階を示す概略斜視図で
ある。
ある。
【図4】同、実施例に使用した真空蒸着装置の概略断面
図である。
図である。
【図5】同、真空蒸着装置により作製した有機EL素子
の具体例を示した平面図である。
の具体例を示した平面図である。
【図6】同、第1の実施例による有機EL素子の製造工
程における一工程段階を示す断面図である。
程における一工程段階を示す断面図である。
【図7】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図8】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図9】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面図、
(b)は平面図である。
(b)は平面図である。
【図10】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図11】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図12】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図13】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図14】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図15】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図16】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図17】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図18】同、更に他の一工程段階を示す断面図であ
る。
る。
【図19】図18の XIX−XIX 線断面図である。
【図20】同、第2の実施例による有機EL素子の封止
容器を示し、(a)は断面図、(b)は平面図である。
容器を示し、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図21】同、製造工程における一工程段階を示す断面
図である。
図である。
【図22】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図23】同、更に他の一工程段階を示す断面図であ
る。
る。
【図24】図23のXXIV−XXIV線断面図である。
【図25】同、第3の実施例による有機EL素子の製造
工程における一工程段階を示し、(a)は断面図、
(b)は平面図である。
工程における一工程段階を示し、(a)は断面図、
(b)は平面図である。
【図26】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図27】同、他の一工程段階を示し、(a)は断面
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
【図28】同、他の一工程段階を示す断面図である。
【図29】同、更に他の一工程段階を示し、(a)は
(c)のa−a線断面図、(b)は(c)のb−b線断
面図、(c)は平面図である。
(c)のa−a線断面図、(b)は(c)のb−b線断
面図、(c)は平面図である。
【図30】同、第4の実施例による有機EL素子の製造
工程における一工程段階を示し、(a)は(c)のa−
a線断面図、(b)は(c)のb−b線断面図、(c)
は平面図である。
工程における一工程段階を示し、(a)は(c)のa−
a線断面図、(b)は(c)のb−b線断面図、(c)
は平面図である。
【図31】従来の有機EL素子の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図32】同、他の有機EL素子の一例を示す概略断面
図である。
図である。
【図33】同、有機EL素子の具体例を示す概略斜視図
である。
である。
【図34】同、他の有機EL素子の封止状態を示す概略
断面図である。
断面図である。
11…真空蒸着装置、12…アーム、13…固定手段、
14…シャッター、14a…支軸、15、31、32、
35、36…マスク、15a、31a、32a、35
a、36a…開口、18…蒸着源、19…電源、20、
20A、20A’、20B、20B’…有機EL素子、
21、23…金属電極(陰極)、21A、23A…保護
膜、22、22A…電子輸送層、24、24A…ホール
輸送層、25…ITO透明電極、25’…ITO薄膜、
25A…ITO透明配線、25a…露出部、26…基
板、27、27’、30…絶縁膜、27a…開口部、2
8…封止用ガラス、28a、28b、33a、33b…
貫通孔、29…紫外線硬化樹脂、33…封止用カバー、
34a、34b…封止材、G…不活性ガス、W、W1 、
W2 、w…幅、L、L1 、L2 、l…長さ
14…シャッター、14a…支軸、15、31、32、
35、36…マスク、15a、31a、32a、35
a、36a…開口、18…蒸着源、19…電源、20、
20A、20A’、20B、20B’…有機EL素子、
21、23…金属電極(陰極)、21A、23A…保護
膜、22、22A…電子輸送層、24、24A…ホール
輸送層、25…ITO透明電極、25’…ITO薄膜、
25A…ITO透明配線、25a…露出部、26…基
板、27、27’、30…絶縁膜、27a…開口部、2
8…封止用ガラス、28a、28b、33a、33b…
貫通孔、29…紫外線硬化樹脂、33…封止用カバー、
34a、34b…封止材、G…不活性ガス、W、W1 、
W2 、w…幅、L、L1 、L2 、l…長さ
Claims (34)
- 【請求項1】 基体上に配した電極上に、発光領域を含
む積層体が設けられている光学的素子において、前記積
層体を被覆して封入した封止材が前記基体上に固定さ
れ、前記封止材と前記基体との間の空間に不活性ガスが
充填されていることを特徴とする光学的素子。 - 【請求項2】 不活性ガスとして窒素又は希ガスが1気
圧以上の圧力で充填されている、請求項1に記載した光
学的素子。 - 【請求項3】 前記積層体が活性導電層を有しており、
前記封止材が、前記活性導電層上の板状部と、この板状
部をその周縁において前記基体に気密に固定した接着部
とによって構成されている、請求項1に記載した光学的
素子。 - 【請求項4】 前記活性導電層が上部電極である、請求
項3に記載した光学的素子。 - 【請求項5】 前記板状部が絶縁材からなっている、請
求項3に記載した光学的素子。 - 【請求項6】 前記積層体が活性導電層を有しており、
前記封止材がケーシング状のカバーによって構成され、
このカバーの縁が前記基体に気密に固定されている、請
求項1に記載した光学的素子。 - 【請求項7】 前記活性導電層が上部電極である、請求
項6に記載した光学的素子。 - 【請求項8】 前記封止材が導電性カバーからなってい
る、請求項6に記載した光学的素子。 - 【請求項9】 前記封止材にガス置換用の貫通孔が設け
られ、この貫通孔を介して前記不活性ガスが充填され
る、請求項1に記載した光学的素子。 - 【請求項10】 前記基体に対する前記封止材の接着及
び前記貫通孔の閉塞に紫外線硬化樹脂が用いられてい
る、請求項9に記載した光学的素子。 - 【請求項11】 前記基体上に複数の前記電極が下部電
極として所定パターンにそれぞれ形成され、これらの下
部電極のそれぞれの各一部分が島状に露出するように絶
縁材が被着され、これらの露出部分上に前記積層体が設
けられ、更にこの積層体上に上部電極が形成されてい
る、請求項1に記載した光学的素子。 - 【請求項12】 前記積層体が複数の前記露出部分にそ
れぞれ設けられ、これらの積層体に前記上部電極が個々
に形成されている、請求項11に記載した光学的素子。 - 【請求項13】 前記積層体が複数の前記露出部分に共
通に設けられ、この積層体に前記上部電極が共通に形成
されている、請求項11に記載した光学的素子。 - 【請求項14】 複数の前記電極が前記下部電極と前記
上部電極に接続された配線とを含み、これらの下部電極
及び配線の各端部が外部接続端子部となるように前記封
止材が前記基体上に固定されている、請求項11に記載
した光学的素子。 - 【請求項15】 光学的に透明な前記基体上に、下部電
極としての陽極、有機ホール輸送層、有機発光層及び/
又は有機電子輸送層、及び上部電極としての陰極が順次
積層されている、請求項1に記載した光学的素子。 - 【請求項16】 有機電界発光素子として構成されてい
る、請求項15に記載した光学的素子。 - 【請求項17】 カラーディスプレイ用の有機電界発光
素子として構成されている、請求項16に記載した光学
的素子。 - 【請求項18】 基体上に配した電極上に発光領域を含
む積層体が設けられている光学的素子を製造するに際
し、前記基体上に前記電極を形成し、この電極上に前記
積層体を形成し、この積層体を被覆して封入する封止材
を前記基体上に固定し、前記封止材と前記基体との間の
空間に不活性ガスを充填する、光学的素子の製造方法。 - 【請求項19】 不活性ガスとして窒素又は希ガスを1
気圧以上の圧力で充填する、請求項18に記載した製造
方法。 - 【請求項20】 前記積層体に活性導電層を設け、前記
封止材を前記活性導電層上の板状部とこの板状部をその
周縁において前記基体に気密に固定した接着部とによっ
て構成する、請求項18に記載した製造方法。 - 【請求項21】 前記活性導電層を上部電極として設け
る、請求項20に記載した製造方法。 - 【請求項22】 前記板状部を絶縁材で形成する、請求
項20に記載した製造方法。 - 【請求項23】 前記積層体に活性導電層を設け、前記
封止材をケーシング状のカバーによって構成し、このカ
バーの縁を前記基体に気密に固定させる、請求項18に
記載した製造方法。 - 【請求項24】 前記活性導電層を上部電極として設け
る、請求項23に記載した製造方法。 - 【請求項25】 前記封止材を導電性カバーで形成す
る、請求項23に記載した製造方法。 - 【請求項26】 前記封止材にガス置換用の貫通孔を設
け、この貫通孔を介して前記不活性ガスを充填させる、
請求項18に記載した製造方法。 - 【請求項27】 前記基体に対する前記封止材の接着及
び前記貫通孔の閉塞に紫外線硬化樹脂を用いる、請求項
26に記載した製造方法。 - 【請求項28】 前記基体上に複数の前記電極を下部電
極として所定パターンにそれぞれ形成し、これらの下部
電極のそれぞれの各一部分が島状に露出するように絶縁
材を被着し、これらの露出部分上に前記積層体を設け、
更にこの積層体上に上部電極を形成する、請求項18に
記載した製造方法。 - 【請求項29】 前記積層体を複数の前記露出部分にそ
れぞれ設け、これらの積層体に前記上部電極を個々に形
成する、請求項28に記載した製造方法。 - 【請求項30】 前記積層体を複数の前記露出部分に共
通に設け、この積層体に前記上部電極を共通に形成す
る、請求項28に記載した製造方法。 - 【請求項31】 前記下部電極と前記上部電極に接続さ
れた配線とを含む複数の前記電極を設け、これらの下部
電極及び配線の各端部が外部接続端子部となるように前
記封止材を前記基体上に固定する、請求項28に記載し
た製造方法。 - 【請求項32】 光学的に透明な前記基体上に、下部電
極としての陽極、有機ホール輸送層、有機発光層及び/
又は有機電子輸送層、及び上部電極としての陰極を順次
積層する、請求項18に記載した製造方法。 - 【請求項33】 有機電界発光素子として構成する、請
求項32に記載した製造方法。 - 【請求項34】 カラーディスプレイ用の有機電界発光
素子として構成する、請求項33に記載した製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8350715A JPH10189238A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光学的素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8350715A JPH10189238A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光学的素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10189238A true JPH10189238A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18412368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8350715A Pending JPH10189238A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 光学的素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10189238A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002082632A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR20020085195A (ko) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그의 제조방법 |
JP2002352952A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
KR100843117B1 (ko) * | 1999-10-12 | 2008-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 디바이스 |
JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
JP2012012915A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 間仕切り |
WO2016197699A1 (zh) * | 2015-06-08 | 2016-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装件及其封装方法、oled装置 |
WO2017029889A1 (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社カネカ | 有機elパネル、照明装置、並びに、有機elパネルの製造方法 |
WO2018207257A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 大塚製薬株式会社 | 包装薬剤 |
CN114709354A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-05 | 北京热刺激光技术有限责任公司 | Oled器件的激光微纳米结构和封装方法 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP8350715A patent/JPH10189238A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100843117B1 (ko) * | 1999-10-12 | 2008-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 디스플레이 디바이스 |
US7989812B2 (en) * | 1999-10-12 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
US8884301B2 (en) | 1999-10-12 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
JP2002082632A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-03-22 | Seiko Epson Corp | 有機el表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR20020085195A (ko) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그의 제조방법 |
JP2002352952A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
JP2008277438A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、基板、並びに、電子部品及び基板の製造方法 |
JP2012012915A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 間仕切り |
WO2016197699A1 (zh) * | 2015-06-08 | 2016-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装件及其封装方法、oled装置 |
WO2017029889A1 (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社カネカ | 有機elパネル、照明装置、並びに、有機elパネルの製造方法 |
WO2018207257A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 大塚製薬株式会社 | 包装薬剤 |
WO2018207681A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 大塚製薬株式会社 | 包装薬剤 |
JPWO2018207681A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2020-03-12 | 大塚製薬株式会社 | 包装薬剤 |
CN110891544A (zh) * | 2017-05-09 | 2020-03-17 | 大塚制药株式会社 | 包装的药品 |
CN114709354A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-05 | 北京热刺激光技术有限责任公司 | Oled器件的激光微纳米结构和封装方法 |
CN114709354B (zh) * | 2022-06-08 | 2022-09-09 | 北京热刺激光技术有限责任公司 | Oled器件的激光微纳米结构和封装方法 |
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