JP3758369B2 - 有機el表示装置とその製造方法 - Google Patents
有機el表示装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3758369B2 JP3758369B2 JP15206098A JP15206098A JP3758369B2 JP 3758369 B2 JP3758369 B2 JP 3758369B2 JP 15206098 A JP15206098 A JP 15206098A JP 15206098 A JP15206098 A JP 15206098A JP 3758369 B2 JP3758369 B2 JP 3758369B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- organic
- electron injection
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 314
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 91
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000002585 base Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 5
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical class [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 12-phthaloperinone Chemical class C1=CC(N2C(=O)C=3C(=CC=CC=3)C2=N2)=C3C2=CC=CC3=C1 XFYQEBBUVNLYBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]-3-methylaniline Chemical group CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 QZXNDEONRUSYFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報表示パネル、自動車用の計器パネル、動画・静止画を表示させるディスプレイ等、家電製品、自動車、二輪車電装品に使用され、有機化合物を用いて構成された有機EL表示装置の電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機EL素子が盛んに研究され、実用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム(ITO)などの透明電極(ホール注入電極)上にトリフェニルジアミン(TPD)などのホール輸送材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体(Alq3 )などの蛍光物質を発光層として積層し、さらにMgなどの仕事関数の小さな金属電極(電子注入電極)を形成した基本構成を有する素子で、10V 前後の電圧で数100から数10000cd/m2 ときわめて高い輝度が得られることで、家電製品、自動車、二輪車電装品等のディスプレイとして注目されている。
【0003】
このような有機EL素子を用いてマトリクスタイプディスプレイ等の表示装置を構成する場合、電極の配線構造が問題となる。すなわち、例えば図3に示すようにマトリクスディスプレイの一部分に注目してみると、基板1上に一画素分のITO電極層5が成膜され、さらにその周囲にはパッシベーション膜6が成膜されている。そして、この上に発光層等を含有した有機層7が積層され、さらに電子注入電極層4が成膜されている。このような構造が紙面に向かって左方向に連続しており、必要な画素数を有するマトリクス1ライン分を形成している。なお、図ではITO電極層5を接続するためのホール注入電極側の配線構造は省略している。
【0004】
一方、その右側の構造に着目すると、基板上1には下地層2と、その上に電極層3とが成膜され、上記電子注入電極層4の一部が電極層3の上部にも達して、両者がその部分で電気的に接続されるようになっている。また、下地層2と電極層3とはさらに紙面右側方向にある端子電極(図示せず)と接続されて、外部からの電源供給ラインとして機能している。
【0005】
このような構造の有機EL表示装置を製造する場合、先ずITO層5等のホール注入電極構造や、下地層2、電極層3等を成膜した後、パッシベーション層6を成膜し、さらに有機層7を成膜した後、電子注入電極層4が成膜される。
【0006】
図4に下地層2、電極層3および電子注入電極4により構成されるコンタクト(接続)部分(図3の右側部分)の概略断面図を示す。図に示すように、コンタクト部分では、下地層2と電極層3とが積層された上に電子注入電極が成膜され、下地層2および電極層3と、電子注入電極4とが接続される。しかし、図3に示すように、パッシベーション層6を形成する際等に、電極層3の表面が酸化され、酸化層3aを形成してしまうことがある。このため、有機層7を成膜した後に電子注入電極4を成膜しようとすると、電極層3の表面が高抵抗となって電子注入電極層4との接続が悪く、接続不良を生じたり、十分に各画素を駆動することができなくなってしまう場合がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、電子注入電極層と電極層との電気的な接続を良好なものとし、接続不良が生じ難く、かつ接続抵抗の小さな有機EL表示装置、および有機EL表示装置の製造方法を実現することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の構成により達成される。
(1) 少なくとも端子と電子注入電極層とを接続し、表面に酸化層が形成され難い金属の下地層を下層に有し、前記下地層より表面に酸化層が形成され易い金属の電極層を上層に有する電極構造を有し、
前記電極層の電子注入電極層と接続される領域の少なくとも一部の領域で下地層と電子注入電極層とが直接接触している有機EL表示装置。
(2) 前記電極層の金属の電気抵抗率は、下地層の金属の電気抵抗率よりも低い上記(1)の有機EL表示装置。
(3) 前記電極層の電子注入電極層と接続される領域は、電極層のさらに上層に発光機能に関与する有機EL構造体と接続されている電子注入電極層を有し、かつこの電子注入電極層が下地層の一部と電気的に接続されている上記(1)または(2)の有機EL表示装置。
(4) 前記電極層のさらに上層には、電極層より表面に酸化層が形成され難い金属の保護層を有し、
この保護層の上に電子注入電極層を有し、かつこの保護層を介して電極層、下地層と電子注入電極層とが電気的に接続されている上記(1)または(2)の有機EL表示装置。
(5) 前記下地層の構成材料は、窒化チタンまたはクロムのいずれかである上記(1)〜(4)のいずれかの有機EL表示装置。
(6) 電極層の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である上記(1)〜(5)のいずれかの有機EL表示装置。
(7) 前記保護層の構成材料は、下地層の構成材料である上記(4)〜(6)のいずれかの有機EL表示装置。
(8) 前記電極層の電子注入電極層と接続される領域の少なくとも一部の領域が櫛形に形成されている上記(1)〜(7)のいずれかの有機EL表示装置。
(9) 電子注入電極層と、ホール注入電極層と、これらの電極の間に一種以上の発光機能に関与する有機層とを有する有機EL構造体を有する上記(1)〜(8)のいずれかの有機EL表示装置。
(10) 端子電極と接続される下地層と電極層とを形成するに際し、下地層形成後に電極層の一部の領域を形成する際に下地層の一部を露出させ、この下地層の一部が露出し、かつ電極層が形成された領域に電子注入電極層の一部の領域を成膜する有機EL表示装置の製造方法。
(11) 前記電極層の一部の領域を櫛形に形成して下地層の一部を露出させる上記(10)の有機EL表示装置の製造方法。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の有機EL表示装置は、例えば図1,2に示すように、少なくとも端子と電子注入電極層とを接続し、表面に酸化層が形成され難い金属の下地層2を下層に有し、前記下地層2より表面に酸化層が形成され易い金属の電極層3を上層に有する電極構造を有し、前記電極層3の電子注入電極層4と接続される領域の少なくとも一部の領域で下地層2を露出させ、電子注入電極層4と接触させている。また、好ましくは電極層3を櫛形に形成することにより下地層2を露出させている。
【0010】
このように電極層3の一部において、その下層である下地層2の一部を露出させることにより、これらのさらに上層に形成される電子注入電極層4との電気的な接続が良好になる。すなわち、電子注入電極層4は、電極層3と下地層2との双方に接触することとなる。そして、たとえ電極層3の表面に酸化層が形成されていたとしても、これより酸化層が形成され難い下地層2の表面は酸化(高抵抗化)していないため、この部分で電気的な接続を図ることができる。
【0011】
また、一旦下地層2に導通された電子eは、下地層2と電極層3との界面を介して電気伝導度の高い(電気抵抗の低い)電極層3を主に流れるようになり、電気抵抗の増加は極めて少ない。つまり、電子注入電極層4から露出した部分を介して下地層2に流れ込んだ電流の大部分は、そのすぐそばに形成されている電極層3に流れ込むため、下地層2内をこの電流が流れる距離は極僅かなものとなり、下地層2での抵抗の増加分は無視できる。
【0012】
なお、図1は電極層3と下地層2、およびその上に成膜されている電子注入電極層4を模式的に表した図である。図2において、電極層が櫛形に形成されている領域の左側には、ITO等の透明電極層5と、パッシベーション層6および有機層(図中記載を省略)および電子注入電極層4、つまり有機EL構造体が形成されていて、マトリクスの一画素を形成している。
【0013】
下地層2の材料としては、電極層の材料よりも十分に酸化し難い材料であること等が必要である。すなわち、電極層の金属材料に対して、下地層の金属材料の酸化還元曲線(例えばEllingham によって導入されRichardsonとJeffs によって発展されたものをいう。)が上位にある関係である。
【0014】
また、好ましくは電極層の金属材料の抵抗率が下地層の金属材料の電気抵抗率より低い(電気伝導度の高い)ものである。具体的には、20℃における電極層の電気抵抗率が20μΩ・cm以下、特に10μΩ・cm以下である。その下限値は特に規制されるものではないが、通常、2.5μΩ・cm程度である。なお、下地層の電気抵抗率が電極層の電気抵抗率を超えたものであってもよい。
【0015】
このような金属材料としては、例えば、電極層ではAl、Alおよび遷移金属、特にSc,Nb,Zr,Hf,Nd,Ta,Cu,Si,Cr,Mo,Mn,Ni,Pd,Pt,W等を、好ましくはこれらの総計が10at%以下、特に5at%以下、特に2at%以下含有していてもよいアルミニウム基合金等を好ましく挙げることができる。アルミニウムは低抵抗であり、電極層として用いた場合良好な効果が得られる。
【0016】
下地層としては、電極層のエッチャントに対して十分に耐エッチング性を備えているものが好ましい。具体的には、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル、窒化クロム等の窒化物;コバルトシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサイド等のシリサイド化合物;チタンカーバイド、ドープト炭化シリコン、クロム等を好ましく挙げることができる。これらのなかでも窒化物、クロムが好ましく、特に窒化チタン、クロムが好ましい。窒化チタンは耐腐食性が高く、下地層としての効果が大きい。TiNの窒化率は、10〜55%程度が好ましい。また、上記シリサイド、酸化物等は通常化学量論組成で存在するが、これから多少偏倚していてもよい。
【0017】
電極層の好ましい形状として、櫛形に形成した場合、形成された電極層の大きさは、電極層:露出した下地層の幅の比で2:1〜8:1、特に4:1〜6:1程度が好ましい。これらの具体的な長さや幅は、製造しようとするディスプレイに流れる電流等の仕様等に応じて適切な値とすればよいが、通常、その長さは500〜2000μm 、幅は20〜1000μm 程度である。
【0018】
下地層と電極層の膜厚は、電子注入電極層への十分な電流容量を確保できる膜厚とすればよい。また、膜厚が薄すぎると膜抵抗が増加したり、逆に厚すぎると、応力や段差の違いにより断線の原因となる。通常膜厚は、下地層で5〜100nm 程度、電極層で100〜1000nm程度である。
【0019】
このような電極構造の下地層および電極層は、蒸着法、スパッタ法等により形成することができる。その場合、例えば、蒸着やスパッタの際にマスクを設けて櫛形の領域を形成してもよいし、成膜された電極層をエッチングしてもよい。
【0020】
スパッタ法により下地層、電極層を成膜した場合、形成された電極層等は緻密な膜となり、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分の進入等が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の電極構造が得られる。
【0021】
スパッタ時のスパッタガスの圧力は、0.2〜2Paの範囲が好ましい。スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスが使用できる。また、TiN膜を成膜する場合、TiNターゲットを用いたスパッタや、TiNターゲットを用いた反応性スパッタにより成膜することができる。反応性スパッタでは、上記不活性ガスに加えてN2、NH3等の反応性ガスが使用可能である。
【0022】
スパッタ法としてはRF電源を用いた高周波スパッタ法や、DCスパッタ法等の中から好適なスパッタ法を用いて成膜すればよい。スパッタ装置の電力としては、好ましくはDCスパッタでは、ターゲット面内平均で0.1〜10W/cm2、RFスパッタで1〜10W/cm2の範囲である。また、成膜レートは5〜100nm/min 、特に生産性の面から50nm/min 以上が好ましい。
【0023】
下地層、電極層を蒸着法で形成する場合、真空蒸着の条件は特に限定されないが、10-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.1〜5nm/sec 程度、特に生産面から1nm/sec 以上とすることが好ましい。また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。
【0024】
電極層表面に形成される酸化膜は、表面全体が酸化されているものだけでなく、その一部が酸化されている状態であるものにも本発明は有効である。
【0025】
また、本発明では、下地層、電極層を形成した後、さらにその上に保護層を形成してもよい。この場合の保護層としては、電極層よりも十分に酸化され難い金属であればよい。このような金属としては、下地層で例示したものを好ましく挙げることができる。保護層の膜厚としては、好ましくは50〜300nm程度である。保護層は、下地層、電極層上に、通常、これらと同一な形状、あるいは若干これらよりも短く形成される。形成方法は、上記下地層、電極層に準じればよい。
【0026】
なお、上記配線構造を介して電子注入電極層と接続される端子は、通常、有機EL表示装置の外部回路(駆動回路)と接続され、電子注入電極層に駆動電流を供給する。一般に端子は、基板上の封止板により封止されている部位以外の露出した部分に形成され、コネクタ、接触子(金属)、異方性導電ゴム、ハンダ付等により外部回路と接続される。端子は、Al,Cu,Ni,Co,Cr,Ag,Au等の導電材料により構成される。
【0027】
本発明の電極構造は、マトリクスタイプのディスプレイやセグメントタイプのディスプレイ等、種々の有機EL構造体を用いたディスプレイに応用することができる。
【0028】
次に、本発明の有機EL表示装置を構成する有機EL構造体について説明する。
【0029】
本発明に用いられる有機EL構造体は、例えば図3に示すように基板1上にITO等のホール注入電極5と、その周囲にパッシベーション層6と、1種以上の有機層7と、電子注入電極4とを有する。この図は図2におけるA−A’断面矢視図となっている。なお、図において各画素を構成するホール注入電極層を接続するための配線電極等は省略している。また、有機層7は、それぞれ少なくとも1層のホール輸送層および発光層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに最上層として保護電極を設けてもよい。なお、ホール輸送層はなくてもよい。
【0030】
ホール注入電極は、通常基板側から発光した光を取り出す構成であるため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極としては、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO、SnO2 、In2 O3 等が挙げられるが、好ましくはITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)が好ましい。ITOは、通常In2 O3 とSnOとを化学量論組成で含有するが、O量は多少これから偏倚していてもよい。
【0031】
ホール注入電極は、発光波長帯域、通常350〜800nm、特に各発光光に対する光透過率が80%以上、特に90%以上であることが好ましい。発光光はホール注入電極を通って取り出されるため、その透過率が低くなると、発光層からの発光自体が減衰され、発光素子として必要な輝度が得られなくなる傾向がある。ただし、発光光を取り出す側が80%以上であればよい。
【0032】
ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは10〜500nm、さらには30〜300nmの範囲が好ましい。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと剥離、加工性の悪化、応力による障害、光透過性の低下や、表面の粗さによるリーク等の問題が生じてくる。逆に厚さが薄すぎると、製造時の膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。なお、通常このホール注入電極も上記と別の電極構造により別の端子に接続される。
【0033】
このホール注入電極層は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが好ましい。
【0034】
電子注入電極層としては、低仕事関数の物質が好ましく、例えば、K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分、3成分の合金系を用いることが好ましい。合金系としては、例えばAg・Mg(Ag:0.1〜50at%)、Al・Li(Li:0.01〜12at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・Ca(Ca:0.01〜20at%)等が挙げられる。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成することが可能である。
【0035】
電子注入電極層の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、0.5nm以上、好ましくは1nm以上とすればよい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は1〜500nm程度とすればよい。電子注入電極層の上には、さらに保護電極を設けてもよい。
【0036】
保護電極の厚さは、電子注入効率を確保し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは50nm以上、さらには100nm以上、特に100〜1000nmの範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、その効果が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が速くなってしまう。
【0037】
電子注入電極と保護電極とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通常100〜1000nm程度とすればよい。
【0038】
電極成膜後に、前記保護電極に加えて、SiOX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは50〜1200nm程度とする。保護膜は、前記の反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、PECVD法等により形成すればよい。
【0039】
さらに、表示装置の有機層や電極の酸化を防ぐために、表示装置上に封止層を形成することが好ましい。封止層は、湿気の侵入を防ぐために、接着性樹脂層を用いて、封止板を接着し密封する。封止ガスは、Ar、He、N2 等の不活性ガス等が好ましい。また、この封止ガスの水分含有量は、100 ppm以下、より好ましくは10 ppm以下、特には1 ppm以下であることが好ましい。この水分含有量に下限値は特にないが、通常0.1 ppm程度である。
【0040】
封止板の材料としては、好ましくは平板状であって、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材料が挙げられるが、特にガラスが好ましい。このようなガラス材として、コストの面からアルカリガラスが好ましいが、この他、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス組成のものも好ましい。特に、ソーダガラスで、表面処理の無いガラス材が安価に使用でき、好ましい。封止板としては、ガラス板以外にも、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。
【0041】
封止板は、スペーサーを用いて高さを調整し、所望の高さに保持してもよい。スペーサーの材料としては、樹脂ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガラスファイバー等が挙げられ、特にガラスビーズ等が好ましい。スペーサーは、通常、粒径の揃った粒状物であるが、その形状は特に限定されるものではなく、スペーサーとしての機能に支障のないものであれば種々の形状であってもよい。その大きさとしては、円換算の直径が1〜20μm 、より好ましくは1〜10μm 、特に2〜8μm が好ましい。このような直径のものは、粒長100μm 以下程度であることが好ましく、その下限は特に規制されるものではないが、通常直径と同程度以上である。
【0042】
なお、封止板に凹部を形成した場合には、スペーサーは使用しても、使用しなくてもよい。使用する場合の好ましい大きさとしては、前記範囲でよいが、特に2〜8μm の範囲が好ましい。
【0043】
スペーサーは、予め封止用接着剤中に混入されていても、接着時に混入してもよい。封止用接着剤中におけるスペーサーの含有量は、好ましくは0.01〜30wt%、より好ましくは0.1〜5wt%である。
【0044】
接着剤としては、安定した接着強度が保て、気密性が良好なものであれば特に限定されるものではないが、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を用いることが好ましい。
【0045】
基板材料としては特に限定するものではなく、積層する有機EL構造体の電極の材質等により適宜決めることができ、例えば、Al等の金属材料や、ガラス、石英や樹脂等の透明ないし半透明材料、あるいは不透明であってもよく、この場合はガラス等のほか、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【0046】
次に、有機EL構造体に設けられる有機物層について述べる。
【0047】
発光層は、ホール(正孔)および電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子とホールを容易かつバランス良く注入・輸送することができる。
【0048】
ホール注入輸送層は、ホール注入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
【0049】
発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではなく、形成方法によっても異なるが、通常5〜500nm程度、特に10〜300nmとすることが好ましい。
【0050】
ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度または1/10〜10倍程度とすればよい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は1nm以上とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で500nm程度、輸送層で500nm程度である。このような膜厚については、注入輸送層を2層設けるときも同じである。
【0051】
有機EL素子の発光層には、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−264692号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられる。また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フタロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特願平6−110569号のフェニルアントラセン誘導体、特願平6−114456号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。
【0052】
また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。このような場合の発光層における化合物の含有量は0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。
【0053】
ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このようなアルミニウム錯体としては、特開昭63−264692号、特開平3−255190号、特開平5−70733号、特開平5−258859号、特開平6−215874号等に開示されているものを挙げることができる。
【0054】
具体的には、まず、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メタン]等がある。
【0055】
また、8−キノリノールまたはその誘導体のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であってもよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナフトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等がある。
【0056】
このほか、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であってもよい。
【0057】
このほかのホスト物質としては、特願平6−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。
【0058】
発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。
【0059】
また、発光層は、必要に応じて、少なくとも1種のホール注入輸送性化合物と少なくとも1種の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。このような混合層における化合物の含有量は、0.01〜20wt% 、さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。
【0060】
混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命がのびるという利点がある。また、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、素子の安定性を向上させることもできる。
【0061】
混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0062】
電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )を用いることが好ましい。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【0063】
ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【0064】
この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらに好ましくは10/90〜90/10、特に好ましくは20/80〜80/20程度となるようにすることが好ましい。
【0065】
また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましい。具体的には1〜85nmとすることが好ましく、さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好ましい。
【0066】
また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。
【0067】
ホール注入輸送層には、例えば、特開昭63−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報、特開平5−234681号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−299174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100172号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラアリールベンジシン化合物(トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン:TPD)、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの化合物は、1種のみを用いても、2種以上を併用してもよい。2種以上を併用するときは、別層にして積層したり、混合したりすればよい。
【0068】
ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。このとき、ホール注入電極(ITO等)側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層することが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような積層順については、ホール注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、蒸着を用いているので1〜10nm程度の薄い膜も均一かつピンホールフリーとすることができるため、ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。
【0069】
電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3 )等の8−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同様に、蒸着等によればよい。
【0070】
電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このような積層順については、電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。
【0071】
ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著しく低下する。
【0072】
真空蒸着の条件は特に限定されないが、10-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりすることができる。
【0073】
これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。
【0074】
基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。
【0075】
色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、有機EL素子の発光する光に合わせてカラーフィルターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。
【0076】
また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収するような短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上する。
【0077】
また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【0078】
蛍光変換フィルター膜は、EL発光の光を吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行うものであるが、組成としては、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成される。
【0079】
蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高いものを用いれば良く、EL発光波長域に吸収が強いことが望ましい。実際には、レーザー色素などが適しており、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン系化合物・フタロシアニン系化合物(サブフタロシアニン等も含む)ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系化合物等を用いればよい。
【0080】
バインダーは、基本的に蛍光を消光しないような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。また、ITO、IZOの成膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。
【0081】
光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りない場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しないような材料を選べば良い。
【0082】
ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、ホールの注入効率も著しく低下する。
【0083】
真空蒸着の条件は特に限定されないが、10-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm/sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりすることができる。
【0084】
これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。
【0085】
有機EL素子は、直流駆動やパルス駆動され、交流駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、2〜30V 程度である。
【0086】
【実施例】
次に実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
<実施例1>
ガラス基板上に、ITO透明電極(ホール注入電極)をスパッタ法にて約100nm成膜した。得られたITO薄膜を、フォトリソグラフィーの手法によりパターニング、エッチング処理し、64×256ドット(画素)のパターンを構成するホール注入電極層を形成した。
【0087】
次いで、下地層(窒化チタン)と電極層(アルミニウム)をスパッタ法にて形成し、それぞれ、50nmと、300nmの膜厚に成膜し、フォトリソグラフィーによりパターニングを行った。この際の電極層のパターンは、櫛形構造を有しているものの他、比較例として櫛形構造を有していないものも作製した。
【0088】
さらに、発光部、下地層および電極層と電子注入電極が接する部分を除いてパッシベーション膜(SiO2)を成膜(パターニング)した。その後、各電子注入電極を分離するために素子分離構造体を形成した。
【0089】
ITO透明電極、下地層、電極層等が形成されている基板の表面をUV/O3 洗浄した後、例えば特願平9−41663号に示されているような、有機層の遮蔽機能のあるひさし構造を有するマスクを装着し(同明細書図4,5)、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10-4Pa以下まで減圧した。4,4’,4”−トリス(−N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下、m−MTDATA)を蒸着速度0.2nm/sec.で40nmの厚さに蒸着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、N,N’−ジフェニル−N,N’−m−トリル−4,4’−ジアミノ−1,1’−ビフェニル(以下、TPD)を蒸着速度0.2nm/sec.で35nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3 )を蒸着速度0.2nm/sec.で50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。
【0090】
次いで減圧を保ったまま、このEL素子構造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパッタ圧力1.0PaにてAlLi電子注入電極(Li濃度:7.2at%)を50nmの厚さに成膜した。その際スパッタガスにはArを用い、投入電力は100W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このEL素子基板を他のスパッタ装置に移し、Alターゲットを用いたDCスパッタ法により、スパッタ圧力0.3PaにてAl保護電極を200nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはArを用い、投入電力は500W、ターゲットの大きさは4インチ径、基板とターゲットの距離は90mmとした。前記マスクは、全ての成膜が終了した時点で取り外した。
【0091】
最後にガラス封止板を貼り合わせ、図1〜3に示すような電極構造を有する有機EL表示装置とした。
【0092】
得られた各有機EL表示装置を、大気中で直流電圧を印加し、10mA/cm2 の定電流密度で連続駆動させた。このときの同一輝度での駆動電圧を測定したところ、電極層に櫛形構造を有しないサンプルに比較して駆動電圧が1V 程度低下していることが確認された。このことから、電子注入電極層と電極層との接続抵抗が減少していることがわかる。なお、下地層材料として窒化チタンに代えてクロムを、電極層用材料としてAlに代えて、AlとSc,Nb,Zr,Hf,Nd,Ta,Cu,Si,Cr,Mo,Mn,Ni,Pd,PtおよびWの合金をそれぞれ用いたところ、ほぼ同等の結果が得られた。
【0093】
<実施例2>
実施例1において、下地層(窒化チタン)と電極層(アルミニウム)を形成した後、さらに保護層(窒化チタン)を100nmの膜厚に成膜し、フォトリソグラフィーによりパターニングを行った。その他は実施例1と同様にして有機EL表示装置を得た。
【0094】
得られた有機EL表示装置を実施例1と同様にして評価したところ、ほぼ同様な結果が得られた。
【0095】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電子注入電極層と電極層との電気的な接続を良好なものとし、接続不良が生じ難く、かつ接続抵抗の小さな有機EL表示装置、および有機EL表示装置の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電極である下地層と電極層とその上に成膜される電子注入電極層とを模式的に表した図である。
【図2】有機EL構造体を有する表示装置の一部を概念的に表した平面図である。
【図3】有機EL構造体を有する表示装置の一部を表した断面図である。
【図4】従来の電極である下地層と電極層とその上に成膜される電子注入電極層とを模式的に表した図である。
【符号の説明】
1 基板
2 下地層
3 電極層
3a 酸化層
4 電子注入電極層
5 ITO(ホール注入電極)
6 パッシベーション層
7 有機層
Claims (11)
- 少なくとも端子と電子注入電極層とを接続し、表面に酸化層が形成され難い金属の下地層を下層に有し、前記下地層より表面に酸化層が形成され易い金属の電極層を上層に有する電極構造を有し、
前記電極層の電子注入電極層と接続される領域の少なくとも一部の領域で下地層と電子注入電極層とが直接接触している有機EL表示装置。 - 前記電極層の金属の電気抵抗率は、下地層の金属の電気抵抗率よりも低い請求項1の有機EL表示装置。
- 前記電極層の電子注入電極層と接続される領域は、電極層のさらに上層に発光機能に関与する有機EL構造体と接続されている電子注入電極層を有し、かつこの電子注入電極層が下地層の一部と電気的に接続されている請求項1または2の有機EL表示装置。
- 前記電極層のさらに上層には、電極層より表面に酸化層が形成され難い金属の保護層を有し、
この保護層の上に電子注入電極層を有し、かつこの保護層を介して電極層、下地層と電子注入電極層とが電気的に接続されている請求項1または2の有機EL表示装置。 - 前記下地層の構成材料は、窒化チタンまたはクロムのいずれかである請求項1〜4のいずれかの有機EL表示装置。
- 電極層の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金である請求項1〜5のいずれかの有機EL表示装置。
- 前記保護層の構成材料は、下地層の構成材料である請求項4〜6のいずれかの有機EL表示装置。
- 前記電極層の電子注入電極層と接続される領域の少なくとも一部の領域が櫛形に形成されている請求項1〜7のいずれかの有機EL表示装置。
- 電子注入電極層と、ホール注入電極層と、これらの電極の間に一種以上の発光機能に関与する有機層とを有する有機EL構造体を有する請求項1〜8のいずれかの有機EL表示装置。
- 端子電極と接続される下地層と電極層とを形成するに際し、下地層形成後に電極層の一部の領域を形成する際に下地層の一部を露出させ、この下地層の一部が露出し、かつ電極層が形成された領域に電子注入電極層の一部の領域を成膜する有機EL表示装置の製造方法。
- 前記電極層の一部の領域を櫛形に形成して下地層の一部を露出させる請求項10の有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15206098A JP3758369B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 有機el表示装置とその製造方法 |
US09/311,270 US6307317B1 (en) | 1998-05-15 | 1999-05-14 | Organic electroluminescent display and method for its manufacture |
EP99303751A EP0961324A2 (en) | 1998-05-15 | 1999-05-14 | Organic EL display and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15206098A JP3758369B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 有機el表示装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11329750A JPH11329750A (ja) | 1999-11-30 |
JP3758369B2 true JP3758369B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=15532188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15206098A Expired - Lifetime JP3758369B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 有機el表示装置とその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6307317B1 (ja) |
EP (1) | EP0961324A2 (ja) |
JP (1) | JP3758369B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319781A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機発光素子材料の選択方法及びその材料を用いた有機発光素子 |
JP2001351778A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法 |
US6465953B1 (en) * | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
TW545079B (en) * | 2000-10-26 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
DE60111473T3 (de) * | 2000-10-30 | 2012-09-06 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Organische lichtemittierende Bauelemente |
TWI290335B (en) * | 2002-03-04 | 2007-11-21 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing display device |
KR100844004B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2008-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자용 투명 도전막의 제조 방법 |
US7268486B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-09-11 | Schott Ag | Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements |
US7148624B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-12-12 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Uniform deposition of organic layer |
KR100813833B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자와 그 제조방법 |
JP3649238B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2005-05-18 | 旭硝子株式会社 | 積層体、配線付き基体、有機el表示素子、有機el表示素子の接続端子及びそれらの製造方法 |
CN100517797C (zh) | 2002-10-17 | 2009-07-22 | 旭硝子株式会社 | 层压体、带配线的基体、有机el显示元件、有机el显示元件的连接端子及它们的制造方法 |
US7132801B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
US20050200274A1 (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-15 | Asashi Glass Company, Limited | Laminate for forming substrate with wires, such substrate with wires, and method for forming it |
KR100696471B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자 |
JP2006040801A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
KR101085273B1 (ko) | 2005-01-25 | 2011-11-22 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기발광소자의 제조방법 |
KR101171116B1 (ko) | 2005-01-25 | 2012-08-03 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
US20060207457A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | General Electric Company | Method for controlling quality in a gravure-printed layer of an electroactive device |
JP4821670B2 (ja) | 2007-03-26 | 2011-11-24 | 旭硝子株式会社 | 補助配線付き電極基体の製造方法 |
JP5258666B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法および成膜用基板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03274694A (ja) | 1990-03-23 | 1991-12-05 | Nec Corp | 有機薄膜el素子 |
US5672938A (en) * | 1995-09-29 | 1997-09-30 | Fed Corporation | Light emission device comprising light emitting organic material and electron injection enhancement structure |
US6016033A (en) * | 1997-07-11 | 2000-01-18 | Fed Corporation | Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP15206098A patent/JP3758369B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-14 US US09/311,270 patent/US6307317B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-14 EP EP99303751A patent/EP0961324A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6307317B1 (en) | 2001-10-23 |
JPH11329750A (ja) | 1999-11-30 |
EP0961324A2 (en) | 1999-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3758369B2 (ja) | 有機el表示装置とその製造方法 | |
JP3875401B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el素子 | |
JP3824798B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP4142782B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP3886607B2 (ja) | 有機elディスプレイ | |
JPH11307259A (ja) | 有機el素子 | |
JPH1131590A (ja) | 有機el素子 | |
JP4543446B2 (ja) | 有機el素子 | |
KR100326091B1 (ko) | 유기전계발광장치 | |
JP4255041B2 (ja) | 有機el素子 | |
KR20010051823A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
JP2001035667A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11273870A (ja) | 有機el素子 | |
US6262433B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP2000223273A (ja) | 有機el素子 | |
JP2001057286A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11260546A (ja) | 有機el素子 | |
JP2000030870A (ja) | 有機el素子 | |
JP2000091079A (ja) | 有機el素子 | |
JP2002260846A (ja) | 有機el素子ディスプレイパネルとその製造方法 | |
JP4228021B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP4142779B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2005050706A (ja) | 画像表示装置 | |
JPH11260566A (ja) | 有機el素子の製造方法および有機el素子 | |
JP2000082585A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050512 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20051028 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20051117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110113 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120113 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130113 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |