JPH1146066A

JPH1146066A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JPH1146066A
Application number: JP21707597A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-07-28
Filing date: 1997-07-28
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】バイアホールが下層の導体回路から剥離し難
い多層プリント配線板を提供する。【解決手段】バイアホール形成用開口３６が形成され
た基板２０を、クロム酸に１分間浸漬し、接着剤層３４
の表面のエポキシ樹脂粒子（７．２重量部−平均粒径
１．０μｍ、３．０９重量部−平均粒径０．５μｍ）を
溶解除去し、また、該接着剤層３４の下層の絶縁剤層３
２のエポキシ樹脂粒子（１４．４９重量部−平均粒径
０．５μｍ）を溶解除去することによって、図７（Ｈ）
に示すように、上層側の接着剤層３４よりも平均粒子径
の小さな下層側の該絶縁剤層３２をより大きく浸食さ
せ、該バイアホール形成用開口３６の側壁３６ａを内側
へ向けて屈曲させる。その後、無電解銅めっき膜４０、
及び、電解銅めっき膜４４を形成することでバイアホー
ル４７を完成する（図７（Ｌ）参照）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、上層と下層の導
体回路が層間絶縁層により絶縁され、両者がバイアホー
ルで接続されてなる多層プリント配線板に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来技術に係るバイアホールの形成方法
について、図８を参照して説明する。図８（Ａ）は、基
板１２０に形成された下層導体回路１２４の上に層間絶
縁層１３８が形成された状態を示している。該層間絶縁
層１３８は、後の行程で形成される上層導体回路を該下
層導体回路１２４から絶縁する。ここで、図８（Ａ）に
示す層間絶縁層１３８を形成した基板１２０に、黒円の
印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着さ
せ、超高圧水銀灯により露光する。これを溶液でスプレ
ー現像し、さらに、当該基板１２０を超高圧水銀灯によ
り露光し、その後、加熱処理（ポストベーク）をするこ
とにより、フォトマスクフィルムの黒円に相当するバイ
アホール形成用開口１３６を形成する（図８（Ｂ）参
照）。

【０００３】開口１３６が形成された基板２０の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層１３８の表面およびバイアホール用開口３６の内の
壁面に触媒核を付ける。そして、無電解銅めっき浴中に
基板１２０を浸漬して、全体に無電解銅めっき膜１４０
を形成する（図８（Ｃ）参照）。

【０００４】図８（Ｃ）に示す基板１２０の無電解銅め
っき膜４０上に感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、レジスト１４２を設ける。そこ後、レジ
スト非形成部分に電解銅めっきを施し、電解銅めっき膜
１４４を形成することで、バイアホール１４７を完成す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術に係るバイアホールは、図８（Ｂ）に示すよ
うに層間絶縁層に形成されるバイアホール形成用開口１
３６の側壁１３６ａは、ほぼ垂直で、且つ、直線状に形
成されていた。ここで、樹脂からなる層間絶縁層１３８
と、銅からなるめっき膜１４０、１４４とは、熱膨張率
の違いが大きく、該多層プリント配線板の使用中に加熱
・冷却を繰り返すことにより上方への応力が加わり、該
めっき膜１４０、１４４が、下層導体回路１２４から剥
離して、バイアホール１４７内で断線が生じることがあ
った。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、バイア
ホールが下層の導体回路から剥離し難い多層プリント配
線板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、請求項１では、上層と下層の導体回路が層
間絶縁層により絶縁され、両者がバイアホールで接続さ
れてなる多層プリント配線板において、前記バイアホー
ルは、層間絶縁層に設けられた開口部の側壁が内側へ向
けて屈曲してなり、その側壁、底面が導体膜で被覆され
て形成されてなることを技術的特徴とする。

【０００８】請求項２では、上層と下層の導体回路が下
層と上層から成る層間絶縁層により絶縁され、両者がバ
イアホールで接続されてなる多層プリント配線板におい
て、前記バイアホールは、下層の層間絶縁層に設けられ
た開口部の側壁が内側へ向けて屈曲してなり、その側
壁、底面が導体膜で被覆されて形成されてなることを技
術的特徴とする。

【０００９】請求項３では、上層と下層の導体回路が層
間絶縁層により絶縁され、両者がバイアホールで接続さ
れてなる多層プリント配線板において、前記バイアホー
ルは、層間絶縁層に設けられた開口部の側壁が内側へ屈
曲してなり、そのバイアホール内が導体にて充填されて
なることを技術的特徴とする。

【００１０】請求項４では、上層と下層の導体回路と下
層と上層からなる層間絶縁層によって絶縁され、両者が
バイアホールで接続されてなる多層プリント配線板にお
いて、前記バイアホールは、下層の層間絶縁層に設けら
れた開口部の側壁が内側へ屈曲してなり、そのバイアホ
ール内が導体にて充填されてなることを技術的特徴とす
る。

【００１１】請求項５の発明は、請求項２又は４におい
て、前記下層の層間絶縁層に化成処理により、溶解除去
可能な粒子が含まれてなることを技術的特徴とする。

【００１２】請求項１又は３の多層プリント配線板にお
いて、バイアホールが、側壁を内側へ向けて屈曲させた
開口部に形成してあるため、加熱−冷却のヒートサイク
ルを繰り返しても剥離し難い。

【００１３】請求項２又は４の多層プリント配線板で
は、上層と下層の導体回路を下層と上層から成る２層の
層間絶縁層により絶縁する。バイアホールが、側壁を内
側へ向けて屈曲させた開口部に形成してあるため、加熱
−冷却のヒートサイクルを繰り返しても剥離し難い。こ
こで、層間絶縁層を２層に分けてあるので、下層の層間
絶縁層を上層の層間絶縁層よりも酸或いは酸化剤に対し
て溶解し易くすることで、下層の層間絶縁層に設けられ
る開口部の側壁を内側へ向けて屈曲させることが容易に
行える。

【００１４】請求項５の多層プリント配線板では、下層
の層間絶縁層に化成処理（例えば酸又は酸化剤による処
理）に対して溶解性の平均粒子径０．１〜２．０μｍの
微細粒子を含ませてあるため、バイアホール用の開口部
を溶剤にて形成する際に、下層の層間絶縁層に設けられ
る開口部の側壁を内側へ向けて屈曲させることが容易に
行える。

【００１５】このような、微細粒子としては、エポキシ
樹脂粒子（アミン系硬化剤で硬化させたエポキシ樹
脂）、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂）粒子が望ましい。また、請求項３、４の多層プ
リント配線板ではバイアホール内に導体が充填されてな
るため、表面の平坦性に優れ、またバイアホールの直上
にさらにバイアホールを配置することができるため、高
密度化を達成できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
る多層プリント配線板の製造方法について図を参照して
説明する。図１〜図６は、本発明の第１実施態様に係る
多層プリント配線板の製造工程を示している。ここで
は、銅張積層板をエッチング処理して製造したコア基材
あるいは、ビルドアップ多層基板を得る。

【００１７】図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラス
エポキシ又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）から成
る基板２０の両面に１８μｍの銅箔２２がラミネートさ
れて成る銅張積層板２０ａを出発材料とし、その銅箔２
２を常法に従いパターン状にエッチングすることによ
り、基板２０の両面に内層銅パターン２４ａを形成す
る。更に、スルーホール用貫通孔２７を穿設し、銅めっ
き２５を施すことによりスルーホール２８を形成する。
その後、図１（Ｂ）に示すように該内層銅パターン２４
ａ及び銅メッキ２５に、黒化（酸化）−還元処理により
粗化処理を施す。

【００１８】一方、ビスフェノールＦ系エポキシモノマ
ー（油化シェルエポキシ製：分子量３１０：商品名Ｅ−
８０７）を１００重量部、イミダゾール硬化剤（四国化
成製：商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６重量部、さらに、こ
の混合物に対し、ＳｉＯ2 球状粒子の平均径１．６μｍ
（ここで、最大粒は後述する内層銅パターン２４ａの厚
みの１５μｍ以下とする）を１７０重量部を混合し、３
本ロールにて混練して、２３±１°Ｃで粘度５５±１０
Ｐａ・s のフラット化のための樹脂を用意する。この樹
脂は、無溶剤である。もし溶剤入りの樹脂を使用すると
層間剤を塗布して加熱・乾燥させるとフラット化のため
の樹脂層から溶剤が揮発して、フラット化のための樹脂
層と層間材との間で剥離が発生するからである。

【００１９】ここで、基板２０に、図１（Ｃ）に示すよ
うにロールコータにて上記樹脂を塗布して、導体回路
（内層銅パターン２４ａ）間、スルーホール２８内を充
填する。その後、１５０°Ｃで、３０分加熱して硬化さ
せる。この加熱処理の後、上述した充填樹脂３０は、１
５０°Ｃで、３時間加熱することによりほぼ完全に架橋
して高い硬度となるが、ここでは、後述するようにベル
トサンダー研磨又はバフ研磨が可能なような範囲でのみ
硬化させることにより、研磨作業を容易に行えるように
しておく。この工程により、充填樹脂３０が内層銅パタ
ーン２４ａの間に充填される。

【００２０】引き続き、基板２０を、ベルトサンダーに
て＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いて片
面を研磨する。このとき、内層銅パターン２４ａやスル
ーホール２８のランド２８ａ上に充填樹脂３０が残らな
いように研磨を行う。その後、ベルトサンダーによる傷
を取り除くためバフ研磨を行う。そして、他方の面も同
様に研磨して、図１（Ｄ）に示すように両面のフラット
な基板２０を形成する。その後、１５０°Ｃで３時間加
熱することにより充填樹脂３０を完全に架橋させる。

【００２１】この上述した組成に係るＳｉＯ2 球状粒子
を含むフラット化樹脂は、硬化収縮が小さくなるため、
基板２０に反りを発生させることがない。また、線熱膨
張係数が小さくなるため、ヒートサイクルに対する耐性
にも優れている。

【００２２】図１（Ｄ）を参照して上述した研磨工程を
終えた基板２０を水洗いし、乾燥した後、その基板２０
を酸性脱脂してソフトエッチングして、塩化パラジウム
と有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与
し、活性化を行い、無電解めっき浴にてめっきを施し、
銅導電体（銅パターン）２４ａとバイアホールパッド２
８ａの表面にＮｉ−Ｐ−Ｃｕ合金の厚さ２．５μｍの凹
凸層（粗化面）を形成する（図２（Ｅ）参照）。そし
て、水洗いし、その基板２０をホウふっ化スズーチオ尿
素液からなる無電解スズめっき浴に５０°Ｃで１時間浸
漬し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ合金粗化面の表面に厚さ０．３μ
ｍのスズ置換めっき層を形成する（図示せず）。

【００２３】次に、上記基板２０に塗布するための上層
用感光性接着剤を用意する。ここでは、ＤＭＤＧ（ジエ
チレングリコールジメチルエーテル）に溶解した濃度８
０ｍｏｌ％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を３
５重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）２重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニッ
クスＭ３１５）４重量部、光開始剤（チバガイギー製、
イルガキュアＩ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化
薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部を混合し、これらの
混合物に対し、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマ
ーポール）の平均粒径１．０μｍのものを７．２重量
部、平均粒径０．５μｍのものを３．０９重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０．５重量部を混合した
後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加しながら混合して粘
度７Ｐａ・ｓの感光性接着剤（上層用）を得る。

【００２４】一方、上記基板２０に塗布するための下層
用感光性接着剤を用意する。ここでは、ＤＭＤＧ（ジエ
チレングリコールジメチルエーテル）に溶解した濃度８
０ｍｏｌ％クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本
化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５
重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）２重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニッ
クスＭ３１５）４重量部、光開始剤（チバガイギー製、
イルガキュアｌ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化
薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部を混合し、これらの
混合物に対し、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマ
ーポール）の平均粒径０．５μｍのものを１４．４９重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）０．５重量部
を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加しながら
混合して粘度１．５Ｐａ・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）を得る。

【００２５】基板２０の両面に、粘度１．５Ｐａ・ｓの
上記層間樹脂絶縁剤（下層用）をロールコータで塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥（プリベーク）を行い、絶縁剤層３２を形成す
る。

【００２６】さらにこの絶縁剤層３２の上に、上述した
粘度７Ｐａ・ｓの感光性接着剤（上層用）をロールコー
タを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、
６０℃で３０分の乾燥を行い、接着剤層３４を形成ずる
（図２（Ｆ）参照）。

【００２７】図２（Ｆ）に示す絶縁剤層３２および接着
剤層３４を形成した基板の両面に、１００μｍφの黒円
が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧
水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 で露光する。これをＤ
ＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高
圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、１００
℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理（ポス
トベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに
相当する寸法精度に優れた１００μｍφの開口（バイア
ホール形成用開口３６）を有する厚さ３５μｍの層間樹
脂絶縁層（絶縁剤層３２と接着剤層３４との２層構造）
３８を形成する（図２（Ｇ）参照）。該バイアホール形
成用の開口部３６を拡大して図７（Ｇ）に示す。なお、
バイアホールとなる開口３６には、スズめっき層を部分
的に露出させた。

【００２８】開口３６が形成された基板２０を、クロム
酸に１分間浸漬し、接着剤層３４の表面のエポキシ樹脂
粒子（７．２重量部−平均粒径１．０μｍ、３．０９重
量部−平均粒径０．５μｍ）を溶解除去することによ
り、層間樹脂絶縁層３８の表面を粗面とし、また、該接
着剤層３４の下層の絶縁剤層３２のエポキシ樹脂粒子
（１４．４９重量部−平均粒径０．５μｍ）を溶解除去
することによって、図２（Ｈ）に示すように、上層側の
接着剤層３４よりも平均粒子径の小さな下層側の絶縁剤
層３２をより大きく浸食させ、該バイアホール形成用開
口３６の側壁３６ａを内側へ向けて屈曲させる。即ち、
該開口３６の上部（表面側）の直径よりも下部（内部
側）の直径が大きくなるようにする。この状態を拡大し
て図７（Ｈ）に示す。その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗いする。

【００２９】さらに、粗面化処理した該基板２０の表面
に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することに
より、層間樹脂絶縁層３８の表面およびバイアホール用
開口３６の内壁面に触媒核を付ける。

【００３０】以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を
浸漬して、粗面全体に厚さ１．６μｍの無電解銅めっき
膜４０を形成する（図３（Ｉ）参照）。〔無電解めっき液〕ＥＤＴＡ１５０ｇ／ｌ硫酸銅２０ｇ／ｌＨＣＨＯ３０ｍｌ／ｌＮａＯＨ４０ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕７０℃の液温度で３０分

【００３１】図３（Ｉ）に示す基板２０の無電解銅めっ
き膜４０上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、
マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光、０．８
％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっき
レジスト４２を設ける（図３（Ｊ）参照）。

【００３２】ついで、レジスト非形成部分に以下の条件
で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜
４４を形成する（図３（Ｋ）参照）。この際、図９に示
すようにバイアホール内をめっきで充填してもよい。〔電解めっき液〕硫酸銅１８０ｇ／ｌ硫酸銅８０ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ2 時間３０分温度室温

【００３３】めっきレジスト４２を５％ＫＯＨで剥離除
去した後、そのめっきレジスト４２下の無電解めっき膜
４０を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜４０と電解銅めっき膜４
４からなる厚さ１８μｍの導体回路４６及びバイアホー
ル４７を形成する（図４（Ｌ）参照）。形成されたバイ
アホール４７を拡大して図７（Ｈ）に示す。バイアホー
ル４７は、内側へ向けて屈曲した側壁３６ａに形成され
ているため、加熱−冷却のヒートサイクルを繰り返して
も内層銅パターン（導体回路）２４ａから剥離し難い。
その後、その基板を８００ｇ／ｌのクロム酸中に３分間
浸漬して粗化面上に残留しているパラジウム触媒核を除
去する。

【００３４】導体回路４６を形成した基板を、硫酸銅８
ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／
ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解
めっき液に浸漬し、該導体回路４６の表面に厚さ３μｍ
の銅−ニッケル−リンからなる粗化層４８を形成する
（図４（Ｍ）参照）。

【００３５】このとき、形成した粗化層４８をＥＰＭＡ
（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｃｕ：９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｉ：１．５ｍｏｌ％、Ｐ：０．５ｍｏｌ％の
組成比であった。さらに、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ
／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応を行い、前記粗化層
４８の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた（Ｓｎ層
については図示しない）。

【００３６】図２（Ｆ）〜図４（Ｍ）を参照して上述し
た工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を
形成し、多層プリント配線板を得る。即ち、層間絶縁層
３８を形成し（図４（Ｎ）参照）、該層間絶縁層３８に
バイアホール用開口３６を穿設する（図５（Ｏ）参
照）。その後、該基板２０の表面均一に無電解めっき膜
４０を析出させ（図５（Ｐ）参照）、めっきレジスト４
２を形成した後、電解メッキ膜４４を形成する（図５
（Ｑ））。そして、該めっきレジストを剥離することで
導体回路４６、バイアホール４７を構成し（図６（Ｒ）
参照）、該導体回路４６、バイアホール４７の表面を粗
化して粗化層４８を形成する（図６（Ｓ）参照）。な
お、上述したビルトアップの際に、Ｓｎ置換は行わな
い。

【００３７】一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％の
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）の
エポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチル
ケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１
５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４Ｍ
Ｚ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリ
ルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価
アクリルモノマー（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）１．５
ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７
１ｇを混合し、さらにこれらの混合物に対し、光開始剤
としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感
剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加
えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダ
ーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度
計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はロ
ーターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３に
よった。

【００３８】図６（Ｓ）に示す配線板２０の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布す
る。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾
燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描
画された厚さ５ｍｍのフォトマスクフィルムを密着させ
て載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、Ｄ
ＭＴＧ現像処理する。そしてさらに、８０℃で１時間、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホー
ルとそのランド部分を含む）が開口した（開口径２００
μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）４９を形成
する。

【００３９】次に、ソルダーレジスト層４９を形成した
基板を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
ｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬し
て、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層５０を形成
した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、
ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層５
２を形成した。

【００４０】そして、ソルダーレジスト層４８の開口部
に、はんだペーストを印刷して２００℃でリフローする
ことによりはんだバンプ５４を形成する。以上の行程に
よりはんだバンプを有するプリント配線板を製造した
（図６（Ｔ）参照）。

【００４１】上述した実施態様では、接着剤層３４の下
層の絶縁剤層３２のエポキシ樹脂粒子として平均粒径
０．５μｍのものを用いたが、平均粒径として０．１〜
２．０μｍ程度であれば種々の粒径のものを用いること
ができる。但し、該絶縁剤層３２の上層の接着剤層に
は、該絶縁剤層３２側のエポキシ樹脂粒子よりも平均粒
径が大きいものを用いることが、バイアホール形成用開
口３６の側壁３６ａを内側へ向けて屈曲させるために好
適である。なおここで、平均粒径が大きいとは、上述し
た実施態様のように、絶縁剤層３２のエポキシ樹脂粒子
と同等の平均粒径０．５μｍに、粒径の大きなもの（平
均粒径１．０μｍ）を混合して用いることをも意味す
る。

【００４２】なお、上述した実施態様では、下層の絶縁
剤層３２と上層の接着剤層３４とに平均粒径の異なるエ
ポキシ樹脂粒子を用いたが、下層の絶縁剤層３２のみに
エポキシ樹脂粒子を用いることにより、バイアホール形
成用開口３６の側壁３６ａを内側へ向けて屈曲させるこ
とも可能である。更に、下層の絶縁剤層３２と上層の接
着剤層３４とに異なる粒子、即ち、下層の絶縁剤層３２
側へ溶剤に溶融し易い粒子を混入することも可能であ
る。また更に、該下層の絶縁剤層３２と上層の接着剤層
３４と組成を変え、即ち、下層の絶縁剤層３２の組成を
上層の接着剤層３４の組成よりも溶剤に溶融し易いよう
に設定することで、バイアホール形成用開口３６の側壁
３６ａを内側へ向けて屈曲させることも可能である。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、バイア
ホールが、内側へ向けて屈曲させた開口部の側壁に沿っ
て形成してあるため、加熱−冷却のヒートサイクルを繰
り返しても剥離し難い。従って、バイアホールの接続信
頼性に優れた多層プリント配線板を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図７】図７（Ｇ）は、図２（Ｇ）バイアホールの拡大
して示す説明図であり、図７（Ｈ）は、図２（Ｈ）バイ
アホールの拡大して示す説明図であり、図７（Ｌ）は、
図４（Ｌ）バイアホールの拡大して示す説明図である。

【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）、図８
（Ｄ）は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工
程図である。

【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【符号の説明】

２０基板２４ａ内層銅パターン３２絶縁剤層３４接着剤層３６バイアホール形成用開口３６ａ側壁３８層間樹脂絶縁層４０無電解めっき膜４４電解めっき膜４７バイアホール５４バンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上層と下層の導体回路が層間絶縁層によ
り絶縁され、両者がバイアホールで接続されてなる多層
プリント配線板において、前記バイアホールは、層間絶縁層に設けられた開口部の
側壁が内側へ向けて屈曲してなり、その側壁、底面が導
体膜で被覆されて形成されてなることを特徴とする多層
プリント配線板。
【請求項２】上層と下層の導体回路が下層と上層から
成る層間絶縁層により絶縁され、両者がバイアホールで
接続されてなる多層プリント配線板において、前記バイアホールは、下層の層間絶縁層に設けられた開
口部の側壁が内側へ向けて屈曲してなり、その側壁、底
面が導体膜で被覆されて形成されてなることを特徴とす
る多層プリント配線板。
【請求項３】上層と下層の導体回路が層間絶縁層によ
り絶縁され、両者がバイアホールで接続されてなる多層
プリント配線板において、前記バイアホールは、層間絶縁層に設けられた開口部の
側壁が内側へ屈曲してなり、そのバイアホール内が導体
にて充填されてなることを特徴とする多層プリント配線
板。
【請求項４】上層と下層の導体回路と下層と上層から
なる層間絶縁層によって絶縁され、両者がバイアホール
で接続されてなる多層プリント配線板において、前記バイアホールは、下層の層間絶縁層に設けられた開
口部の側壁が内側へ屈曲してなり、そのバイアホール内
が導体にて充填されてなることを特徴とする多層プリン
ト配線板。
【請求項５】前記下層の層間絶縁層に化成処理によ
り、溶解除去可能な粒子が含まれてなる請求頃２又は４
に記載の多層プリント配線板。