JP2021153176A - ダイボンディング装置、剥離治具および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ピックアップする際に、ダイの割れや欠けを低減することが可能なダイボンディング装置を提供する。【解決手段】ダイボンディング装置は、感温性粘着シートで形成されたダイシングテープ16に貼付されたダイDを剥離する剥離ユニットを備える。剥離ユニットにおいて、剥離治具101は、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロック102と、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレート109と、ブロックをダイシングテープが剥離対象のダイから剥離する温度に設定する熱処理装置103と、を円筒状のドーム108内に備える。【選択図】図5
Description
本開示はダイボンディング装置に関し、例えば加熱型剥離シートに貼付されたダイをピックアップするダイボンディング装置に適用可能である。
半導体チップ(以下、ダイという。)を、例えば、配線基板やリードフレームなど(以下、総称して基板という。)の表面に搭載するダイボンダにおいては、コレット等の吸着ノズルを用いてダイを基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作(作業)が繰り返して行われる。
ダイボンダ等のダイボンディング装置によるダイボンディング工程の中には、粘着テープであるダイシングテープを貼り付けた半導体ウェハ(以下、ウェハという。)から分割されたダイを剥離する剥離工程がある。剥離工程では、ダイシングテープ裏面から突上げピンやブロックによってダイを突き上げて、ダイ供給部に保持されたダイシングテープから、1個ずつ剥離し、コレット等の吸着ノズルを使って基板上に搬送する。
近年、半導体装置の高密度実装を推進する目的で、配線基板上に複数枚のダイを三次元的に実装する積層パッケージが実用化されているが、このような積層パッケージを組み立てるに際しては、厚さが数十μm程度まで薄く加工されたダイが使用される。
ところで、ダイが薄くなると、ダイシングテープの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなる。したがって、薄いダイを使用するパッケージの組み立て工程では、ダイシングによって分割されたダイを粘着テープから剥離、ピックアップする際に、ダイに割れや欠けが生じ易い。
本開示の課題は、ピックアップする際に、ダイの割れや欠けを低減することが可能なダイボンディング装置を提供することにある。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、加熱剥離型粘着シートで形成されたダイシングテープに貼付されたダイを剥離する剥離ユニットを備える。剥離ユニットは、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロックと、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレートと、ブロックをダイシングテープが剥離対象のダイから剥離する温度に加熱する加熱装置と、加熱装置の温度を測定する温度センサと、ドームプレートを冷却する冷却部と、を円筒状のドーム内に備える。
すなわち、ダイボンディング装置は、加熱剥離型粘着シートで形成されたダイシングテープに貼付されたダイを剥離する剥離ユニットを備える。剥離ユニットは、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロックと、ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレートと、ブロックをダイシングテープが剥離対象のダイから剥離する温度に加熱する加熱装置と、加熱装置の温度を測定する温度センサと、ドームプレートを冷却する冷却部と、を円筒状のドーム内に備える。
本開示によれば、ダイの割れや欠けを低減することが可能である。
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
図1は実施形態におけるダイボンダの概略を示す上面図である。図2は図1において矢印A方向から見たときに、ピックアップヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。
ダイボンダ10は、大別して、基板Sに実装するダイDを供給するダイ供給部1と、ピックアップ部2、中間ステージ部3と、ボンディング部4と、搬送部5、基板供給部6と、基板搬出部7と、各部の動作を監視し制御する制御部8と、を有する。Y軸方向がダイボンダ10の前後方向であり、X軸方向が左右方向である。ダイ供給部1がダイボンダ10の手前側に配置され、ボンディング部4が奥側に配置される。ここで、基板Sには最終1パッケージとなる、一つ又は複数の製品エリア(以下、パッケージエリアPという。)がプリントされている。
まず、ダイ供給部1は基板SのパッケージエリアPに実装するダイDを供給する。ダイ供給部1は、ウェハ11を保持するウェハ保持台12と、ウェハ11からダイDを剥離する点線で示す剥離ユニット13と、を有する。ダイ供給部1は図示しない駆動手段によってXY軸方向に移動し、ピックアップするダイDを剥離ユニット13の位置に移動させる。
ピックアップ部2は、ダイDをピックアップするピックアップヘッド21と、ピックアップヘッド21をY軸方向に移動させるピックアップヘッドのY駆動部23と、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。ピックアップヘッド21は、剥離されたダイDを先端に吸着保持するコレット22(図2も参照)を有し、ダイ供給部1からダイDをピックアップし、中間ステージ31に載置する。ピックアップヘッド21は、コレット22を昇降、回転及びX軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
中間ステージ部3は、ダイDを一時的に載置する中間ステージ31と、中間ステージ31上のダイDを認識する為のステージ認識カメラ32を有する。
ボンディング部4は、中間ステージ31からダイDをピックアップし、搬送されてくる基板SのパッケージエリアP上にボンディングし、又は既に基板SのパッケージエリアPの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングする。ボンディング部4は、ピックアップヘッド21と同様にダイDを先端に吸着保持するコレット42(図2も参照)を備えるボンディングヘッド41と、ボンディングヘッド41をY軸方向に移動させるY駆動部43と、基板SのパッケージエリアPの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディング位置を認識する基板認識カメラ44とを有する。このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板にダイDをボンディングする。
搬送部5は、基板Sを掴み搬送する基板搬送爪51と、基板Sが移動する搬送レーン52と、を有する。基板Sは、搬送レーン52に設けられた基板搬送爪51の図示しないナットを搬送レーン52に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Sは、基板供給部6から搬送レーン52に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後、基板搬出部7まで移動して、基板搬出部7に基板Sを渡す。
制御部8は、ダイボンダ10の各部の動作を監視し制御するプログラム(ソフトウェア)を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置(CPU)と、を備える。
次に、ダイ供給部1の構成について図3を用いて説明する。図3は図1のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。
ダイ供給部1は、水平方向(XY軸方向)に移動するウェハ保持台12と、上下方向に移動する剥離ユニット13と、を備える。ウェハ保持台12は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイDが接着されたダイシングテープ16を水平に位置決めする支持リング17と、を有する。剥離ユニット13は支持リング17の内側に配置される。
ダイ供給部1は、ダイDの突き上げ時に、ウェハリング14を保持しているエキスパンドリング15を下降させる。その結果、ウェハリング14に保持されているダイシングテープ16が引き伸ばされダイDの間隔が広がり、剥離ユニット13によりダイシングテープ16からダイDを剥離し、ダイDのピックアップ性を向上させている。なお、ダイを基板に接着する接着剤は、液状からフィルム状となり、ウェハ11とダイシングテープ16との間にダイアタッチフィルム(DAF)18と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム18を有するウェハ11では、ダイシングは、ウェハ11とダイアタッチフィルム18に対して行なわれる。従って、剥離工程では、ウェハ11とダイアタッチフィルム18をダイシングテープ16から剥離する。なお、以降では、ダイアタッチフィルム18の存在を無視して、剥離工程を説明する。
ダイシングテープ16として、設定温度以上で粘着力がなくなる高温剥離性粘着シート、または設定温度以下で粘着力がなくなる低温剥離性粘着シートを使用する。ここで、高温剥離性粘着シートおよび低温剥離性粘着シートを感温性粘着シートという。ダイシングテープ16として、例えば、常温では粘着力があり、加熱すると剥がれる熱剥離シート(高温剥離性粘着シート)を使用する。熱剥離シートとしては、例えば、熱膨張性微小球等の発泡剤を含有する熱膨張性層を備えた加熱剥離型粘着シート(商品名「リバアルファ」(登録商標)、「リバクリーン」;以上、日東電工(株)製)を使用する。例えば、「リバアルファ」の90℃タイプは、ホットプレート(熱板)で100〜120℃に1分加熱することで基板などから剥離する。すなわち、熱板で加熱する場合、高温剥離性粘着シートの表面温度(ダイアタッチフィルム18との界面の温度)を剥離温度にするためには、熱板温度を剥離温度よりやや高く設定する必要がある。なお、高温剥離性粘着シートを使用する場合は、ダイアタッチフィルム18の硬化温度(通常150℃)よりも低い温度で剥離するものが好ましい。また、ダイアタッチフィルム18の硬化は、指定温度を長い時間(1時間程度)掛けるものであり、高温剥離性粘着シートの加熱時間が短い場合、高温剥離性粘着シートの剥離温度はダイアタッチフィルム18の硬化温度と同程度であってもよい。ダイシングテープ16は、通常の厚さ(100μm程度)よりも薄い基材を用いるのが好ましい。ダイシングテープ16の厚さは、例えば、50〜80μmである。これにより、吸着時のブロックへの追従性を増加させることができる。
次に、剥離治具の構成について図4および図5を用いて説明する。図4は図3の剥離治具の上面図である。図5は図4の剥離治具のA−A断面図である。
剥離ユニット13は、大別して、剥離治具101と剥離治具101を昇降する駆動機構(不図示)とを有する。図4に示すように、剥離治具101は、ダイシングテープ16を加熱するブロック102と、ブロック102を加熱するヒータ103と、ヒータ103の温度を測定する温度センサ104と、冷却部105と、第一吸引部106と、第二吸引部107と、ブロック102を昇降する駆動部(不図示)と、それらを保持する円筒状のドーム108と、ドーム108に蓋をするドームプレート109と、を有する。剥離治具101は、例えば、高さ83mm程度、径は32mm程度の大きさである。
ブロック102は、剥離治具101の上部の中心部に組み込まれている。ブロック102は平面視で矩形状であり、ダイDの平面形状とほぼ同じであり同程度の大きさに構成される。また、ブロック102は、例えば、窒化アルミニウム等の熱伝導率が良い材料で形成されている。ブロック102は上下方向に貫通する複数の吸引口102aを備え、吸引口102aは下方に設けられる第一吸引部106の空洞106aと連通している。空洞106aはパイプ106bと連通し、図示しない減圧装置としての真空ポンプに接続されている。吸引口102aのそれぞれの内部は、剥離治具101を上昇させてその上面をダイシングテープ16の裏面に接触させた際、真空ポンプによって減圧され、ピックアップ対象ダイの部位のダイシングテープ16の裏面がブロック102の上面に密着するように構成されている。吸引口102a、第一吸引部106(空洞106a、パイプ106b)は第一真空経路を構成している。
ブロック102の下面に当接して、熱処理装置としてのヒータ103が設けられている。また、ヒータ103には温度センサ104が設けられ、ヒータ103延いてはブロック102の温度制御が可能であり、ブロック102を任意の温度に加熱することができる。
ドームプレート109はブロック102の上下動を可能にする開口を有し、その周辺部には、複数の吸引口109aおよび複数の吸引口109aを連結する複数の溝109bが設けられている。吸引口109aは下方に設けられる第二吸引部107の空洞107aと連通している。空洞107aはブロック102の周りに環状に構成されている。空洞107aはパイプ107bと連通し、上記真空ポンプに接続されている。吸引口109aおよび溝109bのそれぞれの内部は、剥離治具101を上昇させてその上面をダイシングテープ16の裏面に接触させた際、上記真空ポンプによって減圧され、ピックアップ対象ダイ以外の部位のダイシングテープ16の裏面がドームプレート109の上面に密着するように構成されている。吸引口109a、第二吸引部107(空洞107a、パイプ107b)は第二真空経路を構成している。第二真空経路は第一真空経路とは独立して構成されている。すなわち、第二真空経路は第一真空経路と異なるタイミングにより真空吸引したり、同じタイミングにより真空吸引したりすることが可能である。
冷却部105は、空洞107aの下方に壁を隔て設けられ、ブロック102の周りに環状に設けられた空洞105aと、空洞105aと連通しているパイプ105bと、により構成されている。パイプ105bは、図示しない冷却気体供給装置に接続されている。空洞105aに供給された冷却気体は、空洞105aを形成する壁に設けられた排気孔(不図示)から冷却部105の外に排出されるようになっている。これにより、ブロック102からの熱によるドームプレート109の温度上昇に伴う周辺ダイの加熱を防止することができる。パイプ105b,106b,107bの外径は、例えば、2.5mm程度である。
ブロック102からの熱によるドームプレート109の温度上昇に伴う周辺ダイの加熱を防止するため、ブロック102とドームプレート109との間に間隙Gを設け、空気断熱している。間隙Gの幅は、例えば、0.5mm程度である。
ブロック102の上面の高さは、初期状態(ブロック102の非動作時)においては剥離治具101の上面周辺部(ドームプレート109)の上面の高さよりも低くなるよう構成されている。
次に、上記のようなブロック102を備えた剥離治具101を使って、ダイDをダイシングテープ16から剥離する方法について図6を用いて説明する。図6は剥離シーケンスを示すタイミング図である。
(ステップ1)
まず、制御部8は、ウェハ保持台12のエキスパンドリング15を下降させることによって、ダイシングテープ16の周辺部に接着されたウェハリング14を下方に押し下げる。このようにすると、ダイシングテープ16が、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされ、ダイDの間隔が広がる。
まず、制御部8は、ウェハ保持台12のエキスパンドリング15を下降させることによって、ダイシングテープ16の周辺部に接着されたウェハリング14を下方に押し下げる。このようにすると、ダイシングテープ16が、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされ、ダイDの間隔が広がる。
(ステップ2)
次に、制御部8は、図3に示すように、剥離の対象となる一個のダイD(同図の中央部に位置するダイD)の真下に剥離治具101の中心部(ブロック102)が位置するようにウェハ保持台12を移動させると共に、このダイDの上方にコレット22を移動させる。ピックアップヘッド21に支持されたコレット22の底面には、内部が減圧される吸着口(不図示)が設けられており、剥離の対象となる一個のダイDのみを選択的に吸着、保持できるように構成されている。
次に、制御部8は、図3に示すように、剥離の対象となる一個のダイD(同図の中央部に位置するダイD)の真下に剥離治具101の中心部(ブロック102)が位置するようにウェハ保持台12を移動させると共に、このダイDの上方にコレット22を移動させる。ピックアップヘッド21に支持されたコレット22の底面には、内部が減圧される吸着口(不図示)が設けられており、剥離の対象となる一個のダイDのみを選択的に吸着、保持できるように構成されている。
(ステップ3:STP3)
次に、制御部8は、ブロック102の上面をドームプレート109の上面よりも僅かに下げた状態(初期状態)にして、剥離治具101を上昇させてその上面をダイシングテープ16の裏面に接触させると共に、ドームプレート109の吸引口109a、溝109bの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるダイDに隣接する他のダイDの下方のダイシングテープ16がドームプレート109に密着する。これに並行して、制御部8は、ピックアップヘッド21を徐々に下降させて、コレット22がダイDより所定の高さまで達すると下降を停止する。また、制御部8は、ヒータ103によりブロック102の表面温度をプリヒート温度に加熱している。プリヒート温度(Tp)は、ダイシングテープ16がダイDから剥離しない温度であって、加熱が行われていない常温よりも高い温度であり、例えば、60℃である。その後、ヒータ103は、ブロック102の表面温度が加熱目標温度(Th)になるよう加熱を開始する。加熱目標温度(Th)は、例えば、120℃である。温度センサ104を用いて加熱上限温度(TH)を越えないようフィードバック制御される。加熱上限温度(TH)は、例えば、130℃である。加熱上限温度(TH)、加熱目標温度(Th)、プリヒート温度(Tp)はダイシングテープの特性で変更されるものである。
次に、制御部8は、ブロック102の上面をドームプレート109の上面よりも僅かに下げた状態(初期状態)にして、剥離治具101を上昇させてその上面をダイシングテープ16の裏面に接触させると共に、ドームプレート109の吸引口109a、溝109bの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるダイDに隣接する他のダイDの下方のダイシングテープ16がドームプレート109に密着する。これに並行して、制御部8は、ピックアップヘッド21を徐々に下降させて、コレット22がダイDより所定の高さまで達すると下降を停止する。また、制御部8は、ヒータ103によりブロック102の表面温度をプリヒート温度に加熱している。プリヒート温度(Tp)は、ダイシングテープ16がダイDから剥離しない温度であって、加熱が行われていない常温よりも高い温度であり、例えば、60℃である。その後、ヒータ103は、ブロック102の表面温度が加熱目標温度(Th)になるよう加熱を開始する。加熱目標温度(Th)は、例えば、120℃である。温度センサ104を用いて加熱上限温度(TH)を越えないようフィードバック制御される。加熱上限温度(TH)は、例えば、130℃である。加熱上限温度(TH)、加熱目標温度(Th)、プリヒート温度(Tp)はダイシングテープの特性で変更されるものである。
(ステップ4:STP4)
加熱時間(th)後である、ブロック102の表面温度が加熱目標温度まで上昇したとき、制御部8は、ブロック102をドームプレート109の上面と同じ高さまで上昇させると共に、ブロック102の吸引口102aの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるダイDの下方のダイシングテープ16がブロック102の上面に密着すると共に、ダイシングテープ16が加熱される。ブロック102が所定高さまで上昇した後から所定時間経過後に、制御部8は、ピックアップヘッド21を徐々に下降させて、コレット22がダイDの高さまで達すると下降を停止する。制御部8は、ヒータ103によりブロック102が所定温度で所定時間加熱する。
加熱時間(th)後である、ブロック102の表面温度が加熱目標温度まで上昇したとき、制御部8は、ブロック102をドームプレート109の上面と同じ高さまで上昇させると共に、ブロック102の吸引口102aの内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるダイDの下方のダイシングテープ16がブロック102の上面に密着すると共に、ダイシングテープ16が加熱される。ブロック102が所定高さまで上昇した後から所定時間経過後に、制御部8は、ピックアップヘッド21を徐々に下降させて、コレット22がダイDの高さまで達すると下降を停止する。制御部8は、ヒータ103によりブロック102が所定温度で所定時間加熱する。
(ステップ5:STP5)
その後、制御部8は、ヒータ103によるブロック102の加熱を停止すると共に、コレット22の吸引口によりダイDを吸着してピックアップヘッド21を徐々に上昇させる。制御部8は、コレット22がドームプレート109の上面から所定の高さまで上昇すると、上昇速度を高速に切り替えて上昇させる。
その後、制御部8は、ヒータ103によるブロック102の加熱を停止すると共に、コレット22の吸引口によりダイDを吸着してピックアップヘッド21を徐々に上昇させる。制御部8は、コレット22がドームプレート109の上面から所定の高さまで上昇すると、上昇速度を高速に切り替えて上昇させる。
(ステップ6:STP6)
ピックアップヘッド21のコレット22がドームプレート109の上面から所定の高さ(下降許可高さ)に到達すると、制御部8は、ブロック102を下降させると共に、ブロック102の吸引口102aによる吸着およびドームプレート109の吸引口109aによる吸着を停止する。
ピックアップヘッド21のコレット22がドームプレート109の上面から所定の高さ(下降許可高さ)に到達すると、制御部8は、ブロック102を下降させると共に、ブロック102の吸引口102aによる吸着およびドームプレート109の吸引口109aによる吸着を停止する。
次に、実施形態に係るダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図7を用いて説明する。図7は図1のダイボンディングを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
(ウェハ・基板搬入工程:ステップS11)
ウェハ11から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ16を保持したウェハリング14をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8はウェハリング14が充填されたウェハカセットからウェハリング14をダイ供給部1に供給する。また、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8は基板供給部6で基板Sを基板搬送爪51に取り付ける。
ウェハ11から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ16を保持したウェハリング14をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8はウェハリング14が充填されたウェハカセットからウェハリング14をダイ供給部1に供給する。また、基板Sを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御部8は基板供給部6で基板Sを基板搬送爪51に取り付ける。
(ピックアップ工程:ステップS12)
制御部8は上述したようにダイDを剥離し、剥離したダイDをウェハ11からピックアップする。このようにして、ダイアタッチフィルム18と共にダイシングテープ16から剥離されたダイDは、コレット22に吸着、保持されて次工程(ステップS13)に搬送される。そして、ダイDを次工程に搬送したコレット22がダイ供給部1に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイDがダイシングテープ16から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ16から1個ずつダイDが剥離される。
制御部8は上述したようにダイDを剥離し、剥離したダイDをウェハ11からピックアップする。このようにして、ダイアタッチフィルム18と共にダイシングテープ16から剥離されたダイDは、コレット22に吸着、保持されて次工程(ステップS13)に搬送される。そして、ダイDを次工程に搬送したコレット22がダイ供給部1に戻ってくると、上記した手順に従って、次のダイDがダイシングテープ16から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ16から1個ずつダイDが剥離される。
(ボンディング工程:ステップS13)
制御部8はピックアップしたダイを基板S上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部8はウェハ11からピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板Sにボンディングする。
制御部8はピックアップしたダイを基板S上に搭載又は既にボンディングしたダイの上に積層する。制御部8はウェハ11からピックアップしたダイDを中間ステージ31に載置し、ボンディングヘッド41で中間ステージ31から再度ダイDをピックアップし、搬送されてきた基板Sにボンディングする。
(基板搬出工程:ステップS14)
制御部8は基板搬出部7で基板搬送爪51からダイDがボンディングされた基板Sを取り出す。ダイボンダ10から基板Sを搬出する。
制御部8は基板搬出部7で基板搬送爪51からダイDがボンディングされた基板Sを取り出す。ダイボンダ10から基板Sを搬出する。
上述したように、ダイDは、ダイアタッチフィルム18を介して基板S上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。続いて、ダイDが実装された基板Sがダイボンダに搬入されて基板S上に実装されたダイDの上にダイアタッチフィルム18を介して第2のダイDが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でAuワイヤを介して基板Sの電極と電気的に接続される。第2のダイDは、前述した方法でダイシングテープ16から剥離された後、ペレット付け工程に搬送されてダイDの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Sをモールド工程に搬送し、複数個のダイDとAuワイヤとをモールド樹脂(図示せず)で封止することによって、積層パッケージが完成する。
実施形態によれば、下記の一つまたは複数の効果を有する。
(1)ダイサイズに外形を合わせたブロックで加熱することで、ピックアップするダイ(剥離対象ダイ)の周辺に位置するダイ(周辺ダイ)および周辺ダイ下のダイシングテープへの熱の伝導を低減することが可能である。これにより、周辺ダイの剥がれ易くなることが抑制され、破損の恐れを低減することが可能となる。
(2)ドームプレートを冷却することで、周辺ダイおよび周辺ダイ下のダイシングテープへの熱の伝導をさらに低減することが可能となる。
(3)ダイシングテープを挟み、ダイとは反対側から加熱するのでダイ表面に余計な熱が伝わらないようにすることが可能である。
(4)ドームプレートとブロックが独立駆動することで剥離対象ダイを加熱せずに剥離対象ダイの外周を保持できるため正確に剥離対象ダイをアライメントすることが可能である。
(5)ブロックがダイプレートよりも高く突上げられないので、低ストレスでピックアップすることが可能である。これにより、ダイの割れや欠けを低減することが可能となる。
(1)ダイサイズに外形を合わせたブロックで加熱することで、ピックアップするダイ(剥離対象ダイ)の周辺に位置するダイ(周辺ダイ)および周辺ダイ下のダイシングテープへの熱の伝導を低減することが可能である。これにより、周辺ダイの剥がれ易くなることが抑制され、破損の恐れを低減することが可能となる。
(2)ドームプレートを冷却することで、周辺ダイおよび周辺ダイ下のダイシングテープへの熱の伝導をさらに低減することが可能となる。
(3)ダイシングテープを挟み、ダイとは反対側から加熱するのでダイ表面に余計な熱が伝わらないようにすることが可能である。
(4)ドームプレートとブロックが独立駆動することで剥離対象ダイを加熱せずに剥離対象ダイの外周を保持できるため正確に剥離対象ダイをアライメントすることが可能である。
(5)ブロックがダイプレートよりも高く突上げられないので、低ストレスでピックアップすることが可能である。これにより、ダイの割れや欠けを低減することが可能となる。
上述したように、基板上に複数個のダイを三次元的に実装する積層パッケージを組み立てに際しては、パッケージ厚の増加を防ぐために、ダイの厚さを20μm以下まで薄くすることが要求される。一方、ダイシングテープの厚さは100μm程度であるから、ダイシングテープの厚みは、ダイの厚みの4〜5倍にもなっている。ダイが薄くなると、ダイシングテープの粘着力に比べてダイの剛性が極めて低くなる。そのため、例えば、20μm以下の薄ダイをピックアップするにはダイに掛かるストレスを軽減させること(低ストレス化)が必要である。このような薄いダイをダイシングテープから剥離させようとすると、ダイシングテープの変形に追従したダイの変形がより顕著に発生しやすくなるが、本実施形態のダイボンダではダイシングテープからダイをピックアップする際のダイの損傷を低減することができる。
<変形例>
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
(第一変形例)
第一変形例における剥離治具について図8を用いて説明する。図8は第一変形例における剥離治具の断面図である。
第一変形例における剥離治具について図8を用いて説明する。図8は第一変形例における剥離治具の断面図である。
第一変形例における剥離治具201は、実施形態のヒータ103および冷却部105に代えて、ブロック102とドームプレート109との間に、環状に設けられた電流を流すことで温度差を生じる半導体冷熱素子としてのペルチェ素子210を備える。ここで、ペルチェ素子210は熱処理装置であり、冷却部でもある。ペルチェ素子210の冷却面としての上面をドームプレート109に当接させて、放熱面としての下面をブロック102に当接させる。ここで、ペルチェ素子210の下面を第二吸引部107の空洞107aの下方に位置するブロック102の平坦面の上に固定し、ブロック102を上昇させることによりペルチェ素子210の上面が第二吸引部107の空洞107aを構成する壁の下面と当接するように構成するのが好ましい。これにより、ブロック102がダイシングテープ106と当接する前に、ブロック102を加熱することが可能である。
上記構成により、ペルチェ素子210はドームプレート109を冷却すると共に、ブロック102を加熱することが可能である。また、冷却気体供給装置等が不要となり、突上げブロックの加熱にはペルチェ素子210の放熱を利用できるため、コンパクトでエネルギー効率も高くすることが可能である。
なお、ブロック102の温度をより高温にする必要があり、ペルチェ素子210の放熱では加熱温度が不足する場合、実施形態で設けたヒータ103を併用しブロック102を処理温度まで加熱するようにしてもよい。また、低温剥離性ダイシングテープを使用する場合は、ペルチェ素子210の配線210a,210bの供給電流の極性を逆に制御することにより、ブロック102の冷却およびドームプレート109の加熱も同様に実施することが可能である。
(第二変形例)
第二変形例における剥離治具について図9を用いて説明する。図9は第二変形例における剥離治具の断面図である。
第二変形例における剥離治具について図9を用いて説明する。図9は第二変形例における剥離治具の断面図である。
第二変形例における剥離治具301は、実施形態のヒータ103に代えて、ブロック302内に熱処理装置としての赤外線ランプ320を備える。また、剥離治具301は実施形態の冷却部105および第一吸引部106を備えていない。また、ブロック302は、ダイDに対応する形状の開口302aを有し、赤外線ランプ320はブロック302を介さずにダイシングテープ16を直接加熱する。これにより、ダイシングテープ16のうちピックアップするダイDの下に位置する部分に選択的に加熱することができ、実施形態と同様にダイDをダイシングテープ16から剥離することが可能となる。
赤外線ランプ320が内蔵されたブロック302の内面は、赤外線に対し反射率の高い金メッキやアルミ蒸着により反射材302bをコーティングしてもよい。これにより、ダイシングテープ16のうち剥離するダイの下の部分に赤外線をより効率的に導くことが可能となる。
また、ブロック302の開口302aに石英ガラス等の赤外線に透過率の高い材質で形成されるプレート302cを設けてもよい。これにより、ダイDの平坦度が保たれて、コレット22でのピックアップがより容易になる。
(第三変形例)
第三変形例における剥離治具について図10を用いて説明する。図10は第三変形例における剥離治具の断面図である。
第三変形例における剥離治具について図10を用いて説明する。図10は第三変形例における剥離治具の断面図である。
第三変形例は、第二変形例の赤外線ランプに代えて、照射するエリアやサイズを任意に変更できるレーザ照射ユニット430を備える。熱処理装置としてのレーザ照射ユニット430は集光レンズユニット430aを有し、第二変形例における赤外線ランプ320と同様に、ブロック402を介さずにダイシングテープ16を直接加熱する。ここで、レーザ照射ユニット430はブロック402の内部に設けられるが、図示しないレーザ光源は外部に設置して、光ファイバー430b等によりレーザ照射ユニット430まで導入する。これにより、ダイシングテープ16のうちピックアップするダイDの下に位置する部分にレーザ光を選択的に照射することができ、実施形態と同様にダイDをダイシングテープ16から剥離することが可能となる。
上述レーザ光源およびレーザ照射ユニット430は、レーザ光のサイズや照射時間を任意に変更することができるため、半導体製品としてのダイのサイズまたは処理温度の処理条件の変更に際し、プログラムにより自由に変更することができ、剥離治具の交換を最小限に留めることが可能となる。また、レーザ光ではそのエネルギーを照射エリアにのみ集中的に照射できるため、照射エリア外のドームプレート109などの温度上昇を最小限に抑えることができる。
また、第二変形例と同様に、ブロック402の開口402aに石英ガラス等の使用するレーザ光に透過率の高い材質で形成されるプレート402cを設けてもよい。これにより、ダイDの平坦度が保たれて、コレット22でのピックアップがより容易になる。
(第四変形例から第七変形例)
実施形態では、ブロック102に設けられる吸引口102aは平面視において中央部に配置されている。第四変形例から第七変形例では、中央部の他に、ブロック102aの上面が形成する四角形の少なくとも四隅にも、すなわち、上記四角形の四辺に内接する仮想円または仮想楕円よりも外側の領域にも吸引口を設ける。
実施形態では、ブロック102に設けられる吸引口102aは平面視において中央部に配置されている。第四変形例から第七変形例では、中央部の他に、ブロック102aの上面が形成する四角形の少なくとも四隅にも、すなわち、上記四角形の四辺に内接する仮想円または仮想楕円よりも外側の領域にも吸引口を設ける。
第四変形例から第七変形例における剥離治具について図11を用いて説明する。図11は第四変形例から第七変形例における剥離治具を説明する図である。図11(a)は第四変形例における剥離治具のブロックの上面図である。図11(b)は第五変形例における剥離治具のブロックの上面図である。図11(c)は第六変形例における剥離治具のブロックの上面図である。図11(d)は第七変形例における剥離治具のブロックの上面図である。
第四変形例から第七変形例は、実施形態におけるブロック102は上下方向に貫通する複数の吸引口102aの個数、配置または径を変えて、ダイDの下面のダイシングテープ16をより均一に吸着し、より均一に加熱するようにする。
図11(a)に示すように、第四変形例では、ブロック102の中央部に吸引口102aを四個と四隅に吸引口102aを一個ずつ設ける。実施形態のように吸引口102aが中央だけに設けるものに対して外周部の吸着効果も見込める。ここで、吸引口102aの径は、例えば、0.8mmである。
図11(b)に示すように、第五変形例では、吸引口102aをブロック102の全面に配置する。ダイDの全体をむらなく吸着することで均一に加熱できる。ここで、吸引口102aのピッチ(PT)は、例えば、2mmである。また、最外周の吸引口102aの径は、例えば、0.6〜0.8mmであり、内側の吸引口102aの径は、例えば、0.8mmである。また、最外周の吸引口102aとブロック102の端部までの距離(肉厚、W)は、例えば、0.5mm程度である。
図11(c)に示すように、第六変形例では、ブロック102に複数の引口102aと、複数の引口102aを連結する複数の溝102cと、を設ける。溝102cを設けることにより、吸引口102a間のすき間を補うことができる。
図11(d)に示すように、第七変形例では、ブロック102を多孔質金属により形成される中央部102dと中央部102dの外周を取り囲む枠部102eとにより構成する。中央部102dに形成される気孔102fから吸引を行う。枠部102eは中央部102dの横からのリークを防止する。ダイとの接着面積を確保しつつ、全面吸着できる。
以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば、実施形態では、コレットがダイをピックアップする高さはダイ表面高さとしたが、ダイシングテープ発泡後のダイ表面高さで待ってもよいし、発泡によるダイ高さの上昇に合わせてコレットを上昇してもよい。ピックアップヘッドにセンサを設け、センサを用いて押し込み荷重を一定に保つようにリアルタイムで制御するようにしてもよい。
また、実施形態では、予めブロックをプリヒート温度(Tp)で加熱しておく例を説明したが、プリヒートは行わず、ブロックは加熱目標温度(Th)に加熱したままでも良い。
また、実施形態では、ブロックの温度をブロックのヒータに設けた温度センサにより測定しているが、これに限定されるものではなく、赤外線放射温度センサなどを設けて、加熱するダイや加熱剥離型粘着シートで形成されたダイシングテープを直接測定するようにしてもよい。
また、実施形態では、冷却部の空洞に冷却気体を供給する例を説明したが、冷却液体を供給してよい。この場合、冷却液体はパイプ等により回収する。
また、実施形態では、ダイシングテープとして高温剥離性粘着テープを使用する例を説明したが、低温剥離性粘着テープを使用してもよい。この場合、ヒータ103と冷却部105の熱処理を入れ替え、ブロック102に下方に冷却部を設け、ドームプレートの下方に加熱部を設ける。
また、実施形態では、ブロックを加熱中にコレットをダイに接触させる例を説明したが、ブロックを加熱中はコレットをダイに接触させないようにしてもよい。これにより、ダイからの熱伝達によりコレットへ熱が逃げることを防止することができる。
また、第三変形例では、ブロック402の開口402aにレーザ光に透過率の高い材質で形成されるプレート402cを設ける例を説明したが、レーザ光を吸収することにより発熱する材料で形成されたプレートによりブロック402の開口402aを覆い、レーザ光を照射してプレートを加熱して間接的にダイシングテープを加熱するようにしてもよい。この場合、プレートに実施形態の吸引口102aと同様な吸引口を設け、当該吸引口の下方に実施形態の第一吸引部106と同様な吸引部を設けるのが好ましい。
また、実施形態では、ブロック102に設けられた吸引口によりダイシングテープ16上のダイDを真空(減圧)吸着し固定しているが、これに限定されるものではなく、例えば、ヒータ機能を持たせた静電吸着チャックを用いてブロックを構成し、ダイDの下面のダイシングテープ16を吸着してもよい。これにより、ブロックには真空吸着のための吸引口や溝が不要となり、より均一に加熱することができる。
また、実施形態では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。
また、実施形態では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップする半導体製造装置に適用可能である。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。この場合、コレットとダイの位置ずれが生じた際にはアンダービジョンカメラ等によりダイの位置ずれを認識してボンディング補正を行うようにしてもよい。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
10:ダイボンダ
12:ウェハ保持台
13:剥離ユニット
101:剥離治具
102:ブロック
103:ヒータ(熱処理装置)
108:ドーム
109:ドームプレート
16:ダイシングテープ
21:ピックアップヘッド
D:ダイ
12:ウェハ保持台
13:剥離ユニット
101:剥離治具
102:ブロック
103:ヒータ(熱処理装置)
108:ドーム
109:ドームプレート
16:ダイシングテープ
21:ピックアップヘッド
D:ダイ
Claims (29)
- 感温性粘着シートで形成されたダイシングテープを保持するウェハ保持台と、
前記ダイシングテープに貼付されたダイを剥離する剥離ユニットと、
前記ダイシングテープから剥離されたダイをピックアップするヘッドと、
を備え、
前記剥離ユニットは、
前記ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロックと、
前記ブロックから離れた外周に位置し、前記ダイシングテープのうち前記剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレートと、
前記ダイシングテープを前記剥離対象のダイから剥離する温度に設定する熱処理装置と、
を円筒状のドーム内に備えるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
さらに、前記ドームプレートを冷却する冷却部を備え、
前記熱処理装置は前記ブロックを加熱するヒータであり、
前記冷却部は、
前記ドームプレートの下方に設けられる空洞と、
冷却気体が供給され、前記空洞に連通されたパイプと、
を備えるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
さらに、前記ドームプレートの下方に設けられる半導体冷熱素子を有する冷却部を備え、
前記半導体冷熱素子の冷却面により前記ドームプレートを冷却するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項3のダイボンディング装置において、
前記半導体冷熱素子の放熱面により前記ブロックを加熱するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
前記熱処理装置は、前記ブロックの内部に備える赤外線ランプであり、前記赤外線ランプは前記ブロックに設けられた開口を通して前記ダイシングテープに熱を照射するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項5のダイボンディング装置において、
前記ブロックの前記開口は赤外線を透過する材料で形成された表面プレートで覆われているダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
前記熱処理装置は、前記ブロックの内部に備えるレーザ光を照射するユニットであり、前記ユニットは前記ブロックに設けられた開口を通してダイシングテープにレーザ光を照射するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項7のダイボンディング装置において、
前記ブロックの前記開口は前記レーザ光を透過する材料で形成された表面プレートで覆われているダイボンディング装置。 - 請求項7のダイボンディング装置において、
前記ブロックの前記開口は前記レーザ光を吸収することにより発熱する材料で形成された表面プレートで覆われ、前記レーザ光を照射して前記表面プレートを加熱して間接的に前記ダイシングテープに加熱するダイボンディング装置。 - 請求項1乃至4の何れか一つのダイボンディング装置において、
前記剥離ユニットは、さらに、
前記ブロックの吸引口を減圧する第一真空経路と、
前記第一真空経路と独立し、前記ドームプレートの吸引口を減圧する第二真空経路と、
を備えるダイボンディング装置。 - 請求項1乃至9の何れか一つのダイボンディング装置において、
さらに、制御部を備え、
前記制御部は、前記ブロックを前記熱処理装置により第一所定温度に加熱すると共に、前記ブロックの上面を前記ドームプレートの上面よりも低くする状態で、前記ダイシングテープを前記ドームプレートの吸引口により吸着するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項11のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記ブロックを前記熱処理装置により第二所定温度に加熱すると共に、前記ブロックの上面を前記ダイシングテープに当接して前記ブロックの吸引口により吸着するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項12のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記第二所定温度を前記第一所定温度よりも高い温度に設定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項12のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記第二所定温度を前記第一所定温度と同じ温度に設定するよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項13のダイボンディング装置において、
前記制御部は、前記加熱されたダイシングテープから前記剥離対象のダイを前記ヘッドによりピックアップするよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、
前記ブロックの平面視の形状は、前記ダイの平面視の形状に合わせた形状であるダイボンディング装置。 - 感温性粘着シートで形成されたダイシングテープに貼付されたダイを剥離する剥離治具であって、
前記ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロックと、
前記ブロックから離れた外周に位置し、前記ダイシングテープのうち前記剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレートと、
前記ブロックを前記ダイシングテープが前記剥離対象のダイから剥離する温度に設定する熱処理装置と、
を円筒状のドーム内に備える剥離治具。 - 請求項17の剥離治具において、
さらに、前記ドームプレートを冷却する冷却部を備え、
前記熱処理装置は前記ブロックを加熱するヒータであり、
前記冷却部は、
前記ドームプレートの下方に設けられる空洞と、
冷却気体が供給され、前記空洞に連通されたパイプと、
を備える剥離治具。 - 請求項18の剥離治具において、さらに、
前記ブロックの吸引口を減圧する第一真空経路と、
前記第一真空経路と独立し、前記ドームプレートの吸引口を減圧する第二真空経路と、
を備える剥離治具。 - (a)感温性粘着シートで形成されたダイシングテープに貼付されたダイを剥離する剥離ユニットを備え、前記剥離ユニットは、前記ダイシングテープのうち剥離対象のダイが貼付された部位と当接するブロックと、前記ブロックから離れた外周に位置し、前記ダイシングテープのうち前記剥離対象のダイが貼付されていない部位と当接するドームプレートと、前記ブロックを前記ダイシングテープが前記剥離対象のダイから剥離する温度に設定する熱処理装置と、を円筒状のドーム内に備えるダイボンディング装置に、前記ダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
(b)基板を搬入する工程と、
(c)前記剥離ユニットで前記ダイを剥離して、剥離したダイをピックアップする工程と、
を有し、
前記(c)工程は、前記ブロックを前記ダイシングテープが前記剥離対象のダイから剥離する第二所定温度に加熱する半導体装置の製造方法。 - 請求項20の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、前記ドームプレートを冷却する半導体装置の製造方法。 - 請求項21の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、前記ブロックを第一所定温度に加熱すると共に、前記ブロックの上面を前記ドームプレートの上面よりも低くする状態で、前記ダイシングテープを前記ドームプレートの吸引口により吸着する半導体装置の製造方法。 - 請求項22の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、前記ブロックを前記第二所定温度に加熱すると共に、前記ブロックの上面を前記ダイシングテープに当接して前記ブロックの吸引口により吸着する半導体装置の製造方法。 - 請求項22の半導体装置の製造方法において、
前記第一所定温度は前記第二所定温度よりも低い温度に設定される半導体装置の製造方法。 - 請求項23の半導体装置の製造方法において、
前記第一所定温度は前記第二所定温度と同じ温度に設定される半導体装置の製造方法。 - 請求項24または25の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、前記加熱されたダイシングテープから前記剥離対象のダイをピックアップする半導体装置の製造方法。 - 請求項26の半導体装置の製造方法において、さらに、
(d)前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされているダイの上にボンディングする工程を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項26の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程はさらに前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程を有し、
前記(d)工程はさらに前記中間ステージから前記ダイをピックアップする工程を有する半導体装置の製造方法。 - 請求項10のダイボンディング装置において、
前記ブロックの吸引口は、平面視において、前記ブロックの四辺に内接する仮想円または仮想楕円の内側に複数および外側に複数設けられているダイボンディング装置。
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JP2020051133 | 2020-03-23 | ||
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2024053146A1 (ja) * | 2022-09-05 | 2024-03-14 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
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2021
- 2021-01-21 JP JP2021008082A patent/JP2021153176A/ja active Pending
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WO2024053146A1 (ja) * | 2022-09-05 | 2024-03-14 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
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