JPH10320810A

JPH10320810A - 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置

Info

Publication number: JPH10320810A
Application number: JP9131970A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Higashiura; 一雄東浦; Yoshio Hayashi; 善雄林; Tadashi Takeda; 正武田
Original assignee: Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Nidec Instruments Corp
Priority date: 1997-05-22
Filing date: 1997-05-22
Publication date: 1998-12-04
Also published as: CN1154989C; CN1202694A; US6184512B1

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板の平坦な表面部分に受光面を形成
したモニター用光検出器であっても、半導体レーザから
基板面に平行に出射されたレーザ光を高い効率で受光可
能な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光ピックア
ップ装置を提供すること。【解決手段】半導体レーザ装置１では、サブマウント
３上の半導体レーザ４の出射面に対して、プリズム５は
傾斜面５０を向けている。傾斜面５０には、半導体レー
ザ４からのレーザ光Ｌ１の一部を反射するための表面処
理が施された反射領域５１と、残りの光を透過屈折して
半導体基板２の表面部分２ｂでプリズム５で覆われてい
るモニター用光検出器６の受光面６ａに導く透過屈折領
域５２とが形成され、受光面６での受光結果に基づい
て、半導体レーザ４の発光光量をフィードバック制御す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体の記録
再生を行う光ピックアップ装置のレーザ光源などとして
用いられる半導体レーザ装置に関するものである。特
に、半導体レーザの発光光量をフィードバック制御する
タイプの半導体レーザ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザから出射されるレーザ光の
光量は、温度や経時変化によって大きく変動するため、
半導体レーザから常に一定の発光出力が得られるように
半導体レーザの発光光量をフォードバック制御すること
が多い。例えば、特開平４−３４９６８７号公報に開示
されている半導体レーザ装置では、半導体基板の表面部
分に段差を形成して、この段差の下面側に半導体レーザ
を設置すると共に、段差の壁部分にモニター用光検出器
を形成することにより、半導体レーザとモニター用光検
出器が対峙した構成としている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−３４９６８７号公報に開示された半導体レーザ装置
では、あくまで、半導体基板に形成した段差を利用して
半導体レーザとモニター用光検出器とを対峙させる構成
であるため、表面が平坦な半導体基板上にモニター用光
検出器の受光面を形成できないという問題点がある。あ
えて、表面が平坦な半導体基板上にモニター用光検出器
の受光面を形成すると、半導体レーザから出射されたレ
ーザ光は、ごく一部のみが受光面に届くだけである。

【０００４】そこで、本発明の課題は、半導体基板の平
坦な表面部分に受光面を形成したモニター用光検出器で
あっても、半導体レーザから基板面に平行に出射された
レーザ光を高い効率で受光可能な半導体レーザ装置、お
よびそれを用いた光ピックアップ装置を提供することに
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では、半導体基板の表面側に設置された半導
体レーザと、前記半導体基板の表面に前記半導体レーザ
に対する側に傾斜面を向けるように設置されたプリズム
と、該プリズムで覆われた前記半導体基板の表面部分に
受光面が形成されたモニター用光検出器とを有し、前記
プリズムの前記傾斜面には、前記半導体レーザからの出
射光の一部を反射するための表面処理が施された反射領
域と、前記出射光の残りを透過屈折して前記モニター用
光検出器の前記受光面にモニター光として導く透過屈折
領域とを備えていることを特徴としている。

【０００６】本発明の半導体レーザ装置では、半導体レ
ーザからの出射光がプリズムの傾斜面に照射され、この
傾斜面のうち、反射領域に照射されたレーザ光は、光記
録媒体の記録面などに向けて反射される。これに対し
て、透過屈折領域に照射されたレーザ光はそこで透過屈
折し、半導体基板の表面部分においてプリズムで覆われ
たモニター用光検出器の受光面に到達する。このため、
半導体基板の平坦な表面部分に受光面を形成したモニタ
ー用光検出器であっても、半導体レーザから基板面に平
行に出射されたレーザ光を高い効率で受光することがで
きる。それ故、半導体レーザの発光光量をフィードバッ
ク制御するのに必要なモニター光を効率よく受光でき
る。また、半導体レーザから前方に出射されたレーザ光
から記録再生用およびモニター用の双方のレーザ光を得
るため、この方向に集中してレーザ光が出射されるよう
に半導体レーザの後端反射率を高くすればよいので、半
導体レーザの発光効率を高めることができる。

【０００７】プリズムの傾斜面に形成する反射領域のパ
ターン形状は特に限定されるものではないが、例えば、
反射領域が透過屈折領域の内側に位置するようなパター
ンに形成することができる。また、透過屈折領域に挟ま
れたストライプ状のパターンに形成することも可能であ
る。ストライプ状の反射領域を形成するのであれば、反
射領域の形成パターンが簡単であり、プリズムの生産効
率を高めることができる。

【０００８】本発明では、半導体基板の表面にサブマウ
ントを設置して、このサブマウントの上に半導体レーザ
を載置するようにすることが望ましい。半導体レーザを
半導体基板の表面に直に設置すると、半導体レーザから
の出射光は広がり角を持つので、半導体レーザとプリズ
ムの傾斜面までの距離が長い場合には、その出射光の一
部が半導体基板の表面で反射してしまい、利用できなく
なる。しかるに本発明では、サブマウントの上に半導体
レーザを設置して半導体レーザを半導体基板の表面から
所定の高さ位置に配置するので、出射光の広がり角に起
因した半導体基板の表面部分で反射を防ぐことができ、
半導体レーザからの出射光を確実にプリズムの傾斜面に
導くことができる。

【０００９】本発明の半導体レーザ装置は、光記録媒体
の記録再生を行う光ピックアップ装置のレーザ光源とし
て適用できる。すなわち、前記プリズムの前記反射領域
で反射された光を光記録媒体の記録面に集束させる対物
レンズと、光記録媒体から前記対物レンズを介して戻っ
てくる戻り光から記録信号、トラッキングエラー検出用
信号およびフォーカシングエラー検出用信号を検出する
信号検出用光検出器とを有する光ピックアップ装置に適
用できる。

【００１０】このような光ピックアップ装置において
は、信号検出用光検出器の受光面を、モニター用光検出
器の受光面が形成された半導体基板の表面部分に構成す
ることが望ましい。このように構成すれば、信号検出用
光検出器とモニター用光検出器を同一の半導体基板に形
成することができるので、同一のプロセスで双方の光検
出器を同時に作製することができ、光ピックアップ装置
の製造コストを大幅に低減できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明を
適用した半導体レーザ装置を説明する。本例の半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザからの前方光の一部をモニタ
ー用光検出器によって検出して、この検出出力に基づい
て半導体レーザの発光光量をフィードバック制御を行う
フロントモニター方式の半導体レーザ装置である。

【００１２】図１は半導体レーザ装置の要部の側面図、
図２は半導体レーザ装置の要部の平面図を示してある。

【００１３】これらの図に示すように、半導体レーザ装
置１は、シリコン等からなる半導体基板２を有してお
り、この表面２ａには接着剤等により略直方体形状のサ
ブマウント３が固定されている。このサブマウント３の
上には半導体レーザ４が載置されている。半導体レーザ
４は、その発光点４ａが側方を向いており、水平方向
（半導体基板２の基板面に平行な方向）にレーザ光Ｌ１
を出射する。半導体レーザ４は、サブマウント３の上面
３ａのうち、レーザ光Ｌ１を出射する側の端面３ｂとの
縁近くに配置されている。半導体レーザ４は、ワイヤボ
ンディング等によってサブマウント３および半導体基板
２と電気的に接続されている。

【００１４】半導体基板２の表面２ａにおいて、サブマ
ウント３の端面３ｂと所定の距離だけ離れた位置にはプ
リズム５が接着剤等によって固定されている。このプリ
ズム５は、傾斜面５０が半導体レーザ４の発光点４ａに
対峙するように配置されている。本形態では、プリズム
５は、傾斜面５０がレーザ光Ｌ１の光軸に対して４５度
傾斜した構造を有している。

【００１５】このプリズム５によって覆われた半導体基
板２の表面部分２ｂには、モニター用光検出器６の受光
面６ａ形成され、このモニター用光検出器６の受光面６
ａと、半導体レーザ４から出射されたレーザ光Ｌ１の光
軸とは平行である。

【００１６】プリズム５の傾斜面５０には、半導体レー
ザ４からのレーザ光Ｌ１の一部を反射するための表面処
理が施された反射領域５１と、レーザ光Ｌ１の残りを透
過屈折してモニター用光検出器６の受光面６ａに導く透
過屈折領域５２とが形成されている。反射領域５１は、
傾斜面５０の表面に、例えば、金属膜をコーティングす
る等の表面処理が施されて光学的な反射特性が付与され
ている。本形態では、反射領域５１が半導体基板の垂直
方向から見て円形に形成され、その周囲は透過屈折領域
５２で囲まれている。ここで、レーザ光Ｌ１の光軸は反
射領域５１の中心を通るように設定されている。

【００１７】このように構成された半導体レーザ装置１
において、半導体レーザ４からは水平方向に向けてレー
ザ光Ｌ１が出射され、このレーザ光Ｌ１はプリズム５の
傾斜面５０に照射される。傾斜面５０には、透過屈折領
域５２で囲まれるように反射領域５１が形成され、か
つ、レーザ光Ｌ１の光軸は反射領域５１の中心を通るた
め、半導体レーザ４から出射されたレーザ光Ｌ１のう
ち、その光軸を中心とするその周りの光Ｌ２は、図１に
点線で示すように、反射領域５１で上方に向けて出射さ
れる。ここで反射された光Ｌ２は、後述するように、Ｃ
ＤやＤＶＤ等の光記録媒体の記録再生用の光として利用
される。

【００１８】これに対して、透過屈折領域５２に照射さ
れた光Ｌ３（レーザ光Ｌ１からレーザ光Ｌ２を除いた残
りの光）は、図１に実線で示すように、透過屈折領域５
２で透過屈折され、半導体基板２の表面部分２ｂにおい
てプリズム５によって覆われているモニター用光検出器
６の受光面６ａに導かれる。従って、モニター用光検出
器６の受光結果に基づいて、半導体レーザ２の発光光量
をフィードバック制御できる。

【００１９】本形態において、受光面６ａに届く光Ｌ３
は、レーザ光Ｌ１のうち、円形の反射領域５１で反射さ
れた光Ｌ２を除く光であるため、図３に示すように、環
状のパターンをもってモニター用光検出器６の受光面６
ａに照射される。

【００２０】このように、本形態では、半導体レーザ２
から半導体基板２の表面に平行に出射されたレーザ光Ｌ
１はプリズム３の傾斜面５０に照射され、この傾斜面５
０のうち、反射領域５１に照射されたレーザ光Ｌ２は、
ＣＤやＤＶＤ等の光記録媒体の記録再生用の光として利
用する一方、透過屈折領域５２に照射されたレーザ光Ｌ
３をそこで透過屈折させ、半導体基板２の表面部分２ｂ
においてプリズム５で覆われたモニター用光検出器６の
受光面６ａに到達させる。このため、半導体基板６の平
坦な表面部分２ｂに受光面６ａを形成したモニター用光
検出器６であっても、半導体レーザ２から出射されたレ
ーザ光Ｌ１のうち、記録再生用の光として利用する光Ｌ
２を除く光Ｌ３を高い効率で受光することができる。ま
た、半導体レーザ２から前方に出射されたレーザ光Ｌ１
から記録再生用およびモニター用の双方の光Ｌ２、Ｌ３
を得るため、この方向に集中してレーザ光Ｌ１が出射さ
れるように半導体レーザ２の後端反射率を高くすればよ
いので、半導体レーザ２の発光効率を高めることができ
る。

【００２１】また、半導体基板２の表面２ａに直接、半
導体レーザ４を設置すると、当該半導体レーザ４から出
射されたレーザ光Ｌ１は広がり角を持つので、発光点か
らプリズム５の傾斜面５０までの距離が長い場合には、
レーザ光Ｌ１の一部が半導体基板２の表面２ａで反射し
て傾斜面５０に導かれる光量が低減する。しかるに本形
態では、半導体基板２の表面２ａにサブマウント３を固
定して、このサブマウント３の上に半導体レーザ４を設
置している。従って、レーザ光Ｌ１の全てがプリズム５
の傾斜面５０に届くので、広がり角に起因して光の利用
効率が低下してしまうことを回避できる。

【００２２】［半導体レーザ装置の変形例］なお、上記
の例においては、反射領域５１が透過屈折領域５２の内
側に形成されるように、プリズム５の傾斜面５０の一部
に真円形状の反射領域５１を形成してあるが、図４
（Ａ）に示すように、透過屈折領域５２に挟まれたスト
ライブ状の反射領域５１を形成しても良い。このような
ストライブ状の反射領域５１を形成した場合でも、図４
（Ｂ）に示すように、楕円形の照射パターンの一部がカ
ットされたパターンをもって光Ｌ３がモニター用光検出
器６の受光面６ａに導かれる。

【００２３】このようにストライプ状のパターンで反射
領域５１を傾斜面５０に形成するのであれば、大量生産
しやすいため、プリズム５の生産効率が高いので、製造
コストを低減することができる。

【００２４】［光ピックアップ装置への適用例］次に、
本発明を適用した光ピックアップ装置用を光ピックアッ
プ装置に用いた構成例を説明する。

【００２５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）
のそれぞれには、本発明を適用した光ピックアップ装置
の光学系の概略構成図、光記録媒体の記録面に形成され
る光スポット、半導体レーザ装置に付加した信号検出用
光検出器での信号検出の原理を示す概念図、および信号
検出用光検出器に形成される光スポット形状の変化を示
してある。なお、図５（Ｃ）には、光ピックアップ装置
での出射光および戻り光の様子をわかりやすく示すため
に、半導体レーザ装置１全体を上方（対物レンズ）に向
けてレーザ光を照射する光源として表してあり、半導体
レーザ装置１を構成する前記の半導体レーザ４、サブマ
ウント３およびプリズム５等の個々の光学部品の図示を
省略してある。

【００２６】図５（Ａ）に示すように、光ピックアップ
装置１０は、本発明を適用した半導体レーザ装置１を有
し、半導体レーザ装置１から光記録媒体１１に向かって
変調回折格子１２、回折格子１３、１／４波長板１４、
対物レンズ１５がこの順序に配置されている。

【００２７】図５（Ｃ）に示す半導体レーザ装置１は、
前述した各光学部品に加えて、記録信号、トラッキング
エラー検出用信号、およびフォーカシングエラー検出用
信号を検出する信号検出用光検出器が付加された構成と
なっている。

【００２８】詳しく説明すると、本例の半導体レーザ装
置１は、実質的な光源位置４０（図１、２に示す半導体
レーザ装置１において、プリズム５の傾斜面５０に形成
した反射領域５１）を挟み左右対称に配列された２組の
信号検出用光検出器２０、３０を有している。これらの
信号検出用光検出器２０、３０の受光面は、モニター用
光検出器６の受光面６ａが形成された半導体基板２の同
一の表面２ａに形成されている。本例では、図２に二点
鎖線で示すように、記録媒体からの戻り光が、プリズム
５の傾斜面５０のうち、反射領域５１を避ける領域（透
過屈折領域５２）を通って半導体基板２の表面部分２ｂ
に到達する領域に信号検出用光検出器２０、３０が形成
されている。なお、信号検出用光検出器２０、３０の受
光面を形成する位置としては、図２に示すようにプリズ
ム５０で覆われた領域に形成する場合がある他、戻り光
の回折方向によってはプリズム５０を完全に避けた領域
に形成する場合もある。いずれの場合でも、モニター用
光検出器６の受光面６ａと同じく、半導体基板２の表面
に形成することが好ましい。モニター用光検出器６の受
光面６ａが形成されている半導体基板２の表面２ａに信
号検出用光検出器２０、３０の受光面も形成するのであ
れば、同一のプロセスで双方の光検出器を作製すること
が可能となるので、光ピックアップ装置の製造コストを
大幅に低減できる。

【００２９】一対の信号検出用光検出器２０、３０のう
ち、信号検出用光検出器２０は、中央に位置するＲＦ信
号検出用の光検出器２１と、この両側に位置するフォー
カシングエラーおよびトラッキングエラー検出用の光検
出器２２、２３を備えている。他方の信号検出用光検出
器３０も、同様に、中央に位置するＲＦ信号検出用の光
検出器３１と、この両側に位置するフォーカシングエラ
ーおよびトラッキングエラー検出用の光検出器３２、３
３を備えている。

【００３０】光検出器２２、２３および光検出器３２、
３３は、３分割型の光検出器である。すなわち、光検出
器２２は３つの受光面２２ａ、２２ｂ、および２２ｃを
備えており、同様に、光検出器２３も３つの受光面２３
ａ、２３ｂ、および２３ｃを備えている。また、光検出
器３２、３３も、それぞれ３つの受光面３２ａ、３２
ｂ、３２ｃおよび３３ａ、３３ｂ、３３ｃを備えてい
る。

【００３１】変調回折格子１２は、その回折方向が記録
媒体１１のトラック１１ｂの方向となるように設定され
ている。回折格子６は、その回折方向が光記録媒体１１
のトラック１１ｂに直交する方向、すなわち、変調回折
格子１２の回折方向に直交する方向に設定されている。

【００３２】再び図５（Ａ）において、半導体レーザ装
置１から出射されたレーザ光Ｌ２は、変調回折格子１２
を通過して回折作用を受け、主として、０次光Ｌ（０）
および＋−１次回折光Ｌ（＋１）、Ｌ（−１）の３ビー
ムに分割される。

【００３３】この３ビームは、回折格子６を素通りした
後、１／４波長板１４を通過して円偏光に変換された後
に、対物レンズ１５に入射する。対物レンズ１５を介し
て、、３ビームは、図５（Ｂ）に示すように、光記録媒
体１１の記録面１１ａに形成されているトラック１１ｂ
上に光スポットａ、ｂ、ｃとして集光する。

【００３４】光記録媒体１１で反射した戻り３ビームＬ
ｒ（０）、Ｌｒ（＋１）、Ｌｒ（−１）は、対物レンズ
１５を経て１／４波長板１４に戻り、ここを通過して、
再び直線偏光に変換される。この直線偏光の偏光方向は
光Ｌ２とは直交する方向に切り換わっている。この結
果、戻り３ビームＬｒ（０）、Ｌｒ（＋１）、Ｌｒ（−
１）は、回折格子１３を通過する際に回折作用を受け
て、それぞれ３ビームに回折される。この回折方向は、
光記録媒体１１のトラック１１ｂに直交する方向であ
る。

【００３５】すなわち、戻り３ビームに含まれる０次光
Ｌｒ（０）は、０次光Ｌｒ（０）ｏ、および＋−１次回
折光Ｌｒ（０）＋１、Ｌｒ（０）−１の３ビームに回折
される。同様に、＋１次回折光Ｌｒ（＋１）も、０次光
Ｌｒ（＋１）ｏ、および＋−１次回折光Ｌｒ（＋１）＋
１、Ｌｒ（＋１）−１の３ビームに回折され、−１次回
折光Ｌｒ（−１）も、０次光Ｌｒ（−１）ｏ、および＋
−１次回折光Ｌｒ（−１）＋１、Ｌｒ（−１）−１の３
ビームに回折される。

【００３６】これらの回折光のうち、＋１次回折光Ｌｒ
（０）＋１、Ｌｒ（＋１）＋１、Ｌｒ（−１）＋１は、
それぞれ、信号検出用光検出器２０を構成している光検
出器２１、２２および２３の受光面に光スポットａ１、
ｂ１、ｃ１として集光する。これに対して、−１次回折
光Ｌｒ（０）−１、Ｌｒ（＋１）−１、Ｌｒ（−１）−
１は、それぞれ、信号検出用光検出器３０を構成してい
る光検出器３１、３２および３３の受光面に光スポット
ａ２、ｂ２、ｃ２として集光する。

【００３７】本例の光ピックアップ装置１０では、光Ｌ
２を変調回折格子１２を用いて回折して３ビームに分割
している。この結果、記録媒体１１の記録面上に形成さ
れる各ビームの光スポットのうち、両側に位置している
光スポットｂ、ｃには非点収差が発生する。従って、こ
れらの光スポットの戻り光が結像することによって光検
出器の受光面に形成される光スポットｂ１、ｂ２と、光
スポットｃ１、ｃ２におけるメリジオナル非点収差の横
収差の幅は焦点ずれの方向に応じて、逆方向に変化す
る。

【００３８】すなわち、図５（Ｄ）に示すように、焦点
が合っている状態では、光スポットｂ１、ｂ２と、光ス
ポットｃ１、ｃ２は同一寸法の楕円形になる。これに対
して、前焦点位置では、光スポットｂ１、ｂ２の幅が狭
くなるのに対して、光スポットｃ１、ｃ２の側は幅が広
くなる。逆に、後焦点位置では、光スポットｂ１、ｂ２
の幅が広くなるのに対して、光スポットｃ１、ｃ２の幅
は狭くなる。

【００３９】それ故、これらの光スポットの幅の変化を
各検出器の受光量変化として検出して、フォーカスエラ
ー信号ＦＥを生成することができる。例えば、図６
（Ａ）に示すように、３分割型光検出器２２、３２の両
側の受光面２２ｂ、２２ｃおよび３２ｂ、３２ｃでの受
光量と、反対側の３分割型光検出器２３、３３の中央の
受光面２３ａ、３３ａの受光量との和Ｓ１を取る。ま
た、３分割型光検出器２２、３２の中央の受光面２２
ａ、３２ａの受光量と、反対側の３分割検出器２３ｂ、
２３ｃおよび３３ｂ、３３ｃでの受光量との和Ｓ２を取
る。そして、これらの和信号Ｓ１とＳ２の差を求めるこ
とにより、フォーカスエラー信号ＦＥが形成される。

【００４０】次に、トラッキングエラー信号ＴＥは、一
般的に採用されている３ビーム法によって形成される。
すなわち、図６（Ｂ）に示すように、３分割型光検出器
２２、３２の受光量Ｓ３と、反対側の３分割光検出器２
３、３３の受光量Ｓ４との差を求めることにより、トラ
ッキングエラー信号ＴＥが形成される。

【００４１】一方、ＲＦ信号は、中央に配置されている
光検出器２１、３１の受光量に基づき検出される。

【００４２】なお、本例の半導体レーザ装置１に形成さ
れている各光検出器２１〜２３、３１〜３３は、あくま
で例示であってフォーカシングエラーおよびトラッキン
グエラー信号を検出する方法によって決定されるもので
ある。例えば、フォーカシングエラー信号を周知の非点
収差法によって検出する場合には、４分割型光検出器を
形成すれば良い。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置は、プリズムの傾斜面に反射領域と透過屈折領
域を形成し、プリズムの傾斜面に入射する半導体レーザ
からのレーザ光の一部を、半導体基板の表面に形成され
ているモニター用光検出器の受光面に向かうモニター光
に変換している。従って、本発明によれば、モニター用
光検出器の受光面と半導体レーザの出射光軸とが平行で
あっても、半導体レーザの発光光量のフィードバック制
御に必要な光量の光をモニター用光検出器に高い効率で
導くことができる。また、半導体レーザから前方に出射
されたレーザ光から記録再生用およびモニター用のレー
ザ光を得るため、この方向に集中してレーザ光が出射さ
れるように半導体レーザの後端反射率を高くすればよい
ので、半導体レーザの発光効率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した半導体レーザ装置の要部の側
面図である。

【図２】図１に示す半導体レーザ装置の要部の平面図で
ある。

【図３】図１に示すモニター用光検出器の受光面に照射
される光の断面形状を示す説明図である。

【図４】（Ａ）は、本発明においてプリズムの傾斜面に
ストライプ状の反射領域が形成された半導体レーザ装置
の平面図、（Ｂ）は、（Ａ）に示す半導体レーザ装置の
モニター用光検出器の受光面に照射される光の断面形状
を示す説明図である。

【図５】本発明を適用した半導体レーザ装置が組み込ま
れた光ピックアップ装置の説明図である。

【図６】図５に示す光ピックアップ装置において、各種
信号を形成するための回路構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ装置２半導体基板２ａ半導体基板の表面２ｂプリズムによって覆われた半導体基板の表面部分３サブマウント３ａサブマウントの上面４半導体レーザ４ａ発光点５プリズム５０傾斜面５１反射領域５２透過屈折領域６モニター用光検出器６ａ受光面１０光ピックアップ装置１１光記録媒体１１ａ記録面１１ｂトラック１２変調回折格子１３回折格子１４１／４波長板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板の表面側に設置された半導体
レーザと、前記半導体基板の表面に前記半導体レーザに
対峙する側に傾斜面を向けるように設置されたプリズム
と、該プリズムで覆われた前記半導体基板の表面部分に
受光面が形成されたモニター用光検出器とを有し、前記プリズムの前記傾斜面には、前記半導体レーザから
の出射光の一部を反射するための表面処理が施された反
射領域と、前記出射光の残りを透過屈折して前記モニタ
ー用光検出器の前記受光面にモニター光として導く透過
屈折領域とを備えていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
【請求項２】請求項１において、前記反射領域は、前
記透過屈折領域の内側に形成されていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。
【請求項３】請求項１において、前記反射領域は、前
記透過屈折領域に挟まれたストライプ状に形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】請求項１乃至３の何れかにおいて、前記
半導体レーザは、前記半導体基板の表面に設置したサブ
マウント上に載置されていることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
【請求項５】請求項１乃至４の何れかに記載された半
導体レーザ装置を有す光ピックアップ装置であって、前
記プリズムの前記反射領域で反射された光を光記録媒体
の記録面に集束させる対物レンズと、光記録媒体から前
記対物レンズを介して戻ってくる戻り光から記録信号、
トラッキングエラー検出用信号およびフォーカシングエ
ラー検出用信号を検出する信号検出用の光検出器とを有
することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】請求項５において、前記信号検出用光検
出器は、受光面が前記半導体基板の表面部分に構成され
ていることを特徴とする光ピックアップ装置。