JPH11227740A - 透明導電膜を有する導電性板の製造法及び導電性板 - Google Patents
透明導電膜を有する導電性板の製造法及び導電性板Info
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- JPH11227740A JPH11227740A JP3779198A JP3779198A JPH11227740A JP H11227740 A JPH11227740 A JP H11227740A JP 3779198 A JP3779198 A JP 3779198A JP 3779198 A JP3779198 A JP 3779198A JP H11227740 A JPH11227740 A JP H11227740A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い表面抵抗値を有するとともに、複雑な工
程を必要としない、透明導電膜を有する導電性板の製造
法および導電性板を提供すること。 【解決手段】 平均粒径が０．１μｍ以下の錫ドープ酸
化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗料を
基板の上に塗布して形成した塗膜を、前記熱可塑性樹脂
の軟化点以上の温度で加熱処理する透明導電膜を有する
導電性板の製造法である。また、平均粒径が０．１μｍ
以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂と
を含有する塗料を、ポリエチレンテレフタレートからな
る基板の上に塗布して形成した塗膜を、１５０゜Ｃ〜２
１０゜Ｃで加熱処理することが好ましい。
程を必要としない、透明導電膜を有する導電性板の製造
法および導電性板を提供すること。 【解決手段】 平均粒径が０．１μｍ以下の錫ドープ酸
化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗料を
基板の上に塗布して形成した塗膜を、前記熱可塑性樹脂
の軟化点以上の温度で加熱処理する透明導電膜を有する
導電性板の製造法である。また、平均粒径が０．１μｍ
以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂と
を含有する塗料を、ポリエチレンテレフタレートからな
る基板の上に塗布して形成した塗膜を、１５０゜Ｃ〜２
１０゜Ｃで加熱処理することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜を有す
るとともに、透明性および導電性に優れた導電性板の製
造法及び導電性板に関する。
るとともに、透明性および導電性に優れた導電性板の製
造法及び導電性板に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６３−１５８７０９号公報には、
（ａ）スズ化合物またはインジウム化合物の水溶液を、
８〜１２のｐＨ条件下に保持して液中の化合物を徐々に
加水分解して、コロイド粒子を含有するゾルを生成させ
た後に、このゾルを乾燥、焼成して得られた導電微粉末
と、（ｂ）バインダー樹脂とを溶剤に分散させてなる導
電性塗料から形成された透明導電膜を、表面に有する導
電性板が開示されている。そして、塗料中での導電性微
粉末の平均粒径は、約０．２〜０．４μｍで、塗料の乾
燥温度として１１０℃等が記載されている。
（ａ）スズ化合物またはインジウム化合物の水溶液を、
８〜１２のｐＨ条件下に保持して液中の化合物を徐々に
加水分解して、コロイド粒子を含有するゾルを生成させ
た後に、このゾルを乾燥、焼成して得られた導電微粉末
と、（ｂ）バインダー樹脂とを溶剤に分散させてなる導
電性塗料から形成された透明導電膜を、表面に有する導
電性板が開示されている。そして、塗料中での導電性微
粉末の平均粒径は、約０．２〜０．４μｍで、塗料の乾
燥温度として１１０℃等が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記方
法では、透明電極、電磁波遮蔽等に必要とされる表面抵
抗値Ｒｓ、１０2〜１０4Ω／ロを有する導電性板を得る
ことは容易ではなかった。
法では、透明電極、電磁波遮蔽等に必要とされる表面抵
抗値Ｒｓ、１０2〜１０4Ω／ロを有する導電性板を得る
ことは容易ではなかった。
【０００４】よって、本発明の目的は、低い表面抵抗値
を有するとともに、複雑な工程を必要としない、透明導
電膜を有する導電性板の製造法および導電性板を提供す
ることにある。
を有するとともに、複雑な工程を必要としない、透明導
電膜を有する導電性板の製造法および導電性板を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は、平均粒径が
０．１μｍ以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可
塑性樹脂とを含有する塗料を基板の上に塗布して形成し
た塗膜を、前記熱可塑性樹脂の軟化点以上の温度で加熱
処理することで解決される。また、平均粒径が０．１μ
ｍ以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂
とを含有する塗料を、ポリエチレンテレフタレートから
なる基板の上に塗布して形成した塗膜を、１５０゜Ｃ〜
２１０゜Ｃで加熱処理することが好ましい。
０．１μｍ以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可
塑性樹脂とを含有する塗料を基板の上に塗布して形成し
た塗膜を、前記熱可塑性樹脂の軟化点以上の温度で加熱
処理することで解決される。また、平均粒径が０．１μ
ｍ以下の錫ドープ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂
とを含有する塗料を、ポリエチレンテレフタレートから
なる基板の上に塗布して形成した塗膜を、１５０゜Ｃ〜
２１０゜Ｃで加熱処理することが好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】錫ドープ酸化インジウム微粉末と
は、錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）の微粉末
であって、平均粒径が０．１μｍ以下のＩＴＯ微粉末の
ものを用いる。平均粒径が０．１μｍを越えるＩＴＯ微
粉末を用いる場合は、透明導電膜の光線透過率、へイズ
が不充分となり、透明性が低下し易い。平均粒径が０．
１μｍ以下のＩＴＯ微粉末は、一般に知られた方法で製
造できる。錫ドープ酸化インジウム微粉末中の錫量が、
Ｓｎ０2として１〜１０重量％程度であれば、透明導電
膜は高い導電性を示す。
は、錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）の微粉末
であって、平均粒径が０．１μｍ以下のＩＴＯ微粉末の
ものを用いる。平均粒径が０．１μｍを越えるＩＴＯ微
粉末を用いる場合は、透明導電膜の光線透過率、へイズ
が不充分となり、透明性が低下し易い。平均粒径が０．
１μｍ以下のＩＴＯ微粉末は、一般に知られた方法で製
造できる。錫ドープ酸化インジウム微粉末中の錫量が、
Ｓｎ０2として１〜１０重量％程度であれば、透明導電
膜は高い導電性を示す。
【０００７】熱可塑性樹脂は、その種類、構造によって
種々の軟化点をもつため、基板の耐熱性に合わせて適宜
選択することが好ましい。熱可塑性樹脂として、一般に
知られた熱可塑性樹脂を用いることができるが、軟化点
以上の温度から室温までの冷却による体積収縮が大き
く、また、高い軟化点を有するものが好ましい。熱可塑
性樹脂として、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル、
線状ポリエステル、飽和ポリエステル等のポリエステル
樹脂、メタクリル樹脂等のアクリル樹脂、フッ素系樹脂
が特に好ましい。前記ポリエステル樹脂として、分子量
が５０００〜５００００で、軟化点が１００〜１８０゜
Ｃのものが好ましい。
種々の軟化点をもつため、基板の耐熱性に合わせて適宜
選択することが好ましい。熱可塑性樹脂として、一般に
知られた熱可塑性樹脂を用いることができるが、軟化点
以上の温度から室温までの冷却による体積収縮が大き
く、また、高い軟化点を有するものが好ましい。熱可塑
性樹脂として、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル、
線状ポリエステル、飽和ポリエステル等のポリエステル
樹脂、メタクリル樹脂等のアクリル樹脂、フッ素系樹脂
が特に好ましい。前記ポリエステル樹脂として、分子量
が５０００〜５００００で、軟化点が１００〜１８０゜
Ｃのものが好ましい。
【０００８】ＩＴＯ微粉末と熱可塑性樹脂との混合割合
として、ＩＴＯ微粉末と熱可塑性樹脂との合計量１００
重量部に対して、ＩＴＯ微粉末が７０〜８５重量部、熱
可塑性樹脂が３０〜１５重量部の割合が好ましい。ＩＴ
Ｏ微粉末の配合量が８５重量部を超える場合は透明導電
膜の強度が十分でなく、７０重量部未満の場合は透明導
電膜の導電性が十分でない。
として、ＩＴＯ微粉末と熱可塑性樹脂との合計量１００
重量部に対して、ＩＴＯ微粉末が７０〜８５重量部、熱
可塑性樹脂が３０〜１５重量部の割合が好ましい。ＩＴ
Ｏ微粉末の配合量が８５重量部を超える場合は透明導電
膜の強度が十分でなく、７０重量部未満の場合は透明導
電膜の導電性が十分でない。
【０００９】ＩＴＯ微粉末及び熱可塑性樹脂は、溶剤に
分散或いは溶解されて、塗料とされる。該塗料を基板の
上に塗布し塗膜を加熱処理すれば、基板の上に透明導電
膜が形成された導電性板が得られる。このような溶剤と
して、ベンゼン、トルエン等のベンゾール類、塩化メチ
レン、トリクレン、２塩化プロピレン等のハロゲン化炭
化水素類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキ
サノン等のケトン類、酢酸セルソルブ、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなどのエーテル類、酢酸エチル等のエ
ステル類、２一ニトロプロパン、スチレンモノマー等の
単独又はこれらを２種以上混合した混合溶剤が挙げら
れ、これら溶剤を用いる熱可塑性樹脂の種類等に応じて
適宜選択する。溶剤中の約３０重量％以上が、常圧（１
ａｔｍ）で沸点が１００〜２００゜Ｃの溶剤であると、
塗料を基板の上に室温で塗布し易いし、透明導電膜の厚
み等が均一となり易い。
分散或いは溶解されて、塗料とされる。該塗料を基板の
上に塗布し塗膜を加熱処理すれば、基板の上に透明導電
膜が形成された導電性板が得られる。このような溶剤と
して、ベンゼン、トルエン等のベンゾール類、塩化メチ
レン、トリクレン、２塩化プロピレン等のハロゲン化炭
化水素類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキ
サノン等のケトン類、酢酸セルソルブ、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなどのエーテル類、酢酸エチル等のエ
ステル類、２一ニトロプロパン、スチレンモノマー等の
単独又はこれらを２種以上混合した混合溶剤が挙げら
れ、これら溶剤を用いる熱可塑性樹脂の種類等に応じて
適宜選択する。溶剤中の約３０重量％以上が、常圧（１
ａｔｍ）で沸点が１００〜２００゜Ｃの溶剤であると、
塗料を基板の上に室温で塗布し易いし、透明導電膜の厚
み等が均一となり易い。
【００１０】塗料の分散性、安定性等あるいは透明導電
膜の成膜性等を向上させるために、一般に使用されてい
る界面活性剤、分散剤等を塗料に更に添加することもで
きる。
膜の成膜性等を向上させるために、一般に使用されてい
る界面活性剤、分散剤等を塗料に更に添加することもで
きる。
【００１１】塗料は、スピンコート法、ロールコート
法、スプレー法、バーコート法、ディップ法、メニカス
コート法、グラビア印刷法などの通常の薄膜形成方法等
により、基板の上に塗布される。
法、スプレー法、バーコート法、ディップ法、メニカス
コート法、グラビア印刷法などの通常の薄膜形成方法等
により、基板の上に塗布される。
【００１２】基板として透明性板が好ましく、基板とし
てポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース（タック）等の
プラスチックの板若しくはフィルム、或いは無機ガラス
板などが挙げられる。特に、耐熱温度の点から、基板が
ＰＥＴ、無機ガラスから構成されることが好ましい。基
板がＰＥＴ等のプラスチックからなると、基板が無機ガ
ラスからなる場合に比較して、切断加工等の加工性に優
れた導電性板が得られる。なお、ＰＥＴは、テレフタル
酸又はその誘導体とエチレングリコールとを主成分と
し、これらを重縮合することで得られる。
てポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース（タック）等の
プラスチックの板若しくはフィルム、或いは無機ガラス
板などが挙げられる。特に、耐熱温度の点から、基板が
ＰＥＴ、無機ガラスから構成されることが好ましい。基
板がＰＥＴ等のプラスチックからなると、基板が無機ガ
ラスからなる場合に比較して、切断加工等の加工性に優
れた導電性板が得られる。なお、ＰＥＴは、テレフタル
酸又はその誘導体とエチレングリコールとを主成分と
し、これらを重縮合することで得られる。
【００１３】次に、基板の上に形成された塗膜を高温で
加熱処理する効果について説明する。一般に、熱可塑性
樹脂はガラス転移点（Ｔｇ）以上の温度で体積増加率が
大きくなり、軟化点（Ｔｍ）以上の温度では体積増加率
が少なくなる。このため、本発明のように塗膜を高温で
加熱処理すれば、加熱処理により塗膜中の溶剤が完全に
揮発するという理由と、熱可塑性樹脂の軟化点以上の加
熱処理温度から室温まで冷却することにより体積収縮を
起こさせるという理由とから、ＩＴＯ微粉末どうしの接
触が強くなり、透明導電膜の導電性の向上が達成できる
ものと推定される。
加熱処理する効果について説明する。一般に、熱可塑性
樹脂はガラス転移点（Ｔｇ）以上の温度で体積増加率が
大きくなり、軟化点（Ｔｍ）以上の温度では体積増加率
が少なくなる。このため、本発明のように塗膜を高温で
加熱処理すれば、加熱処理により塗膜中の溶剤が完全に
揮発するという理由と、熱可塑性樹脂の軟化点以上の加
熱処理温度から室温まで冷却することにより体積収縮を
起こさせるという理由とから、ＩＴＯ微粉末どうしの接
触が強くなり、透明導電膜の導電性の向上が達成できる
ものと推定される。
【００１４】基板の耐熱性、熱可塑性樹脂の軟化点、溶
剤の沸点等を考慮して、加熱処理温度を適宜選択するこ
とが好ましい。例えば、塗料が常圧下の沸点１００〜２
００゜Ｃの化合物を溶剤として含み、基板がＰＥＴから
なる場合、塗膜を１５０゜Ｃ〜２１０゜Ｃの高温で加熱
することが好ましい。１５０℃未満では、導電性板の表
面抵抗値が小さくなり難いし、２１０゜Ｃを超えると、
ＰＥＴ製基板の熱変形量が大きくなり過ぎて導電性板が
不良品となる。基板がＰＥＴから構成されていれば、１
５０℃〜２１０゜Ｃに加熱しても、熱変形の殆どない導
電性板が得られる。なお、ＰＥＴ製基板に若干の外力を
加えるようにして加熱処理すれば、ＰＥＴ製基板の熱変
形を防止できる。
剤の沸点等を考慮して、加熱処理温度を適宜選択するこ
とが好ましい。例えば、塗料が常圧下の沸点１００〜２
００゜Ｃの化合物を溶剤として含み、基板がＰＥＴから
なる場合、塗膜を１５０゜Ｃ〜２１０゜Ｃの高温で加熱
することが好ましい。１５０℃未満では、導電性板の表
面抵抗値が小さくなり難いし、２１０゜Ｃを超えると、
ＰＥＴ製基板の熱変形量が大きくなり過ぎて導電性板が
不良品となる。基板がＰＥＴから構成されていれば、１
５０℃〜２１０゜Ｃに加熱しても、熱変形の殆どない導
電性板が得られる。なお、ＰＥＴ製基板に若干の外力を
加えるようにして加熱処理すれば、ＰＥＴ製基板の熱変
形を防止できる。
【００１５】本発明の導電性板の好ましい例を、図２に
基づいて説明すれば、平均粒径０．１μｍ以下の錫ドー
プ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗
料を基板１の上に塗布して形成した塗膜を、前記熱可塑
性樹脂の軟化点以上の温度で加熱処理する導電性板の製
造法によって得られた導電性板１０であって、錫ドープ
酸化インジウム微粉末５を結合するバインダ３の一成分
である熱可塑性樹脂がポリエステル樹脂、アクリル樹
脂、フッ素樹脂のうちのいずれかである導電性板であ
る。
基づいて説明すれば、平均粒径０．１μｍ以下の錫ドー
プ酸化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗
料を基板１の上に塗布して形成した塗膜を、前記熱可塑
性樹脂の軟化点以上の温度で加熱処理する導電性板の製
造法によって得られた導電性板１０であって、錫ドープ
酸化インジウム微粉末５を結合するバインダ３の一成分
である熱可塑性樹脂がポリエステル樹脂、アクリル樹
脂、フッ素樹脂のうちのいずれかである導電性板であ
る。
【００１６】
【実施例】ＰＥＴフィルムを基板１とし、該基板１の片
面に透明導電膜７が接着された、図２に示す導電性板１
０を以下のように作製した。そして、塗膜の加熱処理温
度と導電性板１０の表面抵抗値との関係を調べた。導電
性板１０の製造法；線状飽和ポリエステル樹脂（軟化点
１５５゜Ｃ）を溶剤に溶解し、これに分散剤を添加し、
更に錫ドープ酸化インジウム微粉末を添加して分散せし
めることで、透明導電膜７の形成用塗料を作製した。こ
の塗料をバーコート法によりＰＥＴフィルムの上に塗布
して塗膜を形成し、該塗膜を１０分間、１００゜Ｃ〜２
００゜Ｃで加熱することで、図２に示す導電性板１０を
得た。なお、透明導電膜７の厚みは１μｍであった。
面に透明導電膜７が接着された、図２に示す導電性板１
０を以下のように作製した。そして、塗膜の加熱処理温
度と導電性板１０の表面抵抗値との関係を調べた。導電
性板１０の製造法；線状飽和ポリエステル樹脂（軟化点
１５５゜Ｃ）を溶剤に溶解し、これに分散剤を添加し、
更に錫ドープ酸化インジウム微粉末を添加して分散せし
めることで、透明導電膜７の形成用塗料を作製した。こ
の塗料をバーコート法によりＰＥＴフィルムの上に塗布
して塗膜を形成し、該塗膜を１０分間、１００゜Ｃ〜２
００゜Ｃで加熱することで、図２に示す導電性板１０を
得た。なお、透明導電膜７の厚みは１μｍであった。
【００１７】前記塗料の配合を示す。 錫ドープ酸化インジウム微粉末：平均粒径０．０８μｍ
のＩＴＯ微粉末、２４重量部 熱可塑性樹脂：ポリエステル樹脂で、軟化点が１５５℃
のもの、５重量部 溶剤：シクロヘキサノン（沸点、１５５゜Ｃ／１ａｔ
ｍ）：ＭＥＫ（沸点、７９．６゜Ｃ／１ａｔｍ）＝１：
１の混合溶剤、７０重量部 分散剤：フッ素樹脂系分散剤、１重量部
のＩＴＯ微粉末、２４重量部 熱可塑性樹脂：ポリエステル樹脂で、軟化点が１５５℃
のもの、５重量部 溶剤：シクロヘキサノン（沸点、１５５゜Ｃ／１ａｔ
ｍ）：ＭＥＫ（沸点、７９．６゜Ｃ／１ａｔｍ）＝１：
１の混合溶剤、７０重量部 分散剤：フッ素樹脂系分散剤、１重量部
【００１８】なお、ＩＴＯ微粉末の平均粒径は、レ−ザ
−粒径解析システム（大塚電子社製）を用いて、動的光
散乱法により２０゜Ｃで測定し、並進拡散係数を求め、
Ｅｉｎｓｔｅｉｎ−Ｓｔｏｋｅｓ式（アインシュタイン
−スト−クス式）より算出した。また、前記ポリエステ
ル樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ２５３１（環球法）によ
り測定した。導電性板１０の表面抵抗値Ｒｓは、レスタ
（三菱化学社製）を用い、２０゜Ｃで測定した。
−粒径解析システム（大塚電子社製）を用いて、動的光
散乱法により２０゜Ｃで測定し、並進拡散係数を求め、
Ｅｉｎｓｔｅｉｎ−Ｓｔｏｋｅｓ式（アインシュタイン
−スト−クス式）より算出した。また、前記ポリエステ
ル樹脂の軟化点は、ＪＩＳ Ｋ２５３１（環球法）によ
り測定した。導電性板１０の表面抵抗値Ｒｓは、レスタ
（三菱化学社製）を用い、２０゜Ｃで測定した。
【００１９】以上のようにして測定した導電性板１０に
ついての表面抵抗値Ｒｓの測定結果と加熱処理温度との
関係を図１に示す。図１から、ＰＥＴフィルムを基板１
として用い、熱可塑性樹脂として軟化点が１５５℃のポ
リエステル樹脂を用いた場合、塗膜を１６０゜Ｃ〜２０
０゜Ｃで加熱処理すれば、約（２〜３）×１０3Ω／□
の表面抵抗値Ｒｓを有する導電性板１０（厚み約１μｍ
の透明導電膜７を有する）が得られ、一方、塗膜を１２
０゜Ｃ以下で加熱処理すると、導電性板１０の表面抵抗
値Ｒｓは１０4Ω／□を超えることが分かった。即ち、
塗膜を１６０゜Ｃ〜２００゜Ｃの高温で加熱処理するこ
とで、低い表面抵抗値Ｒｓを有する導電性板１０が容易
に製造できることが分かった。
ついての表面抵抗値Ｒｓの測定結果と加熱処理温度との
関係を図１に示す。図１から、ＰＥＴフィルムを基板１
として用い、熱可塑性樹脂として軟化点が１５５℃のポ
リエステル樹脂を用いた場合、塗膜を１６０゜Ｃ〜２０
０゜Ｃで加熱処理すれば、約（２〜３）×１０3Ω／□
の表面抵抗値Ｒｓを有する導電性板１０（厚み約１μｍ
の透明導電膜７を有する）が得られ、一方、塗膜を１２
０゜Ｃ以下で加熱処理すると、導電性板１０の表面抵抗
値Ｒｓは１０4Ω／□を超えることが分かった。即ち、
塗膜を１６０゜Ｃ〜２００゜Ｃの高温で加熱処理するこ
とで、低い表面抵抗値Ｒｓを有する導電性板１０が容易
に製造できることが分かった。
【００２０】次に、透明導電膜７の膜厚と、導電性板１
０の表面抵抗値Ｒｓ、全光線透過率Ｔｔ、ヘイズＨとの
関係を調べた。このための試料として、塗膜の加熱処理
温度を１８０℃一定とし、塗料の塗布厚みを変えた以外
は、前記と同様にして、膜厚が２μｍ、４μｍの透明導
電膜７を有する導電性板１０を作製した。なお、導電性
板１０の全光線透過率Ｔｔ、ヘイズＨはヘーズコンピュ
ーター（スガ試験機社製）を用いて測定した。以上の測
定結果を表１に示す。
０の表面抵抗値Ｒｓ、全光線透過率Ｔｔ、ヘイズＨとの
関係を調べた。このための試料として、塗膜の加熱処理
温度を１８０℃一定とし、塗料の塗布厚みを変えた以外
は、前記と同様にして、膜厚が２μｍ、４μｍの透明導
電膜７を有する導電性板１０を作製した。なお、導電性
板１０の全光線透過率Ｔｔ、ヘイズＨはヘーズコンピュ
ーター（スガ試験機社製）を用いて測定した。以上の測
定結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】塗膜の加熱処理温度が１８０℃であれば、
膜厚１〜４μｍの透明導電膜７を有する導電性板１０の
表面抵抗値Ｒｓは２×１０3Ω／□以下となり、且つ、
導電性板１０は透明性に優れていることが表１から分か
る。また、ＰＥＴフィルムは塗膜とともに１８０℃に加
熱されたが、反り変形等は導電性板１０に認められなか
った。
膜厚１〜４μｍの透明導電膜７を有する導電性板１０の
表面抵抗値Ｒｓは２×１０3Ω／□以下となり、且つ、
導電性板１０は透明性に優れていることが表１から分か
る。また、ＰＥＴフィルムは塗膜とともに１８０℃に加
熱されたが、反り変形等は導電性板１０に認められなか
った。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面抵抗値として１０2〜１０4Ω／ロを有し、しかも透
明性に優れた導電性板が容易に製造できる。このような
導電性板は、エレクトロ・ルミネッセント（ＥＬ）ディ
スプレイ、液晶ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池
等の透明電極、病院等の窓材料や陰極線管の前面パネル
等の電磁波シールド性材料等として有用である。
表面抵抗値として１０2〜１０4Ω／ロを有し、しかも透
明性に優れた導電性板が容易に製造できる。このような
導電性板は、エレクトロ・ルミネッセント（ＥＬ）ディ
スプレイ、液晶ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池
等の透明電極、病院等の窓材料や陰極線管の前面パネル
等の電磁波シールド性材料等として有用である。
【図１】 塗膜の加熱処理温度と導電性板の表面抵抗値
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図２】 導電性板の例を示す断面図である。
１・・基板、３・・バインダー、５・・ＩＴＯ微粉末、
７・・透明導電膜、１０・・導電性板
７・・透明導電膜、１０・・導電性板
Claims (4)
- 【請求項１】 平均粒径が０．１μｍ以下の錫ドープ酸
化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗料を
基板の上に塗布して形成した塗膜を、前記熱可塑性樹脂
の軟化点以上の温度で加熱処理することを特徴とする透
明導電膜を有する導電性板の製造法。 - 【請求項２】 熱可塑性樹脂が、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、フッ素樹脂のいずれかであることを特徴と
する請求項１記載の透明導電膜を有する導電性板の製造
法。 - 【請求項３】 平均粒径が０．１μｍ以下の錫ドープ酸
化インジウム微粉末と熱可塑性樹脂とを含有する塗料
を、ポリエチレンテレフタレートからなる基板の上に塗
布して形成した塗膜を、１５０゜Ｃ〜２１０゜Ｃで加熱
処理することを特徴とする透明導電膜を有する導電性板
の製造法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の透
明導電膜を有する導電性板の製造法により製造された透
明導電膜を有する導電性板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3779198A JPH11227740A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 透明導電膜を有する導電性板の製造法及び導電性板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3779198A JPH11227740A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 透明導電膜を有する導電性板の製造法及び導電性板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11227740A true JPH11227740A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12507327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3779198A Withdrawn JPH11227740A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 透明導電膜を有する導電性板の製造法及び導電性板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11227740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108008A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基材とその製造方法 |
| JP2007193992A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Osaka City | 金属酸化物超微粒子を含有する透明導電膜形成用ペースト組成物 |
| JP2011187286A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP3779198A patent/JPH11227740A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108008A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基材とその製造方法 |
| JP2007193992A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Osaka City | 金属酸化物超微粒子を含有する透明導電膜形成用ペースト組成物 |
| JP2011187286A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
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