JPH11214382A - 低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電気的固体装置 - Google Patents
低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電気的固体装置Info
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- JPH11214382A JPH11214382A JP1658898A JP1658898A JPH11214382A JP H11214382 A JPH11214382 A JP H11214382A JP 1658898 A JP1658898 A JP 1658898A JP 1658898 A JP1658898 A JP 1658898A JP H11214382 A JPH11214382 A JP H11214382A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電
気的固体装置に関し、従来の誘電体材料と同等以下の比
誘電率を有し、且つ、実装プロセスに耐え得る耐熱性等
を有する低誘電率絶縁材料を提供する。 【解決手段】 アダマンタン（Ｃ10Ｈ16）に化学修飾を
施した化合物と絶縁性樹脂とを、化学結合を介して複合
化することによって低誘電率絶縁材料を構成する。
気的固体装置に関し、従来の誘電体材料と同等以下の比
誘電率を有し、且つ、実装プロセスに耐え得る耐熱性等
を有する低誘電率絶縁材料を提供する。 【解決手段】 アダマンタン（Ｃ10Ｈ16）に化学修飾を
施した化合物と絶縁性樹脂とを、化学結合を介して複合
化することによって低誘電率絶縁材料を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低誘電率絶縁材料、
実装回路基板、及び、電気的固体装置に関するものであ
り、特に、半導体装置などの電子デバイスを高密度に実
装し、信号の高速伝播に適した低誘電率絶縁材料、及
び、それを用いた実装回路基板或いは電気的固体装置に
関するものである。
実装回路基板、及び、電気的固体装置に関するものであ
り、特に、半導体装置などの電子デバイスを高密度に実
装し、信号の高速伝播に適した低誘電率絶縁材料、及
び、それを用いた実装回路基板或いは電気的固体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータからハイ
パフォーマンスコンピュータに至るまで、使用されてい
る半導体デバイスの高速化は著しく、相対的に実装回路
基板の配線部における寄生容量に起因する伝送遅延がコ
ンピュータの演算速度を左右するようになってきてい
る。
パフォーマンスコンピュータに至るまで、使用されてい
る半導体デバイスの高速化は著しく、相対的に実装回路
基板の配線部における寄生容量に起因する伝送遅延がコ
ンピュータの演算速度を左右するようになってきてい
る。
【０００３】その結果、コンピュータのＣＰＵ用実装回
路基板の材料として、高密度且つ微細な多層配線に適し
ている樹脂薄配線が適用されるようになってきており、
将来のより高速なコンピュータを実現するためには、高
密度且つ微細な多層配線を活かし、且つ、信号の高速伝
播に適した低誘電率絶縁材料の開発が不可欠である。
路基板の材料として、高密度且つ微細な多層配線に適し
ている樹脂薄配線が適用されるようになってきており、
将来のより高速なコンピュータを実現するためには、高
密度且つ微細な多層配線を活かし、且つ、信号の高速伝
播に適した低誘電率絶縁材料の開発が不可欠である。
【０００４】従来より、高速コンピュータに使用されて
いる高密度実装回路基板材料としては、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等が使用されているが、最近では、より
低い誘電率を有する樹脂として、オレフィン系やフッ素
系の材料が注目されている。
いる高密度実装回路基板材料としては、エポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂等が使用されているが、最近では、より
低い誘電率を有する樹脂として、オレフィン系やフッ素
系の材料が注目されている。
【０００５】この様な凝縮系である樹脂における比誘電
率εs は、局所電場を考慮して、次のクラウジウス−モ
ソッティ（Ｃｌａｕｓｉｕｓ−Ｍｏｓｓｏｔｔｉ）の式
で表される。
率εs は、局所電場を考慮して、次のクラウジウス−モ
ソッティ（Ｃｌａｕｓｉｕｓ−Ｍｏｓｓｏｔｔｉ）の式
で表される。
【数１】 但し、αは樹脂を構成する分子の分極率であり、また、
Ｎは単位体積当たりの分子数である。
Ｎは単位体積当たりの分子数である。
【０００６】この式を、比誘電率εs について解き、α
又はＮで偏微分すれば分かるように、分極率αが小さい
ほど、また、単位体積当たりの分子数Ｎが小さいほど比
誘電率εs が小さくなる。
又はＮで偏微分すれば分かるように、分極率αが小さい
ほど、また、単位体積当たりの分子数Ｎが小さいほど比
誘電率εs が小さくなる。
【０００７】図２参照 図２は、クラウジウス−モソッティの式を比誘電率εs
について解いた式から、εs とＮ・αとの関係を示した
ものであり、Ｎ・α＝０、即ち、分子が存在しない真空
の場合にはεs ＝１となり、Ｎ・αが大きくなるにした
がってεs も大きくなり、Ｎ・α＝３／４π（≒０．２
３８７）において無限大となる。
について解いた式から、εs とＮ・αとの関係を示した
ものであり、Ｎ・α＝０、即ち、分子が存在しない真空
の場合にはεs ＝１となり、Ｎ・αが大きくなるにした
がってεs も大きくなり、Ｎ・α＝３／４π（≒０．２
３８７）において無限大となる。
【０００８】一方、分極率αは、電場Ｅにより誘起した
双極子モーメントをμとすると、次の様に表される。
双極子モーメントをμとすると、次の様に表される。
【数２】
【０００９】したがって、分極率αは、３×３＝９個の
要素を持つことになるが、一般には平均分極率を次の様
に定義してスカラー量として用いる。
要素を持つことになるが、一般には平均分極率を次の様
に定義してスカラー量として用いる。
【数３】
【００１０】そして、上記の電場と誘起双極子との関係
式からは、小さい電場で大きな双極子を生じる材料ほど
分極率が大きくなることが分かり、言い換えると、誘電
体材料内に動きやすい電子が存在するほど分極率αが大
きくなる。
式からは、小さい電場で大きな双極子を生じる材料ほど
分極率が大きくなることが分かり、言い換えると、誘電
体材料内に動きやすい電子が存在するほど分極率αが大
きくなる。
【００１１】この様な分極率αを低く押さえるために、
オレフィン系樹脂やフッ素系樹脂の採用が検討されてお
り、これらの樹脂材料は飽和結合が多かったり、電気陰
性度の大きなフッ素が含まれているので、動きやすい電
子が少なくなって比誘電率が小さくなるためである。
オレフィン系樹脂やフッ素系樹脂の採用が検討されてお
り、これらの樹脂材料は飽和結合が多かったり、電気陰
性度の大きなフッ素が含まれているので、動きやすい電
子が少なくなって比誘電率が小さくなるためである。
【００１２】しかし、この様な樹脂材料の比誘電率εs
は２．２〜２．８程度の範囲内で、２を下回らないこと
が知られており、また、これらの樹脂材料は、自己融着
性を有する、即ち、融点が低い、配線層を形成する導体
金属との密着性が悪い、或いは、層間に形成するビアホ
ールの加工性に劣る等の解決すべき多くの問題点が残さ
れている。
は２．２〜２．８程度の範囲内で、２を下回らないこと
が知られており、また、これらの樹脂材料は、自己融着
性を有する、即ち、融点が低い、配線層を形成する導体
金属との密着性が悪い、或いは、層間に形成するビアホ
ールの加工性に劣る等の解決すべき多くの問題点が残さ
れている。
【００１３】一方、上記のクラウジウス−モソッティの
式から明らかなように、単位体積当たりの分子数Ｎを小
さくすることによって比誘電率を下げる方法もあり、例
えば、発泡させた材料により比誘電率を下げることも可
能であるが、数μｍ或いは数十μｍオーダーの微細配線
の層間絶縁層としては絶縁耐圧等の点で不適当であるこ
とは明白である。
式から明らかなように、単位体積当たりの分子数Ｎを小
さくすることによって比誘電率を下げる方法もあり、例
えば、発泡させた材料により比誘電率を下げることも可
能であるが、数μｍ或いは数十μｍオーダーの微細配線
の層間絶縁層としては絶縁耐圧等の点で不適当であるこ
とは明白である。
【００１４】また、絶縁層の軽量化或いは低熱膨張率化
を目的として、樹脂材料にガラス繊維や炭素繊維を複合
化することも試みられているが、ガラス繊維を複合化し
た場合には絶縁層の比誘電率が引き上げられるという問
題があり、また、炭素繊維を複合化した場合には絶縁層
の絶縁耐圧が低下するという問題がある。
を目的として、樹脂材料にガラス繊維や炭素繊維を複合
化することも試みられているが、ガラス繊維を複合化し
た場合には絶縁層の比誘電率が引き上げられるという問
題があり、また、炭素繊維を複合化した場合には絶縁層
の絶縁耐圧が低下するという問題がある。
【００１５】さらに、絶縁層を構成する材料において、
分子レベルでの空間を利用して単位体積当たりの分子数
Ｎを小さくするために、５員環及び６員環からなる多面
体構造の炭素物質であるフラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎ
ｅ）や、グラファイト構造を円筒格子状にしたカーボン
ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）等を
樹脂に混合することも試みられているので、図３を参照
して説明する。
分子レベルでの空間を利用して単位体積当たりの分子数
Ｎを小さくするために、５員環及び６員環からなる多面
体構造の炭素物質であるフラーレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎ
ｅ）や、グラファイト構造を円筒格子状にしたカーボン
ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅ）等を
樹脂に混合することも試みられているので、図３を参照
して説明する。
【００１６】図３（ａ）参照 図３（ａ）は、典型的フラーレンである６０個の炭素原
子１１からなるＣ60の分子構造を示す図であり、全ての
炭素原子１１間の結合が単結合からなる６員環及び５員
環によって構成される切頭２０面体であるサッカーボー
ル構造を有している。
子１１からなるＣ60の分子構造を示す図であり、全ての
炭素原子１１間の結合が単結合からなる６員環及び５員
環によって構成される切頭２０面体であるサッカーボー
ル構造を有している。
【００１７】図３（ｂ）参照 図３（ｂ）は、Ｃ60の中心軸を通る断面図であり、図か
ら明らかなように切頭２０面体の内部には炭素原子１１
が存在せず、したがって、電子雲１２の密度、即ち、電
子の存在確率は内部で著しく低下しているので、この電
子の存在確率の低い内部空間を利用することによって比
誘電率を小さくしようとするものである。
ら明らかなように切頭２０面体の内部には炭素原子１１
が存在せず、したがって、電子雲１２の密度、即ち、電
子の存在確率は内部で著しく低下しているので、この電
子の存在確率の低い内部空間を利用することによって比
誘電率を小さくしようとするものである。
【００１８】まず、６−メチル−１，４，５，８−ジメ
タノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合
し、水素添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオ
レフィンの１０重量％溶液に、ＴＨＦに溶解処理したＣ
60を飽和するまで溶解した飽和溶液を作製し、この飽和
溶液を銅基板上に塗布して、乾燥させたのち、２２０℃
の温度において５分間の熱処理を行い熱硬化させる。
タノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合
し、水素添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオ
レフィンの１０重量％溶液に、ＴＨＦに溶解処理したＣ
60を飽和するまで溶解した飽和溶液を作製し、この飽和
溶液を銅基板上に塗布して、乾燥させたのち、２２０℃
の温度において５分間の熱処理を行い熱硬化させる。
【００１９】次いで、アフターキュアとして、酸素濃度
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、厚さ
１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、厚さ
１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
【００２０】この絶縁膜に直径１ｍｍの金電極をマスク
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このＣ
60を混入した絶縁膜の比誘電率は２．８であり、また、
熱分解開始温度は３００℃であった。
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このＣ
60を混入した絶縁膜の比誘電率は２．８であり、また、
熱分解開始温度は３００℃であった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様なＣ60
を混入した絶縁膜の比誘電率は２．８であり、比誘電率
の改善はあまり見られず、将来の高速コンピュータ用の
高密度実装基板に用いるためには未だ比誘電率が高いと
いう問題がある。
を混入した絶縁膜の比誘電率は２．８であり、比誘電率
の改善はあまり見られず、将来の高速コンピュータ用の
高密度実装基板に用いるためには未だ比誘電率が高いと
いう問題がある。
【００２２】これは、Ｃ60等は溶解度の関係から限られ
た溶媒に微量しか溶解せず、樹脂に混合しても、相分離
しやすいため複合化が困難であり、したがって、Ｃ60等
の有する内部空間を十分に有効利用できないためである
と考えられる。
た溶媒に微量しか溶解せず、樹脂に混合しても、相分離
しやすいため複合化が困難であり、したがって、Ｃ60等
の有する内部空間を十分に有効利用できないためである
と考えられる。
【００２３】したがって、本発明は従来の誘電体材料と
同等以下の比誘電率を有し、且つ、実装プロセスに耐え
得る耐熱性等を有する低誘電率絶縁材料を提供すること
を目的とする。
同等以下の比誘電率を有し、且つ、実装プロセスに耐え
得る耐熱性等を有する低誘電率絶縁材料を提供すること
を目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】ここで、図１を参照して
本発明における課題を解決するための手段を説明する。 （１）本発明は、低誘電率絶縁材料において、アダマン
タンに化学修飾を施した化合物と絶縁性樹脂とを、化学
結合を介して複合化することを特徴とする。
本発明における課題を解決するための手段を説明する。 （１）本発明は、低誘電率絶縁材料において、アダマン
タンに化学修飾を施した化合物と絶縁性樹脂とを、化学
結合を介して複合化することを特徴とする。
【００２５】図１参照 図１は、本発明の実施の形態に用いるアダマンタン（Ｃ
10Ｈ16）の分子構造を示す図であり、１０個の炭素原子
１の全てが隣接する炭素原子１或いは水素原子２と単結
合して、分子内に空間を有する嵩高い構造を有してい
る。
10Ｈ16）の分子構造を示す図であり、１０個の炭素原子
１の全てが隣接する炭素原子１或いは水素原子２と単結
合して、分子内に空間を有する嵩高い構造を有してい
る。
【００２６】したがって、このアダマンタンを添加する
ことによって樹脂の単位体積当たりの分子数或いは原子
数を少なくすることができ、それによって低誘電率絶縁
材料の比誘電率を低減することができる。この場合、分
子内の空間を十分に有効活用するためには、アダマンタ
ンの化学結合による複合化を容易にするために、アダマ
ンタンに化学修飾を施すことが必要となる。
ことによって樹脂の単位体積当たりの分子数或いは原子
数を少なくすることができ、それによって低誘電率絶縁
材料の比誘電率を低減することができる。この場合、分
子内の空間を十分に有効活用するためには、アダマンタ
ンの化学結合による複合化を容易にするために、アダマ
ンタンに化学修飾を施すことが必要となる。
【００２７】また、このアダマンタンは、炭素原子１が
全て単結合、即ち、飽和結合するダイヤモンド構造を有
するため、耐熱性に優れるという特徴があり、したがっ
て、実装プロセスや成膜プロセスにおける熱処理温度に
耐えることができる。
全て単結合、即ち、飽和結合するダイヤモンド構造を有
するため、耐熱性に優れるという特徴があり、したがっ
て、実装プロセスや成膜プロセスにおける熱処理温度に
耐えることができる。
【００２８】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、化学修飾における置換基が、炭素原子１間の二重結
合を有する置換基であることを特徴とする。
て、化学修飾における置換基が、炭素原子１間の二重結
合を有する置換基であることを特徴とする。
【００２９】この様に、化学修飾における置換基とし
て、炭素原子１間の二重結合を有する置換基、例えば、
ビニル基（ＣＨ2 ＝ＣＨ−）或いはアリル基（ＣＨ2 ＝
ＣＨＣＨ2 −）等を用いた場合、反応性の高い二重結合
の存在により脂環式ポリオレフィン等の絶縁性樹脂との
反応性を向上させることができ、それによって、絶縁性
樹脂中の空間を大きくすることができるので、単位体積
当たりの分子数が少なくなるので比誘電率が低下する。
て、炭素原子１間の二重結合を有する置換基、例えば、
ビニル基（ＣＨ2 ＝ＣＨ−）或いはアリル基（ＣＨ2 ＝
ＣＨＣＨ2 −）等を用いた場合、反応性の高い二重結合
の存在により脂環式ポリオレフィン等の絶縁性樹脂との
反応性を向上させることができ、それによって、絶縁性
樹脂中の空間を大きくすることができるので、単位体積
当たりの分子数が少なくなるので比誘電率が低下する。
【００３０】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、化学修飾における置換基が、飽和結合のみからなる
置換基であることを特徴とする。
て、化学修飾における置換基が、飽和結合のみからなる
置換基であることを特徴とする。
【００３１】この様に、化学修飾における置換基とし
て、飽和結合のみからなる置換基、例えば、アルキル基
を用いることによって、アダマンタンの分子構造をさら
に嵩高くすることができ、また、飽和結合のみからなる
ので動きやすい電子が少なくなり、分極率が小さくなる
ので比誘電率が低下する。
て、飽和結合のみからなる置換基、例えば、アルキル基
を用いることによって、アダマンタンの分子構造をさら
に嵩高くすることができ、また、飽和結合のみからなる
ので動きやすい電子が少なくなり、分極率が小さくなる
ので比誘電率が低下する。
【００３２】（４）また、本発明は、上記（１）におい
て、化学修飾における置換基が、酸素原子を含む置換基
であることを特徴とする。
て、化学修飾における置換基が、酸素原子を含む置換基
であることを特徴とする。
【００３３】この様に、化学修飾における置換基とし
て、酸素原子を含む置換基、例えば、エステルを用いる
ことによっても絶縁性樹脂との相溶性を向上させること
ができる。
て、酸素原子を含む置換基、例えば、エステルを用いる
ことによっても絶縁性樹脂との相溶性を向上させること
ができる。
【００３４】（５）また、本発明は、上記（１）におい
て、化学修飾における置換基が、分子骨格の側鎖にフッ
素原子を含む置換基であることを特徴とする。
て、化学修飾における置換基が、分子骨格の側鎖にフッ
素原子を含む置換基であることを特徴とする。
【００３５】この様に、化学修飾における置換基とし
て、分子骨格の側鎖に電子陰性度の大きなフッ素原子を
含む置換基を用いた場合には、フッ素原子の作用によっ
て絶縁性樹脂の比誘電率を低減することができる。
て、分子骨格の側鎖に電子陰性度の大きなフッ素原子を
含む置換基を用いた場合には、フッ素原子の作用によっ
て絶縁性樹脂の比誘電率を低減することができる。
【００３６】（６）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、脂環式ポリ
オレフィンであることを特徴とする。
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、脂環式ポリ
オレフィンであることを特徴とする。
【００３７】この様に、絶縁性樹脂としては、元々の比
誘電率が低い脂環式ポリオレフィンが好適であり、アダ
マンタンを複合化することによって、さらに比誘電率を
低減することができる。
誘電率が低い脂環式ポリオレフィンが好適であり、アダ
マンタンを複合化することによって、さらに比誘電率を
低減することができる。
【００３８】（７）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、感光性ポリ
イミドであることを特徴とする。
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、感光性ポリ
イミドであることを特徴とする。
【００３９】この様に、絶縁性樹脂としては、元々耐熱
性に優れ、且つ、感光性を有する感光性ポリイミドを用
いることによって、電子部品の実装プロセスにおける熱
条件を緩和することができ、且つ、光硬化プロセスの採
用も可能になり、プロセスの自由度が大きくなる。
性に優れ、且つ、感光性を有する感光性ポリイミドを用
いることによって、電子部品の実装プロセスにおける熱
条件を緩和することができ、且つ、光硬化プロセスの採
用も可能になり、プロセスの自由度が大きくなる。
【００４０】（８）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、シリコーン
樹脂であることを特徴とする。
（５）のいずれかにおいて、絶縁性樹脂が、シリコーン
樹脂であることを特徴とする。
【００４１】この様に、絶縁性樹脂としては、元々耐熱
性に優れたシリコーン樹脂を用いても良く、それによっ
て、電子部品の実装プロセスにおける熱条件を緩和する
ことができる。
性に優れたシリコーン樹脂を用いても良く、それによっ
て、電子部品の実装プロセスにおける熱条件を緩和する
ことができる。
【００４２】（９）また、本発明は、実装回路基板にお
いて、上記（１）乃至（８）のいずれかの低誘電率絶縁
材料を、実装回路基板を構成する絶縁支持部材として用
いたことを特徴とする。
いて、上記（１）乃至（８）のいずれかの低誘電率絶縁
材料を、実装回路基板を構成する絶縁支持部材として用
いたことを特徴とする。
【００４３】この様に、化学修飾したアダマンタンを複
合化した低誘電率絶縁材料を実装回路基板を構成する絶
縁支持部材として用いることにより、実装回路基板に設
ける多層配線層間等の寄生容量を低減することができる
ので、実装したＣＰＵ等の高速動作が可能になり、且
つ、この様な低誘電率絶縁材料は耐熱性にも優れている
ので、実装プロセスにおける熱条件を緩和することがで
き、電子デバイスの実装が容易になる。
合化した低誘電率絶縁材料を実装回路基板を構成する絶
縁支持部材として用いることにより、実装回路基板に設
ける多層配線層間等の寄生容量を低減することができる
ので、実装したＣＰＵ等の高速動作が可能になり、且
つ、この様な低誘電率絶縁材料は耐熱性にも優れている
ので、実装プロセスにおける熱条件を緩和することがで
き、電子デバイスの実装が容易になる。
【００４４】（１０）また、本発明は、電気的固体装置
において、上記（１）乃至（８）のいずれかの低誘電率
絶縁材料を、層間絶縁膜として用いたことを特徴とす
る。
において、上記（１）乃至（８）のいずれかの低誘電率
絶縁材料を、層間絶縁膜として用いたことを特徴とす
る。
【００４５】この様に、化学修飾したアダマンタンを複
合化した低誘電率絶縁材料を電気的固体装置、例えば、
半導体集積回路装置の層間絶縁膜として用いることによ
り、多層配線層間等の寄生容量を低減することができる
ので半導体集積回路装置の動作速度を速めることがで
き、且つ、この様な低誘電率絶縁材料は耐熱性にも優れ
ているので、導電材料の成膜プロセス等における熱条件
を緩和することができる。
合化した低誘電率絶縁材料を電気的固体装置、例えば、
半導体集積回路装置の層間絶縁膜として用いることによ
り、多層配線層間等の寄生容量を低減することができる
ので半導体集積回路装置の動作速度を速めることがで
き、且つ、この様な低誘電率絶縁材料は耐熱性にも優れ
ているので、導電材料の成膜プロセス等における熱条件
を緩和することができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態を説明する。まず、６−メチル−１，４，５，８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合
し、水素添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオ
レフィンの１０重量％溶液に、臭化アダマンタン（Ｃ10
Ｈ15Ｂｒ）とグリニアール試薬ＣＨ2 ＝ＣＨＭｇＢｒと
を反応させることによって合成したビニル基を一つ導入
して化学修飾したアダマンタンを飽和するまで溶解した
飽和溶液を作製し、この飽和溶液を銅基板上に塗布し
て、乾燥させたのち、２２０℃の温度において５分間の
熱処理を行い熱硬化させる。
態を説明する。まず、６−メチル−１，４，５，８−ジ
メタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合
し、水素添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオ
レフィンの１０重量％溶液に、臭化アダマンタン（Ｃ10
Ｈ15Ｂｒ）とグリニアール試薬ＣＨ2 ＝ＣＨＭｇＢｒと
を反応させることによって合成したビニル基を一つ導入
して化学修飾したアダマンタンを飽和するまで溶解した
飽和溶液を作製し、この飽和溶液を銅基板上に塗布し
て、乾燥させたのち、２２０℃の温度において５分間の
熱処理を行い熱硬化させる。
【００４７】次いで、アフターキュアとして、酸素濃度
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、最終
的に厚さ１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、最終
的に厚さ１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
【００４８】この絶縁膜に直径１ｍｍの金電極をマスク
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このビ
ニル基を一つ導入して化学修飾したアダマンタンを複合
化した絶縁膜の比誘電率は２．３であり、また、熱分解
開始温度は３２０℃であった。
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このビ
ニル基を一つ導入して化学修飾したアダマンタンを複合
化した絶縁膜の比誘電率は２．３であり、また、熱分解
開始温度は３２０℃であった。
【００４９】この様に本発明の第１の実施の形態におい
ては、嵩高い分子構造を有するアダマンタンを６−メチ
ル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４
ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（ＭＴＤ）
を公知の方法にて開環重合し、水素添加して得た脂環式
ポリオレフィンに複合化しているので、絶縁膜における
単位体積当たりの分子数Ｎが少なくなり、分子数Ｎと相
関を有する比誘電率εsが低下する。
ては、嵩高い分子構造を有するアダマンタンを６−メチ
ル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４
ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（ＭＴＤ）
を公知の方法にて開環重合し、水素添加して得た脂環式
ポリオレフィンに複合化しているので、絶縁膜における
単位体積当たりの分子数Ｎが少なくなり、分子数Ｎと相
関を有する比誘電率εsが低下する。
【００５０】また、化学修飾のための置換基としては炭
素原子の二重結合を有するビニル基を用いているので、
反応性の高い二重結合により上記の脂環式ポリオレフィ
ンとの複合化が容易になり、アダマンタンの飽和量が大
きくなるので絶縁膜における単位体積当たりの分子数Ｎ
の低減効果が高まる。
素原子の二重結合を有するビニル基を用いているので、
反応性の高い二重結合により上記の脂環式ポリオレフィ
ンとの複合化が容易になり、アダマンタンの飽和量が大
きくなるので絶縁膜における単位体積当たりの分子数Ｎ
の低減効果が高まる。
【００５１】また、アダマンタン自体は全てが飽和結合
からなるダイヤモンド構造で構成されているので、原子
間の結合が強固であり、したがって、アダマンタンを複
合化した絶縁膜の熱分解開始温度、即ち、耐熱性が向上
する。
からなるダイヤモンド構造で構成されているので、原子
間の結合が強固であり、したがって、アダマンタンを複
合化した絶縁膜の熱分解開始温度、即ち、耐熱性が向上
する。
【００５２】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。まず、６−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−
１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナ
フタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合し、水素
添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオレフィン
の１０重量％溶液に、臭化アダマンタン（Ｃ10Ｈ14Ｂｒ
2 ）とグリニアール試薬ＣＨ2 ＝ＣＨＭｇＢｒとを反応
させて合成したビニル基を二つ導入して化学修飾したア
ダマンタンを飽和するまで溶解した飽和溶液を作製し、
この飽和溶液を銅基板上に塗布して、乾燥させたのち、
２２０℃の温度において５分間の熱処理を行い熱硬化さ
せる。
る。まず、６−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−
１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナ
フタレン（ＭＴＤ）を公知の方法にて開環重合し、水素
添加して得た脂環式ポリオレフィンをテトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）に溶解して作製した脂環式ポリオレフィン
の１０重量％溶液に、臭化アダマンタン（Ｃ10Ｈ14Ｂｒ
2 ）とグリニアール試薬ＣＨ2 ＝ＣＨＭｇＢｒとを反応
させて合成したビニル基を二つ導入して化学修飾したア
ダマンタンを飽和するまで溶解した飽和溶液を作製し、
この飽和溶液を銅基板上に塗布して、乾燥させたのち、
２２０℃の温度において５分間の熱処理を行い熱硬化さ
せる。
【００５３】この様に、このビニル基を二つ導入して化
学修飾するためには、臭化アダマンタンとして上記の第
１の実施の形態におけるＣ10Ｈ15Ｂｒの代わりに、Ｃ10
Ｈ14Ｂｒ2 を用いれば良い。
学修飾するためには、臭化アダマンタンとして上記の第
１の実施の形態におけるＣ10Ｈ15Ｂｒの代わりに、Ｃ10
Ｈ14Ｂｒ2 を用いれば良い。
【００５４】次いで、アフターキュアとして、酸素濃度
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、最終
的に厚さ１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
が１０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、２００℃の温度に
おける５時間の熱処理を行って樹脂を硬化させて、最終
的に厚さ１５μｍの低誘電率の絶縁膜を形成する。
【００５５】この絶縁膜に直径１ｍｍの金電極をマスク
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このビ
ニル基を一つ導入して化学修飾したアダマンタンを複合
化した絶縁膜の比誘電率は２．２であり、また、熱分解
開始温度は３３０℃であった。
蒸着して、１ＭＨｚで比誘電率を測定した結果、このビ
ニル基を一つ導入して化学修飾したアダマンタンを複合
化した絶縁膜の比誘電率は２．２であり、また、熱分解
開始温度は３３０℃であった。
【００５６】この様に本発明の第２の実施の形態におい
ても、嵩高い分子構造を有するアダマンタンを脂環式ポ
リオレフィンに複合化しているので、絶縁膜における単
位体積当たりの分子数Ｎが少なくなり、分子数Ｎと相関
を有する比誘電率εs が低下する。
ても、嵩高い分子構造を有するアダマンタンを脂環式ポ
リオレフィンに複合化しているので、絶縁膜における単
位体積当たりの分子数Ｎが少なくなり、分子数Ｎと相関
を有する比誘電率εs が低下する。
【００５７】また、化学修飾のために炭素原子の二重結
合を有するビニル基を二つ置換基として導入しているの
で、アダマンタンの飽和量がより多くなり、絶縁膜にお
ける単位体積当たりの分子数Ｎの低減効果が高まると共
に、絶縁膜の熱分解開始温度が高くなる。
合を有するビニル基を二つ置換基として導入しているの
で、アダマンタンの飽和量がより多くなり、絶縁膜にお
ける単位体積当たりの分子数Ｎの低減効果が高まると共
に、絶縁膜の熱分解開始温度が高くなる。
【００５８】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は、上記の各実施の形態の構成に限られる
ものではなく、例えば、化学修飾に用いる置換基はビニ
ル基に限られるものではなく、ビニル基と同様に炭素原
子の二重結合を有するアリル基を用いても良いものであ
る。
たが、本発明は、上記の各実施の形態の構成に限られる
ものではなく、例えば、化学修飾に用いる置換基はビニ
ル基に限られるものではなく、ビニル基と同様に炭素原
子の二重結合を有するアリル基を用いても良いものであ
る。
【００５９】また、化学修飾に用いる置換基としては、
アルキル基等の飽和結合のみを有する置換基を用いても
良いものであり、この様なアルキル基により化学修飾に
用いることによってアダマンタンの分子構造をさらに嵩
高くすることができ、また、動きやすい電子の少ない飽
和結合のみを有する置換基であるので分極率αを小さく
することができ、それによっても絶縁膜の比誘電率εs
を低下させることができる。
アルキル基等の飽和結合のみを有する置換基を用いても
良いものであり、この様なアルキル基により化学修飾に
用いることによってアダマンタンの分子構造をさらに嵩
高くすることができ、また、動きやすい電子の少ない飽
和結合のみを有する置換基であるので分極率αを小さく
することができ、それによっても絶縁膜の比誘電率εs
を低下させることができる。
【００６０】また、化学修飾に用いる置換基としては、
シリコーン系官能基やエステル等の酸素を含む置換基を
用いても良く、この場合には絶縁性樹脂との相溶性を増
加させることができ、さらに、化学修飾に用いる他の置
換基としては、分子骨格の側鎖にフッ素原子を含む置換
基を用いても良いものであり、この場合には、フッ素に
より共役系の一部を飽和結合にすることができるので絶
縁膜の比誘電率εs を低下させることができる。
シリコーン系官能基やエステル等の酸素を含む置換基を
用いても良く、この場合には絶縁性樹脂との相溶性を増
加させることができ、さらに、化学修飾に用いる他の置
換基としては、分子骨格の側鎖にフッ素原子を含む置換
基を用いても良いものであり、この場合には、フッ素に
より共役系の一部を飽和結合にすることができるので絶
縁膜の比誘電率εs を低下させることができる。
【００６１】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ベースとなる絶縁性樹脂として６−メチル−１，
４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，
８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の
方法にて開環重合し、水素添加して得た脂環式ポリオレ
フィンを用いているが、これに限られるものではなく、
６−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，
４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンの代
わりに、６−エチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，
４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタ
レン、１，４：５，１０：６，９−トリメタノ−１，
２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，１０，１
０ａ−ドデカヒドロ−２，３−シクロペンタジエノアン
トラセン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，
８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフルオレン、５，８−メ
タノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒ
ドロ−２，３−シクロペンタジエノナフタレン等を用い
ても良いものである。
は、ベースとなる絶縁性樹脂として６−メチル−１，
４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，
８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（ＭＴＤ）を公知の
方法にて開環重合し、水素添加して得た脂環式ポリオレ
フィンを用いているが、これに限られるものではなく、
６−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，
４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンの代
わりに、６−エチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，
４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタ
レン、１，４：５，１０：６，９−トリメタノ−１，
２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，１０，１
０ａ−ドデカヒドロ−２，３−シクロペンタジエノアン
トラセン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，
８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフルオレン、５，８−メ
タノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒ
ドロ−２，３−シクロペンタジエノナフタレン等を用い
ても良いものである。
【００６２】また、ベースとなる絶縁性樹脂は脂環式ポ
リオレフィンに限られるものではなく、耐熱性に優れる
ポリイミド樹脂やシリコーン樹脂を用いても良いもので
あり、この場合には、アダマンタンを複合化させた絶縁
膜の耐熱性はさらに改善され、電子部品のアセンブリ工
程における熱条件が緩和され、製品の信頼性が高まる。
リオレフィンに限られるものではなく、耐熱性に優れる
ポリイミド樹脂やシリコーン樹脂を用いても良いもので
あり、この場合には、アダマンタンを複合化させた絶縁
膜の耐熱性はさらに改善され、電子部品のアセンブリ工
程における熱条件が緩和され、製品の信頼性が高まる。
【００６３】特に、ポリイミド樹脂として感光性ポリイ
ミド樹脂を用いた場合には、多層配線構造の形成に際し
て光硬化プロセスを導入することができ、プロセスの自
由度が高まる。
ミド樹脂を用いた場合には、多層配線構造の形成に際し
て光硬化プロセスを導入することができ、プロセスの自
由度が高まる。
【００６４】また、上記の各実施の形態の説明において
は、説明を簡単にするために単層の低誘電率絶縁材料膜
の製造工程として説明しているが、この低誘電率絶縁材
料膜は、多層配線構造実装回路基板の絶縁性支持部材と
して用いることが好適であり、それによって、多層配線
層間の寄生容量を低減することができるので、多層配線
構造実装回路基板に実装した高速コンピュータの動作速
度の遅延を防止することができる。
は、説明を簡単にするために単層の低誘電率絶縁材料膜
の製造工程として説明しているが、この低誘電率絶縁材
料膜は、多層配線構造実装回路基板の絶縁性支持部材と
して用いることが好適であり、それによって、多層配線
層間の寄生容量を低減することができるので、多層配線
構造実装回路基板に実装した高速コンピュータの動作速
度の遅延を防止することができる。
【００６５】また、この低誘電率絶縁材料膜は、半導体
集積回路装置の層間絶縁膜としても用いることができる
ものであり、多層配線層間の寄生容量を低減することが
できるとともに、導電体膜の成膜工程における熱処理条
件を緩和することができる。
集積回路装置の層間絶縁膜としても用いることができる
ものであり、多層配線層間の寄生容量を低減することが
できるとともに、導電体膜の成膜工程における熱処理条
件を緩和することができる。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁性樹脂に分子内に
空間を有し飽和結合からなるアダマンタンを複合化して
いるので、絶縁膜の単位体積当たりの分子数を少なくす
ることができると共に分極率も小さくすることができ、
それによって、実装回路基板等の寄生容量を低減するこ
とができるので、電子部品等の動作速度を高めることが
できる。
空間を有し飽和結合からなるアダマンタンを複合化して
いるので、絶縁膜の単位体積当たりの分子数を少なくす
ることができると共に分極率も小さくすることができ、
それによって、実装回路基板等の寄生容量を低減するこ
とができるので、電子部品等の動作速度を高めることが
できる。
【図１】本発明の実施の形態に用いるアダマンタンの分
子構造を示す図である。
子構造を示す図である。
【図２】誘電体材料の比誘電率の分子数・分極率依存性
の説明図である。
の説明図である。
【図３】Ｃ60フラーレンの分子構造を示す図である。
１ 炭素原子 ２ 水素原子 １１ 炭素原子 １２ 電子雲
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ (72)発明者 佐藤 博之 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 横内 貴志男 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 福山 俊一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中田 義弘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 アダマンタンに化学修飾を施した化合物
と絶縁性樹脂とを、化学結合を介して複合化することを
特徴とする低誘電率絶縁材料。 - 【請求項２】 上記化学修飾における置換基が、炭素原
子間の二重結合を有する置換基であることを特徴とする
請求項１記載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項３】 上記化学修飾における置換基が、飽和結
合のみからなる置換基であることを特徴とする請求項１
記載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項４】 上記化学修飾における置換基が、酸素原
子を含む置換基であることを特徴とする請求項１記載の
低誘電率絶縁材料。 - 【請求項５】 上記化学修飾における置換基が、分子骨
格の側鎖にフッ素原子を含む置換基であることを特徴と
する請求項１記載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項６】 上記絶縁性樹脂が、脂環式ポリオレフィ
ンであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１
項に記載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項７】 上記絶縁性樹脂が、感光性ポリイミドで
あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に
記載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項８】 上記絶縁性樹脂が、シリコーン樹脂であ
ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記
載の低誘電率絶縁材料。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
低誘電率絶縁材料を、実装回路基板を構成する絶縁支持
部材として用いたことを特徴とする実装回路基板。 - 【請求項１０】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載
の低誘電率絶縁材料を、層間絶縁膜として用いたことを
特徴とする電気的固体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1658898A JPH11214382A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電気的固体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1658898A JPH11214382A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電気的固体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214382A true JPH11214382A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11920446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1658898A Withdrawn JPH11214382A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 低誘電率絶縁材料、実装回路基板、及び、電気的固体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214382A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001098160A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁材用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁材 |
| JP2002284998A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Fujitsu Ltd | シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法 |
| US6834439B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-12-28 | Mitutoyo Corporation | Measuring tool, encoder and producing method of encoder |
| US6903006B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interlayer dielectric film, and method for forming the same and interconnection |
| JP2005307156A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、多層配線板および多層配線板の製造方法 |
| US7060204B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-06-13 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
| US7141188B2 (en) * | 2001-05-30 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
| JP2007042697A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | プリント配線基板用層間絶縁材料およびこれを用いた電子部品 |
| WO2009017247A1 (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP1658898A patent/JPH11214382A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001098160A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁材用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁材 |
| US7291919B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-11-06 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Interlayer dielectric film, and method for forming the same and interconnection |
| US6903006B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interlayer dielectric film, and method for forming the same and interconnection |
| JP2002284998A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Fujitsu Ltd | シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法 |
| JP4545973B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法 |
| US7141188B2 (en) * | 2001-05-30 | 2006-11-28 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
| US7060204B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-06-13 | Honeywell International Inc. | Organic compositions |
| US6834439B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-12-28 | Mitutoyo Corporation | Measuring tool, encoder and producing method of encoder |
| US7045088B2 (en) | 2002-05-21 | 2006-05-16 | Mitutoyo Corporation | Measuring tool, encoder and producing method of encoder |
| JP2005307156A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、多層配線板および多層配線板の製造方法 |
| JP2007042697A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | プリント配線基板用層間絶縁材料およびこれを用いた電子部品 |
| JP4717544B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-07-06 | 三菱樹脂株式会社 | プリント配線基板用層間絶縁材料およびこれを用いた電子部品 |
| WO2009017247A1 (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス |
| US8530596B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-09-10 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Polymer for forming insulating film, composition for forming insulating film, insulating film, and electronic device having same |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |