JPH11205066A - フィルタ - Google Patents
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- JPH11205066A JPH11205066A JP10004880A JP488098A JPH11205066A JP H11205066 A JPH11205066 A JP H11205066A JP 10004880 A JP10004880 A JP 10004880A JP 488098 A JP488098 A JP 488098A JP H11205066 A JPH11205066 A JP H11205066A
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- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
- H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0123—Frequency selective two-port networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1791—Combined LC in shunt or branch path
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的近接した複数の周波数帯域の高周波信
号に対応できる小形のフィルタを提供する。 【解決手段】 フィルタ１０は、インダクタンス素子で
ある伝送線路Ｌ１１と、キャパシタンス素子であるコン
デンサＣ１１と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ
１１と、スイッチング素子であるピンダイオードＰＤ１
１と、チョークコイルＣＣ１１，ＣＣ１２とで構成され
る。そして、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、
伝送線路Ｌ１１、コンデンサＣ１１、共振器ＲＥＳ１１
及びピンダイオードＰＤ１１からなるＬＣ共振回路１１
が接続される。また、伝送線路Ｌ１１とピンダイオード
ＰＤ１１のアノードとの接続点には、チョークコイルＣ
Ｃ１１を介して、コントロール端子Ｖｃｃ１が、コンデ
ンサＣ１１とピンダイオードＰＤ１１のカソードとの接
続点には、チョークコイルＣＣ１２を介して、コントロ
ール端子Ｖｃｃ２が、それぞれ接続される。
号に対応できる小形のフィルタを提供する。 【解決手段】 フィルタ１０は、インダクタンス素子で
ある伝送線路Ｌ１１と、キャパシタンス素子であるコン
デンサＣ１１と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ
１１と、スイッチング素子であるピンダイオードＰＤ１
１と、チョークコイルＣＣ１１，ＣＣ１２とで構成され
る。そして、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、
伝送線路Ｌ１１、コンデンサＣ１１、共振器ＲＥＳ１１
及びピンダイオードＰＤ１１からなるＬＣ共振回路１１
が接続される。また、伝送線路Ｌ１１とピンダイオード
ＰＤ１１のアノードとの接続点には、チョークコイルＣ
Ｃ１１を介して、コントロール端子Ｖｃｃ１が、コンデ
ンサＣ１１とピンダイオードＰＤ１１のカソードとの接
続点には、チョークコイルＣＣ１２を介して、コントロ
ール端子Ｖｃｃ２が、それぞれ接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いら
れるフィルタに関する。
えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いら
れるフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ(Global
System for Mobile communications)と１．８ＧＨｚ帯
のＤＣＳ(Digital Cellular System)のように２つの移
動体通信の周波数帯域が比較的近接している場合には、
２つの移動体通信で１つのアンテナを共用させることが
行われている。図１０は、従来の異なる周波数帯域を備
える移動体通信でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。図１０において、５１はアンテナ、５２は
デュプレクサ、５３はＧＳＭ側スイッチ、５４はＤＣＳ
側スイッチを示す。ＧＳＭ側スイッチ５３の第１の端子
５３ａには、デュプレクサ５２を介してアンテナ５１が
接続され、第２、第３の端子５３ｂ，５３ｃには、ＧＳ
Ｍの送信回路ＴｘｇｓｍとＧＳＭの受信回路Ｒｘｇｓｍ
と、がそれぞれ接続される。また、ＤＣＳ側スイッチ５
４の第１の端子５４ａには、デュプレクサ５２を介して
アンテナ５１が接続され、第２、第３の端子５４ｂ，５
４ｃには、ＤＣＳの送信回路ＴｘｄｃｓとＤＣＳの受信
回路Ｒｘｄｃｓと、がそれぞれ接続される。そして、デ
ュプレクサ５２によりＧＳＭとＤＣＳとの周波数帯域に
分け、ＧＳＭ側スイッチ５３及びＤＣＳ側スイッチ５４
で送受信を切り換える。これにより、１つのアンテナ５
１で、ＧＳＭ及びＤＣＳの２つの移動体通信において送
受信が可能となる。
System for Mobile communications)と１．８ＧＨｚ帯
のＤＣＳ(Digital Cellular System)のように２つの移
動体通信の周波数帯域が比較的近接している場合には、
２つの移動体通信で１つのアンテナを共用させることが
行われている。図１０は、従来の異なる周波数帯域を備
える移動体通信でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。図１０において、５１はアンテナ、５２は
デュプレクサ、５３はＧＳＭ側スイッチ、５４はＤＣＳ
側スイッチを示す。ＧＳＭ側スイッチ５３の第１の端子
５３ａには、デュプレクサ５２を介してアンテナ５１が
接続され、第２、第３の端子５３ｂ，５３ｃには、ＧＳ
Ｍの送信回路ＴｘｇｓｍとＧＳＭの受信回路Ｒｘｇｓｍ
と、がそれぞれ接続される。また、ＤＣＳ側スイッチ５
４の第１の端子５４ａには、デュプレクサ５２を介して
アンテナ５１が接続され、第２、第３の端子５４ｂ，５
４ｃには、ＤＣＳの送信回路ＴｘｄｃｓとＤＣＳの受信
回路Ｒｘｄｃｓと、がそれぞれ接続される。そして、デ
ュプレクサ５２によりＧＳＭとＤＣＳとの周波数帯域に
分け、ＧＳＭ側スイッチ５３及びＤＣＳ側スイッチ５４
で送受信を切り換える。これにより、１つのアンテナ５
１で、ＧＳＭ及びＤＣＳの２つの移動体通信において送
受信が可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アンテナを共用する構成においては、１つのアンテナに
デュプレクサを介してＧＳＭ側スイッチ及びＤＣＳ側ス
イッチが接続され、それらのスイッチを介して、送信回
路及び受信回路が接続されていたため、構成部材が増加
するという問題があった。その結果、それらを搭載する
移動体通信機の小型化が困難であるという問題があっ
た。
アンテナを共用する構成においては、１つのアンテナに
デュプレクサを介してＧＳＭ側スイッチ及びＤＣＳ側ス
イッチが接続され、それらのスイッチを介して、送信回
路及び受信回路が接続されていたため、構成部材が増加
するという問題があった。その結果、それらを搭載する
移動体通信機の小型化が困難であるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、比較的近接した複数の周波数
帯域の高周波信号に対応できる小形のフィルタを提供す
ることを目的とする。
めになされたものであり、比較的近接した複数の周波数
帯域の高周波信号に対応できる小形のフィルタを提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明のフィルタは、少なくとも１つのインダク
タンス素子と、少なくとも１つの共振器と、少なくとも
１つのスイッチング素子とを備えることを特徴とする。
るため本発明のフィルタは、少なくとも１つのインダク
タンス素子と、少なくとも１つの共振器と、少なくとも
１つのスイッチング素子とを備えることを特徴とする。
【０００６】また、前記インダクタンス素子、前記共振
器及び前記スイッチング素子が複数の誘電体層を積層し
てなる積層体に内蔵、あるいは搭載されることを特徴と
する。
器及び前記スイッチング素子が複数の誘電体層を積層し
てなる積層体に内蔵、あるいは搭載されることを特徴と
する。
【０００７】また、前記共振器が、オープンスタブから
なることを特徴とする。
なることを特徴とする。
【０００８】本発明のフィルタによれば、インダクタン
ス素子、共振器及びスイッチング素子を備えているた
め、スイッチング素子に印加する電圧を制御することに
より、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子で構成される回路の等価回路を変えることができ、そ
の結果、フィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を
変えることができる。
ス素子、共振器及びスイッチング素子を備えているた
め、スイッチング素子に印加する電圧を制御することに
より、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子で構成される回路の等価回路を変えることができ、そ
の結果、フィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を
変えることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係るフィルタの第１
の実施例の回路図を示す。フィルタ１０は、低域通過フ
ィルタであり、インダクタンス素子である伝送線路Ｌ１
１と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ１１と、ス
イッチング素子であるピンダイオードＰＤ１１と、コン
デンサＣ１１と、チョークコイルＣＣ１１と、抵抗Ｒ１
１とで構成される。
施例を説明する。図１に、本発明に係るフィルタの第１
の実施例の回路図を示す。フィルタ１０は、低域通過フ
ィルタであり、インダクタンス素子である伝送線路Ｌ１
１と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ１１と、ス
イッチング素子であるピンダイオードＰＤ１１と、コン
デンサＣ１１と、チョークコイルＣＣ１１と、抵抗Ｒ１
１とで構成される。
【００１０】そして、ピンダイオードＰＤ１１及び共振
器ＲＥＳ１１が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２
との間でＴ型接続され、ピンダイオードＰＤ１１に伝送
線路Ｌ１１とコンデンサＣ１１とからなる直列回路が並
列接続される。
器ＲＥＳ１１が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２
との間でＴ型接続され、ピンダイオードＰＤ１１に伝送
線路Ｌ１１とコンデンサＣ１１とからなる直列回路が並
列接続される。
【００１１】また、伝送線路Ｌ１１とピンダイオードＰ
Ｄ１１のアノードとの接続点には、チョークコイルＣＣ
１１を介して、コントロール端子Ｖｃｃ１が接続され
る。さらに、コンデンサＣ１１とピンダイオードＰＤ１
１のカソードとの接続点には、抵抗Ｒ１１を介して、コ
ントロール端子Ｖｃｃ２が接続される。
Ｄ１１のアノードとの接続点には、チョークコイルＣＣ
１１を介して、コントロール端子Ｖｃｃ１が接続され
る。さらに、コンデンサＣ１１とピンダイオードＰＤ１
１のカソードとの接続点には、抵抗Ｒ１１を介して、コ
ントロール端子Ｖｃｃ２が接続される。
【００１２】この際、コンデンサＣ１１は、直流電流
が、伝送線路Ｌ１１へ流れるのを防ぐ役目をしている。
また、チョークコイルＣＣ１１、抵抗Ｒ１１は、ピンダ
イオードＰＤ１１に電圧を印加した際に、高周波信号
が、コントロール端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２へ漏れるのを
防ぐ役目をしている。特に、抵抗Ｒ１１では、消費電流
を抑えることもできる。
が、伝送線路Ｌ１１へ流れるのを防ぐ役目をしている。
また、チョークコイルＣＣ１１、抵抗Ｒ１１は、ピンダ
イオードＰＤ１１に電圧を印加した際に、高周波信号
が、コントロール端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２へ漏れるのを
防ぐ役目をしている。特に、抵抗Ｒ１１では、消費電流
を抑えることもできる。
【００１３】図２に、図１のフィルタ１０の斜視図を示
す。フィルタ１０は、積層体１１を含み、積層体１１に
は、伝送線路Ｌ１１を構成するストリップ導体（図示せ
ず）、コンデンサＣ１１を構成するコンデンサ電極（図
示せず）、共振器ＲＥＳ１１を構成するストリップ導体
（図示せず）、及びチョークコイルＣＣ１１を構成する
ストリップ導体（図示せず）が内蔵され、積層体１１の
一方主面である上面には、ピンダイオードＰＤ１１及び
抵抗Ｒ１１が搭載される。
す。フィルタ１０は、積層体１１を含み、積層体１１に
は、伝送線路Ｌ１１を構成するストリップ導体（図示せ
ず）、コンデンサＣ１１を構成するコンデンサ電極（図
示せず）、共振器ＲＥＳ１１を構成するストリップ導体
（図示せず）、及びチョークコイルＣＣ１１を構成する
ストリップ導体（図示せず）が内蔵され、積層体１１の
一方主面である上面には、ピンダイオードＰＤ１１及び
抵抗Ｒ１１が搭載される。
【００１４】また、積層体１１の上面から側面を経て下
面に達するように、６個の外部電極Ｔａ〜Ｔｆが形成さ
れる。これらの外部電極Ｔａ〜Ｔｆのうち、３つの外部
電極Ｔａ〜Ｔｃは積層体１１の一端側に形成され、他の
３つの外部電極Ｔｄ〜Ｔｆは積層体１１の他端側に形成
される。そして、外部電極Ｔａは第１のポートＰ１、外
部端子Ｔｂ，Ｔｅはグランド端子、外部電極Ｔｃは第２
のポートＰ２、外部電極Ｔｄ，ＴｆはピンダイオードＰ
Ｄへの印加電圧を制御するためのコントロール端子Ｖｃ
ｃ１，Ｖｃｃ２、となる。
面に達するように、６個の外部電極Ｔａ〜Ｔｆが形成さ
れる。これらの外部電極Ｔａ〜Ｔｆのうち、３つの外部
電極Ｔａ〜Ｔｃは積層体１１の一端側に形成され、他の
３つの外部電極Ｔｄ〜Ｔｆは積層体１１の他端側に形成
される。そして、外部電極Ｔａは第１のポートＰ１、外
部端子Ｔｂ，Ｔｅはグランド端子、外部電極Ｔｃは第２
のポートＰ２、外部電極Ｔｄ，ＴｆはピンダイオードＰ
Ｄへの印加電圧を制御するためのコントロール端子Ｖｃ
ｃ１，Ｖｃｃ２、となる。
【００１５】図３（ａ）〜図３（ｈ）、図４（ａ）〜図
４（ｆ）に、フィルタ１０の積層体１１を構成する各誘
電体層の上面図及び下面図を示す。積層体１１は、第１
〜第１３の誘電体層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層す
ることにより形成される。
４（ｆ）に、フィルタ１０の積層体１１を構成する各誘
電体層の上面図及び下面図を示す。積層体１１は、第１
〜第１３の誘電体層１１ａ〜１１ｍを上から順次積層す
ることにより形成される。
【００１６】第１の誘電体層１１ａには、積層体１１の
上面に搭載されるピンダイオードＰＤ１１及び抵抗Ｒ１
１を実装するためのランドＬａ１〜Ｌａ４がそれぞれ印
刷され、形成される。また、第２〜第５の誘電体層１１
ｂ〜１１ｅの上面には、導体層からなるコンデンサ電極
Ｃｐ１〜Ｃｐ４がそれぞれ印刷され、形成される。さら
に、第６〜第８、第１０及び第１１の誘電体層１１ｆ〜
１１ｈ，１１ｊ，１１ｋの上面には、導体層からなるス
トリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ９がそれぞれ印刷され、形成
される。
上面に搭載されるピンダイオードＰＤ１１及び抵抗Ｒ１
１を実装するためのランドＬａ１〜Ｌａ４がそれぞれ印
刷され、形成される。また、第２〜第５の誘電体層１１
ｂ〜１１ｅの上面には、導体層からなるコンデンサ電極
Ｃｐ１〜Ｃｐ４がそれぞれ印刷され、形成される。さら
に、第６〜第８、第１０及び第１１の誘電体層１１ｆ〜
１１ｈ，１１ｊ，１１ｋの上面には、導体層からなるス
トリップ電極Ｌｐ１〜Ｌｐ９がそれぞれ印刷され、形成
される。
【００１７】また、第９及び第１３の誘電体層１１ｉ，
１１ｍの上面には、導体層からなるグランド電極Ｇｐ
１，Ｇｐ２がそれぞれ印刷され、形成される。さらに、
第１３の誘電体層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、第
１、第２のポートＰ１，Ｐ２となる外部端子Ｔａ，Ｔｃ
（図２）、グランド端子となる外部端子Ｔｂ，Ｔｅ（図
２）及びコントロール端子となる外部端子Ｔｄ，Ｔｆ
（図２）がそれぞれ印刷され、形成される。さらに、第
１〜第１２の誘電体層１１ａ〜１１ｌには、所定の位置
に、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ４、ストリップ電極Ｌ
ｐ１〜Ｌｐ９及びグランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２を接続す
るためのビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｌが設けられる。
１１ｍの上面には、導体層からなるグランド電極Ｇｐ
１，Ｇｐ２がそれぞれ印刷され、形成される。さらに、
第１３の誘電体層１１ｍの下面（図４（ｆ））には、第
１、第２のポートＰ１，Ｐ２となる外部端子Ｔａ，Ｔｃ
（図２）、グランド端子となる外部端子Ｔｂ，Ｔｅ（図
２）及びコントロール端子となる外部端子Ｔｄ，Ｔｆ
（図２）がそれぞれ印刷され、形成される。さらに、第
１〜第１２の誘電体層１１ａ〜１１ｌには、所定の位置
に、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ４、ストリップ電極Ｌ
ｐ１〜Ｌｐ９及びグランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２を接続す
るためのビアホール電極ＶＨａ〜ＶＨｌが設けられる。
【００１８】そして、コンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ４で
コンデンサＣ１１（図１）を形成する。また、ストリッ
プ電極Ｌｐ１，Ｌｐ３，Ｌｐ５で伝送線路Ｌ１１（図
１）を、ストリップ電極Ｌｐ７〜Ｌｐ９で共振器ＲＥＳ
１１（図１）を、ストリップ電極Ｌｐ２，Ｌｐ４，Ｌｐ
６でチョークコイルＣＣ１１（図１）を、それぞれ形成
する。
コンデンサＣ１１（図１）を形成する。また、ストリッ
プ電極Ｌｐ１，Ｌｐ３，Ｌｐ５で伝送線路Ｌ１１（図
１）を、ストリップ電極Ｌｐ７〜Ｌｐ９で共振器ＲＥＳ
１１（図１）を、ストリップ電極Ｌｐ２，Ｌｐ４，Ｌｐ
６でチョークコイルＣＣ１１（図１）を、それぞれ形成
する。
【００１９】ここで、上記の構成のフィルタ１０の動作
について説明する。フィルタ１０のピンダイオードＰＤ
１１がオンの場合（Ｖｃｃ１＝３Ｖ、Ｖｃｃ２＝０Ｖ）
の等価回路は、ピンダイオードＰＤ１１がショートとな
るため、図５（ａ）のようになる。したがって、伝送線
路Ｌ１１、共振器ＲＥＳ１１及びピンダイオードＰＤ１
１からなる回路は、共振器ＲＥＳ１１のみで構成される
こととなり、共振器ＲＥＳ１１の長さの４倍の波長を有
する高周波信号を遮断することができる。
について説明する。フィルタ１０のピンダイオードＰＤ
１１がオンの場合（Ｖｃｃ１＝３Ｖ、Ｖｃｃ２＝０Ｖ）
の等価回路は、ピンダイオードＰＤ１１がショートとな
るため、図５（ａ）のようになる。したがって、伝送線
路Ｌ１１、共振器ＲＥＳ１１及びピンダイオードＰＤ１
１からなる回路は、共振器ＲＥＳ１１のみで構成される
こととなり、共振器ＲＥＳ１１の長さの４倍の波長を有
する高周波信号を遮断することができる。
【００２０】一方、フィルタ１０のピンダイオードＰＤ
１１がオフの場合（Ｖｃｃ１＝０Ｖ、Ｖｃｃ２＝３Ｖ）
の等価回路は、ピンダイオードＰＤ１１がオープンとな
るため、図５（ｂ）のようになる。したがって、伝送線
路Ｌ１１、共振器ＲＥＳ１１及びピンダイオードＰＤ１
１からなる回路は、伝送線路Ｌ１１及びピンダイオード
ＰＤ１１で構成されるＬＣ共振回路となり、そのＬＣ共
振回路の共振周波数を有する高周波信号を遮断すること
ができる。
１１がオフの場合（Ｖｃｃ１＝０Ｖ、Ｖｃｃ２＝３Ｖ）
の等価回路は、ピンダイオードＰＤ１１がオープンとな
るため、図５（ｂ）のようになる。したがって、伝送線
路Ｌ１１、共振器ＲＥＳ１１及びピンダイオードＰＤ１
１からなる回路は、伝送線路Ｌ１１及びピンダイオード
ＰＤ１１で構成されるＬＣ共振回路となり、そのＬＣ共
振回路の共振周波数を有する高周波信号を遮断すること
ができる。
【００２１】以上のような構成で、ピンダイオードＰＤ
１１をオン、オフすることにより、フィルタ１０を通過
する高周波信号の周波数帯域を変えることができる。
１１をオン、オフすることにより、フィルタ１０を通過
する高周波信号の周波数帯域を変えることができる。
【００２２】図６に、フィルタ１０の通過特性を示す。
なお、図６中において、実線はピンダイオードＰＤ１１
がオンの場合、破線はピンダイオードＰＤ１１がオフの
場合を示す。この図から、ピンダイオードＰＤ１１が
オンの場合には、９００ＭＨｚの高周波信号を通過させ
ることができる、ピンダイオードＰＤ１１がオフの場
合には、１．８ＧＨｚの高周波信号を通過させることが
できる、ことが明らかである。
なお、図６中において、実線はピンダイオードＰＤ１１
がオンの場合、破線はピンダイオードＰＤ１１がオフの
場合を示す。この図から、ピンダイオードＰＤ１１が
オンの場合には、９００ＭＨｚの高周波信号を通過させ
ることができる、ピンダイオードＰＤ１１がオフの場
合には、１．８ＧＨｚの高周波信号を通過させることが
できる、ことが明らかである。
【００２３】ここで、上述のフィルタ１０を、比較的近
接した２つの周波数帯域、例えば９００ＭＨｚ帯の携帯
電話システムであるＧＳＭ(Global System for Mobile
communications)と、１．８ＧＨｚ帯の携帯電話システ
ムであるＤＣＳ(Dynamic Cell System)とにおいて、そ
の送信部Ｔｘに応用する場合の一例を図７に示す。
接した２つの周波数帯域、例えば９００ＭＨｚ帯の携帯
電話システムであるＧＳＭ(Global System for Mobile
communications)と、１．８ＧＨｚ帯の携帯電話システ
ムであるＤＣＳ(Dynamic Cell System)とにおいて、そ
の送信部Ｔｘに応用する場合の一例を図７に示す。
【００２４】アンテナ１は、同軸スイッチやＰＩＮダイ
オードからなるスイッチ２の第１の端子２ａに接続さ
れ、送信部Ｔｘ、受信部Ｒｘは、スイッチ２の第２、第
３の端子２ｂ，２ｃ、すなわち送信用端子、受信用端子
にそれぞれ接続される。この際、送信部Ｔｘにおいて、
フィルタ１０の一方端子がスイッチ２の第２の端子２ｂ
に、他方端子が９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ及び１．８ＧＨ
ｚ帯のＤＣＳで共用される高出力増幅器ＰＡに接続され
る。
オードからなるスイッチ２の第１の端子２ａに接続さ
れ、送信部Ｔｘ、受信部Ｒｘは、スイッチ２の第２、第
３の端子２ｂ，２ｃ、すなわち送信用端子、受信用端子
にそれぞれ接続される。この際、送信部Ｔｘにおいて、
フィルタ１０の一方端子がスイッチ２の第２の端子２ｂ
に、他方端子が９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ及び１．８ＧＨ
ｚ帯のＤＣＳで共用される高出力増幅器ＰＡに接続され
る。
【００２５】上記のような構成で、２つの異なる周波数
領域、例えば、フィルタ１０のピンダイオードＰＤ１１
がオンの場合には、ＧＳＭの周波数である９００ＭＨｚ
の送信信号のみを通過させ、フィルタ１０のピンダイオ
ードＰＤ１１がオフの場合には、ＤＣＳの周波数である
１．８ＧＨｚの送信信号を通過させることができる。
領域、例えば、フィルタ１０のピンダイオードＰＤ１１
がオンの場合には、ＧＳＭの周波数である９００ＭＨｚ
の送信信号のみを通過させ、フィルタ１０のピンダイオ
ードＰＤ１１がオフの場合には、ＤＣＳの周波数である
１．８ＧＨｚの送信信号を通過させることができる。
【００２６】すなわち、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭと、
１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳとの高周波信号を分配、結合す
ることができ、２つの周波数帯において送信が可能とな
る。
１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳとの高周波信号を分配、結合す
ることができ、２つの周波数帯において送信が可能とな
る。
【００２７】したがって、比較的近接した２つの周波数
帯域である９００ＭＨｚ帯のＧＳＭと１．８ＧＨｚ帯の
ＤＣＳとにおいて、アンテナ、送信側の高出力増幅器を
共用することができる。
帯域である９００ＭＨｚ帯のＧＳＭと１．８ＧＨｚ帯の
ＤＣＳとにおいて、アンテナ、送信側の高出力増幅器を
共用することができる。
【００２８】上述のような第１の実施例のフィルタによ
れば、ピンダイオードの印加電圧を変え、ピンダイオー
ドをオン、オフすることにより、伝送線路、共振器及び
ピンダイオードからなる回路の等価回路を変えることが
できる。したがって、低域通過フィルタであるフィルタ
を通過する高周波信号の周波数帯域を変えることができ
るため、１つのフィルタで、異なる周波数帯域を有する
２つの高周波信号に対応することができる。これに伴な
い、このフィルタを搭載した移動体通信機の小型化が可
能となる。
れば、ピンダイオードの印加電圧を変え、ピンダイオー
ドをオン、オフすることにより、伝送線路、共振器及び
ピンダイオードからなる回路の等価回路を変えることが
できる。したがって、低域通過フィルタであるフィルタ
を通過する高周波信号の周波数帯域を変えることができ
るため、１つのフィルタで、異なる周波数帯域を有する
２つの高周波信号に対応することができる。これに伴な
い、このフィルタを搭載した移動体通信機の小型化が可
能となる。
【００２９】また、共振器が、オープンスタブからなる
ため、ピンダイオードの寄生インダクタンスの影響を受
けず、挿入損失の減衰を大きくとることができる。
ため、ピンダイオードの寄生インダクタンスの影響を受
けず、挿入損失の減衰を大きくとることができる。
【００３０】さらに、図２に示すように、フィルタを積
層体で構成した場合には、フィルタを構成する伝送線路
を積層体に内蔵でき、その結果、フィルタの小型化が可
能となる。
層体で構成した場合には、フィルタを構成する伝送線路
を積層体に内蔵でき、その結果、フィルタの小型化が可
能となる。
【００３１】図８に、本発明に係るフィルタの第２の実
施例の回路図を示す。このフィルタ２０は、低域通過フ
ィルタであり、インダクタンス素子である伝送線路Ｌ２
１〜Ｌ２３と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ２
１，ＲＥＳ２２と、スイッチング素子であるピンダイオ
ードＰＤ２１，ＰＤ２２と、コンデンサＣ２１，Ｃ２２
と、チョークコイルＣＣ２１，ＣＣ２２と、抵抗Ｒ２
１，Ｒ２２とで構成される。
施例の回路図を示す。このフィルタ２０は、低域通過フ
ィルタであり、インダクタンス素子である伝送線路Ｌ２
１〜Ｌ２３と、オープンスタブからなる共振器ＲＥＳ２
１，ＲＥＳ２２と、スイッチング素子であるピンダイオ
ードＰＤ２１，ＰＤ２２と、コンデンサＣ２１，Ｃ２２
と、チョークコイルＣＣ２１，ＣＣ２２と、抵抗Ｒ２
１，Ｒ２２とで構成される。
【００３２】そして、ピンダイオードＰＤ２１及び共振
器ＲＥＳ２１、並びにピンダイオードＰＤ２２及び共振
器ＲＥＳ２２が、それぞれ第１のポートＰ１と第２のポ
ートＰ２との間でπ型接続され、ピンダイオードＰＤ２
１に伝送線路Ｌ２１とコンデンサＣ２１とからなる直列
回路が、ピンダイオードＰＤ２２に伝送線路Ｌ２２とコ
ンデンサＣ２２とからなる直列回路が、それぞれ並列接
続される。
器ＲＥＳ２１、並びにピンダイオードＰＤ２２及び共振
器ＲＥＳ２２が、それぞれ第１のポートＰ１と第２のポ
ートＰ２との間でπ型接続され、ピンダイオードＰＤ２
１に伝送線路Ｌ２１とコンデンサＣ２１とからなる直列
回路が、ピンダイオードＰＤ２２に伝送線路Ｌ２２とコ
ンデンサＣ２２とからなる直列回路が、それぞれ並列接
続される。
【００３３】また、伝送線路Ｌ２１とピンダイオードＰ
Ｄ２１のアノードとの接続点及び伝送線路Ｌ２２とピン
ダイオードＰＤ２２のアノードとの接続点には、チョー
クコイルＣＣ２１，ＣＣ２２を介して、コントロール端
子Ｖｃｃ１が接続される。さらに、コンデンサＣ２２と
ピンダイオードＰＤ２２のカソードとの接続点には、抵
抗Ｒ２１，Ｒ２２を介して、コントロール端子Ｖｃｃ２
が接続される。
Ｄ２１のアノードとの接続点及び伝送線路Ｌ２２とピン
ダイオードＰＤ２２のアノードとの接続点には、チョー
クコイルＣＣ２１，ＣＣ２２を介して、コントロール端
子Ｖｃｃ１が接続される。さらに、コンデンサＣ２２と
ピンダイオードＰＤ２２のカソードとの接続点には、抵
抗Ｒ２１，Ｒ２２を介して、コントロール端子Ｖｃｃ２
が接続される。
【００３４】なお、ピンダイオードＰＤ２１のアノード
とピンダイオードＰＤ２２のアノードとは、伝送線路Ｌ
２３を介して接続されている。すなわち、フィルタ２０
は、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間に、第
１の実施例のフィルタ１０（図１）が、伝送線路Ｌ２３
を介して直列接続されたものである。
とピンダイオードＰＤ２２のアノードとは、伝送線路Ｌ
２３を介して接続されている。すなわち、フィルタ２０
は、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間に、第
１の実施例のフィルタ１０（図１）が、伝送線路Ｌ２３
を介して直列接続されたものである。
【００３５】この際、コンデンサＣ２１，Ｃ２２は、直
流電流が、伝送線路Ｌ２１，Ｌ２２へ流れるのを防ぐ役
目をしている。また、チョークコイルＣＣ２１，ＣＣ２
２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２は、ピンダイオードＰＤ２１，
ＰＤ２２に電圧を印加した際に、高周波信号が、コント
ロール端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２へ漏れるのを防ぐ役目を
している。特に、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２では、消費電流を
抑えることもできる。
流電流が、伝送線路Ｌ２１，Ｌ２２へ流れるのを防ぐ役
目をしている。また、チョークコイルＣＣ２１，ＣＣ２
２、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２は、ピンダイオードＰＤ２１，
ＰＤ２２に電圧を印加した際に、高周波信号が、コント
ロール端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２へ漏れるのを防ぐ役目を
している。特に、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２では、消費電流を
抑えることもできる。
【００３６】図９に、フィルタ２０の通過特性を示す。
なお、図９中において、実線はピンダイオードＰＤ２
１，ＰＤ２２がオンの場合（Ｖｃｃ１＝３Ｖ、Ｖｃｃ２
＝０Ｖ）、破線はピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２が
オフの場合（Ｖｃｃ１＝０Ｖ、Ｖｃｃ２＝３Ｖ）を示
す。この図から、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２
がオンの場合には、９００ＭＨｚの高周波信号を通過さ
せることができる、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２
２がオフの場合には、１．８ＧＨｚの高周波信号を通過
させることができる、ことが明らかである。
なお、図９中において、実線はピンダイオードＰＤ２
１，ＰＤ２２がオンの場合（Ｖｃｃ１＝３Ｖ、Ｖｃｃ２
＝０Ｖ）、破線はピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２が
オフの場合（Ｖｃｃ１＝０Ｖ、Ｖｃｃ２＝３Ｖ）を示
す。この図から、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２
がオンの場合には、９００ＭＨｚの高周波信号を通過さ
せることができる、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２
２がオフの場合には、１．８ＧＨｚの高周波信号を通過
させることができる、ことが明らかである。
【００３７】すなわち、フィルタ２０（図７）の構成
で、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２をオン、オフす
ることにより、フィルタ２０を通過する高周波信号の周
波数帯域を変えることができる。
で、ピンダイオードＰＤ２１，ＰＤ２２をオン、オフす
ることにより、フィルタ２０を通過する高周波信号の周
波数帯域を変えることができる。
【００３８】上述のような第２の実施例のフィルタによ
れば、共振器を２つにしているため、共振器が１つであ
る第１の実施例のフィルタ（図１）と比較して、挿入損
失の減衰をより大きくすることができる。すなわち、共
振器が多いほど挿入損失の減衰が大きくなるということ
である。
れば、共振器を２つにしているため、共振器が１つであ
る第１の実施例のフィルタ（図１）と比較して、挿入損
失の減衰をより大きくすることができる。すなわち、共
振器が多いほど挿入損失の減衰が大きくなるということ
である。
【００３９】なお、上記の第１及び第２の実施例におい
て、フィルタが低域通過フィルタの場合を示したが、高
域通過フィルタ、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ
など、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子を備えるフィルタであれば本発明の範囲内にあるとい
える。
て、フィルタが低域通過フィルタの場合を示したが、高
域通過フィルタ、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ
など、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子を備えるフィルタであれば本発明の範囲内にあるとい
える。
【００４０】また、スイッチング素子としてピンダイオ
ードを用いる場合について説明したが、バリキャップダ
イオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジ
スタ等でも同様の効果が得られる。
ードを用いる場合について説明したが、バリキャップダ
イオード、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジ
スタ等でも同様の効果が得られる。
【００４１】さらに、コントロール端子が、チョークコ
イルあるいは抵抗を介して接続される場合に説明した
が、ピンダイオードの電圧を印加する際に、高周波信号
が、コントロール端子へ漏れるのを防ぐことができれば
どのような素子でもよい。
イルあるいは抵抗を介して接続される場合に説明した
が、ピンダイオードの電圧を印加する際に、高周波信号
が、コントロール端子へ漏れるのを防ぐことができれば
どのような素子でもよい。
【００４２】また、インダクタンス素子及びキャパシタ
ンス素子を誘電体層を積層してなる積層体に内蔵する場
合について説明したが、チップ部品を用いて積層体に搭
載してもよい。
ンス素子を誘電体層を積層してなる積層体に内蔵する場
合について説明したが、チップ部品を用いて積層体に搭
載してもよい。
【００４３】さらに、スイッチング素子を積層体に搭載
する場合について説明したが、積層体の内部にキャビテ
ィ等を形成して、そのキャビティ等を介して、スイッチ
ング素子を積層体に内蔵してもよい。
する場合について説明したが、積層体の内部にキャビテ
ィ等を形成して、そのキャビティ等を介して、スイッチ
ング素子を積層体に内蔵してもよい。
【００４４】また、本発明のフィルタが、ＧＳＭとＤＣ
Ｓとの組み合わせに使用される場合について説明した
が、その使用は、ＧＳＭとＤＣＳとの組み合わせに限定
されるものではなく、例えば、ＧＳＭとＤＣＳ(Digital
Cellular System)との組み合わせ、ＧＳＭとＰＣＳ(Pe
rsonal Communication Services)との組み合わせ、ＡＭ
ＰＳ(Advanced Mobile Phone Services)とＰＣＳとの組
み合わせ、ＧＳＭとＤＥＣＴ(Digital European Cordle
ss Telephone)との組み合わせ、ＰＤＣとＰＨＳ(Person
al Handy-phone System)との組み合わせ、などの使用す
ることができる。
Ｓとの組み合わせに使用される場合について説明した
が、その使用は、ＧＳＭとＤＣＳとの組み合わせに限定
されるものではなく、例えば、ＧＳＭとＤＣＳ(Digital
Cellular System)との組み合わせ、ＧＳＭとＰＣＳ(Pe
rsonal Communication Services)との組み合わせ、ＡＭ
ＰＳ(Advanced Mobile Phone Services)とＰＣＳとの組
み合わせ、ＧＳＭとＤＥＣＴ(Digital European Cordle
ss Telephone)との組み合わせ、ＰＤＣとＰＨＳ(Person
al Handy-phone System)との組み合わせ、などの使用す
ることができる。
【００４５】
【発明の効果】請求項１のフィルタによれば、インダク
タンス素子、共振器及びスイッチング素子を備えるた
め、スイッチング素子に印加する電圧を制御することに
より、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子からなる回路の等価回路を変えることができる。した
がって、フィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を
変えることができるため、１つのフィルタで、異なる周
波数帯域を有する２つの高周波信号に対応することがで
きる。これに伴ない、このフィルタを搭載した移動体通
信機の小型化が可能となる。
タンス素子、共振器及びスイッチング素子を備えるた
め、スイッチング素子に印加する電圧を制御することに
より、インダクタンス素子、共振器及びスイッチング素
子からなる回路の等価回路を変えることができる。した
がって、フィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を
変えることができるため、１つのフィルタで、異なる周
波数帯域を有する２つの高周波信号に対応することがで
きる。これに伴ない、このフィルタを搭載した移動体通
信機の小型化が可能となる。
【００４６】また、このフィルタを、比較的近接した複
数の周波数帯域の移動体通信機に用いることにより、ア
ンテナ、送信側の高出力増幅器を共用することができ
る。
数の周波数帯域の移動体通信機に用いることにより、ア
ンテナ、送信側の高出力増幅器を共用することができ
る。
【００４７】請求項２のフィルタによれば、フィルタを
積層体で構成するため、フィルタを構成するインダクタ
ンス素子、キャパシタンス素子及びスイッチング素子を
積層体に内蔵あるいは搭載できる。したがって、フィル
タの小型化が可能となる。
積層体で構成するため、フィルタを構成するインダクタ
ンス素子、キャパシタンス素子及びスイッチング素子を
積層体に内蔵あるいは搭載できる。したがって、フィル
タの小型化が可能となる。
【００４８】請求項３のフィルタによれば、共振器が、
オープンスタブからなるため、ピンダイオードの寄生イ
ンダクタンスの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きく
とることができる。
オープンスタブからなるため、ピンダイオードの寄生イ
ンダクタンスの影響を受けず、挿入損失の減衰を大きく
とることができる。
【図１】本発明に係るフィルタの第１の実施例の回路図
である。
である。
【図２】図１のフィルタの斜視図である。
【図３】図２のフィルタの積層体を構成する（ａ）第１
の誘電体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
の誘電体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
【図４】図２のフィルタの積層体を構成する（ａ）第９
の誘電体層〜（ｅ）第１３の誘電体層の上面図及び
（ｆ）第１３の誘電体層の下面図である。
の誘電体層〜（ｅ）第１３の誘電体層の上面図及び
（ｆ）第１３の誘電体層の下面図である。
【図５】図１のフィルタのピンダイオードを（ａ）オン
した場合の等価回路図、（ｂ）オフした場合の等価回路
図である。
した場合の等価回路図、（ｂ）オフした場合の等価回路
図である。
【図６】図１のフィルタの周波数特性を示す図である。
【図７】図１のフィルタを用いて、異なる周波数帯域の
各移動体通信機でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。
各移動体通信機でアンテナを共用する構成を示すブロッ
ク図である。
【図８】本発明に係るフィルタの第２の実施例の回路図
である。
である。
【図９】図８のフィルタの周波数特性を示す図である。
【図１０】従来の異なる周波数帯域の各移動体通信機で
アンテナを共用する構成を示すブロック図である。
アンテナを共用する構成を示すブロック図である。
１０，２０ フィルタ（低域通過フィルタ） １１ 積層体 １１ａ〜１１ｍ 誘電体層 Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ２２ インダクタンス素子（伝
送線路） ＲＥＳ１１，ＲＥＳ２１，ＲＥＳ２２ 共振器（オ
ープンスタブ） ＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ２２ スイッチング素子
（ピンダイオード）
送線路） ＲＥＳ１１，ＲＥＳ２１，ＲＥＳ２２ 共振器（オ
ープンスタブ） ＰＤ１１，ＰＤ２１，ＰＤ２２ スイッチング素子
（ピンダイオード）
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも１つのインダクタンス素子
と、少なくとも１つの共振器と、少なくとも１つのスイ
ッチング素子とを備えることを特徴とするフィルタ。 - 【請求項２】 前記インダクタンス素子、前記共振器及
び前記スイッチング素子が複数の誘電体層を積層してな
る積層体に内蔵、あるいは搭載されることを特徴とする
請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項３】 前記共振器が、オープンスタブであるこ
とを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載のフィ
ルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004880A JPH11205066A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | フィルタ |
| EP99100453A EP0929151B1 (en) | 1998-01-13 | 1999-01-11 | Filter |
| DE69928586T DE69928586D1 (de) | 1998-01-13 | 1999-01-11 | Filter |
| US09/229,615 US6177850B1 (en) | 1998-01-13 | 1999-01-13 | Two frequency filter comprising an inductance device, a resonator, and a switching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10004880A JPH11205066A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11205066A true JPH11205066A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11596000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10004880A Pending JPH11205066A (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | フィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6177850B1 (ja) |
| EP (1) | EP0929151B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11205066A (ja) |
| DE (1) | DE69928586D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054591A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Filtre passe-bas haute frequence |
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| JP2001060802A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Sony Corp | 回路素子基板と半導体装置及びその製造方法 |
| WO2012079777A1 (fr) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Thomson Licensing | Filtre stop bande actif |
| JP5057001B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2012-10-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US9175266B2 (en) | 2012-07-23 | 2015-11-03 | Gamida Cell Ltd. | Enhancement of natural killer (NK) cell proliferation and activity |
| US9567569B2 (en) | 2012-07-23 | 2017-02-14 | Gamida Cell Ltd. | Methods of culturing and expanding mesenchymal stem cells |
| CN107408937B (zh) * | 2015-03-30 | 2020-09-25 | 株式会社村田制作所 | 高频率滤波器、前端电路以及通信设备 |
Family Cites Families (12)
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|---|---|---|---|---|
| US4718117A (en) * | 1985-10-30 | 1988-01-05 | Capetronic (Bsr) Ltd. | TVRO receiver system with low-cost video-noise reduction filter |
| US5065121A (en) * | 1988-03-29 | 1991-11-12 | Rf Products, Inc. | Switchable resonator device |
| US4970479A (en) * | 1989-11-27 | 1990-11-13 | Rockwell International Corporation | Multicoupler including frequency shift filters |
| US5065120A (en) * | 1990-09-21 | 1991-11-12 | Motorola, Inc. | Frequency agile, dielectrically loaded resonator filter |
| FR2678450B1 (fr) * | 1991-06-27 | 1993-09-03 | Dassault Electronique | Dispositif de filtrage coupe-bande hyperfrequence. |
| JP2794249B2 (ja) * | 1992-06-15 | 1998-09-03 | 国際電気株式会社 | 高速同調フィルタ |
| FI97086C (fi) * | 1994-02-09 | 1996-10-10 | Lk Products Oy | Järjestely lähetyksen ja vastaanoton erottamiseksi |
| JPH0851381A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Uniden Corp | 集積化が可能な高周波用ポート選択回路 |
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| KR0164410B1 (ko) * | 1995-07-21 | 1999-03-20 | 김광호 | 스위칭 기능을 갖는 스트립라인 필터 |
| JPH09200077A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 複合高周波部品 |
| JPH10247833A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-14 | Tokin Corp | チューナブルフィルタ |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP10004880A patent/JPH11205066A/ja active Pending
-
1999
- 1999-01-11 DE DE69928586T patent/DE69928586D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-11 EP EP99100453A patent/EP0929151B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-13 US US09/229,615 patent/US6177850B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US6895228B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency low-pass filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0929151B1 (en) | 2005-11-30 |
| EP0929151A2 (en) | 1999-07-14 |
| DE69928586D1 (de) | 2006-01-05 |
| US6177850B1 (en) | 2001-01-23 |
| EP0929151A3 (en) | 2001-05-23 |
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