JPH11202294A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリチャージ回路とサンプリング回路とを画
像表示領域に対して同じ側の基板上に配置した構成の液
晶表示装置において、画像信号を波形変形させることな
く正確に画素電極に印加することが可能な液晶駆動装置
等を提供する。 【解決手段】 画素電極１１を含んで構成される画像表
示領域から見て、近い順に、サンプリング回路３０１、
画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６、プリチャージ回
路２０１及びデータ線駆動回路１０１の並び方で各回路
を配置する。画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６から
サンプリング回路３０１を介して画素電極１１に至るま
での画像信号の経路を短縮化すると共に低抵抗化して画
像信号の波形変形を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称す。）駆動等によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶パネル等の電気光学装置、または
当該電気光学装置を用いた電子機器の技術分野に属し、
特に、プリチャージ回路及びサンプリング回路を備えた
駆動回路、電気光学装置、及び電子機器の技術分野に属
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶パネルにおいては、縦横に夫々配
列された多数の走査線及びデータ線と、走査線及びデー
タ線の各交点に対応する多数の画素電極がＴＦＴアレイ
基板上に設けられている。そして、これらに加えて、走
査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路、
プリチャージ回路などのＴＦＴを構成要素とする各種の
周辺回路が、このようなＴＦＴアレイ基板上に設けられ
る場合がある。

【０００３】これらの周辺回路のうち、サンプリング回
路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミ
ングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画
像信号をサンプリングする回路である。その外にも、液
晶表示における画質の向上、消費電力の低減、コストの
低減等の観点から、ＴＦＴ等を用いた各種の周辺回路を
ＴＦＴアレイ基板上に設けることも可能である。

【０００４】また、プリチャージ回路は、コントラスト
比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上の
ラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、前
記サンプリング回路により画像信号がサンプリングされ
るタイミングに先行するタイミングで、プリチャージ信
号（画像補助信号）を供給することにより、画像信号を
データ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。特
に液晶を交流駆動するために通常行われるデータ線の電
圧極性を１水平走査期間毎に反転して駆動する所謂１Ｈ
反転駆動方式においては、１水平有効表示期間前の１水
平帰線期間において、画像信号の極性が切り換わってか
ら後に、所定電位のプリチャージ信号をデータ線に予め
書き込んでおけば、画像信号をデータ線に書き込む際に
必要な電荷量を顕著に少なくできる。

【０００５】ここで、ＴＦＴアレイ基板上にマトリクス
状に配置された複数の画素により規定される画面表示領
域、即ち液晶パネル上で実際に液晶の配向状態の変化に
より画像が表示される領域において、前記複数の画素に
夫々設けられる画素スイッチング用ＴＦＴを制御するた
めに、該画面表示領域の周囲に設けられる周辺回路を形
成するための領域は基本的要請として大きい程よいとさ
れている。

【０００６】しかしながら、更なる解像度の向上を図る
ために液晶パネルの高精細化や、或いは、マザー基板か
らの取れ個数を増加することで歩留まりを向上したり、
持ち運び自由なモバイル用途に使用するために液晶パネ
ル自体の小型化を望む声が多くなっている。このよう
に、液晶パネルの高精細化、或いは小型化が進むと、画
素サイズの微細化が必然となり、それに伴い同一基板上
に形成された周辺回路の集積化を図る必要がある。

【０００７】そこで、前記周辺回路の集積化を図るため
に、前記プリチャージ回路及び前記サンプリング回路を
液晶パネルの画面表示領域に対して同じ側に設けること
がある。データ線に対してデータ線駆動回路及びサンプ
リング回路により画像信号が供給される側に、前記プリ
チャージ回路及び前記サンプリング回路を該データ線に
対して並列に設けるようにする。このような構成を採れ
ば、従来のようにデータ線の他端、すなわち画像信号が
供給される側と反対側にプリチャージ回路を設ける必要
がないので、プリチャージ信号を供給するためのプリチ
ャージ信号線やプリチャージ回路を制御するためのプリ
チャージ回路駆動信号線を画面表示領域周辺に引き回さ
なくてもよい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプリチャージ回路及びサンプリング回路の構成
によると、プリチャージ回路とサンプリング回路を同じ
側に連続的に形成する必要があり、基板上の所定の範囲
の領域を占有することとなるため、プリチャージ回路及
びサンプリング回路の集積化、及び当該プリチャージ回
路及びサンプリング回路を含む液晶パネルの小型化が困
難であるという問題点があった。

【０００９】すなわち、前記プリチャージ回路を構成す
るスイッチング手段はデータ線毎に構成する必要があ
り、プリチャージ回路駆動信号線及びプリチャージ信号
線からの延設配線を設けなければならない。同様に、前
記サンプリング回路を構成するスイッチング手段はデー
タ線毎に構成する必要があり、サンプリング回路駆動信
号線及び画像信号線からの延設配線を設けなければなら
ない。結果として液晶パネルが小型化するとプリチャー
ジ回路及びサンプリング回路を並列に形成することが難
しくなり、結果としてプリチャージ回路及びサンプリン
グ回路の集積化が図れない。

【００１０】そこで、本発明は、前記の問題点に鑑みて
なされたもので、その課題は、前記プリチャージ回路及
びサンプリング回路を基板上に効率的に配置して、電気
光学装置を小型化することが可能な電気光学装置並びに
当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の電気光学装置は、画像信号が供
給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数
の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に接続さ
れた第１スイッチング手段と、各第１スイッチング手段
に接続された画素電極とを備えた電気光学装置の駆動回
路であって、前記画像信号をサンプリングして前記デー
タ線に供給するための第２スイッチング手段を有するサ
ンプリング回路と、前記データ線に前記画像信号を供給
するためのサンプリング期間に先だってプリチャージ信
号を前記データ線に供給するための第３スイッチング手
段を有するプリチャージ回路とを具備し、 前記画素電
極が形成されている画像表示領域と、前記プリチャージ
回路との間に前記サンプリング回路が配置されてなるこ
とを特徴とする。

【００１２】請求項１に記載の電気光学装置によれば、
複数の第３スイッチング手段は、画像表示領域と異なる
基板上の領域に各データ線毎に形成され、画像信号の供
給に先立って、各データ線に対して予め設定されたプリ
チャージ信号を夫々供給する。一方、複数の第２スイッ
チング手段は、第３スイッチング手段が形成されている
領域と画像表示領域との間の基板上の領域に各データ線
毎に形成され、画像信号を当該各データ線に夫々供給す
る。従って、第３スイッチング手段と第２スイッチング
手段との位置関係において、画像信号を供給する第２ス
イッチング手段の方が画像表示領域に近いので、画像表
示領域と第２スイッチング手段との間の画像信号の経路
を低抵抗化することができ、画素電極に供給すべき画像
信号が波形変形すること等を防止できる。

【００１３】請求項２に記載の電気光学装置は、前記課
題を解決するために、請求項１記載の電気光学装置にお
いて、前記第３スイッチング手段は、薄膜トランジスタ
であると共に、前記プリチャージ信号線から延設された
供給線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接
続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン
電極に電気的に接続されていることを特徴とする。

【００１４】請求項２に記載の電気光学装置によれば、
第３スイッチ手段が形成されている領域と第２スイッチ
手段が形成されている領域との間の基板上に配置された
複数の画像信号供給線は、画像信号を第２スイッチング
手段に夫々供給する。従って、画像信号を供給する複数
の画像信号供給線が第３スイッチ手段が形成されている
領域と第２スイッチ手段が形成されている領域との間の
基板上に配置されているので、画像信号供給線から第２
スイッチング手段を介して画素電極に至るまでの画像信
号の経路を短縮化すると共に低抵抗化することができ
る。

【００１５】請求項３に記載の電気光学装置は、前記課
題を解決するために、請求項１又は２に記載の電気光学
装置において、前記第２スイッチング手段は、薄膜トラ
ンジスタであると共に、前記画像信号線から延設された
中継線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接
続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン
電極に電気的に接続されていることを特徴とする。

【００１６】請求項３に記載の電気光学装置によれば、
第２スイッチング手段及び第３スイッチング手段が、夫
々薄膜トランジスタであるので、液晶駆動装置を小型薄
膜化することができる。

【００１７】請求項４に記載の電気光学装置は、前記課
題を解決するために、請求項１及至請求項３のいずれか
一項に記載の液晶パネルの駆動装置において、前記第３
スイッチング手段は、少なくともＰチャネル型トランジ
スタまたはＮチャネル型トランジスタで構成されている
ことを特徴とする。

【００１８】請求項４に記載の電気光学装置によれば、
プリチャージ回路を構成する第３スイッチング手段をＰ
チャネル型ＴＦＴ、或いはＮチャネル型ＴＦＴといった
片チャネル型ＴＦＴで構成することにより、占有面積の
少ない領域に効率的に配置することができる。これによ
り、前記プリチャージ回路の集積化が図れ、電気光学装
置の小型化を実現することができる。

【００１９】請求項５に記載の電気光学装置は、前記課
題を解決するために、請求項１及至請求項３のいずれか
一項に記載の電気光学装置において、前記第２スイッチ
ング手段は、少なくともＰチャネル型トランジスタまた
はＮチャネル型トランジスタで構成されていることを特
徴とする。

【００２０】請求項５に記載の電気光学装置によれば、
サンプリング回路を構成する第２スイッチング手段をＰ
チャネル型ＴＦＴ、或いはＮチャネル型ＴＦＴといった
片チャネル型ＴＦＴで構成することにより、占有面積の
少ない領域に効率的に配置することができる。これによ
り、前記サンプリング回路の集積化が図れ、液晶パネル
の小型化を実現することができる。

【００２１】請求項６に記載の電子機器は、前記課題を
解決するために、請求項１乃至請求項６のいずれか一項
に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

【００２２】請求項７に記載の電子機器によれば、電子
機器は上述した本願発明の電気光学装置を備えており、
該電気光学装置の小型化が可能なので、電子機器の小型
化を実現することができる。

【００２３】本発明のこのような作用及び他の利得は、
次に説明する実施の形態から明らかにする。

【００２４】

【発明の実施の形態】次に、本発明に好適な実施の形態
について、図面に基づいて説明する。

【００２５】なお、以下に説明する各実施形態は、光源
からの光を透過して画像を表示する投射型の液晶装置に
対して本発明を適用した場合の実施の形態である。

【００２６】（I）第１実施形態 （Ａ）液晶装置の構成 最初に、第１実施形態の液晶装置の構成について図１乃
至図８を用いて説明する。

【００２７】先ず、第１実施形態の電気光学装置の一例
である液晶装置の全体構成について、図1から図３を用
いて説明する。ここで、図１は第１実施形態の液晶装置
におけるＴＦＴアレイ基板上に設けられた各種配線、周
辺回路等の構成を示すブロック図であり、図２はＴＦＴ
アレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向
基板の側から見た平面図であり、図３は対向基板を含め
て示す図２のＨ−Ｈ’断面図である。

【００２８】図１に示すように、液晶装置２００は、例
えば石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基
板１を備えている。このＴＦＴアレイ基板１上には、マ
トリクス状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向
に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデー
タ線３５と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向
に沿って伸びる走査線３１と、各データ線３５と画素電
極１ｌとの間に夫々介在すると共に当該データ線３５と
画素電極１ｌの間における導通状態及び非導通状態を、
走査線３１を介して夫々供給される走査信号を用いて夫
々制御する複数のＴＦＴ３０とが形成されている。

【００２９】また、ＴＦＴアレイ基板１上には、複数の
データ線３５に対して、画像信号に先行して所定電圧レ
ベルのプリチャージ信号を夫々供給する本発明に係るプ
リチャージ回路２０１と、上記画像信号をサンプリング
して複数のデータ線３５に夫々供給する本発明に係るサ
ンプリング回路３０１と、データ線駆動回路１０１と、
走査線駆動回路１０４とが形成されている。ここで、デ
ータ線駆動回路１０１は、後述の画像信号用シフトレジ
スタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ回路とを含
んでいる。また、サンプリング回路３０１は、夫々独立
して駆動される複数の第２スイッチング手段としてのＴ
ＦＴ３０２を含んでおり、他方、プリチャージ回路２０
１は、夫々独立して駆動される複数の第１スイッチング
手段としてのＴＦＴ３０２を含んでいる。

【００３０】このうち、走査線駆動回路１０４は、外部
制御回路から供給される電源電圧及び基準クロック等に
基づいて、所定タイミングで走査線３１に走査信号をパ
ルス的に線順次で印加する。

【００３１】一方、データ線駆動回路１０１内の画像信
号用シフトレジスタ回路は、外部制御回路から供給され
る電源電圧、基準クロック等に基づき、走査線駆動回路
１０４が走査信号を印加するタイミングに合わせて、６
つの画像信号供給線としての画像信号入力線ＶＩＤ１乃
至ＶＩＤ６夫々について、データ線３５毎にサンプリン
グ回路駆動信号をササンプリング回路３０１内のＴＦＴ
３０２にンプリング回路駆動信号線３０６を介して供給
する。

【００３２】これと並行して、データ線駆動回路内のプ
リチャージ専用シフトレジスタ回路は、サンプリング回
路駆動信号が出力されるタイミングに先立って、プリチ
ャージ回路２０１を構成するＴＦＴ２０２の夫々につい
て、外部制御回路からプリチャージ回路駆動信号線２０
６を介して供給されるプリチャージ回路駆動信号を当該
ＴＦＴ２０２毎にプリチャージ回路駆動信号線２０６ａ
を介して供給する。

【００３３】次に、プリチャージ回路２０１は、ＴＦＴ
２０２を各データ線３５毎に備えている。そして、プリ
チャージ信号線２０４がＴＦＴ２０２のソース電極に接
続されて、上記プリャージ回路駆動信号線２０６ａがＴ
ＦＴ２０２のゲート電極に接続され、上記データ線３５
がＴＦＴ２０２のドレイン電極に接続されている。そし
て、プリチャージ信号線２０４を介して外部電源からプ
リチャージ信号を書き込むために必要な所定電圧の電源
が供給されると共に、各データ線３５について、画像信
号に先行するタイミングでプリチャージ信号を書き込む
ように、データ線駆動回路１０１内のプリチャージ専用
シフトレジスタ回路からプリチャージ回路駆動信号線２
０６ａを介してプリチャージ回路駆動信号が供給され
る。このとき、プリチャージ回路２０ｌは、好ましくは
中間階調レベルの画素データに相当する上記プリチャー
ジ信号をデータ線３５に対して供給する。

【００３４】一方、サンプリング回路３０１では、上記
ＴＦＴ３０２を各データ線３５毎に備え、画像信号入力
線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６がＴＦＴ３０２のソース電極に
夫々接読され、サンプリング回路駆動信号線３０６がＴ
ＦＴ３０２のゲート電極に夫々接続されている。そし
て、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６を介して、６
相展開された６つのパラレルな画像信号が入力される
と、これらの画像信号をサンプリングする。そして、デ
ータ線駆動回路１０１内の画像信号用シフトレジスタか
らサンプリング回路駆動信号線３０６を介してサンプリ
ング回路駆動信号が入力されると、６つの画像信号入力
線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６夫々についてサンプリングされ
た画像信号を、６つの隣接するデータ線３５からなるグ
ループ毎に順次当該データ線３５に印加する。

【００３５】このとき、プリチャージ回路２０１及びサ
ンプリング回路３０１のＴＦＴアレイ基板１上の位置関
係については、図１又は図２に示すように、データ線駆
動回路１０１に相隣接してプリチャージ回路２０１が形
成されており、更に当該プリチャージ回路２０１に相隣
接して画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６が配設され
ており、当該画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６に相
隣接してサンプリング回路３０１が形成されている。

【００３６】すなわち、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至Ｖ
ＩＤ６を挟む形でサンプリング回路３０１とプリチャー
ジ回路２０１とが形成されており、更にプリチャージ回
路２０１に対してサンプリング回路３０１がより画像表
示領域に近い位置に形成されている（図２参照）。

【００３７】ここで、これらサンプリング回路３０１及
びプリチャージ回路２０１は、液晶パネルの完成時には
遮光性のケース内に収められる。従って、当該サンプリ
ング回路３０１及びプリチャージ回路２０１を構成する
上記ＴＦＴ２０２及びＴＦＴ３０１内の後述する半導体
層に外部からの入射光等が照射されることがなく、当該
半導体層において入射光等に起因する光電流が発生して
ＴＦＴ２０２又はＴＦＴ３０２が誤動作することはな
い。

【００３８】一方、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４は、図２及び図３に示すように、液晶層
５０に面しないＴＦＴアレイ基板１の周辺部分上に設け
られている。

【００３９】更に、図２及び図３において、ＴＦＴアレ
イ基板１の上には、複数の画素電極１１を含みその大き
さにより規定される広さの上記画像表示領域（即ち、実
際に液晶層５０の配向状態変化により画像が表示される
領域）の周囲において両基板を貼り合わせて液晶層５０
を包囲する光硬化性樹脂からなるシール材５２が、当該
画像表示領域に沿って設けられている。このシール材５
２は、ＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２をそれらの周
辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化
性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定植
とするためのスペ−サが混入されている。

【００４０】次に、シール材５２の外側の領域には、図
２に示すように画像表示領域の下辺に沿ってデータ線駆
動回路１０１及び実装端子１０２が設けられており、画
像表示領域の左右の二辺に沿って走査線駆動回路１０４
が当該画像表示領域の両側に設けられている。更に、画
像表示領域の上辺には、複数の配線１０５が設けられて
いる。

【００４１】また、対向基板２のコーナー部の少なくと
も１箇所において、ＴＦＴアレイ基板１と対向基枚２と
の間で電気的導通をとるための導通材からなる銀点１０
６が設けられている。そして、シール材５２とほば同じ
輪郭を持つ対向基板２が当該シール材５２によりＴＦＴ
アレイ基枝１に固着されている。

【００４２】ここで、プリチャージ回路２０１及びサン
プリング回路３０１は、基本的に交流駆動の回路であ
る。このため、シール材５２により包囲され両基板間に
挟持された液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１の部
分にこれらのプリチャージ回路２０１及びサンプリング
回路３０１を設けても、直流電圧印加による液晶層５０
の劣化という間題は生じない。

【００４３】また、シール材５２に面するＴＦＴアレイ
基板１部分にプリチャージ回路２０１やサンプリング回
路３０１を形成するのではないので、これらの回路を構
成するＴＦＴ２０２及び３０２をシール材５２に混入さ
れたスペーサにより破壊する恐れがない。

【００４４】（Ｂ）プリチャージ回路及びサンプリング
回路の構成 次に、第１実施形態の液晶装置２００のうち、本発明に
係る上記プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路
の具体的構成について、図６乃至図８を用いて説明す
る。なお、図６はプリチャージ回路２０１の対向電極２
側から見た平面拡大図であり、図７は液晶装置２００の
図６におけるＢ−Ｂ’断面図であり、図８は液晶装置２
００の図６におけるＡ−Ａ’断面図である。

【００４５】なお、第１実施形態のプリチャージ回路２
０１におけるＴＦＴ２０２は、より具体的には、図４
（１）に示すようにＮチャネル型のＴＦＴ２０２ａから
構成されてもよいし、図４（２）に示すようにＰチャネ
ル型のＴＦＴ２０２ｂから構成されてもよい。ここで、
図４（１）又は図４（２）において、図１に示したプリ
チャージ回路駆動信号線２０６ａを介して入力されるプ
リチャージ回路駆動信号は、ゲート電極を介して各ＴＦ
Ｔ２０２ａ又はＴＦＴ２０２ｂに入力され、同じく図１
に示したプリチャージ信号線２０４を介して入力される
プリチャージ信号は、ソース電極を介して各ＴＦＴ２０
２ａ又はＴＦＴ２０２ｂに入力される。

【００４６】また、これらに対応して、第１実施形態の
サンプリング回路３０１におけるＴＦＴ３０２は、図５
（１）に示すようにＮチャネル型のＴＦＴ３０２ａから
構成されてもよいし、図５（２）に示すようにＰチャネ
ル型のＴＦＴ３０２ｂから構成されてもよい。ここで、
図５（１）又は図５（２）において、図１に示した画像
信号入力線ＶＩＤｎ（ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６）を介して
入力される６つの画像信号は、ソース電圧として各ＴＦ
Ｔ３０２ａ又はＴＦＴ３０２ｂに入力され、同じく図１
に示したデータ線駆動回路１０１からサンプリング回路
駆動信号線３０６を介して入力されるサンプリング回路
駆動信号は、ゲート電圧としてＴＦＴ３０２a又はＴＦ
Ｔ３０２ｂに入力される。

【００４７】始めに、第１実施形態のプリチャージ回路
２０１及びサンプリング回路３０１の構成について図６
を用いて説明する。なお、図６は、ＴＦＴ２０２がＮチ
ャネル型のＴＦＴ又はＰチャネル型のＴＦＴのいずれか
一方により形成されている場合を示しており、また、図
６においては、説明の簡略化のために画像信号入力線を
３本としている。

【００４８】図６に示すように、第１実施形態のプリチ
ャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、画像
信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３を挟んでその両側に配
置されており、更に、サンプリング回路３０１が画像信
号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３から見て画像表示領域側
に配置されている。

【００４９】このとき、プリチャージ回路２０１内のＴ
ＦＴ２０２がプリチャージ信号線２０４をソース電極線
とし、プリチャージ回路駆動信号線２０６ａをゲート電
極線とし、データ線３５をドレイン電極線として構成さ
れている。

【００５０】そして、各電極線と各ＴＦＴ２０２の夫々
の電極領域とはコンタクトホール３８により層間接続さ
れている。

【００５１】一方、サンプリング回路３０１内のＴＦＴ
３０２が画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３のうちい
ずれか一つに接続されている信号線３０３をソース電極
線とし、サンプリング回路駆動信号線３０６をゲート電
極線とし、データ線３５をドレイン電極線として構成さ
れている。

【００５２】そして、各電極線と各ＴＦＴ３０２の夫々
の電極領域とはコンタクトホール３８により層間接続さ
れている。

【００５３】更に、ＴＦＴ２０２のドレイン電極とＴＦ
Ｔ３０２のドレイン電極を共通的にゲート線３５により
接続するために、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３
とは別の層に中継配線３０４が形成されている。

【００５４】次に、図７を用いてサンプリング回路３０
１部分の液晶パネルの断面構成について更に説明する。
なお、図７においては、各層や各部材を図面上で認織可
能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を
異ならしめてある。また、図７においては、サンプリン
グ回路３０１に液晶層５０を挟んで対向して形成されて
いる配向膜２２等も併せて示してある。

【００５５】なお、プリチャージ回路２０１内のＴＦＴ
２０２部分の液晶パネルの断面構造については、基本的
に図７に示す断面構造と同様であるので細部の説明は省
略する。

【００５６】図７に示すように、サンプリング回路３０
１におけるＴＦＴ３０２は、ＴＦＴアレイ基板１並びに
その上に積層された第１層間絶縁層４１、ｐ−Ｓｉ（ポ
リシリコン）等の半導体層３２、ゲート絶縁層３３、サ
ンプリング回路駆動信号線３０６（ゲート電極）、プリ
チャージ信号線２０４（ソース電極）、第２層間絶縁層
４２、データ線３５（ドレイン電極）、第３層間絶縁層
４３、遮光膜４４及び配向膜１２を備えている。

【００５７】また、ＴＦＴ３０２に対向する位置には、
例えばガラス基板等から成る対向基板２並びにその上に
積層された配向膜２２を備えている。そして、夫々の配
向膜１２及び２２間に液晶５０が封入されている。

【００５８】次に、これらの層のうち、ＴＦＴ３０２を
除く各層の構成について順に説明する。

【００５９】先ず、ＴＦＴアレイ基板１上に形成された
遮光膜４４は、図７中下方からの光がＴＦＴ３０２に照
射され、これにより当該ＴＦＴ３０２を構成する半導体
層３２に光電流が誘起されることを防止する。なお、当
該遮光膜４４については、反射型の液晶パネルでは不要
となる。

【００６０】次に、ＴＦＴ３０２の基礎となる第１層間
絶縁層４１は、１００００Å程度の厚さのＮＳＧ、ＰＳ
Ｇ（Ｐ₂Ｏ₅を含むＳｉＯ₂）、ＢＳＧ（Ｂ₂Ｏ₃を含むＳ
ｉＯ₂）、ＢＰＳＧ（Ｐ₂Ｏ₅とＢ₂Ｏ₃を含むＳｉＯ₂）な
どのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜又は酸化シリ
コン膜等からなる。ここで、第１層間絶縁層４１の製造
時に約９００℃のアニ−ル処理を施すことにより、汚染
を防ぐと共に平坦化することができる。

【００６１】また、第２層間絶縁層４２及び第３層間絶
縁層４３は、夫々５０００乃至１５０００Å程度の厚さ
のＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケート
ガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からな
る。

【００６２】次に、配向膜１２及び２２は、例えばポリ
イミド薄膜などの有機薄膜により構成される。この配向
膜１２及び２２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布
した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方
向でラビング処理を施すこと等により形成される。

【００６３】また、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１
と対向基板２との間において、シール材５２（図２及び
図３参照）により囲まれた空間に液晶が真空吸引等によ
り封入されることにより形成される。この液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。

【００６４】次に、ＴＦＴ３０２に係る各層の構成につ
いて順に説明する。

【００６５】図７に示すように、ＴＦＴ３０２は、サン
プリング回路駆動信号線３０６（ゲート電極）と、半導
体層３２内に含まれ、サンプリング回路駆動信号線３０
６からの電界によりチャネルが形成されるチャネル形成
領域３７と、サンプリング回路駆動信号線３０６と半導
体層３２とを絶縁するゲート絶縁層３３と、半導体層３
２に形成されたソース領域３４と、データ線３５（ドレ
イン電極）と、信号線３０３と、半導体層３２に形成さ
れたドレイン領域３６と、データ線３５とドレイン領域
３６並びに信号線３０３とソース領域３４とを夫々層間
接続するコンタクトホール３８とを備えている。

【００６６】このうち、ソース領域３４及びドレイン領
域３６は後述のように、半導体層３２内にＰ型のチャネ
ル形成領域３７を形成するか又はｐ型のチャネル形成領
域３７を形成するかに応じて所定濃度のＰ型用又はｐ型
用のドーパントをドープすることにより形成されてい
る。

【００６７】ここで、Ｐ型チャネルのＴＦＴ３０２は、
動作速度が速いという利点があり、上記サンプリング回
路３０１として適している。

【００６８】一方、上記半導体層３２は、例えば、基礎
としての第１層間絶縁層４１上にａ−Ｓｉ（アモルファ
スシリコン）膜を形成後、アニール処理を施して約５０
０乃至２０００Åの厚さに固相成長させることにより形
成する。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０２の場合に
は、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）な
どのＶ族元素のドーパントをイオン注入法等によりドー
プする。また、ｐチャネル型のＴＦＴ３０２の場合に
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）などの亜族元素のドーパン
トをイオン注入法等によりドープする。

【００６９】このとき、特にＴＦＴ３０２をＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造を持つｎチャネル型のＴＦ
Ｔとする場合には、ｐ型の半導体層３２に、ソース領域
３４及びドレイン領域３６のうちチャネル形成領域３７
側に夫々隣接する一部にＰなどのＶ族元素をドープする
ことにより低濃度ドープ領域を形成し、他の部分に同じ
くＰ等のＶ族元素をドープして高濃度ドープ領域を形成
する。更に、ｐチャネル型のＴＦＴとする場合、Ｐ型の
半導体層３２に、ＢなどのIII族元素のドーパントを用
いてソ−ス領域３４及びドレイン領域３６を形成する。
このようにしてＬＤＤ構造とした場合、ショートチャネ
ル効果を低減できる利点が得られる。

【００７０】なお、ＴＦＴ３０２は、低濃度ドレイン領
域を形成することなくオフセット構造のＴＦＴとしても
よいし、ゲート電極をマスクとしてセルフアライン型の
ＴＦＴとしてもよい。

【００７１】一方、ゲ−ト絶縁層３３は、半導体層３２
を約９００乃至１３００℃の温度により熱酸化させて、
３００乃至１５００Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜
を形成して得る。

【００７２】更に、データ線３５（ドレイン電極）は、
減圧ＣＶＤ法等によりｐ−Ｓｉを堆積した後、フォトリ
ソグラフィ工程、エッチング工程等により形成される。
このとき、Ａｌ等の金属膜又は金属シリサイド膜から形
成してもよい。

【００７３】また、データ線３５（ドレイン電極）は、
画素電極１１と同様にＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から
形成してもよい。

【００７４】更に、スパッタリング処理等により、約１
０００乃至５０００Åの厚さに堆積されたＡｌ等の低抵
抗金属や金属シリサイド等から形成してもよい。

【００７５】一方、コンタクトホール３８は、例えば、
反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等の
ドライエッチングにより形成される。

【００７６】なお、一般にはチャネル形成領域３７とな
る半導体層３２は、光が入射するとｐ−Ｓｉが有する光
電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０２
のトランジスタ特性が劣化するが、第１実施形態では、
当該ＴＦＴ３０２及びＴＦＴ２０２は遮光性のケース内
に収められることとなるので、外部からの入射光が少な
くとも半導体層３２のチャネル領域に入射することを防
止できる。

【００７７】更にこれに加えて又はこれに代えて、チャ
ネル形成領域３７を上側から覆うようにデータ線３５
（ドレイン電極）をＡｌ等の不透明な金属薄膜から形成
し、半導体層３２への入射光（即ち、図７で上側からの
光）の入射を防ぐように構成してもよい。

【００７８】また、第１実施形態では、ＴＦＴ３０２及
び２０２はｐ−ＳｉタイプのＴＦＴであるので、ＴＦＴ
３０２及び２０２の形成時に同一薄膜形成工程でサンプ
リング回路２０１、プリチャ−ジ回路３０１、データ線
駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の同じｐ−Ｓ
ｉ ＴＦＴタイプのＴＦＴ等から構成された周辺回路を
形成できるので製造上有利である。

【００７９】更に、データ線駆動回路１０１及び走査線
駆動回路１０４は、例えば、ｎチャネル型ｐ−Ｓｉ Ｔ
ＦＴ及びｐチャネル型ｐ−Ｓｉ ＴＦＴから構成される
相補構造の複数のＴＦＴによりＴＦＴアレイ基板１上の
周辺部分に形成される。

【００８０】更にまた、図７には示されていないが、対
向基板２の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１
の投射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイス
テッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）
モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブルーＳＴＮ）モード等の動作
モ−ドや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラ
ックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィル
ム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【００８１】次に、図６に示す上記中継配線３０４が形
成されている部分のＡ−Ａ’断面構造について、図８を
用いて説明する。

【００８２】画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３との
間で絶縁を保ちつつＴＦＴ３０２のドレイン電極として
のデータ線３５とＴＦＴ２０２のドレイン電極としての
データ線３５とを接続するために形成される中継配線３
０４は、例えば、図８（１）に示すように第１層間絶縁
膜４１と第２層間絶縁膜４２との間の走査線３１が形成
される層と同一の層に形成することができる。このと
き、各データ線３５との層間接続は、コンタクトホール
３８により形成される。

【００８３】また、この他に、図８（２）に示すように
ＴＦＴアレイ基板１と第１層間絶縁層４１との間の遮光
膜４４が形成される層と同一の層に形成し、これと各デ
ータ線３５とを夫々コンタクトホール３８を用いて層間
接続するようにすることもできる。

【００８４】更に、低抵抗化を図るために、図８（３）
に示すようにＴＦＴアレイ基板１と第１層間絶縁層４１
との間の遮光膜４４が形成される層と同一の層に中継配
線３０４を形成すると共に、第１層間絶縁膜４１と第２
層間絶縁膜４２との間の走査線３１が形成される層と同
一の層に中継配線３０４’を形成し、当該中継配線３０
４’と各データ線３５とを夫々コンタクトホール３８で
層間接続すると共に、中継配線３０４と中継配線３０
４’とをコンタクトホール３８’で層間接続してもよ
い。

【００８５】更にまた、同様に低抵抗化を図るために、
図８（４）に示すように第１層間絶縁膜４１と第２層間
絶縁層４２との間の走査線３１が形成される層と同一の
層に中継配線３０４を形成すると共に、第３層間絶縁膜
４３の図８（４）中上部表面に中継配線３０４’を形成
し、当該中継配線３０４’と各データ線３５とを夫々コ
ンタクトホール３８’で層間接続すると共に、各データ
線３５と中継配線３０４とをコンタクトホール３８で層
間接続してもよい。なお、この場合には、中継配線３０
４’と第３層間絶縁膜４３の図８（４）中上部表面に、
更に第４層間絶縁膜４５を形成することが必要となる。

【００８６】（Ｃ）液晶装置の動作 次に、以上のように構成された液晶装置２００の動作に
ついて図１を参照して説明する。

【００８７】先ず、走査線駆動回路１０４は、所定タイ
ミングで走査線３１に走査信号をパルス的に線順次で印
加する。

【００８８】これと並行して、６つの画像信号入力線Ｖ
ＩＤ１乃至ＶＩＤ６から６相展開された６つのパラレル
な画像信号を受けると、サンプリング回路３０１は、こ
れらの画像信号をサンプリングする。

【００８９】一方、データ線駆動回路１０１は、走査線
駆動回路１０４がゲート電圧を印加するタイミングに合
わせて、６つの画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６夫
々について、一つのデータ線毎にサンプリング回路駆動
信号を供給してサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２
をオン状態とする。これにより、隣接する６つのデータ
線３５に対して、サンプリング回路３０１でサンプリン
グされた画像信号を順次印加する。即ち、データ線駆動
回路１０１とサンプリング回路３０１により、画像信号
入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６から入力された６相展開さ
れた６つのパラレルな画像信号は６相展開されて、デー
タ線３５に供給される。

【００９０】他方で、各画像信号に先行するタイミング
で、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号を各
データ線３５に供給する。より具体的には、プリチャー
ジ回路２０１は、プリチャージ信号をデータ線３５に書
き込むための電源をプリチャージ信号線２０４から受け
つつ、プリチャージ回路駆動信号縁２０６を介して入力
されるプリチャ−ジ回路駆動信号に応じてＴＦＴ２０２
をオン状態とし、プリチャージ信号をデータ線３５に書
き込む。

【００９１】そして、走査信号及び画像信号の両方が印
加されたＴＦＴ３０においては、そのソース領域及びチ
ャネル形成領域並びにドレイン領域を介して画素電極１
１に電圧が印加される。その後、この画素電極１１の電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁長
い時間だけ図示しない蓄積容量により維持される。

【００９２】なお、第１実施形態においては、液晶を交
流駆動するために、１フィールド又は１フレームといっ
た所定周期毎にデータ線３５におけるソース電圧の電圧
極性が反転されるが、上述のように各画像信号がＴＦＴ
３０に供給される前に、各データ線３５に、好ましくは
中間階調レベルの画素信号に相当するプリチャージ信号
が供給されているので、画像信号を書き込む際の負荷は
軽減されており、データ線３５の電位レベルは、前回に
印加された電圧レベルによらずに安定している。このた
め、今回の画像信号を各データ線３５に安定した電位に
より供給することができる。

【００９３】以上のように、画素電極１１に電圧が印加
されると、液晶層５０における画素電極１１と共通電極
２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化
し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、
ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に
応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体と
して液晶装置２００からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。

【００９４】以上説明したように、第１実施形態の液晶
装置２００によれば、プリチャージ回路２０１とサンプ
リング回路３０１との位置関係において、サンプリング
回路３０１の方が画像表示領域に近いので、画像表示領
域とサンプリング回路との間を低抵抗化することがで
き、画素電極１１に供給すべき画像信号が波形変形する
こと等を防止できる。

【００９５】また、相展開された画像信号を印加する複
数の画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６がプリチャー
ジ回路２０１が形成されている領域とサンプリング回路
３０１が形成されている領域との間のＴＦＴアレイ基板
１上に配置されているので、画像信号入力線ＶＩＤ１乃
至ＶＩＤ６からサンプリング回路３０１を介して画素電
極１１に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に
低抵抗化することができる。

【００９６】更に、ＴＦＴ２０２又はＴＦＴ３０２が、
Ｐチャネル型ＴＦＴ又はＮチャネル型ＴＦＴのうちいず
れか一方であるので、高速に画像信号又はプリチャージ
信号をデータ線に対して供給できる。

【００９７】更にまた、特にサンプリング回路３０１に
より多相展開された画像信号をサンプリングし、多相展
開してからデータ線３５に画像信号として供給するの
で、高周波数の画像信号を各データ線３５に所定のタイ
ミングで安定的に走査信号と同期して供給できる。

【００９８】また、画像信号に先行してプリチャージ回
路２０１からプリチャ−ジ信号が供給されているので、
コントラスト比の向上、データ線３５の電位レベルの安
定、表示画面上のラインむらの低滅等が図られ、液晶装
置２００の画像表示領域に高晶位の画像を表示すること
ができる。

【００９９】更に、上述したプリチャージ回路２０１を
含む液晶装置２００は、カラー液晶プロジェクタに適用
されるため、３つの液晶装置２００がＲＧＢ用のライト
バルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々ＲＧＢ色
分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色
の光が入射光として夫々入射されることになる。従っ
て、各実施形態では、対向基板２にカラーフィルタは設
けられていない。

【０１００】しかしながら、液晶装置２００においても
画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィ
ルタをその保護膜と共に対向基板２上に形成してもよ
い。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型
や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に第
１実施形態の液晶装置２００を適用できる。

【０１０１】また、上述の第１実施形態では、プリチャ
ージ回路２０１のＴＦＴ２０２又はサンプリング回路３
０１のＴＦＴ３０２が正スタガ型又はコプラナー型のｐ
−Ｓｉ ＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型の
ＴＦＴやａ−Ｓｉ ＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対し
ても、第１実施形態は有効である。

【０１０２】更に、液晶装置２００においては、一例と
して液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液
晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液
晶を用いれば、配向膜１２及び２２、並びに前述の偏光
フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まる
ことによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が
得られる。

【０１０３】更にまた、画素電極１１をＡｌ等の反射率
の高い金属膜により構成すれば、液晶装置２００を反射
型液晶装置に適用する場合に、電圧無印加状態で液晶分
子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピッ
ク）型液晶などを用いることができる。

【０１０４】更に、対向基板２０上に、一の画素に対し
て一つ対応するようにマイクロレンズを形成してもよ
い。このようにすれば、入射光の集光効率が向上し、よ
り明るい液晶パネルが実現できる。

【０１０５】更にまた、液晶装置２００においては、液
晶層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように
対向基板２の側に共通電極２１を設けているが、液晶層
５０に並行な電界（横電界）を印加するように一対の横
電界発生用の電極から画素電極１１を夫々構成する（即
ち、対向基板２の側には縦電界発生用の電極を設けるこ
となく、ＴＦＴアレイ基板１の側に横電界発生用の電極
を設ける）ことも可能である。このように横電界を用い
ると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有
利である。

【０１０６】（II）第２実施形態 次に、本発明に係る他の実施形態である第２実施形態に
ついて、図９及び図１０を用いて説明する。なお、図９
又は図１０において、夫々図１又は図６と同様の部材に
ついては、同一の部材番号を付して細部説明は省略す
る。また、第２実施形態においては、液晶装置２００全
体の構成は第１実施形態と同様であり、異なるのは、以
下に説明するプリチャージ回路及びサンプリング回路の
構成のみである。

【０１０７】上述の第１実施形態においては、サンプリ
ング回路３０１内の各ＴＦＴ３０２について、データ線
駆動回路１０１から夫々に一のサンプリング回路駆動信
号線３０６を接続する構成とし、更にプリチャージ回路
２０１内のＴＦＴ２０２についても、データ線駆動回路
１０１から夫々に一のプリチャージ回路駆動信号線２０
６ａと一のプリチャージ信号線２０４を接続する構成と
した。

【０１０８】これに対し、第２実施形態のプリチャージ
回路及びサンプリング回路においては、夫々に含まれる
ＴＦＴに対して信号を供給する複数の信号線を集中配置
することにより、ＴＦＴアレイ基板１上におけるサンプ
リング回路及びプリチャージ回路の占有面積を小面積化
している。

【０１０９】すなわち、図９に示すように、第２実施形
態の液晶装置２００’においては、第１実施形態と同様
に、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６を挟む形でサ
ンプリング回路３０１とプリチャージ回路２０１’とが
形成されており、更にプリチャージ回路２０１’に対し
てサンプリング回路３０１がより画像表示領域に近い位
置に形成されている。

【０１１０】そして、第１実施形態と同様の画像信号用
シフトレジスタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ
回路とを含むデータ線駆動回路１０１を含み、６個の隣
接するＴＦＴ３０２について、当該画像信号用シフトレ
ジスタ回路からの一のサンプリング回路駆動信号線３０
６を分岐して夫々のＴＦＴ３０２のゲート電極に接続す
る構成としている。そして、この構成によると、６個の
ＴＦＴ３０２が同時開け駆動されることとなる。

【０１１１】また、６個のＴＦＴ２０２について、プリ
チャージ専用シフトレジスタからの一のプリチャージ回
路駆動信号線２０６ａを分岐して夫々のＴＦＴ２０２の
ゲート電極に接続する構成となっている。そして、この
構成によっても、６個のＴＦＴ２０２が同時開け駆動さ
れることとなる。

【０１１２】更に、各ＴＦＴ３０２のソース電極には、
信号線３０３を介して対応する画像信号入力線ＶＩＤ１
乃至ＶＩＤ６が夫々接続され、夫々相展開された画像信
号を供給する構成となっている。

【０１１３】更にまた、各ＴＦＴ２０２については、相
隣接する二つのＴＦＴ２０２のソース電極を重複させ、
相互に後述する一のプリチャージ信号線２０４ａを共有
する構成となっている。

【０１１４】また、一のＴＦＴ３０２のドレイン電極と
対応するＴＦＴ２０２のドレイン電極は、一のデータ線
３５に接続されている。このとき、画像信号入力線ＶＩ
Ｄ１乃至ＶＩＤ６と平面的に重なるデータ線３５の部分
は、図８で例示したような中継配線３０４又は３０４’
とされている。

【０１１５】次に、第２実施形態のプリチャージ回路及
びサンプリング回路の具体的なパターンレイアウトにつ
いて、図１０を用いて説明する。

【０１１６】図１０に示すように、第２実施形態のプリ
チャージ回路２０１’では、相隣接する二つのＴＦＴ２
０２で一のソース電極を共有しており、当該一のソース
電極に一のプリチャージ信号線２０４ａが接続されてい
る。

【０１１７】また、相隣接する６個のＴＦＴ２０２のゲ
ート電極には、データ線駆動回路１０１’からの一のプ
リチャージ回路駆動信号線２０６ａが分岐されて夫々接
続されている。

【０１１８】更に、サンプリング回路３０１内の各ＴＦ
Ｔ３０２には、６個のＴＦＴ３０２のゲート電極につい
て、データ線駆動回路１０１’からの一のサンプリング
回路駆動信号線３０６が分岐されて夫々接続されてい
る。

【０１１９】このとき、各電極線と各ＴＦＴ３０２又は
ＴＦＴ２０２の夫々の電極領域とはコンタクトホール３
８により層間接続されている。

【０１２０】以上説明した第２実施形態の液晶装置２０
０’におけるサンプリング回路３０１とプリチャージ回
路２０１’の構成によれば、第１実施形態の液晶装置２
００の構成による効果に加えて、サンプリング回路３０
１及びプリチャージ回路２０１’により占有されるＴＦ
Ｔアレイ基板１上の領域を小面積化することができる。

【０１２１】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置２００を備えた電子機器の実施の形態について図
１７から図２０を参照して説明する。

【０１２２】先ず図１７に、このように液晶装置２００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１２３】図１７において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、上述した外部表示情報処理回路１００
２、前述の走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路
１０１を含む表示駆動回路１００４、液晶パネル１０、
クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備
えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯ
Ｍ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access
Memory）、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を
同調して出力する同調回路等を含んで構成され、クロッ
ク発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所
定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処
理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２
は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション
回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処
理回路を含んで構成されており、クロック発生回路１０
０８からのクロック信号に基づいて入力された表示情報
からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共
に表示駆動回路１００４に出力する。表示駆動回路１０
０４は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１
０１によって前述の駆動方法により液晶パネル１０を駆
動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源
を供給する。尚、液晶パネル１０を構成するＴＦＴアレ
イ基板の上に、表示駆動回路１００４を搭載してもよ
く、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載して
もよい。

【０１２４】このような構成の電子機器として、図１８
に示す液晶プロジェクタ、図１９に示すマルチメディア
対応のパーソナルコンピユータ（ＰＣ）及びエンジニア
リング・ワークステーション（ＥＷＳ）、あるいは携帯
電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型
又はモニタ直視型のビデオテーブレコーダ、電子手帳、
電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端
末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができ
る。

【０１２５】次に図１８から図２０に、このように構成
された電子機器の具体例を夫々示す。図１８において、
電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、投射
型の液晶プロジェクタであり、光源１１１０と、ダイク
ロイックミラー１１１３，１１１４と、反射ミラー１１
１５，１１１６，１１１７と、入射レンズ１１１８，リ
レーレンズ１１１９，出射レンズ１１２０と、液晶ライ
トバルブ１１２２，１１２３，１１２４と、クロスダイ
クロイックプリズム１１２５と、投射レンズ１１２６と
を備えて構成されている。液晶ライトバルブ１１２２，
１１２３，１１２４は、上述した駆動回路１００４がＴ
ＦＴアレイ基板上に搭載された液晶パネル１０を含む液
晶モジュールを３個用意し、夫々液晶ライトバルブとし
て用いたものである。また、光源１１１０はメタルハラ
イド等のランプ１１１１とランプ１１１１の光を反射す
るリフレクタ１１１２とからなる。

【０１２６】以上のように構成される液晶プロジェクタ
１１００においては、青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー１１１３は、光源１１１０からの白色光束の
うちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光と
を反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１１７で反
射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１１２２に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー１１１３で反射され
た色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラ
ー１１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバル
ブ１１２３に入射される。また、青色光は第２のダイク
ロイックミラー１１１４も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１
１８、リレーレンズ１１１９、出射レンズ１１２０を含
むリレーレンズ系からなる導光手段１１２１が設けら
れ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１
１２４に入射される。各ライトバルブにより変調された
３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１１２５に
入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合
わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光
を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。
これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され
て、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ１１２６によってスク
リーン１１２７上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。

【０１２７】図１９において、電子機器の他の例たるラ
ップトップ型のパーソナルコンピュータ１２００は、上
述した液晶パネル１０がトップカバーケース内に備えら
れた液晶ディスプレイ１２０６と、ＣＰＵ、メモリ、モ
デム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込ま
れた本体部１２０４とを有する。

【０１２８】また、図２０に示すように、液晶を２枚の
透明基板１３０４ａ，１３０４ｂの間に封入し、上述し
た駆動回路１００４をＴＦＴアレイ基板上に搭載した液
晶装置用基板１３０４を備え、当該液晶装置用基板１３
０４を構成する２枚の透明基板１３０４ａ，１３０４ｂ
の一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミドテーブ
１３２２にＩＣチップ１３２４を実装したＴＣＰ（Tape
Carrier Package）１３２０を接続して、電子機器用の
一部品である液晶装置として生産、販売、使用すること
もできる。

【０１２９】以上、図１８から図２０を参照して説明し
た電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー
型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナ
ビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、タッチパネルを備えた装置等が図２１に示した
電子機器の例として挙げられる。

【０１３０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネル
の駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッ
センス、プラズマディスプレ一装置にも適用可能であ
る。

【０１３１】本実施の形態によれば、小型であり、か
つ、十分なプリチャージ機能により画像信号の信号源の
負荷を著しく軽減し、安定した画像表示の可能な液晶装
置２００を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第２スイッチング手段と第３スイッチング手段との位置
関係において、画像信号を供給する第２スイッチング手
段の方が画像表示領域に近いので、画像表示領域と第２
スイッチング手段との間を低抵抗化することができ、画
素電極に供給すべき画像信号が波形変形すること等を防
止して鮮明な画像を得ることが出来る。

【０１３３】また、画像信号印加線が第２スイッチング
手段が形成されている領域と第３スイッチング手段が形
成されている領域の間の基板上に配置されているので、
画像信号印加線から第２スイッチング手段を介して画素
電極に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に低
抵抗化して鮮明な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態におけるＴＦＴアレイ基板上に形
成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。

【図２】液晶装置の全体構成を示す平面図である。

【図３】液晶装置の全体構成を示す断面図である。

【図４】液晶装置に設けられたプリチャージ回路を構成
するＴＦＴの回路図であり、（１）はｎチャネル型ＴＦ
Ｔの回路図であり、（２）ｐチャネル型ＴＦＴの回路図
である。

【図５】液晶装置に設けられたサンプリング回路を構成
するＴＦＴの回路図であり、（１）はｎチャネル型ＴＦ
Ｔの回路図であり、（２）ｐチャネル型ＴＦＴの回路図
である。

【図６】第１実施形態のプリチャージ回路の構成を示す
平面図である。

【図７】第１実施形態のプリチャージ回路の構成を示す
断面図である。

【図８】第１実施形態の中継配線の構成を示す断面図で
あり、（１）は中継配線の配置の第１例を示す断面図で
あり、（２）は中継配線の配置の第２例を示す断面図で
あり、（３）は中継配線の配置の第３例を示す断面図で
あり、（４）は中継配線の配置の第４例を示す断面図で
ある。

【図９】第２実施形態におけるＴＦＴアレイ基板上に形
成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。

【図１０】第２実施形態のプリチャージ回路の構成を示
す平面図である。

【図１１】電子機器の概要構成を示すブロック図であ
る。

【図１２】電子機器の一例としての液晶プロジェクタの
構成を示す断面図である。

【図１３】電子機器の一例としてのパーソナルコンピュ
ータの外観を示す正面図である。

【図１４】電子機器の一例としてのページャの構成を示
す分解斜視図である。

【図１５】電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液晶
装置の外観を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板 ２…対向基板 １１…画素電極 １２…配向膜 ２１…共通電極 ２２…配向膜 ３０、２０２、２０２ａ、２０２ｂ、３０２、３０２
ａ、３０２ｂ…ＴＦＴ３１…走査線（ゲート電極） ３２…半導体層 ３３…ゲート絶縁層 ３４…ソース領域 ３５…データ線（ソース電極） ３６…ドレイン領域 ３８、３８’…コンタクトホール ４１…第１層間絶縁層 ４２…第２層間絶縁層 ４３…第３層間絶縁層 ４５…第４層間絶縁層 ５０…液晶層 ５２…シール材 １０１、１０１’…データ線駆動回路 １０２…実装端子 １０４…走査線駆動回路 ２００、２００’…液晶装置 ２０１、２０１’…プリチャージ回路 ２０４、２０４ａ…プリチャージ信号線 ２０６、２０６ａ…プリチャージ回路駆動信号線 ３０１…サンプリング回路 ３０４、３０４’…中継配線 ３０６…サンプリング回路駆動信号線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像信号が供給される複数のデータ線
   と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記各デー
   タ線及び前記各走査線に接続された第１スイッチング手
   段と、各第１スイッチング手段に接続された画素電極と
   を備えた電気光学装置であって、 前記画像信号をサンプリングして前記データ線に供給す
   るための第２スイッチング手段を有するサンプリング回
   路と、 前記データ線に前記画像信号を供給するためのサンプリ
   ング期間に先だってプリチャージ信号を前記データ線に
   供給するための第３スイッチング手段を有するプリチャ
   ージ回路とを具備し、 前記画素電極が形成されている画像表示領域と、前記プ
   リチャージ回路との間に前記サンプリング回路が配置さ
   れてなることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記第３スイッチング手段は、薄膜トラ
   ンジスタであると共に、前記プリチャージ信号線から延
   設された供給線が該薄膜トランジスタのソース電極に電
   気的に接続され、前記データ線が該薄膜トランジスタの
   ドレイン電極に電気的に接続されていることを特徴とす
   る請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第２スイッチング手段は、薄膜トラ
   ンジスタであると共に、前記画像信号線から延設された
   中継線が該薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接
   続され、前記データ線が該薄膜トランジスタのドレイン
   電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項
   １または２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記第３スイッチング手段は、少なくと
   もＰチャネル型トランジスタまたはＮチャネル型トラン
   ジスタで構成されていることを特徴とする請求項１及至
   請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記第２スイッチング手段は、少なくと
   もＰチャネル型トランジスタまたはＮチャネル型トラン
   ジスタで構成されていることを特徴とする請求項１及至
   請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
   記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機
   器。