JPH11265162A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 走査方向を反転させる場合でも色むら等のコ
ントラストむらに起因する画像不良を発生させることの
ない電気光学装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１上に、プリチャージ
回路駆動信号線２０６とプリチャージ信号線２０４を、
データ線駆動回路１０１及び画素領域を取り囲むように
引き回し、プリチャージ回路２０１の両側からこれらの
信号線を接続する。そして、前記基板１には外部の信号
源との接続を図る信号供給接点１０３ａ，１０３ｂ，１
０３ｃ，１０３ｄを設け、プリチャージ回路駆動信号線
２０６とプリチャージ信号線２０４の夫々の両端を信号
供給接点１０３ａ，１０３ｄ，１０３ｂ，１０３ｃに接
続し、夫々両側からプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ及
びプリチャージ信号ＮＲＳを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ 以下、ＴＦＴと称す ）によるアクティブマトリクス
駆動方式の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技
術分野に属し、特に、サンプリング回路及びプリチャー
ジ回路が基板に形成される構成の電気光学装置及びこれ
を用いた電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶装置においては、縦横に夫々配列
された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点
に対応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に設け
られている。そして、これらに加えて、サンプリング回
路、プリチャージ回路、走査線駆動回路、データ線駆動
回路などのＴＦＴを構成要素とする各種の周辺回路が、
このようなＴＦＴアレイ基板上に設けられる場合があ
る。

【０００３】これらの周辺回路のうち、サンプリング回
路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミ
ングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画
像信号をサンプリングする回路である。

【０００４】プリチャージ回路は、コントラスト比の向
上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のライン
むらの低減等を目的として、データ線に対し、データ線
駆動回路から上述のサンプリング回路を介して又は直接
に供給される画像信号に先行するタイミングで、プリチ
ャージ信号（画像補助信号）を供給することにより、画
像信号をデータ線に書き込む際の負荷を軽減する回路で
ある。特に液晶を交流駆動するために通常行われるデー
タ線の電圧極性を所定周期で反転して駆動する方式、例
えば一水平走査期間毎にデータ線の電圧極性を反転して
駆動する所謂１Ｈ反転駆動方式等においては、プリチャ
ージ信号をデータ線に予め書き込んでおけば、画像信号
をデータ線に書き込む際に必要な電荷量を顕著に少なく
できる。例えば、特開平７−２９５５２０号公報に、こ
のようなプリチャージ回路の一例が開示されている。

【０００５】以上のように、サンプリング回路やプリチ
ャージ回路などの周辺回路をＴＦＴアレイ基板上に設け
ることにより、駆動装置等のハードウエア資源にかかる
負担を軽減しながら、高品位画像の表示が可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記プ
リチャージ信号はプリチャージ信号線に、また画像信号
は画像信号線に供給されるが、これらの信号線は前記プ
リチャージ回路あるいはサンプリング回路のＴＦＴ導通
時において、当該ＴＦＴを介して多数のデータ線と接続
されるため、非常に大きな配線容量が付加されることに
なる。しかも、前記プリチャージ信号あるいは画像信号
は当該プリチャージ信号線あるいは画像信号線の片側か
らしか供給されていないため、前記プリチャージ信号線
または画像信号線の終端側ほど、信号遅延が顕著になる
という問題があった。

【０００７】従来の構成では、前記プリチャージ信号線
または画像信号線は、ＴＦＴアレイ基板の外部回路接続
端子との接点を始端として、多数のデータ線の配列方向
に沿うように、また、走査線とほぼ平行に、例えばＴＦ
Ｔアレイ基板の左側から右側へと引き回され、その終端
は最右端のデータ線に接続されたプリチャージ回路ある
いはサンプリング回路のＴＦＴと接続されている。従っ
て、特に一度に全てのデータ線に対してプリチャージ信
号を供給するような構成、あるいはシリアル−パラレル
変換により一度に複数のデータ線に対して画像信号を供
給するような構成においては、前記プリチャージ信号線
または画像信号線には、プリチャージ回路またはサンプ
リング回路のＴＦＴを介して多数のデータ線が接続され
ることになり、それによる配線容量の増大はプリチャー
ジ信号線または画像信号線の終端側ほど顕著なものとな
る。

【０００８】その結果、前記外部回路接続端子から供給
されるプリチャージ信号または画像信号は、前記プリチ
ャージ信号線または画像信号線の終端側ほど遅延が大き
くなり、プリチャージ信号または画像信号に基づいてデ
ータ線に書き込まれる電荷量は、左右のデータ線で差が
生じ、画像表示領域の左右でコントラストに差が生じる
という問題があった。

【０００９】特に、画素ピッチを微細化して、高精細な
表示を可能にした液晶装置においては、データ線の本数
も相当数に達するため、プリチャージ信号を供給する回
路の負荷が増大し、上述した信号の遅延及び劣化はより
一層著しいものとなる。

【００１０】また、このコントラスト差は、１枚の液晶
装置単独ではそれ程目立たない程度のものであるが、２
枚または３枚等の複数枚の液晶装置を用いる複板式の液
晶プロジェクタのように、１枚だけデータ線駆動回路の
走査方向が左右反転した液晶装置を用いる場合には、複
数枚の液晶装置を組み合わせた時にコントラストのむら
が１枚だけ逆方向に発生するため、色むらとなって認識
されてしまうといった問題があった。

【００１１】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、走査方向を反転させる場合でも色むら等のコ
ントラストむらに起因する画像不良を発生させることの
ない液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供
することを課題とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の電気光
学装置は前記課題を解決するために、基板に画像信号が
供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複
数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に接続
された第１スイッチング手段と、前記第１スイッチング
手段に接続された画素電極とを備えた電気光学装置であ
って、画像信号線に供給された前記画像信号をサンプリ
ングして前記データ線に供給するための第２スイッチン
グ手段を有するサンプリング回路と、前記データ線に前
記画像信号を供給するためのサンプリング期間に先だっ
てプリチャージ信号線に供給されたプリチャージ信号を
プリチャージ回路駆動信号線のプリチャージ回路駆動信
号に基づいて前記データ線に供給するための第３スイッ
チング手段を有するプリチャージ回路とを具備し、前記
プリチャージ信号線は、前記複数のデータ線の配列方向
の両側から前記プリチャージ回路に接続されるように前
記基板に引き回されていることを特徴とする。

【００１３】請求項１に記載の電気光学装置によれば、
先ず第３スイッチング手段が夫々導通状態になると、プ
リチャージ回路により、プリチャージ信号は、画像信号
に先行して複数のデータ線に夫々供給される。そして、
各データ線にプリチャージ信号としての電荷が供給され
ると、その電荷量に応じた分だけ、その後当該データ線
を介して画素電極に供給される画像信号の電荷量は少な
くて済む。特に１水平走査期間ごとに画像信号の極性
（信号の位相）を反転させる駆動方式のように、各画素
に対して電圧極性を反転させて画像信号を供給する場合
には、このようなプリチャージ信号の供給による画像信
号に必要な電荷量の減少は顕著となる。次に、複数の第
１スイッチング手段は、例えばそのゲート電極に入力さ
れる走査信号に応じて、データ線と画素電極との間（例
えば、ソース・ドレイン間）における導通状態及び非導
通状態を夫々制御する。そして、この第１スイッチング
手段が、例えば走査信号が供給された際にこの間を導通
状態とすると、サンプリング回路からの画像信号がデー
タ線を介して当該画素電極に書き込まれる。すると、例
えば画素電極に印加された液晶印加電圧に応じて、対応
する液晶部分の配向状態が変化する。複数の走査線への
走査信号の供給と、複数のデータ線へのプリチャージ信
号と画像信号の供給に応じて、各画素電極には所定印加
電圧が線順次、点順次の所定の順序で供給される。この
結果、当該電気光学装置において複数の画素電極により
規定される画像表示領域には、例えば液晶装置の場合、
液晶の配向状態の変化の分布により画像信号に対応する
画像が表示される。

【００１４】ここで、上述したプリチャージ信号を伝搬
するプリチャージ信号線は、前記複数のデータ線の配列
方向の両側から前記サンプリング回路または前記プリチ
ャージ回路に接続されるように前記基板上に引き回され
ている。

【００１５】従って、前記第３スイッチング手段が夫々
導通状態となり、前記プリチャージ信号線に付加される
前記複数のデータ線の配設容量が増大し、前記データ線
の配列方向の一方の側から他方の側への伝搬においては
信号遅延が生じ得る場合でも、当該他方の側から同じ信
号が供給されることになるので、全てのデータ線におい
て信号遅延を抑えてプリチャージ信号が書き込まれるこ
とになる。

【００１６】その結果、例えば液晶装置単体においてコ
ントラストのむらが無くなるため、複数枚の電気光学装
置を組み合わせた場合においても合成される画像に色む
らを抑えることができる。

【００１７】請求項２に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ信号線は、異なる信号供給接点に夫々接続さ
れていることを特徴とする。

【００１８】請求項２に記載の電気光学装置によれば、
基板上に別々に設けられた異なる信号供給接点には、夫
々前記プリチャージ信号線の一端が接続されており、他
端は前記配列方向の両側から前記プリチャージ回路に接
続されている。従って、外部の信号源から夫々の信号供
給接点にプリチャージ信号が供給されると、プリチャー
ジ信号は、前記複数のデータ線の配列方向の両側から前
記プリチャージ回路に接続された前記プリチャージ信号
線により伝搬され、前記両側から前記プリチャージ回路
に供給される。従って、画素の高精細化が図られ、デー
タ線及び第３スイッチング手段の数が増大して、当該プ
リチャージ信号線に付加される配線容量が増大し、前記
データ線の配列方向の一方の側から他方の側への伝搬に
おいては信号遅延が生じ得る場合でも、前記信号供給接
点を介して当該他方の側から同じ信号が供給されること
になるので、全てのデータ線に信号遅延を生じさせるこ
となくプリチャージ信号が書き込まれることになる。そ
の結果、各データ線の電位は一様に所望の電位となり、
良好に画像信号が書き込まれることになる。従って、コ
ントラストのむらを抑えることができる。

【００１９】請求項３に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ信号線は、前記データ線と同様に低抵抗な金
属膜あるいは金属合金膜で、かつ前記データ線と同一工
程で形成されることを特徴とする。

【００２０】請求項３に記載の電気光学装置によれば、
前記プリチャージ信号線はデータ線と同様に低抵抗な金
属あるいは金属合金膜で形成されているため、プリチャ
ージ信号線を上述したようにプリチャージ回路の両側に
接続するように引き回す場合でも、工程を増やすことな
く比較的容易に電気光学装置を製造することができる。

【００２１】請求項４に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ回路駆動信号線は、前記複数のデータ線の配
列方向の両側から前記プリチャージ回路に接続されるよ
うに前記基板に引き回されていることを特徴とする。

【００２２】請求項４に記載の電気光学装置によれば、
前記プリチャージ回路の第３スイッチング手段に対する
駆動信号はプリチャージ回路駆動信号線により伝搬され
ることになるが、このプリチャージ回路駆動信号線は前
記プリチャージ信号線とともに前記複数のデータ線の配
列方向の両側から前記プリチャージ回路に接続されるよ
うに前記基板上にて引き回されている。従って、画素の
高精細化が図られ、データ線及び第３スイッチング手段
の数が増大して、当該プリチャージ回路駆動信号線に付
加される配線容量が増大し、前記データ線の配列方向の
一方の側から他方の側への伝搬においては信号遅延が生
じ得る場合でも、当該他方の側から同じ信号が供給され
ることになるので、全てのデータ線に信号遅延を生じさ
せることなくプリチャージ信号が書き込まれることにな
る。その結果、各データ線の電位は一様に所望の電位と
なり、良好に画像信号が書き込まれることになる。従っ
て、コントラストのむらを抑えることができる。

【００２３】請求項５に記載の電気光学装置は、基板に
画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供
給される複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走
査線に接続された第１スイッチング手段と、前記第１ス
イッチング手段に接続された画素電極とを備えた電気光
学装置であって、画像信号線に供給された前記画像信号
をサンプリングして前記データ線に供給するための第２
スイッチング手段を有するサンプリング回路と、前記デ
ータ線に前記画像信号を供給するためのサンプリング期
間に先だってプリチャージ信号をプリチャージ回路駆動
信号線のプリチャージ回路駆動信号に基づいて前記デー
タ線に供給するための第３スイッチング手段を有するプ
リチャージ回路とを具備し、前記プリチャージ回路駆動
信号線は、前記複数のデータ線の配列方向の両側から前
記プリチャージ回路に接続されるように前記基板に引き
回されていることを特徴とする。

【００２４】請求項５に記載の電気光学装置によれば、
上述したように、画素の高精細化が図られ、データ線及
び第３スイッチング手段の数が増大して、当該プリチャ
ージ回路駆動信号線に付加される配線容量が増大し、前
記データ線の配列方向の一方の側から他方の側への伝搬
においては信号遅延が生じ得る場合でも、当該他方の側
から同じ信号が供給されることになるので、全てのデー
タ線に信号遅延を抑えてプリチャージ信号が書き込まれ
ることになる。その結果、各データ線の電位は一様に所
望の電位となり、良好に画像信号が書き込まれることに
なる。従って、コントラストのむらを抑えることができ
る。

【００２５】請求項６に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ回路駆動信号線は、異なる信号供給接点に夫
々接続されていることを特徴とする。

【００２６】請求項６に記載の電気光学装置によれば、
異なる信号供給接点には、夫々前記プリチャージ回路駆
動信号線の一端が接続されており、他端は前記配列方向
の両側から前記プリチャージ回路に接続されている。従
って、外部の信号源から夫々の信号供給接点にプリチャ
ージ回路駆動信号が供給されると、プリチャージ回路駆
動信号は、前記複数のデータ線の配列方向の両側から前
記プリチャージ回路に接続された前記プリチャージ回路
駆動信号線により伝搬され、前記両側から前記プリチャ
ージ回路に供給される。従って、画素の高精細化が図ら
れ、データ線及び第３スイッチング手段の数が増大し
て、当該プリチャージ回路駆動信号線に付加される配線
容量が増大し、前記データ線の配列方向の一方の側から
他方の側への伝搬においては信号遅延が生じ得る場合で
も、前記信号供給接点を介して当該他方の側から同じ信
号が供給されることになるので、全てのデータ線に信号
遅延を抑えてプリチャージ回路駆動信号が書き込まれる
ことになる。その結果、各データ線の電位は一様に所望
の電位となり、良好に画像信号が書き込まれることにな
る。従って、コントラストのむらを抑えることができ
る。

【００２７】請求項７に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ回路駆動信号線は、前記データ線と同様に低
抵抗な金属膜あるいは金属合金膜で、かつ前記データ線
と同一工程で形成されることを特徴とする。

【００２８】請求項７に記載の電気光学装置によれば、
前記プリチャージ回路駆動信号線はデータ線と同様に低
抵抗な金属あるいは金属合金膜で形成されているため、
プリチャージ回路駆動信号線を上述したようにプリチャ
ージ回路の両側に接続するように引き回す場合でも、工
程を増やすことなく比較的容易に電気光学装置を製造す
ることができる。

【００２９】請求項８に記載の電気光学装置は、前記サ
ンプリング回路の前記第２スイッチング手段を前記デー
タ線の配列方向または逆方向に順次駆動するための双方
向シフトレジスタを有するデータ線駆動回路を更に備え
たこと特徴とする。

【００３０】請求項８によれば、データ線駆動回路は、
双方向シフトレジスタを有しているため、駆動信号は、
データ線の配列方向に沿って一方の側から他方の側へと
転送され、あるいは、当該他方の側から前記一方の側へ
と転送される。転送方向が何れの方向になった場合でも
同じ条件で駆動信号を供給することが可能となる。従っ
て、反転表示等が行われる場合でも、コントラストのむ
らを抑えることができる。

【００３１】請求項９に記載の電気光学装置は、前記プ
リチャージ回路は、前記データ線駆動回路及びサンプリ
ング回路と共に前記データ線の同じ側に設置され、前記
プリチャージ回路駆動信号線には、前記第２スイッチン
グ手段の導通タイミングに先行して前記第３スイッチン
グ手段を導通させるプリチャージ回路駆動信号が供給さ
れることを特徴とする。

【００３２】請求項９に記載の電気光学装置によれば、
前記プリチャージ回路は、前記データ線駆動回路及びサ
ンプリング回路と共に前記データ線の同じ側に設置され
ているので、例えばサンプリング回路とプリチャージ回
路とを並列に接続したり、あるいはサンプリング回路と
プリチャージ回路に対する駆動信号を、何れも前記デー
タ線駆動回路から供給するように構成すれば、非画素領
域の有効利用が図られ、電気光学装置の小型化を実現す
る。そして、このような各駆動信号を供給する回路の共
通化を図った場合でも、プリチャージ信号は常に画像信
号よりも先行してデータ線に書き込む必要がある。そこ
で、前記サンプリング回路の複数の第３スイッチング手
段に対する駆動信号を伝搬するプリチャージ回路駆動信
号線には、前記第２スイッチング手段の導通タイミング
に先行して前記データ線の線順次に前記第３スイッチン
グ手段を導通させるプリチャージ回路駆動信号が供給さ
れる。これにより、プリチャージ回路の第３スイッチン
グ手段は、常にサンプリング回路の第２スイッチング手
段よりも先行して導通することになり、適切にプリチャ
ージ信号の前記データ線への書き込みが行われることに
なる。また、このように構成した場合には、前記データ
線駆動回路の転送方向によってプリチャージ信号の書き
込まれるデータ線の順序が変わることになるが、上述し
たように、前記プリチャージ信号は前記プリチャージ回
路の両側から供給されているため、何れの転送方向でも
同じ条件でデータ線に書き込まれることになる。従っ
て、コントラストのむらを抑えることができる。

【００３３】請求項１０に記載の電気光学装置は、前記
サンプリング回路の前記第２スイッチング手段を、前記
データ線の配列方向まはた逆方向に順次駆動する双方向
シフトレジスタと、前記プリチャージ回路の前記第３ス
イッチング手段を前記データ線の配列方向または逆方向
に順次駆動する双方向シフトレジスタとを有するデータ
線駆動回路を含むことを特徴とする。

【００３４】請求項１０に記載の電気光学装置によれ
ば、前記サンプリング回路の前記第２スイッチング手段
は、前記データ線駆動回路から出力され、前記データ線
の配列方向まはた逆方向に順次転送される駆動信号に基
づいて、前記データ線毎、或いは複数のデータ線をグル
ープ毎に順次に導通状態となるが、前記プリチャージ回
路の前記第３スイッチング手段も、前記データ線駆動回
路から出力され、前記データ線の配列方向まはた逆方向
に順次転送される駆動信号に基づいて、前記データ線の
線順次に導通状態とされる。従って、プリチャージ信号
が書き込まれる前記データ線の順序は、前記転送方向に
よって変わることになるが、上述したように、前記プリ
チャージ信号は、前記データ線の配列方向の両側から前
記プリチャージ回路に供給されているため、転送方向が
何れの方向であっても、前記データ線に同じ条件で書き
込まれることになる。その結果、反転表示等が行われる
場合でも、確実かつ良好にプリチャージを行い、コント
ラストのむらを抑えることができる。

【００３５】請求項１１に記載の電気光学装置は、前記
プリチャージ回路は、前記データ線を介して前記データ
線駆動回路及びサンプリング回路の反対側に設置され、
前記プリチャージ回路駆動信号線には、水平帰線期間に
一括して前記第３スイッチング素子を導通させるプリチ
ャージ回路駆動信号が供給されることを特徴とする。

【００３６】請求項１１に記載の電気光学装置によれ
ば、前記プリチャージ回路は、前記データ線を介して前
記データ線駆動回路及びサンプリング回路の反対側に設
置されているため、電気光学装置の非画素領域を有効に
活用することができ、電気光学装置の小型化を実現す
る。しかし、このような配置では、前記データ線駆動回
路からの線順次の出力信号を用いることが困難である。
そこで、前記データ線の配列方向における両側から当該
プリチャージ回路に接続されているプリチャージ回路駆
動信号線に対し、水平帰線期間に一括して当該プリチャ
ージ回路の全ての前記第３スイッチング手段を導通させ
るプリチャージ回路駆動信号を供給する。これにより、
プリチャージ回路駆動信号線には全てのデータ線の配線
容量が付加されることになるが、上述したように、プリ
チャージ回路駆動信号線は、前記プリチャージ回路の両
側から接続されており、前記プリチャージ回路駆動信号
は、前記第３スイッチング手段に前記両側から供給され
ることになる。従って、データ線の一方の側から他方の
側に対しては信号遅延が生じ得る状況においても、当該
他方の側から前記一方の側に対してプリチャージ信号が
供給されるので、全てのデータ線にほぼ同じ条件でプリ
チャージ信号が書き込まれ、コントラストのむらを抑え
ることができる。

【００３７】請求項１２に記載の電気光学装置は、前記
画像信号線は、前記複数のデータ線の配列方向の両側か
ら前記サンプリング回路に接続されるように前記基板に
引き回されていることを特徴とする。

【００３８】請求項１２に記載の電気光学装置によれ
ば、前記第２スイッチング手段が夫々導通状態となり、
前記画像信号線に付加される前記複数のデータ線の配設
容量が増大し、前記データ線の配列方向の一方の側から
他方の側への伝搬においては信号遅延が生じ得る場合で
も、当該他方の側から同じ信号が供給されることになる
ので、全てのデータ線において信号遅延を抑えて前記画
像信号が書き込まれることになる。その結果、例えば液
晶装置単体においてコントラストのむらが無くなるた
め、複数枚の電気光学装置を組み合わせた場合において
も合成される画像に色むらを抑えることができる。

【００３９】請求項１３に記載の電気光学装置は、基板
上に画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号
が供給される複数の走査線と、前記各データ線及び前記
各走査線に接続された第１スイッチング手段と、前記第
１スイッチング手段に接続された画素電極とを備えた電
気光学装置であって、画像信号線に供給された前記画像
信号をサンプリングして前記データ線に供給するための
第２スイッチング手段を有するサンプリング回路とを具
備し、前記画像信号線は、前記複数のデータ線の配列方
向の両側から前記サンプリング回路に接続されるように
前記基板に引き回されていることを特徴とする。

【００４０】請求項１３に記載の電気光学装置によれ
ば、前記第２スイッチング手段が夫々導通状態となり、
前記画像信号線に付加される前記複数のデータ線の配設
容量が増大し、前記データ線の配列方向の一方の側から
他方の側への伝搬においては信号遅延が生じ得る場合で
も、当該他方の側から同じ信号が供給されることになる
ので、データ線において信号遅延を抑えて前記画像信号
が書き込まれることになる。その結果、例えば液晶装置
単体においてコントラストのむらを抑えることができる
ため、複数枚の電気光学装置を組み合わせた場合におい
ても合成される画像に色むらを抑えることができる。

【００４１】請求項１４に記載の電気光学装置は、前記
画像信号線は、前記配列方向の夫々の側に対応して別々
に設けられた異なる信号供給接点に夫々接続されてなる
ことを特徴とする。

【００４２】請求項１４に記載の電気光学装置によれ
ば、前記データ線の配列方向の夫々の側に対応して、前
記基板上に別々に設けられた異なる信号供給接点には、
夫々前記画像信号線の一端が接続されており、他端は前
記配列方向の両側から前記サンプリング回路に接続され
ている。従って、外部の信号源から夫々の信号供給接点
に画像信号が供給されると、当該画像信号は、前記複数
のデータ線の配列方向の両側から前記サンプリング回路
に接続された画像信号線により伝搬され、前記両側から
前記サンプリング回路に供給される。従って、画素の高
精細化が図られ、データ線及び第２スイッチング手段並
びに第３スイッチング手段の数が増大して、当該画像信
号線に付加される配線容量が増大し、前記データ線の配
列方向の一方の側から他方の側への伝搬においては信号
遅延が生じ得る場合でも、前記信号供給接点を介して当
該他方の側から同じ信号が供給されることになるので、
データ線に信号遅延を抑えて画像信号が書き込まれるこ
とになる。その結果、各データ線には良好に画像信号が
書き込まれることになる。従って、コントラストのむら
を抑えることができる。

【００４３】請求項１５に記載の電気光学装置は、前記
サンプリング回路の前記第２スイッチング手段を前記デ
ータ線の配列方向または逆方向に順次駆動するための双
方向シフトレジスタを有するデータ線駆動回路をさらに
備えたことを特徴とする。

【００４４】請求項１５に記載の電気光学装置によれ
ば、データ線駆動回路により順次に出力される駆動信号
により、前記サンプリング回路の前記第２スイッチング
手段が前記線順次に導通状態となり、次々に画像信号が
データ線に書き込まれることになる。そして、このデー
タ線駆動回路は、双方向シフトレジスタを有しているた
め、前記駆動信号は、前記データ線の配列方向に沿って
一方の側から他方の側へと転送され、あるいは、当該他
方の側から前記一方の側へと転送される。従って、前記
第２スイッチング手段が導通状態となる順序も、この駆
動信号の転送方向に応じて変わることになるが、上述し
たように、前記画像信号は前記データ線の配列方向にお
ける両側から前記サンプリング回路に供給されるため、
転送方向が何れの方向になった場合でも同じ条件で書き
込まれることになる。従って、反転表示等が行われる場
合でも、コントラストのむらを抑えることができる。

【００４５】請求項１６に記載の電子機器は前記課題を
解決するために、上述の何れか一項に記載の電気光学装
置を備えて構成されることを特徴とする。

【００４６】請求項１６に記載の電子機器によれば、電
子機器は、上述した本願発明の電気光学装置を備えてお
り、コントラストむらのない画像表示等が可能である。
更に、複数の液晶装置を組み合わせて画像を合成するよ
うな場合でも、コントラストむらがないため、例えばカ
ラーの光源を用いた場合に色むらを抑えて、良好な表示
を行うことができる。従って、高精細で、高品位の画像
表示が行える。

【００４７】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００４９】（液晶装置の構成）電気光学装置の一例で
ある液晶装置の実施の形態の構成について図１から図５
に基づいて説明する。

【００５０】先ず、液晶装置の全体構成について、図１
から図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の実施
の形態におけるＴＦＴアレイ基板上に設けられた各種配
線、周辺回路等の構成を示すブロック図であり、図２
は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素
と共に対向基板の側から見た平面図であり、図３は、対
向基板を含めて示す図２のＨ−Ｈ’断面図である。

【００５１】図１において、液晶装置２００は、例えば
石英基板、ハードガラス、シリコン基板等からなるＴＦ
Ｔアレイ基板１を備えている。ＴＦＴアレイ基板１上に
は、マトリクス状に設けられた複数の画素電極１１と、
Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸び
るデータ線３５と、Ｙ方向に複数配列されており夫々が
Ｘ方向に沿って伸びる走査線３１と、各データ線３５と
画素電極１１との間に夫々介在すると共に該間における
導通状態及び非導通状態を、走査線３１を介して夫々供
給される走査信号に応じて夫々制御するスイッチング素
子の一例としての複数のＴＦＴ３０とが形成されてい
る。またＴＦＴアレイ基板１上には、画素電極１１に付
加する蓄積容量７０のための配線である容量線３１’
が、走査線３１に沿ってほぼ平行に形成されている。但
し、容量線３１’は走査線３１と平行に形成するだけで
なく、前段の走査線下を利用して蓄積容量を形成しても
良い。なお、本実施形態においては、容量線３１’は定
電位線８０を介して負電源ＶＳＳＹに接続されている。
このように、ＴＦＴアレイ基板１上の周辺回路の電源等
の定電位線８０を利用すれば、容量線３１’に定電位を
供給するための引き回し配線及び該配線に接続された外
部回路接続端子を設ける必要がないため、外部回路接続
端子数の削減が図れ、液晶装置２００の小型化が実現で
きる。

【００５２】ＴＦＴアレイ基板１上には更に、複数のデ
ータ線３５に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像
信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路２０１
と、画像信号をサンプリングして複数のデータ線３５に
夫々供給するサンプリング回路３０１と、データ線駆動
回路１０１と、走査線駆動回路１０４とが形成されてい
る。

【００５３】走査線駆動回路１０４は、図２に示す外部
回路接続端子１０２を介して外部制御回路（図示せず）
から供給される電源ＶＤＤＹ，ＶＳＳＹ、基準クロック
信号ＣＬＹ及び反転信号ＣＬＹ_INV 、並びにスタート信
号ＤＹ等に基づいて、所定タイミングで走査線３１に走
査信号をパルス的に線順次で印加する回路である。

【００５４】データ線駆動回路１０１は、図２に示す外
部回路接続端子１０２を介して外部制御回路（図示せ
ず）から供給される電源ＶＤＤＸ，ＶＳＳＸ、基準クロ
ック信号ＣＬＸ及び反転信号ＣＬＸ_INV 、スタート信号
ＤＸ等に基づいて、走査線駆動回路１０４が走査信号を
印加するタイミングに合わせて、サンプリング回路駆動
信号を供給する回路である。当該サンプリング回路駆動
信号は、サンプリング回路駆動信号線３０６を介してサ
ンプリング回路３０１に供給され、当該サンプリング回
路３０１によりデータ線３５毎に画像信号ＶＩＤ１〜Ｖ
ＩＤ６の何れかがサンプリングされて書き込まれる。

【００５５】プリチャージ回路２０１は、スイッチング
素子であるＴＦＴ２０２を各データ線３５毎に備えてお
り、 これらのＴＦＴ２０２のソース電極にはプリチャ
ージ信号線２０４が接続され、また、 これらのＴＦＴ
２０２のゲート電極にはプリチャージ回路駆動信号線２
０６が接続されている。特に、本実施形態においては、
プリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路駆動信
号線２０６は、外部回路接続端子１０２との接続を図る
ために、図１に示すように夫々接点１０３ａ，１０３ｄ
及び接点１０３ｂ，１０３ｃに接続されており、データ
線駆動回路１０１及び画像表示領域を取り囲むように引
き回されている。そして、外部制御回路からは、外部回
路接続端子１０２を介して接点１０３ａと接点１０３ｄ
の双方に同じプリチャージ信号ＮＲＳが供給され、か
つ、接点１０３ｂと接点１０３ｃに対しても同じプリチ
ャージ回路駆動信号ＮＲＧが供給されるように構成され
ている。このような構成により、プリチャージ回路２０
１のＴＦＴ２０２には、図１において画像表示領域の左
右両側からプリチャージ信号及びプリチャージ回路駆動
信号が供給されることになり、全てのＴＦＴ２０２が同
時に導通し、プリチャージ信号線２０４及びプリチャー
ジ回路駆動信号線２０６に対してデータ線３５の大きな
配線容量が付加されたとしても、データ線の配列位置に
拘わらずに信号遅延の問題を無くすことができる。尚、
プリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路駆動信
号線２０６のうち少なくとも何れか一方の信号線につい
て、プリチャージ回路２０１の初段及び終段から同じ信
号が供給されるような構成を採れば、画面の左右で生じ
るコントラストのむらに効果があることは言うまでもな
い。詳しくは後述する。

【００５６】一方、サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ
３０２を各データ線３５毎に備えており、各ＴＦＴ３０
２のソース電極には画像信号線３０４が接続されてい
る。また、各ＴＦＴ３０２のゲート電極にはサンプリン
グ回路駆動信号線３０６が接続されている。従って、デ
ータ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線
３０６を介してサンプリング回路駆動信号が入力された
ＴＦＴ３０２は導通状態となり、外部制御回路から画像
信号線３０４を介して供給される画像信号ＶＩＤ１〜Ｖ
ＩＤ６が各データ線３５に書き込まれることになる。

【００５７】なお、本実施形態では、画像信号を各デー
タ線３５ごとに供給するように構成したが、本発明はこ
れらに限られるものではなく、他の駆動方法として、例
えば隣接する６つのＴＦＴ３０２のゲート電極に対して
同時にサンプリング回路駆動信号を印加し、複数のデー
タ線３５をグループ毎に順次選択するようにしてもよ
い。この場合、外部制御回路により例えば６相にシリア
ル−パラレル変換された６つの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩ
Ｄ６の位相タイミングを合わせ、ＴＦＴ３０２を介して
データ線３５に供給するようにしても、同様の表示を行
えることができる。また、画像信号のシリアル−パラレ
ル変換数は６に限られない。例えば、当該サンプリング
回路３０１を構成するＴＦＴ３０２におけるサンプリン
グ能力が高ければ、シリアル−パラレル変換数は６以下
でも構わないし、サンプリング能力が低ければ、シリア
ル−パラレル変換数は６以上でもよい。画像信号のシリ
アル−パラレル変換数が少ない方が外部制御回路に係る
コストを低減できる。また、少なくとも画像信号のシリ
アル−パラレル変換数分だけ、画像入力信号線が必要で
あることは言うまでもない。更に、画像信号のシリアル
−パラレル変換数を３、６、１２、１８、２４、…とい
った３の倍数に設定すれば、画像入力信号線が３の倍数
で形成できるため、ビデオ表示する際に有利である。こ
れは、カラー画像信号が３つの色（赤、緑、青）に係る
信号からなることとの関係から、３の倍数であると、Ｎ
ＴＳＣ表示やＰＡＬ表示等のビデオ表示をする際に制御
や回路を簡易化する上で好ましいからである。

【００５８】以上のようなプリチャージ回路２０１及び
サンプリング回路３０１は、図１中斜線領域で示すよう
に且つ図２及び図３に示すように、対向基板２に形成さ
れた遮光性の額縁５３に対向する位置においてＴＦＴア
レイ基板１上に設けられており、データ線駆動回路１０
１及び走査線駆動回路１０４は、液晶層５０に面しない
ＴＦＴアレイ基板１の周辺領域上に設けられている。

【００５９】プリチャージ回路２０１、サンプリング回
路３０１、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路
１０４は、主にＴＦＴから構成されており、例えば各Ｔ
ＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ
（ポリシリコン）膜から構成されたチャネル形成用の領
域に光が入射すると、この領域において光電変換効果に
より光電流が発生してしまい当該ＴＦＴのトランジスタ
特性が劣化する。このため、本実施の形態では、データ
線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が形成され
るＴＦＴアレイ基板１の周辺部分は、プラスチック等か
らなる遮光性のケースの内部に納められ、プリチャージ
回路２０１及びサンプリング回路３０１は、遮光性の額
縁５３の下にあるＴＦＴアレイ基板１部分に形成される
のである。従って例えば、製造途中や出荷時の液晶装置
の品質、欠陥等を検査するための回路であり、やはり主
にＴＦＴからなる検査回路を、同様にＴＦＴアレイ基板
１の周辺部分や遮光性の額縁５３の下の空きスペースに
設けることも可能である。その他にも、液晶装置におけ
る画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の観点
から、ＴＦＴを用いた各種の周辺回路を、同様にＴＦＴ
アレイ基板１の周辺部分や額縁５３の下の空きスペース
に設けることも可能である。

【００６０】図２及び図３において、ＴＦＴアレイ基板
１の上には、複数の画素電極１１により規定される画像
表示領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化によ
り画像が表示される液晶装置の領域）の周囲において両
基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲するシール部材の
一例としての光硬化性樹脂からなるシール材５２が、画
像表示領域に沿って設けられている。そして、対向基板
２上における画像表示領域とシール材５２との間には、
遮光性の額縁５３が設けられている。

【００６１】額縁５３は、後に画像表示領域に対応して
開口部が設けられた遮光性のケースにＴＦＴアレイ基板
１が入れられた場合に、当該画像表示領域が製造誤差等
により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないよう
に、即ち、例えばＴＦＴアレイ基板１のケースに対する
数百μｍ程度のずれを許容するように、画像表示領域の
周囲に少なくとも５００μｍ以上の幅を持つ帯状の遮光
性材料から形成されたものである。このような遮光性の
額縁５３は、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケ
ル）などの金属材料を用いたスパッタリング、フォトリ
ソグラフィ及びエッチングにより対向基板２に形成され
る。或いは、カーボンやＴｉ（チタン）をフォトレジス
トに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。

【００６２】シール材５２の外側の領域には、画像表示
領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び外部回
路接続端子１０２が設けられており、画像表示領域の左
右の２辺に沿って走査線駆動回路１０４が画像表示領域
の両側に設けられている。走査線３１に供給される走査
信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１
０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、
データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両
側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線は画像表
示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路
から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表
示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回
路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様に
データ線３５を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ
線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複
雑な回路を構成することが可能となる。尚、上述した櫛
歯状に駆動する方法は、走査線駆動回路１０４に適用で
きることは言うまでもない。

【００６３】更に画像表示領域の上辺には、両側に設け
られた走査線駆動回路１０４間に信号を供給するための
複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２
のコーナー部の少なくとも一箇所で、ＴＦＴアレイ基板
１と対向基板２との間で電気的導通をとるための導通材
１０６が設けられ、共通電極電位ＬＣＣＯＭが対向電極
２１に供給されている。そして、シール材５２とほぼ同
じ輪郭を持つ対向基板２が当該シール材５２によりＴＦ
Ｔアレイ基板１に固着されている。

【００６４】プリチャージ回路２０１及びサンプリング
回路３０１は、基本的に交流駆動の回路である。このた
め、シール材５２により包囲され両基板間に挟持された
液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１部分にこれらの
プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を
設けても、直流電圧印加による液晶層５０の劣化という
問題は生じない。これに対して、データ線駆動回路１０
１及び走査線駆動回路１０４は、液晶層５０に面するこ
とのないＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に設けられてい
る。従って、液晶層５０に、特に直流駆動されるデータ
線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４からの直流電
圧成分が、漏れ込んで印加されることを未然に防止でき
る。ただし、パッシベーション膜によりデータ線駆動回
路１０１や走査線駆動回路１０４を保護するようにすれ
ば、液晶層５０に面して、データ線駆動回路１０１及び
走査線駆動回路１０４を形成してもよい。

【００６５】そして、前記額縁５３下に、プリチャージ
回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けること
で、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１を
ＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に余裕を持って形成する
ことができ、特定の仕様に沿うようにこれらの周辺回路
を設計することが容易になる。また、従来においてデッ
ドスペースであった額縁５３下に、プリチャージ回路２
０１やサンプリング回路３０１を設けることで、液晶装
置２００における有効表示面積の減少を招くこともな
く、同時に、特に額縁５３は遮光性であるので、画像表
示領域を介して入射される光に対する遮光をプリチャー
ジ回路２０１やサンプリング回路３０１を構成するＴＦ
Ｔ２０２及び３０２に施す必要も無い。加えて、シール
材５２に面するＴＦＴアレイ基板１部分にプリチャージ
回路２０１やサンプリング回路３０１を形成する訳では
ないので、これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３
０２をシール材５２に混入されたギャップ材により破壊
する恐れはない。更に、これらの回路を構成するＴＦＴ
２０２及び３０２に対して、別途遮光膜を設ける必要も
無いので、このような遮光膜がシール材５２の光硬化の
妨げになる事態も未然に防げる。即ち、両基板のシール
材５２に対向する位置には、遮光膜を設ける必要はない
ので、シール材５２を光硬化させる工程で両基板側から
光を十分に照射でき、良好に光硬化を行える。このた
め、基板の変形等が懸念される熱硬化性樹脂をシール材
５２として使用しなくて済み有利である。

【００６６】次に、プリチャージ回路２０１及びサンプ
リング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２及び３０２の
具体的な回路構成について図４及び図５を参照して夫々
説明する。尚、図４は、プリチャージ回路２０１のＴＦ
Ｔ２０２を構成する各種のＴＦＴを示す回路図であり、
図５は、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２を構成
する各種のＴＦＴを示す回路図である。

【００６７】図４（１）に示すようにプリチャージ回路
２０１のＴＦＴ２０２（図１参照）は、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ２０２ａから構成されてもよいし、図４（２）に示
すようにＰチャネル型ＴＦＴ２０２ｂから構成されても
よいし、図４（３）に示すようにＮチャネル型ＴＦＴ及
びＰチャネル型ＴＦＴから成る相補型ＴＦＴ２０２ｃか
ら構成されてもよい。尚、図４（１）から図４（３）に
おいて、図１に示したプリチャージ回路駆動信号線２０
６を介して入力されるプリチャージ回路駆動信号２０６
ａ、２０６ｂは、ゲート電圧として各ＴＦＴ２０２ａ〜
２０２ｃに入力され、同じく図１に示したプリチャージ
信号線２０４を介して入力されるプリチャージ信号ＮＲ
Ｓは、ソース電圧として各ＴＦＴ２０２ａ〜２０２ｃに
入力される。

【００６８】Ｎチャネル型ＴＦＴの２０２ａにゲート電
圧として印加されるプリチャージ回路駆動信号２０６ａ
と、Ｐチャネル型ＴＦＴ２０２ｂにゲート電圧として印
加されるプリチャージ回路駆動信号２０６ｂとは、相互
に反転信号である。従って、プリチャージ回路２０１を
相補型ＴＦＴ２０２ｃで構成する場合には、プリチャー
ジ回路駆動信号線２０６が少なくとも２本以上必要とな
る。あるいは例えば、ＴＦＴ２０２ｃの直前で２０６ａ
の信号をインバータ回路により反転させて反転信号２０
６ｂを波形整形しても良い。このような構成をとれば、
図２における外部回路接続端子１０２からの引き回し配
線は１本で済み、外部回路接続端子１０２の増加や配線
形成によるパターン占有面積の減少を招くことがない。

【００６９】図５（１）に示すようにサンプリング回路
３０１のＴＦＴ３０２（図１参照）は、Ｎチャネル型Ｔ
ＦＴ３０２ａから構成されてもよいし、図５（２）に示
すようにＰチャネル型ＴＦＴ３０２ｂから構成されても
よいし、図５（３）に示すように相補型ＴＦＴ３０２ｃ
から構成されてもよい。尚、図５（１）から図５（３）
において、図１に示した画像信号線３０４を介して入力
される画像信号ＶＩＤ（例えばＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）
は、ソース電圧として各ＴＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入
力され、同じく図１に示したデータ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線３０６を介して入力され
るサンプリング回路駆動信号３０６ａ、３０６ｂは、ゲ
ート電圧として各ＴＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入力され
る。

【００７０】また、サンプリング回路３０１において
も、前述のプリチャージ回路２０１の場合と同様に、Ｎ
チャネル型ＴＦＴ３０２ａにゲート電圧として印加され
るサンプリング回路駆動信号３０６ａと、Ｐチャネル型
ＴＦＴ３０２ｂにゲート電圧として印加されるサンプリ
ング回路駆動信号３０６ｂとは、相互に反転信号であ
る。従って、サンプリング回路３０１を相補型ＴＦＴ３
０２ｃで構成する場合には、サンプリング回路駆動信号
３０６ａ、３０６ｂ用のサンプリング回路駆動信号線３
０６が少なくとも２本以上必要である。

【００７１】次に、以上のようなＴＦＴ等で構成される
プリチャージ回路２０１によるプリチャージ動作につい
て図６のタイミングチャートを用いて詳しく説明する。
なお、図６においてＸ１，Ｘ２…は、データ線駆動回路
１０１から出力され、サンプリング回路駆動信号線３０
６を介してサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２に供
給されるサンプリング回路駆動信号を示すものである。

【００７２】上述したデータ線駆動回路１０１には、図
７に示すようなシフトレジスタ４０１が備えられてお
り、当該シフトレジスタ４０１は、各段がクロックドイ
ンバータ１３０，１３２及びインバータ１３１から構成
されている。このような構成のシフトレジスタ４０１
に、図６に示すように一画素当たりの選択時間ｔ１を規
定するクロック信号ＣＬＸあるいは反転信号ＣＬＸ_INV
が、上述した外部回路接続端子１０２を介して供給され
ると、これらのクロック信号ＣＬＸあるいは反転信号Ｃ
ＬＸ_INVは、水平走査の基準として前記クロックドイン
バータ１３０，１３２に入力される。また、同様に、ス
タート信号ＤＸが外部回路接続端子１０２を介して供給
されると、このスタート信号ＤＸは前記シフトレジスタ
４０１の初段のクロックドインバータ１３０に入力され
る。そして、以上のような各信号によってシフトレジス
タ４０１が動作を開始すると、シフトレジスタ４０１の
各段からは、１水平有効表示期間においてサンプリング
回路駆動信号Ｘ１，Ｘ２…が順次供給される。ここで、
図１に示した本実施の形態の回路構成では、データ線３
５毎に順次に当該データ線３５に対応したサンプリング
回路３０１のＴＦＴ３０２を駆動するので、クロック信
号ＣＬＸの半周期の期間が選択時間ｔ１と同じになる。
また、例えば、隣接する６本のデータ線に接続されるサ
ンプリング回路３０１を同時に駆動するようにすれば、
クロック信号ＣＬＸの半周期の期間は選択時間ｔ１の６
倍となる。このような構成を採れば、シフトレジスタ４
０１の駆動周波数を低減することが可能となり、低消費
電力化が実現できるばかりでなく、シフトレジスタを構
成するＴＦＴの寿命を延ばすのに効果がある。各水平帰
線期間において、このようなスタート信号ＤＸの入力に
先行するタイミングで、プリチャージ回路駆動信号ＮＲ
Ｇが各データ線に一括して供給される。特に本実施形態
では、外部回路接続端子１０２及び接点１０３ｂ，１０
３ｃの両方の接点を通じてプリチャージ回路駆動信号線
２０６にプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧが供給され、
プリチャージ回路２０１の両側から当該プリチャージ回
路駆動信号ＮＲＧが供給される。より具体的には、垂直
走査の基準とされるクロック信号ＣＬＹがハイレベルと
なるとともに、画像信号ＶＩＤが信号の電圧中心値（Ｖ
ＩＤ中心）を基準として極性反転した後、この極性反転
からプリチャージをするまでのマージンである時間ｔ３
経過後に、プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧは、ハイレ
ベルとされる。他方、プリチャージ信号ＮＲＳは、画像
信号ＶＩＤの反転に対応して、水平帰線期間で画像信号
ＶＩＤと同極性の所定レベルとされる。従って、プリチ
ャージ回路駆動信号ＮＲＧがハイレベルとされる期間ｔ
２において、データ線３５はプリチャージが行われる。
そして、水平帰線期間が終了して有効表示期間が始まる
時点よりも時間ｔ４だけ前に、即ち、プリチャージが終
了してから画像信号ＶＩＤが書き込まれるまでのマージ
ンを時間ｔ４として、プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ
は、ローレベルとされる。以上のように、プリチャージ
回路２０１は、各水平帰線期間において、プリチャージ
信号ＮＲＳを画像信号ＶＩＤ（例えばＶＩＤ１〜ＶＩＤ
６）に先行して各データ線３５に一括して供給する。特
に、本実施形態では、外部回路接続端子１０２及び接点
１０３ａ，１０３ｄの両方の接点を通じてプリチャージ
信号ＮＲＳがプリチャージ信号線２０４に供給され、プ
リチャージ回路２０１の両側から当該プリチャージ信号
ＮＲＳが供給される。

【００７３】また、図６に示す期間ｔ２においてプリチ
ャージ回路２０１の全てのＴＦＴ２０２が一度に導通
し、プリチャージ信号線２０４に多くのデータ線３５の
配線容量が付加されることになったとしても、従来であ
れば信号遅延が生じていた側からも同じ信号が供給さ
れ、結果として信号遅延は抑えられる。従って、前記プ
リチャージ信号ＮＲＳは全てのデータ線３５にほぼ同電
位の信号として書き込まれることになる。これにより、
データ線３５に画像信号を書き込む際に必要な電荷量を
顕著に少なくすることができ、かつ、左右のデータ線３
５におけるコントラストのむらを無くすことができる。

【００７４】この点が、従来の液晶装置と本発明に係る
液晶装置２００との最も大きな相違点である。参考のた
めに、図２０に従来の液晶装置２００’の構成を示す。
図２０に示すように、従来はプリチャージ信号線２０
４’は一つの接点１０３ｅのみに接続され、その終端は
プリチャージ回路２０１における最右端のＴＦＴ２０２
に接続されている。また、同様にプリチャージ回路駆動
信号線２０６’は一つの接点１０３ｆのみに接続され、
その終端はプリチャージ回路２０１における最左端のＴ
ＦＴ２０２に接続されている。このような構成では、ま
ず、プリチャージ回路駆動信号線２０６’自体の配線容
量により、左側に行くほどプリチャージ回路駆動信号の
遅延が大きくなり、左側のＴＦＴ２０２ほど導通状態と
なるタイミングが遅れることになる。従って、厳密には
各ＴＦＴ２０２の導通期間も異なり、各データ線３５に
対するプリチャージ信号の書き込み時間が異なるので、
プリチャージ後の各データ線３５の電位に差が生じるこ
とになる。

【００７５】また、従来においても、水平帰線期間にお
いてプリチャージ回路２０１の全てのＴＦＴ２０２が導
通状態となるため、プリチャージ信号線２０４’には、
全てのデータ線３５の配線容量が付加されることにな
り、図２０において右側に行くほどデータ線３５に供給
されるプリチャージ信号が遅延することになる。従っ
て、図２０に示す構成では、右側のデータ線３５ほどプ
リチャージによる書き込み電荷量が少なくなり、画像信
号が書き込まれた後には、コントラストのむらとして視
認されてしまう。但し、液晶装置単体では、このコント
ラストのむらは実用上殆ど支障ない程度であるが、例え
ば、この液晶装置を３枚用いて液晶プロジェクタを構成
した場合には、実用上差し支える程の色むらとなって認
識されるという問題があった。

【００７６】図８に３枚式の液晶プロジェクタの概略構
成を示す。この液晶プロジェクタは、カラーフィルター
が形成されていない白黒表示の液晶装置をライトバルブ
として用い、ライトバルブ５００Ｒ，５００Ｇ，５００
ＢをＲＧＢ別に３枚用いるもので、夫々のライトバルブ
には、図８に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の光が照射
される。そして、３枚のライトバルブ５００Ｒ，５００
Ｇ，５００Ｂにより別々に光変調された３色光は、ダイ
クロイックミラーあるいはダイクロイックプリズム５０
２により一つの投射光として合成された後、スクリーン
上に投射される。

【００７７】このように、ダイクロイックプリズム５０
２等を用いて合成すると、変調後のＲ光及びＢ光と比べ
ると、Ｇ光は、ダイクロイックプリズム５０２で反射さ
れないため、光の反転回数が一回だけＧ光について少な
くなる。この現象は、もちろんＧ光の代わりに、 Ｒ光
及びＢ光がダイクロイックプリズム５０２で反射されな
いように光学系を構成しても同じであり、更にダイクロ
イックミラー等を用いて３色光を合成した場合にも同様
に起こる。従って、このような場合には、Ｇ光のライト
バルブ５００Ｇについて、データ線へ書き込まれる画像
信号を何等かの形で左右反転する必要が生じる。

【００７８】図９にＧ光について画像信号を左右反転す
る手法の例を示す。なお、図９中における液晶装置の表
示は全て、ＴＦＴアレイ基板１側から見た表示である。
プリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ、プリチャージ信号Ｎ
ＲＳ及び画像信号は矢印の方向に向かって信号が供給さ
れていることを表しており、データ線駆動回路走査方向
の矢印の向きに画像信号が書き込まれる。図９（１）
は、液晶装置のデータ線駆動回路１０１の走査方向をＧ
光の照射されるライトバルブ５００Ｇを構成する液晶装
置についてのみＲシフト（図中、右から左へシフト）す
るように構成し、他のライトバルブ５００Ｒ，５００Ｂ
についてはＬシフト（図中、左から右へシフト）するよ
うに構成した例である。また、図９（２）は、ライトバ
ルブ５００Ｒ、５００Ｇ、５００Ｂを構成する液晶装置
のデータ線駆動回路１０１の走査方向を、全てについて
同じにしたが、 Ｇ光の照射されるライトバルブ５００
Ｇについてのみ、画像信号を外部メモリーで反転させた
例である。何れの手法を用いても、図８に示した構成
で、３色の合成を行うことができる。

【００７９】しかしながら、このような液晶プロジェク
タを、図２０に示すような従来の液晶装置を用いて構成
した場合には、コントラストの低下領域がＲ光とＢ光に
ついては同じ側であるのに対し、 Ｇ光についてはこれ
らと反対側になるため、合成光による画像に色むらが生
じてしまう。つまり、ライトバルブ５００Ｒと５００Ｂ
においては、図９（１），（２）において画像表示領域
の右側の方が左側よりも薄く表示されることになり、文
字「Ｆ」の色よりも、帯状部分の色の方が薄く認識され
る。但し、２枚のライトバルブ共にむらの生じる方向が
同じであるため、この２枚のライトバルブを介した投射
光のみでは、色むらは認識されない。しかし、上述した
ように、Ｇ光の照射されるライトバルブ５００Ｇだけ
は、画像信号が反転して表示されるため、帯状部分の方
が、文字「Ｆ」の部分の色よりも濃く表示される。つま
り、コントラストのむらの方向が、前記２枚のライトバ
ルブを介した投射光とは逆になってしまう。その結果、
３枚のライトバルブからの投射光を合成すると、所望の
色バランスが得られず、色むらとして認識されてしまう
のである。

【００８０】一方、図８に示す液晶プロジェクタを上述
した本実施形態の液晶装置２００を用いて構成した場合
には、このような色むらは発生せず、良好なカラー画像
を表示することができる。

【００８１】つまり、本実施形態の液晶装置２００にお
いては、上述したように、プリチャージ回路駆動信号線
２０６及びプリチャージ信号線２０４は、共に両端部が
夫々異なる二つの接点１０３ｂ，１０３ｃ、１０３ａ，
１０３ｄに接続されており、プリチャージ回路２０１の
左右両側に接続されている。そして、プリチャージ回路
駆動信号ＮＲＧ及びプリチャージ信号ＮＲＳは、プリチ
ャージ回路２０１の両側から供給される。プリチャージ
回路駆動信号線２０６自体に配線容量が存在する場合に
は、プリチャージ回路２０１の右側から供給されたプリ
チャージ回路駆動信号ＮＲＧは左側に行くほど遅延する
ことになるが、本実施形態の液晶装置２００において
は、同じプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧがプリチャー
ジ回路２０１の左側からも供給されるので、プリチャー
ジ回路２０１内におけるプリチャージ回路駆動信号ＮＲ
Ｇの遅延を抑えることができる。その結果、プリチャー
ジ回路２０１の各ＴＦＴ２０２の導通期間は何れも等し
くなり、各データ線３５に対するプリチャージ信号ＮＲ
Ｓの書き込み期間が等しくすることが可能である。

【００８２】また、プリチャージ回路２０１の右側から
供給されたプリチャージ信号ＮＲＳについても、データ
線３５の配線容量により、左側に行くほど遅延が生じる
ことになるが、本実施形態においては、プリチャージ回
路２０１の右側からもプリチャージ信号ＮＲＳが供給さ
れるので、プリチャージ回路２０１内におけるプリチャ
ージ信号ＮＲＳの遅延を抑えることができる。

【００８３】上述のようにプリチャージ回路駆動信号Ｎ
ＲＧとプリチャージ信号ＮＲＳの信号遅延を抑えること
ができるが、従来に比して、およそ１／４程度に抑える
ことが可能となる。

【００８４】従って、プリチャージ後における各データ
線３５の電位は夫々ほぼ等しくなり、サンプリング回路
３０１により同電位の画像信号が書き込まれた場合に
は、コントラスト差が少なくすることができる。つま
り、本実施形態の液晶装置２００を図８に示す３板式液
晶プロジェクタのライトバルブに適用したとしても、ラ
イトバルブ５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂの何れにおい
てもコントラストのむらを防ぐことができ、従ってライ
トバルブ５００Ｇの表示画像のみを反転させて３色を合
成した場合でも、色むらを抑えることができて、極めて
良好なカラー画像を表示することができる。また、たと
えプリチャージ信号ＮＲＳ、プリチャージ回路駆動信号
ＮＲＧの書き込み時間が多少遅延したとしても、プリチ
ャージ信号ＮＲＳ及びプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ
はプリチャージ回路２０１の右側と左側の両方から供給
されるので、信号遅延によるコントラストの低下を招く
のは画像表示領域の中央付近となる。従って、液晶プロ
ジェクタの３枚のライトバルブに本実施形態を用いる場
合、Ｒ光及びＢ光のライトバルブに対してＧ光のライト
バルブを左右反転させてもコントラストの低下を招く領
域がほぼ中央の同じ領域であるので、上述のような左右
反転に伴う色むらを防ぐことができるのである。また、
プリチャージ回路駆動信号線２０６及びプリチャージ信
号線２０４は、共に両端部が夫々異なる二つの接点１０
３ｂ，１０３ｃ、１０３ａ，１０３ｄに接続されてお
り、プリチャージ回路２０１の左右両側に接続されてい
るので、万が一、二つの接点のうち一方の接点に接続さ
れた信号配線が断線しても、もう一方の接点に接続され
た信号配線から信号を供給することができるため、断線
不良を抑えることができる。

【００８５】このように、本発明の液晶装置は、図８に
示すような複数枚の液晶装置を用いた液晶プロジェクタ
に特に有効である。

【００８６】また、ＸＧＡモードあるいはＳＸＧＡモー
ドのように、高速表示モードを採用した場合には、デー
タ線３５の本数は従来のＶＧＡモードの場合に比べて約
２倍程度増えることになり、プリチャージ信号線２０４
に付加されるデータ線３５の配線容量も約２倍程度増え
ることになる。しかし、本実施形態においては、上述の
ようにプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ及びプリチャー
ジ信号ＮＲＳをプリチャージ回路２０１の両側から供給
するので、プリチャージ回路の全てのＴＦＴを一度に導
通させるように構成しても、プリチャージ信号ＮＲＳの
遅延を確実に防止して、高精細で良好な画像表示を行う
ことが可能である。

【００８７】（液晶装置の構成）次に、液晶装置２００
が含むＴＦＴアレイ基板１上の画像表示領域を構成する
画素部分及び周辺回路の具体的構成について図１０及び
図２１を参照して説明する。ここに、図１０（ａ）はＴ
ＦＴアレイ基板上に形成される各種電極等のパターンの
平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示すＡ−
Ａ’に沿った断面図で、画素スイッチング用ＴＦＴを示
している。また、図２１（ａ）はＰチャネル型ＴＦＴ或
いはＮチャネル型ＴＦＴといった単チャネル型ＴＦＴの
パターンの平面図であり、図２１（ｂ）は図２１（ａ）
に示すＢ−Ｂ’に沿った断面図である。なお、図１０
（ａ）及び図２１（ａ）においては、各層や各部材を図
面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部
材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００８８】ここで、図１０（ａ）の平面図に示すよう
に、画素電極１１は、ＴＦＴアレイ基板１上にマトリク
ス状に配列され、各画素電極１１に隣接してＴＦＴ３０
が設けられており、また画素電極１１の縦横の境界に夫
々沿ってデータ線３５及び走査線３１が設けられてい
る。また、本実施例では画素電極１１を制御する画素ス
イッチング用のＴＦＴ３２は、各画素電極１１に対して
１個しか設けられていないが、ＴＦＴ３０のソース・ド
レイン間、すなわちコンタクトホール３７からコンタク
トホール３８の間で走査線３１の一部からなるゲート電
極を２個直列に配設し、デュアルゲート構造としても良
いし、３個以上直列に配設しても良い。このように、Ｔ
ＦＴ３０にゲートを多段設けることにより、抵抗成分が
大きくなり、ＴＦＴ３０がオフ時のリーク電流を低減で
きる利点がある。なお、図１０（ｂ）は、説明の都合
上、画素電極１１のマトリクス状配列等を簡略化して示
すためのものであり、実際の各電極は層間絶縁膜の間や
上をコンタクトホール等を介して配線されており、図１
０（ｂ）から分かるように３次元的により複雑な構成を
有している。

【００８９】図１０（ｂ）において、液晶装置は、各画
素に設けられるＴＦＴ３０部分において、ＴＦＴアレイ
基板１並びにその上に積層された第１層間絶縁膜４１、
半導体層３２、ゲート絶縁膜３３、走査線３１、第２層
間絶縁膜４２、データ線３５、画素電極１１を備えてい
る。

【００９０】ＴＦＴ３０の下地となるＴＦＴアレイ基板
１は、ガラスや石英、シリコン等の基板であり、このＴ
ＦＴアレイ基板１上に、走査線３１からの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層３２が設けられる。

【００９１】半導体層３２は、例えば、ＴＦＴアレイ基
板１上にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を形成
後、アニール処理を施して約５０〜２００ｎｍの厚さに
固相成長させることにより形成する。その後、ゲート絶
縁膜３３を熱酸化等で形成し、ゲート絶縁膜３３の上に
走査線３１の一部からなるゲート電極を形成する。そし
てＮチャネル型ＴＦＴを形成する場合には、半導体層３
２のソース・ドレイン領域となる部分に選択的にＳｂ
（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族
元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープを
行って、ソース領域及びドレイン領域を形成する。ま
た、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する場合には、半導体層
３２のソース・ドレイン領域となる部分に選択的にＡｌ
（アルミニウム）、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを用
いたイオン注入等によりドープを行ってソース領域及び
ドレイン領域を形成する。そして、これらのドープは、
走査線３１の一部からなるゲート電極をマスクとして行
われるため、ドープが行われなかった領域がチャネル領
域３２ａとして形成される。特にＴＦＴ３０をＬＤＤ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を持
つＮチャネル型ＴＦＴとする場合、ソース領域及びドレ
イン領域のうちチャネル領域３２ａ側に夫々隣接する一
部にＰなどのＶ族元素のドーパントにより低濃度ソース
領域３２ｂ及び低濃度ドレイン領域３２ｃを形成し、同
じくＰなどのＶ族元素のドーパントにより高濃度ソース
領域３２ｄ及び高濃度ドレイン領域３２ｅを形成する。
また、Ｐチャネル型ＴＦＴとする場合、ソース・ドレイ
ン領域のうちチャネル領域３２ａの側に夫々隣接する一
部に、ＢなどのIII族元素のドーパントを用いて低濃度
ソース領域３２ｂ及び高濃度ソース領域３２ｄと、低濃
度ドレイン領域３２ｃ及び高濃度ドレイン領域３２ｅを
形成する。なお、Ｎチャネル型ＴＦＴは、動作速度が速
いという利点があり、画素スイッチング用のＴＦＴ３０
として用いられることが多い。

【００９２】また、このようにＬＤＤ構造とした場合、
ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。な
お、ＴＦＴ３０は、低濃度ソース領域３２ｂ、低濃度ド
レイン領域３２ｃに不純物のイオンを打ち込まないオフ
セット構造のＴＦＴとしてもよいし、ゲート電極をマス
クとして高濃度な不純物イオンを打ち込み自己整合的に
高濃度ソース領域３２ｄ、高濃度ドレイン領域３２ｅを
形成するセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。

【００９３】ゲート絶縁膜３３は、半導体層３２を約９
００〜１３００℃の温度により熱酸化することにより、
３０〜１５０ｎｍ程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を形
成して得る。

【００９４】また、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶
縁膜４２は夫々、５００〜１５００ｎｍ程度の厚みを持
つＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケート
ガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からな
る。なお、第２層間絶縁膜４２の上に更に平坦化膜をス
ピンコート等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施し
てもよい。また、第２層間絶縁膜４２の表面を平坦にす
るように処理してもよいことは言うまでもない。このよ
うに、画素電極１１を形成する表面を平坦化すること
で、ラビング時の配向不良により生じる液晶のディスク
リネーションの発生領域を極力低減することができる。

【００９５】第１層間絶縁膜４１には、高濃度ソース領
域３２ｄへ通じるコンタクトホール３７が形成され、第
１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２には、高濃度
ドレイン領域３２ｅへ通じるコンタクトホール３８が夫
々形成されている。この高濃度ソース領域３２ｄへのコ
ンタクトホール３７を介して、データ線３５は高濃度ソ
ース領域３２ｄに電気接続される。また、高濃度ドレイ
ン領域３２ｅへのコンタクトホール３８を介して、画素
電極１１が高濃度ドレイン領域３２ｅに電気接続され
る。各コンタクトホールは、例えば、反応性イオンエッ
チング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッ
チングにより形成すれば、寸法精度よく開孔できる。ま
た、ドライエッチングにウエットエッチングを組み合わ
せれば、コンタクトホール部の側壁をテーパー状に形成
することができるため、コンタクトホール部の段差によ
り、配線が断線することがない。尚、コンタクトホール
部の側壁をテーパー状にするのに、ドライエッチングに
よりレジストを後退させても形成できる。

【００９６】一般に、チャネルが形成される半導体層３
２を形成するポリシリコン膜等は、光が入射するとポリ
シリコン膜が有する光電変換効果により光電流が発生し
てしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、
本実施の形態では、図６（ｂ）に示すように対向基板２
に各ＴＦＴ３０に夫々対向する位置にＣｒ膜から成る遮
光性の遮光膜２３が形成されているので、入射光が半導
体層３２に直接入射することが防止される。更にこれに
加えて又は代えて、走査線３１の一部からなるゲート電
極を上側から覆うようにデータ線３５をＡｌ等の不透明
な金属薄膜から形成すれば、遮光膜２３と共に又は単独
で、半導体層３２への入射光の入射を効果的に防ぐこと
ができる。尚、工程増を招くが、半導体層３２の少なく
ともチャネル領域及び、該チャネル領域とソース・ドレ
インの接合部に重なるように、その下層に酸化シリコン
膜や窒化シリコン膜等の絶縁膜を介して、Ｗ（タングス
テン）やＭｏ（モリブデン）等の高融点金属或いは金属
シリサイド膜等の金属合金膜等により遮光膜を設けるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板裏面からの戻り光を遮断し
てもよい。このような構成を採れば、強い光を入射して
も、光によるＴＦＴ３０のトランジスタ特性の劣化を招
くことがないため、光を入射する光源を明るくすること
ができる。すなわち、例えばマイクロレンズ等の光利用
効率を向上させるための手段を用いる必要が無いので、
明るい液晶装置を低コストで提供することができる。
尚、前記遮光膜は周辺回路の電源等と接続することによ
り、定電位を供給することで、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔのトランジスタ特性の劣化を防止してもよい。

【００９７】走査線３１は、減圧ＣＶＤ法等によりポリ
シリコン膜を堆積した後、フォトリソグラフィ工程やエ
ッチング工程等により形成される。或いは、Ｗ（タング
ステン）やＭｏ（モリブデン）等の金属膜又は金属シリ
サイド膜等の合金膜から形成されてもよい。このような
構成を採れば、走査線３１の低抵抗化が図れるため、走
査信号の遅延による表示品位の劣化を防止できる。ま
た、走査線３１自体の線幅を細めることが可能となり、
液晶装置が小型化しても画素開口部（光透過部）への影
響を少なくできる。更に、走査線３１が遮光膜として代
用できるため、対向基板２上の遮光膜２３を省くことが
できる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２
との貼り合わせ時における精度を無視することができる
ので、透過率がばらつかない液晶装置を提供することが
できる。

【００９８】データ線３５は、スパッタリング等によ
り、約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積されたＡｌ等の
低抵抗金属や金属シリサイド等の合金膜をフォトリソグ
ラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより形成す
る。尚、上述したプリチャージ信号線２０４やプリチャ
ージ回路駆動信号線２０６をデータ線３５と同一膜で形
成すると、低抵抗で信号遅延が生じにくいため、各種配
線材料として使用される。

【００９９】画素電極１１は例えば、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなり、上述し
た第２層間絶縁膜４２の上面に設けられている。この画
素電極１１は、スパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等
を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積した後、フォトリソ
グラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより形成
される。なお、当該液晶装置を反射型として用いる場合
には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極
１１を形成してもよい。

【０１００】一方、上述したデータ線駆動回路１０１、
走査線駆動回路１０４、プリチャージ回路２０１、サン
プリング回路３０１等の周辺回路を制御するＰチャネル
型ＴＦＴ及びＮチャネル型ＴＦＴは、基本的に図２１
（ａ）に示すような平面構造をし、そのＢ−Ｂ’に沿っ
た断面図は図２１（ｂ）に示す構造をしている。このよ
うに、ＴＦＴ６０と、図１０（ａ）に示した画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０との違いは、 ＴＦＴ３０のドレ
イン電極としての画素電極１１にはＩＴＯを用い、ＴＦ
Ｔ６０のドレイン電極にはアルミニウムを用いる点のみ
であり、画素領域におけるＴＦＴ３０の形成時とほぼ同
一な薄膜形成工程で形成できる。

【０１０１】具体的には、まず、ＴＦＴアレイ基板１上
に半導体層６２が形成され、 半導体層６２には、チャ
ネル領域６２ａ、低濃度ソース領域６２ｂ、高濃度ソー
ス領域６２ｄ、低濃度ドレイン領域６２ｃ、及び高濃度
ドレイン領域６２ｅが形成される。また、半導体層６２
上にはゲート絶縁膜６３が形成され、当該ゲート絶縁膜
６３上にはゲート電極６１が形成される。そして、第１
層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール６６を介
してソース電極６４及びドレイン電極６５が、夫々高濃
度ソース領域６２ｄ及び高濃度ドレイン領域６２ｅに電
気的に接続される。更に、ソース電極６４及びドレイン
電極６５を覆うように、第２層間絶縁膜４２が形成され
る。

【０１０２】そして、半導体層６２は上述した画素領域
のＴＦＴ３０の半導体層３２に、チャネル領域６２ａは
ＴＦＴ３０のチャネル領域３２ａに、低濃度ソース領域
６２ｂはＴＦＴ３０の低濃度ソース領域３２ｂ に、高
濃度ソース領域６２ｄはＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
３２ｄに 、低濃度ドレイン領域６２ｃはＴＦＴ３０の
低濃度ドレイン領域３２ｃに、及び高濃度ドレイン領域
６２ｅはＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域３２ｅに夫々
対応しており同一の工程により形成される。なお、画素
スイッチング用のＴＦＴ３０をＮチャネル型ＴＦＴで形
成する場合、周辺回路を構成するＴＦＴ６０のＰチャネ
ル型ＴＦＴを形成するために、III族元素のドーパント
を用いたイオン注入等によりドープを行う工程を追加し
て、相補型ＴＦＴを形成することができる。

【０１０３】本実施例では、周辺回路を構成するＴＦＴ
６０もＬＤＤ構造で形成したが、上述したオフセット構
造のＴＦＴでも良いし、セルフアライン型のＴＦＴでも
良い。なお、ＴＦＴ６０をセルフアライン型のＴＦＴで
形成すれば、高い移動度が得られるため高速な駆動回路
が実現できる。

【０１０４】更には、ゲート絶縁膜６３はＴＦＴ３０の
ゲート絶縁膜３３に対応し、ゲート電極６１はＴＦＴ３
０のゲート電極３１に対応しており同一の工程により形
成される。また、ソース電極６６とドレイン電極６５
は、ＴＦＴ３０のデータ線３５の一部からなるソース電
極に対応し、同一の工程により形成される。

【０１０５】本実施の形態では特に、ＴＦＴ３０はｐ−
Ｓｉ（ポリシリコン）タイプのＴＦＴであるので、ＴＦ
Ｔ３０の形成時に同一薄膜形成工程で、サンプリング回
路２０１、プリチャージ回路３０１、データ線駆動回路
１０１、走査線駆動回路１０４等を構成するＴＦＴ２０
２、３０２等を形成することができ、製造上有利であ
る。例えば、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４は、図４（３）及び図５（３）に示したプリチ
ャージ回路２０１やサンプリング回路３０１の場合と同
様に、Ｎチャネル型ＴＦＴ及びＰチャネル型ＴＦＴから
構成される相補構造の複数のＴＦＴからＴＦＴアレイ基
板１上の周辺部分に形成される。

【０１０６】また、画像信号線３０４及びプリチャージ
信号線２０４並びにプリチャージ回路駆動信号線２０６
は、上述したように低抵抗なアルミニウム等の金属膜あ
るいは金属合金膜で、 ＴＦＴ３０の形成時に同一薄膜
形成工程で形成することができるので、製造上有利であ
る。

【０１０７】尚、図１０には示されていないが、対向基
板２の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１の投
射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モ
ード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モ
ードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラッ
クモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィル
ム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【０１０８】なお、以上説明した液晶装置は、カラー液
晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶装置がＲ
ＧＢ用のライトバルブとして夫々用いられ、各ライトバ
ルブには夫々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを
介して分解された各色の光が入射光として夫々入射され
ることになる。従って、各実施の形態では、対向基板２
に、カラーフィルタは設けられていない。しかしなが
ら、液晶装置においても遮光膜２３の形成されていない
画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィ
ルタをその保護膜と共に、対向基板２上に形成してもよ
い。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型
や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に本
実施形態の液晶装置を適用できる。

【０１０９】また、液晶装置のスイッチング素子は、正
スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴである
として説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファス
シリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実
施の形態は有効である。

【０１１０】更に、液晶装置においては、一例として液
晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高
分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用
いれば、配向膜並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が
不要となり、光利用効率が高まることによる液晶装置の
高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。更に、画素
電極１１をＡｌ等の反射率の高い金属膜から構成するこ
とにより、液晶装置を反射型液晶装置に適用する場合に
は、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳ
Ｈ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いても
良い。更にまた、液晶装置においては、液晶層５０に対
し垂直な電界（縦電界）を印加するように対向基板２の
側に共通電極２１を設けているが、液晶層５０に平行な
電界（横電界）を印加するように共通電極２１と画素電
極１１とを夫々構成する（即ち、対向基板２の側には縦
電界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板
１の側に横電界発生用の電極として共通電極２１と画素
電極１１とを設ける）ことも可能である。このように横
電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広
げる上で有利である。その他、各種の液晶材料、動作モ
ード、液晶配列、駆動方法等に本実施の形態を適用する
ことが可能である。

【０１１１】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を図１１に基づいて説明する。なお、第１の実
施形態との共通個所には同一符号を付して説明を省略す
る。

【０１１２】本実施形態は、データ線駆動回路１０１の
シフトレジスタを図１１に示すように双方向シフトレジ
スタ４０５で構成したところが第１の実施形態と異な
る。

【０１１３】双方向シフトレジスタ４０５は、図１１に
示すように、各段が４個のクロックドインバータ１３
０，１３１，１３３，１３４で構成されており、クロッ
クドインバータ１３４，１３３には、転送方向制御信号
ＤＩＲ，ＤＩＲ_INVが供給されている。そして、この転
送方向制御信号ＤＩＲがハイレベルの時に、スタート信
号ＤＸはＬ→Ｒ方向に順次転送され、転送方向制御信号
ＤＩＲ_INVがハイレベルの時にスタート信号ＤＸはＲ→
Ｌ方向に順次転送される。

【０１１４】データ線駆動回路１０１のシフトレジスタ
をこのような双方向シフトレジスタ４０５で構成した場
合には、表示画像を左右だけでなく、上下にも反転する
ことができる。

【０１１５】このような構成にすることにより、複板方
式の液晶プロジェクタを床に設置する床置きタイプとし
たり、天井に逆さに取り付けて設置する天吊りタイプと
しても使用可能であり、更には、携帯型ビデオカメラの
液晶モニタのように、単板方式の液晶装置である液晶モ
ニタを、ユーザの撮影姿勢に応じて、例えばフレキシブ
ルジョイントを支点に反転して見ることができるように
することもできる。

【０１１６】そして、本実施形態においては、以上のよ
うな双方向シフトレジスタ４０５を用いると共に、プリ
チャージ回路駆動信号ＮＲＧ及びプリチャージ信号ＮＲ
Ｓを、第１の実施形態と同様にプリチャージ回路２０１
の両側から供給するため、表示画像を上下、或いは左右
に反転させた場合でも、コントラストむらを抑えること
ができる。従って、図８に示すような３枚式液晶プロジ
ェクタを、床置きタイプあるいは天井吊りタイプとして
使用可能に構成した場合でも、本実施形態の液晶装置を
ライトバルブとして適用した場合には、色むらのない良
好なカラー画像を表示させることができる。

【０１１７】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態を図１２及び図１３に基づいて説明する。な
お、第１の実施形態との共通個所には同一符号を付して
説明を省略する。

【０１１８】本実施形態は、データ線駆動回路１０１
と、サンプリング回路３０１と、プリチャージ回路２０
１を、データ線３５に対して同じ側に設けたところが第
１の実施形態と異なる。

【０１１９】本実施形態におけるデータ線駆動回路１０
１は、プリチャージ信号用駆動回路５００と画像信号用
駆動回路５０１とを含んで構成されており、何れもシフ
トレジスタを備えている。そして、図１３に示すよう
に、画像信号用駆動回路５０１によりサンプリング回路
３０１に対してサンプリング回路駆動信号（ＳＨ１，Ｓ
Ｈ２，…）を線順次に出力すると共に、プリチャージ信
号用駆動回路５００によりプリチャージ回路２０１に対
してプリチャージ回路駆動信号（ＮＲ１，ＮＲ２，…）
を線順次に出力する。

【０１２０】本実施形態では、図１２に示すように、プ
リチャージ回路駆動信号ＮＲＧをプリチャージ信号用駆
動回路５００の両側から供給し、また、プリチャージ信
号ＮＲＳをプリチャージ回路２０１の両側から供給して
いるので、プリチャージ回路駆動信号及びプリチャージ
信号の遅延がなく、良好な画像表示が可能である。

【０１２１】尚、図１３に示すように、第３の実施形態
における画像信号用駆動回路５０１から出力されるサン
プリング回路駆動信号（ＳＨ１，ＳＨ２，…）が、互い
に重複しないように、画像信号用駆動回路５０１を構成
するシフトレジスタの出力信号と外部から入力する波形
制御信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２との間にＮＡＮＤ回路を設
けることにより、波形を制御する。これにより、ゴース
ト等による表示品位の劣化を招くことがない。また、プ
リチャージ信号用駆動回路５００は画像信号用駆動回路
５０１のような構成でもよいし、プリチャージ回路駆動
信号（ＮＲ１，ＮＲ２，…）のパルス幅を長くすること
により、十分なプリチャージ期間を取るようにしてもよ
い。

【０１２２】また、プリチャージ回路２０１は、データ
線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１と共にデ
ータ線３５の同じ側に設置されており、かつ、サンプリ
ング回路３０１とプリチャージ回路２０１を並列に接続
したので、非画素領域を有効に利用することができ、液
晶装置の小型化を実現することができる。

【０１２３】更に、シフトレジスタを双方向シフトレジ
スタで構成した場合には、データ線駆動回路１０１の転
送方向によってプリチャージ信号の書き込まれるデータ
線３５の順序が変わることになるが、上述したように、
プリチャージ信号はプリチャージ回路２０１の両側から
供給されているため、何れの転送方向でも同じ条件でデ
ータ線３５に書き込むことができる。従って、反転表示
等を行った場合でも、コントラストのむらの無い良好な
表示が可能である。

【０１２４】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施形態を図１４に基づいて説明する。なお、第１の実
施形態との共通個所には同一符号を付して説明を省略す
る。

【０１２５】本実施形態は、プリチャージ回路駆動信号
線２０６及びプリチャージ信号線２０４を画像表示領域
に対してそれぞれ左右片側から引き回し、画像信号線３
０４を、データ線駆動回路１０１に対して左右両側から
引き回し、データ線駆動回路１０１の両側から例えば画
像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給するように構成したと
ころが第１の実施形態と異なる。また、信号供給接点は
接点１０３ｇ，１０３ｈが別々に設けられており、左右
両側の画像信号線３０４に同じ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩ
Ｄ６が供給される。画像信号も、プリチャージ信号の場
合と同様に、信号遅延の問題が生じることが考えられ
る。そこで、本実施の形態のように、画像信号をサンプ
リング回路３０１の両側から供給するように構成すれ
ば、画像信号の遅延を確実に防止して、コントラストむ
ら及び色むらを防止することができる。

【０１２６】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態を図１５に基づいて説明する。なお、第１の実
施形態との共通個所には同一符号を付して説明を省略す
る。

【０１２７】本実施形態は、プリチャージ回路駆動信号
線２０６及びプリチャージ信号線２０４の引き回しを画
像表示領域に対して左右両側とすると共に、画像信号線
３０４を、データ線駆動回路１０１に対して左右両側か
ら引き回すように構成したところが第１の実施形態と異
なる。

【０１２８】本実施形態のように構成すれば、プリチャ
ージ回路駆動信号ＮＲＧ、プリチャージ信号ＮＲＳ、及
び画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６をプリチャージ回路２０
１及びサンプリング回路３０１の両側から供給するの
で、夫々の信号の遅延を確実に防止して、コントラスト
むら及び色むらをより一層確実に防止することができ
る。

【０１２９】例えば、プリチャージ回路駆動信号ＮＲ
Ｇ、プリチャージ信号ＮＲＳ、画像信号ＶＩＤをそれぞ
れプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１
の両側から供給する場合と、走査線３１の両端から走査
信号を供給する場合と比べてみると、走査線３１の場合
は、１本の走査線に接続された小さい第１スイッチング
素子を充電すればよいため、信号遅延の問題はさほど問
題にならないが、データ線３５の場合は、データ線その
ものを充電する必要があるため第２及び第３スイッチン
グ素子は第１スイッチング素子よりも駆動能力を上げる
ために大きくする必要があり、それに伴い、データ線３
５の配線容量及び第２及び第３スイッチング素子の容量
が大きくなるため、信号遅延の問題は走査線３１よりも
極めて大きい。このような課題に対して上述のように本
実施形態のようにプリチャージ回路駆動信号ＮＲＧ、プ
リチャージ信号ＮＲＳ、及び画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ
６をプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０
１の両側から供給するので、夫々の信号の遅延の問題を
抑えることができ、表示品質を向上させることができる
のである。特に、上述の実施形態１に記載したように複
数のデータ線３５に一度にプリチャージ信号ＮＲＳが供
給される場合、あるいはシリアル−パラレル変換によ
り、複数のデータ線３５に一度に画像信号が供給される
場合には、プリチャージ回路２０１またはサンプリング
回路３０１のスイッチング素子を介して多数のデータ線
３５が接続されることになり、配線容量が増大されて信
号遅延が起こりやすくなるが、本実施形態によりかかる
問題を抑えることができる。

【０１３０】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置２００を備えた電子機器の実施の形態について図
１６から図１９を参照して説明する。

【０１３１】先ず図１６に、このように液晶装置２００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１３２】図１６において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、前述の走査
線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む駆
動回路１００４、前述のように額縁下にプリチャージ回
路及びサンプリング回路が設けられた液晶装置２００、
クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備
えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯ
Ｍ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access
Memory）、光ディスク装置などのメモリ、同調回路等を
含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報
を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理
回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラ
レル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、
クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成され
ており、クロック信号に基づいて入力された表示情報か
らデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に
駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、走
査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１によっ
て前述の駆動方法により液晶装置２００を駆動する。電
源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給す
る。尚、液晶装置２００を構成するＴＦＴアレイ基板の
上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加え
て表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

【０１３３】次に図１７から図１９に、このように構成
された電子機器の具体例を夫々示す。

【０１３４】図１７において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、投射型の液晶プロジェクタで
あり、光源１１１０と、ダイクロイックミラー１１１
３，１１１４と、反射ミラー１１１５，１１１６，１１
１７と、入射レンズ１１１８，リレーレンズ１１１９，
出射レンズ１１２０と、液晶ライトバルブ１１２２，１
１２３，１１２４と、ダイクロイックプリズム１１２５
と、投射レンズ１１２６とを備えて構成されている。液
晶ライトバルブ１１２２、１１２３，１１２４は、上述
した液晶装置２００を３個用意し、夫々液晶ライトバル
ブとして用いたものである。また、光源１１１０はメタ
ルハライド等のランプ１１１１とランプ１１１１の光を
反射するリフレクタ１１１２とからなる。

【０１３５】以上のように構成される液晶プロジェクタ
１１１０においては、青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー１１１３は、光源１１１０からの白色光束の
うちの赤色光を透過させると共に、青色光と緑色光とを
反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１１７で反射
されて、赤色光用液晶ライトバルブ１１２２に入射され
る。一方、ダイクロイックミラー１１１３で反射された
色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー
１１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ
１１２３に入射される。また、青色光は第２のダイクロ
イックミラー１１１４も透過する。青色光に対しては、
長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１１
８、リレーレンズ１１１９、出射レンズ１１２０を含む
リレーレンズ系からなる導光手段１１２１が設けられ、
これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１１２
４に入射される。各ライトバルブにより変調された３つ
の色光はダイクロイックプリズム１１２５に入射する。
このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、そ
の内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する
誘電体多層膜とか十字状に形成されている。これらの誘
電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画
像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系
である投射レンズ１１２６によってスクリーン１１２７
上に投射され、画像が拡大されて表示される。

【０１３６】本発明の液晶装置を適用したライトバルブ
の夫々は、上述したようにコントラストのむらがないた
め、このような液晶プロジェクタに最適であり、色むら
のない良好な画像を表示することができる。

【０１３７】図１８において、電子機器の他の例たるラ
ップトップ型のパーソナルコンピュータ１２００は、上
述した液晶装置２００がトップカバーケース内に備えら
れており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると
共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を
備えている。

【０１３８】また図１９に示すように、駆動回路１００
４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶装置２
００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路
１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２
２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１
３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた外
部回路接続端子に異方性導電フィルムを介して物理的且
つ電気的に接続して、液晶装置として、生産、販売、使
用等することも可能である。

【０１３９】以上図１７から図１９を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワー
クステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などが図１６に示した電子
機器の例として挙げられる。

【０１４０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、相対的にコントラストむら及び色むらの無い高品位
の画像表示が可能な液晶装置２００を備えた各種の電子
機器を実現できる。

【０１４１】上記のように本実施形態では液晶装置を用
いて説明したが、これに限るものではなく、例えばエレ
クトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ等の電気
光学装置にも適用可能である。また本実施形態では、Ｔ
ＦＴアレイ基板を用いて説明したがこれに限るものでは
なく、シリコン基板にトランジスタを作り込む構成にも
適用可能である。

【０１４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、画像信号線、プリチャージ信号線、プリチャージ回
路駆動信号線の少なくとも何れか一方を、複数のデータ
線の配列方向の両側からサンプリング回路またはプリチ
ャージ回路に接続するように基板上で引き回したので、
コントラストのむらの無い電気光学装置を提供すること
ができる。また、このような電気光学装置の一例として
液晶装置を複数用いて液晶プロジェクタを構成する場合
でも、色むらの無い高品質の表示が可能な電子機器を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 液晶装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ
基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図
である。

【図２】 図１の液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。

【図３】 図１の液晶装置の全体構成を示す断面図であ
る。

【図４】 液晶装置に設けられたプリチャージ回路を構
成するＴＦＴの回路図である。

【図５】 液晶装置に設けられたサンプリング回路を構
成するＴＦＴの回路図である。

【図６】 液晶装置に備えられたプリチャージ回路駆動
信号及びサンプリング回路駆動信号ののタイミングチャ
ートである。

【図７】 液晶装置に備えられたシフトレジスタの構成
を示す回路図である。

【図８】 液晶装置を用いた３板式の液晶プロジェクタ
の概略構成を示すブロック図である。

【図９】 ３板式の液晶プロジェクタにおける、各色の
ライトバルブにおける表示状態を示す図であり、（１）
は緑色光用の液晶装置のみをデータ線駆動回路のシフト
方向を逆にした例、（２）は緑色光用の液晶装置に供給
する画像信号をメモリー上で反転させた例である。

【図１０】 ＴＦＴアレイ基板上に設けられた画像表示
領域を構成する隣接する画素群を示す図であり、（ａ）
はパターン平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線
に沿った断面図である。

【図１１】 第２の実施例例の液晶装置に備えられたシ
フトレジスタの構成を示す回路図である。

【図１２】 第３の実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ
アレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロ
ック図である。

【図１３】 第３の実施形態の液晶装置に備えられたプ
リチャージ回路駆動信号及びサンプリング回路駆動信号
のタイミングチャートである。

【図１４】 第４の実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ
アレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロ
ック図である。

【図１５】 第５の実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ
アレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロ
ック図である。

【図１６】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図１７】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタ
を示す断面図である。

【図１８】 電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。

【図１９】 電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液
晶装置を示す斜視図である。

【図２０】 従来の液晶装置におけるＴＦＴアレイ基板
上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図であ
る。

【図２１】 ＴＦＴアレイ基板上に設けられた周辺回路
を構成するＴＦＴを示す図であり、（ａ）はパターン平
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面
図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板 ２…対向基板 １０…液晶装置 １１…画素電極 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ３１…走査線 ３２…半導体層 ３３…ゲート絶縁膜 ３５…データ線 ３７、３８…コンタクトホール ４１…第１層間絶縁膜 ４２…第２層間絶縁膜 ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…額縁 ７０…蓄積容量 １０１…データ線駆動回路 １０２…外部回路接続端子 １０４…走査線駆動回路 ２００…液晶装置 ２０１…プリチャージ回路 ２０２…ＴＦＴ ２０４…プリチャージ信号線 ２０６…プリチャージ回路駆動信号線 ３０１…サンプリング回路 ３０２…ＴＦＴ ３０４…画像信号線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に画像信号が供給される複数のデー
   タ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記各
   データ線及び前記各走査線に接続された第１スイッチン
   グ手段と、前記第１スイッチング手段に接続された画素
   電極とを備えた電気光学装置であって、 画像信号線に供給された前記画像信号をサンプリングし
   て前記データ線に供給するための第２スイッチング手段
   を有するサンプリング回路と、 前記データ線に前記画像信号を供給するためのサンプリ
   ング期間に先だってプリチャージ信号線に供給されたプ
   リチャージ信号をプリチャージ回路駆動信号線に供給さ
   れたプリチャージ回路駆動信号に基づいて前記データ線
   に供給するための第３スイッチング手段を有するプリチ
   ャージ回路とを具備し、 前記プリチャージ信号線は、前記複数のデータ線の配列
   方向の両側から前記プリチャージ回路に接続されるよう
   に前記基板に引き回されていることを特徴とする電気光
   学装置。
2. 【請求項２】 前記プリチャージ信号線は、異なる信号
   供給接点に夫々接続されていることを特徴とする請求項
   １に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記プリチャージ信号線は、前記データ
   線と同様に低抵抗な金属膜あるいは金属合金膜で、かつ
   前記データ線と同一工程で形成されることを特徴とする
   請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記プリチャージ回路駆動信号線は、前
   記複数のデータ線の配列方向の両側から前記プリチャー
   ジ回路に接続されるように前記基板に引き回されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に
   記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 基板に画像信号が供給される複数のデー
   タ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記各
   データ線及び前記各走査線に接続された第１スイッチン
   グ手段と、前記第１スイッチング手段に接続された画素
   電極とを備えた電気光学装置であって、 画像信号線に供給された前記画像信号をサンプリングし
   て前記データ線に供給するための第２スイッチング手段
   を有するサンプリング回路と、 前記データ線に前記画像信号を供給するためのサンプリ
   ング期間に先だってプリチャージ信号をプリチャージ回
   路駆動信号線に供給されたプリチャージ回路駆動信号に
   基づいて前記データ線に供給するための第３スイッチン
   グ手段を有するプリチャージ回路とを具備し、 前記プリチャージ回路駆動信号線は、前記複数のデータ
   線の配列方向の両側から前記プリチャージ回路に接続さ
   れるように前記基板に引き回されていることを特徴とす
   る電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記プリチャージ回路駆動信号線は、異
   なる信号供給接点に夫々接続されていることを特徴とす
   る請求項５に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記プリチャージ回路駆動信号線は、前
   記データ線と同様に低抵抗な金属膜あるいは金属合金膜
   で、かつ前記データ線と同一工程で形成されることを特
   徴とする請求項４または請求項５に記載の電気光学装
   置。
8. 【請求項８】 前記サンプリング回路の前記第２スイッ
   チング手段を前記データ線の配列方向または逆方向に順
   次駆動するための双方向シフトレジスタを有するデータ
   線駆動回路を更に備えたこと特徴とする請求項１乃至請
   求項７の何れか一項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記プリチャージ回路は、前記データ線
   を順次駆動するデータ線駆動回路及びサンプリング回路
   と共に前記データ線の同じ側に設置され、前記プリチャ
   ージ回路駆動信号線には、前記第２スイッチング手段の
   導通タイミングに先行して前記第３スイッチング手段を
   導通させるプリチャージ回路駆動信号が供給されること
   を特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載
   の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記サンプリング回路の前記第２スイ
    ッチング手段を、前記データ線の配列方向まはた逆方向
    に順次駆動する双方向シフトレジスタと、前記プリチャ
    ージ回路の前記第３スイッチング手段を前記データ線の
    配列方向または逆方向に順次駆動する双方向シフトレジ
    スタとを有するデータ線駆動回路を含むことを特徴とす
    る請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の電気光学
    装置。
11. 【請求項１１】 前記プリチャージ回路は、前記データ
    線を介して前記データ線駆動回路及びサンプリング回路
    の反対側に設置され、前記プリチャージ回路駆動信号線
    には、水平帰線期間に一括して前記第３スイッチング素
    子を導通させるプリチャージ回路駆動信号が供給される
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に
    記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記画像信号線は、前記複数のデータ
    線の配列方向の両側から前記サンプリング回路に接続さ
    れるように前記基板に引き回されていることを特徴とす
    る請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の電気光
    学装置。
13. 【請求項１３】 基板上に画像信号が供給される複数の
    データ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前
    記各データ線及び前記各走査線に接続された第１スイッ
    チング手段と、前記第１スイッチング手段に接続された
    画素電極とを備えた電気光学装置であって、 画像信号線に供給された前記画像信号をサンプリングし
    て前記データ線に供給するための第２スイッチング手段
    を有するサンプリング回路とを具備し、 前記画像信号線は、前記複数のデータ線の配列方向の両
    側から前記サンプリング回路に接続されるように前記基
    板に引き回されていることを特徴とする電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記画像信号線は、異なる信号供給接
    点に夫々接続されていることを特徴とする請求項１３に
    記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】前記サンプリング回路の前記第２スイッ
    チング手段を前記データ線の配列方向または逆方向に順
    次駆動するための双方向シフトレジスタを有するデータ
    線駆動回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１３
    または１４に記載の電気光学装置。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至請求項１５の何れか一項
    に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
    器。