JPH11191534A - ウエハ支持部材 - Google Patents
ウエハ支持部材Info
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- JPH11191534A JPH11191534A JP9358309A JP35830997A JPH11191534A JP H11191534 A JPH11191534 A JP H11191534A JP 9358309 A JP9358309 A JP 9358309A JP 35830997 A JP35830997 A JP 35830997A JP H11191534 A JPH11191534 A JP H11191534A
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- ceramic
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】耐食性、耐プラズマ性に優れるとともに、一様
なプラズマを発生させることが可能なプラズマ発生機能
を備えたウエハ支持部材１を提供する。 【解決手段】ウエハＷの支持面２ａを有するセラミック
支持体２と、セラミックベース体３とをインジウム又は
インジウム合金からなる接合層４を介して接合してウエ
ハ支持部材１を構成し、上記接合層４に高周波電力を印
加してプラズマ発生用電極としての機能を持たせる。
なプラズマを発生させることが可能なプラズマ発生機能
を備えたウエハ支持部材１を提供する。 【解決手段】ウエハＷの支持面２ａを有するセラミック
支持体２と、セラミックベース体３とをインジウム又は
インジウム合金からなる接合層４を介して接合してウエ
ハ支持部材１を構成し、上記接合層４に高周波電力を印
加してプラズマ発生用電極としての機能を持たせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生機構
を備えたウエハ支持部材に関するものである。
を備えたウエハ支持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハ（以下、ウエハという）に薄膜を形成する
ためのＰＶＤ装置やＣＶＤ装置などの成膜装置やウエハ
に微細加工を施すためのドライエッチング装置には、ウ
エハを保持するためにステンレス製のウエハ支持部材が
使用されていた。
半導体ウエハ（以下、ウエハという）に薄膜を形成する
ためのＰＶＤ装置やＣＶＤ装置などの成膜装置やウエハ
に微細加工を施すためのドライエッチング装置には、ウ
エハを保持するためにステンレス製のウエハ支持部材が
使用されていた。
【０００３】しかしながら、半導体装置の製造工程では
デポジッション用ガスやエッチング用ガスとしてフッ素
系や塩素系等のハロゲン系腐食性ガスが使用され、ステ
ンレス製のウエハ支持部材では腐食を受け易く、ウエハ
に悪影響を与えることから、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などハロゲン系腐食性ガスに対する耐食性
に優れたセラミックスによってウエハ支持部材を形成し
たものがあった。
デポジッション用ガスやエッチング用ガスとしてフッ素
系や塩素系等のハロゲン系腐食性ガスが使用され、ステ
ンレス製のウエハ支持部材では腐食を受け易く、ウエハ
に悪影響を与えることから、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、窒化珪素などハロゲン系腐食性ガスに対する耐食性
に優れたセラミックスによってウエハ支持部材を形成し
たものがあった。
【０００４】また、近年、ウエハの高密度化に伴いプラ
ズマ雰囲気下での成膜加工やエッチング加工が施される
ようになり、プラズマの分布状態や各種加工速度を向上
させるために、上記ウエハ支持部材を構成するセラミッ
ク体中にタングステンやモリブデンなどの高融点金属か
らなる内部電極を埋設し、この内部電極に高周波電力を
印加することでプラズマ発生用電極としての機能を持た
せたものが使用されるようになっていた。また、上記内
部電極に高周波電力以外に直流電圧を加えることで静電
吸着機能を持たせることも提案されていた。
ズマ雰囲気下での成膜加工やエッチング加工が施される
ようになり、プラズマの分布状態や各種加工速度を向上
させるために、上記ウエハ支持部材を構成するセラミッ
ク体中にタングステンやモリブデンなどの高融点金属か
らなる内部電極を埋設し、この内部電極に高周波電力を
印加することでプラズマ発生用電極としての機能を持た
せたものが使用されるようになっていた。また、上記内
部電極に高周波電力以外に直流電圧を加えることで静電
吸着機能を持たせることも提案されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、ウエ
ハサイズの大型化とともに、ＥＣＲやヘリコン波などに
よる高密度プラズマ発生源が使用されるようになり、高
出力のプラズマを発生させるようになっている。また、
ウエハへの成膜加工やエッチング加工の均一性も益々重
要視され、高出力のプラズマをいかに均一に発生させる
かという点が検討されている。
ハサイズの大型化とともに、ＥＣＲやヘリコン波などに
よる高密度プラズマ発生源が使用されるようになり、高
出力のプラズマを発生させるようになっている。また、
ウエハへの成膜加工やエッチング加工の均一性も益々重
要視され、高出力のプラズマをいかに均一に発生させる
かという点が検討されている。
【０００６】しかしながら、上記ウエハ支持部材を構成
するセラミック体中に埋設することができる内部電極の
厚み幅は、セラミック体と内部電極との熱膨張差の関係
から５０μｍ程度が限度であり、この厚さでは高周波が
流れ難いために、ウエハ支持部材に載置するウエハに均
一なプラズマを発生させることができないといった課題
があった。その為、成膜加工では均一な厚みを持った薄
膜を形成することができず、エッチング加工では所定の
深さに加工できないことから、ウエハの一部からしか製
品を取り出すことができず、歩留りが悪かった。
するセラミック体中に埋設することができる内部電極の
厚み幅は、セラミック体と内部電極との熱膨張差の関係
から５０μｍ程度が限度であり、この厚さでは高周波が
流れ難いために、ウエハ支持部材に載置するウエハに均
一なプラズマを発生させることができないといった課題
があった。その為、成膜加工では均一な厚みを持った薄
膜を形成することができず、エッチング加工では所定の
深さに加工できないことから、ウエハの一部からしか製
品を取り出すことができず、歩留りが悪かった。
【０００７】しかも、高周波が流れ難いために内部電極
に集中的な熱応力が発生し、ウエハ支持部材が破損する
といった恐れもあった。
に集中的な熱応力が発生し、ウエハ支持部材が破損する
といった恐れもあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、ウエハの支持面を有するセラミック支持体
と、セラミックベース体とをインジウム又はインジウム
合金からなる接合層を介して接合するか、あるいは上記
セラミック支持体と、セラミックベース体との間に金属
板を介在させ、該金属板の上下面に設けたインジウム又
はインジウム合金からなる接合層でもって上記セラミッ
ク支持体とセラミックベース体とをそれぞれ接合してウ
エハ支持部材を構成し、上記接合層又は上記接合層を含
む金属板に高周波電力を印加してプラズマ発生用電極と
しての機能を持たせたことを特徴とする。
題に鑑み、ウエハの支持面を有するセラミック支持体
と、セラミックベース体とをインジウム又はインジウム
合金からなる接合層を介して接合するか、あるいは上記
セラミック支持体と、セラミックベース体との間に金属
板を介在させ、該金属板の上下面に設けたインジウム又
はインジウム合金からなる接合層でもって上記セラミッ
ク支持体とセラミックベース体とをそれぞれ接合してウ
エハ支持部材を構成し、上記接合層又は上記接合層を含
む金属板に高周波電力を印加してプラズマ発生用電極と
しての機能を持たせたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１０】図１（ａ）は、本発明のウエハ支持部材の
一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図である。
一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図である。
【００１１】このウエハ支持部材１は、一方の表面をウ
エハＷの支持面２ａとし、他方の表面に円形の凹部２ｂ
を有する円盤状のセラミック支持体２と、該セラミック
支持体２の凹部２ｂとほぼ同径の円盤状をしたセラミッ
クベース体３とからなり、該セラミックベース体３はセ
ラミック支持体２の凹部２ｂに挿嵌するとともに、イン
ジウム又はインジウム合金からなる接合層４によって接
合一体化してある。
エハＷの支持面２ａとし、他方の表面に円形の凹部２ｂ
を有する円盤状のセラミック支持体２と、該セラミック
支持体２の凹部２ｂとほぼ同径の円盤状をしたセラミッ
クベース体３とからなり、該セラミックベース体３はセ
ラミック支持体２の凹部２ｂに挿嵌するとともに、イン
ジウム又はインジウム合金からなる接合層４によって接
合一体化してある。
【００１２】この構造によれば、接合層４はセラミック
支持体２とセラミックベース体３により包囲され、ハロ
ゲン系腐食性ガスやプラズマに曝されるのを防ぐことが
できる。
支持体２とセラミックベース体３により包囲され、ハロ
ゲン系腐食性ガスやプラズマに曝されるのを防ぐことが
できる。
【００１３】上記セラミック支持体２及びセラミックベ
ース体３を構成するセラミックスとしては、ウエハＷの
脱着を繰り返しても摩耗し難く、かつハロゲン系腐食性
ガスに対する耐食性に優れたものが良く、アルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）等を主成分とするセラミ
ックスやアルミナの単結晶体であるサファイアを用いる
ことができる。
ース体３を構成するセラミックスとしては、ウエハＷの
脱着を繰り返しても摩耗し難く、かつハロゲン系腐食性
ガスに対する耐食性に優れたものが良く、アルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）等を主成分とするセラミ
ックスやアルミナの単結晶体であるサファイアを用いる
ことができる。
【００１４】また、上記セラミック支持体２とセラミッ
クベース体３とを接合する接合層４の厚み幅ｔ1 は６０
〜３５０μｍ、好ましくは１００〜３００μｍ、さらに
好ましくは２００〜３００μｍとするとともに、この接
合層４には高周波電源１０を接続してあり、上記接合層
４にプラズマ発生用電極としての機能を持たせてある。
クベース体３とを接合する接合層４の厚み幅ｔ1 は６０
〜３５０μｍ、好ましくは１００〜３００μｍ、さらに
好ましくは２００〜３００μｍとするとともに、この接
合層４には高周波電源１０を接続してあり、上記接合層
４にプラズマ発生用電極としての機能を持たせてある。
【００１５】この接合層４をなすインジウムやインジウ
ム合金は、表１に示すように接合材として使用される各
種金属の中でも硬度が低く柔軟性に優れていることか
ら、接合層４の厚み幅ｔ1 を６０〜３５０μｍとしても
セラミック支持体２やセラミックベース体３を変形させ
たり破損させることがない。しかも、熱伝導率が８２Ｗ
／ｍｋ程度と高い熱伝達特性を有することから、例え
ば、プラズマエネルギーの衝突に伴い支持面２ａの温度
が上昇してもその熱を接合層４を介してセラミックベー
ス体３へ速やかに逃がすことができ、ウエハＷの温度変
化を抑えることができる。なお、接合層４をなすインジ
ウム又はインジウム合金とは、４０〜１００重量％のイ
ンジウム（Ｉｎ）と、６０〜０重量％のＳｎ，Ａｇ，Ｐ
ｂ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ａｌ等の少なくとも一種以上とからな
るものであり、具体的な組成としては、表２に示すよう
なものを用いることができる。
ム合金は、表１に示すように接合材として使用される各
種金属の中でも硬度が低く柔軟性に優れていることか
ら、接合層４の厚み幅ｔ1 を６０〜３５０μｍとしても
セラミック支持体２やセラミックベース体３を変形させ
たり破損させることがない。しかも、熱伝導率が８２Ｗ
／ｍｋ程度と高い熱伝達特性を有することから、例え
ば、プラズマエネルギーの衝突に伴い支持面２ａの温度
が上昇してもその熱を接合層４を介してセラミックベー
ス体３へ速やかに逃がすことができ、ウエハＷの温度変
化を抑えることができる。なお、接合層４をなすインジ
ウム又はインジウム合金とは、４０〜１００重量％のイ
ンジウム（Ｉｎ）と、６０〜０重量％のＳｎ，Ａｇ，Ｐ
ｂ，Ｓｂ，Ｚｎ，Ａｌ等の少なくとも一種以上とからな
るものであり、具体的な組成としては、表２に示すよう
なものを用いることができる。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】かくして、このウエハ支持部材１の支持面
２ａにウエハＷを載置し、接合層４に高周波電力を印加
すれば、接合層４の全面にわたって高周波をスムーズに
流すことができ、ウエハ支持部材１の支持面２ａ上に対
設させたプラズマ発生用電極（不図示）との間でウエハ
Ｗに対して一様なプラズマを発生させることができるた
め、成膜加工時にはウエハＷ上に均一な厚みを持った薄
膜を形成することができるとともに、エッチング加工時
にはウエハＷを所望の深さに微細加工することができ
る。
２ａにウエハＷを載置し、接合層４に高周波電力を印加
すれば、接合層４の全面にわたって高周波をスムーズに
流すことができ、ウエハ支持部材１の支持面２ａ上に対
設させたプラズマ発生用電極（不図示）との間でウエハ
Ｗに対して一様なプラズマを発生させることができるた
め、成膜加工時にはウエハＷ上に均一な厚みを持った薄
膜を形成することができるとともに、エッチング加工時
にはウエハＷを所望の深さに微細加工することができ
る。
【００１９】ところで、このウエハ支持部材１を製作す
る方法としては、図２に図１の分解図を示すように、予
め製作しておいたセラミック支持体２の凹部２ｂに、接
合層４をなすインジウム箔又はインジウム合金箔を配置
し、別に用意しておいたセラミックベース体３をセラミ
ック支持体２の凹部２ｂに挿入したあと加圧することに
より、セラミック支持体２とセラミックベース体３とを
接合層４によって接合一体化することができる。この場
合、インジウム箔又はインジウム合金箔の厚み幅を適宜
所定の厚みに設定しておけば用意に厚み管理を行うこと
ができる。
る方法としては、図２に図１の分解図を示すように、予
め製作しておいたセラミック支持体２の凹部２ｂに、接
合層４をなすインジウム箔又はインジウム合金箔を配置
し、別に用意しておいたセラミックベース体３をセラミ
ック支持体２の凹部２ｂに挿入したあと加圧することに
より、セラミック支持体２とセラミックベース体３とを
接合層４によって接合一体化することができる。この場
合、インジウム箔又はインジウム合金箔の厚み幅を適宜
所定の厚みに設定しておけば用意に厚み管理を行うこと
ができる。
【００２０】また、他の方法としては、予め製作してお
いたセラミック支持体２の凹部２ｂに、加熱溶融したイ
ンジウム又はインジウム合金を流し込み、別に製作して
おいたセラミックベース体３をセラミック支持体２の凹
部２ｂに挿嵌し、インジウム又はインジウム合金と当接
させた状態で冷却することにより接合一体化することが
できる。なお、接合層４をなすインジウムやインジウム
合金との濡れ性を良くし、接合強度を高めるために、セ
ラミック支持体２及びセラミックベース体３の各接合面
には、酸やアルカリによる薬液処理を施すか、活性金属
法やＭｏＭｎ法などの手段によりメタライズ層を形成す
るか、あるいはＮｉやＣｕなどのメッキ層を形成してお
いても良く、さらにはＣＶＤ法やスパッタリング法など
の薄膜形成手段により金属薄膜を形成しても良い。ま
た、加熱溶融したインジウム又はインジウム合金を流し
込んで接合させる場合、接合層４のインジウムやインジ
ウム合金は前述したように柔軟性が高いために厚み幅ｔ
が６０μｍ以上となると一定の厚み幅ｔを維持すること
が難しくなるため、このような時にはセラミック支持体
２の凹部２ｂに所定の厚み幅ｔ1 となるようなスペーサ
ーを介在させておけば良い。
いたセラミック支持体２の凹部２ｂに、加熱溶融したイ
ンジウム又はインジウム合金を流し込み、別に製作して
おいたセラミックベース体３をセラミック支持体２の凹
部２ｂに挿嵌し、インジウム又はインジウム合金と当接
させた状態で冷却することにより接合一体化することが
できる。なお、接合層４をなすインジウムやインジウム
合金との濡れ性を良くし、接合強度を高めるために、セ
ラミック支持体２及びセラミックベース体３の各接合面
には、酸やアルカリによる薬液処理を施すか、活性金属
法やＭｏＭｎ法などの手段によりメタライズ層を形成す
るか、あるいはＮｉやＣｕなどのメッキ層を形成してお
いても良く、さらにはＣＶＤ法やスパッタリング法など
の薄膜形成手段により金属薄膜を形成しても良い。ま
た、加熱溶融したインジウム又はインジウム合金を流し
込んで接合させる場合、接合層４のインジウムやインジ
ウム合金は前述したように柔軟性が高いために厚み幅ｔ
が６０μｍ以上となると一定の厚み幅ｔを維持すること
が難しくなるため、このような時にはセラミック支持体
２の凹部２ｂに所定の厚み幅ｔ1 となるようなスペーサ
ーを介在させておけば良い。
【００２１】さらに、他の方法として、予め製作してお
いたセラミック支持体２の凹部２ｂにセラミックベース
体３を接合しておき、このセラミック支持体２とセラミ
ックベース体３とで構成される空洞部に加熱溶融したイ
ンジウム又はインジウム合金を圧入や真空引きによって
注入して製作することも可能である。
いたセラミック支持体２の凹部２ｂにセラミックベース
体３を接合しておき、このセラミック支持体２とセラミ
ックベース体３とで構成される空洞部に加熱溶融したイ
ンジウム又はインジウム合金を圧入や真空引きによって
注入して製作することも可能である。
【００２２】ところで、本発明のウエハ支持部材１とし
ては、図１に示した構造だけに限定されるものではな
く、例えば、図３に示すように円盤状をしたセラミック
ベース体３の上面に円形の凹部３ｂを６０〜３５０μｍ
の深さｔ1 で形成しておき、この上面に円盤状のセラミ
ック支持体２を当接させた状態で前記セラミックベース
体３の凹部３ｂに介在させておいたインジウム又はイン
ジウム合金からなる接合層４によって接合一体化しても
良い。
ては、図１に示した構造だけに限定されるものではな
く、例えば、図３に示すように円盤状をしたセラミック
ベース体３の上面に円形の凹部３ｂを６０〜３５０μｍ
の深さｔ1 で形成しておき、この上面に円盤状のセラミ
ック支持体２を当接させた状態で前記セラミックベース
体３の凹部３ｂに介在させておいたインジウム又はイン
ジウム合金からなる接合層４によって接合一体化しても
良い。
【００２３】さらに、図１及び図２に示すプラズマ発生
用部材１においては、接合層４に別途直流電源を接続す
ることで、静電吸着用電極としての機能を持たせること
もできる。
用部材１においては、接合層４に別途直流電源を接続す
ることで、静電吸着用電極としての機能を持たせること
もできる。
【００２４】例えば、図４に示すように、ウエハ支持部
材１の接合層４に高周波電源１０と直流電源１１を接続
するとともに、ウエハ支持部材１上に載置したウエハＷ
をアースしておく。この状態で接合層４とウエハＷとの
間に直流電圧を印加すれば、接合層４が静電吸着用電極
として機能するため、誘電分極によるクーロン力や微少
な漏れ電流によるジョンソンラーベック力が発現し、ウ
エハＷを支持面２ａ上に精度良く吸着固定することがで
き、さらに接合層４に高周波電力を印加すれば、ウエハ
支持部材１と対設したプラズマ発生用電極（不図示）と
の間で一様なプラズマを発生させることができるため、
ウエハＷに対して高精度の各種加工を施すことができ
る。なお、接合層４には高周波と直流電圧が重畳した状
態となるが、互いの電源１０，１１間にチョークなどの
遮断回路１２を設け、電源１０，１１同士が干渉するこ
とを防止しておけば良い。
材１の接合層４に高周波電源１０と直流電源１１を接続
するとともに、ウエハ支持部材１上に載置したウエハＷ
をアースしておく。この状態で接合層４とウエハＷとの
間に直流電圧を印加すれば、接合層４が静電吸着用電極
として機能するため、誘電分極によるクーロン力や微少
な漏れ電流によるジョンソンラーベック力が発現し、ウ
エハＷを支持面２ａ上に精度良く吸着固定することがで
き、さらに接合層４に高周波電力を印加すれば、ウエハ
支持部材１と対設したプラズマ発生用電極（不図示）と
の間で一様なプラズマを発生させることができるため、
ウエハＷに対して高精度の各種加工を施すことができ
る。なお、接合層４には高周波と直流電圧が重畳した状
態となるが、互いの電源１０，１１間にチョークなどの
遮断回路１２を設け、電源１０，１１同士が干渉するこ
とを防止しておけば良い。
【００２５】次に、本発明のウエハ支持部材１の他の例
を図５に説明する。
を図５に説明する。
【００２６】このウエハ支持部材１は、一方の表面をウ
エハＷの支持面２ａとし、他方の表面に円形の凹部２ｂ
を有する円盤状のセラミック支持体２と、該セラミック
支持体２の凹部２ｂとほぼ同径の円盤状をしたセラミッ
クベース体３とからなり、該セラミック支持体２とセラ
ミックベース体３との間には金属板６を介在させるとと
もに、この金属板６とセラミック支持体２及び金属板６
とセラミックベース体３とをインジウム又はインジウム
合金からなる接合層５（５ａ，５ｂ）によってそれぞれ
接合することにより、セラミック支持体２とセラミック
ベース体３とを接合一体化してある。
エハＷの支持面２ａとし、他方の表面に円形の凹部２ｂ
を有する円盤状のセラミック支持体２と、該セラミック
支持体２の凹部２ｂとほぼ同径の円盤状をしたセラミッ
クベース体３とからなり、該セラミック支持体２とセラ
ミックベース体３との間には金属板６を介在させるとと
もに、この金属板６とセラミック支持体２及び金属板６
とセラミックベース体３とをインジウム又はインジウム
合金からなる接合層５（５ａ，５ｂ）によってそれぞれ
接合することにより、セラミック支持体２とセラミック
ベース体３とを接合一体化してある。
【００２７】また、このウエハ支持部材１における金属
板６と接合層５の合計厚み幅ｔ2 は６０〜３５０μｍと
するとともに、この金属板６と接合層５には高周波電源
１０を接続してあり、上記金属板６と接合層５にプラズ
マ発生用電極としての機能を持たせてある。
板６と接合層５の合計厚み幅ｔ2 は６０〜３５０μｍと
するとともに、この金属板６と接合層５には高周波電源
１０を接続してあり、上記金属板６と接合層５にプラズ
マ発生用電極としての機能を持たせてある。
【００２８】この構造によれば、一様なプラズマを発生
させるのに必要な厚み幅ｔ2 を金属板６の厚み幅を厚く
することによりかせぐことができ、高価なインジウムや
インジウム合金の量を減らすことができる。また、セラ
ミック支持体２とセラミックベース体３との間には熱膨
張係数の異なる金属板６が介在するものの、接合層４を
なすインジウムやインジウム合金により両者の熱膨張差
を緩和することができるため、接合時におけるセラミッ
ク支持体２やセラミックベース体３の反り、あるいは破
損等を生じることがない。
させるのに必要な厚み幅ｔ2 を金属板６の厚み幅を厚く
することによりかせぐことができ、高価なインジウムや
インジウム合金の量を減らすことができる。また、セラ
ミック支持体２とセラミックベース体３との間には熱膨
張係数の異なる金属板６が介在するものの、接合層４を
なすインジウムやインジウム合金により両者の熱膨張差
を緩和することができるため、接合時におけるセラミッ
ク支持体２やセラミックベース体３の反り、あるいは破
損等を生じることがない。
【００２９】（実施例）ここで、図１，５のウエハ支持
部材１を試作し、接合層４，５の材質及び厚み幅ｔ1 ，
ｔ2 を異ならせた時の製作性とプラズマの分布状態につ
いて調べる実験を行った。
部材１を試作し、接合層４，５の材質及び厚み幅ｔ1 ，
ｔ2 を異ならせた時の製作性とプラズマの分布状態につ
いて調べる実験を行った。
【００３０】本実験ではウエハ支持部材１を構成するセ
ラミック支持体２及びセラミックベース体３をそれぞれ
純度９９．９％の窒化アルミニウム質セラミックスによ
り形成するとともに、図５のウエハ支持部材１に介在さ
せる金属板６としてアルミニウム板を用いた。
ラミック支持体２及びセラミックベース体３をそれぞれ
純度９９．９％の窒化アルミニウム質セラミックスによ
り形成するとともに、図５のウエハ支持部材１に介在さ
せる金属板６としてアルミニウム板を用いた。
【００３１】また、本発明品には接合層４，５としてイ
ンジウムを使用し、従来品には接合層４，５としてモリ
ブデンと銀銅ロウをそれぞれ用いた。
ンジウムを使用し、従来品には接合層４，５としてモリ
ブデンと銀銅ロウをそれぞれ用いた。
【００３２】そして、製作性については、セラミック支
持体２及びセラミックベース体３を各接合層４，５にて
接合した時の破損の有無により評価し、プラズマの分布
状態については、接合層４及び接合層５を含む金属板６
に１３．５６Ｈｚ、２ｋＷの高周波電力を印加した時
に、対設するプラズマ発生用電極（不図示）との間に一
様なプラズマが得られたものを○、得られなかったもの
を×としてそれぞれ評価した。
持体２及びセラミックベース体３を各接合層４，５にて
接合した時の破損の有無により評価し、プラズマの分布
状態については、接合層４及び接合層５を含む金属板６
に１３．５６Ｈｚ、２ｋＷの高周波電力を印加した時
に、対設するプラズマ発生用電極（不図示）との間に一
様なプラズマが得られたものを○、得られなかったもの
を×としてそれぞれ評価した。
【００３３】接合層４及び接合層５を含む金属板６の厚
み幅ｔ1 ，ｔ2 及び結果はそれぞれ表３に示す通りであ
る。
み幅ｔ1 ，ｔ2 及び結果はそれぞれ表３に示す通りであ
る。
【００３４】
【表３】
【００３５】この結果、本発明では、接合層４の厚み幅
ｔ1 及び金属板６と接合層５の合計厚み幅t2を２００μ
ｍとしてもウエハ支持部材１の破損がなく、製作性が良
好であった。そして、接合層４の厚み幅ｔ1 及び金属板
６と接合層５の合計厚み幅t2を６０μｍ以上としたもの
では一様なプラズマを発生させることが可能であった。
ｔ1 及び金属板６と接合層５の合計厚み幅t2を２００μ
ｍとしてもウエハ支持部材１の破損がなく、製作性が良
好であった。そして、接合層４の厚み幅ｔ1 及び金属板
６と接合層５の合計厚み幅t2を６０μｍ以上としたもの
では一様なプラズマを発生させることが可能であった。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ウエハ
の支持面を有するセラミック支持体と、セラミックベー
ス体とをインジウム又はインジウム合金からなる接合層
を介して接合するか、あるいは上記セラミック支持体
と、セラミックベース体との間に金属板を介在させ、該
金属板の上下面に設けたインジウム又はインジウム合金
からなる接合層でもって上記セラミック支持体とセラミ
ックベース体とをそれぞれ接合してウエハ支持部材を構
成し、上記接合層又は上記接合層を含む金属板に高周波
電力を印加してプラズマ発生用電極としての機能を持た
せたことから、プラズマ雰囲気下でハロゲン系腐食性ガ
スに曝されたとしても上記プラズマ発生用電極をなす接
合層は緻密で耐食性、耐プラズマ性に優れるセラミック
スで包囲されているから腐食や特性劣化を生じることが
ない。また、上記プラズマ発生用電極をなす接合層には
充分な厚み幅を持たせることができるため、高周波を印
加しても異常発熱することがなく、一様なプラズマを発
生させることができる。
の支持面を有するセラミック支持体と、セラミックベー
ス体とをインジウム又はインジウム合金からなる接合層
を介して接合するか、あるいは上記セラミック支持体
と、セラミックベース体との間に金属板を介在させ、該
金属板の上下面に設けたインジウム又はインジウム合金
からなる接合層でもって上記セラミック支持体とセラミ
ックベース体とをそれぞれ接合してウエハ支持部材を構
成し、上記接合層又は上記接合層を含む金属板に高周波
電力を印加してプラズマ発生用電極としての機能を持た
せたことから、プラズマ雰囲気下でハロゲン系腐食性ガ
スに曝されたとしても上記プラズマ発生用電極をなす接
合層は緻密で耐食性、耐プラズマ性に優れるセラミック
スで包囲されているから腐食や特性劣化を生じることが
ない。また、上記プラズマ発生用電極をなす接合層には
充分な厚み幅を持たせることができるため、高周波を印
加しても異常発熱することがなく、一様なプラズマを発
生させることができる。
【００３７】その為、本発明のウエハ支持部材を成膜装
置やエッチング装置に用いれば、長期間にわたって使用
可能であるとともに、一様なプラズマを発生させること
ができることから、ウエハの全面に対して均一な成膜や
加工を施すことができ、歩留りを大幅に向上させること
ができる。
置やエッチング装置に用いれば、長期間にわたって使用
可能であるとともに、一様なプラズマを発生させること
ができることから、ウエハの全面に対して均一な成膜や
加工を施すことができ、歩留りを大幅に向上させること
ができる。
【図１】（ａ）は、本発明のウエハ支持部材の一例を示
す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
【図２】本発明のウエハ支持部材を示す分解図である。
【図３】本発明のウエハ支持部材の変形例を示す断面図
である。
である。
【図４】本発明のウエハ支持部材の他の例を示す断面図
である。
である。
【図５】本発明のウエハ支持部材の他の例を示す断面図
である。
である。
１・・・ウエハ支持部材 ２・・・セラミック支持体
２ａ・・・支持面 ２ｂ・・・凹部 ３・・・セラミックベース体 ４・・
・接合層 １０・・・高周波電源 ｔ1 ・・・接合層の厚み幅 Ｗ
・・・ウエハ
２ａ・・・支持面 ２ｂ・・・凹部 ３・・・セラミックベース体 ４・・
・接合層 １０・・・高周波電源 ｔ1 ・・・接合層の厚み幅 Ｗ
・・・ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 21/68 Ｎ 21/68 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハの支持面を有するセラミック支持体
と、セラミックベース体とをインジウム又はインジウム
合金からなる接合層を介して接合し、該接合層をプラズ
マ発生用電極としたことを特徴とするウエハ支持部材。 - 【請求項２】ウエハの支持面を有するセラミック支持体
と、セラミックベース体との間に金属板を介在させ、該
金属板の上下面に設けたインジウム又はインジウム合金
からなる接合層でもって上記セラミック支持体とセラミ
ックベース体とをそれぞれ接合し、上記接合層を含む金
属板をプラズマ発生用電極としたことを特徴とするウエ
ハ支持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358309A JPH11191534A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | ウエハ支持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9358309A JPH11191534A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | ウエハ支持部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191534A true JPH11191534A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18458635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9358309A Pending JPH11191534A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | ウエハ支持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017551A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| JP2010174325A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | 放電用電極体、放電用電極アセンブリおよび放電処理装置 |
| JP2014222660A (ja) * | 2014-06-16 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2017208562A (ja) * | 2012-04-26 | 2017-11-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｅｓｃの接着剤の浸食を防止するための方法及び装置 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9358309A patent/JPH11191534A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017551A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| JP2010174325A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Kyocera Corp | 放電用電極体、放電用電極アセンブリおよび放電処理装置 |
| JP2017208562A (ja) * | 2012-04-26 | 2017-11-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｅｓｃの接着剤の浸食を防止するための方法及び装置 |
| JP2014222660A (ja) * | 2014-06-16 | 2014-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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