JP3271352B2

JP3271352B2 - 静電チャック及びその作製方法並びに基板処理装置及び基板搬送装置

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Publication number: JP3271352B2
Application number: JP01946293A
Authority: JP
Inventors: 一夫菊地
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-01-13
Filing date: 1993-01-13
Publication date: 2002-04-02
Anticipated expiration: 2017-04-02
Also published as: JPH06216224A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電引力（クーロン
力）によってウエハ等の基板を吸引・保持する静電チャ
ック及びその作製方法、並びに静電チャックを備えた基
板処理装置及び基板搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造工程においては、ドライ
エッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング
装置、イオン注入装置、アッシング装置、電子ビームリ
ソグラフィ装置、Ｘ線リソグラフィ装置、露光装置等の
各種基板処理装置の基板載置部（基板載置ステージ）に
静電チャックが用いられている。

【０００３】例えば、プラズマエッチング装置あるいは
プラズマＣＶＤ装置においては、装置内の２枚の平行平
板電極の間に適当な圧力のガスを導入し、これらの電極
にＲＦ電力を加えることによって生成されたプラズマを
用いてエッチングあるいはＣＶＤを行う。例えばエッチ
ングの場合、プラズマからの熱やエッチング反応の進行
の影響で、ウエハ等のエッチングを正確に制御すること
が困難になる。それ故、ウエハ等を冷却しつつエッチン
グを行うことによって高精度にエッチングを制御する、
低温エッチング技術の検討が進められている。

【０００４】このような装置においては、ウエハ等の基
板と基板載置部との間は真空であり伝熱効率が低いた
め、基板を冷却するには、２枚の平行平板電極の内の一
方の電極を兼ねた基板載置部を冷却するだけでは不十分
である。そこで、基板の冷却効率を高めるために、通
常、基板裏面に不活性ガスを流す。このとき、基板を基
板載置部上に確実に固定する必要がある。

【０００５】基板処理装置における基板固定手段とし
て、一般に、メカニカルクランプ方式と静電チャック方
式を挙げることができる。メカニカルクランプ方式は、
基板を基板載置部に均一に固定することが困難であり、
しかも、プラズマに対する悪影響及びダスト発生の原因
となるという問題を有する。一方、静電チャック方式
は、基板の表面に直接静電チャックが接触しないので、
プラズマに対する悪影響やダストの発生という問題がな
く、しかも基板を基板載置部に均一に固定できるので、
基板の固定手段として好ましい方法である。

【０００６】基板処理装置に備えられた静電チャック
は、２つの形式に分類することができる。

【０００７】第１の形式の静電チャックは、図４の
（Ａ）に模式的断面図を示すように、金属から成る基板
載置部３０と、絶縁材料３２から成る。基板載置部は静
電チャックを兼ねている。即ち、基板載置部３０は、静
電チャック用電極、及び基板処理装置によっては２枚の
平行平板電極の内の一方の電極（かかる電極をステージ
電極とも呼ぶ）をも兼ねている。絶縁材料３２は、例え
ば接着剤等の接合材３４によって基板載置部３０の表面
に取り付けられている。必要に応じて、基板載置部内に
冷媒流路３６を設け、冷媒流路３６内に冷媒を流すこと
によって基板載置部３０を所望の温度に制御する。更
に、必要に応じてウエハ等の基板の裏面にヘリウムガス
等の不活性ガスをガス供給口２０から供給する。かかる
不活性ガスは熱媒体として機能し、基板への伝熱効率を
高めている。

【０００８】ウエハ等の基板を基板載置部３０に固定す
る場合、静電チャック用電極を兼ねた基板載置部３０に
高圧の直流電圧を印加する。その結果、絶縁材料３２の
表面に静電気が生じ、これによって基板は基板載置部３
０に吸引・固定される。ウエハ等の基板の処理時、基板
処理装置によっては、ステージ電極を兼ねた基板載置部
３０に高周波電圧を印加する。

【０００９】第２の形式の静電チャック４０は、図４の
（Ｂ）に模式的断面図を示すように、金属から成る基板
載置部４６の上に取り付けられている。即ち、第１の形
式とは異なり、静電チャックと基板載置部は別個の部品
である。静電チャック４０は、絶縁材料から成る基体４
２と、基体４２の内部に配設されたアルミニウムや銅等
の金属薄膜から成る静電チャック用電極４４から構成さ
れている。基板載置部４６は、基板処理装置によって
は、ステージ電極を兼ねている。必要に応じて、基板載
置部４６内に冷媒流路４８を設け、冷媒流路４８内に冷
媒を流すことによって基板載置部４６を所望の温度に制
御する。更に、必要に応じてウエハ等の基板の裏面にヘ
リウムガス等の不活性ガスをガス供給口２０から供給す
る。

【００１０】ウエハ等の基板を静電チャック４０にて吸
引・固定する場合、静電チャック用電極４４に高圧の直
流電圧を印加する。その結果、静電チャック４０の表面
に静電気が生じ、これによって基板は静電チャック４０
に吸引・固定される。ウエハ処理装置によっては、ウエ
ハ等の基板の処理時、基板載置部４６（ステージ電極）
に高周波電圧を印加する。

【００１１】静電チャックと基板との間に働くクーロン
力Ｆは、Ｆ＝（Ｓ／２）ε（Ｖ／ｄ）² 式（１）で表すことができる。ここで、Ｓは静電チャックの電極
面積、εは絶縁材料の誘電率、Ｖは印加電圧、ｄは絶縁
材料の厚さである。

【００１２】式（１）から、吸引・固定力の強い静電チ
ャックを作製するためには、絶縁材料の厚さをできる限
る薄くする一方、絶縁材料は高い絶縁破壊電圧を有する
ことが必要とされる。また、基板処理装置によっては、
静電チャックを真空下で使用するため、静電チャックに
は脱ガス特性（真空特性）が優れていることも要求され
る。更に、半導体装置の各製造工程において、場合によ
っては、ウエハ等の基板を正確に温度制御する必要があ
るため、静電チャックには熱伝導率が高いことも必要と
される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】絶縁材料として、例え
ばポリイミドから成る高分子系絶縁シートを用い、接合
材３４として有機系接着剤を用いて絶縁材料３２を基板
載置部３０の表面に張り合わせた場合、あるいは、かか
る高分子絶縁シートから成る基体４２を静電チャック用
電極４４に有機系接着剤を使用して張り合わせた場合、
絶縁材料の厚さは０．１ｍｍ以下にすることができる。
しかしながら、高分子系絶縁シートは、耐摩耗性、耐プ
ラズマ性に乏しい。また、有機系接着剤を用いるので、
真空特性が悪く、更に、接着剤の凹凸に起因して静電チ
ャックの表面平滑性が悪くなり基板に対する吸引力が低
下する。

【００１４】絶縁材料から成る基体４２としてセラミッ
ク材料を使用し、かかる２枚のセラミック材料の間に静
電チャック用電極４４を挟み、セラミック材料を焼結さ
せることによって作製された第２の形式の静電チャック
４０は、接着剤を用いていないので、真空特性に優れ、
耐摩耗性、耐プラズマ性にも優れている。しかしなが
ら、通常、吸引側のセラミック材料の厚さが０．５ｍｍ
以上あるため、静電チャックの静電吸引力が低く、熱伝
導率も低いという問題がある。

【００１５】絶縁材料としてセラミック薄膜を使用し、
ＣＶＤ法又は蒸着によって基板載置部３０の表面又は静
電チャック用電極４４の表面にかかるセラミック薄膜を
形成した静電チャックにおいては、セラミック薄膜が１
０μｍ以上になると表面から剥離するという問題があ
る。また、セラミック薄膜が１０μｍ未満では絶縁破壊
電圧が低いという問題もある。

【００１６】絶縁材料としてセラミックを使用し、基板
載置部３０の表面又は静電チャック用電極４４の表面に
セラミックを溶射した静電チャックにおいては、絶縁材
料の厚さを１００μｍ程度にすることができる。しかし
ながら、溶射されたセラミック薄膜の表面は多孔質で粗
く、表面を平滑にするためには高分子溶液の含浸が必要
である。また、溶射されたセラミック薄膜は、絶縁破壊
電圧が低いという問題もある。

【００１７】絶縁材料としてセラミック板を使用し、基
板載置部３０の表面に有機系接着剤によってセラミック
板を張り付け、あるいは２枚のセラミック板の間に静電
チャック用電極４４を挟みこれらのセラミック板を有機
系接着剤によって張り合わせた静電チャックは、接着剤
を用いているため、真空特性が悪く、耐熱性に劣るとい
う問題がある。また、接着強度が低いので、セラミック
板を接着した後、セラミック板を薄く加工することが極
めて困難である。従って、接着前にセラミック板を薄く
加工しなければならないが、大面積のセラミック板を薄
くする加工は極めて困難である。

【００１８】絶縁材料としてセラミック板を使用し、基
板載置部３０の表面にセラミック板をロウ材（例えば、
Ａｇ−Ｃｕ合金）によって張り付けた静電チャックは、
絶縁特性、耐熱性、接合強度の全てに優れている。しか
しながら、ロウ付け処理には８００〜８５０゜Ｃの高温
を必要とするため、基板載置部３０の材料に耐熱性が要
求される。このような材料、例えばＳｉＣ、は取扱いが
困難であり、高価でもある。

【００１９】上記第２の形式の静電チャックを水冷電極
に金属ボンディングによって取り付けた基板保持装置
が、特開平３−３２４９号公報から公知である。この静
電チャックにおいては、静電チャック用電極を挟み込ん
だ２枚のセラミック板を焼結して成る静電チャックの背
面にＣｒ層及びＣｕ層を蒸着し、更に、Ｃｕ層の上に湿
式めっきによりＩｎ層を形成する。水冷電極の表面にも
湿式めっきによってＩｎ層を形成する。そして約１５０
゜Ｃ以下の低温で両Ｉｎ層同士を融着させることによっ
て静電チャックを水冷電極に金属ボンディングする。こ
の形式の静電チャックにおけるセラミック板の厚さは通
常０．５ｍｍ以上もあり、吸引・固定力が低いという問
題がある。

【００２０】石英ガラス又はアルミナセラミックから成
る基板本体と、石英ガラスから成る誘電体と、誘電体の
裏面に蒸着された静電チャック用電極から成り、静電チ
ャック用電極と基板本体とを接着剤で接着した第２の形
式の静電チャックが、実願昭５８−１８９５６１号（実
開昭６０−９６８３２号）の明細書に開示されている。
この明細書には、静電チャック用電極と基板本体とを接
着剤で接着した後、研磨等によって誘電体の表面を削り
取り、誘電体の厚さを所望の厚さにする旨が記載されて
いる。この明細書に記載された静電チャックは、接着剤
を使用しているので、真空特性が悪く、耐熱性に劣ると
いう問題がある。また、接着強度が低いので、セラミッ
ク板を接着した後セラミック板を薄く加工することが、
実際には極めて困難である。

【００２１】従って、本発明の目的は、吸引力が強く、
耐摩耗性、耐熱性、耐プラズマ性、真空特性、表面平滑
性、絶縁特性に優れ、熱伝導率が高く、高強度を有す
る、基板載置部を兼ねた静電チャック及びその作製方
法、並びにかかる静電チャックを備えた基板処理装置及
び基板搬送装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の静電チャックは、上記第１の形式の静電チ
ャックに分類される。そして、静電チャック用電極を兼
ねた金属から成る基板載置部、及び基板載置部の表面に
低温ロウ付け材料にて接着されたセラミック板から成る
ことを特徴とする。セラミック板は窒化アルミニウムか
ら成ることが、高熱伝導率の面から好ましい。低温ロウ
付け材料として、ＩｎあるいはＰｂ−Ｓｎ等を用いるこ
とができる。

【００２３】本発明の静電チャックにおいては、ウエハ
等の基板の処理時、低温ロウ付け材料からのスパーク発
生を防止するために、基板載置部とセラミック板との間
に介在する低温ロウ付け材料の露出部分を合成樹脂で被
覆することが望ましい。

【００２４】また、上記の目的を達成するために、本発
明の静電チャックの作製方法は、静電チャック用電極を
兼ねた金属から成る基板載置部の表面にセラミック板を
低温ロウ付け材料を用いて低温ロウ付け法にて接着させ
た後、セラミック板の表面を研磨してセラミック板の厚
さを所望の厚さにすることを特徴とする。セラミック板
の所望の厚さは、静電吸引力と絶縁破壊電圧との関係を
考慮すると、２０〜１００μｍであることが望ましい。

【００２５】本発明の静電チャックの作製方法において
は、ウエハ等の基板の処理時、低温ロウ付け材料からの
スパーク発生を防止するために、基板載置部とセラミッ
ク板との間に介在する低温ロウ付け材料の露出部分を合
成樹脂で被覆する工程を更に含むことが望ましい。

【００２６】本発明の基板処理装置は、上述の本発明の
静電チャックを備えていることを特徴とする。基板処理
装置としては、ドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ
装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、アッシン
グ装置、電子ビームリソグラフィ装置、Ｘ線リソグラフ
ィ装置、露光装置を挙げることができる。

【００２７】また、本発明の基板搬送装置は、上述の本
発明の静電チャックを備えていることを特徴とする。

【００２８】本発明の基板処理装置あるいは基板搬送装
置における基板とは、シリコン等の半導体基板、ＧａＡ
ｓ等の半絶縁性基板あるいは石英ガラス等の絶縁基板を
挙げることができる。

【００２９】

【作用】本発明の静電チャックは、基板載置部の表面に
セラミック板を低温ロウ付け法にて接着させて成る。低
温ロウ付けは３００゜Ｃ前後で行うことができるので、
基板載置部をアルミニウム等の通常の金属材料から作製
することができ、耐熱性の高い材料である必要がない。
また、静電チャックはその表面がセラミック板から構成
されているので、耐摩耗性、耐熱性、耐プラズマ性、真
空特性、絶縁特性に優れ、高強度である。また、窒化ア
ルミニウム等から成るセラミック板を使用すれば、熱伝
導率を高くすることができる。

【００３０】本発明の静電チャックの作製方法は、基板
載置部の表面にセラミック板を低温ロウ付け法にて接着
させた後、セラミック板の表面を研磨してセラミック板
の厚さを所望の厚さとするので、セラミック板の加工が
容易であると同時に、セラミック板の厚さを薄くでき、
静電吸引力を高くすることができ、しかも表面平滑性に
優れた静電チャックを作製することができる。

【００３１】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。

【００３２】（実施例１）本発明の静電チャックは、先
に述べた第１の形式の静電チャックである。即ち、基板
載置部は静電チャックを兼ねている。実施例１の静電チ
ャックは、図１に模式的断面図を示すように、金属から
成る基板載置部１０と、例えば窒化アルミニウムから成
るセラミック板１２から構成されている。基板載置部１
０は例えばアルミニウムから作製され、電極（静電チャ
ック用電極、及び必要に応じてステージ電極）を兼ねて
いる。

【００３３】セラミック板１２は基板載置部１０の表面
に、Ｉｎ又はＰｂ−Ｓｎから成る低温ロウ付け材料１４
によって接着されている。基板載置部１０内には、必要
に応じて、温度センサ付きの加熱ヒーター１６及び／又
は冷媒流路１８が設けられており、加熱ヒーター１６に
電流を流しあるいは冷媒流路１８内に冷媒（例えば、水
や液体窒素等）を流すことによって、基板載置部１０を
所望の温度に制御することができる。

【００３４】ウエハ等の基板を静電チャック用電極を兼
ねた基板載置部１０に固定する場合、基板載置部１０に
高圧の直流電圧を印加する。同時に、例えば、基板の近
傍にプラズマを発生させ、あるいは基板表面にエレクト
ロンシャワー等によって電子を供給する。その結果、セ
ラミック板１２の表面が誘電分極を起こし、表面に静電
気が生じる。これによってクーロン力が発生し、ウエハ
等の基板は基板載置部１０に吸引・固定される。ウエハ
等の基板の処理時、必要に応じて、ステージ電極を兼ね
た基板載置部１０に高周波電圧を印加する。併せて、加
熱ヒーター１６に電流を流し、あるいは冷媒流路１８内
に冷媒を流し、更に、必要に応じてウエハ等の基板の裏
面にヘリウムガス等の不活性ガスをガス供給口２０から
供給する。かかる不活性ガスは熱媒体として機能する。
こうして、基板の温度を正確に制御しつつ、基板を基板
載置部１０に吸引・固定した状態で、基板を処理するこ
とができる。

【００３５】本発明の静電チャックの作製方法を、以下
説明する。セラミック板１２は絶縁耐圧が高ければ如何
なるセラミック板でもよいが、熱伝導率の高い窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）から成ることが好ましい。先ず、厚
さ数ｍｍのセラミック板１２の裏面に厚さ数μｍのバリ
アメタル層をスパッタリングにて形成する。バリアメタ
ル層は、Ｍｏ／Ｃｕ合金、Ｔｉ／Ｃｕ合金、Ｔｉ／Ｎｉ
／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ合金等から構成すること
ができる。

【００３６】例えばアルミニウムから作製された基板載
置部１０の形状は任意である。セラミック板を接着すべ
き静電チャック用電極を兼ねた基板載置部１０の表面
に、濡れ性改善のために、スパッタリングによって厚さ
数μｍのＣｕ層を形成する。次いで、Ｃｕ層が形成され
た基板載置部１０とバリアメタル層が形成されたセラミ
ック板１２とを、低温ロウ付け材料１４を用いて低温ロ
ウ付け法で接着させる。低温ロウ付け材料１４として、
Ｉｎ又はＰｂ−Ｓｎを使用した。接着温度は３００゜Ｃ
前後である。溶融した低温ロウ付け材料１４中に気泡が
混入しないように、真空中で低温ロウ付け作業を行うこ
とが望ましい。低温ロウ付け材料１４の厚さは約０．２
ｍｍである。こうして、静電チャック用電極を兼ねた金
属から成る基板載置部１０の表面にセラミック板１２を
低温ロウ付け材料１４を用いて低温ロウ付け法にて接着
させた。

【００３７】低温ロウ付け法にて基板載置部１０に接着
されたままのセラミック板１２の厚さは数ｍｍであり、
この状態では、極めて小さなクーロン力しか得ることが
できない。そこで、次に、研磨等によってセラミック板
１２の表面を削り取り、セラミック板１２の厚さを所望
の厚さ、例えば２０〜１００μｍにする。セラミック板
１２は低温ロウ付け材料１４によって基板載置部１０に
強固に接着されているので（例えば、５０ｋｇ／ｍｍ²
程度）、セラミック板１２の表面の研磨を容易に行うこ
とができる。研磨後のセラミック板１２の表面粗さが小
さい程、静電吸引力は大きくなる。

【００３８】こうして、基板載置部と一体となった静電
チャックを作製することができる。かかる基板載置部１
０を各種基板処理装置に組み込むことによって、基板処
理装置を作製することができる。

【００３９】（実施例２）実施例２は、実施例１で説明
した本発明の静電チャック及び静電チャックの作製方法
の変形である。実施例２における静電チャックにおいて
は、図２に模式的な断面図を示すように、基板載置部１
０とセラミック板１２との間に介在する低温ロウ付け材
料１４の露出部分１４Ａを合成樹脂２２で被覆した。合
成樹脂としてはポリイミド樹脂を使用した。

【００４０】実施例２の静電チャックにおいては、電極
を兼ねた金属から成る基板載置部１０の表面にセラミッ
ク板１２を低温ロウ付け材料１４を用いて低温ロウ付け
法にて接着させた後、セラミック板１２の表面を研磨し
てセラミック板１２の厚さを所望の厚さにする。その
後、基板載置部１０とセラミック板１２との間に介在す
る低温ロウ付け材料１４の露出部分１４Ａにポリイミド
樹脂から成る合成樹脂２２を塗布し、次いで熱処理する
ことによって合成樹脂２２を硬化させる。これによっ
て、低温ロウ付け材料１４の露出部分１４Ａが合成樹脂
２２で被覆される。

【００４１】このように、低温ロウ付け材料１４の露出
部分１４Ａを合成樹脂２２で被覆することによって、ウ
エハ等の基板の処理時、低温ロウ付け材料１４からのス
パーク発生を効果的に防止することができる。

【００４２】（実施例３）実施例３は、本発明の静電チ
ャック及びその作製方法を基板搬送装置に応用した例で
ある。図３の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すよう
に、基板搬送装置は、搬送アーム２４から構成されてい
る。搬送アーム２４はアルミニウムやステンレススチー
ル等の金属から成り、その先端部は電極を兼ねた基板載
置部１０となっている。基板載置部１０の表面に低温ロ
ウ付け材料１４にてセラミック板１２が接着されてい
る。必要に応じて、図３の（Ｂ）に示すように、実施例
２と同様に、低温ロウ付け材料１４の露出部分１４Ａを
合成樹脂２２で被覆することができる。

【００４３】実施例３の静電チャックは、実施例１及び
実施例２と同様の方法で作製することができる。また、
実施例３の静電チャックの操作も実施例１と同様とする
ことができる。

【００４４】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例にて説明した材料、各種数値等は例示で
あり、適宜変更することができる。

【００４５】例えば、本発明の静電チャックの作製方法
の好ましい態様における低温ロウ付け材料の露出部分の
合成樹脂による被覆を、セラミック板の研磨前に行うこ
とができる。

【００４６】また、例えば、本発明の静電チャックの作
製方法の好ましい態様を前述した第２の形式の静電チャ
ックの作製方法に応用することができる。即ち、静電チ
ャック用電極を２枚のセラミック板に挟んでセラミック
板を燃結させて静電チャックを作製した後、ステージ電
極を兼ねた金属から成る基板載置部の表面に静電チャッ
クを構成するセラミック板を低温ロウ付け材料を用いて
低温ロウ付け法にて接着させる。次に、セラミック板の
表面を研磨してセラミック板の厚さを所望の厚さにす
る。その後、基板載置部とセラミック板との間に介在す
る低温ロウ付け材料の露出部分を合成樹脂で被覆する。

【００４７】

【発明の効果】本発明においては、低温ロウ付け法によ
ってセラミック板が基板載置部に強固に接着されている
ので、真空特性に優れ、セラミック板を薄く加工でき、
しかも表面平滑性に優れている。それ故、本発明の静電
チャックは高い吸引・固定力を得ることができる。ま
た、表面がセラミック板で構成されているので、耐摩耗
性、耐熱性、耐プラズマ性、絶縁特性に優れる。また、
窒化アルミニウム等から成るセラミック板を使用すれ
ば、熱伝導率を比較的高くすることができる。低温ロウ
付けは３００゜Ｃ前後で行うことができるので、耐熱性
の高い材料から基板載置部を作製する必要がない。本発
明の基板処理装置あるいは基板搬送装置においては、静
電チャックの耐摩耗性、耐プラズマ性に優れているの
で、静電チャックの寿命が長く、ウエハ処理装置等の保
守回数を低減することができ、ランニングコストの低下
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の静電チャックの模式的な断面図であ
る。

【図２】実施例２の静電チャックの模式的な断面図であ
る。

【図３】実施例３の静電チャックを備えた基板搬送装置
の模式的な断面図である。

【図４】従来の静電チャックの模式的な断面図である。

【符号の説明】

１０，３０，４６基板載置部１２セラミック板１４低温ロウ付け材料１４Ａ低温ロウ付け材料１４の露出部分１６加熱ヒーター１８，３６，４８冷媒流路２０ガス供給口２２合成樹脂２４搬送アーム３２絶縁材料３４接合材４０第２の形式の静電チャック４２基体４４静電チャック用電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/265 ６０３Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 21/3065 21/30 ５０３Ｃ (56)参考文献特開平６−45284（ＪＰ，Ａ) 特開平４−367247（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−263895（ＪＰ，Ａ) 特開平４−363052（ＪＰ，Ａ) 特開平３−188645（ＪＰ，Ａ) 特開平５−206254（ＪＰ，Ａ) 実開平４−89527（ＪＰ，Ｕ) 実開平４−133443（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/027 H01L 21/205 H01L 21/265 H01L 21/3065 H02N 13/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】静電チャック用電極を兼ねた金属から成る
基板載置部、及び、該基板載置部の表面に低温ロウ付け
材料にて接着されたセラミック板から成る静電チャック
であって、基板載置部とセラミック板との間に介在する低温ロウ付
け材料の露出部分を合成樹脂で被覆したことを特徴とす
る静電チャック。
【請求項２】静電チャック用電極を兼ねた金属から成る
基板載置部の表面にセラミック板を低温ロウ付け材料を
用いて低温ロウ付け法にて接着させた後、セラミック板
の表面を研磨してセラミック板の厚さを所望の厚さにす
ることを特徴とする静電チャックの作製方法。
【請求項３】基板載置部とセラミック板との間に介在す
る低温ロウ付け材料の露出部分を合成樹脂で被覆する工
程を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の静電チ
ャックの作製方法。
【請求項４】静電チャック用電極を兼ねた金属から成る
基板載置部、及び、該基板載置部の表面に低温ロウ付け
材料にて接着されたセラミック板から成り、基板載置部
とセラミック板との間に介在する低温ロウ付け材料の露
出部分を合成樹脂で被覆した静電チャックを備えている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】静電チャック用電極を兼ねた金属から成る
基板載置部、及び、該基板載置部の表面に低温ロウ付け
材料にて接着されたセラミック板から成り、基板載置部
とセラミック板との間に介在する低温ロウ付け材料の露
出部分を合成樹脂で被覆した静電チャックを備えている
ことを特徴とする基板搬送装置。