JPH11186669A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH11186669A JPH11186669A JP9365766A JP36576697A JPH11186669A JP H11186669 A JPH11186669 A JP H11186669A JP 9365766 A JP9365766 A JP 9365766A JP 36576697 A JP36576697 A JP 36576697A JP H11186669 A JPH11186669 A JP H11186669A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser
- elements
- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の異なるモードのレーザ光を使用する際
の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができ
るレーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子Ａ，Ｂのマウント面３
２，３４が略１２０度の角度で交差しているため、射出
端面１８，２８は略６０度で対向する。素子Ａより出射
したレーザ光は素子Ｂの射出端面２８で反射され、素子
Ｂのレーザ光は素子Ａの射出端面１８で反射される。二
つのレーザ光の進行方向は、前記角度の関係から、ほぼ
平行となる。二つの半導体レーザ素子Ａ，Ｂの突き合わ
せ間隔を数μm程度に抑えれば、二つの平行なレーザ光
の間隔は１０μm程度に近接させることができる。
の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができ
るレーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子Ａ，Ｂのマウント面３
２，３４が略１２０度の角度で交差しているため、射出
端面１８，２８は略６０度で対向する。素子Ａより出射
したレーザ光は素子Ｂの射出端面２８で反射され、素子
Ｂのレーザ光は素子Ａの射出端面１８で反射される。二
つのレーザ光の進行方向は、前記角度の関係から、ほぼ
平行となる。二つの半導体レーザ素子Ａ，Ｂの突き合わ
せ間隔を数μm程度に抑えれば、二つの平行なレーザ光
の間隔は１０μm程度に近接させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の異なるモ
ードのレーザ光を出力する半導体レーザ素子を含むレー
ザ装置にかかり、例えば、ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ，あるいは
ＭＤ用の光ピックアップに好適な半導体レーザ装置の改
良に関する。
ードのレーザ光を出力する半導体レーザ素子を含むレー
ザ装置にかかり、例えば、ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ，あるいは
ＭＤ用の光ピックアップに好適な半導体レーザ装置の改
良に関する。
【０００２】
【背景技術】ＣＤ−ＲやＤＶＤなどのディスク再生に用
いられる光ピックアップの光源としては、一般に半導体
レーザ素子が用いられている。ＣＤ−Ｒ用とＤＶＤ用で
は、レーザ素子の発光波長が異なる。すなわち、ＤＶＤ
再生には６３５nmないし６５０nm帯の短波長可視レーザ
が使用されるのに対し、ＣＤ−Ｒ再生には７８０nm帯の
近赤外レーザが使用される。このように、使用レーザ光
の波長は異なるものの、一つのプレーヤでＣＤ，ＣＤ−
Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディスクを再生することができ
ると好都合である。そこで、それら各種のディスクの再
生を可能にするため、６５０nm／７８０nmの二波長の光
源を内蔵した光ピックアップが検討されている。
いられる光ピックアップの光源としては、一般に半導体
レーザ素子が用いられている。ＣＤ−Ｒ用とＤＶＤ用で
は、レーザ素子の発光波長が異なる。すなわち、ＤＶＤ
再生には６３５nmないし６５０nm帯の短波長可視レーザ
が使用されるのに対し、ＣＤ−Ｒ再生には７８０nm帯の
近赤外レーザが使用される。このように、使用レーザ光
の波長は異なるものの、一つのプレーヤでＣＤ，ＣＤ−
Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディスクを再生することができ
ると好都合である。そこで、それら各種のディスクの再
生を可能にするため、６５０nm／７８０nmの二波長の光
源を内蔵した光ピックアップが検討されている。
【０００３】図３には、かかる二波長レーザ装置の背景
技術が示されている。まず同図(A)に示すものは、ＣＤ
用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、ＤＶ
Ｄ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素子
９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、ＣＤ
９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９１
２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
技術が示されている。まず同図(A)に示すものは、ＣＤ
用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、ＤＶ
Ｄ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素子
９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、ＣＤ
９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９１
２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
【０００４】図３(B)に示すものは、ＤＶＤ用のレーザ
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
【０００５】一方、ＭＤプレーヤにおいては、光ピック
アップの半導体レーザ装置に対して、信号記録時に数１
０mW程度の高出力，信号読取時に数mW程度の小出力が要
求される。また、信号読取時には、戻り光雑音が小さい
ことも要求される。戻り光雑音に対して強くするために
はレーザ出力光の可干渉性を低減すればよい。このた
め、ＣＤ用の半導体レーザ装置では、戻り光雑音対策と
して自励発振が利用されている。
アップの半導体レーザ装置に対して、信号記録時に数１
０mW程度の高出力，信号読取時に数mW程度の小出力が要
求される。また、信号読取時には、戻り光雑音が小さい
ことも要求される。戻り光雑音に対して強くするために
はレーザ出力光の可干渉性を低減すればよい。このた
め、ＣＤ用の半導体レーザ装置では、戻り光雑音対策と
して自励発振が利用されている。
【０００６】しかし、一般的な自励発振レーザでは、高
出力域まで光−電流（Ｉ−Ｌ）特性のリニアリティを得
ることができない。このため、実用上の高出力限界が低
く、従ってそれらのレーザ装置をＭＤ用に用いることは
できない。このような理由から、ＭＤ用としては、高出
力限界の高い通常の定常発振レーザ（非自励発振レー
ザ）を用い、低出力の読出時には付加回路により高周波
重畳をかけて、レーザ出力光の可干渉性を低減する手法
がとられている。
出力域まで光−電流（Ｉ−Ｌ）特性のリニアリティを得
ることができない。このため、実用上の高出力限界が低
く、従ってそれらのレーザ装置をＭＤ用に用いることは
できない。このような理由から、ＭＤ用としては、高出
力限界の高い通常の定常発振レーザ（非自励発振レー
ザ）を用い、低出力の読出時には付加回路により高周波
重畳をかけて、レーザ出力光の可干渉性を低減する手法
がとられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術には、次のような不都合がある。 (1)図３(A)の方法では、ＤＶＤ用及びＣＤ用のピックア
ップが単に並列的に設けられているのみで、小型化や部
品点数の削減を図ることはできない。 (2)図３(B)の方法では、(A)と比較すれば共用部分が増
えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、部品数が
増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満足し得る
ものとは言えない。 (3)ＭＤ用ピックアップの背景技術では、高周波重畳用
の付加回路が必須である。このため、光ピックアップと
しての形態が大がかりになるとともに、コスト高にもな
らざるを得ない。
ような背景技術には、次のような不都合がある。 (1)図３(A)の方法では、ＤＶＤ用及びＣＤ用のピックア
ップが単に並列的に設けられているのみで、小型化や部
品点数の削減を図ることはできない。 (2)図３(B)の方法では、(A)と比較すれば共用部分が増
えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、部品数が
増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満足し得る
ものとは言えない。 (3)ＭＤ用ピックアップの背景技術では、高周波重畳用
の付加回路が必須である。このため、光ピックアップと
しての形態が大がかりになるとともに、コスト高にもな
らざるを得ない。
【０００８】この発明は、以上の点に着目したもので、
複数の異なるモードのレーザ光を使用する際の装置構成
を簡略化して、その小型化を図ることができるレーザ装
置を提供することを、その目的とするものである。
複数の異なるモードのレーザ光を使用する際の装置構成
を簡略化して、その小型化を図ることができるレーザ装
置を提供することを、その目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、基板の両端に反射面を有するヘテロ構
造の半導体レーザ素子を複数含む半導体レーザ装置にお
いて、前記半導体レーザ素子におけるレーザ光出射端面
が互いに略６０度の角度をなすように対向して配置した
ことを特徴とする。他の発明は、基板の両端に反射面を
有するヘテロ構造の半導体レーザ素子をサブマウント上
に複数搭載した半導体レーザ装置において、前記サブマ
ントに、略１２０度で交差する複数のマウント面を形成
するとともに、これらマウント面に、レーザ光の射出端
面が対向するように、前記半導体レーザ素子を配置した
ことを特徴とする。
め、この発明は、基板の両端に反射面を有するヘテロ構
造の半導体レーザ素子を複数含む半導体レーザ装置にお
いて、前記半導体レーザ素子におけるレーザ光出射端面
が互いに略６０度の角度をなすように対向して配置した
ことを特徴とする。他の発明は、基板の両端に反射面を
有するヘテロ構造の半導体レーザ素子をサブマウント上
に複数搭載した半導体レーザ装置において、前記サブマ
ントに、略１２０度で交差する複数のマウント面を形成
するとともに、これらマウント面に、レーザ光の射出端
面が対向するように、前記半導体レーザ素子を配置した
ことを特徴とする。
【００１０】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一形態について、
図１及び図２を参照しながら説明する。図２には本形態
のレーザ装置が示されている。そして、このレーザ装置
の正面が図１(A)に示されており、平面が同図(B)に示さ
れている。これらの図において、半導体レーザ素子Ａ，
半導体レーザ素子Ｂは、それぞれ６５０nm帯，７８０nm
帯のレーザ光を出力する素子である。これらは、一般的
な埋込みリッジストライプ構造を備えるダブルヘテロ
（ＤＨ）構造の半導体レーザ素子である。そして、いず
れも、ｎ型ＧａＡｓ基板１０，２０の主面上に、ＭＯＣ
ＶＤ法によってレーザ発振を行うダブルヘテロ構造１
２，２２を成長形成したウエハから、所定形状のチップ
に加工することで得られる。基板１０，２０のヘテロ構
造１２，２２と反対側には、電極１４，２４がそれぞれ
形成されている。
図１及び図２を参照しながら説明する。図２には本形態
のレーザ装置が示されている。そして、このレーザ装置
の正面が図１(A)に示されており、平面が同図(B)に示さ
れている。これらの図において、半導体レーザ素子Ａ，
半導体レーザ素子Ｂは、それぞれ６５０nm帯，７８０nm
帯のレーザ光を出力する素子である。これらは、一般的
な埋込みリッジストライプ構造を備えるダブルヘテロ
（ＤＨ）構造の半導体レーザ素子である。そして、いず
れも、ｎ型ＧａＡｓ基板１０，２０の主面上に、ＭＯＣ
ＶＤ法によってレーザ発振を行うダブルヘテロ構造１
２，２２を成長形成したウエハから、所定形状のチップ
に加工することで得られる。基板１０，２０のヘテロ構
造１２，２２と反対側には、電極１４，２４がそれぞれ
形成されている。
【００１２】一方、これらレーザ素子Ａ，Ｂがマウント
されるサブマウント３０は、例えばシリコン基板をダイ
シングして形成され、図に示すように略１２０度の角度
で交わる屋根型のマウント面３２，３４を備えている。
これらマウント面３２，３４には、例えばスパッタ法に
よってＡｌなどのスパッタによって電極３６が形成され
ている。
されるサブマウント３０は、例えばシリコン基板をダイ
シングして形成され、図に示すように略１２０度の角度
で交わる屋根型のマウント面３２，３４を備えている。
これらマウント面３２，３４には、例えばスパッタ法に
よってＡｌなどのスパッタによって電極３６が形成され
ている。
【００１３】レーザ素子Ａ，Ｂのチップは、サブマウン
ト３０のマウント面３２，３４上に、光射出端面１８，
２８が対峙するように配置され、基板主面のヘテロ接合
１２，２２側が導電性のペーストなどで電極３６にそれ
ぞれ接合される。レーザチップのマウント搭載後、図１
に示すように、ワイヤボンディングが所定個所に行われ
る。すなわち、レーザ素子Ａ，Ｂの電極１４，２４に
は、Ａｕなどによるワイヤ１６，２６がそれぞれボンデ
ィングされる。また、マウント面３２，３４の電極３６
には、ワイヤ３８，４０がそれぞれボンディングされ
る。レーザ素子Ａ，Ｂの駆動電圧は、ワイヤ１６，２６
とワイヤ３８，４０との間に印加される。サブマウント
側のワイヤ３８，４０はマイナスの共通端子，レーザ素
子側のワイヤ１６，２６は各素子のプラス端子である。
ト３０のマウント面３２，３４上に、光射出端面１８，
２８が対峙するように配置され、基板主面のヘテロ接合
１２，２２側が導電性のペーストなどで電極３６にそれ
ぞれ接合される。レーザチップのマウント搭載後、図１
に示すように、ワイヤボンディングが所定個所に行われ
る。すなわち、レーザ素子Ａ，Ｂの電極１４，２４に
は、Ａｕなどによるワイヤ１６，２６がそれぞれボンデ
ィングされる。また、マウント面３２，３４の電極３６
には、ワイヤ３８，４０がそれぞれボンディングされ
る。レーザ素子Ａ，Ｂの駆動電圧は、ワイヤ１６，２６
とワイヤ３８，４０との間に印加される。サブマウント
側のワイヤ３８，４０はマイナスの共通端子，レーザ素
子側のワイヤ１６，２６は各素子のプラス端子である。
【００１４】次に、本形態の作用を説明する。半導体レ
ーザ素子Ａ，Ｂでは、よく知られている原理に基づいて
レーザ光が発振する。発振したレーザ光は、光射出端面
１８，２８からそれぞれ出力されるが、本形態では、そ
れら射出端面１８，２８が所定角度で対向する構成とな
っている。このため、半導体レーザ素子Ａより出射した
レーザ光は半導体レーザ素子Ｂの射出端面２８で反射さ
れ、同図で上方に方向転換される。半導体レーザ素子Ｂ
のレーザ光も半導体レーザ素子Ａの射出端面１８で反射
され、同様に方向転換される。
ーザ素子Ａ，Ｂでは、よく知られている原理に基づいて
レーザ光が発振する。発振したレーザ光は、光射出端面
１８，２８からそれぞれ出力されるが、本形態では、そ
れら射出端面１８，２８が所定角度で対向する構成とな
っている。このため、半導体レーザ素子Ａより出射した
レーザ光は半導体レーザ素子Ｂの射出端面２８で反射さ
れ、同図で上方に方向転換される。半導体レーザ素子Ｂ
のレーザ光も半導体レーザ素子Ａの射出端面１８で反射
され、同様に方向転換される。
【００１５】この場合において、本形態では、半導体レ
ーザ素子Ａ，Ｂのマウント面３２，３４が略１２０度の
角度で交差している。このため、それら素子Ａ，Ｂの射
出端面１８，２８は、互いに約６０度の角度を形成する
ようになる。このような配置のため、二つのレーザ光の
進行方向はほぼ平行となる。更に、図示のように、半導
体レーザ素子Ａ，Ｂのヘテロ構造１２，２２側がマウン
ト面３２，３４側となっている。このため、二つの平行
なレーザ光の間隔が１０μm程度にまで近接する。一般
に半導体レーザ素子の活性層は半導体基板のヘテロ接合
側より数μm程度下方に位置するので、二つの半導体レ
ーザ素子の突き合わせ間隔を数μm程度に抑えれば、二
つの平行なレーザ光の間隔は１０μm程度に近接させる
ことができる。
ーザ素子Ａ，Ｂのマウント面３２，３４が略１２０度の
角度で交差している。このため、それら素子Ａ，Ｂの射
出端面１８，２８は、互いに約６０度の角度を形成する
ようになる。このような配置のため、二つのレーザ光の
進行方向はほぼ平行となる。更に、図示のように、半導
体レーザ素子Ａ，Ｂのヘテロ構造１２，２２側がマウン
ト面３２，３４側となっている。このため、二つの平行
なレーザ光の間隔が１０μm程度にまで近接する。一般
に半導体レーザ素子の活性層は半導体基板のヘテロ接合
側より数μm程度下方に位置するので、二つの半導体レ
ーザ素子の突き合わせ間隔を数μm程度に抑えれば、二
つの平行なレーザ光の間隔は１０μm程度に近接させる
ことができる。
【００１６】このように、本形態によれば、二つの半導
体レーザ素子Ａ，Ｂを、互いの光出射端面１８，２８が
略６０度の角度をなすように向き合う配置としている。
このため、二つの半導体レーザ素子のレーザ光が近接す
るようになる。従って、二つの半導体レーザ素子Ａ，Ｂ
の発振波長を、６３５nm（又は６５０nm）と、７８０nm
とすることにより、ＤＶＤとＣＤ−Ｒの再生の両立を図
ることができる。
体レーザ素子Ａ，Ｂを、互いの光出射端面１８，２８が
略６０度の角度をなすように向き合う配置としている。
このため、二つの半導体レーザ素子のレーザ光が近接す
るようになる。従って、二つの半導体レーザ素子Ａ，Ｂ
の発振波長を、６３５nm（又は６５０nm）と、７８０nm
とすることにより、ＤＶＤとＣＤ−Ｒの再生の両立を図
ることができる。
【００１７】また、ＤＶＤ用のレーザ光と、ＣＤあるい
はＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路を単一のシステムで構築
することが可能となり、システム上余計な部品を削減し
て小型化，軽量化を図ることができる。また、本形態に
よれば、レーザウエハ自体は従来品でよく、簡便に実施
できるという利点もある。更に、半導体レーザ素子Ａ
を、波長７８０nm帯であって、かつ、低出力動作時にお
いて自励発振動作を行う自励発振レーザ素子とするとと
もに、半導体レーザ素子Ｂを半導体レーザ素子Ａよりも
高出力限界の高い高出力レーザ素子とすることで、高周
波重畳用の付加回路を必要とすることなく、ＭＤ用の光
ピックアップを構成することが可能となる。
はＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路を単一のシステムで構築
することが可能となり、システム上余計な部品を削減し
て小型化，軽量化を図ることができる。また、本形態に
よれば、レーザウエハ自体は従来品でよく、簡便に実施
できるという利点もある。更に、半導体レーザ素子Ａ
を、波長７８０nm帯であって、かつ、低出力動作時にお
いて自励発振動作を行う自励発振レーザ素子とするとと
もに、半導体レーザ素子Ｂを半導体レーザ素子Ａよりも
高出力限界の高い高出力レーザ素子とすることで、高周
波重畳用の付加回路を必要とすることなく、ＭＤ用の光
ピックアップを構成することが可能となる。
【００１８】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きるリッジ導波型レーザ素子を用いたが、製造方法，発
振モード，素子構造などは各種のものが知られており、
前記形態に限定されるものではない。使用する半導体材
料，電極材料なども同様である。 (2)本発明は、ＤＶＤ，ＣＤ，ＣＤ−Ｒの互換再生やＭ
Ｄが好適な適用例であるが、モードが異なる複数のレー
ザ光を得る場合であれば、一般的に適用可能である。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きるリッジ導波型レーザ素子を用いたが、製造方法，発
振モード，素子構造などは各種のものが知られており、
前記形態に限定されるものではない。使用する半導体材
料，電極材料なども同様である。 (2)本発明は、ＤＶＤ，ＣＤ，ＣＤ−Ｒの互換再生やＭ
Ｄが好適な適用例であるが、モードが異なる複数のレー
ザ光を得る場合であれば、一般的に適用可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ素子のレーザ光射出端面が略６０度の角度
を形成するようにレーザ素子を配置することとしたの
で、発光点が近接した複数モードのレーザ装置を得るこ
とができ、複数の異なるモードのレーザ光を使用する際
の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができ
るという効果がある。
半導体レーザ素子のレーザ光射出端面が略６０度の角度
を形成するようにレーザ素子を配置することとしたの
で、発光点が近接した複数モードのレーザ装置を得るこ
とができ、複数の異なるモードのレーザ光を使用する際
の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができ
るという効果がある。
【図１】本発明の一形態を示す図である。(A)は正面
図、(B)は平面図である。
図、(B)は平面図である。
【図２】前記形態の斜視図である。
【図３】背景技術を示す図である。
【符号の説明】 １０，２０…基板 １２，２２…ダブルヘテロ構造 １４，２４，３６…電極 １６，２６，３８，４０…ワイヤ １８，２８…光射出端面 ３０…サブマウント ３２，３４…マウント面 Ａ，Ｂ…半導体レーザ素子
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の両端に反射面を有するヘテロ構造
の半導体レーザ素子を複数含む半導体レーザ装置におい
て、 前記半導体レーザ素子におけるレーザ光出射端面が互い
に略６０度の角度をなすように対向して配置したことを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 基板の両端に反射面を有するヘテロ構造
の半導体レーザ素子をサブマウント上に複数搭載した半
導体レーザ装置において、 前記サブマントに、略１２０度で交差する複数のマウン
ト面を形成するとともに、 これらマウント面に、レーザ光の射出端面が対向するよ
うに、前記半導体レーザ素子を配置したことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365766A JPH11186669A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9365766A JPH11186669A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186669A true JPH11186669A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18485059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9365766A Pending JPH11186669A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8322879B2 (en) | 2009-04-15 | 2012-12-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser device |
| US8687668B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-04-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser device |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP9365766A patent/JPH11186669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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