JPH11112091A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH11112091A JPH11112091A JP28435497A JP28435497A JPH11112091A JP H11112091 A JPH11112091 A JP H11112091A JP 28435497 A JP28435497 A JP 28435497A JP 28435497 A JP28435497 A JP 28435497A JP H11112091 A JPH11112091 A JP H11112091A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の異なる波長のレーザ光を使用する際の
装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができる
半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体発光素子１，３の電極１４を、Ｉ
ｎあるいはＳｎなどの半田材金属２６を挟むようにして
配置し、接合部分を加熱して接着する。半導体発光素子
１，３の発光点２，４は、チップ端部の電極１４側に位
置しているため、発光点間隔ＷＡが１００μm以下の非
常に近接した配置となる。従って、ＤＶＤ用のレーザ光
とＣＤ，ＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路を単一のシステム
で構築することが可能となり、システム上余計な部品を
削減して小型化，軽量化を図ることができる。
装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができる
半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体発光素子１，３の電極１４を、Ｉ
ｎあるいはＳｎなどの半田材金属２６を挟むようにして
配置し、接合部分を加熱して接着する。半導体発光素子
１，３の発光点２，４は、チップ端部の電極１４側に位
置しているため、発光点間隔ＷＡが１００μm以下の非
常に近接した配置となる。従って、ＤＶＤ用のレーザ光
とＣＤ，ＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路を単一のシステム
で構築することが可能となり、システム上余計な部品を
削減して小型化，軽量化を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の異なる波
長のレーザ光を出力する半導体レーザ装置にかかり、例
えば、ＣＤ及びＤＶＤ用の光ピックアップに好適な半導
体レーザ装置の改良に関する。
長のレーザ光を出力する半導体レーザ装置にかかり、例
えば、ＣＤ及びＤＶＤ用の光ピックアップに好適な半導
体レーザ装置の改良に関する。
【０００２】
【背景技術と発明が解決しようとする課題】ＣＤやＤＶ
Ｄなどのディスクプレーヤにおける光ピックアップの光
源としては、一般に半導体発光素子が用いられている。
ここで、ＣＤ用とＤＶＤ用では、レーザ素子の発光波長
が異なり、ＣＤでは７８０nm，ＤＶＤでは６５０nmとな
っている。第一世代のＤＶＤプレーヤでは、発光波長が
６５０nmのレーザ素子しか組み込まれていなかったた
め、ＣＤ−Ｒの再生は不可能であった。しかし、一つの
プレーヤでＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディス
クを再生することができると好都合である。そこで、そ
れらのディスクの再生を可能にするため、６５０nm／７
８０nmの二波長の光源を内蔵した光ピックアップが検討
されている。
Ｄなどのディスクプレーヤにおける光ピックアップの光
源としては、一般に半導体発光素子が用いられている。
ここで、ＣＤ用とＤＶＤ用では、レーザ素子の発光波長
が異なり、ＣＤでは７８０nm，ＤＶＤでは６５０nmとな
っている。第一世代のＤＶＤプレーヤでは、発光波長が
６５０nmのレーザ素子しか組み込まれていなかったた
め、ＣＤ−Ｒの再生は不可能であった。しかし、一つの
プレーヤでＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディス
クを再生することができると好都合である。そこで、そ
れらのディスクの再生を可能にするため、６５０nm／７
８０nmの二波長の光源を内蔵した光ピックアップが検討
されている。
【０００３】図５には、かかる二波長レーザ装置の背景
技術が示されている。まず、同図(A)に示すものは、Ｃ
Ｄ用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、Ｄ
ＶＤ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素
子９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、Ｃ
Ｄ９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９
１２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
技術が示されている。まず、同図(A)に示すものは、Ｃ
Ｄ用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、Ｄ
ＶＤ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素
子９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、Ｃ
Ｄ９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９
１２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
【０００４】図５(B)に示すものは、ＤＶＤ用のレーザ
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
【０００５】しかしながら、このような背景技術では、
次のような不都合がある。 (1)図５(A)の方法では、ＤＶＤ用及びＣＤ用のピックア
ップが単に並列的に設けられているのみで、小型化や部
品点数の削減を図ることはできない。 (2)図５(B)の方法では、(A)と比較すれば共用部分が増
えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、部品数が
増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満足し得る
ものとは言えない。
次のような不都合がある。 (1)図５(A)の方法では、ＤＶＤ用及びＣＤ用のピックア
ップが単に並列的に設けられているのみで、小型化や部
品点数の削減を図ることはできない。 (2)図５(B)の方法では、(A)と比較すれば共用部分が増
えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、部品数が
増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満足し得る
ものとは言えない。
【０００６】本発明は、以上の点に着目したもので、複
数の異なる波長のレーザ光を使用する際の装置構成を簡
略化して、その小型化を図ることができる半導体発光素
子を提供することを、その目的とするものである。
数の異なる波長のレーザ光を使用する際の装置構成を簡
略化して、その小型化を図ることができる半導体発光素
子を提供することを、その目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、第１の波長のレーザ光を出力する第１
の半導体発光素子と、この第１の半導体発光素子と異な
る第２の波長のレーザ光を出力する第２の半導体発光素
子の同一導電型層側を、半田などで接合したことを特徴
とする。
め、この発明は、第１の波長のレーザ光を出力する第１
の半導体発光素子と、この第１の半導体発光素子と異な
る第２の波長のレーザ光を出力する第２の半導体発光素
子の同一導電型層側を、半田などで接合したことを特徴
とする。
【０００８】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。最初に、図３を参照しながら、本形
態で使用する半導体発光素子の構成について説明する。
本形態では、後述するように、ダブルヘテロ構造であっ
て内部に電流狭窄層を有する図３(A)，(B)の半導体発光
素子を貼り合わせた構成となっている。図３(A)は、発
振波長が６５０nmの半導体発光素子１で、基板８として
ＧａＡｓなどのｎ型半導体結晶を用いている。この基板
８の主面上に、有機金属を用いた化学蒸発成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いて必要な結晶成長を行うことで、以下
の各層が順に積層形成されている。「ｎ−」，「ｐ−」
は導電型を表わす。
て詳細に説明する。最初に、図３を参照しながら、本形
態で使用する半導体発光素子の構成について説明する。
本形態では、後述するように、ダブルヘテロ構造であっ
て内部に電流狭窄層を有する図３(A)，(B)の半導体発光
素子を貼り合わせた構成となっている。図３(A)は、発
振波長が６５０nmの半導体発光素子１で、基板８として
ＧａＡｓなどのｎ型半導体結晶を用いている。この基板
８の主面上に、有機金属を用いた化学蒸発成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いて必要な結晶成長を行うことで、以下
の各層が順に積層形成されている。「ｎ−」，「ｐ−」
は導電型を表わす。
【００１０】(1)ｎ−クラッド層９…ＡｌＧａＩｎＰ， (2)活性層１０…ＡｌＧａＩｎＰ， (3)ｐ−クラッド層１１…ＡｌＧａＩｎＰ， (4)ｎ−ブロック層１２…ＧａＡｓ， (5)ｐ−コンタクト層１３…ＧａＡｓ， (6)ｐ−電極１４，
【００１１】図示のように、発光部２が素子端（図の上
方端）に偏った構造となっており、発光部２に近いｐ−
電極１４直下のコンタクト層１３は、ｐ型半導体結晶に
よって形成されている。また、基板８の主面と反対側の
面には、ｎ−電極７が形成されている。電極７，１４の
材料としては、Ａｕ系の材料が用いられている。この波
長６５０nmの半導体発光素子１の共振器長（図３の紙面
垂直方向の長さ）は、４００μmとなっている。
方端）に偏った構造となっており、発光部２に近いｐ−
電極１４直下のコンタクト層１３は、ｐ型半導体結晶に
よって形成されている。また、基板８の主面と反対側の
面には、ｎ−電極７が形成されている。電極７，１４の
材料としては、Ａｕ系の材料が用いられている。この波
長６５０nmの半導体発光素子１の共振器長（図３の紙面
垂直方向の長さ）は、４００μmとなっている。
【００１２】次に、図３(B)は、発振波長が７８０nmの
半導体発光素子３で、基板８の主面上に、ＭＯＣＶＤ法
によって、以下の各層が順に積層形成されている。 (1)ｎ−クラッド層１５…ＡｌＧａＡｓ， (2)活性層１６…ＡｌＧａＡｓ， (3)ｐ−クラッド層１７…ＡｌＧａＡｓ， (4)ｎ−ブロック層１８…ＧａＡｓ， (5)ｐ−コンタクト層１９…ＧａＡｓ， (6)ｐ−電極１４，
半導体発光素子３で、基板８の主面上に、ＭＯＣＶＤ法
によって、以下の各層が順に積層形成されている。 (1)ｎ−クラッド層１５…ＡｌＧａＡｓ， (2)活性層１６…ＡｌＧａＡｓ， (3)ｐ−クラッド層１７…ＡｌＧａＡｓ， (4)ｎ−ブロック層１８…ＧａＡｓ， (5)ｐ−コンタクト層１９…ＧａＡｓ， (6)ｐ−電極１４，
【００１３】同様に、発光部４が素子端に偏った構造と
なっており、発光部４に近いｐ−電極１４直下のコンタ
クト層１９は、ｐ型半導体結晶によって形成されてい
る。また、基板８の主面と反対側の面には、ｎ−電極７
が形成されている。電極７，１４の材料としては、Ａｕ
系の材料が用いられている。この波長７８０nmの半導体
発光素子３の共振器長は、２５０μmとなっている。
なっており、発光部４に近いｐ−電極１４直下のコンタ
クト層１９は、ｐ型半導体結晶によって形成されてい
る。また、基板８の主面と反対側の面には、ｎ−電極７
が形成されている。電極７，１４の材料としては、Ａｕ
系の材料が用いられている。この波長７８０nmの半導体
発光素子３の共振器長は、２５０μmとなっている。
【００１４】本形態では、これらの半導体発光素子１，
３を、図１(A)，図２に示すように接合してレーザ装置
を構成している。上述したように、波長６５０nmの半導
体発光素子１の共振器長は４００μmであり、波長７８
０nmの半導体発光素子３の共振器長は２５０μmであ
る。従って、素子前方の発光面の位置を揃えると、半導
体レーザ素子３の後方に半導体発光素子１の電極１４が
１５０μm露出するようになる。更に、本形態では、半
導体発光素子１の発光部をオフセットして、半導体発光
素子３の幅より広い形状としている。このため、露出し
ている電極１４に結線することが可能である。
３を、図１(A)，図２に示すように接合してレーザ装置
を構成している。上述したように、波長６５０nmの半導
体発光素子１の共振器長は４００μmであり、波長７８
０nmの半導体発光素子３の共振器長は２５０μmであ
る。従って、素子前方の発光面の位置を揃えると、半導
体レーザ素子３の後方に半導体発光素子１の電極１４が
１５０μm露出するようになる。更に、本形態では、半
導体発光素子１の発光部をオフセットして、半導体発光
素子３の幅より広い形状としている。このため、露出し
ている電極１４に結線することが可能である。
【００１５】次に、半導体発光素子１，３の接合につい
て説明する。上述したように、電極１４としてＡｕ系の
材料を用いている。そこで、半導体発光素子１，３の電
極１４を、ＩｎあるいはＳｎなどの半田材金属２６を挟
むようにして配置し、接合部分を加熱する。すると、半
田材金属２６が溶融して電極１４と反応し、電極１４同
士が接着する。図２には、接着後の様子が示されてい
る。半導体発光素子３の電極７には端子２０が接続さ
れ、電極１４の接着半田２６には端子２１が接続され
る。また、半導体発光素子１の電極７には端子２２が接
続される。これらの端子２０〜２２は３端子ステム（図
示せず）に結線され、電極１４が共通する並列２波長半
導体レーザ装置を得る。
て説明する。上述したように、電極１４としてＡｕ系の
材料を用いている。そこで、半導体発光素子１，３の電
極１４を、ＩｎあるいはＳｎなどの半田材金属２６を挟
むようにして配置し、接合部分を加熱する。すると、半
田材金属２６が溶融して電極１４と反応し、電極１４同
士が接着する。図２には、接着後の様子が示されてい
る。半導体発光素子３の電極７には端子２０が接続さ
れ、電極１４の接着半田２６には端子２１が接続され
る。また、半導体発光素子１の電極７には端子２２が接
続される。これらの端子２０〜２２は３端子ステム（図
示せず）に結線され、電極１４が共通する並列２波長半
導体レーザ装置を得る。
【００１６】図１(B)にはその等価回路が示されてお
り、半導体発光素子１，３のアノード側（電極１４側）
が端子２１に共通に接続されている。そして、半導体発
光素子１，３のカソード側（電極７側）が、端子２０，
２２にそれぞれ接続されている。また、同一導電型であ
るコンタクト層１３，１９側で半田２６によって２つの
素子チップが接合されている。従って、端子２１，２２
間に駆動電圧を印加すれば、半導体発光素子１が駆動さ
れ、波長６５０nmのレーザ光が出力される。また、端子
２１，２０間に駆動電圧を印加すれば、半導体発光素子
３が駆動され、波長７８０nmのレーザ光が出力される。
り、半導体発光素子１，３のアノード側（電極１４側）
が端子２１に共通に接続されている。そして、半導体発
光素子１，３のカソード側（電極７側）が、端子２０，
２２にそれぞれ接続されている。また、同一導電型であ
るコンタクト層１３，１９側で半田２６によって２つの
素子チップが接合されている。従って、端子２１，２２
間に駆動電圧を印加すれば、半導体発光素子１が駆動さ
れ、波長６５０nmのレーザ光が出力される。また、端子
２１，２０間に駆動電圧を印加すれば、半導体発光素子
３が駆動され、波長７８０nmのレーザ光が出力される。
【００１７】ところで、本形態では、半導体発光素子
１，３における発光点２，４が、上述したようにチップ
端部の電極１４側に位置している。このため、半導体発
光素子１，３の発光点２，４が近接するようになり、試
作装置によれば発光点間隔ＷＡは実測１１μm程度とな
る。なお、活性層１０，１６から上方の結晶成長層１
３，１９までは５μmに設定している。結晶成長層１
３，１９などの厚みを変化させることで、発光点間距離
ＷＡを調整することが可能である。
１，３における発光点２，４が、上述したようにチップ
端部の電極１４側に位置している。このため、半導体発
光素子１，３の発光点２，４が近接するようになり、試
作装置によれば発光点間隔ＷＡは実測１１μm程度とな
る。なお、活性層１０，１６から上方の結晶成長層１
３，１９までは５μmに設定している。結晶成長層１
３，１９などの厚みを変化させることで、発光点間距離
ＷＡを調整することが可能である。
【００１８】このように、発光点間隔ＷＡが１００μm
以下の非常に近接した配置となる。このため、ＤＶＤ用
のレーザ光とＣＤあるいはＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路
を単一のシステムで構築することが可能となり、システ
ム上余計な部品を削減して小型化，軽量化を図ることが
できる。すなわち、ＣＤ再生システムのような１波長発
光方式の光ピックアップと大差ない大きさで、単一光路
を持つ方式を採用することができる２波長発光素子によ
る光ピックアップを得ることができる。
以下の非常に近接した配置となる。このため、ＤＶＤ用
のレーザ光とＣＤあるいはＣＤ−Ｒ用のレーザ光の光路
を単一のシステムで構築することが可能となり、システ
ム上余計な部品を削減して小型化，軽量化を図ることが
できる。すなわち、ＣＤ再生システムのような１波長発
光方式の光ピックアップと大差ない大きさで、単一光路
を持つ方式を採用することができる２波長発光素子によ
る光ピックアップを得ることができる。
【００１９】図４には、他の形態が示されている。上述
した形態ではアノード側の電極１４を接合したが、本形
態では、同図に示すようにカソード側の電極７が半田２
６によって接合される。詳述すると、まず、各半導体発
光素子１，３の基板８を研磨し、４０μm程度の厚みま
で素子を薄くする。そして、研磨後にｎ−電極７をそれ
ぞれ形成し、これら電極７同士を上述した半田２６を用
いて上述した方法で接着する。半田２６は、端子２４に
接続される。また、各レーザ素子１，３のアノード側の
電極１４は、端子２５，２３にそれぞれ接続される。従
って、端子２４，２５間に駆動電圧を印加すれば、半導
体発光素子１が駆動され、波長６５０nmのレーザ光が出
力される。また、端子２３，２４間に駆動電圧を印加す
れば、半導体発光素子３が駆動され、波長７８０nmのレ
ーザ光が出力される。
した形態ではアノード側の電極１４を接合したが、本形
態では、同図に示すようにカソード側の電極７が半田２
６によって接合される。詳述すると、まず、各半導体発
光素子１，３の基板８を研磨し、４０μm程度の厚みま
で素子を薄くする。そして、研磨後にｎ−電極７をそれ
ぞれ形成し、これら電極７同士を上述した半田２６を用
いて上述した方法で接着する。半田２６は、端子２４に
接続される。また、各レーザ素子１，３のアノード側の
電極１４は、端子２５，２３にそれぞれ接続される。従
って、端子２４，２５間に駆動電圧を印加すれば、半導
体発光素子１が駆動され、波長６５０nmのレーザ光が出
力される。また、端子２３，２４間に駆動電圧を印加す
れば、半導体発光素子３が駆動され、波長７８０nmのレ
ーザ光が出力される。
【００２０】本形態では、研磨後の半導体発光素子１，
３の厚みを４０μmに設定しているため、半導体発光素
子１，３の発光点間隔ＷＢは実測７２μm程度となる。
なお、研磨によって半導体発光素子１，３の厚みを変化
させることで、発光点間ＷＢの距離を調整することが可
能である。このように、本形態でも、発光点間隔ＷＢが
１００μm以下となり、ＤＶＤとＣＤあるいはＣＤ−Ｒ
の光学系を簡略化して装置構成の簡略化，小型軽量化を
図ることが可能となる。
３の厚みを４０μmに設定しているため、半導体発光素
子１，３の発光点間隔ＷＢは実測７２μm程度となる。
なお、研磨によって半導体発光素子１，３の厚みを変化
させることで、発光点間ＷＢの距離を調整することが可
能である。このように、本形態でも、発光点間隔ＷＢが
１００μm以下となり、ＤＶＤとＣＤあるいはＣＤ−Ｒ
の光学系を簡略化して装置構成の簡略化，小型軽量化を
図ることが可能となる。
【００２１】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きる発振波長６５０nmと７８０nmのリッジ導波型レーザ
素子を用いたが、製造方法，発振波長，素子構造などは
各種のものが知られており、前記形態に限定されるもの
ではない。使用する半導体材料，電極材料なども同様で
ある。 (2)本発明は、ＤＶＤ，ＣＤ，ＣＤ−Ｒの互換再生が好
適な適用例の一つであるが、波長が異なる複数のレーザ
光を得る場合であれば、一般的に適用可能である。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きる発振波長６５０nmと７８０nmのリッジ導波型レーザ
素子を用いたが、製造方法，発振波長，素子構造などは
各種のものが知られており、前記形態に限定されるもの
ではない。使用する半導体材料，電極材料なども同様で
ある。 (2)本発明は、ＤＶＤ，ＣＤ，ＣＤ−Ｒの互換再生が好
適な適用例の一つであるが、波長が異なる複数のレーザ
光を得る場合であれば、一般的に適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体発光素子の同一組成層側を接合することとしたの
で、発光点が近接した半導体レーザ装置を得ることがで
きる。このため、複数の異なる波長のレーザ光を使用す
る際の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることが
できる。
半導体発光素子の同一組成層側を接合することとしたの
で、発光点が近接した半導体レーザ装置を得ることがで
きる。このため、複数の異なる波長のレーザ光を使用す
る際の装置構成を簡略化して、その小型化を図ることが
できる。
【図１】本発明の一形態にかかる半導体レーザ装置の主
要端面と等価回路を示す図である。
要端面と等価回路を示す図である。
【図２】前記形態の外観を示す斜視図である。
【図３】発光波長６５０nmのＤＶＤ再生用半導体発光素
子，発光波長７８０nmのＣＤ及びＣＤ−Ｒ再生用半導体
発光素子の主要端面を示す図である。
子，発光波長７８０nmのＣＤ及びＣＤ−Ｒ再生用半導体
発光素子の主要端面を示す図である。
【図４】本発明の他の形態にかかる半導体レーザ装置の
主要端面と等価回路を示す図である。
主要端面と等価回路を示す図である。
【図５】背景技術を示す図である。
１，３…半導体レーザ素子 ２，４…発光点 ７…ｎ−電極 ８…基板 ９…ｎ−クラッド層 １０…活性層 １１…ｐ−クラッド層 １２…ｎ−ブロック層 １３…ｐ−コンタクト層 １４…ｐ−電極 １５…ｎ−クラッド層 １６…活性層 １７…ｐ−クラッド層 １８…ｎ−ブロック層 １９…ｐ−コンタクト層 ２０，２２…カソード端子 ２１…共通アノード端子 ２３，２５…アノード端子 ２４…共通カソード端子 ２６…接着用半田
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の波長のレーザ光を出力する第１の
半導体発光素子；この第１の半導体発光素子と異なる第
２の波長のレーザ光を出力する第２の半導体発光素子；
を少なくとも含み、 前記第１及び第２の半導体発光素子の同一導電型層側を
接合したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記半導体発光素子の厚みを、基板の研
磨もしくは結晶層の成長により調整して、接合後の半導
体発光素子の発光点間隔を設定したことを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体発光素子を選択的に駆動する
ための端子を形成したことを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記半導体発光素子として、ダブルヘテ
ロ構造の内部に電流狭窄構造を持つ半導体レーザ素子を
用いたことを特徴とする請求項１，２，又は３のいずれ
かに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 波長７８０nm付近のレーザ発光が可能な
半導体発光素子と、波長６４０nm付近のレーザ発光が可
能な半導体発光素子を含むことを特徴とする請求項１，
２，３，又は４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28435497A JPH11112091A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28435497A JPH11112091A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112091A true JPH11112091A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17677513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28435497A Pending JPH11112091A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112091A (ja) |
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