JPH11186425A - 高周波モジュールデバイス - Google Patents
高周波モジュールデバイスInfo
- Publication number
- JPH11186425A JPH11186425A JP35470897A JP35470897A JPH11186425A JP H11186425 A JPH11186425 A JP H11186425A JP 35470897 A JP35470897 A JP 35470897A JP 35470897 A JP35470897 A JP 35470897A JP H11186425 A JPH11186425 A JP H11186425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- line structure
- sealing member
- frequency module
- coaxial line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １８ＧＨｚ以上の帯域で使用される高周波モ
ジュールデバイスは同軸線路構造のインピーダンス整合
を図ったとしても十分にガラス部材による誘電体損を影
響が大きく、高周波信号を効率良く伝えることができな
かった。 【解決手段】 回路モジュールが導電性のケース１６に
封入され、それを貫通する回路モジュールの信号端子１
９を封止部材２１で封止した同軸線路構造もち、ガラス
を誘電体とした第１の同軸線路構造２１ａに隣接してガ
ラスよりも低い誘電体損をもつ部材を誘電体とした第２
の同軸線路構造２１ｂを設け、高周波モジュールデバイ
スの気密を確保し、誘電体損の小さい同軸線路構造得る
ことができる。
ジュールデバイスは同軸線路構造のインピーダンス整合
を図ったとしても十分にガラス部材による誘電体損を影
響が大きく、高周波信号を効率良く伝えることができな
かった。 【解決手段】 回路モジュールが導電性のケース１６に
封入され、それを貫通する回路モジュールの信号端子１
９を封止部材２１で封止した同軸線路構造もち、ガラス
を誘電体とした第１の同軸線路構造２１ａに隣接してガ
ラスよりも低い誘電体損をもつ部材を誘電体とした第２
の同軸線路構造２１ｂを設け、高周波モジュールデバイ
スの気密を確保し、誘電体損の小さい同軸線路構造得る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は導電性のケースに収
められ、マイクロ波、ミリ波等の高周波数で使用される
高周波モジュールデバイスに関するものである。
められ、マイクロ波、ミリ波等の高周波数で使用される
高周波モジュールデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】衛星放送や、衛星通信などの特に高い周
波数安定度を必要とするコンバータに対しては、内部を
高気密にすることによって耐環境性を持たせることがで
きる金属ケースに封入された高周波モジュールデバイス
が使用される。
波数安定度を必要とするコンバータに対しては、内部を
高気密にすることによって耐環境性を持たせることがで
きる金属ケースに封入された高周波モジュールデバイス
が使用される。
【０００３】図４は従来例の高周波モジュールデバイス
である局部発振器を示す略断面図である。発振回路５４
と半導体素子５３を搭載したセラミック基板５１は金属
等の導電体で形成されたベース５２に固定されており、
ベース５２と金属等で形成された導電体のカバー５５を
溶接等で接着することにより、ケース５６が形成され
る。ベース５２には外部端子を挿通するための穴５７、
５８が設けられている。５９は外部信号入力端子であ
り、６０は電源端子である。外部信号入力端子５９は穴
５７に挿通されており、外部信号入力端子５９とベース
５２との隙間には誘電体であるガラス等の封止部材６１
充填されている。一方電源端子６０は穴５２に挿通さ
れ、電源端子６０とベース５２との間の隙間はガラス等
の封止部材６２が充填されている。封止部材６１、６２
により、穴５７、５８は封止され、ケース５６内部の気
密が保たれる。この局部発振器５０は外部入力端子５９
と封止部材５７とベース５２とで封止部材５７を誘電体
とする同軸線路構造を有している。
である局部発振器を示す略断面図である。発振回路５４
と半導体素子５３を搭載したセラミック基板５１は金属
等の導電体で形成されたベース５２に固定されており、
ベース５２と金属等で形成された導電体のカバー５５を
溶接等で接着することにより、ケース５６が形成され
る。ベース５２には外部端子を挿通するための穴５７、
５８が設けられている。５９は外部信号入力端子であ
り、６０は電源端子である。外部信号入力端子５９は穴
５７に挿通されており、外部信号入力端子５９とベース
５２との隙間には誘電体であるガラス等の封止部材６１
充填されている。一方電源端子６０は穴５２に挿通さ
れ、電源端子６０とベース５２との間の隙間はガラス等
の封止部材６２が充填されている。封止部材６１、６２
により、穴５７、５８は封止され、ケース５６内部の気
密が保たれる。この局部発振器５０は外部入力端子５９
と封止部材５７とベース５２とで封止部材５７を誘電体
とする同軸線路構造を有している。
【０００４】金属のケースに封入された高周波モジュー
ルデバイスは上述のような局部発振器に限らず、ＶＣＯ
（Voltage Controlled Osillator）、水晶発振器、ＳＡ
Ｗ（表面波）フィルタ等種々の高周波モジュールデバイ
スがあり、いずれの高周波モジュールデバイスもケース
内に回路基板が設置され、その端子は、金属等の導電性
のベースに挿通され、封止部材によって封止されてい
る。
ルデバイスは上述のような局部発振器に限らず、ＶＣＯ
（Voltage Controlled Osillator）、水晶発振器、ＳＡ
Ｗ（表面波）フィルタ等種々の高周波モジュールデバイ
スがあり、いずれの高周波モジュールデバイスもケース
内に回路基板が設置され、その端子は、金属等の導電性
のベースに挿通され、封止部材によって封止されてい
る。
【０００５】従来、これらの金属のケースに封入された
高周波モジュールデバイスで扱う周波数は、例えばＫｕ
バンドの衛星放送、衛星受信用コンバータの局部発振機
で１０〜１１．５ＧＨｚ程度であり、その他のデバイス
ではほぼ２ＧＨｚ以下であったため、端子の特性インピ
ーダンスはあまり考慮されることはなかった。しかし一
部の高周波モジュールデバイスでは信号端子の特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと同じ値に
し、インピーダンスマッチングを図ることによって高周
波信号の端子部での反射およびロスを極力小さくしよう
とするものがある。
高周波モジュールデバイスで扱う周波数は、例えばＫｕ
バンドの衛星放送、衛星受信用コンバータの局部発振機
で１０〜１１．５ＧＨｚ程度であり、その他のデバイス
ではほぼ２ＧＨｚ以下であったため、端子の特性インピ
ーダンスはあまり考慮されることはなかった。しかし一
部の高周波モジュールデバイスでは信号端子の特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと同じ値に
し、インピーダンスマッチングを図ることによって高周
波信号の端子部での反射およびロスを極力小さくしよう
とするものがある。
【０００６】図５は別の従来例の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器を示す略断面図である。信号端子
５９で形成された中心導体と、信号端子５９を固定絶縁
するガラスの封止部材６１を誘電体、およびベース５２
を外部導体とした同軸線路構造において、その特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと一致する
ように穴５７の大きさｄ2および信号端子５９の太さｄ1
を選択していた。
イスである局部発振器を示す略断面図である。信号端子
５９で形成された中心導体と、信号端子５９を固定絶縁
するガラスの封止部材６１を誘電体、およびベース５２
を外部導体とした同軸線路構造において、その特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと一致する
ように穴５７の大きさｄ2および信号端子５９の太さｄ1
を選択していた。
【０００７】同軸線路構造の特性インピーダンスＺｏ
（Ω）とするとＺｏは次式（１）で表される。
（Ω）とするとＺｏは次式（１）で表される。
【０００８】
【数１】
【０００９】式（１）において、εsは誘電体の比誘電
率であり、ここでは封止部材の比誘電率である。ｄ1は
中心導体の直径でありここでは信号端子の５９直径であ
り、ｄ2は外部導体の直径であり、ここでは穴５７の直
径である。
率であり、ここでは封止部材の比誘電率である。ｄ1は
中心導体の直径でありここでは信号端子の５９直径であ
り、ｄ2は外部導体の直径であり、ここでは穴５７の直
径である。
【００１０】誘電体として機能するガラス部材は、たと
えば硼珪酸ガラス（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が使用され
る。また、誘電体による電気エネルギーの損失Ｗは下式
（２）で表される。
えば硼珪酸ガラス（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が使用され
る。また、誘電体による電気エネルギーの損失Ｗは下式
（２）で表される。
【００１１】
【数２】
【００１２】式（２）において、電気エネルギーの損失
は誘電正接ｔａｎδ、周波数ｆ、誘電率εに比例して電
気エネルギーの損失が大きくなる。ここで例えば、硼珪
酸ガラスの比誘電率は５．０程度であり、誘電正接ｔａ
ｎδは３０×１０-4である。１８ＧＨｚ以上の周波数帯
で使用される高周波モジュールデバイスにおいては、単
に誘電体としてガラスを用いた場合、実用上、誘電体に
よる電気エネルギーの損失が大きくなり高周波信号の伝
達効率が低下していた。
は誘電正接ｔａｎδ、周波数ｆ、誘電率εに比例して電
気エネルギーの損失が大きくなる。ここで例えば、硼珪
酸ガラスの比誘電率は５．０程度であり、誘電正接ｔａ
ｎδは３０×１０-4である。１８ＧＨｚ以上の周波数帯
で使用される高周波モジュールデバイスにおいては、単
に誘電体としてガラスを用いた場合、実用上、誘電体に
よる電気エネルギーの損失が大きくなり高周波信号の伝
達効率が低下していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ガラス部材は端子を固
定し絶縁、気密を保つためには好適な材料であるが、同
軸線路構造の誘電体を形成するガラス部材は誘電体によ
る損失が小さくなく、高周波で用いられるモジュールデ
バイスでは、同軸線路構造のインピーダンス整合を図っ
たとしてもガラス部材の誘電体による損失の影響が大き
く、高周波信号を効率良く伝えることができなかった。
定し絶縁、気密を保つためには好適な材料であるが、同
軸線路構造の誘電体を形成するガラス部材は誘電体によ
る損失が小さくなく、高周波で用いられるモジュールデ
バイスでは、同軸線路構造のインピーダンス整合を図っ
たとしてもガラス部材の誘電体による損失の影響が大き
く、高周波信号を効率良く伝えることができなかった。
【００１４】本発明は上述の問題点を鑑みてなされたも
のであり、高周波モジュールデバイスの気密を確保する
と共に誘電体による損失の小さい同軸線路構造の信号端
子を有する高周波モジュールデバイスを実現するもので
ある。
のであり、高周波モジュールデバイスの気密を確保する
と共に誘電体による損失の小さい同軸線路構造の信号端
子を有する高周波モジュールデバイスを実現するもので
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
高周波モジュールデバイスは、回路モジュールが導電性
のケースに封入され、該ケースを貫通する回路モジュー
ルの信号端子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する
高周波モジュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造
は、信号端子を封止するための第１の同軸線路構造と、
該第１の同軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をも
つ部材を誘電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けら
れた第２の同軸線路構造と、からなることを特徴とする
ものである。
高周波モジュールデバイスは、回路モジュールが導電性
のケースに封入され、該ケースを貫通する回路モジュー
ルの信号端子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する
高周波モジュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造
は、信号端子を封止するための第１の同軸線路構造と、
該第１の同軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をも
つ部材を誘電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けら
れた第２の同軸線路構造と、からなることを特徴とする
ものである。
【００１６】本発明の請求項２記載の高周波モジュール
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の誘電体はガラス
であることを特徴とするものである。
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の誘電体はガラス
であることを特徴とするものである。
【００１７】本発明の請求項３記載の高周波モジュール
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダンスが
等しいことを特徴とするものである。
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダンスが
等しいことを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態の高
周波モジュールデバイスである局部発振器を示す略断面
図である。金属等の導電性のベース１２にはセラミック
基板１１が設置され、セラミック基板１１上に半導体回
路部品１３および誘電体共振器１４が設置され回路モジ
ュールである局部発振回路を形成している。
周波モジュールデバイスである局部発振器を示す略断面
図である。金属等の導電性のベース１２にはセラミック
基板１１が設置され、セラミック基板１１上に半導体回
路部品１３および誘電体共振器１４が設置され回路モジ
ュールである局部発振回路を形成している。
【００１９】導電性のベース１２には穴１７、１８が開
けられており、穴１７には信号出力端子１９が挿通され
ており、誘電体で形成される封止部材２１で封止されて
いる。また、もう一方の穴には電源端子２０が挿通さ
れ、誘電体で形成される封止部材２２で封止されてい
る。封止部材２２には、硼珪酸ガラス等が用いられる。
導電性のベース１２上には金属等の導電性のカバー１５
が溶接等によって取付けられ、ケース１６を形成してい
る。ケース１６内部は気密が確保されており、安定した
周波数特性をもつ局部発振器１０を形成することができ
る。
けられており、穴１７には信号出力端子１９が挿通され
ており、誘電体で形成される封止部材２１で封止されて
いる。また、もう一方の穴には電源端子２０が挿通さ
れ、誘電体で形成される封止部材２２で封止されてい
る。封止部材２２には、硼珪酸ガラス等が用いられる。
導電性のベース１２上には金属等の導電性のカバー１５
が溶接等によって取付けられ、ケース１６を形成してい
る。ケース１６内部は気密が確保されており、安定した
周波数特性をもつ局部発振器１０を形成することができ
る。
【００２０】信号端子１９が挿通された穴１８には封止
部材２１が充填され、封止部材２１は、硼珪酸ガラスな
どのガラスで形成されたの第１の封止部材２１ａと、そ
の上にフッ素樹脂等の樹脂で形成された第２の封止部材
２１ｂとからなっている。この局部発振器１０は外部入
力端子１９と封止部材２１とベース１２とで封止部材２
１を誘電体とする同軸線路構造を成している。
部材２１が充填され、封止部材２１は、硼珪酸ガラスな
どのガラスで形成されたの第１の封止部材２１ａと、そ
の上にフッ素樹脂等の樹脂で形成された第２の封止部材
２１ｂとからなっている。この局部発振器１０は外部入
力端子１９と封止部材２１とベース１２とで封止部材２
１を誘電体とする同軸線路構造を成している。
【００２１】図２は本発明の一実施の形態の高周波モジ
ュールデバイスである局部発振器の部分拡大図である。
導電性のベース１２に設けられた穴１７には電源端子１
９が挿通され、硼珪酸ガラスの第１の封止部材２１ａが
充填され第１の同軸線路構造を形成している、その上に
フッ素樹脂の第２の封止部材２１ｂが充填され、第２の
同軸線路構造を形成している。下表１に硼珪酸ガラスと
フッ素樹脂の誘電率と誘電正接を示す。
ュールデバイスである局部発振器の部分拡大図である。
導電性のベース１２に設けられた穴１７には電源端子１
９が挿通され、硼珪酸ガラスの第１の封止部材２１ａが
充填され第１の同軸線路構造を形成している、その上に
フッ素樹脂の第２の封止部材２１ｂが充填され、第２の
同軸線路構造を形成している。下表１に硼珪酸ガラスと
フッ素樹脂の誘電率と誘電正接を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】上表において、フッ素樹脂の誘電正接は、
２×１０-4程度であり、硼珪酸ガラスの誘電正接、３０
×１０-4に比べると一桁以上小さいので、同軸線路構造
の部分全てを硼珪酸ガラスで封止するよりも誘電体によ
る損失が軽減され効率良く信号を出力することができ
る。
２×１０-4程度であり、硼珪酸ガラスの誘電正接、３０
×１０-4に比べると一桁以上小さいので、同軸線路構造
の部分全てを硼珪酸ガラスで封止するよりも誘電体によ
る損失が軽減され効率良く信号を出力することができ
る。
【００２４】また、樹脂の封止部材２１ｂの充填によ
り、ガラスを薄く形成しても強度的な問題がなく、単に
ガラスの封止部材の充填部分を薄く形成したり、ベース
の厚さを薄く形成する方法よりも強度的に優れている。
り、ガラスを薄く形成しても強度的な問題がなく、単に
ガラスの封止部材の充填部分を薄く形成したり、ベース
の厚さを薄く形成する方法よりも強度的に優れている。
【００２５】第１の封止部材２１ａの材料としてはガラ
ス等のケース内の機密を確保出来る材料が用いられ、第
２の封止部材２１ｂの材料としてはフッ素樹脂等の第１
の封止部材よりも誘電正接の低い材料を用いている。
ス等のケース内の機密を確保出来る材料が用いられ、第
２の封止部材２１ｂの材料としてはフッ素樹脂等の第１
の封止部材よりも誘電正接の低い材料を用いている。
【００２６】樹脂で充填する形状に形成した第２の封止
部材２１ｂを電源端子１９と組み合わせ、そのまま穴１
７に挿通させ、封止部材を２１ａを所定の場所に位置さ
せる。次にガラスの第１の封止部材２１ａを穴２１の残
りの空間に充填することにより、局部発振器１０の内部
の気密を保つことができるようにする。
部材２１ｂを電源端子１９と組み合わせ、そのまま穴１
７に挿通させ、封止部材を２１ａを所定の場所に位置さ
せる。次にガラスの第１の封止部材２１ａを穴２１の残
りの空間に充填することにより、局部発振器１０の内部
の気密を保つことができるようにする。
【００２７】また、穴１７の第１の封止部材２１ａが充
填される部分と第２の封止部材１２ｂが充填される部分
とではその半径は異なっており、同じ値の特性インピー
ダンスが得られるようになっている。信号端子１９の直
径ｄ1は０．５ｍｍであり、第１の封止部材２１ａであ
る硼珪酸ガラスの比誘電率は５．０であり、第２の封止
部材であるフッ素樹脂の比誘電率は２．１程度である。
したがって、基板の特性インピーダンスが５０Ωである
とき、前述の式（１）に基づいて、信号端子１９の特性
インピーダンスを５０Ωになるように、ガラスの第１の
封止部材に対応するの穴の内径ｄ2gは３．２ｍｍ、第２
の封止部材に対応する穴の内径ｄ2tを１．６７ｍｍに形
成する。このように、ベース形成されるの穴径を穴に充
填する封止部材に応じて変えてインピーダンス整合を行
うことにより、高周波信号の反射およびロスを軽減する
ことができる。
填される部分と第２の封止部材１２ｂが充填される部分
とではその半径は異なっており、同じ値の特性インピー
ダンスが得られるようになっている。信号端子１９の直
径ｄ1は０．５ｍｍであり、第１の封止部材２１ａであ
る硼珪酸ガラスの比誘電率は５．０であり、第２の封止
部材であるフッ素樹脂の比誘電率は２．１程度である。
したがって、基板の特性インピーダンスが５０Ωである
とき、前述の式（１）に基づいて、信号端子１９の特性
インピーダンスを５０Ωになるように、ガラスの第１の
封止部材に対応するの穴の内径ｄ2gは３．２ｍｍ、第２
の封止部材に対応する穴の内径ｄ2tを１．６７ｍｍに形
成する。このように、ベース形成されるの穴径を穴に充
填する封止部材に応じて変えてインピーダンス整合を行
うことにより、高周波信号の反射およびロスを軽減する
ことができる。
【００２８】図３は本発明の他の実施の形態の高周波デ
バイスモジュールである局部発振器の部分拡大図であ
る。図３（ａ）において、ベース１２に設けられた穴１
７の大きさは一定であり、２つの誘電体に合わせて信号
端子１９の直径を変化させることによりインピーダンス
整合を実現している。信号端子１９の第１の封止部材２
１ａに対応する部分の直径ｄ1gは０．５ｍｍであり、第
２の封止部材２１ｂに対応する信号端子１９の直径ｄ1t
は０．９６ｍｍとである。また、穴１７の内径ｄ2は
３．２ｍｍである。このように信号端子１９の直径を封
止部材に対応させて変化させることにより、特性インピ
ーダンスを５０Ωにすることができ、局部発振回路の特
性インピーダンスと整合されることができ、高周波信号
の反射およびロスを軽減することができる。
バイスモジュールである局部発振器の部分拡大図であ
る。図３（ａ）において、ベース１２に設けられた穴１
７の大きさは一定であり、２つの誘電体に合わせて信号
端子１９の直径を変化させることによりインピーダンス
整合を実現している。信号端子１９の第１の封止部材２
１ａに対応する部分の直径ｄ1gは０．５ｍｍであり、第
２の封止部材２１ｂに対応する信号端子１９の直径ｄ1t
は０．９６ｍｍとである。また、穴１７の内径ｄ2は
３．２ｍｍである。このように信号端子１９の直径を封
止部材に対応させて変化させることにより、特性インピ
ーダンスを５０Ωにすることができ、局部発振回路の特
性インピーダンスと整合されることができ、高周波信号
の反射およびロスを軽減することができる。
【００２９】図３（ｂ）はガラスの第１の封止部材２１
ａの下に樹脂の第２の封止部材２１ｂを設けたものであ
り、信号端子１９の直径ｄ1は０．５ｍｍであり、ガラ
ス部の金属ベース内径ｄ2gは約３．２ｍｍであり、第２
の封止部材２１ｂに対応する部分の穴１７の内径ｄ2tは
約１．６７ｍｍである。このように、第１の封止部材が
第２の封止部材の上にあってもよい。
ａの下に樹脂の第２の封止部材２１ｂを設けたものであ
り、信号端子１９の直径ｄ1は０．５ｍｍであり、ガラ
ス部の金属ベース内径ｄ2gは約３．２ｍｍであり、第２
の封止部材２１ｂに対応する部分の穴１７の内径ｄ2tは
約１．６７ｍｍである。このように、第１の封止部材が
第２の封止部材の上にあってもよい。
【００３０】図３（ｃ）は信号端子１９を挿通する穴１
７の内径を一定にし、２つの誘電体の比誘電率に合わせ
信号端子１９の直径を変えるものである。例えば、信号
端子１９の特性インピーダンスを５０Ωにするには信号
端子１９の第２の封止部材に２１ｂ対応する部分の直径
ｄ1tが０．５ｍｍのあり、第１の封止部材２１ａに対応
する信号端子１９の直径ｄ1gは０．２６ｍｍとなる。ま
た、ベースの内径ｄ２は１．６７ｍｍである。このよう
に第１の封止部材２１ａに対応するの穴１７の直径を小
さくすることにより、同軸線路構造の部分の機械的強度
を更に増加させることができる。
７の内径を一定にし、２つの誘電体の比誘電率に合わせ
信号端子１９の直径を変えるものである。例えば、信号
端子１９の特性インピーダンスを５０Ωにするには信号
端子１９の第２の封止部材に２１ｂ対応する部分の直径
ｄ1tが０．５ｍｍのあり、第１の封止部材２１ａに対応
する信号端子１９の直径ｄ1gは０．２６ｍｍとなる。ま
た、ベースの内径ｄ２は１．６７ｍｍである。このよう
に第１の封止部材２１ａに対応するの穴１７の直径を小
さくすることにより、同軸線路構造の部分の機械的強度
を更に増加させることができる。
【００３１】これらの端子構造は、衛星放送や衛星通信
の受信用コンバータの局部発振回路ユニットに限らず、
ＶＣＯ、水晶発振器、ＳＡＷフィルタ等の金属のケース
に封入された高周波モジュールデバイスにも適用するこ
とができる。
の受信用コンバータの局部発振回路ユニットに限らず、
ＶＣＯ、水晶発振器、ＳＡＷフィルタ等の金属のケース
に封入された高周波モジュールデバイスにも適用するこ
とができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の高周波モジュー
ルデバイスよれば、回路モジュールが導電性のケースに
封入され、該ケースを貫通する回路モジュールの信号端
子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する高周波モジ
ュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造は、信号端
子を封止するための第１の同軸線路構造と、該第１の同
軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をもつ部材を誘
電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けられた第２の
同軸線路構造と、からなることを特徴とするものであ
り、誘電体損の小さい同軸線路構造得ることができ、効
率良く信号を出力することができる。
ルデバイスよれば、回路モジュールが導電性のケースに
封入され、該ケースを貫通する回路モジュールの信号端
子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する高周波モジ
ュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造は、信号端
子を封止するための第１の同軸線路構造と、該第１の同
軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をもつ部材を誘
電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けられた第２の
同軸線路構造と、からなることを特徴とするものであ
り、誘電体損の小さい同軸線路構造得ることができ、効
率良く信号を出力することができる。
【００３３】本発明の請求項２記載の高周波モジュール
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の誘電体は
ガラスであることを特徴とするものであり、高周波モジ
ュールデバイスの気密を確保することができる。
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の誘電体は
ガラスであることを特徴とするものであり、高周波モジ
ュールデバイスの気密を確保することができる。
【００３４】本発明の請求項３記載の高周波モジュール
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の特性イン
ピーダンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスが等しいことを特徴するものであり、高周波信号の
反射およびロスを軽減することができる。
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の特性イン
ピーダンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスが等しいことを特徴するものであり、高周波信号の
反射およびロスを軽減することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器を示す略断面図である。
イスである局部発振器を示す略断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器の部分拡大図である。
イスである局部発振器の部分拡大図である。
【図３】本発明の他の実施の形態の高周波デバイスモジ
ュールである局部発振器の部分拡大図である。
ュールである局部発振器の部分拡大図である。
【図４】従来例の高周波モジュールデバイスである局部
発振器を示す略断面図である。
発振器を示す略断面図である。
【図５】別の従来例の高周波モジュールデバイスである
局部発振器を示す略断面図である。
局部発振器を示す略断面図である。
１０ 局部発振器 １１ セラミック基板 １２ ベース １３ 半導体回路部品 １４ 誘電体共振器 １５ カバー １６ ケース １７ 穴 １９ 信号端子 ２１ 封止部材 ２１ａ 第１の封止部材 ２１ｂ 第２の封止部材
Claims (3)
- 【請求項１】 回路モジュールが導電性のケースに封入
され、該ケースを貫通する回路モジュールの信号端子を
誘電体で封止した同軸線路構造を有する高周波モジュー
ルデバイスにおいて、 前記同軸線路構造は、信号端子を封止するための第１の
同軸線路構造と、該第１の同軸線路構造の誘電体よりも
低い誘電正接をもつ部材を誘電体とし、該第１の誘電体
に隣接して設けられた第２の同軸線路構造と、からなる
ことを特徴とする高周波モジュールデバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波モジュールデバイ
スにおいて、前記第１の同軸線路構造の誘電体はガラス
であることを特徴とする高周波モジュールデバイス。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の高周波モジュー
ルデバイスにおいて、前記第１の同軸線路構造の特性イ
ンピーダンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピー
ダンスとが等しいことを特徴とする高周波モジュールデ
バイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35470897A JPH11186425A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 高周波モジュールデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35470897A JPH11186425A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 高周波モジュールデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186425A true JPH11186425A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18439379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35470897A Pending JPH11186425A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 高周波モジュールデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186425A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272841A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 |
| JP2016225457A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
| JP2019071416A (ja) * | 2017-10-09 | 2019-05-09 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | 高い反射減衰量を備えるｔｏパッケージ |
| CN113474883A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-01 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件以及电子装置 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35470897A patent/JPH11186425A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272841A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置 |
| JP2016225457A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
| JP2019071416A (ja) * | 2017-10-09 | 2019-05-09 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | 高い反射減衰量を備えるｔｏパッケージ |
| US11088096B2 (en) | 2017-10-09 | 2021-08-10 | Schott Ag | Transistor outline housing with high return loss |
| JP2021193740A (ja) * | 2017-10-09 | 2021-12-23 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 高い反射減衰量を備えるｔｏパッケージ |
| CN113474883A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-01 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件以及电子装置 |
| EP3933908A4 (en) * | 2019-02-28 | 2022-11-23 | Kyocera Corporation | ELECTRONIC ELEMENT MOUNTING BOX AND ELECTRONIC DEVICE |
| US11652306B2 (en) | 2019-02-28 | 2023-05-16 | Kyocera Corporation | Electronic-element mounting package and electronic device |
| CN113474883B (zh) * | 2019-02-28 | 2023-11-03 | 京瓷株式会社 | 电子元件搭载用封装件以及电子装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU695429B2 (en) | Miniaturised antenna for converting an alternating voltage into a microwave and vice versa, notably for horological applications | |
| EP1783893B1 (en) | User-definable, low cost, low phase hit and spectrally pure tunable oscillartor | |
| EP0829917B1 (en) | Antenna device | |
| US20030009863A1 (en) | Thin film bulk acoustic resonator ( FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same | |
| US5499005A (en) | Transmission line device using stacked conductive layers | |
| US4100504A (en) | Band rejection filter having integrated impedance inverter-tune cavity configuration | |
| JPH10145117A (ja) | 誘電体共振器装置及び高周波モジュール | |
| US7561011B2 (en) | Dielectric device | |
| JPH11186425A (ja) | 高周波モジュールデバイス | |
| JP3580680B2 (ja) | 高周波用パッケージおよびその接続構造 | |
| JPH027702A (ja) | マイクロ波機器の基板接続構造 | |
| US6169467B1 (en) | Dielectric resonator comprising a dielectric resonator disk having a hole | |
| KR100337168B1 (ko) | 유전체 공진기 장치, 유전체 필터, 발진기, 공유기 및 전자기기 | |
| JPH06338709A (ja) | 同軸ビーズ | |
| JP3398314B2 (ja) | 高周波用パッケージおよびその接続構造 | |
| JPH07154141A (ja) | Ｎｒｄガイド発振器 | |
| JPH0216609B2 (ja) | ||
| JP3540939B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP3605257B2 (ja) | 高周波パッケージの接続構造 | |
| JP2001144512A (ja) | 配線基板およびその導波管との接続構造 | |
| JP2000164755A (ja) | 高周波回路用パッケージ | |
| JP2023170889A (ja) | 高周波モジュール | |
| JP2003273605A (ja) | 導波管型フィルタ | |
| JP2002246808A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2000049509A (ja) | 配線基板とその接続構造 |