JPH11186425A - High frequency module device - Google Patents
High frequency module deviceInfo
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- JPH11186425A JPH11186425A JP35470897A JP35470897A JPH11186425A JP H11186425 A JPH11186425 A JP H11186425A JP 35470897 A JP35470897 A JP 35470897A JP 35470897 A JP35470897 A JP 35470897A JP H11186425 A JPH11186425 A JP H11186425A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は導電性のケースに収
められ、マイクロ波、ミリ波等の高周波数で使用される
高周波モジュールデバイスに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module device housed in a conductive case and used at high frequencies such as microwaves and millimeter waves.
【０００２】[0002]
【従来の技術】衛星放送や、衛星通信などの特に高い周
波数安定度を必要とするコンバータに対しては、内部を
高気密にすることによって耐環境性を持たせることがで
きる金属ケースに封入された高周波モジュールデバイス
が使用される。2. Description of the Related Art Converters requiring particularly high frequency stability, such as satellite broadcasting and satellite communication, are enclosed in a metal case that can be made environmentally resistant by making the inside highly airtight. High frequency module devices are used.
【０００３】図４は従来例の高周波モジュールデバイス
である局部発振器を示す略断面図である。発振回路５４
と半導体素子５３を搭載したセラミック基板５１は金属
等の導電体で形成されたベース５２に固定されており、
ベース５２と金属等で形成された導電体のカバー５５を
溶接等で接着することにより、ケース５６が形成され
る。ベース５２には外部端子を挿通するための穴５７、
５８が設けられている。５９は外部信号入力端子であ
り、６０は電源端子である。外部信号入力端子５９は穴
５７に挿通されており、外部信号入力端子５９とベース
５２との隙間には誘電体であるガラス等の封止部材６１
充填されている。一方電源端子６０は穴５２に挿通さ
れ、電源端子６０とベース５２との間の隙間はガラス等
の封止部材６２が充填されている。封止部材６１、６２
により、穴５７、５８は封止され、ケース５６内部の気
密が保たれる。この局部発振器５０は外部入力端子５９
と封止部材５７とベース５２とで封止部材５７を誘電体
とする同軸線路構造を有している。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a local oscillator which is a conventional high-frequency module device. Oscillation circuit 54
And a ceramic substrate 51 on which a semiconductor element 53 is mounted is fixed to a base 52 formed of a conductor such as metal.
The case 56 is formed by bonding the base 52 and a cover 55 made of a conductor made of metal or the like by welding or the like. Holes 57 for inserting external terminals into the base 52,
58 are provided. 59 is an external signal input terminal and 60 is a power supply terminal. The external signal input terminal 59 is inserted through the hole 57, and a gap between the external signal input terminal 59 and the base 52 is provided with a sealing member 61 such as a dielectric glass.
Is filled. On the other hand, the power supply terminal 60 is inserted into the hole 52, and a gap between the power supply terminal 60 and the base 52 is filled with a sealing member 62 such as glass. Sealing members 61, 62
Thereby, the holes 57 and 58 are sealed, and the airtightness inside the case 56 is maintained. This local oscillator 50 has an external input terminal 59
The sealing member 57 and the base 52 have a coaxial line structure using the sealing member 57 as a dielectric.
【０００４】金属のケースに封入された高周波モジュー
ルデバイスは上述のような局部発振器に限らず、ＶＣＯ
（Voltage Controlled Osillator）、水晶発振器、ＳＡ
Ｗ（表面波）フィルタ等種々の高周波モジュールデバイ
スがあり、いずれの高周波モジュールデバイスもケース
内に回路基板が設置され、その端子は、金属等の導電性
のベースに挿通され、封止部材によって封止されてい
る。[0004] The high-frequency module device enclosed in the metal case is not limited to the above-described local oscillator, but may be a VCO.
(Voltage Controlled Osillator), crystal oscillator, SA
There are various high-frequency module devices such as W (surface acoustic wave) filters. In each of the high-frequency module devices, a circuit board is installed in a case, and terminals thereof are inserted through a conductive base such as metal and sealed by a sealing member. Has been stopped.
【０００５】従来、これらの金属のケースに封入された
高周波モジュールデバイスで扱う周波数は、例えばＫｕ
バンドの衛星放送、衛星受信用コンバータの局部発振機
で１０〜１１．５ＧＨｚ程度であり、その他のデバイス
ではほぼ２ＧＨｚ以下であったため、端子の特性インピ
ーダンスはあまり考慮されることはなかった。しかし一
部の高周波モジュールデバイスでは信号端子の特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと同じ値に
し、インピーダンスマッチングを図ることによって高周
波信号の端子部での反射およびロスを極力小さくしよう
とするものがある。Conventionally, the frequency handled by the high-frequency module device sealed in these metal cases is, for example, Ku.
Since the frequency was about 10 to 11.5 GHz for the local oscillator of the satellite broadcasting and satellite receiving converter for the band and about 2 GHz or less for the other devices, the characteristic impedance of the terminal was not considered much. However, in some high-frequency module devices, the characteristic impedance of the signal terminal is set to the same value as the characteristic impedance of the internal circuit, and the reflection and loss of the high-frequency signal at the terminal portion are minimized by impedance matching.
【０００６】図５は別の従来例の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器を示す略断面図である。信号端子
５９で形成された中心導体と、信号端子５９を固定絶縁
するガラスの封止部材６１を誘電体、およびベース５２
を外部導体とした同軸線路構造において、その特性イン
ピーダンスを内部回路の特性インピーダンスと一致する
ように穴５７の大きさｄ2および信号端子５９の太さｄ1
を選択していた。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a local oscillator which is another conventional high-frequency module device. A center conductor formed by the signal terminal 59 and a glass sealing member 61 for fixing and insulating the signal terminal 59 are formed by using a dielectric and a base 52.
In the coaxial line structure having the external conductor as the external conductor, the size d 2 of the hole 57 and the thickness d 1 of the signal terminal 59 are adjusted so that the characteristic impedance matches the characteristic impedance of the internal circuit.
Was selected.
【０００７】同軸線路構造の特性インピーダンスＺｏ
（Ω）とするとＺｏは次式（１）で表される。The characteristic impedance Zo of the coaxial line structure
(Ω), Zo is expressed by the following equation (1).
【０００８】[0008]
【数１】 (Equation 1)
【０００９】式（１）において、εsは誘電体の比誘電
率であり、ここでは封止部材の比誘電率である。ｄ1は
中心導体の直径でありここでは信号端子の５９直径であ
り、ｄ2は外部導体の直径であり、ここでは穴５７の直
径である。In the equation (1), ε s is the relative permittivity of the dielectric, here, the relative permittivity of the sealing member. d 1 is in this case the diameter of the central conductor is 59 diameter of the signal terminals, d 2 is the diameter of the outer conductor, where the diameter of the hole 57.
【００１０】誘電体として機能するガラス部材は、たと
えば硼珪酸ガラス（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）が使用され
る。また、誘電体による電気エネルギーの損失Ｗは下式
（２）で表される。As the glass member functioning as a dielectric, for example, borosilicate glass (SiO 2 + Al 2 O 3 ) is used. The electric energy loss W due to the dielectric is expressed by the following equation (2).
【００１１】[0011]
【数２】 (Equation 2)
【００１２】式（２）において、電気エネルギーの損失
は誘電正接ｔａｎδ、周波数ｆ、誘電率εに比例して電
気エネルギーの損失が大きくなる。ここで例えば、硼珪
酸ガラスの比誘電率は５．０程度であり、誘電正接ｔａ
ｎδは３０×１０-4である。１８ＧＨｚ以上の周波数帯
で使用される高周波モジュールデバイスにおいては、単
に誘電体としてガラスを用いた場合、実用上、誘電体に
よる電気エネルギーの損失が大きくなり高周波信号の伝
達効率が低下していた。In the equation (2), the loss of electric energy increases in proportion to the dielectric loss tangent tan δ, the frequency f, and the dielectric constant ε. Here, for example, the relative dielectric constant of borosilicate glass is about 5.0 and the dielectric loss tangent ta
nδ is 30 × 10 −4 . In a high-frequency module device used in a frequency band of 18 GHz or more, when glass is simply used as a dielectric, loss of electric energy due to the dielectric increases in practice and transmission efficiency of a high-frequency signal decreases.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ガラス部材は端子を固
定し絶縁、気密を保つためには好適な材料であるが、同
軸線路構造の誘電体を形成するガラス部材は誘電体によ
る損失が小さくなく、高周波で用いられるモジュールデ
バイスでは、同軸線路構造のインピーダンス整合を図っ
たとしてもガラス部材の誘電体による損失の影響が大き
く、高周波信号を効率良く伝えることができなかった。The glass member is a suitable material for fixing the terminals and maintaining insulation and airtightness. However, the glass member forming the dielectric of the coaxial line structure has a small loss due to the dielectric. On the other hand, in a module device used at a high frequency, even if the impedance matching of the coaxial line structure is achieved, the effect of the loss due to the dielectric of the glass member is large, and the high frequency signal cannot be transmitted efficiently.
【００１４】本発明は上述の問題点を鑑みてなされたも
のであり、高周波モジュールデバイスの気密を確保する
と共に誘電体による損失の小さい同軸線路構造の信号端
子を有する高周波モジュールデバイスを実現するもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and realizes a high-frequency module device having a signal terminal having a coaxial line structure with a small loss caused by a dielectric while ensuring airtightness of the high-frequency module device. is there.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
高周波モジュールデバイスは、回路モジュールが導電性
のケースに封入され、該ケースを貫通する回路モジュー
ルの信号端子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する
高周波モジュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造
は、信号端子を封止するための第１の同軸線路構造と、
該第１の同軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をも
つ部材を誘電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けら
れた第２の同軸線路構造と、からなることを特徴とする
ものである。According to the high frequency module device of the present invention, the circuit module is sealed in a conductive case, and the signal terminals of the circuit module penetrating the case are sealed with a dielectric. In a high-frequency module device having a coaxial line structure, the coaxial line structure includes a first coaxial line structure for sealing a signal terminal,
A member having a dielectric loss tangent lower than that of the dielectric of the first coaxial line structure is a dielectric, and a second coaxial line structure provided adjacent to the first dielectric. Is what you do.
【００１６】本発明の請求項２記載の高周波モジュール
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の誘電体はガラス
であることを特徴とするものである。A high frequency module device according to a second aspect of the present invention is characterized in that the dielectric of the first coaxial line structure is glass.
【００１７】本発明の請求項３記載の高周波モジュール
デバイスは、前記第１の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダンスが
等しいことを特徴とするものである。A high frequency module device according to a third aspect of the present invention is characterized in that the characteristic impedance of the first coaxial line structure is equal to the characteristic impedance of the second coaxial line structure.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態の高
周波モジュールデバイスである局部発振器を示す略断面
図である。金属等の導電性のベース１２にはセラミック
基板１１が設置され、セラミック基板１１上に半導体回
路部品１３および誘電体共振器１４が設置され回路モジ
ュールである局部発振回路を形成している。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a local oscillator which is a high-frequency module device according to an embodiment of the present invention. A ceramic substrate 11 is provided on a conductive base 12 such as a metal, and a semiconductor circuit component 13 and a dielectric resonator 14 are provided on the ceramic substrate 11 to form a local oscillation circuit as a circuit module.
【００１９】導電性のベース１２には穴１７、１８が開
けられており、穴１７には信号出力端子１９が挿通され
ており、誘電体で形成される封止部材２１で封止されて
いる。また、もう一方の穴には電源端子２０が挿通さ
れ、誘電体で形成される封止部材２２で封止されてい
る。封止部材２２には、硼珪酸ガラス等が用いられる。
導電性のベース１２上には金属等の導電性のカバー１５
が溶接等によって取付けられ、ケース１６を形成してい
る。ケース１６内部は気密が確保されており、安定した
周波数特性をもつ局部発振器１０を形成することができ
る。Holes 17 and 18 are formed in the conductive base 12, and a signal output terminal 19 is inserted into the hole 17 and sealed with a sealing member 21 formed of a dielectric. . A power terminal 20 is inserted into the other hole, and is sealed by a sealing member 22 formed of a dielectric. Borosilicate glass or the like is used for the sealing member 22.
A conductive cover 15 such as a metal is provided on the conductive base 12.
Are attached by welding or the like to form a case 16. The inside of the case 16 is kept airtight, and the local oscillator 10 having stable frequency characteristics can be formed.
【００２０】信号端子１９が挿通された穴１８には封止
部材２１が充填され、封止部材２１は、硼珪酸ガラスな
どのガラスで形成されたの第１の封止部材２１ａと、そ
の上にフッ素樹脂等の樹脂で形成された第２の封止部材
２１ｂとからなっている。この局部発振器１０は外部入
力端子１９と封止部材２１とベース１２とで封止部材２
１を誘電体とする同軸線路構造を成している。The hole 18 into which the signal terminal 19 is inserted is filled with a sealing member 21. The sealing member 21 is formed of a first sealing member 21a made of glass such as borosilicate glass, and a first sealing member 21a. And a second sealing member 21b formed of a resin such as a fluorine resin. The local oscillator 10 includes an external input terminal 19, a sealing member 21, and a base 12 and a sealing member 2.
A coaxial line structure having 1 as a dielectric is formed.
【００２１】図２は本発明の一実施の形態の高周波モジ
ュールデバイスである局部発振器の部分拡大図である。
導電性のベース１２に設けられた穴１７には電源端子１
９が挿通され、硼珪酸ガラスの第１の封止部材２１ａが
充填され第１の同軸線路構造を形成している、その上に
フッ素樹脂の第２の封止部材２１ｂが充填され、第２の
同軸線路構造を形成している。下表１に硼珪酸ガラスと
フッ素樹脂の誘電率と誘電正接を示す。FIG. 2 is a partially enlarged view of a local oscillator which is a high-frequency module device according to an embodiment of the present invention.
A power supply terminal 1 is provided in a hole 17 provided in the conductive base 12.
9, a first sealing member 21a made of borosilicate glass is filled to form a first coaxial line structure, and a second sealing member 21b made of fluororesin is filled thereon, Is formed. Table 1 below shows the dielectric constant and dielectric loss tangent of borosilicate glass and fluororesin.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】上表において、フッ素樹脂の誘電正接は、
２×１０-4程度であり、硼珪酸ガラスの誘電正接、３０
×１０-4に比べると一桁以上小さいので、同軸線路構造
の部分全てを硼珪酸ガラスで封止するよりも誘電体によ
る損失が軽減され効率良く信号を出力することができ
る。In the above table, the dielectric loss tangent of the fluororesin is
Is about 2 × 10 -4, the dielectric loss tangent of borosilicate glass, 30
Since it is one order of magnitude smaller than × 10 -4 , loss due to the dielectric is reduced and signals can be output more efficiently than when the entire coaxial line structure is sealed with borosilicate glass.
【００２４】また、樹脂の封止部材２１ｂの充填によ
り、ガラスを薄く形成しても強度的な問題がなく、単に
ガラスの封止部材の充填部分を薄く形成したり、ベース
の厚さを薄く形成する方法よりも強度的に優れている。Further, by filling the sealing member 21b with the resin, there is no problem in strength even if the glass is formed thin, and the filled portion of the glass sealing member can be simply formed thin or the thickness of the base can be reduced. The strength is superior to the forming method.
【００２５】第１の封止部材２１ａの材料としてはガラ
ス等のケース内の機密を確保出来る材料が用いられ、第
２の封止部材２１ｂの材料としてはフッ素樹脂等の第１
の封止部材よりも誘電正接の低い材料を用いている。As a material of the first sealing member 21a, a material such as glass which can secure airtightness in the case is used, and as a material of the second sealing member 21b, a first resin such as fluororesin is used.
A material having a lower dielectric loss tangent than that of the sealing member is used.
【００２６】樹脂で充填する形状に形成した第２の封止
部材２１ｂを電源端子１９と組み合わせ、そのまま穴１
７に挿通させ、封止部材を２１ａを所定の場所に位置さ
せる。次にガラスの第１の封止部材２１ａを穴２１の残
りの空間に充填することにより、局部発振器１０の内部
の気密を保つことができるようにする。The second sealing member 21b formed into a shape filled with resin is combined with the power supply terminal 19, and
7, the sealing member 21a is positioned at a predetermined position. Next, by filling the remaining space of the hole 21 with the first sealing member 21a made of glass, the airtightness inside the local oscillator 10 can be maintained.
【００２７】また、穴１７の第１の封止部材２１ａが充
填される部分と第２の封止部材１２ｂが充填される部分
とではその半径は異なっており、同じ値の特性インピー
ダンスが得られるようになっている。信号端子１９の直
径ｄ1は０．５ｍｍであり、第１の封止部材２１ａであ
る硼珪酸ガラスの比誘電率は５．０であり、第２の封止
部材であるフッ素樹脂の比誘電率は２．１程度である。
したがって、基板の特性インピーダンスが５０Ωである
とき、前述の式（１）に基づいて、信号端子１９の特性
インピーダンスを５０Ωになるように、ガラスの第１の
封止部材に対応するの穴の内径ｄ2gは３．２ｍｍ、第２
の封止部材に対応する穴の内径ｄ2tを１．６７ｍｍに形
成する。このように、ベース形成されるの穴径を穴に充
填する封止部材に応じて変えてインピーダンス整合を行
うことにより、高周波信号の反射およびロスを軽減する
ことができる。The radius of the portion of the hole 17 where the first sealing member 21a is filled is different from the radius of the portion where the second sealing member 12b is filled, so that the same value of characteristic impedance can be obtained. It has become. The diameter d 1 of the signal terminal 19 is 0.5 mm, the relative dielectric constant of borosilicate glass as the first sealing member 21a is 5.0, and the relative dielectric constant of fluororesin as the second sealing member. The rate is about 2.1.
Therefore, when the characteristic impedance of the substrate is 50Ω, the inner diameter of the hole corresponding to the first sealing member made of glass is adjusted so that the characteristic impedance of the signal terminal 19 becomes 50Ω based on the above-mentioned equation (1). d 2g is 3.2mm, 2nd
The inner diameter d 2t of holes corresponding to the sealing member is formed to 1.67 mm. As described above, by performing impedance matching while changing the diameter of the hole formed in the base according to the sealing member filling the hole, reflection and loss of a high-frequency signal can be reduced.
【００２８】図３は本発明の他の実施の形態の高周波デ
バイスモジュールである局部発振器の部分拡大図であ
る。図３（ａ）において、ベース１２に設けられた穴１
７の大きさは一定であり、２つの誘電体に合わせて信号
端子１９の直径を変化させることによりインピーダンス
整合を実現している。信号端子１９の第１の封止部材２
１ａに対応する部分の直径ｄ1gは０．５ｍｍであり、第
２の封止部材２１ｂに対応する信号端子１９の直径ｄ1t
は０．９６ｍｍとである。また、穴１７の内径ｄ2は
３．２ｍｍである。このように信号端子１９の直径を封
止部材に対応させて変化させることにより、特性インピ
ーダンスを５０Ωにすることができ、局部発振回路の特
性インピーダンスと整合されることができ、高周波信号
の反射およびロスを軽減することができる。FIG. 3 is a partially enlarged view of a local oscillator which is a high-frequency device module according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3A, a hole 1 provided in a base 12 is provided.
7, the impedance matching is realized by changing the diameter of the signal terminal 19 in accordance with the two dielectrics. First sealing member 2 of signal terminal 19
The diameter d 1g of the portion corresponding to 1a is 0.5 mm, and the diameter d 1t of the signal terminal 19 corresponding to the second sealing member 21b.
Is 0.96 mm. The inner diameter d 2 of the hole 17 is 3.2 mm. By changing the diameter of the signal terminal 19 in accordance with the sealing member in this manner, the characteristic impedance can be set to 50Ω, can be matched with the characteristic impedance of the local oscillation circuit, and can reflect and reflect high-frequency signals. Loss can be reduced.
【００２９】図３（ｂ）はガラスの第１の封止部材２１
ａの下に樹脂の第２の封止部材２１ｂを設けたものであ
り、信号端子１９の直径ｄ1は０．５ｍｍであり、ガラ
ス部の金属ベース内径ｄ2gは約３．２ｍｍであり、第２
の封止部材２１ｂに対応する部分の穴１７の内径ｄ2tは
約１．６７ｍｍである。このように、第１の封止部材が
第２の封止部材の上にあってもよい。FIG. 3B shows the first sealing member 21 made of glass.
It is those in which a second sealing member 21b of the resin under a, the diameter d 1 of the signal terminal 19 is 0.5 mm, the metal base inside diameter d 2 g of the glass portion is about 3.2 mm, Second
The inner diameter d 2t part of the holes 17 corresponding to the sealing member 21b of about 1.67 mm. Thus, the first sealing member may be on the second sealing member.
【００３０】図３（ｃ）は信号端子１９を挿通する穴１
７の内径を一定にし、２つの誘電体の比誘電率に合わせ
信号端子１９の直径を変えるものである。例えば、信号
端子１９の特性インピーダンスを５０Ωにするには信号
端子１９の第２の封止部材に２１ｂ対応する部分の直径
ｄ1tが０．５ｍｍのあり、第１の封止部材２１ａに対応
する信号端子１９の直径ｄ1gは０．２６ｍｍとなる。ま
た、ベースの内径ｄ２は１．６７ｍｍである。このよう
に第１の封止部材２１ａに対応するの穴１７の直径を小
さくすることにより、同軸線路構造の部分の機械的強度
を更に増加させることができる。FIG. 3C shows a hole 1 through which the signal terminal 19 is inserted.
7, the diameter of the signal terminal 19 is changed in accordance with the relative permittivity of the two dielectrics. For example, in order to set the characteristic impedance of the signal terminal 19 to 50Ω, the diameter d 1t of the portion corresponding to the second sealing member 21b of the signal terminal 19 is 0.5 mm, which corresponds to the first sealing member 21a. The diameter d 1g of the signal terminal 19 is 0.26 mm. The inner diameter d 2 of the base is 1.67 mm. By thus reducing the diameter of the hole 17 corresponding to the first sealing member 21a, the mechanical strength of the coaxial line structure can be further increased.
【００３１】これらの端子構造は、衛星放送や衛星通信
の受信用コンバータの局部発振回路ユニットに限らず、
ＶＣＯ、水晶発振器、ＳＡＷフィルタ等の金属のケース
に封入された高周波モジュールデバイスにも適用するこ
とができる。These terminal structures are not limited to the local oscillator circuit unit of the converter for receiving satellite broadcasting and satellite communication.
The present invention can be applied to a high-frequency module device sealed in a metal case such as a VCO, a crystal oscillator, and a SAW filter.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の高周波モジュー
ルデバイスよれば、回路モジュールが導電性のケースに
封入され、該ケースを貫通する回路モジュールの信号端
子を誘電体で封止した同軸線路構造を有する高周波モジ
ュールデバイスにおいて、前記同軸線路構造は、信号端
子を封止するための第１の同軸線路構造と、該第１の同
軸線路構造の誘電体よりも低い誘電正接をもつ部材を誘
電体とし、該第１の誘電体に隣接して設けられた第２の
同軸線路構造と、からなることを特徴とするものであ
り、誘電体損の小さい同軸線路構造得ることができ、効
率良く信号を出力することができる。According to the high-frequency module device according to the first aspect of the present invention, the circuit module is sealed in a conductive case, and the signal terminal of the circuit module penetrating the case is sealed with a dielectric. Wherein the coaxial line structure comprises a first coaxial line structure for sealing a signal terminal, and a member having a lower dielectric tangent than the dielectric of the first coaxial line structure. And a second coaxial line structure provided adjacent to the first dielectric, whereby a coaxial line structure with a small dielectric loss can be obtained, and a signal can be efficiently transmitted. Can be output.
【００３３】本発明の請求項２記載の高周波モジュール
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の誘電体は
ガラスであることを特徴とするものであり、高周波モジ
ュールデバイスの気密を確保することができる。According to the high frequency module device of the second aspect of the present invention, the dielectric of the first coaxial line structure is glass, and the airtightness of the high frequency module device is ensured. Can be.
【００３４】本発明の請求項３記載の高周波モジュール
デバイスによれば、前記第１の同軸線路構造の特性イン
ピーダンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピーダ
ンスが等しいことを特徴するものであり、高周波信号の
反射およびロスを軽減することができる。According to the high frequency module device of the third aspect of the present invention, the characteristic impedance of the first coaxial line structure is equal to the characteristic impedance of the second coaxial line structure. Signal reflection and loss can be reduced.
【図１】本発明の一実施の形態の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器を示す略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a local oscillator which is a high-frequency module device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態の高周波モジュールデバ
イスである局部発振器の部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of a local oscillator which is a high-frequency module device according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施の形態の高周波デバイスモジ
ュールである局部発振器の部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of a local oscillator which is a high-frequency device module according to another embodiment of the present invention.
【図４】従来例の高周波モジュールデバイスである局部
発振器を示す略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a local oscillator which is a conventional high-frequency module device.
【図５】別の従来例の高周波モジュールデバイスである
局部発振器を示す略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a local oscillator, which is another conventional high-frequency module device.
１０ 局部発振器 １１ セラミック基板 １２ ベース １３ 半導体回路部品 １４ 誘電体共振器 １５ カバー １６ ケース １７ 穴 １９ 信号端子 ２１ 封止部材 ２１ａ 第１の封止部材 ２１ｂ 第２の封止部材 REFERENCE SIGNS LIST 10 local oscillator 11 ceramic substrate 12 base 13 semiconductor circuit component 14 dielectric resonator 15 cover 16 case 17 hole 19 signal terminal 21 sealing member 21a first sealing member 21b second sealing member
Claims (3)
され、該ケースを貫通する回路モジュールの信号端子を
誘電体で封止した同軸線路構造を有する高周波モジュー
ルデバイスにおいて、 前記同軸線路構造は、信号端子を封止するための第１の
同軸線路構造と、該第１の同軸線路構造の誘電体よりも
低い誘電正接をもつ部材を誘電体とし、該第１の誘電体
に隣接して設けられた第２の同軸線路構造と、からなる
ことを特徴とする高周波モジュールデバイス。1. A high-frequency module device having a coaxial line structure in which a circuit module is sealed in a conductive case and a signal terminal of the circuit module penetrating the case is sealed with a dielectric. A first coaxial line structure for sealing a terminal and a member having a dielectric loss tangent lower than that of the dielectric of the first coaxial line structure are used as a dielectric, and are provided adjacent to the first dielectric. A high frequency module device comprising: a second coaxial line structure.
スにおいて、前記第１の同軸線路構造の誘電体はガラス
であることを特徴とする高周波モジュールデバイス。2. The high-frequency module device according to claim 1, wherein the dielectric of the first coaxial line structure is glass.
ルデバイスにおいて、前記第１の同軸線路構造の特性イ
ンピーダンスと前記第２の同軸線路構造の特性インピー
ダンスとが等しいことを特徴とする高周波モジュールデ
バイス。3. The high-frequency module device according to claim 1, wherein a characteristic impedance of the first coaxial line structure is equal to a characteristic impedance of the second coaxial line structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35470897A JPH11186425A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | High frequency module device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35470897A JPH11186425A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | High frequency module device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186425A true JPH11186425A (en) | 1999-07-09 |
Family
ID=18439379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35470897A Pending JPH11186425A (en) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | High frequency module device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186425A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272841A (en) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Kyocera Corp | Package for mounting electronic component and electronic device using the same |
| JP2016225457A (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 新光電気工業株式会社 | Stem for semiconductor device and semiconductor device |
| JP2019071416A (en) * | 2017-10-09 | 2019-05-09 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | TO package with high return loss |
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-
1997
- 1997-12-24 JP JP35470897A patent/JPH11186425A/en active Pending
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| JP2021193740A (en) * | 2017-10-09 | 2021-12-23 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | TO package with high reflection attenuation |
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| CN113474883B (en) * | 2019-02-28 | 2023-11-03 | 京瓷株式会社 | Package for mounting electronic component and electronic device |
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