JPH11168303A - 高周波スイッチモジュール - Google Patents
高周波スイッチモジュールInfo
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- JPH11168303A JPH11168303A JP9335198A JP33519897A JPH11168303A JP H11168303 A JPH11168303 A JP H11168303A JP 9335198 A JP9335198 A JP 9335198A JP 33519897 A JP33519897 A JP 33519897A JP H11168303 A JPH11168303 A JP H11168303A
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Abstract
回路と受信回路、第2の送受信系の送信回路と受信回路
を切り換える高周波スイッチモジュールをワンチップで
構成する。 【解決手段】 第1の送受信系(低周波側)と第2の送
受信系(高周波側)を扱う高周波スイッチモジュールで
あり、第1の送受信系と第2の送受信系の共通端子を有
し、該2つの送受信系を分波する分波回路を有し、分波
された第1の送受信系に第1のスイッチ回路を有し、第
1の送信系と第1の受信系を分け、分波された第2の送
受信系に第2のスイッチ回路を有し、第2の送信系と第
2の受信系を分け、前記分波回路から第1の送信系、及
び分波回路から第2の送信系にローパスフィルタ機能を
有する高周波スイッチモジュール。
Description
関し、2つの送受信系を取り扱う高周波スイッチモジュ
ールに関するものである。
ナANTと送信回路TXとの接続及びアンテナANTと
受信回路RXとの接続を切り換えるために、高周波スイ
ッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、
特開平6−197040号公報に開示されているものが
ある。
にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続され
る第1のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続
されるストリップライン、および受信回路側にアノード
が接続されアース側にカソードが接続される第2のダイ
オードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵さ
れ、第1のダイオード及び第2のダイオードは多層基板
上に実装されたものである。
には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービ
スの向上が図られている。この新たな携帯電話として、
デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデ
ュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受
信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱
うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信
系を選択して利用することができるものである。
れぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、
機器の大型化、高コスト化を招く。共通部分はできるだ
け共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化
に有利となる。
受信系の送信回路と受信回路、第2の送受信系の送信回
路と受信回路を切り換える高周波スイッチモジュールを
提供するものであり、また、その高周波スイッチモジュ
ールをワンチップで構成することを目的とするものであ
る。
系(低周波側)と第2の送受信系(高周波側)を扱う高
周波スイッチモジュールであり、第1の送受信系と第2
の送受信系の共通端子を有し、該2つの送受信系を分波
する分波回路を有し、分波された第1の送受信系に第1
のスイッチ回路を有し、第1の送信系と第1の受信系を
分け、分波された第2の送受信系に第2のスイッチ回路
を有し、第2の送信系と第2の受信系を分け、前記分波
回路から第1の送信系、及び分波回路から第2の送信系
にローパスフィルタ機能を有する高周波スイッチモジュ
ールである。
受信系用にローパスフィルタ回路、第2の送受信系用に
ノッチフィルタ回路からなり、第2の送信系にローパス
フィルタ回路を接続した高周波スイッチモジュールであ
る。分波回路の第1の送受信系用のローパスフィルタ回
路が第1の送信系のローパスフィルタ機能を有する。
受信系用にローパスフィルタ回路、第2の送受信系用に
ハイパスフィルタ回路からなり、第2の送信系にローパ
スフィルタ回路を接続した高周波スイッチモジュールで
ある。分波回路の第1の送受信系用のローパスフィルタ
回路が第1の送信系のローパスフィルタ機能を有する。
受信系用にノッチフィルタ回路、第2の送受信系用にバ
ンドパスフィルタ回路からなり、第1の送信系にローパ
スフィルタ回路を接続した高周波スイッチモジュールで
ある。分波回路の第2の送受信系用のバンドパスフィル
タ回路が第2の送信系のローパスフィルタ機能を有す
る。
受信系用にローパスフィルタ回路、第2の送受信系用に
バンドパスフィルタ回路からなる高周波スイッチモジュ
ールである。分波回路の第1の送受信系用のローパスフ
ィルタ回路が第1の送信系のローパスフィルタ機能を有
し、分波回路の第2の送受信系用のバンドパスフィルタ
回路が第2の送信系のローパスフィルタ機能を有する。
受信系用にノッチフィルタ回路、第2の送受信系用にノ
ッチフィルタ回路からなり、第1の送信系にローパスフ
ィルタ回路、及び第2の送信系にローパスフィルタ回路
を接続した高周波スイッチモジュールである。
受信系用にノッチフィルタ回路、第2の送受信系用にハ
イパスフィルタ回路からなり、第1の送信系にローパス
フィルタ回路、及び第2の送信系にローパスフィルタ回
路を接続した高周波スイッチモジュールである。
受信系用にバンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用
にバンドパスフィルタ回路からなる高周波スイッチモジ
ュールである。分波回路の第1の送受信系用のバンドパ
スフィルタ回路が第1の送信系のローパスフィルタ機能
を有し、分波回路の第2の送受信系用のバンドパスフィ
ルタ回路が第2の送信系のローパスフィルタ機能を有す
る。
受信系用にバンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用
にノッチフィルタ回路からなり、第2の送信系にローパ
スフィルタ回路を接続した高周波スイッチモジュールで
ある。分波回路の第1の送受信系用のバンドパスフィル
タ回路が第1の送信系のローパスフィルタ機能を有す
る。
受信系用にバンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用
にハイパスフィルタ回路からなり、第2の送信系にロー
パスフィルタ回路を接続した高周波スイッチモジュール
である。分波回路の第1の送受信系用のバンドパスフィ
ルタ回路が第1の送信系のローパスフィルタ機能を有す
る。
の送受信系と第2の送受信系の共通端子をアンテナに接
続し、デュアルバンド携帯電話のアンテナとそれぞれの
送受信系の送信回路、受信回路とを切り換える高周波ス
イッチモジュールである。
誘電体グリーンシートを適宜積層し一体焼成した積層体
と、該積層体上に配置されたダイオード、チップコンデ
ンサなどのチップ素子とから構成し、ワンチップ化を達
成した高周波スイッチモジュールである。
構成する伝送線路、前記第2のスイッチ回路を構成する
伝送線路、前記分波回路及び/又は前記ローパスフィル
タ回路を積層体内に電極パターンにより構成したもので
ある。この電極パターンは、Agを主体とする導電ペー
ストをスクリーン印刷により、誘電体グリーンシート上
に形成したものである。もちろん、Agのみに限定され
るものではない。
に挟まれた領域に、前記第1及び第2のスイッチ回路用
の伝送線路が形成され、該アース電極の上側のさらに上
部に、前記分波回路及び/又は前記ローパスフィルタ回
路用の容量成分が形成され、さらにその上部に、前記分
波回路用及び/又は前記ローパスフィルタ回路用のイン
ダクタンス成分が形成されて構成されている。
ロック図を図1に示す。図1において、本発明の高周波
スイッチモジュールは、破線で囲った部分である。ま
た、この部分をワンチップ化したものである。本発明の
高周波スイッチモジュールは、例えば、第1の送受信系
としてGSMシステム、第2の送受信系としてDCS1
800システムの2つのシステムに対応した構成とし
て、デュアルバンド携帯電話のアンテナANTと、GS
M系、DCS系のそれぞれの送受信回路との振り分けに
用いることができる。
ィルタとノッチフィルタとから構成し、第1の送受信系
用にローパスフィルタを、第2の送受信系用にノッチフ
ィルタを用いている。そして、第1の送受信系では、ス
イッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを切り換え
ている。また第2の送受信系では、スイッチ回路SWに
より、送信TXと受信RXを切り換え、その送信系にロ
ーパスフィルタ回路が設けられている。
誘電体層と電極層とを積層した積層体を用い、該積層体
内にスイッチ回路用の伝送線路、分波回路用のインダク
タ成分、コンデンサ成分、及びローパスフィルタ回路用
のインダクタ成分、コンデンサ成分を構成し、積層体上
にスイッチ回路用のダイオードなどの素子を搭載するこ
とにより、ワンチップ化することができる。
を図2に示す。この第2実施例は、分波回路をローパス
フィルタとハイパスフィルタとから構成し、第1の送受
信系用にローパスフィルタを、第2の送受信系用にハイ
パスフィルタを用いている。そして、第1の送受信系で
は、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを切
り換えている。また第2の送受信系では、スイッチ回路
SWにより、送信TXと受信RXを切り換え、その送信
系にローパスフィルタ回路が設けられている。
を図3に示す。この第3実施例は、分波回路をノッチフ
ィルタとバンドパスフィルタとから構成し、第1の送受
信系用にノッチフィルタを、第2の送受信系用にバンド
パスフィルタを用いている。そして、第1の送受信系で
は、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを切
り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられ
ている。また第2の送受信系では、スイッチ回路SWに
より、送信TXと受信RXを切り換えている。
を図4に示す。この第4実施例は、分波回路をローパス
フィルタとバンドパスフィルタとから構成し、第1の送
受信系用にローパスフィルタを、第2の送受信系用にバ
ンドパスフィルタを用いている。そして、第1の送受信
系では、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RX
を切り換えている。また第2の送受信系では、スイッチ
回路SWにより、送信TXと受信RXを切り換えてい
る。
を図5に示す。この第5実施例は、分波回路を2つのノ
ッチフィルタで構成している。そして、第1の送受信系
では、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを
切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けら
れている。また第2の送受信系では、スイッチ回路SW
により、送信TXと受信RXを切り換え、その送信系に
ローパスフィルタ回路が設けられている。
を図6に示す。この第6実施例は、分波回路をノッチフ
ィルタとハイパスフィルタとから構成し、第1の送受信
系用にノッチフィルタを、第2の送受信系用にハイパス
フィルタを用いている。そして、第1の送受信系では、
スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを切り換
え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられてい
る。また第2の送受信系では、スイッチ回路SWによ
り、送信TXと受信RXを切り換え、その送信系にロー
パスフィルタ回路が設けられている。
を図7に示す。この第7実施例は、分波回路を2つのバ
ンドパスフィルタで構成している。そして、第1の送受
信系では、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信R
Xを切り換えている。また第2の送受信系では、スイッ
チ回路SWにより、送信TXと受信RXを切り換えてい
る。
を図8に示す。この第8実施例は、分波回路をバンドパ
スフィルタとノッチフィルタとから構成し、第1の送受
信系用にバンドパスフィルタを、第2の送受信系用にノ
ッチフィルタを用いている。そして、第1の送受信系で
は、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RXを切
り換えている。また第2の送受信系では、スイッチ回路
SWにより、送信TXと受信RXを切り換え、その送信
系にローパスフィルタ回路が設けられている。
を図9に示す。この第9実施例は、分波回路をバンドパ
スフィルタとハイパスフィルタとから構成し、第1の送
受信系用にバンドパスフィルタを、第2の送受信系用に
ハイパスフィルタを用いている。そして、第1の送受信
系では、スイッチ回路SWにより、送信TXと受信RX
を切り換えている。また第2の送受信系では、スイッチ
回路SWにより、送信TXと受信RXを切り換え、その
送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。
路、ローパスフィルタ回路、ハイパスフィルタ回路、バ
ンドパスフィルタ回路を組み合わせている。これらの回
路は、インダクタ成分とコンデンサ成分の組み合わせに
より構成することができる。また、適宜付加されるロー
パスフィルタ回路も同様である。そして、これらのフィ
ルタ回路は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料か
らなるグリーンシート上に、例えばAgを主体とする導
電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、
それを適宜積層し、一体焼成させて構成される積層構造
にて構成することができる。
ード、伝送線路、コンデンサなどの組み合わせにより、
構成することができる。このスイッチ回路SWも上記各
種フィルタ回路同様に、伝送線路を積層体内に構成し、
積層体上にダイオードを搭載して構成することが可能で
ある。またコンデンサは、積層体内に構成することもで
きるし、積層体上に搭載することもできる。
ルは、電極パターンの形成された誘電体グリーンシート
を適宜積層し一体焼成した積層体と、該積層体上に配置
されたダイオード、チップコンデンサなどのチップ素子
とから構成し、ワンチップ化を達成することができる。
このとき、積層体内には、上記のフィルタ回路及びスイ
ッチ回路の伝送線路が形成される。このワンチップ化す
ることにより、スイッチ回路、ローパスフィルタ回路、
分波回路のそれぞれの回路素子を基板に搭載し、接続す
る場合に対し、素子間の整合回路が不要となり、部品点
数の削減、工数低減を図ることができる。
めの一例の等価回路図を図10に示す。この実施例の等
価回路図は、第1の送受信系としてGSMを、第2の送
受信系としてDCSを用いている。そして、このGSM
とDCSの2つのシステムとアンテナとを接続するアン
テナスイッチモジュールとなっている。アンテナANT
に接続される分波器部分は、2つのノッチ回路が主回路
となっている。つまり、インダクタLF1とコンデンサ
CF1で一つのノッチ回路を構成し、インダクタLF2
とコンデンサCF2でもう一つのノッチ回路を構成して
いる。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続さ
れるコンデンサCF3が接続されている。このコンデン
サCF3は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上さ
せる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ回
路には、アースに接続されるインダクタLF3と、コン
デンサCF4を直列に接続している。このインダクタL
F3とコンデンサCF4は、分波特性のハイパスフィル
タ特性を向上させる目的で接続されている。この分波回
路は、2つのノッチ回路のみでも良い。
る。第1のスイッチ回路は、図10上側のスイッチ回路
であり、GSM系の送信TXと受信RXを切り換えるも
のである。このスイッチ回路SWは、2つのダイオード
DG1、DG2と、2つの伝送線路LG1、LG2から
なり、ダイオードDG1はアンテナANT側にアノード
が接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカ
ソード側にアースに接続される伝送線路LG1が接続さ
れている。そして、アンテナ側と受信RX間に伝送線路
LG2が接続され、その受信側にカソードが接続された
ダイオードDG2が接続され、そのダイオードDG2の
アノードには、アイースとの間にコンデンサCG6が接
続され、その間に抵抗RG、インダクタLGの直列回路
が接続され、コントロール回路VC1に接続される。
パスフィルタ回路は、インダクタLG3と、コンデンサ
CG3、CG4、CG7から構成され、スイッチ回路S
WのダイオードDG1と伝送線路LG1の間に挿入され
ている。
る。第2のスイッチ回路は、図10下側のスイッチ回路
であり、DCS系の送信TXと受信RXを切り換えるも
のである。このスイッチ回路SWは、2つのダイオード
DP1、DP2と、2つの伝送線路LP1、LP2から
なり、ダイオードDP1はアンテナANT側にアノード
が接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカ
ソード側にアースに接続される伝送線路LP1が接続さ
れている。そして、アンテナ側と受信RX間に伝送線路
LP2が接続され、その受信側にカソードが接続された
ダイオードDP2が接続され、そのダイオードDP2の
アノードには、アイースとの間にコンデンサCP6が接
続され、その間に抵抗RP、インダクタLPの直列回路
が接続され、コントロール回路VC2に接続される。
パスフィルタ回路は、インダクタLP3と、コンデンサ
CP3、CP4、CP7から構成され、スイッチ回路S
WのダイオードDP1と伝送線路LP1の間に挿入され
ている。
るための一実施例の平面図を図11に、その実施例の積
層体部分の斜視図を図12に、その積層体の内部構造を
図13に示す。この実施例では、分波回路、ローパスフ
ィルタ回路、スイッチ回路の伝送線路を積層体内に構成
し、ダイオード、チップコンデンサをその積層体上に搭
載して、ワンチップ化された高周波スイッチモジュール
を構成したものである。
この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート
上にAgを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の
電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成さ
せて構成される。
まず、下層のグリーンシート11上には、アース電極3
1がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成さ
れる端子電極81、83、85、87、89、91、9
3、94、95に接続するための接続部が設けられてい
る。
ミーのグリーンシート12を積層する。その上のグリー
ンシート13には、3つのライン電極41、42、43
が形成され、その上のグリーンシート14には、4つの
ライン電極44、45、46、47が形成されている。
その上に、2つのスルーホール電極(図中丸に十字の印
を付けたものがスルーホール電極である)が形成された
グリーンシート15を積層し、その上に、アース電極3
2が形成されたグリーンシート16が積層される。
た領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第1及
び第2のスイッチ回路SW用の伝送線路を形成してい
る。ライン電極42と46はスルーホール電極で接続さ
れ、等価回路の伝送線路LG1を構成し、ライン電極4
1と45はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝
送線路LG2を構成し、ライン電極43と47はスルー
ホール電極で接続され、等価回路の伝送線路LP1を構
成し、ライン電極44は等価回路の伝送線路LP2を構
成している。
ーンシート17には、コンデンサ用の電極61、62、
63、64、65、66が形成されている。その上に積
層されるグリーンシート18にもコンデンサ用の電極6
7、68、69、70が形成されている。その上に積層
されるグリーンシート19には、コンデンサ電極71が
形成されている。
形成されたグリーンシート20が積層され、その上に、
ライン電極50、51、52、53、54、55が形成
されたグリーンシート21が積層される。そして、最上
部のグリーンシート22には、搭載素子接続用のランド
23、24、25、26、27、28、29、33、3
4、35、36、37が形成されている。
ンシート16の上に積層されたグリーンシート17のコ
ンデンサ用電極の61、62、63、64、65は、ア
ース電極32との間で容量を形成し、コンデンサ用電極
61は、等価回路のCG4を、コンデンサ用電極62
は、等価回路のCG3を、コンデンサ用電極63は、等
価回路のCP4を、コンデンサ用電極64は、等価回路
のCP3を、コンデンサ用電極65は、等価回路のCF
3を構成している。
成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コン
デンサ電極66と70の間で、等価回路のCF4を構成
し、同様にコンデンサ電極64と69の間で、等価回路
のCP7を構成し、コンデンサ電極62と67の間で、
等価回路のCG7を構成し、コンデンサ電極70と71
の間で、等価回路のCF2を構成し、コンデンサ電極6
8と71の間で、等価回路のCF1を構成している。
ン電極48、55が等価回路のLF1を構成し、ライン
電極54、56が等価回路のLF2を構成し、ライン電
極49、53が等価回路のLF3を構成し、ライン電極
50が等価回路のLG3を構成し、ライン電極52が等
価回路のLP3を構成している。なお、ライン電極51
はDCラインである。
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極8
1、82、83、84、85、86、87、88、8
9、90、91、92、93、94、95、96を形成
した。この外観図を図12に示す。
G2、DP1、DP2、チップコンデンサCG1、CG
6、CP1、CP6を搭載した。また、チップインダク
タLP4、チップコンデンサCP8を搭載しているが、
このLC直列回路は、搭載しなくとも良い。図11に、
この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。ま
た、図11に、この高周波スイッチモジュールの実装構
成を合わせて示す。
ッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、アース
電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、ス
イッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉
を防いでいる。そして、このアース電極で挟まれた領域
を積層体の下部に配置し、アース電位を取り易くしてい
る。そして、アースとの間に接続されるコンデンサを構
成する電極を、その上側のアース電極に対向させて形成
している。
構成することにより、アース電極を積層体の下側に配置
することができ、実装基板の影響を少なくすることがで
きる。さらに、アース電極と対向させるコンデンサ形成
用の容量電極をその次に配置し、上部にローパスフィル
タ回路と分波回路のインダクタンス成分を配置すること
により、インダクタンス成分をアース電極から離すこと
ができ、短い伝送線路長で必要なインダクタンス値を得
ることができる。これにより、高周波スイッチモジュー
ルの小型化を図れる。
れた端子電極において、アンテナANT端子に対して積
層体を2分した反対側に、GSM系の送信TX端子、受
信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX端子が
それぞれ形成されている。この高周波スイッチモジュー
ルは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、こ
の端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュー
ル、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短
の線路で接続することができ、余分な損失を防止でき
る。
片側に、GSM系の送信TX端子、DCS系の送信TX
端子が形成され、もう一方の片側に、GSM系の受信R
X端子、DCS系の受信RX端子が形成されている。2
つの送信回路、2つの受信回路は、それぞれかたまって
配置されるので、高周波スイッチモジュールの送信端子
どうし、受信端子どうしを近くに配置して、最短経路で
の接続が可能となり、余分な損失を防止できる。
成されたアンテナANT端子、GSM系の送信TX端
子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX
端子はいずれも、側面の周回方向で見た場合、各端子間
にはアース端子が形成されており、各端子はアース端子
で挟まれている。各入出力端子は、アース端子に挟まれ
た配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏
洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレ
ーションが確実なものとなる。
のコントロール電源端子をスイッチ毎に別々に設けてい
るが、一つのコントロール電源端子として、2つのスイ
ッチを制御するようにしても良い。
5実施例の回路ブロック図に対応するものであるが、図
1〜図9に示した第1実施例から第9実施例の他の回路
ブロック図に示す実施例を積層構造で構成することは、
上記実施例の変形例として容易に構成することができ
る。例えば、インダクタ成分、コンデンサ成分の電極パ
ターンを変更し、接続方法を変更することで可能であ
る。
ルバンド携帯電話において、2つのシステムと1つのア
ンテナを接続する部分に用いることができ、複数の回路
構成をワンチップに構成することができる。このため、
複数の回路素子を別々に搭載し、接続する方法に比較
し、部品点数の削減、工数の削減、小型化などの利点を
有する。
話などにおいて、極めて有益となる高周波スイッチモジ
ュールを提供することができる。本発明によれば、この
高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることに
より、小型に、しかもワンチップに構成できるものであ
る。これにより、デュアルバンド携帯電話などにおい
て、機器の小型化に有効なものとなる。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
る。
一例の等価回路図である。
一実施例の平面図である。
一実施例の積層体部分の斜視図である。
一実施例の積層体の内部構造図である。
9、20、21、22誘電体グリーンシート 31、32 アース電極 41、42、43、44、45、46、47、48、4
9、50、51、52、53、54、55、56 ライ
ン電極 61、62、63、64、65、66、67、68、6
9、70、71 コンデンサ用電極 81、82、83、84、85、86、87、88、8
9、90、91、92、93、94、95、96 端子
電極
Claims (14)
- 【請求項1】 第1の送受信系(低周波側)と第2の送
受信系(高周波側)を扱う高周波スイッチモジュールで
あり、第1の送受信系と第2の送受信系の共通端子を有
し、該2つの送受信系を分波する分波回路を有し、分波
された第1の送受信系に第1のスイッチ回路を有し、第
1の送信系と第1の受信系を分け、分波された第2の送
受信系に第2のスイッチ回路を有し、第2の送信系と第
2の受信系を分け、前記分波回路から第1の送信系、及
び分波回路から第2の送信系にローパスフィルタ機能を
有することを特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 【請求項2】 前記分波回路は、第1の送受信系用にロ
ーパスフィルタ回路、第2の送受信系用にノッチフィル
タ回路からなり、第2の送信系にローパスフィルタ回路
を接続したことを特徴とする請求項1記載の高周波スイ
ッチモジュール。 - 【請求項3】 前記分波回路は、第1の送受信系用にロ
ーパスフィルタ回路、第2の送受信系用にハイパスフィ
ルタ回路からなり、第2の送信系にローパスフィルタ回
路を接続したことを特徴とする請求項1記載の高周波ス
イッチモジュール。 - 【請求項4】 前記分波回路は、第1の送受信系用にノ
ッチフィルタ回路、第2の送受信系用にバンドパスフィ
ルタ回路からなり、第1の送信系にローパスフィルタ回
路を接続したことを特徴とする請求項1記載の高周波ス
イッチモジュール。 - 【請求項5】 前記分波回路は、第1の送受信系用にロ
ーパスフィルタ回路、第2の送受信系用にバンドパスフ
ィルタ回路からなることを特徴とする請求項1記載の高
周波スイッチモジュール。 - 【請求項6】 前記分波回路は、第1の送受信系用にノ
ッチフィルタ回路、第2の送受信系用にノッチフィルタ
回路からなり、第1の送信系にローパスフィルタ回路、
及び第2の送信系にローパスフィルタ回路を接続したこ
とを特徴とする請求項1記載の高周波スイッチモジュー
ル。 - 【請求項7】 前記分波回路は、第1の送受信系用にノ
ッチフィルタ回路、第2の送受信系用にハイパスフィル
タ回路からなり、第1の送信系にローパスフィルタ回
路、及び第2の送信系にローパスフィルタ回路を接続し
たことを特徴とする請求項1記載の高周波スイッチモジ
ュール。 - 【請求項8】 前記分波回路は、第1の送受信系用にバ
ンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用にバンドパス
フィルタ回路からなることを特徴とする請求項1記載の
高周波スイッチモジュール。 - 【請求項9】 前記分波回路は、第1の送受信系用にバ
ンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用にノッチフィ
ルタ回路からなり、第2の送信系にローパスフィルタ回
路を接続したことを特徴とする請求項1記載の高周波ス
イッチモジュール。 - 【請求項10】 前記分波回路は、第1の送受信系用に
バンドパスフィルタ回路、第2の送受信系用にハイパス
フィルタ回路からなり、第2の送信系にローパスフィル
タ回路を接続したことを特徴とする請求項1記載の高周
波スイッチモジュール。 - 【請求項11】 前記分波回路の第1の送受信系と第2
の送受信系の共通端子をアンテナに接続することを特徴
とする請求項1〜10記載の高周波スイッチモジュー
ル。 - 【請求項12】 電極パターンの形成された誘電体グリ
ーンシートの積層体と、該積層体上に配置されたチップ
素子とから構成され、ワンチップ化したことを特徴とす
る請求項1〜11記載の高周波スイッチモジュール。 - 【請求項13】 前記第1のスイッチ回路を構成する伝
送線路、前記第2のスイッチ回路を構成する伝送線路、
前記分波回路及び/又は前記ローパスフィルタ回路を積
層体内に電極パターンにより構成したことを特徴とする
請求項12記載の高周波スイッチモジュール。 - 【請求項14】 前記積層体において、アース電極に挟
まれた領域に、前記第1及び第2のスイッチ回路用の伝
送線路が形成され、該アース電極の上側のさらに上部
に、前記分波回路及び/又はローパスフィルタ回路用の
容量成分が形成され、さらにその上部に、前記分波回路
用及び/又は前記ローパスフィルタ回路用のインダクタ
ンス成分が形成されていることを特徴とする請求項12
又は13記載の高周波スイッチモジュール。
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