JP3824229B2

JP3824229B2 - マルチバンド用高周波スイッチモジュール

Info

Publication number: JP3824229B2
Application number: JP2003109334A
Authority: JP
Inventors: 茂釼持; 裕之但井; 俊彦田中; 剛志武田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 2003-04-14
Publication date: 2006-09-20
Anticipated expiration: 2018-08-13
Also published as: JP2004007583A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波複合部品に関し、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
デジタル携帯電話などにおいて、アンテナＡＮＴと送信回路ＴＸとの接続及びアンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの接続を切り換えるために、高周波スイッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、特開平６−１９７０４０号公報に開示されているものがある。
【０００３】
この従来の高周波スイッチは、送信回路側にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続されるストリップライン、および受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第２のダイオードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵され、第１のダイオード及び第２のダイオードは多層基板上に実装されたものである。また、この従来の高周波スイッチは、単に一つの送受信系（シングルバンド）に対応しているものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年の携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。
【０００５】
このデュアルバンド携帯電話において、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招く。共通可能な部分はできるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化に有利となる。
【０００６】
本発明は、アンテナを共通とし、第１の送受信系の送信回路と受信回路、第２の送受信系の送信回路と受信回路を切り換えることが可能なマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供するものであり、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供し、また、そのマルチバンド用高周波スイッチモジュールをワンチップで構成することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、アンテナに接続され、複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路を介して前記アンテナと接続され各送受信系の送信系と受信系を切り換えるスイッチ回路と、前記送受信系の送信系に前記スイッチ回路と接続するローパスフィルタ回路を有し、前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記アンテナ側と送信回路側との間に接続された第一のダイオードと、受信回路側とアース側との間に接続された第二のダイオードと、前記アンテナ側と前記受信回路側との間に配置され、前記第一のダイオードと前記第二のダイオードとを直列に接続する伝送線路を備え、前記ローパスフィルタ回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記分波回路のインダクタンス成分と容量成分、前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分と容量成分及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオードは、前記積層体上に配置して構成され、前記積層体において、複数の誘電体層の一面上には、前記分波回路の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路の電極パターンが、前記積層体の水平方向の別領域に別れて形成されており、かつ、異なる誘電体層に形成された前記分波回路のインダクタンス成分の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分の電極パターンとが、積層方向に重なり合わないマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
【０００８】
また本発明は、前記積層体内にはグランド電極を有し、このグランド電極が形成された誘電体層にスルーホールが形成され、該スルーホールを介して当該グランド電極より上側に配置された回路素子（ダイオード）と下側に配置された回路素子（伝送線路）を接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。前記スルーホールは、前記グランド電極に設けた切り欠き部に位置するように構成するのが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールであり、このマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、分波回路、及びダイオードスイッチ回路とを備え、
前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路及び前記ダイオードスイッチ回路を構成するインダクタンス成分と容量成分の少なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体上に配置して構成されているものである。これにより、小型に構成でき、例えば、アンテナを共用とし、第１の送受信系の送信系と受信系、その第１の送受信系と通過帯域の異なる第２の送受信系の送信系と受信系と、アンテナとを接続し、適宜切り換える高周波スイッチモジュールを得ることが出来、例えばデュアルバンド携帯電話等において有効なものである。
【００１０】
本発明では、複数の送受信系の共通端子、各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層体の側面に形成し、面実装可能とすることができる。この側面に形成した各端子は、その上面又は下面に延長されていてもかまわない。そして、各側面に、少なくとも１つのグランド端子を形成し、低損失化を計ることが出来る。
【００１１】
本発明では、複数の送受信系の共通端子、各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子は高周波信号用の端子であり、これを高周波端子と呼ぶ。この高周波端子は、積層体の側面に形成され、しかもこの高周波端子どうしが隣り合わないように配置してある。この高周波端子間には、グランド端子又はスイッチ回路制御端子が配置される。また、この高周波端子間には、少なくとも１つのグランド端子が配置されることが好ましい。このように、高周波端子間を隣り合わないようにすること、又高周波端子間にグランド端子を配置することにより、高周波端子間の干渉を抑え、又低損失化を計ることができる。
【００１２】
また本発明は、前記積層体において、前記分波回路の第１の送受信系と第２の送受信系の共通端子と、前記第１の送受信系の送信端子と、受信端子と、前記第２の送受信系の送信端子と、受信端子の各端子は、前記積層体の側面に形成され、該各端子の間にはアース端子が形成されている。各入出力端子は、アース端子に挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレーションが確実なものとなる。
【００１３】
本発明の積層体は、分波回路、及びダイオードスイッチ回路の伝送線路を内蔵することができる。このダイオードスイッチ回路の伝送線路は、グランド電極に挟まれた領域に形成されることが好ましい。また、分波回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。この分波回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。そして、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
【００１４】
本発明では、各送信系にローパスフィルタ機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を内蔵することができる。このローパスフィルタ回路は、インダクタンス成分と容量成分とにより構成することができる。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。
【００１５】
この伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができる。
【００１６】
本発明では、積層体上に配置されたチップ部品を囲むように金属ケースを配置することが好ましい。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケースは、積層体の上面に半田付けで固定することができる。また、この金属ケースにより、マウンタ装置により、本発明の高周波スイッチモジュールを実装することができる。
【００１７】
本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うものであるが、以下２つの送受信系を扱う場合をもとに図面を用いて、詳細に説明する。
【００１８】
本発明に係る第１実施例の回路ブロック図を図１に示す。図１において、本発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分である。また、この部分をワンチップ化したものである。本発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、例えば、第１の送受信系としてＧＳＭシステム、第２の送受信系としてＤＣＳ１８００システムの２つのシステムに対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアンテナＡＮＴと、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用いることができる。
【００１９】
この第１実施例は、通過帯域の異なる第１の送受信系（ＧＳＭ）と第２の送受信系（ＤＣＳ）を扱う高周波スイッチモジュールであり、第１の送受信系（ＧＳＭ）の送信信号と受信信号を切り換える第１のダイオードスイッチ回路、第１のダイオードスイッチ回路の送信ラインに接続される第１のローパスフィルタ回路、第２の送受信系（ＤＣＳ）の送信信号と受信信号を切り換える第２のダイオードスイッチ回路、第２のダイオードスイッチ回路の送信ラインに接続される第２のローパスフィルタ回路、第１の送受信系と第２の送受信系を分波する分波回路から構成されている。
【００２０】
また本発明に係る一実施例の等価回路図を図２に示す。アンテナＡＮＴに接続される分波回路部分は、２つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、インダクタＬＦ１とコンデンサＣＦ１を並列接続して一つのノッチ回路を構成し、インダクタＬＦ２とコンデンサＣＦ２を並列接続してもう一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続されるコンデンサＣＦ３が接続されている。このコンデンサＣＦ３は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続されるインダクタＬＦ３と、コンデンサＣＦ４を直列に接続している。このインダクタＬＦ３とコンデンサＣＦ４は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。この分波回路は、２つのノッチ回路のみでも良い。
【００２１】
次に、第１のダイオードスイッチ回路について説明する。第１のダイオードスイッチ回路は、図２上側のスイッチ回路であり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるものである。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤＧ１、ＤＧ２と、２つの伝送線路ＬＧ１、ＬＧ２からなり、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路ＬＧ１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路ＬＧ２が接続され、その受信側にカソードが接続されたダイオードＤＧ２が接続され、そのダイオードＤＧ２のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＧ６が接続され、その間に抵抗ＲＧ、インダクタＬＧの直列回路が接続され、コントロール回路ＶＣ１に接続される。
【００２２】
そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタＬＧ３と、コンデンサＣＧ３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＧ１と伝送線路ＬＧ１の間に挿入されている。
【００２３】
次に、第２のダイオードスイッチ回路について説明する。第２のダイオードスイッチ回路は、図２下側のスイッチ回路であり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるものである。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤＰ１、ＤＰ２と、２つの伝送線路ＬＰ１、ＬＰ２からなり、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路ＬＰ１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路ＬＰ２が接続され、その受信ＲＸ側にカソードが接続されたダイオードＤＰ２が接続され、そのダイオードＤＰ２のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＰ６が接続され、その間に抵抗ＲＰ、インダクタＬＰの直列回路が接続され、コントロール回路ＶＣ２に接続される。
【００２４】
そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタＬＰ３と、コンデンサＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＰ１と伝送線路ＬＰ１の間に挿入されている。
【００２５】
次に、本発明に係る一実施例の平面図を図３に、その実施例の積層体部分の斜視図を図４に、その積層体の内部構造を図５に示す。この実施例では、分波回路、ローパスフィルタ回路、ダイオードスイッチ回路の伝送線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサをその積層体上に搭載して、ワンチップ化されたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを構成したものである。
【００２６】
この積層体の内部構造について説明する。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。
【００２７】
この内部構造を積層順に従って説明する。まず、下層のグリーンシート１１上には、グランド電極３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成される端子電極８１、８３、８５、８７、８９、９１、９３、９４、９５に接続するための接続部が設けられている。
【００２８】
次に、電極パターンの印刷されていないダミーのグリーンシート１２を積層する。その上のグリーンシート１３には、３つのライン電極４１、４２、４３が形成され、その上のグリーンシート１４には、４つのライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。その上に、２つのスルーホール電極（図中丸に十字の印を付けたものがスルーホール電極である、以下同様）が形成されたグリーンシート１５を積層し、その上に、アース電極３２が形成されたグリーンシート１６が積層される。
【００２９】
この２つのアース電極３１、３２に挟まれた領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第１及び第２のダイオードスイッチ回路ＳＷ用の伝送線路を形成している。ライン電極４２と４６はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４１と４５はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＧ２を構成し、ライン電極４３と４７はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＰ１を構成し、ライン電極４４は等価回路の伝送線路ＬＰ２を構成している。
【００３０】
グリーンシート１６の上に積層されるグリーンシート１７には、コンデンサ用の電極６１、６２、６３、６４、６５、６６が形成されている。その上に積層されるグリーンシート１８にもコンデンサ用の電極６７、６８、６９、７０が形成されている。その上に積層されるグリーンシート１９には、コンデンサ電極７１が形成されている。
【００３１】
更にその上には、ライン電極４８、４９が形成されたグリーンシート２０が積層され、その上に、ライン電極５０、５１、５２、５３、５４、５５が形成されたグリーンシート２１が積層される。そして、最上部のグリーンシート２２には、搭載素子接続用のランド２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３３、３４、３５、３６、３７が形成されている。
【００３２】
上側のアース電極３２が形成されたグリーンシート１６の上に積層されたグリーンシート１７のコンデンサ用電極の６１、６２、６３、６４、６５は、アース電極３２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極６１は、等価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２は、等価回路のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等価回路のＣＰ４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路のＣＰ３を、コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ３を構成している。
【００３３】
またグリーンシート１７、１８、１９に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ電極６６と７０の間で、等価回路のＣＦ４を構成し、同様にコンデンサ電極６４と６９の間で、等価回路のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６２と６７の間で、等価回路のＣＧ７を構成し、コンデンサ電極７０と７１の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ電極６８と７１の間で、等価回路のＣＦ１を構成している。このコンデンサ電極６６では、コンデンサ電極７０と対向して容量を形成するが、このとき、グランド電極３２とは対向しないように、グランド電極３２には、切り欠き部が形成されている。また、この切り欠き部を利用して、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されている。
【００３４】
またグリーンシート２０、２１では、ライン電極４８、５５が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン電極５４、５６が等価回路のＬＦ２を構成し、ライン電極４９、５３が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極５０が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極５２が等価回路のＬＰ３を構成している。なお、ライン電極５１はＤＣラインである。
【００３５】
これらのグリーンシートを圧着し、一体焼成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６を形成した。この外観図を図４に示す。
【００３６】
この積層体の上に、ダイオードＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ６、ＣＰ１、ＣＰ６を搭載した。また、チップインダクタＬＰ４、チップコンデンサＣＰ８を搭載している。このＬＣ直列回路は、このスイッチ回路の送信ＴＸとアンテナＡＮＴ間のダイオードＯＦＦ時のアイソレーション特性を良好とするために接続されているが、必ずしも搭載しなくとも良い。図３に、この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。また、図３に、この高周波スイッチモジュールの実装構成を合わせて示す。この図３で、ＧＲＤはグランド接続される端子であることを意味する。この実施例では、図２に示す等価回路のうち、ＣＰ２、ＣＰ５、ＣＧ２、ＣＧ５、ＲＧ、ＬＧ、ＲＰ、ＬＰは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形成される。また、コンデンサＣＰ１は無くしても良い。
【００３７】
この実施例によれば、第１及び第２のダイオードスイッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、グランド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、ダイオードスイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、グランド電位を取り易くしている。そして、グランドとの間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向させて形成している。
【００３８】
また、この実施例では、積層体の側面に各端子が形成され、面実装可能な構造となっている。また高周波端子であるＡＮＴ端子、ＤＣＳ系ＴＸ端子、ＧＳＭ系ＴＸ端子、ＧＳＭ系ＲＸ端子、ＤＣＳ系ＲＸ端子は、互いに隣り合わないように配置してあり、その高周波端子間には、グランド端子（ＧＲＤ）又はコントロール端子（ＶＣ１、ＶＣ２）が配置されている。また、高周波端子間には、グランド端子が少なくとも１つ配置されている。また、この積層体の各側面には、少なくとも１つのグランド端子が配置されている。
【００３９】
また、この実施例の積層体の側面に形成された端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積層体を実装面に垂直な面で２分した反対側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子がそれぞれ形成されている。さらに、その反対側において、その半分の片側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子が形成され、もう一方の片側に、ＧＳＭ系の受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の受信ＲＸ端子が形成されている。
【００４０】
また、この実施例の積層体では、側面に形成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子の高周波端子はいずれも、側面の周回方向で見た場合、グランド端子で挟まれている。
【００４１】
本発明の実施例によれば、ＧＳＭシステムとＤＣＳ１８００システムとの両バンドを扱うデュアルバンド携帯電話において、アンテナＡＮＴと、ＧＳＭ系の送信系、受信系、ＤＣＳ１８００系の送信系、受信系を切り換えることができるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることができた。また、本発明は、上記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることができるものである。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、例えばデュアルバンド携帯電話などにおいて、極めて有益となるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供することができる。本発明によれば、このマルチバンド用高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できるものである。これにより、デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に有効なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一実施例の回路ブロック図である。
【図２】本発明に係る一実施例の等価回路図である。
【図３】本発明に係る一実施例の平面図である。
【図４】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図である。
【図５】本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図である。
【符号の説明】
１１、１２、１３、１４、１５、１、１７、１８、１９、２０、２１、２２：誘電体グリーンシート
３１、３２：アース電極
４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６：ライン電極
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１：コンデンサ用電極
８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６：端子電極

Claims

アンテナを共用し、通過帯域が異なる複数の送受信系の送信回路又は受信回路と前記アンテナとの接続を適宜切り換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、
アンテナに接続され、複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記分波回路を介して前記アンテナと接続され各送受信系の送信系と受信系を切り換えるスイッチ回路と、前記送受信系の送信系に前記スイッチ回路と接続するローパスフィルタ回路を有し、
前記分波回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、
前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記アンテナ側と送信回路側との間に接続された第一のダイオードと、受信回路側とアース側との間に接続された第二のダイオードと、前記アンテナ側と前記受信回路側との間に配置され、前記第一のダイオードと前記第二のダイオードとを直列に接続する伝送線路を備え、
前記ローパスフィルタ回路はインダクタンス成分と容量成分で構成され、
前記分波回路のインダクタンス成分と容量成分、前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分と容量成分及び前記スイッチ回路の伝送線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成され、
前記ダイオードは、前記積層体上に配置して構成され、
前記積層体において、複数の誘電体層の一面上には、前記分波回路の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路の電極パターンが、前記積層体の水平方向の別領域に別れて形成されており、かつ、異なる誘電体層に形成された前記分波回路のインダクタンス成分の電極パターンと前記ローパスフィルタ回路のインダクタンス成分の電極パターンとが、積層方向に重なり合わないことを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
前記積層体内にはグランド電極を有し、このグランド電極が形成された誘電体層にスルーホールが形成され、該スルーホールを介して当該グランド電極より上側に配置された回路素子（ダイオード）と下側に配置された回路素子（伝送線路）を接続することを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
前記スルーホールは、前記グランド電極に設けた切り欠き部に位置することを特徴とする請求項２記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。