JP4247722B2

JP4247722B2 - 高周波スイッチモジュール

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Publication number: JP4247722B2
Application number: JP2007025791A
Authority: JP
Inventors: 茂釼持; 裕之但井; 俊彦田中; 剛志武田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2007-02-05
Filing date: 2007-02-05
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2017-12-05
Also published as: JP2007166656A

Description

本発明は、高周波複合部品に関し、２つの送受信系を取り扱う高周波スイッチモジュールに関するものである。

デジタル携帯電話などにおいて、アンテナＡＮＴと送信回路ＴＸとの接続及びアンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの接続を切り換えるために、高周波スイッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、特開平６−１９７０４０号公報に開示されているものがある。

この従来の高周波スイッチは、送信回路側にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続されるストリップライン、および受信回路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続される第２のダイオードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵され、第１のダイオード及び第２のダイオードは多層基板上に実装されたものである。

近年の携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。

このデュアルバンド携帯電話において、それぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招く。共通部分はできるだけ共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化に有利となる。

本発明は、アンテナを共通とし、第１の送受信系の送信回路と受信回路、第２の送受信系の送信回路と受信回路を切り換える高周波スイッチモジュールを提供するものであり、また、その高周波スイッチモジュールをワンチップで小型に構成することを目的とするものである。

本発明は、内層及び外表面に電極パターンを備えた積層体と、前記積層体に搭載された素子で、スイッチ回路とフィルタ回路を構成し、通過帯域の異なる複数の送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチモジュールであって、アンテナと複数の送信回路との間の異なる経路のそれぞれにローパスフィルタ回路を有し、各ローパスフィルタ回路はインダクタと、前記インダクタをアースに接続する第１コンデンサと、前記インダクタと並列接続される第２コンデンサを備え、積層体の内層に第１コンデンサ用の電極と第２コンデンサ用の電極とインダクタ用のライン電極とアース電極が形成され、前記各ローパスフィルタ回路の第１コンデンサ用の電極が一つのアース電極に対向して配置され、更に、各インダクタ用のライン電極が第１コンデンサ用の電極が形成された層よりも上部の層に互いに重なり合わない様に形成され、スルーホール電極を介して積層体に搭載された素子と接続し、前記第２コンデンサ用の電極が、前記第１コンデンサ用の電極が形成された層と前記インダクタ用のライン電極が形成された層との間の層に形成されるとともに、前記第１コンデンサ用の電極と対向して配置され、前記積層体の外表面には複数の端子電極が形成され、前記端子電極の内、第１の経路に配置されたローパスフィルタ回路が接続される第１の送信端子と、第２の経路に配置されたローパスフィルタ回路が接続される第２の送信端子との間に、前記アース電極と接続するアース端子が形成されていることを特徴とする高周波スイッチモジュールである。

前記スイッチ回路は伝送線路を備え、伝送線路用のライン電極を前記インダクタ用のライン電極が形成された層よりも下部の層に形成し、前記素子とスルーホール電極を介して接続するのも好ましい。そして前記素子はダイオードであるのが好ましい。

本発明によれば、デュアルバンド携帯電話などにおいて、極めて有益となる高周波スイッチモジュールを提供することができる。本発明によれば、この高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できるものである。

本発明に係る第１実施例の回路ブロック図を図１に示す。図１において、本発明の高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分である。また、この部分をワンチップ化したものである。本発明の高周波スイッチモジュールは、例えば、第１の送受信系としてＧＳＭシステム、第２の送受信系としてＤＣＳ１８００システムの２つのシステムに対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアンテナＡＮＴと、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用いることができる。

この第１実施例は、分波回路をローパスフィルタとノッチフィルタとから構成し、第１の送受信系用にローパスフィルタを、第２の送受信系用にノッチフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

この第１実施例をワンチップ化するには、誘電体層と電極層とを積層した積層体を用い、該積層体内にスイッチ回路用の伝送線路、分波回路用のインダクタ成分、コンデンサ成分、及びローパスフィルタ回路用のインダクタ成分、コンデンサ成分を構成し、積層体上にスイッチ回路用のダイオードなどの素子を搭載することにより、ワンチップ化することができる。

本発明に係る第２実施例の回路ブロック図を図２に示す。この第２実施例は、分波回路をローパスフィルタとハイパスフィルタとから構成し、第１の送受信系用にローパスフィルタを、第２の送受信系用にハイパスフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

本発明の高周波スイッチモジュールの参考となる第１参考例の回路ブロック図を図３に示す。この第１参考例は、分波回路をノッチフィルタとバンドパスフィルタとから構成し、第１の送受信系用にノッチフィルタを、第２の送受信系用にバンドパスフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。

本発明の高周波スイッチモジュールの参考となる第２参考例の回路ブロック図を図４に示す。この第２参考例は、分波回路をローパスフィルタとバンドパスフィルタとから構成し、第１の送受信系用にローパスフィルタを、第２の送受信系用にバンドパスフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。

本発明に係る第３実施例の回路ブロック図を図５に示す。この第３実施例は、分波回路を２つのノッチフィルタで構成している。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

本発明に係る第４実施例の回路ブロック図を図６に示す。この第４実施例は、分波回路をノッチフィルタとハイパスフィルタとから構成し、第１の送受信系用にノッチフィルタを、第２の送受信系用にハイパスフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

本発明の高周波スイッチモジュールの参考となる第３参考例の回路ブロック図を図７に示す。この第３参考例は、分波回路を２つのバンドパスフィルタで構成している。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。

本発明の高周波スイッチモジュールの参考となる第４参考例の本発明に係る第８実施例の回路ブロック図を図８に示す。この第４参考例は、分波回路をバンドパスフィルタとノッチフィルタとから構成し、第１の送受信系用にバンドパスフィルタを、第２の送受信系用にノッチフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

本発明の高周波スイッチモジュールの参考となる第５参考例の回路ブロック図を図９に示す。この第５参考例は、分波回路をバンドパスフィルタとハイパスフィルタとから構成し、第１の送受信系用にバンドパスフィルタを、第２の送受信系用にハイパスフィルタを用いている。そして、第１の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えている。また第２の送受信系では、スイッチ回路ＳＷにより、送信ＴＸと受信ＲＸを切り換え、その送信系にローパスフィルタ回路が設けられている。

本発明の分波回路は、ノッチフィルタ回路、ローパスフィルタ回路、ハイパスフィルタ回路、バンドパスフィルタ回路を組み合わせている。これらの回路は、インダクタ成分とコンデンサ成分の組み合わせにより構成することができる。また、適宜付加されるローパスフィルタ回路も同様である。そして、これらのフィルタ回路は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシート上に、例えばＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される積層構造にて構成することができる。

また本発明のスイッチ回路ＳＷは、ダイオード、伝送線路、コンデンサなどの組み合わせにより、構成することができる。このスイッチ回路ＳＷも上記各種フィルタ回路同様に、伝送線路を積層体内に構成し、積層体上にダイオードを搭載して構成することが可能である。またコンデンサは、積層体内に構成することもできるし、積層体上に搭載することもできる。

そして、本発明の高周波スイッチモジュールは、電極パターンの形成された誘電体グリーンシートを適宜積層し一体焼成した積層体と、該積層体上に配置されたダイオード、チップコンデンサなどのチップ素子とから構成し、ワンチップ化を達成することができる。このとき、積層体内には、上記のフィルタ回路及びスイッチ回路の伝送線路が形成される。このワンチップ化することにより、スイッチ回路、ローパスフィルタ回路、分波回路のそれぞれの回路素子を基板に搭載し、接続する場合に対し、素子間の整合回路が不要となり、部品点数の削減、工数低減を図ることができる。

また本発明に係る第３実施例を構成するための一例の等価回路図を図１０に示す。この実施例の等価回路図は、第１の送受信系としてＧＳＭを、第２の送受信系としてＤＣＳを用いている。そして、このＧＳＭとＤＣＳの２つのシステムとアンテナとを接続するアンテナスイッチモジュールとなっている。アンテナＡＮＴに接続される分波器部分は、２つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、インダクタＬＦ１とコンデンサＣＦ１で一つのノッチ回路を構成し、インダクタＬＦ２とコンデンサＣＦ２でもう一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノッチ回路には、アースに接続されるコンデンサＣＦ３が接続されている。このコンデンサＣＦ３は、分波特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続されるインダクタＬＦ３と、コンデンサＣＦ４を直列に接続している。このインダクタＬＦ３とコンデンサＣＦ４は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。この分波回路は、２つのノッチ回路のみでも良い。

次に、第１のスイッチ回路について説明する。第１のスイッチ回路は、図１０上側のスイッチ回路であり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるものである。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤＧ１、ＤＧ２と、２つの伝送線路ＬＧ１、ＬＧ２からなり、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路ＬＧ１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路ＬＧ２が接続され、その受信側にカソードが接続されたダイオードＤＧ２が接続され、そのダイオードＤＧ２のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＧ６が接続され、その間に抵抗ＲＧ、インダクタＬＧの直列回路が接続され、コントロール回路ＶＣ１に接続される。

そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタＬＧ３と、コンデンサＣＧ３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＧ１と伝送線路ＬＧ１の間に挿入されている。

次に、第２のスイッチ回路について説明する。第２のスイッチ回路は、図１０下側のスイッチ回路であり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるものである。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤＰ１、ＤＰ２と、２つの伝送線路ＬＰ１、ＬＰ２からなり、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路ＬＰ１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路ＬＰ２が接続され、その受信側にカソードが接続されたダイオードＤＰ２が接続され、そのダイオードＤＰ２のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＰ６が接続され、その間に抵抗ＲＰ、インダクタＬＰの直列回路が接続され、コントロール回路ＶＣ２に接続される。

そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタＬＰ３と、コンデンサＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＰ１と伝送線路ＬＰ１の間に挿入されている。

次に、図１０に示した等価回路図を構成するための一実施例の平面図を図１１に、その実施例の積層体部分の斜視図を図１２に、その積層体の内部構造を図１３に示す。この実施例では、分波回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路の伝送線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサをその積層体上に搭載して、ワンチップ化された高周波スイッチモジュールを構成したものである。

この積層体の内部構造について説明する。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。

この内部構造を積層順に従って説明する。まず、下層のグリーンシート１１上には、アース電極３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成される端子電極８１、８３、８５、８７、８９、９１、９３、９４、９５に接続するための接続部が設けられている。

次に、電極パターンの印刷されていないダミーのグリーンシート１２を積層する。その上のグリーンシート１３には、３つのライン電極４１、４２、４３が形成され、その上のグリーンシート１４には、４つのライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。その上に、２つのスルーホール電極（図中丸に十字の印を付けたものがスルーホール電極である）が形成されたグリーンシート１５を積層し、その上に、アース電極３２が形成されたグリーンシート１６が積層される。

この２つのアース電極３１、３２に挟まれた領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第１及び第２のスイッチ回路ＳＷ用の伝送線路を形成している。ライン電極４２と４６はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４１と４５はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＧ２を構成し、ライン電極４３と４７はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＰ１を構成し、ライン電極４４は等価回路の伝送線路ＬＰ２を構成している。

グリーンシート１６の上に積層されるグリーンシート１７には、コンデンサ用の電極６１、６２、６３、６４、６５、６６が形成されている。その上に積層されるグリーンシート１８にもコンデンサ用の電極６７、６８、６９、７０が形成されている。その上に積層されるグリーンシート１９には、コンデンサ電極７１が形成されている。

更にその上には、ライン電極４８、４９が形成されたグリーンシート２０が積層され、その上に、ライン電極５０、５１、５２、５３、５４、５５が形成されたグリーンシート２１が積層される。そして、最上部のグリーンシート２２には、搭載素子接続用のランド２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３３、３４、３５、３６、３７が形成されている。

上側のアース電極３２が形成されたグリーンシート１６の上に積層されたグリーンシート１７のコンデンサ用電極の６１、６２、６３、６４、６５は、アース電極３２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極６１は、等価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２は、等価回路のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等価回路のＣＰ４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路のＣＰ３を、コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ３を構成している。

またグリーンシート１７、１８、１９に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ電極６６と７０の間で、等価回路のＣＦ４を構成し、同様にコンデンサ電極６４と６９の間で、等価回路のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６２と６７の間で、等価回路のＣＧ７を構成し、コンデンサ電極７０と７１の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ電極６８と７１の間で、等価回路のＣＦ１を構成している。

またグリーンシート２０、２１では、ライン電極４８、５５が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン電極５４、５６が等価回路のＬＦ２を構成し、ライン電極４９、５３が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極５０が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極５２が等価回路のＬＰ３を構成している。なお、ライン電極５１はＤＣラインである。

これらのグリーンシートを圧着し、一体焼成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６を形成した。この外観図を図１２に示す。

この積層体の上に、ダイオードＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ６、ＣＰ１、ＣＰ６を搭載した。また、チップインダクタＬＰ４、チップコンデンサＣＰ８を搭載しているが、このＬＣ直列回路は、搭載しなくとも良い。図１１に、この搭載素子を搭載した様子を示す平面図を示す。また、図１１に、この高周波スイッチモジュールの実装構成を合わせて示す。

この実施例によれば、第１及び第２のスイッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、アース電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このアース電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、アース電位を取り易くしている。そして、アースとの間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側のアース電極に対向させて形成している。

また、この伝送線路部分を積層体の下側に構成することにより、アース電極を積層体の下側に配置することができ、実装基板の影響を少なくすることができる。さらに、アース電極と対向させるコンデンサ形成用の容量電極をその次に配置し、上部にローパスフィルタ回路と分波回路のインダクタンス成分を配置することにより、インダクタンス成分をアース電極から離すことができ、短い伝送線路長で必要なインダクタンス値を得ることができる。これにより、高周波スイッチモジュールの小型化を図れる。

また、この実施例の積層体の側面に形成された端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積層体を２分した反対側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子がそれぞれ形成されている。この高周波スイッチモジュールは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、この端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュール、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短の線路で接続することができ、余分な損失を防止できる。

さらに、その反対側において、その半分の片側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子が形成され、もう一方の片側に、ＧＳＭ系の受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の受信ＲＸ端子が形成されている。２つの送信回路、２つの受信回路は、それぞれかたまって配置されるので、高周波スイッチモジュールの送信端子どうし、受信端子どうしを近くに配置して、最短経路での接続が可能となり、余分な損失を防止できる。

また、この実施例の積層体では、側面に形成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子はいずれも、側面の周回方向で見た場合、各端子間にはアース端子が形成されており、各端子はアース端子で挟まれている。各入出力端子は、アース端子に挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレーションが確実なものとなる。

また上記実施例の等価回路では、スイッチのコントロール電源端子をスイッチ毎に別々に設けているが、一つのコントロール電源端子として、２つのスイッチを制御するようにしても良い。

上記積層構造の実施例は、図５に示した第５実施例の回路ブロック図に対応するものであるが、他の回路ブロック図に示す実施例を積層構造で構成することは、上記実施例の変形例として容易に構成することができる。例えば、インダクタ成分、コンデンサ成分の電極パターンを変更し、接続方法を変更することで可能である。

本発明の実施例によれば、例えば、デュアルバンド携帯電話において、２つのシステムと１つのアンテナを接続する部分に用いることができ、複数の回路構成をワンチップに構成することができる。このため、複数の回路素子を別々に搭載し、接続する方法に比較し、部品点数の削減、工数の削減、小型化などの利点を有する。

高周波スイッチモジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、しかもワンチップに構成できることにより、デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に有効なものとなる。

本発明に係る高周波スイッチモジュールの第１実施例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第２実施例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第１参考例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第２参考例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第３実施例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第４実施例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第３参考例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第４参考例の回路ブロック図である。本発明に係る高周波スイッチモジュールの第５参考例の回路ブロック図である。本発明に係る第５実施例の回路ブロック図の一例の等価回路図である。図１０に示した等価回路図を構成するための一実施例の平面図である。図１０に示した等価回路図を構成するための一実施例の積層体部分の斜視図である。図１０に示した等価回路図を構成するための一実施例の積層体の内部構造図である。

符号の説明

１１、１２、１３、１４、１５、１、１７、１８、１９、２０、２１、２２誘電体グリーンシート
３１、３２アース電極
４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６ライン電極
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１コンデンサ用電極
８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６端子電極

Claims

内層及び外表面に電極パターンを備えた積層体と、前記積層体に搭載された素子で、スイッチ回路とフィルタ回路を構成し、通過帯域の異なる複数の送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチモジュールであって、
アンテナと複数の送信回路との間の異なる経路のそれぞれにローパスフィルタ回路を有し、各ローパスフィルタ回路はインダクタと、前記インダクタをアースに接続する第１コンデンサと、前記インダクタと並列接続される第２コンデンサを備え、積層体の内層に第１コンデンサ用の電極と第２コンデンサ用の電極とインダクタ用のライン電極とアース電極が形成され、前記各ローパスフィルタ回路の第１コンデンサ用の電極が一つのアース電極に対向して配置され、
更に、各インダクタ用のライン電極が第１コンデンサ用の電極が形成された層よりも上部の層に互いに重なり合わない様に形成され、スルーホール電極を介して積層体に搭載された素子と接続し、前記第２コンデンサ用の電極が、前記第１コンデンサ用の電極が形成された層と前記インダクタ用のライン電極が形成された層との間の層に形成されるとともに、前記第１コンデンサ用の電極と対向して配置され、
前記積層体の外表面には複数の端子電極が形成され、前記端子電極の内、第１の経路に配置されたローパスフィルタ回路が接続される第１の送信端子と、第２の経路に配置されたローパスフィルタ回路が接続される第２の送信端子との間に、前記アース電極と接続するアース端子が形成されていることを特徴とする高周波スイッチモジュール。
前記スイッチ回路は伝送線路を備え、伝送線路用のライン電極が前記インダクタ用のライン電極が形成された層よりも下部の層に形成され、前記素子とスルーホール電極を介して接続したことを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
前記素子がダイオードであることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波スイッチモジュール。