JPH11161948A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH11161948A JPH11161948A JP9327360A JP32736097A JPH11161948A JP H11161948 A JPH11161948 A JP H11161948A JP 9327360 A JP9327360 A JP 9327360A JP 32736097 A JP32736097 A JP 32736097A JP H11161948 A JPH11161948 A JP H11161948A
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- film
- magnetic layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマCVD法により磁性層上に炭素薄膜
等の薄膜を形成する際に、走行性に優れた磁気記録媒体
が得られる方法を提供する。 【解決手段】 支持体上に形成された磁性層上にプラズ
マCVD法により薄膜を成膜した後に支持体上の正電荷
を中性化する。
等の薄膜を形成する際に、走行性に優れた磁気記録媒体
が得られる方法を提供する。 【解決手段】 支持体上に形成された磁性層上にプラズ
マCVD法により薄膜を成膜した後に支持体上の正電荷
を中性化する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を用い
たプラズマCVD法により、炭素薄膜等の各種薄膜を磁
性層上に形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法に
関する。
たプラズマCVD法により、炭素薄膜等の各種薄膜を磁
性層上に形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】支持体上に真空中で金属を蒸着等により
付着させてなる、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダーを全く含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。
付着させてなる、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダーを全く含まないことから磁性材
料の密度を高められるため、高密度記録に有望であると
されている。
【0003】しかしながら、金属薄膜型の磁気記録媒体
の磁性層は、支持体上に金属が付着しているだけなの
で、そのままでは耐食性、耐久性が悪く、これを向上さ
せる目的でカルボン酸系、リン酸系、フッ素系の潤滑剤
を塗布したり、磁性層上に非磁性金属の保護層を設けた
りすることが行われてきた。
の磁性層は、支持体上に金属が付着しているだけなの
で、そのままでは耐食性、耐久性が悪く、これを向上さ
せる目的でカルボン酸系、リン酸系、フッ素系の潤滑剤
を塗布したり、磁性層上に非磁性金属の保護層を設けた
りすることが行われてきた。
【0004】更に今日では、磁性層上の保護層として、
ダイヤモンドライクカーボンのような炭素薄膜や、炭化
ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウムなどの種々の炭化物、窒化物、酸化物から構
成される薄膜を形成することが行われている。中でも特
にダイヤモンドライクカーボンのような炭素薄膜は、硬
度や摺動特性に優れ、磁気記録媒体の保護薄膜として注
目されている。例えば特開昭53−143206号公報
には、表面に炭素を主成分とする皮膜を設けた磁気ディ
スクが開示されている。
ダイヤモンドライクカーボンのような炭素薄膜や、炭化
ケイ素、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウムなどの種々の炭化物、窒化物、酸化物から構
成される薄膜を形成することが行われている。中でも特
にダイヤモンドライクカーボンのような炭素薄膜は、硬
度や摺動特性に優れ、磁気記録媒体の保護薄膜として注
目されている。例えば特開昭53−143206号公報
には、表面に炭素を主成分とする皮膜を設けた磁気ディ
スクが開示されている。
【0005】ダイヤモンドライクカーボンなどの炭素薄
膜を形成する方法としては、例えばイオンビーム蒸着
法、イオンビームスパッタ法、RFスパッタ法、RFグ
ロー放電法、DC−放電法、熱フィラメントCVD法、
マイクロ波プラズマCVD法、熱プラズマCVD法など
が知られているが、このうち、マイクロ波プラズマCV
D法は、基板温度を比較的低温として成膜を行うことが
できるので、磁気記録媒体の保護層を形成する方法とし
て適している。
膜を形成する方法としては、例えばイオンビーム蒸着
法、イオンビームスパッタ法、RFスパッタ法、RFグ
ロー放電法、DC−放電法、熱フィラメントCVD法、
マイクロ波プラズマCVD法、熱プラズマCVD法など
が知られているが、このうち、マイクロ波プラズマCV
D法は、基板温度を比較的低温として成膜を行うことが
できるので、磁気記録媒体の保護層を形成する方法とし
て適している。
【0006】マイクロ波を用いたプラズマCVD法のう
ち、ECR(Electron Cyclotron Resonance: 電子サイ
クロトロン共鳴) プラズマCVD法は、マイクロ波発生
源からのマイクロ波(2.45GHz)を導波管でプラ
ズマ励起室に導き、プラズマ励起室に導入される原料ガ
スを解離し活性種として基材上に目的とする物質を堆積
させる方法である。ECRプラズマCVD法は、磁場と
マイクロ波を利用し、ECR条件を満足させるため、安
定した高密度プラズマを作ることができる。そのため、
従来の高周波プラズマやマイクロ波プラズマに比較して
プラズマ密度を下げずに低い圧力(高真空)で各種薄膜
の生成が可能である。このECRプラズマCVD法は、
ダイヤモンドライクカーボン等の炭素薄膜を基材上に形
成する手法として、より有用な方法として注目されてい
る。
ち、ECR(Electron Cyclotron Resonance: 電子サイ
クロトロン共鳴) プラズマCVD法は、マイクロ波発生
源からのマイクロ波(2.45GHz)を導波管でプラ
ズマ励起室に導き、プラズマ励起室に導入される原料ガ
スを解離し活性種として基材上に目的とする物質を堆積
させる方法である。ECRプラズマCVD法は、磁場と
マイクロ波を利用し、ECR条件を満足させるため、安
定した高密度プラズマを作ることができる。そのため、
従来の高周波プラズマやマイクロ波プラズマに比較して
プラズマ密度を下げずに低い圧力(高真空)で各種薄膜
の生成が可能である。このECRプラズマCVD法は、
ダイヤモンドライクカーボン等の炭素薄膜を基材上に形
成する手法として、より有用な方法として注目されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】一般に磁性層上に炭素
薄膜からなる保護膜を形成する場合、耐久性の向上を図
る目的でより硬い膜を形成することが望ましいとされて
おり、当業界においては、従来、より緻密で高硬度の炭
素薄膜を形成することが指向されている。その一例とし
て、ECRプラズマCVD法において、支持体に電圧を
印加しプラズマ中の活性イオンを加速してエネルギーを
高めて基板上に輸送し、硬度の高い炭素薄膜を得る方法
が行われている。
薄膜からなる保護膜を形成する場合、耐久性の向上を図
る目的でより硬い膜を形成することが望ましいとされて
おり、当業界においては、従来、より緻密で高硬度の炭
素薄膜を形成することが指向されている。その一例とし
て、ECRプラズマCVD法において、支持体に電圧を
印加しプラズマ中の活性イオンを加速してエネルギーを
高めて基板上に輸送し、硬度の高い炭素薄膜を得る方法
が行われている。
【0008】しかしながら、そのように高硬度の炭素薄
膜を形成した磁気記録媒体は、例えばカセットテープと
した場合に、デッキ内での走行性が不十分となることが
ある。この原因は明らかではないが、正電荷のプラズマ
の帯電や、イオン、特に加速されたイオンのエネルギー
によるフィルムの微少な変形や、反応の不均一さなどが
影響しているものと考えられる。
膜を形成した磁気記録媒体は、例えばカセットテープと
した場合に、デッキ内での走行性が不十分となることが
ある。この原因は明らかではないが、正電荷のプラズマ
の帯電や、イオン、特に加速されたイオンのエネルギー
によるフィルムの微少な変形や、反応の不均一さなどが
影響しているものと考えられる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな走行性の低下はECRプラズマCVD法において支
持体に印加する加速電圧が大きいほど顕著になることか
ら、プラズマの電気的特性がこの問題に関与していると
判断した。そして、成膜に寄与するのが主に正電荷のプ
ラズマであることから、薄膜の成膜後に電子を照射して
支持体上の正電荷を中性化したところ、支持体や薄膜へ
の影響が低減でき、その結果、磁気記録媒体の走行性、
例えばジッタ特性が顕著に向上することを見出し、本発
明を完成するに至った。
うな走行性の低下はECRプラズマCVD法において支
持体に印加する加速電圧が大きいほど顕著になることか
ら、プラズマの電気的特性がこの問題に関与していると
判断した。そして、成膜に寄与するのが主に正電荷のプ
ラズマであることから、薄膜の成膜後に電子を照射して
支持体上の正電荷を中性化したところ、支持体や薄膜へ
の影響が低減でき、その結果、磁気記録媒体の走行性、
例えばジッタ特性が顕著に向上することを見出し、本発
明を完成するに至った。
【0010】すなわち本発明は、支持体上に形成された
磁性層上にプラズマCVD法により薄膜を形成する工程
を含む磁気記録媒体の製造方法において、前記薄膜形成
後に前記支持体上の正電荷を中性化することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。本発
明においては、正電荷の中性化は、薄膜形成後に該薄膜
表面に電子を照射して行うことが特に好ましい。
磁性層上にプラズマCVD法により薄膜を形成する工程
を含む磁気記録媒体の製造方法において、前記薄膜形成
後に前記支持体上の正電荷を中性化することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。本発
明においては、正電荷の中性化は、薄膜形成後に該薄膜
表面に電子を照射して行うことが特に好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明では支持体上に形成された
磁性層上に、プラズマCVD法により薄膜を形成する。
かかるプラズマCVD法としては、ECRプラズマCV
D法が特に好適である。ECRプラズマCVD法は、例
えば図1に示すような装置により行われる。図1中、1
は真空容器、2は冷却キャン、3はフィルム、4はEC
R用電磁石、5はプラズマ励起室、6は矩形導波管、7
はマイクロ波電源、8は石英製窓、9はパワーモニタ
ー、10はアイソレーター、11は整合器(スリースタ
ブチューナー)、12はガス流量コントローラーであ
る。マイクロ波Aはマイクロ波電源7により発生され、
矩形導波管6により図示した方向へと進む。そして、石
英製窓8を通過してプラズマ励起室5へと導入され、プ
ラズマの生成に寄与する。また、真空容器1は図示しな
い真空排気系により内部が1.2×10-1〜1.2×1
0-6Torr程度の真空度に保たれている。
磁性層上に、プラズマCVD法により薄膜を形成する。
かかるプラズマCVD法としては、ECRプラズマCV
D法が特に好適である。ECRプラズマCVD法は、例
えば図1に示すような装置により行われる。図1中、1
は真空容器、2は冷却キャン、3はフィルム、4はEC
R用電磁石、5はプラズマ励起室、6は矩形導波管、7
はマイクロ波電源、8は石英製窓、9はパワーモニタ
ー、10はアイソレーター、11は整合器(スリースタ
ブチューナー)、12はガス流量コントローラーであ
る。マイクロ波Aはマイクロ波電源7により発生され、
矩形導波管6により図示した方向へと進む。そして、石
英製窓8を通過してプラズマ励起室5へと導入され、プ
ラズマの生成に寄与する。また、真空容器1は図示しな
い真空排気系により内部が1.2×10-1〜1.2×1
0-6Torr程度の真空度に保たれている。
【0012】図1の装置は、蒸着型磁気記録媒体の保護
層としての炭素薄膜を形成する装置の一例であり、真空
容器1内で冷却キャン上2を走行する磁性層が形成され
たフィルム3の磁性層上に炭素薄膜が形成される。図1
においては、ECR用電磁石(コイル)4によりプラズ
マ励起室5から真空容器1の方向に発散磁界が形成され
る。プラズマ励起室5に接続された矩形導波管6によっ
て導かれた2.45GHzのマイクロ波(図中A)は、
石英製窓8を通してプラズマ励起室5に導入される。プ
ラズマ励起室5に導入された反応ガス(図中B)は電磁
石とマイクロ波によって高速に加速された電子(電子が
磁場中サイクロトロン運動とマイクロ波振動が共鳴し高
速に加速される)の衝突によって高密度、高活性な活性
種となる。ここで、炭素源となるガスとしては、メタ
ン、エタンなどの飽和炭化水素、エチレン、アセチレン
などの不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエンなどの芳香
族炭化水素を用いることができ、反応を損なわない限り
ベンズアルデヒドのような官能基を有する芳香族炭化水
素を用いることもできる。膜質の面から特に不飽和炭化
水素又は芳香族炭化水素の1種以上を用いるのが好まし
い。これらは不飽和結合を有するために原料ガスが効率
よく分解され、硬質の炭素保護膜を得やすいためであ
る。また、ナフタレンやアントラセンのような常温固体
の炭化水素をベンゼン、トルエンなどの適当な溶剤に溶
解させたものをガス化して用いても良い。コイル4によ
り生じた発散磁界により、プラズマ中の活性種は真空容
器1方向へと引き出され、真空容器1内のフィルム3に
向けて照射され、フィルム3の磁性層表面に付着して炭
素薄膜が形成される。
層としての炭素薄膜を形成する装置の一例であり、真空
容器1内で冷却キャン上2を走行する磁性層が形成され
たフィルム3の磁性層上に炭素薄膜が形成される。図1
においては、ECR用電磁石(コイル)4によりプラズ
マ励起室5から真空容器1の方向に発散磁界が形成され
る。プラズマ励起室5に接続された矩形導波管6によっ
て導かれた2.45GHzのマイクロ波(図中A)は、
石英製窓8を通してプラズマ励起室5に導入される。プ
ラズマ励起室5に導入された反応ガス(図中B)は電磁
石とマイクロ波によって高速に加速された電子(電子が
磁場中サイクロトロン運動とマイクロ波振動が共鳴し高
速に加速される)の衝突によって高密度、高活性な活性
種となる。ここで、炭素源となるガスとしては、メタ
ン、エタンなどの飽和炭化水素、エチレン、アセチレン
などの不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエンなどの芳香
族炭化水素を用いることができ、反応を損なわない限り
ベンズアルデヒドのような官能基を有する芳香族炭化水
素を用いることもできる。膜質の面から特に不飽和炭化
水素又は芳香族炭化水素の1種以上を用いるのが好まし
い。これらは不飽和結合を有するために原料ガスが効率
よく分解され、硬質の炭素保護膜を得やすいためであ
る。また、ナフタレンやアントラセンのような常温固体
の炭化水素をベンゼン、トルエンなどの適当な溶剤に溶
解させたものをガス化して用いても良い。コイル4によ
り生じた発散磁界により、プラズマ中の活性種は真空容
器1方向へと引き出され、真空容器1内のフィルム3に
向けて照射され、フィルム3の磁性層表面に付着して炭
素薄膜が形成される。
【0013】本発明においては、ECRプラズマCVD
法の際に、支持体に加速電圧を印加して行った場合でも
走行性が損なわれないため、この方法でECRプラズマ
CVD法を行うことで、薄膜の硬度と走行性の両方に望
ましい結果を得ることができる。具体的には、図1のよ
うに、送りロール14に電源15を接続して電圧を印加
すると、キャンロール2上を走行する支持体3にも電圧
が印加される。加速電圧は100〜500Vが好まし
く、その周波数は20kHz以下(直流を含む)が好ま
しい。
法の際に、支持体に加速電圧を印加して行った場合でも
走行性が損なわれないため、この方法でECRプラズマ
CVD法を行うことで、薄膜の硬度と走行性の両方に望
ましい結果を得ることができる。具体的には、図1のよ
うに、送りロール14に電源15を接続して電圧を印加
すると、キャンロール2上を走行する支持体3にも電圧
が印加される。加速電圧は100〜500Vが好まし
く、その周波数は20kHz以下(直流を含む)が好ま
しい。
【0014】本発明では薄膜の成膜後の支持体上の正電
荷を中性化するが、このためには電子を薄膜表面に照射
する方法が好適である。図1の装置では、電子照射手段
としてのタングステンフィラメント13が支持体の走行
方向下流のプラズマ領域の近傍に配設されている。ここ
で、「成膜後」とは、通常は成膜直後を意味するが、成
膜により正電荷が支持体に帯電している間は、電子の照
射などによる中性化の効果が期待できるので、本発明で
は成膜直後から正電荷が支持体に帯電している間までを
含めて成膜後と考える。
荷を中性化するが、このためには電子を薄膜表面に照射
する方法が好適である。図1の装置では、電子照射手段
としてのタングステンフィラメント13が支持体の走行
方向下流のプラズマ領域の近傍に配設されている。ここ
で、「成膜後」とは、通常は成膜直後を意味するが、成
膜により正電荷が支持体に帯電している間は、電子の照
射などによる中性化の効果が期待できるので、本発明で
は成膜直後から正電荷が支持体に帯電している間までを
含めて成膜後と考える。
【0015】電子は負電荷を持つ素粒子の一種であり、
支持体上の正電荷を電気的に中和でき、本発明では物質
に光エネルギー、熱エネルギーなどを与えたときに放出
される電子(自由電子)を薄膜表面に照射する。電子の
照射は金属フィラメントに電流を印加して放出される熱
電子を照射する方法が好ましい。図1の装置では、タン
グステンフィラメント13による熱電子の照射が行われ
る。タングステンフィラメント13の直径は0.25〜
1mmであり、これに6〜20Aの電流を印加すること
で熱電子が放出される。電子の照射条件は、支持体の走
行速度、支持体とフィラメントとの距離などによって調
節でき、プラズマ条件や目的とする薄膜に合わせて適宜
決定すればよい。
支持体上の正電荷を電気的に中和でき、本発明では物質
に光エネルギー、熱エネルギーなどを与えたときに放出
される電子(自由電子)を薄膜表面に照射する。電子の
照射は金属フィラメントに電流を印加して放出される熱
電子を照射する方法が好ましい。図1の装置では、タン
グステンフィラメント13による熱電子の照射が行われ
る。タングステンフィラメント13の直径は0.25〜
1mmであり、これに6〜20Aの電流を印加すること
で熱電子が放出される。電子の照射条件は、支持体の走
行速度、支持体とフィラメントとの距離などによって調
節でき、プラズマ条件や目的とする薄膜に合わせて適宜
決定すればよい。
【0016】磁性層上に形成する薄膜の厚さは、炭素薄
膜の場合、5〜20nm程度であり、これに合わせてE
CRプラズマCVD法の条件、原料化合物、走行速度な
どを選定することが望ましい。
膜の場合、5〜20nm程度であり、これに合わせてE
CRプラズマCVD法の条件、原料化合物、走行速度な
どを選定することが望ましい。
【0017】支持体上に形成されている磁性層は、金属
薄膜型の磁性層が好ましい。金属薄膜型の磁性層を形成
する磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒
体の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げられ、例え
ばCo、Ni、Fe等の強磁性金属、また、Fe−C
o、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe
−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−L
a、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−P
t、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−A
l、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co
−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられ
る。また、これら金属もしくは金属合金の窒化物、炭化
物、酸化物も好ましい。
薄膜型の磁性層が好ましい。金属薄膜型の磁性層を形成
する磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁気記録媒
体の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げられ、例え
ばCo、Ni、Fe等の強磁性金属、また、Fe−C
o、Fe−Ni、Co−Ni、Fe−Co−Ni、Fe
−Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Y、Co−L
a、Co−Pr、Co−Gd、Co−Sm、Co−P
t、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−Sb、Mn−A
l、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe−Co
−Cr、Ni−Co−Cr等の強磁性合金が挙げられ
る。また、これら金属もしくは金属合金の窒化物、炭化
物、酸化物も好ましい。
【0018】高密度記録のためには磁気記録媒体の磁性
層は、斜め蒸着により支持体上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr
程度である。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造
の何れでも良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表
面に酸化物を形成することにより、耐久性の向上を図る
ことができる。
層は、斜め蒸着により支持体上に形成することが好まし
い。斜め蒸着の方法は特に限定されず、従来公知の方法
に準ずる。蒸着の際の真空度は10-4〜10-7Torr
程度である。蒸着による磁性層は単層構造でも多層構造
の何れでも良く、特に、酸化性ガスを導入して磁性層表
面に酸化物を形成することにより、耐久性の向上を図る
ことができる。
【0019】なお、本発明においては、磁性層は一層或
いは多層とすることができる。磁性層が一層の場合、そ
の厚さは10〜300nmが好ましい。また、多層の磁
性層を形成する場合、二層では、下層の磁性層の厚さが
10〜200nm、上層の磁性層の厚さが5〜200n
mが好ましく、三層では、下層の磁性層の厚さが10〜
200nm、中間の磁性層の厚さが5〜200nm、上
層の磁性層の厚さが5〜200nmが好ましい。また、
磁性層の数は多くても良いが、実用的な範囲としては二
〜五層が適当と考えられる。
いは多層とすることができる。磁性層が一層の場合、そ
の厚さは10〜300nmが好ましい。また、多層の磁
性層を形成する場合、二層では、下層の磁性層の厚さが
10〜200nm、上層の磁性層の厚さが5〜200n
mが好ましく、三層では、下層の磁性層の厚さが10〜
200nm、中間の磁性層の厚さが5〜200nm、上
層の磁性層の厚さが5〜200nmが好ましい。また、
磁性層の数は多くても良いが、実用的な範囲としては二
〜五層が適当と考えられる。
【0020】また、支持体としては、ポリエチレンテレ
フタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(P
EN)のようなポリエステル;ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体;ポ
リカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
支持体の厚さは3〜50μm程度である。
フタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(P
EN)のようなポリエステル;ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン; セルローストリアセテー
ト、セルロースジアセテート等のセルロース誘導体;ポ
リカーボネート;ポリ塩化ビニル;ポリイミド;芳香族
ポリアミド等のプラスチック等が使用される。これらの
支持体の厚さは3〜50μm程度である。
【0021】更に、支持体の磁性層形成面とは反対の面
にバックコート層が形成されていてもよい。バックコー
ト層は、カーボンブラックやバインダーを主成分とする
厚さ0.2〜1.0μm程度の塗布型のバックコート層
でもよいし、蒸着法、直流スパッタリング法、交流スパ
ッタリング法、高周波スパッタリング法、直流マグネト
ロンスパッタリング法、高周波マグネトロンスパッタリ
ング法、イオンビームスパッタリング法などのメッキ手
段により、真空中で金属又は半金属を支持体に付着させ
て形成された金属薄膜型のバックコート層でもよい。後
者の場合、バックコート層として付着する金属として
は、いろいろ考えられるが、Al、Cu、Zn、Sn、
Ni、Ag、Coなど及びこれらの合金が用いられ、A
l、CoやCu−Al合金が好適である。更に蒸着時に
酸化反応、炭化反応等をさせた酸化膜、炭化膜などのよ
うにセラミックス化したものも好適である。また、バッ
クコート層を形成する半金属としては、Si、Ge、A
s、Sc、Sbなどが用いられ、Siが好適である。ま
た、更に添加物をドープし、導電率を向上させることは
好ましい。金属薄膜型のバックコート層の厚さは、0.
05〜1.0μm程度である。
にバックコート層が形成されていてもよい。バックコー
ト層は、カーボンブラックやバインダーを主成分とする
厚さ0.2〜1.0μm程度の塗布型のバックコート層
でもよいし、蒸着法、直流スパッタリング法、交流スパ
ッタリング法、高周波スパッタリング法、直流マグネト
ロンスパッタリング法、高周波マグネトロンスパッタリ
ング法、イオンビームスパッタリング法などのメッキ手
段により、真空中で金属又は半金属を支持体に付着させ
て形成された金属薄膜型のバックコート層でもよい。後
者の場合、バックコート層として付着する金属として
は、いろいろ考えられるが、Al、Cu、Zn、Sn、
Ni、Ag、Coなど及びこれらの合金が用いられ、A
l、CoやCu−Al合金が好適である。更に蒸着時に
酸化反応、炭化反応等をさせた酸化膜、炭化膜などのよ
うにセラミックス化したものも好適である。また、バッ
クコート層を形成する半金属としては、Si、Ge、A
s、Sc、Sbなどが用いられ、Siが好適である。ま
た、更に添加物をドープし、導電率を向上させることは
好ましい。金属薄膜型のバックコート層の厚さは、0.
05〜1.0μm程度である。
【0022】また、本発明においては、ECRプラズマ
CVD法により磁性層上に薄膜を形成した後に、当該薄
膜上に適当な潤滑剤からなる潤滑剤層を形成することが
好ましい。潤滑剤としては、特にパーフルオロポリエー
テル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が好ましく、潤滑剤層
の厚さは5〜100nm程度である。フッ素系潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(OC2
F4)p(OCF2)q-OCF2COOH、F-(CF2CF2CF2O)n-CF2CF2COOHと
いったカルボキシル変性パーフルオロポリエーテル、HO
CH2-CF2(O-C2F4)p(OCF2)q-OCF2-CH2OHといったアルコー
ル変性パーフルオロポリエーテル、又、分子の一方に、
又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あるい
は不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、その
他の官能基が付いたもの等が挙げられる。分子量は50
0〜50000、特に500〜4000のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社の商品名「FOMB
LIN Z DIAC」や商品名「FOMBLIN Z
DOL」、ダイキン工業社の商品名「デムナムSA」
等がある。なお、本発明においては、バックコート層上
にも上記のような潤滑剤層を形成してもよい。
CVD法により磁性層上に薄膜を形成した後に、当該薄
膜上に適当な潤滑剤からなる潤滑剤層を形成することが
好ましい。潤滑剤としては、特にパーフルオロポリエー
テル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が好ましく、潤滑剤層
の厚さは5〜100nm程度である。フッ素系潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤としては、例えばHOOC-CF2(OC2
F4)p(OCF2)q-OCF2COOH、F-(CF2CF2CF2O)n-CF2CF2COOHと
いったカルボキシル変性パーフルオロポリエーテル、HO
CH2-CF2(O-C2F4)p(OCF2)q-OCF2-CH2OHといったアルコー
ル変性パーフルオロポリエーテル、又、分子の一方に、
又は、一部にアルキル基などの飽和炭化水素基、あるい
は不飽和炭化水素基、若しくは芳香族炭化水素基、その
他の官能基が付いたもの等が挙げられる。分子量は50
0〜50000、特に500〜4000のものが好まし
い。具体的には、モンテカチーニ社の商品名「FOMB
LIN Z DIAC」や商品名「FOMBLIN Z
DOL」、ダイキン工業社の商品名「デムナムSA」
等がある。なお、本発明においては、バックコート層上
にも上記のような潤滑剤層を形成してもよい。
【0023】本発明の製造方法は、ECRプラズマCV
D法による薄膜形成後に支持体上の正電荷を中性化する
以外は通常の磁気記録媒体の製造方法に準ずることがで
きる。
D法による薄膜形成後に支持体上の正電荷を中性化する
以外は通常の磁気記録媒体の製造方法に準ずることがで
きる。
【0024】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。しかしな
がら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
がら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0025】実施例1〜3及び比較例1〜2 (1) 磁気テープの製造 厚さ6.0μmのPETフィルム上に、連続真空斜方蒸
着法により、Coからなる磁性層を形成した(膜厚:1
80nm)。次いでこの磁性層上に、図1の装置を用い
たマイクロ波を用いたECR−CVD法により、ベンゼ
ンを原料として、ベンゼン流量20SCCM、マイクロ
波出力600Wの条件で、厚さ12nmのDLC(ダイ
ヤモンドライクカーボン)薄膜からなる保護層を形成し
た。このとき、DLC薄膜の成膜直後に表1の条件で電
子をDLC薄膜表面に照射した(実施例1〜3)。比較
例1、2では電子の照射は行わなかった。また、実施例
2、3及び比較例2では表1の条件で支持体にバイアス
電圧を印加した。
着法により、Coからなる磁性層を形成した(膜厚:1
80nm)。次いでこの磁性層上に、図1の装置を用い
たマイクロ波を用いたECR−CVD法により、ベンゼ
ンを原料として、ベンゼン流量20SCCM、マイクロ
波出力600Wの条件で、厚さ12nmのDLC(ダイ
ヤモンドライクカーボン)薄膜からなる保護層を形成し
た。このとき、DLC薄膜の成膜直後に表1の条件で電
子をDLC薄膜表面に照射した(実施例1〜3)。比較
例1、2では電子の照射は行わなかった。また、実施例
2、3及び比較例2では表1の条件で支持体にバイアス
電圧を印加した。
【0026】また、PETフィルムの磁性層形成面とは
反対の面に、カーボンブラックとバインダーからなるバ
ックコート層を0.5μmの厚さで塗布により形成し、
更に前記の保護層上にフッ素系潤滑剤(モンテカチーニ
社製、商品名「FOMBLIN Z DOL」)からな
る厚さ4nmの潤滑層を形成した。得られたフィルムを
8mm巾に裁断し、カセットケースにローディングし8
mmカセットテープを得た。この8mmカセットテープ
について、走行性の評価としてジッタを下記の方法で評
価した。その結果を表2に示す。
反対の面に、カーボンブラックとバインダーからなるバ
ックコート層を0.5μmの厚さで塗布により形成し、
更に前記の保護層上にフッ素系潤滑剤(モンテカチーニ
社製、商品名「FOMBLIN Z DOL」)からな
る厚さ4nmの潤滑層を形成した。得られたフィルムを
8mm巾に裁断し、カセットケースにローディングし8
mmカセットテープを得た。この8mmカセットテープ
について、走行性の評価としてジッタを下記の方法で評
価した。その結果を表2に示す。
【0027】<ジッタの評価>市販の8mmVTR(型
式EV−S900、ソニー株式会社製)の改造機にジッ
タメーターを接続してジッタを測定した。ジッタの測定
はいわゆるハイエイト(Hi−8)モードで行った。
式EV−S900、ソニー株式会社製)の改造機にジッ
タメーターを接続してジッタを測定した。ジッタの測定
はいわゆるハイエイト(Hi−8)モードで行った。
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、正電荷を帯びたプラズ
マが薄膜形成時に支持体や薄膜に及ぼす影響を低減で
き、走行性に優れた磁気記録媒体が得られる。
マが薄膜形成時に支持体や薄膜に及ぼす影響を低減で
き、走行性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図1】本発明に使用されるECRプラズマCVD装置
の一例を示す略図
の一例を示す略図
1:真空容器 2:冷却キャン 3:フィルム 4:ECR用電磁石 5:プラズマ励起室 6:矩形導波管 7:マイクロ波電源 11:整合器(スリースタブチューナー) 13:タングステンフィラメント A:マイクロ波 B:原料ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 登志夫 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内
Claims (6)
- 【請求項1】 支持体上に形成された磁性層上にプラズ
マCVD法により薄膜を形成する工程を含む磁気記録媒
体の製造方法において、前記薄膜形成後に前記支持体上
の正電荷を中性化することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項2】 正電荷の中性化を支持体への電子の照射
により行う請求項1記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項3】 電子の照射を、金属フィラメントからの
熱電子の放出により行う請求項2記載の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項4】 支持体に電圧を印加してプラズマCVD
法を行う請求項1〜3の何れか1項記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項5】 プラズマCVD法がECRプラズマCV
D法である請求項1〜4の何れか1項記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項6】 薄膜が炭素薄膜である請求項1〜5の何
れか1項記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9327360A JPH11161948A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9327360A JPH11161948A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11161948A true JPH11161948A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18198283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9327360A Pending JPH11161948A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11161948A (ja) |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP9327360A patent/JPH11161948A/ja active Pending
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