JPH10251858A - 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 - Google Patents
保護膜製造装置及び保護膜製造方法Info
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- JPH10251858A JPH10251858A JP5603197A JP5603197A JPH10251858A JP H10251858 A JPH10251858 A JP H10251858A JP 5603197 A JP5603197 A JP 5603197A JP 5603197 A JP5603197 A JP 5603197A JP H10251858 A JPH10251858 A JP H10251858A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に優れ、かつ、均一な厚さの保護膜を
提供することである。 【解決手段】 支持体上に保護膜を形成するケミカルベ
ーパーデポジション（ＣＶＤ）手段と、前記支持体と前
記ＣＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段とを
具備した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段によ
り加速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形
成されるようにした保護膜製造装置。
提供することである。 【解決手段】 支持体上に保護膜を形成するケミカルベ
ーパーデポジション（ＣＶＤ）手段と、前記支持体と前
記ＣＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段とを
具備した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段によ
り加速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形
成されるようにした保護膜製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は保護膜の製造方法、
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の製造方法に関する。
特に磁気記録媒体などの記録媒体表面に形成される保護
膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクや磁気テープ等の磁気記録
媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支持
体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた
塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄
膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ
といった湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあ
るいはイオンプレーティングといった乾式メッキ手段に
より磁性膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。
そして、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高
いことから、高密度記録に適したものである。
媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支持
体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた
塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄
膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ
といった湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあ
るいはイオンプレーティングといった乾式メッキ手段に
より磁性膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。
そして、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高
いことから、高密度記録に適したものである。
【０００３】ところで、この種の金属薄膜型磁気記録媒
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙ
ｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ等のＣＶＤ装置が有る。
体における金属磁性膜を保護する為に、従来より各種の
保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、
ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つで
ある。このダイヤモンドライクカーボン膜を表面に設け
る手段としては各種のものが有る。例えば、マイクロ波
プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙ
ｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ等のＣＶＤ装置が有る。
【０００４】尚、従来のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を図３に示す。図３中、２１は支持体、２２ａは
支持体２１が巻かれている供給側ロール、２２ｂは支持
体２１が巻かれて行く巻取側ロール、２３は冷却キャン
ロール、２４はプラズマ反応管、２５はＥＣＲ用コイ
ル、２６は導波管、２７は炭化水素系の化合物をプラズ
マ反応管２４内に供給するノズル、２８は真空槽であ
る。
Ｄ装置を図３に示す。図３中、２１は支持体、２２ａは
支持体２１が巻かれている供給側ロール、２２ｂは支持
体２１が巻かれて行く巻取側ロール、２３は冷却キャン
ロール、２４はプラズマ反応管、２５はＥＣＲ用コイ
ル、２６は導波管、２７は炭化水素系の化合物をプラズ
マ反応管２４内に供給するノズル、２８は真空槽であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＶ
Ｄ装置を用いた場合には、耐久性に優れ、かつ、均一な
厚さの保護膜が形成され難い。従って、本発明が解決し
ようとする課題は、耐久性に優れ、かつ、均一な厚さの
保護膜を提供することである。
Ｄ装置を用いた場合には、耐久性に優れ、かつ、均一な
厚さの保護膜が形成され難い。従って、本発明が解決し
ようとする課題は、耐久性に優れ、かつ、均一な厚さの
保護膜を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体上
に保護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と前記Ｃ
ＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段とを具備
した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段により生
成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段により加
速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形成さ
れるようにしたことを特徴とする保護膜製造装置によっ
て解決される。
に保護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と前記Ｃ
ＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段とを具備
した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段により生
成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段により加
速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形成さ
れるようにしたことを特徴とする保護膜製造装置によっ
て解決される。
【０００７】特に、支持体上に保護膜を形成するＣＶＤ
手段と、前記支持体と前記ＣＶＤ手段との間に設けら
れ、電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜１
０ＭＨｚの交流電圧が印加される交流電圧印加手段とを
具備した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段によ
り加速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形
成されるようにしたことを特徴とする保護膜製造装置に
よって解決される。
手段と、前記支持体と前記ＣＶＤ手段との間に設けら
れ、電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜１
０ＭＨｚの交流電圧が印加される交流電圧印加手段とを
具備した保護膜製造装置であって、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料が前記交流電圧印加手段によ
り加速・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形
成されるようにしたことを特徴とする保護膜製造装置に
よって解決される。
【０００８】又、支持体上に保護膜を形成する保護膜の
製造方法であって、ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を
生成する第１工程と、前記第１工程で生成した保護膜形
成材料が前記支持体に衝突する第２工程と、前記第１工
程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加される交
流電圧印加工程とを具備してなり、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加されて加速
・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形成され
るようにすることを特徴とする保護膜製造方法によって
解決される。
製造方法であって、ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を
生成する第１工程と、前記第１工程で生成した保護膜形
成材料が前記支持体に衝突する第２工程と、前記第１工
程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加される交
流電圧印加工程とを具備してなり、前記ＣＶＤ手段によ
り生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加されて加速
・制御され、前記支持体上に衝突し、保護膜が形成され
るようにすることを特徴とする保護膜製造方法によって
解決される。
【０００９】特に、支持体上に記録膜を形成する記録膜
形成工程と、ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を生成す
る第１工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料
が前記記録膜形成工程で形成された記録膜に衝突する第
２工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料に交
流電圧が印加される交流電圧印加工程とを具備してな
り、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に交
流電圧が印加されて加速・制御され、前記記録膜に衝突
し、記録膜上に保護膜が形成されるようにすることを特
徴とする保護膜製造方法によって解決される。
形成工程と、ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を生成す
る第１工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料
が前記記録膜形成工程で形成された記録膜に衝突する第
２工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料に交
流電圧が印加される交流電圧印加工程とを具備してな
り、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に交
流電圧が印加されて加速・制御され、前記記録膜に衝突
し、記録膜上に保護膜が形成されるようにすることを特
徴とする保護膜製造方法によって解決される。
【００１０】尚、交流電圧印加工程で印加される交流電
圧は、電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜
１０ＭＨｚであるものが好ましい。すなわち、２００ｖ
未満の小さな電圧が印加されても、これによる保護膜形
成材料を加速する力は小さいからである。そして、周波
数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚのものが好ましいのは、例え
ば周波数が１０ＭＨｚを越えた領域であると、その電磁
波によりプラズマを生成するＣＶＤ手段の磁場が乱さ
れ、ＥＣＲ点が揺らぎ、形成される保護膜の厚さが変動
する場合がある。又、直流電圧が印加された場合には、
これによって電荷のチャージアップが生じ、保護膜の成
膜中に高圧放電が発生することも有り、危険性が高くな
る。又、直流電圧が印加された場合には、これによって
加速されたイオンは、一度、記録膜に衝突すると、その
後は利用されず、交流電圧が印加された場合と比較する
と、利用効率が低い。
圧は、電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜
１０ＭＨｚであるものが好ましい。すなわち、２００ｖ
未満の小さな電圧が印加されても、これによる保護膜形
成材料を加速する力は小さいからである。そして、周波
数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚのものが好ましいのは、例え
ば周波数が１０ＭＨｚを越えた領域であると、その電磁
波によりプラズマを生成するＣＶＤ手段の磁場が乱さ
れ、ＥＣＲ点が揺らぎ、形成される保護膜の厚さが変動
する場合がある。又、直流電圧が印加された場合には、
これによって電荷のチャージアップが生じ、保護膜の成
膜中に高圧放電が発生することも有り、危険性が高くな
る。又、直流電圧が印加された場合には、これによって
加速されたイオンは、一度、記録膜に衝突すると、その
後は利用されず、交流電圧が印加された場合と比較する
と、利用効率が低い。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の保護膜の製造装置は、支
持体上に保護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と
前記ＣＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段と
を具備した保護膜製造装置である。特に、支持体上に保
護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と前記ＣＶＤ
手段との間に設けられ、電圧が２００〜１０００ｖ、周
波数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの交流電圧が印加される交
流電圧印加手段とを具備した保護膜製造装置である。そ
して、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料が
前記交流電圧印加手段により加速・制御され、前記支持
体上に衝突し、保護膜が形成されるようにしたものであ
る。
持体上に保護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と
前記ＣＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段と
を具備した保護膜製造装置である。特に、支持体上に保
護膜を形成するＣＶＤ手段と、前記支持体と前記ＣＶＤ
手段との間に設けられ、電圧が２００〜１０００ｖ、周
波数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの交流電圧が印加される交
流電圧印加手段とを具備した保護膜製造装置である。そ
して、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料が
前記交流電圧印加手段により加速・制御され、前記支持
体上に衝突し、保護膜が形成されるようにしたものであ
る。
【００１２】本発明の保護膜の製造方法は、支持体上に
保護膜を形成する保護膜の製造方法であって、ＣＶＤ手
段により保護膜形成材料を生成する第１工程と、前記第
１工程で生成した保護膜形成材料が前記支持体に衝突す
る第２工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料
に交流電圧が印加される交流電圧印加工程とを具備して
なり、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に
交流電圧が印加されて加速・制御され、前記支持体上に
衝突し、保護膜が形成されるようにするものである。特
に、支持体上に記録膜を形成する記録膜形成工程と、Ｃ
ＶＤ手段により保護膜形成材料を生成する第１工程と、
前記第１工程で生成した保護膜形成材料が前記記録膜形
成工程で形成された記録膜に衝突する第２工程と、前記
第１工程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加さ
れる交流電圧印加工程とを具備してなり、前記ＣＶＤ手
段により生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加され
て加速・制御され、前記記録膜に衝突し、記録膜上に保
護膜が形成されるようにするものである。印加される交
流電圧は、その電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚのものである。又、ＣＶＤ手段はＥ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ手段であり、形成される
保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜である。又、形
成される保護膜の厚さは１〜５０ｎｍである。
保護膜を形成する保護膜の製造方法であって、ＣＶＤ手
段により保護膜形成材料を生成する第１工程と、前記第
１工程で生成した保護膜形成材料が前記支持体に衝突す
る第２工程と、前記第１工程で生成した保護膜形成材料
に交流電圧が印加される交流電圧印加工程とを具備して
なり、前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に
交流電圧が印加されて加速・制御され、前記支持体上に
衝突し、保護膜が形成されるようにするものである。特
に、支持体上に記録膜を形成する記録膜形成工程と、Ｃ
ＶＤ手段により保護膜形成材料を生成する第１工程と、
前記第１工程で生成した保護膜形成材料が前記記録膜形
成工程で形成された記録膜に衝突する第２工程と、前記
第１工程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加さ
れる交流電圧印加工程とを具備してなり、前記ＣＶＤ手
段により生成した保護膜形成材料に交流電圧が印加され
て加速・制御され、前記記録膜に衝突し、記録膜上に保
護膜が形成されるようにするものである。印加される交
流電圧は、その電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚのものである。又、ＣＶＤ手段はＥ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ手段であり、形成される
保護膜はダイヤモンドライクカーボン膜である。又、形
成される保護膜の厚さは１〜５０ｎｍである。
【００１３】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明の実施により得た記録媒体（磁気記録媒体）の概略断
面図である。図１中、１は、例えばポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプ
ロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹
脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスや
セラミック等の無機系材料、あるいはアルミニウム合金
などの金属材料と言った支持体である。
明の実施により得た記録媒体（磁気記録媒体）の概略断
面図である。図１中、１は、例えばポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミド、ポ
リイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプ
ロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹
脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスや
セラミック等の無機系材料、あるいはアルミニウム合金
などの金属材料と言った支持体である。
【００１４】この支持体１上に、記録膜（金属磁性膜）
２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積（斜め蒸着）させることにより、厚
さ５０〜５００ｎｍの金属磁性膜２が形成される。金属
磁性膜の材料として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属
の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等
の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性
膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度
の真空雰囲気下において磁性金属を抵抗加熱、高周波加
熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、金属磁性粒子
を支持体面上に堆積（斜め蒸着）させることにより、厚
さ５０〜５００ｎｍの金属磁性膜２が形成される。金属
磁性膜の材料として、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属
の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等
の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性
膜の形成は、上記した蒸着法による他、直流スパッタ
法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネト
ロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などの各種の手段を採用できる。
【００１５】記録膜２上には保護膜３が設けられる。特
に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等のＣＶＤにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図２に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用いて記録膜２上に厚さ１〜５０ｎｍ
の保護膜３が形成される。図２中、１は金属磁性膜が設
けられた支持体、４ａは支持体１が巻かれている供給側
ロール、４ｂは金属磁性膜上に保護膜３が設けられた支
持体１が巻かれて行く巻取側ロールである。５は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール４ａから走行
して来た支持体１は冷却キャンロール５に添接され、こ
の後巻取側ロール４ｂに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール５に接し
ている。６はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であ
り、７はプラズマ反応管、８はＥＣＲ用コイル、９は導
波管、１０は炭化水素系の化合物（メタン、エチレン、
アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス又は液体。
特に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重
結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、若しくはベンゼン、
トルエン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽
和炭化水素（芳香族炭化水素）又はナフタレンやアント
ラセン等をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のよう
に不飽和結合を有する炭化水素系の化合物。）をプラズ
マ反応管７内に供給するノズル、１１は真空槽、１２は
２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの
交流電圧を印加できる交流電源である。
に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ等のＣＶＤにより
炭素系の保護膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜が
設けられる。例えば、図２に示すＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用いて記録膜２上に厚さ１〜５０ｎｍ
の保護膜３が形成される。図２中、１は金属磁性膜が設
けられた支持体、４ａは支持体１が巻かれている供給側
ロール、４ｂは金属磁性膜上に保護膜３が設けられた支
持体１が巻かれて行く巻取側ロールである。５は冷却キ
ャンロールである。そして、供給側ロール４ａから走行
して来た支持体１は冷却キャンロール５に添接され、こ
の後巻取側ロール４ｂに巻き取られて行く。尚、金属磁
性膜が設けられていない側が冷却キャンロール５に接し
ている。６はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であ
り、７はプラズマ反応管、８はＥＣＲ用コイル、９は導
波管、１０は炭化水素系の化合物（メタン、エチレン、
アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス又は液体。
特に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重
結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、若しくはベンゼン、
トルエン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽
和炭化水素（芳香族炭化水素）又はナフタレンやアント
ラセン等をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のよう
に不飽和結合を有する炭化水素系の化合物。）をプラズ
マ反応管７内に供給するノズル、１１は真空槽、１２は
２００〜１０００ｖ、周波数が１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの
交流電圧を印加できる交流電源である。
【００１６】上記装置を用いての成膜は次のようにして
行われる。先ず、真空槽１１内を真空排気し、支持体１
を走行させると共に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置６を動作させる。ノズル１０からプラズマ反応管７
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ（保護膜形成材料）が発
生する。そして、このプラズマは、交流電源１２（交流
電圧印加手段）により加速・制御され、支持体１、すな
わち供給側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに走行する
支持体１上の金属磁性膜に衝突し、金属磁性膜の上にダ
イヤモンドライクカーボン膜（保護膜）３が形成され
る。
行われる。先ず、真空槽１１内を真空排気し、支持体１
を走行させると共に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置６を動作させる。ノズル１０からプラズマ反応管７
内に炭化水素系のガスを供給し、これにマイクロ波を照
射する。これにより、プラズマ（保護膜形成材料）が発
生する。そして、このプラズマは、交流電源１２（交流
電圧印加手段）により加速・制御され、支持体１、すな
わち供給側ロール４ａから巻取側ロール４ｂに走行する
支持体１上の金属磁性膜に衝突し、金属磁性膜の上にダ
イヤモンドライクカーボン膜（保護膜）３が形成され
る。
【００１７】尚、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（炭化水素）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ、特に２００〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ これにより、緻密で均一な厚さのダイヤモンドライクカ
ーボン膜が記録膜上に形成される。
う条件は、次の通りである。 真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ 原料（炭化水素）供給量；真空度により規定 １．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒ キャンロール温度；−２０℃〜４０℃ μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚ μ波出力；５０〜１０００Ｗ、特に２００〜１０００Ｗ 共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓ これにより、緻密で均一な厚さのダイヤモンドライクカ
ーボン膜が記録膜上に形成される。
【００１８】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１９】
【実施例１】先ず、通常の斜め蒸着装置を用いて１０μ
ｍ厚さのＰＥＴフィルム１にＣｏ粒子を堆積させ、２０
０ｎｍ厚のＣｏ磁性膜２が設けられた。この後、これを
図２に示すＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に装填
し、Ｃｏ磁性膜２面上にダイヤモンドライクカーボン膜
３を１２ｎｍ厚さ設けた。
ｍ厚さのＰＥＴフィルム１にＣｏ粒子を堆積させ、２０
０ｎｍ厚のＣｏ磁性膜２が設けられた。この後、これを
図２に示すＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に装填
し、Ｃｏ磁性膜２面上にダイヤモンドライクカーボン膜
３を１２ｎｍ厚さ設けた。
【００２０】尚、このダイヤモンドライクカーボン膜３
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は５
００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁
場は８７５Ｇ、反応ガスはベンゼン（ベンゼン供給量は
真空度で規定；３．０×１０ -6Ｔｏｒｒのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が４．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ）、キャンロール温度が５℃、支持体走行速度は２０
ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧は周波数が１．２ｋＨ
ｚで２５０ｖである。
の形成時の条件は次の通りである。マイクロ波出力は５
００Ｗ、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁
場は８７５Ｇ、反応ガスはベンゼン（ベンゼン供給量は
真空度で規定；３．０×１０ -6Ｔｏｒｒのところにベン
ゼンを供給した時の真空度が４．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ）、キャンロール温度が５℃、支持体走行速度は２０
ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧は周波数が１．２ｋＨ
ｚで２５０ｖである。
【００２１】そして、通常の工程を経て磁気テープを得
た。
た。
【００２２】
【実施例２】ダイヤモンドライクカーボン膜３の形成条
件を、マイクロ波出力；５００Ｗ、マイクロ波周波数；
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ、反応ガス；ベ
ンゼン（ベンゼン供給量は真空度で規定；３．０×１０
-6Ｔｏｒｒのところにベンゼンを供給した時の真空度が
４．０×１０-4Ｔｏｒｒ）、キャンロール温度；５℃、
支持体走行速度；５０ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧
は周波数が８ＭＨｚで６００ｖとした以外は実施例１の
方法に準じて磁気テープを得た。
件を、マイクロ波出力；５００Ｗ、マイクロ波周波数；
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ、反応ガス；ベ
ンゼン（ベンゼン供給量は真空度で規定；３．０×１０
-6Ｔｏｒｒのところにベンゼンを供給した時の真空度が
４．０×１０-4Ｔｏｒｒ）、キャンロール温度；５℃、
支持体走行速度；５０ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧
は周波数が８ＭＨｚで６００ｖとした以外は実施例１の
方法に準じて磁気テープを得た。
【００２３】
【実施例３】ダイヤモンドライクカーボン膜３の形成条
件を、マイクロ波出力；５００Ｗ、マイクロ波周波数；
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ、反応ガス；ベ
ンゼン（ベンゼン供給量は真空度で規定；３．０×１０
-6Ｔｏｒｒのところにベンゼンを供給した時の真空度が
４．０×１０-4Ｔｏｒｒ）、キャンロール温度；５℃、
支持体走行速度；６０ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧
は周波数が９．８ＭＨｚで９８０ｖとした以外は実施例
１の方法に準じて磁気テープを得た。
件を、マイクロ波出力；５００Ｗ、マイクロ波周波数；
２．４５ＧＨｚ、ＥＣＲ磁場；８７５Ｇ、反応ガス；ベ
ンゼン（ベンゼン供給量は真空度で規定；３．０×１０
-6Ｔｏｒｒのところにベンゼンを供給した時の真空度が
４．０×１０-4Ｔｏｒｒ）、キャンロール温度；５℃、
支持体走行速度；６０ｍ／ｍｉｎ、印加された交流電圧
は周波数が９．８ＭＨｚで９８０ｖとした以外は実施例
１の方法に準じて磁気テープを得た。
【００２４】
【比較例１】交流電圧を印加しなかった以外は実施例１
の方法に準じて磁気テープを得た。
の方法に準じて磁気テープを得た。
【００２５】
【比較例２】交流電圧を印加する代わりに直流電圧（２
５０ｖ）を印加した以外は実施例１の方法に準じて磁気
テープを得た。
５０ｖ）を印加した以外は実施例１の方法に準じて磁気
テープを得た。
【００２６】
【特性】市販の８ｍｍＶＴＲを改造した装置に上記各例
で得た磁気テープを装填し、出力特性（Ｙ−ｏｕｔ，Ｃ
−ｏｕｔ）及びスチル耐久性（出力が３ｄＢ低下するま
での時間）を調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 再生出力（ｄＢ） スチル耐久性 Ｙ−ｏｕｔ Ｃ−ｏｕｔ （時間） 実施例１ ＋０．８ ＋１．０ ５．２ 実施例２ ＋１．０ ＋１．０ ５．６ 実施例３ ＋０．４ ＋０．８ ４．８ 比較例１ −０．４ −０．２ ２．２ 比較例２ ０ ０ ３．４ これによれば、本実施例になるものは、再生出力が高
く、かつ、耐久性にも富むものであることが判る。
で得た磁気テープを装填し、出力特性（Ｙ−ｏｕｔ，Ｃ
−ｏｕｔ）及びスチル耐久性（出力が３ｄＢ低下するま
での時間）を調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 再生出力（ｄＢ） スチル耐久性 Ｙ−ｏｕｔ Ｃ−ｏｕｔ （時間） 実施例１ ＋０．８ ＋１．０ ５．２ 実施例２ ＋１．０ ＋１．０ ５．６ 実施例３ ＋０．４ ＋０．８ ４．８ 比較例１ −０．４ −０．２ ２．２ 比較例２ ０ ０ ３．４ これによれば、本実施例になるものは、再生出力が高
く、かつ、耐久性にも富むものであることが判る。
【００２７】
【効果】ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料が交
流電圧印加手段により加速・制御され、支持体上に衝突
し、保護膜が形成されるようにしたので、出力特性及び
耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
流電圧印加手段により加速・制御され、支持体上に衝突
し、保護膜が形成されるようにしたので、出力特性及び
耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図１】磁気記録媒体の概略図
【図２】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の概略図
【図３】従来のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の
概略図
概略図
１ 支持体 ２ 磁性膜 ３ 保護膜 ５ 冷却キャンロール ６ ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置 ７ プラズマ反応管 ８ ＥＣＲ用コイル １０ ノズル １２ 交流電源
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体上に保護膜を形成するケミカルベ
ーパーデポジション（ＣＶＤ）手段と、前記支持体と前
記ＣＶＤ手段との間に設けられた交流電圧印加手段とを
具備した保護膜製造装置であって、 前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料が前記交
流電圧印加手段により加速・制御され、前記支持体上に
衝突し、保護膜が形成されるようにしたことを特徴とす
る保護膜製造装置。 - 【請求項２】 電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの交流電圧が加わるよう交流電圧印
加手段が構成されてなることを特徴とする請求項１の保
護膜製造装置。 - 【請求項３】 支持体上に保護膜を形成する保護膜の製
造方法であって、 ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を生成する第１工程
と、 前記第１工程で生成した保護膜形成材料が前記支持体に
衝突する第２工程と、 前記第１工程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印
加される交流電圧印加工程とを具備してなり、 前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に交流電
圧が印加されて加速・制御され、前記支持体上に衝突
し、保護膜が形成されるようにすることを特徴とする保
護膜製造方法。 - 【請求項４】 支持体上に記録膜を形成する記録膜形成
工程と、 ＣＶＤ手段により保護膜形成材料を生成する第１工程
と、 前記第１工程で生成した保護膜形成材料が前記記録膜形
成工程で形成された記録膜に衝突する第２工程と、 前記第１工程で生成した保護膜形成材料に交流電圧が印
加される交流電圧印加工程とを具備してなり、 前記ＣＶＤ手段により生成した保護膜形成材料に交流電
圧が印加されて加速・制御され、前記記録膜に衝突し、
記録膜上に保護膜が形成されるようにすることを特徴と
する保護膜製造方法。 - 【請求項５】 電圧が２００〜１０００ｖ、周波数が１
ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの交流電圧が印加されることを特徴
とする請求項３又は請求項４の保護膜製造方法。 - 【請求項６】 ＣＶＤ手段がＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ手段であり、形成される保護膜がダイヤモンドラ
イクカーボン膜であることを特徴とする請求項３又は請
求項４の保護膜製造方法。 - 【請求項７】 保護膜の厚さが１〜５０ｎｍであること
を特徴とする請求項３〜請求項６いずれかの保護膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603197A JPH10251858A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5603197A JPH10251858A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251858A true JPH10251858A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=13015714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5603197A Pending JPH10251858A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10251858A (ja) |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5603197A patent/JPH10251858A/ja active Pending
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