JPH11143404A - 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置Info
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- JPH11143404A JPH11143404A JP9307043A JP30704397A JPH11143404A JP H11143404 A JPH11143404 A JP H11143404A JP 9307043 A JP9307043 A JP 9307043A JP 30704397 A JP30704397 A JP 30704397A JP H11143404 A JPH11143404 A JP H11143404A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型液晶表示装置において、反射電極の大
きさを小さくすると、分離領域上の電界が基板平面に対
し垂直でなくなってくるため、液晶の配向が乱れ、コン
トラストの低下、配向乱れによる画像欠点の増加という
問題が生じる。 【解決手段】 複数の画素反射電極をアレイ状に配置し
た第１の基板と、複数のマイクロレンズをアレイ状に配
置した第２の基板とを液晶物質を挟んで対向させて構成
した反射型液晶表示装置において、上記第１の基板上の
該画素反射電極の各々は、上記各マイクロレンズにより
集光された光が照射される領域に設けられた、可視光に
対して高反射率を有する第１の反射領域と、該第１の反
射領域の周囲に設けられ、それより低反射率を有する第
２の反射領域とを有することを特徴とする反射型液晶表
示装置。
きさを小さくすると、分離領域上の電界が基板平面に対
し垂直でなくなってくるため、液晶の配向が乱れ、コン
トラストの低下、配向乱れによる画像欠点の増加という
問題が生じる。 【解決手段】 複数の画素反射電極をアレイ状に配置し
た第１の基板と、複数のマイクロレンズをアレイ状に配
置した第２の基板とを液晶物質を挟んで対向させて構成
した反射型液晶表示装置において、上記第１の基板上の
該画素反射電極の各々は、上記各マイクロレンズにより
集光された光が照射される領域に設けられた、可視光に
対して高反射率を有する第１の反射領域と、該第１の反
射領域の周囲に設けられ、それより低反射率を有する第
２の反射領域とを有することを特徴とする反射型液晶表
示装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型マトリクス
基板により液晶を変調させ、画像を形成する反射型液晶
表示装置に関するものである。
基板により液晶を変調させ、画像を形成する反射型液晶
表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、近年薄型の表示装置と
して各種の産業用民生用機器に用いられている。特に大
画面表示装置では、液晶表示で変調した光を投射・拡大
するプロジェクションディスプレイが広く用いられてい
る。より高精細で明るい表示を行うために、光利用効率
の高い、反射型液晶表示装置が有望視されている。
して各種の産業用民生用機器に用いられている。特に大
画面表示装置では、液晶表示で変調した光を投射・拡大
するプロジェクションディスプレイが広く用いられてい
る。より高精細で明るい表示を行うために、光利用効率
の高い、反射型液晶表示装置が有望視されている。
【０００３】典型的なカラー反射型液晶表示に用いられ
る液晶装置の断面を、従来例の図１４の、図（１４−
１）に示す。表示装置は１対の透明基板１とアクティブ
マトリクス基板２の間に液晶３を挟み、矢印で示した入
射光をアクティブマトリクス基板上で画素毎に変調し、
反射電極１０で反射させ、投影・拡大して所望の画像を
得る。
る液晶装置の断面を、従来例の図１４の、図（１４−
１）に示す。表示装置は１対の透明基板１とアクティブ
マトリクス基板２の間に液晶３を挟み、矢印で示した入
射光をアクティブマトリクス基板上で画素毎に変調し、
反射電極１０で反射させ、投影・拡大して所望の画像を
得る。
【０００４】透明基板１は、ガラス基板４上にＲ．Ｇ．
Ｂのカラーフィルタアレイ５を有し、液晶との界面に
は、電圧を印加するための透明電極８及び配向膜９が積
層されている。カラーフィルタアレイ５上には、光利用
効率を向上させるためにマイクロレンズアレイ７が形成
され、入射する平行光が反射電極１０上でほぼ焦点を結
ぶ曲率に成形されている。また画素間の迷光を遮断する
ためのブラックマトリクス６がカラーフィルタアレイ５
の各色間に形成してある。
Ｂのカラーフィルタアレイ５を有し、液晶との界面に
は、電圧を印加するための透明電極８及び配向膜９が積
層されている。カラーフィルタアレイ５上には、光利用
効率を向上させるためにマイクロレンズアレイ７が形成
され、入射する平行光が反射電極１０上でほぼ焦点を結
ぶ曲率に成形されている。また画素間の迷光を遮断する
ためのブラックマトリクス６がカラーフィルタアレイ５
の各色間に形成してある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、マイクロレンズアレイ７の収差により反射電
極１０上で結像しない光成分や、マイクロレンズアレイ
に入射した迷光成分が、反射した光に混入し、投射した
画像の品位を劣化させるという欠点があった。この事を
図１４の図（１４−２）を用いて説明する。
来例では、マイクロレンズアレイ７の収差により反射電
極１０上で結像しない光成分や、マイクロレンズアレイ
に入射した迷光成分が、反射した光に混入し、投射した
画像の品位を劣化させるという欠点があった。この事を
図１４の図（１４−２）を用いて説明する。
【０００６】図１４−２は、１画素だけに注目して光の
経路を詳細に記述したものである。基板１に対してほぼ
垂直に入手した光２０は、マイクロレンズ７により屈折
され、反射電極１０のほぼ中央付近２６に集光し、反射
され、再びマイクロレンズ７に入射し、垂直な光２１に
なって戻る。マイクロレンズが入射光のすべての波長に
対し同じ屈折作用を行い、かつ放物形状であればすべて
の光が１点に収束するが、実際には、放物形状は、不完
全であり、波長により焦点距離が異なる（＝収差）。こ
のため、一部の光は例えば２２の経路を通って２７の位
置で反射されるため、２３の方向に射出される。また、
例えば２４の方向から入射した光は２８の位置に反射さ
れ、２５の方向に射出される。この様な現象が、多数の
画素で重なり合い、かつ画素どうしでマイクロレンズの
形状のばらつきもある。射出された不要光成分は、投射
時に正規の画像に重なり、コントラストを低下させた
り、ノイズ成分となって画像の品位を劣化させる。
経路を詳細に記述したものである。基板１に対してほぼ
垂直に入手した光２０は、マイクロレンズ７により屈折
され、反射電極１０のほぼ中央付近２６に集光し、反射
され、再びマイクロレンズ７に入射し、垂直な光２１に
なって戻る。マイクロレンズが入射光のすべての波長に
対し同じ屈折作用を行い、かつ放物形状であればすべて
の光が１点に収束するが、実際には、放物形状は、不完
全であり、波長により焦点距離が異なる（＝収差）。こ
のため、一部の光は例えば２２の経路を通って２７の位
置で反射されるため、２３の方向に射出される。また、
例えば２４の方向から入射した光は２８の位置に反射さ
れ、２５の方向に射出される。この様な現象が、多数の
画素で重なり合い、かつ画素どうしでマイクロレンズの
形状のばらつきもある。射出された不要光成分は、投射
時に正規の画像に重なり、コントラストを低下させた
り、ノイズ成分となって画像の品位を劣化させる。
【０００７】この問題を解消しようとして、反射電極の
大きさを小さくすると、画素間の分離領域が広がるた
め、分離領域上の電界が基板平面に対し垂直でなくなっ
てくるため、液晶の配向が乱れ、やはりコントラストの
低下、配向乱れによる画像欠点の増加につながった。
大きさを小さくすると、画素間の分離領域が広がるた
め、分離領域上の電界が基板平面に対し垂直でなくなっ
てくるため、液晶の配向が乱れ、やはりコントラストの
低下、配向乱れによる画像欠点の増加につながった。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、本出願に係る第１の発明は、複数の画素反
射電極をアレイ状に配置した第１の基板と、複数のマイ
クロレンズをアレイ状に配置した第２の基板とを液晶物
質を挟んで対向させて構成した反射型液晶表示装置にお
いて、上記第１の基板上の該画素反射電極の各々は、上
記各マイクロレンズにより集光された光が照射される領
域に設けられた、可視光に対して高反射率を有する第１
の反射領域と、該第１の反射領域の周囲に設けられ、そ
れより低反射率を有する第２の反射領域とを有すること
を特徴とする。
成するため、本出願に係る第１の発明は、複数の画素反
射電極をアレイ状に配置した第１の基板と、複数のマイ
クロレンズをアレイ状に配置した第２の基板とを液晶物
質を挟んで対向させて構成した反射型液晶表示装置にお
いて、上記第１の基板上の該画素反射電極の各々は、上
記各マイクロレンズにより集光された光が照射される領
域に設けられた、可視光に対して高反射率を有する第１
の反射領域と、該第１の反射領域の周囲に設けられ、そ
れより低反射率を有する第２の反射領域とを有すること
を特徴とする。
【０００９】第１の発明によれば、高反射率を有する第
１の反射領域は、入射光の主たる画像信号成分を反射
し、第２の反射領域は、低反射率を有するが故に収差に
より結像しない光成分や迷光成分をほとんど反射させな
い。従って、投射画像を、本来の画像信号以外の不要光
成分を含まない、高コントラスト、高品位の画像とする
ことができる。また、反射電極の大きさを従来と同じ大
きさにしたままにできるので液晶の配向乱れや、コント
ラストの低下も引き起こさない。
１の反射領域は、入射光の主たる画像信号成分を反射
し、第２の反射領域は、低反射率を有するが故に収差に
より結像しない光成分や迷光成分をほとんど反射させな
い。従って、投射画像を、本来の画像信号以外の不要光
成分を含まない、高コントラスト、高品位の画像とする
ことができる。また、反射電極の大きさを従来と同じ大
きさにしたままにできるので液晶の配向乱れや、コント
ラストの低下も引き起こさない。
【００１０】第２の発明は、該第１の反射領域には、該
マイクロレンズにより集光された光の大部分が照射さ
れ、該第２の反射領域には、該マイクロレンズにより集
光された光のうち、レンズの収差、迷光成分が照射され
ることを特徴とする。
マイクロレンズにより集光された光の大部分が照射さ
れ、該第２の反射領域には、該マイクロレンズにより集
光された光のうち、レンズの収差、迷光成分が照射され
ることを特徴とする。
【００１１】第２の発明によれば、マイクロレンズに入
射する主たる波長成分の焦点は反射電極のうちの高反射
率領域に結び、レンズの収差成分、迷光成分などのノイ
ズ光は低反射率領域でわずかに反射することにより、投
射画像のコントラスト向上、品位向上に寄与する。
射する主たる波長成分の焦点は反射電極のうちの高反射
率領域に結び、レンズの収差成分、迷光成分などのノイ
ズ光は低反射率領域でわずかに反射することにより、投
射画像のコントラスト向上、品位向上に寄与する。
【００１２】第３の発明は、該第１の反射領域は、該画
素反射電極のそれぞれの中央部に設けられ、該第２の反
射領域により平面的に囲まれたことを特徴とする。
素反射電極のそれぞれの中央部に設けられ、該第２の反
射領域により平面的に囲まれたことを特徴とする。
【００１３】第３の発明によれば、上記構成において、
マイクロレンズに入射する主たる波長成分の焦点は反射
電極のほぼ中央近傍の高反射率領域に結び、収差成分、
迷光成分は高反射率領域をとり囲む、電極端面近傍に入
射することにより、画素電極の大きさを変えることな
く、ノイズ成分をカット出来るため、投射画像のコント
ラスト向上、品位向上に寄与する。
マイクロレンズに入射する主たる波長成分の焦点は反射
電極のほぼ中央近傍の高反射率領域に結び、収差成分、
迷光成分は高反射率領域をとり囲む、電極端面近傍に入
射することにより、画素電極の大きさを変えることな
く、ノイズ成分をカット出来るため、投射画像のコント
ラスト向上、品位向上に寄与する。
【００１４】第４の発明は、該第１の反射領域は、上記
高反射率の第１の導電性物質で構成され、該第２の領域
は上記低反射率の第２の導電性物質で構成されることを
特徴とする。
高反射率の第１の導電性物質で構成され、該第２の領域
は上記低反射率の第２の導電性物質で構成されることを
特徴とする。
【００１５】第４の発明によれば、反射率の異なる２の
導電性物質で各々に第１、第２の反射領域を形成し、両
者の反射率の差を大きくすることで、コントラストに画
像品位を向上させることができる。
導電性物質で各々に第１、第２の反射領域を形成し、両
者の反射率の差を大きくすることで、コントラストに画
像品位を向上させることができる。
【００１６】第５の発明は、該第１の反射領域は、導電
性物質により構成され、該第２の反射領域は、上記導電
性物質上に、該導電性物質より低反射率を有する物質を
積層してなることを特徴とする。
性物質により構成され、該第２の反射領域は、上記導電
性物質上に、該導電性物質より低反射率を有する物質を
積層してなることを特徴とする。
【００１７】第５の発明によれば、第２の反射領域は表
面上に、より低反射の物質を有することにより、反射率
を低下させながら、下層の導電性物質により、電極は面
積を維持することが出来る。
面上に、より低反射の物質を有することにより、反射率
を低下させながら、下層の導電性物質により、電極は面
積を維持することが出来る。
【００１８】第６の発明は、該第１の反射領域は高反射
率の表面形状により構成され、第２の反射領域は、低反
射率の表面形状を有することにより、反射率が第１の反
射領域より低いことを特徴とする。
率の表面形状により構成され、第２の反射領域は、低反
射率の表面形状を有することにより、反射率が第１の反
射領域より低いことを特徴とする。
【００１９】第７の発明は、上記反射型液晶表示装置を
用いたことを特徴とする投写型液晶表示装置である。
用いたことを特徴とする投写型液晶表示装置である。
【００２０】第８の発明は、上記投射型液晶表示装置に
おいて、液晶パネルを３色カラー用に少なくとも３個有
し、高反射ミラーと、青色反射ダイクロイックミラーと
で青色光を分離し、更に赤色反射ダイクロイックミラー
と、緑色／青色反射ダイクロイックミラーで赤色と緑色
とを分離して、各液晶パネルを投射することを特徴とす
る投写型液晶表示装置である。
おいて、液晶パネルを３色カラー用に少なくとも３個有
し、高反射ミラーと、青色反射ダイクロイックミラーと
で青色光を分離し、更に赤色反射ダイクロイックミラー
と、緑色／青色反射ダイクロイックミラーで赤色と緑色
とを分離して、各液晶パネルを投射することを特徴とす
る投写型液晶表示装置である。
【００２１】
【実施例】＜実施例１＞図１−１に本発明を従来例と同
じマイクロレンズアレイを使ったカラー反射型液晶表示
装置に適用した場合の構成図を示す。マイクロレンズア
レイ１０７を搭載している透明基板１０１は、入射光、
反射光を屈折させるマイクロレンズアレイ１０７、色変
調を行うカラーフィルタアレイ１０５、画素間の入射光
を遮断するブラックマトリクス１０６、全体を支持する
５０〜１５００μｍのガラス基板１０４、ＩＴＯ等より
なる透明電極１０８、液晶を配向させるための透明基板
側配向膜１０９、より構成されるアクティブマトリクス
基板１０２は、シリコン又はガラス基板１１６上にスイ
ッチングトランジスタ１１２を形成した上にスルーホー
ル１１３を介してトランジスタ１１２と画素反射電極１
１０が接続されている。画素反射電極１１０の表面には
アクティブマトリクス側配向膜１１１がある。透明基板
１０１とアクティブマトリクス基板１０２の間は１〜１
５μｍの厚みで液晶物質１０３が挟まれている。液晶物
質１０３は例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型液晶が用いられる。
じマイクロレンズアレイを使ったカラー反射型液晶表示
装置に適用した場合の構成図を示す。マイクロレンズア
レイ１０７を搭載している透明基板１０１は、入射光、
反射光を屈折させるマイクロレンズアレイ１０７、色変
調を行うカラーフィルタアレイ１０５、画素間の入射光
を遮断するブラックマトリクス１０６、全体を支持する
５０〜１５００μｍのガラス基板１０４、ＩＴＯ等より
なる透明電極１０８、液晶を配向させるための透明基板
側配向膜１０９、より構成されるアクティブマトリクス
基板１０２は、シリコン又はガラス基板１１６上にスイ
ッチングトランジスタ１１２を形成した上にスルーホー
ル１１３を介してトランジスタ１１２と画素反射電極１
１０が接続されている。画素反射電極１１０の表面には
アクティブマトリクス側配向膜１１１がある。透明基板
１０１とアクティブマトリクス基板１０２の間は１〜１
５μｍの厚みで液晶物質１０３が挟まれている。液晶物
質１０３は例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔ
ｉｃ）型液晶が用いられる。
【００２２】本発明による画素反射電極１１０及び入射
する光の経路を拡大したものが図１−２である。画素反
射電極１１０は、表面に例えばＡｌ，Ａｌ−Ｓｉ合金な
どの高い反射率の金属１１４を有する高反射領域１２
５、及びこれを囲む様に低反射率領域１２４より成る。
低反射率金属１１５としてはＴｉ，ＴｉＮ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ及びこれらにシリコン添加された合金を用いるこ
とが出来る。画素反射電極１１０の表面はＣＭＰ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）
で研磨され、高反射率金属１１４表面を高反射率（＞９
０％）で極めて平坦（例えば凹凸５０ｎｍ以下に成形さ
れている。高反射領域１２５と低反射領域１２４の面積
比は、マイクロレンズの収差の大きさ、焦点深度のばら
つき、透明基板１０１とアクティブマトリクス基板の貼
り合わせ精度ｅｔｃ．の影響により広がる正規入射光の
スポットサイズにより最適化できる。
する光の経路を拡大したものが図１−２である。画素反
射電極１１０は、表面に例えばＡｌ，Ａｌ−Ｓｉ合金な
どの高い反射率の金属１１４を有する高反射領域１２
５、及びこれを囲む様に低反射率領域１２４より成る。
低反射率金属１１５としてはＴｉ，ＴｉＮ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ及びこれらにシリコン添加された合金を用いるこ
とが出来る。画素反射電極１１０の表面はＣＭＰ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）
で研磨され、高反射率金属１１４表面を高反射率（＞９
０％）で極めて平坦（例えば凹凸５０ｎｍ以下に成形さ
れている。高反射領域１２５と低反射領域１２４の面積
比は、マイクロレンズの収差の大きさ、焦点深度のばら
つき、透明基板１０１とアクティブマトリクス基板の貼
り合わせ精度ｅｔｃ．の影響により広がる正規入射光の
スポットサイズにより最適化できる。
【００２３】実施例では、１２５の巾を１０μｍ、１２
４の巾をそれぞれ２μｍとし、正規の入射光は経路１２
０→１２１の様に、高反射金属１１４のほぼ中央に結像
し、入射光と反対方向に反射される。不要光のうち収差
成分は例えば１２２の様に低反射領域１２４上に入射す
るため、極くわずかしか反射しない。本実施例ではＴｉ
を低反射金属として用いて、２０％の表面反射率を得て
いる。また、２３の如き迷光成分は、やはり低反射領域
１２４に入射するため、極くわずかな反射しかしなかっ
た。
４の巾をそれぞれ２μｍとし、正規の入射光は経路１２
０→１２１の様に、高反射金属１１４のほぼ中央に結像
し、入射光と反対方向に反射される。不要光のうち収差
成分は例えば１２２の様に低反射領域１２４上に入射す
るため、極くわずかしか反射しない。本実施例ではＴｉ
を低反射金属として用いて、２０％の表面反射率を得て
いる。また、２３の如き迷光成分は、やはり低反射領域
１２４に入射するため、極くわずかな反射しかしなかっ
た。
【００２４】図２は、複数個の画素反射電極の斜視図で
ある。高反射金属１１４は２次元的に低反射金属１１５
に囲まれており、画素分離領域１２６は従来と変わらな
い巾に抑えることができた。その結果、液晶の配向乱れ
が原因となるコントラストの低下は全く見られなかっ
た。
ある。高反射金属１１４は２次元的に低反射金属１１５
に囲まれており、画素分離領域１２６は従来と変わらな
い巾に抑えることができた。その結果、液晶の配向乱れ
が原因となるコントラストの低下は全く見られなかっ
た。
【００２５】図３にアクティブマトリクス基板の画素反
射電極の形成方法を示す。図３−１はシリコン基板又は
ガラス基板１２７上に薄膜トランジスタ１２８をマトリ
クス状に配置し、その上にほぼ平坦な層間絶縁膜１２９
を堆積した断面図を示す。本例では、スイッチングトラ
ンジスタは薄膜トランジスタを用いているが、シリコン
基板内に単結晶のバルクトランジスタを形成しても構わ
ない。図３−１の断面を形成した後、ドライエッチング
により、画素電極部１３０及びスルーホール１３１をエ
ッチング形成し、画素分離領域１３２を残す（図３−
２）。次に低反射金属１３３、続いて高反射金属１３４
をスパッタリング法により形成する。
射電極の形成方法を示す。図３−１はシリコン基板又は
ガラス基板１２７上に薄膜トランジスタ１２８をマトリ
クス状に配置し、その上にほぼ平坦な層間絶縁膜１２９
を堆積した断面図を示す。本例では、スイッチングトラ
ンジスタは薄膜トランジスタを用いているが、シリコン
基板内に単結晶のバルクトランジスタを形成しても構わ
ない。図３−１の断面を形成した後、ドライエッチング
により、画素電極部１３０及びスルーホール１３１をエ
ッチング形成し、画素分離領域１３２を残す（図３−
２）。次に低反射金属１３３、続いて高反射金属１３４
をスパッタリング法により形成する。
【００２６】本例では前者、後者とも１μｍの厚さで形
成した（図３−３）。
成した（図３−３）。
【００２７】その後、ＣＭＰにより表面を平坦に研磨
し、低反射金属が数百ｎｍ以上残る様に処理した（図３
−４）。
し、低反射金属が数百ｎｍ以上残る様に処理した（図３
−４）。
【００２８】＜実施例１の効果＞上記の様に、本発明を
マイクロレンズを有する反射型カラー液晶表示装置に適
用した場合 ・画素分離領域近傍の配向乱れを起こすことなく、マイ
クロレンズの収差や迷光によるコントラストの低下を防
止することが出来るので、 ・投射型表示装置の画像品位を改善できる。
マイクロレンズを有する反射型カラー液晶表示装置に適
用した場合 ・画素分離領域近傍の配向乱れを起こすことなく、マイ
クロレンズの収差や迷光によるコントラストの低下を防
止することが出来るので、 ・投射型表示装置の画像品位を改善できる。
【００２９】又は、実施例に示した様に、本実施例は従
来の製造プロセスをほとんど複雑にすることなく、目的
が達成できる。
来の製造プロセスをほとんど複雑にすることなく、目的
が達成できる。
【００３０】＜実施例２＞図４に第２の実施例の液晶表
示装置の断面構造を示す。本実施例は、投射型プロジェ
クタに用いられる単板式カラー反射型表示装置に応用し
た例である。
示装置の断面構造を示す。本実施例は、投射型プロジェ
クタに用いられる単板式カラー反射型表示装置に応用し
た例である。
【００３１】マイクロレンズアレイ２００５を搭載して
いるガラス基板２００１は入射光、反射光を屈折させる
マイクロレンズアレイ２００５、全体を支持する支持ガ
ラス基板２００４、マイクロレンズ間を遮光するブラッ
クマトリクス２０１０、レンズアレイ上面を平坦化して
いる低屈折率層２００６、シートガラス２００７、ＩＴ
Ｏ等よりなる透明電極２００８、液晶を配向させるため
のガラス基板側配向膜２００９より構成される。
いるガラス基板２００１は入射光、反射光を屈折させる
マイクロレンズアレイ２００５、全体を支持する支持ガ
ラス基板２００４、マイクロレンズ間を遮光するブラッ
クマトリクス２０１０、レンズアレイ上面を平坦化して
いる低屈折率層２００６、シートガラス２００７、ＩＴ
Ｏ等よりなる透明電極２００８、液晶を配向させるため
のガラス基板側配向膜２００９より構成される。
【００３２】マイクロレンズアレイ２００５はいわゆる
イオン交換法により支持ガラス基板（アルカリ系ガラ
ス）２００４の表面上に形成されており、画素反射電極
２０１６のピッチの倍のピッチで２次元的アレイ構造を
成している。液晶層２００３は反射型に適応したいわゆ
るＤＡＰ，ＨＡＮ等のＥＣＢモードのネマチック液晶を
採用しており、不図示の配向層により所定の配向が維持
されている。画素反射電極２０１６はＡｌ及びこれを囲
む低反射率金属（例えば、Ｔｉ）から成り反射鏡を兼ね
ており、表面性を良くして反射率を向上させるためパタ
ーニング後の最終工程でいわゆるＣＭＰ処理を施してい
る。
イオン交換法により支持ガラス基板（アルカリ系ガラ
ス）２００４の表面上に形成されており、画素反射電極
２０１６のピッチの倍のピッチで２次元的アレイ構造を
成している。液晶層２００３は反射型に適応したいわゆ
るＤＡＰ，ＨＡＮ等のＥＣＢモードのネマチック液晶を
採用しており、不図示の配向層により所定の配向が維持
されている。画素反射電極２０１６はＡｌ及びこれを囲
む低反射率金属（例えば、Ｔｉ）から成り反射鏡を兼ね
ており、表面性を良くして反射率を向上させるためパタ
ーニング後の最終工程でいわゆるＣＭＰ処理を施してい
る。
【００３３】アクティブマトリクス基板２００２はシリ
コン又はガラス基板２０１１上にスイッチングトランジ
スタ２０１２が形成され、スルーホール２０１４を介
し、画素反射電極２０１６を駆動している。隣接する画
素反射電極２０１６のすき間には下層に遮光膜２０１３
が形成してあり、スイッチング素子に入射光が入りこむ
のを防止している。
コン又はガラス基板２０１１上にスイッチングトランジ
スタ２０１２が形成され、スルーホール２０１４を介
し、画素反射電極２０１６を駆動している。隣接する画
素反射電極２０１６のすき間には下層に遮光膜２０１３
が形成してあり、スイッチング素子に入射光が入りこむ
のを防止している。
【００３４】本発明による画素反射電極２０１６は中央
に近い部分はＡｌ，Ａｌ合金などの、高反射金属２０１
８が表面に露出して、その周囲を低反射金属２０１７が
囲っている。
に近い部分はＡｌ，Ａｌ合金などの、高反射金属２０１
８が表面に露出して、その周囲を低反射金属２０１７が
囲っている。
【００３５】アクティブマトリクス基板２００２はいわ
ゆるシリコン半導体基板２０１１上に設けられた半導体
回路であり、上記画素反射電極２０１６をアクティブマ
トリクス駆動するものであり、該回路マトリクスの周辺
部には不図示のゲート線ドライバー（垂直レジスター
等）や信号線ドライバー（水平レジスター等）が設けら
れている（詳しくは後述）。これらの周辺ドライバーお
よびアクティブマトリクス駆動回路はＲＧＢの各原色映
像信号を所定の各ＲＧＢ画素に書き込むように構成され
ており、該各画素反射電極２０１６はカラーフィルタは
有さないものの、前記アクティブマトリクス駆動回路に
て書き込まれる原色映像信号により各ＲＧＢ画素として
区別され、後述する所定のＲＧＢ画素配列を形成してい
る。
ゆるシリコン半導体基板２０１１上に設けられた半導体
回路であり、上記画素反射電極２０１６をアクティブマ
トリクス駆動するものであり、該回路マトリクスの周辺
部には不図示のゲート線ドライバー（垂直レジスター
等）や信号線ドライバー（水平レジスター等）が設けら
れている（詳しくは後述）。これらの周辺ドライバーお
よびアクティブマトリクス駆動回路はＲＧＢの各原色映
像信号を所定の各ＲＧＢ画素に書き込むように構成され
ており、該各画素反射電極２０１６はカラーフィルタは
有さないものの、前記アクティブマトリクス駆動回路に
て書き込まれる原色映像信号により各ＲＧＢ画素として
区別され、後述する所定のＲＧＢ画素配列を形成してい
る。
【００３６】ここで、液晶パネルに対して照明するＧ光
について見てみると、前述したようにＧ光は偏光ビーム
スプリッタにより偏光化されたのち該液晶パネルに対し
て垂直に入射する。この光線のうち１つのマイクロレン
ズ２０１０に入射する光線例を図中の矢印Ｇ（ｉｎ／ｏ
ｕｔ）に示す。ここに図示されたように該Ｇ光線はマイ
クロレンズにより集光されＧ画素反射電極２０１６ｇ上
を照明する。そしてＡｌより成る該画素反射電極２０１
６ｇにより反射され、再び同じマイクロレンズ２００５
ｇを通じてパネル外に出射していく。このように液晶層
２００３を往復通過する際、該Ｇ光線（偏光）は画素電
極２０１６ｇに印加される信号電圧により透明電極２０
０８との間に形成される電界による液晶の動作により変
調を受けて該液晶パネルを出射し戻る。
について見てみると、前述したようにＧ光は偏光ビーム
スプリッタにより偏光化されたのち該液晶パネルに対し
て垂直に入射する。この光線のうち１つのマイクロレン
ズ２０１０に入射する光線例を図中の矢印Ｇ（ｉｎ／ｏ
ｕｔ）に示す。ここに図示されたように該Ｇ光線はマイ
クロレンズにより集光されＧ画素反射電極２０１６ｇ上
を照明する。そしてＡｌより成る該画素反射電極２０１
６ｇにより反射され、再び同じマイクロレンズ２００５
ｇを通じてパネル外に出射していく。このように液晶層
２００３を往復通過する際、該Ｇ光線（偏光）は画素電
極２０１６ｇに印加される信号電圧により透明電極２０
０８との間に形成される電界による液晶の動作により変
調を受けて該液晶パネルを出射し戻る。
【００３７】斜め方向から入射してくるＲ光について、
やはり偏光ビームスプリッタにより偏光化されたのち、
例えばマイクロレンズ２００５ｂに入射するＲ光線に注
目すると図中の矢印Ｒ（ｉｎ）で示したように、該マイ
クロレンズ２００５ｂにより集光されその真下よりも左
側にシフトした位置にあるＲ画素電極２０１６Ｒ上を照
明する。そして該画素電極２０１６Ｒにより反射され、
図示したように今度は隣のマイクロレンズ２００５ａを
通じてパネル外に出射していく（Ｒ（ｏｕｔ））。この
際、該Ｒ光線（偏光）はやはり画素電極２０１６Ｒに印
加される信号電圧により透明電極２００８との間に形成
される電界による液晶の動作により変調を受けて該液晶
パネルを出射し偏光ビームスプリッタに戻る。そしてそ
の後のプロセスは前述のＧ光の場合と全く同じように、
画像光の１部として投影される。ところで、図４の描写
では画素反射電極２０１６ｇ上の画素反射電極２０１６
Ｒ上の各Ｇ光とＲ光の色光が１部重なり干渉している様
になっているが、これは模式的に液晶層の厚さを拡大誇
張して描いているためであり、実際には該液晶層の厚さ
は〜５μｍであり、シートガラス２００７の５０〜１０
０μｍに比べて非常に薄く、画素サイズに関係なくこの
ような干渉は起こらない。
やはり偏光ビームスプリッタにより偏光化されたのち、
例えばマイクロレンズ２００５ｂに入射するＲ光線に注
目すると図中の矢印Ｒ（ｉｎ）で示したように、該マイ
クロレンズ２００５ｂにより集光されその真下よりも左
側にシフトした位置にあるＲ画素電極２０１６Ｒ上を照
明する。そして該画素電極２０１６Ｒにより反射され、
図示したように今度は隣のマイクロレンズ２００５ａを
通じてパネル外に出射していく（Ｒ（ｏｕｔ））。この
際、該Ｒ光線（偏光）はやはり画素電極２０１６Ｒに印
加される信号電圧により透明電極２００８との間に形成
される電界による液晶の動作により変調を受けて該液晶
パネルを出射し偏光ビームスプリッタに戻る。そしてそ
の後のプロセスは前述のＧ光の場合と全く同じように、
画像光の１部として投影される。ところで、図４の描写
では画素反射電極２０１６ｇ上の画素反射電極２０１６
Ｒ上の各Ｇ光とＲ光の色光が１部重なり干渉している様
になっているが、これは模式的に液晶層の厚さを拡大誇
張して描いているためであり、実際には該液晶層の厚さ
は〜５μｍであり、シートガラス２００７の５０〜１０
０μｍに比べて非常に薄く、画素サイズに関係なくこの
ような干渉は起こらない。
【００３８】Ｇ光、Ｒ光とも大部分の光は、画素反射電
極２０１６中央近傍の高反射金属２０１８部で反射され
る。また収差分、迷光分では、第１の実施例同様に低反
射金属２０１７表面に入射され、ほとんど反射されな
い。その結果、コントラストが高い、高品位の画像が得
られる。
極２０１６中央近傍の高反射金属２０１８部で反射され
る。また収差分、迷光分では、第１の実施例同様に低反
射金属２０１７表面に入射され、ほとんど反射されな
い。その結果、コントラストが高い、高品位の画像が得
られる。
【００３９】図５に本発明の投射型液晶表示装置光学系
の構成図を示す。本図はその上面図を表す図５ａ、正面
図を表す図５ｂ、側面図を表す図５ｃから成っている。
同図において２０１は投影レンズ、２０２は本発明によ
る液晶パネル、２０３は偏光ビームスプリッター（ＰＢ
Ｓ）、２４０はＲ（赤色光）反射ダイクロイックミラ
ー、２４１はＢ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイッ
クミラー、２４２はＢ（青色光）反射ダイクロイックミ
ラー、２４３は全色光を反射する高反射ミラー、２５０
はフレネルレンズ、２５１は凸レンズ、２０６はロッド
型インテグレーター、２０７は楕円リフレクター、２０
８はメタルハライド、ＵＨＰ等のアークランプである。
ここで、Ｒ（赤色光）反射ダイクロイックミラー２４
０、Ｂ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイックミラー
２４１、Ｂ（青色光）反射ダイクロイックミラー２４２
はそれぞれ図６に示したような分光反射特性を有してい
る。そしてこれらのダイクロイックミラーは高反射ミラ
ー２４３とともに図７の斜視図に示したように３次元的
に配置されており、後述するように白色照明光をＲＧＢ
に色分解するとともに液晶パネル２に対して各原色光が
３次元的に異なる方向から該液晶パネルを照明するよう
にしている。
の構成図を示す。本図はその上面図を表す図５ａ、正面
図を表す図５ｂ、側面図を表す図５ｃから成っている。
同図において２０１は投影レンズ、２０２は本発明によ
る液晶パネル、２０３は偏光ビームスプリッター（ＰＢ
Ｓ）、２４０はＲ（赤色光）反射ダイクロイックミラ
ー、２４１はＢ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイッ
クミラー、２４２はＢ（青色光）反射ダイクロイックミ
ラー、２４３は全色光を反射する高反射ミラー、２５０
はフレネルレンズ、２５１は凸レンズ、２０６はロッド
型インテグレーター、２０７は楕円リフレクター、２０
８はメタルハライド、ＵＨＰ等のアークランプである。
ここで、Ｒ（赤色光）反射ダイクロイックミラー２４
０、Ｂ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイックミラー
２４１、Ｂ（青色光）反射ダイクロイックミラー２４２
はそれぞれ図６に示したような分光反射特性を有してい
る。そしてこれらのダイクロイックミラーは高反射ミラ
ー２４３とともに図７の斜視図に示したように３次元的
に配置されており、後述するように白色照明光をＲＧＢ
に色分解するとともに液晶パネル２に対して各原色光が
３次元的に異なる方向から該液晶パネルを照明するよう
にしている。
【００４０】ここで、光束の進行過程に従って説明する
と、まずランプ２０８からの出射光束は白色光であり、
楕円リフレクター２０７によりその前方のインテグレー
ター２０６の入り口に集光され、このインテグレーター
２０６内を反射を繰り返しながら進行するにつれて光束
の空間的強度分布が均一化される。そしてインテグレー
ター２０６を出射した光束は凸レンズ２５１とフレネル
レンズ２５０とによりｘ軸−方向（正面図５ｂ基準）に
平行光束化され、まずＢ反射ダイクロイックミラー２４
２に至る。このＢ反射ダイクロイックミラー２４２では
Ｂ光（青色光）のみが反射されｚ軸−方向つまり下側
（正面図５ｂ基準）にｚ軸に対して所定の角度でＲ反射
ダイクロイックミラー２４０に向かう。一方Ｂ光以外の
色光（Ｒ／Ｇ光）はこのＢ反射ダイクロイックミラー２
４２を通過し、高反射ミラー２４３により直角にｚ軸−
方向（下側）に反射されやはりＲ反射ダイクロイックミ
ラー２４０に向かう。ここでＢ反射ダイクロイックミラ
ー２４２と高反射ミラー２４３は共に正面図５ａを基に
して言えば、インテグレーター２０６からの光束（ｘ軸
−方向）をｚ軸−方向（下側）に反射するように配置し
ており、高反射ミラー２４３はｙ軸方向を回転軸にｘｙ
平面に対して丁度４５°の傾きとなっている。それに対
してＢ反射ダイクロイックミラー２４２はやはりｙ軸方
向を回転軸にｘｙ平面に対してこの４５°よりも浅い角
度に設定されている。従って、高反射ミラー２４３で反
射されたＲ／Ｇ光はｚ軸−方向に直角に反射されるのに
対して、Ｂ反射ダイクロイックミラー２４２で反射され
たＢ光はｚ軸に対して所定の角度（ｘｚ面内チルト）で
下方向に向かう。ここで、Ｂ光とＲ／Ｇ光の液晶パネル
２０２上の照明範囲を一致させるため、各色光の主光線
は液晶パネル２０２上で交差するように、高反射ミラー
２４３とＢ反射ダイクロイックミラー２４２のシフト量
およびチルト量が選択されている。
と、まずランプ２０８からの出射光束は白色光であり、
楕円リフレクター２０７によりその前方のインテグレー
ター２０６の入り口に集光され、このインテグレーター
２０６内を反射を繰り返しながら進行するにつれて光束
の空間的強度分布が均一化される。そしてインテグレー
ター２０６を出射した光束は凸レンズ２５１とフレネル
レンズ２５０とによりｘ軸−方向（正面図５ｂ基準）に
平行光束化され、まずＢ反射ダイクロイックミラー２４
２に至る。このＢ反射ダイクロイックミラー２４２では
Ｂ光（青色光）のみが反射されｚ軸−方向つまり下側
（正面図５ｂ基準）にｚ軸に対して所定の角度でＲ反射
ダイクロイックミラー２４０に向かう。一方Ｂ光以外の
色光（Ｒ／Ｇ光）はこのＢ反射ダイクロイックミラー２
４２を通過し、高反射ミラー２４３により直角にｚ軸−
方向（下側）に反射されやはりＲ反射ダイクロイックミ
ラー２４０に向かう。ここでＢ反射ダイクロイックミラ
ー２４２と高反射ミラー２４３は共に正面図５ａを基に
して言えば、インテグレーター２０６からの光束（ｘ軸
−方向）をｚ軸−方向（下側）に反射するように配置し
ており、高反射ミラー２４３はｙ軸方向を回転軸にｘｙ
平面に対して丁度４５°の傾きとなっている。それに対
してＢ反射ダイクロイックミラー２４２はやはりｙ軸方
向を回転軸にｘｙ平面に対してこの４５°よりも浅い角
度に設定されている。従って、高反射ミラー２４３で反
射されたＲ／Ｇ光はｚ軸−方向に直角に反射されるのに
対して、Ｂ反射ダイクロイックミラー２４２で反射され
たＢ光はｚ軸に対して所定の角度（ｘｚ面内チルト）で
下方向に向かう。ここで、Ｂ光とＲ／Ｇ光の液晶パネル
２０２上の照明範囲を一致させるため、各色光の主光線
は液晶パネル２０２上で交差するように、高反射ミラー
２４３とＢ反射ダイクロイックミラー２４２のシフト量
およびチルト量が選択されている。
【００４１】次に、前述のように下方向（ｚ軸−方向）
に向かったＲ／Ｇ／Ｂ光はＲ反射ダイクロイックミラー
２４０とＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１に向か
うが、これらはＢ反射ダイクロイックミラー２４２と高
反射ミラー２４３の下側に位置し、まず、Ｂ／Ｇ反射ダ
イクロイックミラー２４１はｘ軸を回転軸にｘｚ面に対
して４５°傾いて配置されており、Ｒ反射ダイクロイッ
クミラー２４０はやはりｘ軸方向を回転軸にｘｚ平面に
対してこの４５°よりも浅い角度に設定されている。従
ってこれらに入射するＲ／Ｇ／Ｂ光のうち、まずＢ／Ｇ
光はＲ反射ダイクロイックミラー２４０を通過して、Ｂ
／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１により直角にｙ軸
＋方向に反射され、ＰＢＳ２０３を通じて偏光化された
後、ｘｚ面に水平に配置された液晶パネル２０２を照明
する。このうちＢ光は前述したように（図５ａ、図５ｂ
参照）既ｘ軸に対して所定の角度（ｘｚ面内チルト）で
進行しているため、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２
４１による反射後はｙ軸に対して所定の角度（ｘｙ面内
チルト）を維持し、その角度を入射角（ｘｙ面方向）と
して該液晶パネル２０２を照明する。Ｇ光についてはＢ
／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１により直角に反射
しｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ３を通じて偏光化された
後、入射角０°つまり垂直に該液晶パネル２０２を照明
する。またＲ光については、前述のようにＢ／Ｇ反射ダ
イクロイックミラー２４１の手前に配置されたＲ反射ダ
イクロイックミラー２４０によりＲ反射ダイクロイック
ミラー２４０にてｙ軸＋方向に反射されるが、図５ｃ
（側面図）に示したようにｙ軸に対して所定の角度（ｙ
ｚ面内チルト）でｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ２０３を通
じて偏光化された後、該液晶パネル２０２をこのｙ軸に
対する角度を入射角（ｙｚ面方向）として照明する。ま
た、前述と同様にＲＧＢ各色光の液晶パネル２０２上の
照明範囲を一致させるため、各色光の主光線は液晶パネ
ル２０２上で交差するようにＢ／Ｇ反射ダイクロイック
ミラー２４１とＲ反射ダイクロイックミラー２４０のシ
フト量およびチルト量が選択されている。さらに、図６
に示したようにＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１
のカット波長は５７０ｎｍ、Ｒ反射ダイクロイックミラ
ー２４０のカット波長は６００ｎｍであるから、不要な
橙色光はＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１を透過
して捨てられる。これにより最適な色バランスを得るこ
とができる。
に向かったＲ／Ｇ／Ｂ光はＲ反射ダイクロイックミラー
２４０とＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１に向か
うが、これらはＢ反射ダイクロイックミラー２４２と高
反射ミラー２４３の下側に位置し、まず、Ｂ／Ｇ反射ダ
イクロイックミラー２４１はｘ軸を回転軸にｘｚ面に対
して４５°傾いて配置されており、Ｒ反射ダイクロイッ
クミラー２４０はやはりｘ軸方向を回転軸にｘｚ平面に
対してこの４５°よりも浅い角度に設定されている。従
ってこれらに入射するＲ／Ｇ／Ｂ光のうち、まずＢ／Ｇ
光はＲ反射ダイクロイックミラー２４０を通過して、Ｂ
／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１により直角にｙ軸
＋方向に反射され、ＰＢＳ２０３を通じて偏光化された
後、ｘｚ面に水平に配置された液晶パネル２０２を照明
する。このうちＢ光は前述したように（図５ａ、図５ｂ
参照）既ｘ軸に対して所定の角度（ｘｚ面内チルト）で
進行しているため、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２
４１による反射後はｙ軸に対して所定の角度（ｘｙ面内
チルト）を維持し、その角度を入射角（ｘｙ面方向）と
して該液晶パネル２０２を照明する。Ｇ光についてはＢ
／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１により直角に反射
しｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ３を通じて偏光化された
後、入射角０°つまり垂直に該液晶パネル２０２を照明
する。またＲ光については、前述のようにＢ／Ｇ反射ダ
イクロイックミラー２４１の手前に配置されたＲ反射ダ
イクロイックミラー２４０によりＲ反射ダイクロイック
ミラー２４０にてｙ軸＋方向に反射されるが、図５ｃ
（側面図）に示したようにｙ軸に対して所定の角度（ｙ
ｚ面内チルト）でｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ２０３を通
じて偏光化された後、該液晶パネル２０２をこのｙ軸に
対する角度を入射角（ｙｚ面方向）として照明する。ま
た、前述と同様にＲＧＢ各色光の液晶パネル２０２上の
照明範囲を一致させるため、各色光の主光線は液晶パネ
ル２０２上で交差するようにＢ／Ｇ反射ダイクロイック
ミラー２４１とＲ反射ダイクロイックミラー２４０のシ
フト量およびチルト量が選択されている。さらに、図６
に示したようにＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１
のカット波長は５７０ｎｍ、Ｒ反射ダイクロイックミラ
ー２４０のカット波長は６００ｎｍであるから、不要な
橙色光はＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー２４１を透過
して捨てられる。これにより最適な色バランスを得るこ
とができる。
【００４２】そして後述するように液晶パネル２０２に
て各ＲＧＢ光は反射＆偏光変調され、ＰＢＳ２０３に戻
り、ＰＢＳ２０３のＰＢＳ面２０３ａにてｘ軸＋方向に
反射する光束が画像光となり、投影レンズ１を通じて、
スクリーン（不図示）に拡大投影される。ところで、該
液晶パネル２０２を照明する各ＲＧＢ光は入射角が異な
るため、そこから反射されてくる各ＲＧＢ光もその出射
角を異にしているが、投影レンズ１としてはこれらを全
て取り込むに十分な大きさのレンズ径及び開口のものを
用いている。ただし、投影レンズ２０１に入射する光束
の傾きは、各色光がマイクロレンズを２回通過すること
により平行化され、液晶パネル２０２への入射光の傾き
を維持している。透過型では、液晶パネルを出射した光
束はマイクロレンズの集光作用分も加わってより大きく
広がってしまうので、この光束を取り込むための投影レ
ンズはさらに大きな開口数が求められ、高価なレンズと
なっていた。しかし、本例では液晶パネル２０２からの
光束の広がりはこのように比較的小さくなるので、より
小さな開口数の投影レンズでもスクリーン上で十分に明
るい投影画像を得ることができ、より安価な投影レンズ
を用いることが可能になる。
て各ＲＧＢ光は反射＆偏光変調され、ＰＢＳ２０３に戻
り、ＰＢＳ２０３のＰＢＳ面２０３ａにてｘ軸＋方向に
反射する光束が画像光となり、投影レンズ１を通じて、
スクリーン（不図示）に拡大投影される。ところで、該
液晶パネル２０２を照明する各ＲＧＢ光は入射角が異な
るため、そこから反射されてくる各ＲＧＢ光もその出射
角を異にしているが、投影レンズ１としてはこれらを全
て取り込むに十分な大きさのレンズ径及び開口のものを
用いている。ただし、投影レンズ２０１に入射する光束
の傾きは、各色光がマイクロレンズを２回通過すること
により平行化され、液晶パネル２０２への入射光の傾き
を維持している。透過型では、液晶パネルを出射した光
束はマイクロレンズの集光作用分も加わってより大きく
広がってしまうので、この光束を取り込むための投影レ
ンズはさらに大きな開口数が求められ、高価なレンズと
なっていた。しかし、本例では液晶パネル２０２からの
光束の広がりはこのように比較的小さくなるので、より
小さな開口数の投影レンズでもスクリーン上で十分に明
るい投影画像を得ることができ、より安価な投影レンズ
を用いることが可能になる。
【００４３】次に、図８に本例での色分解色合成原理説
明図を示す。ここで図８ａは液晶パネル２０２の上面模
式図、図８ｂ、図８ｃはそれぞれ該液晶パネル上面模式
図に対するＡ−Ａ′（ｘ方向）断面模式図、Ｂ−Ｂ′
（ｚ方向）断面模式図である。このうち図８ｃはｙｚ断
面を表す上記図７に対応するものであり、各マイクロレ
ンズアレイ２２２に入射するＧ光とＲ光の入出射の様子
を表している。これから判るように各Ｇ画素電極は各マ
イクロレンズ中心の真下に配置され、各Ｒ画素電極は各
マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。従って
Ｒ光の入射角はそのｔａｎθが画素ピッチ（Ｂ＆Ｒ画
素）とマイクロレンズ・画素電極間距離の比に等しくな
るように設定するのが好ましい。一方図８ｂは該液晶パ
ネル２０２のｘｙ断面に対応するものである。このｘｙ
断面についてはＢ画素電極とＧ画素電極とが図８ｃと同
様に交互に配置されており、やはり各Ｇ画素電極は各マ
イクロレンズ中心の真下に配置され、各Ｂ画素電極は各
マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。ところ
で該液晶パネルを照明するＢ光については、前述したよ
うにＰＢＳ２０３による偏光化後、図中断面（ｘｙ面）
の斜め方向から入射してくるため、Ｒ光の場合と全く同
様に各マイクロレンズから入射したＢ光線は図示したよ
うにＢ画素電極により反射され、入射したマイクロレン
ズに対してｘ方向に隣り合うマイクロレンズから出射す
る。Ｂ画像電極上の液晶による変調や液晶パネルからの
Ｂ出射光の投影については、前述のＧ光およびＲ光と同
様である。また、各Ｂ画素電極は各マイクロレンズ間境
界の真下に配置されており、Ｂ光の液晶パネルに対する
入射角についてもＲ光と同様にそのｔａｎθが画素ピッ
チ（Ｇ＆Ｂ画素）とマイクロレンズ・画素電極間距離の
比に等しくなるように設定するのが好ましい。ところで
本例液晶パネルでは以上述べたように各ＲＧＢ画素の並
びがｚ方向に対してはＲＧＲＧＲＧ…ｘ方向に対しては
ＢＧＢＧＢＧ…となっているが、図８ａはその平面的な
並びを示している。このように各画素サイズは縦横共に
マイクロレンズの約半分になっており、画素ピッチはｘ
ｚ両方向ともにマイクロレンズのそれの半分になってい
る。また、Ｇ画素は平面的にもマイクロレンズ中心の真
下に位置し、Ｒ画素はｚ方向のＧ画素間かつマイクロレ
ンズ境界に位置し、Ｂ画素はｘ方向のＧ画素間かつマイ
クロレンズ境界に位置している。また、１つのマイクロ
レンズ単位の形状は矩形（画素の２倍サイズ）となって
いる。
明図を示す。ここで図８ａは液晶パネル２０２の上面模
式図、図８ｂ、図８ｃはそれぞれ該液晶パネル上面模式
図に対するＡ−Ａ′（ｘ方向）断面模式図、Ｂ−Ｂ′
（ｚ方向）断面模式図である。このうち図８ｃはｙｚ断
面を表す上記図７に対応するものであり、各マイクロレ
ンズアレイ２２２に入射するＧ光とＲ光の入出射の様子
を表している。これから判るように各Ｇ画素電極は各マ
イクロレンズ中心の真下に配置され、各Ｒ画素電極は各
マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。従って
Ｒ光の入射角はそのｔａｎθが画素ピッチ（Ｂ＆Ｒ画
素）とマイクロレンズ・画素電極間距離の比に等しくな
るように設定するのが好ましい。一方図８ｂは該液晶パ
ネル２０２のｘｙ断面に対応するものである。このｘｙ
断面についてはＢ画素電極とＧ画素電極とが図８ｃと同
様に交互に配置されており、やはり各Ｇ画素電極は各マ
イクロレンズ中心の真下に配置され、各Ｂ画素電極は各
マイクロレンズ間境界の真下に配置されている。ところ
で該液晶パネルを照明するＢ光については、前述したよ
うにＰＢＳ２０３による偏光化後、図中断面（ｘｙ面）
の斜め方向から入射してくるため、Ｒ光の場合と全く同
様に各マイクロレンズから入射したＢ光線は図示したよ
うにＢ画素電極により反射され、入射したマイクロレン
ズに対してｘ方向に隣り合うマイクロレンズから出射す
る。Ｂ画像電極上の液晶による変調や液晶パネルからの
Ｂ出射光の投影については、前述のＧ光およびＲ光と同
様である。また、各Ｂ画素電極は各マイクロレンズ間境
界の真下に配置されており、Ｂ光の液晶パネルに対する
入射角についてもＲ光と同様にそのｔａｎθが画素ピッ
チ（Ｇ＆Ｂ画素）とマイクロレンズ・画素電極間距離の
比に等しくなるように設定するのが好ましい。ところで
本例液晶パネルでは以上述べたように各ＲＧＢ画素の並
びがｚ方向に対してはＲＧＲＧＲＧ…ｘ方向に対しては
ＢＧＢＧＢＧ…となっているが、図８ａはその平面的な
並びを示している。このように各画素サイズは縦横共に
マイクロレンズの約半分になっており、画素ピッチはｘ
ｚ両方向ともにマイクロレンズのそれの半分になってい
る。また、Ｇ画素は平面的にもマイクロレンズ中心の真
下に位置し、Ｒ画素はｚ方向のＧ画素間かつマイクロレ
ンズ境界に位置し、Ｂ画素はｘ方向のＧ画素間かつマイ
クロレンズ境界に位置している。また、１つのマイクロ
レンズ単位の形状は矩形（画素の２倍サイズ）となって
いる。
【００４４】図９−ａに本液晶パネルの部分拡大上面図
を示す。ここで図中の破線格子２２９は１つの絵素を構
成するＲＧＢ画素のまとまりを示している。つまり、図
４のアクティブマトリクスにより各ＲＧＢ画素が駆動さ
れる際、破線格子２２９で示されるＲＧＢ画素ユニット
は同一画素位置に対応したＲＧＢ映像信号にて駆動され
る。ここでＲ画素電極２２６ｒ、Ｇ画素電極２２６ｇ、
Ｂ画素電極２２６ｂから成る１つの絵素に注目してみる
と、まずＲ画素電極２２６ｒは矢印ｒ１で示されるよう
にマイクロレンズ２２２ｂから前述したように斜めに入
射するＲ光で照明され、そのＲ反射光は矢印ｒ２で示す
ようにマイクロレンズ２２２ａを通じて出射する。Ｂ画
素電極２２６は矢印ｂ１で示されるようにマイクロレン
ズ２２２ｃから前述したように斜めに入射するＢ光で照
明され、そのＢ反射光は矢印ｂ２で示すようにやはりマ
イクロレンズ２２２ａを通じて出射する。またＧ画素電
極２２６ｇは正面後面矢印ｇ１２で示されるように、マ
イクロレンズ２２２ａから前述したように垂直（紙面奥
へ向かう方向）に入射するＧ光で照明され、そのＧ反射
光は同じマイクロレンズ２２２ａを通じて垂直に（紙面
手前に出てくる方向）出射する。このように、本液晶パ
ネルにおいては、１つの絵素を構成するＲＧＢ画素ユニ
ットについて、各原色照明光の入射照明位置は異なるも
のの、それらの出射については同じマイクロレンズ（こ
の場合は２２ａ）から行われる。そしてこのことはその
他の全ての絵素（ＲＧＢ画素ユニット）についても成り
立っている。
を示す。ここで図中の破線格子２２９は１つの絵素を構
成するＲＧＢ画素のまとまりを示している。つまり、図
４のアクティブマトリクスにより各ＲＧＢ画素が駆動さ
れる際、破線格子２２９で示されるＲＧＢ画素ユニット
は同一画素位置に対応したＲＧＢ映像信号にて駆動され
る。ここでＲ画素電極２２６ｒ、Ｇ画素電極２２６ｇ、
Ｂ画素電極２２６ｂから成る１つの絵素に注目してみる
と、まずＲ画素電極２２６ｒは矢印ｒ１で示されるよう
にマイクロレンズ２２２ｂから前述したように斜めに入
射するＲ光で照明され、そのＲ反射光は矢印ｒ２で示す
ようにマイクロレンズ２２２ａを通じて出射する。Ｂ画
素電極２２６は矢印ｂ１で示されるようにマイクロレン
ズ２２２ｃから前述したように斜めに入射するＢ光で照
明され、そのＢ反射光は矢印ｂ２で示すようにやはりマ
イクロレンズ２２２ａを通じて出射する。またＧ画素電
極２２６ｇは正面後面矢印ｇ１２で示されるように、マ
イクロレンズ２２２ａから前述したように垂直（紙面奥
へ向かう方向）に入射するＧ光で照明され、そのＧ反射
光は同じマイクロレンズ２２２ａを通じて垂直に（紙面
手前に出てくる方向）出射する。このように、本液晶パ
ネルにおいては、１つの絵素を構成するＲＧＢ画素ユニ
ットについて、各原色照明光の入射照明位置は異なるも
のの、それらの出射については同じマイクロレンズ（こ
の場合は２２ａ）から行われる。そしてこのことはその
他の全ての絵素（ＲＧＢ画素ユニット）についても成り
立っている。
【００４５】従って、図９−ｂに示すように本液晶パネ
ルからの全出射光をＰＢＳ２０３および投影レンズアレ
イ２０１を通じてスクリーン２０９に投写するに際し
て、液晶パネル２０２内のマイクロレンズ位置がスクリ
ーン２０９上に結像投影されるように光学調整すると、
その投影画像はマイクロレンズの格子内に各絵素を構成
する該ＲＧＢ画素ユニットからの出射光が混色した状態
つまり同画素混色した状態の絵素を構成単位としたもの
となる。そして、ＲＧＢモザイクが無い質感の高い良好
なカラー画像表示が可能となる。
ルからの全出射光をＰＢＳ２０３および投影レンズアレ
イ２０１を通じてスクリーン２０９に投写するに際し
て、液晶パネル２０２内のマイクロレンズ位置がスクリ
ーン２０９上に結像投影されるように光学調整すると、
その投影画像はマイクロレンズの格子内に各絵素を構成
する該ＲＧＢ画素ユニットからの出射光が混色した状態
つまり同画素混色した状態の絵素を構成単位としたもの
となる。そして、ＲＧＢモザイクが無い質感の高い良好
なカラー画像表示が可能となる。
【００４６】＜実施例３＞図１０に第３の実施例の液晶
表示装置のアクティブマトリクス上の反射電極の構造を
示す。
表示装置のアクティブマトリクス上の反射電極の構造を
示す。
【００４７】本実施例は、反射電極の一部に低反射の絶
縁性物質を形成して、低反射領域をつくったものであ
る。図１０において、マトリクス基板３００は画素反射
電極を駆動するスイッチングトランジスタ及び周辺回路
をつくりこんだマトリクス基板、その上に画素反射電極
として用いる高反射導電膜３０１及び画素分離領域３０
２がほぼ同平面上に形成されている。３０１のうち、電
極の中央から遠い部分には画素分離領域３０２上に延在
した黒色樹脂３０３を、パターニング形成した。樹脂は
通常ブラックマトリクスに使用しているものでよく、厚
さを５００〜３０００Å程度にすることでも充分効果が
ある。また、余り厚くすると、配向膜形成後のラビング
処理や段差での液晶の配向乱れ対策が困難になるので、
これらのマージンを考慮して決める必要がある。
縁性物質を形成して、低反射領域をつくったものであ
る。図１０において、マトリクス基板３００は画素反射
電極を駆動するスイッチングトランジスタ及び周辺回路
をつくりこんだマトリクス基板、その上に画素反射電極
として用いる高反射導電膜３０１及び画素分離領域３０
２がほぼ同平面上に形成されている。３０１のうち、電
極の中央から遠い部分には画素分離領域３０２上に延在
した黒色樹脂３０３を、パターニング形成した。樹脂は
通常ブラックマトリクスに使用しているものでよく、厚
さを５００〜３０００Å程度にすることでも充分効果が
ある。また、余り厚くすると、配向膜形成後のラビング
処理や段差での液晶の配向乱れ対策が困難になるので、
これらのマージンを考慮して決める必要がある。
【００４８】本実施例の効果は、 従来構造の上に１層の形成で済むので容易に効果があ
がる。
がる。
【００４９】パターニングにより、低反射領域を自由
に決めることができる。
に決めることができる。
【００５０】光吸収の良い樹脂を使用できる。
【００５１】アクティブマトリクス基板に対する遮光
を兼ねることができる。本実施例を実施例２と同様の光
学システムで使用可能な事は言うまでもない。
を兼ねることができる。本実施例を実施例２と同様の光
学システムで使用可能な事は言うまでもない。
【００５２】＜実施例４＞図１１に第４の実施例の液晶
表示装置のアクティブマトリクス上反射電極の構造を示
す。
表示装置のアクティブマトリクス上反射電極の構造を示
す。
【００５３】本実施例は、反射電極の一部に低反射の導
電性物質を形成して、低反射領域をつくったものであ
る。図１１において、マトリクス基板３００は画素反射
電極を駆動するスイッチングトランジスタ及び周辺回路
をつくりこんだマトリクス基板、その上に画素反射電極
として用いる高反射導電膜３０１及び画素分離領域３０
２がほぼ同一平面上に形成されている。高反射導電膜３
０１のうち、電極の中央から遠い部分には低反射導電膜
３０４がパターニング形成されている。第１の実施例と
同様に低反射導電膜３０４としては、例えば、Ｔｉ，Ｔ
ｉＮ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれらのＳｉ化合物及びＳｉ
合金を用いることが出来る。
電性物質を形成して、低反射領域をつくったものであ
る。図１１において、マトリクス基板３００は画素反射
電極を駆動するスイッチングトランジスタ及び周辺回路
をつくりこんだマトリクス基板、その上に画素反射電極
として用いる高反射導電膜３０１及び画素分離領域３０
２がほぼ同一平面上に形成されている。高反射導電膜３
０１のうち、電極の中央から遠い部分には低反射導電膜
３０４がパターニング形成されている。第１の実施例と
同様に低反射導電膜３０４としては、例えば、Ｔｉ，Ｔ
ｉＮ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びこれらのＳｉ化合物及びＳｉ
合金を用いることが出来る。
【００５４】厚みは金属の遮光能力により決定すべきで
あるが、Ｔｉの場合例えば２００〜１０００Åあれば３
０％以下の低反射が得られる。段差の影響も考慮すべき
であるのは、第３実施例と同様である。また、アクティ
ブマトリクス基板側の遮光は（従来から行われている様
に）マトリクス基板内、反射電極より下層に３０２とし
て設けてある。
あるが、Ｔｉの場合例えば２００〜１０００Åあれば３
０％以下の低反射が得られる。段差の影響も考慮すべき
であるのは、第３実施例と同様である。また、アクティ
ブマトリクス基板側の遮光は（従来から行われている様
に）マトリクス基板内、反射電極より下層に３０２とし
て設けてある。
【００５５】本実施例の効果としては、 実現容易な構造である。
【００５６】パターニングにより、低反射領域を自由
に決められる。
に決められる。
【００５７】極めて薄い膜厚の低反射膜を使用でき
る。などである。本実施例を実施例２と同じ光学システ
ムで使用可能である事は言うまでもない。
る。などである。本実施例を実施例２と同じ光学システ
ムで使用可能である事は言うまでもない。
【００５８】＜実施例５＞図１２−１に第５の実施例の
液晶表示装置のアクティブマトリクス上反射電極の構造
を示す。
液晶表示装置のアクティブマトリクス上反射電極の構造
を示す。
【００５９】本実施例は、反射電極の表面の一部を低反
射の導電性物質におきかえた構造を有するものである。
電極表面は、ほぼ同一平面とする事ができる。図１２に
おいて、マトリクス基板３００は画素反射電極を駆動す
るスイッチングトランジスタ及び周辺回路をつくりこん
だマトリクス基板、その上に画素反射電極として用いる
高反射導電膜の一部が削られ、低反射導電物質３０４が
埋めこまれている。画素分離領域３０２はこれらの電極
とほぼ同平面上に形成されている。
射の導電性物質におきかえた構造を有するものである。
電極表面は、ほぼ同一平面とする事ができる。図１２に
おいて、マトリクス基板３００は画素反射電極を駆動す
るスイッチングトランジスタ及び周辺回路をつくりこん
だマトリクス基板、その上に画素反射電極として用いる
高反射導電膜の一部が削られ、低反射導電物質３０４が
埋めこまれている。画素分離領域３０２はこれらの電極
とほぼ同平面上に形成されている。
【００６０】また、第４実施例と同様に、マトリクス基
板側の遮光は３０５の様に反射電極の下層に作りこまれ
ている。
板側の遮光は３０５の様に反射電極の下層に作りこまれ
ている。
【００６１】図１２−１の製造方法を述べる。
【００６２】図１２−２は高反射金属表面を平坦にした
状態を示す。
状態を示す。
【００６３】次に表面にプラズマ窒化膜３０６を堆積
後、パターニングし、低反射化したい領域を露出させる
（図１２−３）。
後、パターニングし、低反射化したい領域を露出させる
（図１２−３）。
【００６４】異方性エッチングにより例えばＡｌの高反
射電極をエッチングする（図１２−４）。
射電極をエッチングする（図１２−４）。
【００６５】Ａｌを数百Å以上残存させた後、選択金属
成長によりＡｌの除去された部分を低反射金属で埋めこ
む（図１２−５）。
成長によりＡｌの除去された部分を低反射金属で埋めこ
む（図１２−５）。
【００６６】この材料としては技術的に成熱しているＷ
が有効であるが、低反射であれば他の金属も可能であ
る。最後に表面のプラズマ窒化膜を除去して所望の構造
を得る。
が有効であるが、低反射であれば他の金属も可能であ
る。最後に表面のプラズマ窒化膜を除去して所望の構造
を得る。
【００６７】本実施例の効果としては、 表面がほぼ同一平面になるので、液晶工程でのラビン
グ処理が均一になる。従って配向制御が容易である。
グ処理が均一になる。従って配向制御が容易である。
【００６８】Ｗを用いると、Ｗ自身の低反射性に加
え、表面が荒れ、より低反射化できる。
え、表面が荒れ、より低反射化できる。
【００６９】＜実施例６＞図１３に第６の実施例を示
す。本実施例は低反射領域として、高反射金属の表面を
粗にしたものを使用するものである。
す。本実施例は低反射領域として、高反射金属の表面を
粗にしたものを使用するものである。
【００７０】図１３にマトリクス基板３００上の反射電
極３０１とこれとほぼ同一平面上にある画素分離領域３
０２を示す。３０１の一部は表面が粗化されており（３
０７）、散乱性が強いため、鏡面反射成分は小さくな
る。
極３０１とこれとほぼ同一平面上にある画素分離領域３
０２を示す。３０１の一部は表面が粗化されており（３
０７）、散乱性が強いため、鏡面反射成分は小さくな
る。
【００７１】Ａｌの表面を粗化するためには、反射電極
を平坦にした後にレジストをパターニングし、粗化した
い領域を露出させた後３００ｗ〜１Ｋｗの電力のＡｒプ
ラズマ中にさらす。この方法で表面反射率を３０％以下
にすることができた。
を平坦にした後にレジストをパターニングし、粗化した
い領域を露出させた後３００ｗ〜１Ｋｗの電力のＡｒプ
ラズマ中にさらす。この方法で表面反射率を３０％以下
にすることができた。
【００７２】本実施例の技術によれば、 表面がほぼ同一平面のため、ラビング処理が均一にな
り、配向制御容易； プロセスが容易； である。
り、配向制御容易； プロセスが容易； である。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 マイクロレンズの収差及び形状のばらつきによるコン
トラストの低下を防止した高画質の表示装置を得ること
ができる。
トラストの低下を防止した高画質の表示装置を得ること
ができる。
【００７４】光学系の迷光が表示画像に入りこまな
い、高画質の表示装置を得ることができる。
い、高画質の表示装置を得ることができる。
【００７５】低コストで画像品位を向上した表示装置
を得ることができる。
を得ることができる。
【図１】（１−１）は本発明による液晶表示装置の第１
実施例の断面模式図。（１−２）は図（１−１）の光経
路を詳細に示した図。
実施例の断面模式図。（１−２）は図（１−１）の光経
路を詳細に示した図。
【図２】本発明による液晶表示装置の反射電極の拡大斜
視図。
視図。
【図３】（３−１）〜（３−４）は本発明による液晶表
示装置の製造方法。
示装置の製造方法。
【図４】本発明による第２実施例の液晶表示装置を説明
する断面模式図。
する断面模式図。
【図５】本発明による第２実施例の投射型液晶表示装置
の光学構成を説明する図。
の光学構成を説明する図。
【図６】本発明による第２実施例の反射ダイクロイック
ミラーの分光反射特性を説明する図。
ミラーの分光反射特性を説明する図。
【図７】本発明による第２実施例の反射ダイクロイック
ミラーの３次元配置を説明する図。
ミラーの３次元配置を説明する図。
【図８】本発明による第２実施例の液晶表示パネルの平
面図。
面図。
【図９】（ａ）は本発明の第２実施例の液晶表示パネル
の拡大平面図。（ｂ）は本発明の第２実施例の投射型表
示装置の光学構成を説明する図。
の拡大平面図。（ｂ）は本発明の第２実施例の投射型表
示装置の光学構成を説明する図。
【図１０】本発明による第３の実施例の液晶表示装置の
断面模式図。
断面模式図。
【図１１】本発明による第４の実施例の液晶表示装置の
断面模式図。
断面模式図。
【図１２】（１２−１）は本発明による第５の実施例の
液晶表示装置の断面模式図。（１２−２）〜（１２−
５）は本発明による第５の実施例の液晶表示装置の製造
方法を示す工程図。
液晶表示装置の断面模式図。（１２−２）〜（１２−
５）は本発明による第５の実施例の液晶表示装置の製造
方法を示す工程図。
【図１３】本発明による第６の実施例の液晶表示装置の
断面模式図。
断面模式図。
【図１４】（１４−１），（１４−２）は従来例の断面
模式図。
模式図。
１０１ 透明基板、 １０２ アクティブマトリクス基板、 １０３ 液晶物質、 １０４ ガラス基板、 １０５ カラーフィルタアレイ、 １０６ ブラックマトリクス、 １０７ マイクロレンズアレイ、 １０８ 透明電極、 １０９ 液晶を配向させるための透明基板側配向膜、 １１０ 画素反射電極、 １１１ アクティブマトリクス側配向膜、 １１２ スイッチングトランジスタ、 １１３ スルーホール、 １１４ 高反射金属、 １１５ 低反射金属、 １１６ シリコン又はガラス基板、
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の画素反射電極をアレイ状に配置し
た第１の基板と、複数のマイクロレンズをアレイ状に配
置した第２の基板とを液晶物質を挟んで対向させて構成
した反射型液晶表示装置において、 上記第１の基板上の該画素反射電極の各々は、上記各マ
イクロレンズにより集光された光が照射される領域に設
けられた、可視光に対して高反射率を有する第１の反射
領域と、該第１の反射領域の周囲に設けられ、それより
低反射率を有する第２の反射領域とを有することを特徴
とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１において、該第１の反射領域に
は、該マイクロレンズにより集光された光の大部分が照
射され、該第２の反射領域には、該マイクロレンズによ
り集光された光のうち、レンズの収差、迷光成分が照射
されることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該第１の反射
領域は、該画素反射電極のそれぞれの中央部に設けら
れ、該第２の反射領域により平面的に囲まれたことを特
徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２において、該第１の反射
領域は、上記高反射率の第１の導電性物質で構成され、
該第２の領域は上記低反射率の第２の導電性物質で構成
されることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１又は２において、該第１の反射
領域は、導電性物質により構成され、該第２の反射領域
は、上記導電性物質上に、該導電性物質より低反射率を
有する物質を積層してなることを特徴とする反射型液晶
表示装置。 - 【請求項６】 請求項１又は２において、第１の反射領
域は高反射率の表面形状により構成され、第２の反射領
域は、低反射率の表面形状を有することにより、反射率
が第１の反射領域より低いことを特徴とする反射型液晶
表示装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の反
射型液晶表示装置を用いたことを特徴とする投写型液晶
表示装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の投写型液晶表示装置に
おいて、液晶パネルを３色カラー用に少なくとも３個有
し、高反射ミラーと、青色反射ダイクロイックミラーと
で青色光を分離し、更に赤色反射ダイクロイックミラー
と、緑色／青色反射ダイクロイックミラーで赤色と緑色
とを分離して、各液晶パネルを投射することを特徴とす
る投写型液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30704397A JP3199313B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置 |
| US09/188,106 US6172723B1 (en) | 1997-11-10 | 1998-11-09 | Reflection type LCD pixel having outer low reflectivity region surrounding high reflectivity region upon which microlens light is focussed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30704397A JP3199313B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11143404A true JPH11143404A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3199313B2 JP3199313B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17964365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30704397A Expired - Fee Related JP3199313B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6172723B1 (ja) |
| JP (1) | JP3199313B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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