JP2013167812A - プロジェクター - Google Patents

プロジェクター Download PDF

Info

Publication number
JP2013167812A
JP2013167812A JP2012031850A JP2012031850A JP2013167812A JP 2013167812 A JP2013167812 A JP 2013167812A JP 2012031850 A JP2012031850 A JP 2012031850A JP 2012031850 A JP2012031850 A JP 2012031850A JP 2013167812 A JP2013167812 A JP 2013167812A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pixel
sub
microlens
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012031850A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5974527B2 (ja
JP2013167812A5 (ja
Inventor
Koichi Akiyama
光一 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012031850A priority Critical patent/JP5974527B2/ja
Priority to US13/553,250 priority patent/US8714747B2/en
Priority to CN201210265143.6A priority patent/CN102902144B/zh
Publication of JP2013167812A publication Critical patent/JP2013167812A/ja
Publication of JP2013167812A5 publication Critical patent/JP2013167812A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5974527B2 publication Critical patent/JP5974527B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】画像の解像度が低下しにくいプロジェクターを提供する。
【解決手段】プロジェクター1は、光源10と、光源10から射出された光を第1の光G,Bと第2の光Y,Rとに分離する第1の光分離光学系31と、第1の光G,Bを第3の光Gと第4の光Bとに分離し、前記第2の光Y,Rを第5の光Rと第6の光Yとに分離し、光源10から射出された光Wの光軸と第1の光Gの光軸とを含む平面と交差する方向に第3の光Gと第4の光Bと第5の光Rと第6の光Yとを射出する第2の光分離光学系32と、第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yが入射する光変調素子40と、を備えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、プロジェクターに関するものである。
光源から射出された光を複数の色光に空間分離し、分離された各色光をそれぞれ対応するサブ画素に入射させることによってカラー表示を行う単板式のプロジェクターとして、特許文献1に記載のプロジェクターが知られている。特許文献1のプロジェクターでは、光源から射出された光の入射光軸に沿って、赤色反射ダイクロイックミラー、緑色反射ダイクロイックミラーおよび青色反射ダイクロイックミラーが互いに非平行な状態で配置されている。これによって、光源から射出された光は、同一平面上で進行方向が互いに僅かに異なる赤色光、緑色光および青色光に分離される。分離された赤色光、緑色光および青色光は、光変調素子の入射側に設けられたマイクロレンズによってそれぞれ集光され、空間的に分離された状態で、光変調素子の赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素にそれぞれ入射される。
特開平4−60538号公報
特許文献1のプロジェクターでは、赤色反射ダイクロイックミラー、緑色反射ダイクロイックミラーおよび青色反射ダイクロイックミラーが、光の入射光軸に沿って並べて配置されているため、赤色光、緑色光および青色光は一方向に、つまり一次元的に分離される。この場合、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素は、一方向に、つまり一次元的に並べて配置される。そのため、仮に赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素の形状を正方形とすると、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素によって構成される1つの画素のアスペクト比は3:1となり、赤色サブ画素、緑色サブ画素および青色サブ画素の並び方向の画像の解像度が低下する。
本発明は、画像の解像度が低下しにくいプロジェクターを提供することを目的とする。
本発明のプロジェクターは、光源と、前記光源から射出された光を第1の光と第2の光とに分離する第1の光分離光学系と、前記第1の光を第1の色の第3の光と第2の色の第4の光とに分離し、前記第2の光を第3の色の第5の光と第4の色の第6の光とに分離し、前記光源から射出された光の光軸と前記第1の光の光軸とを含む平面と交差する方向に該第3の光と該第4の光と該第5の光と該第6の光とを射出する第2の光分離光学系と、前記第3の光、前記第4の光、前記第5の光および前記第6の光が入射する光変調素子と、を備えている。
この構成によれば、光源から射出された光を第1の光分離光学系と第2の光分離光学系によって2方向に、つまり二次元的に分離することができる。そのため、光変調素子が備える画素において、第3の光が入射すべきサブ画素と、第4の光が入射すべきサブ画素と、第5の光が入射すべきサブ画素と第6の光が入射すべきサブ画素とを二次元的に配列することができる。よって、画像の解像度が低下しにくいプロジェクターが提供される。
前記第1の光分離光学系は、前記第1の光を反射し前記第2の光を透過する第1の反射素子と、前記第2の光を反射する第2の反射素子と、を含み、前記第2の光分離光学系は、前記第3の光と前記第5の光とを反射し前記第4の光と前記第6の光とを透過する第3の反射素子と、前記第4の光と前記第6の光とを反射する第4の反射素子と、を含んでもよい。
この構成によれば、光源から射出された光を簡単な構成で第3の光、第4の光、第5の光および第6の光に分離することができる。
前記第1の反射素子の反射面は前記第2の反射素子の反射面に対して傾いており、前記第3の反射素子の反射面は前記第4の反射素子の反射面に対して傾いていてもよい。
この構成によれば、光源から射出された光を簡単な構成で第3の光、第4の光、第5の光および第6の光に分離することができる。
前記第1の光分離光学系に入射する前記光の光軸に対して45°をなす仮想の軸を第1の軸とし、前記第1の光分離光学系に入射する前記光の光軸と前記第1の軸との双方に直交する仮想の軸に対して45°をなす仮想の軸を第2の軸としたときに、前記第1の反射素子の反射面と前記第1の軸とのなす角度と前記第2の反射素子の反射面と前記第1の軸とのなす角度とが互いに等しく、前記第3の反射素子の反射面と前記第2の軸とのなす角度と前記第4の反射素子の反射面と前記第2の軸とのなす角度とが互いに等しくてもよい。
この構成によれば、第3の光、第4の光、第5の光および第6の光を光変調素子に対して4方向から互いに等しい角度で入射させることができる。
前記光変調素子が備える画素は、前記第3の光に対応した第1のサブ画素と前記第4の光に対応した第2のサブ画素と前記第5の光に対応した第3のサブ画素と前記第6の光に対応した第4のサブ画素とからなり、前記画素に対応してマイクロレンズが前記光変調素子の光入射側に設けられ、前記マイクロレンズは、前記第3の光の一部を前記第1のサブ画素に向けて集光し、前記第4の光の一部を前記第2のサブ画素に向けて集光し、前記第5の光の一部を前記第3のサブ画素に向けて集光し、前記第6の光の一部を前記第4のサブ画素に向けて集光してもよい。
この構成によれば、1つのマイクロレンズと対向する領域に4つのサブ画素が二次元的に配置されている。そのため、比較的パワー(屈折力)が小さいマイクロレンズを用いて、第3の光の一部を第1のサブ画素に入射させ、第4の光の一部を第2のサブ画素に向けて入射させ、第5の光の一部を第3のサブ画素に向けて入射させ、第6の光の一部を第4のサブ画素に向けて入射させることができる。よって、マイクロレンズの製造が容易となる。
前記第1のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第1のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、前記第2のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第2のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、前記第3のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第3のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、前記第4のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第4のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であってもよい。
この構成によれば、マイクロレンズの集光像とサブ画素の形状とをマッチングさせることにより、光利用効率の向上と光変調素子の小型化とを図ることができる。
前記第1のサブ画素、前記第2のサブ画素、前記第3のサブ画素および前記第4のサブ画素の形状はそれぞれ、略正方形であってもよい。
この構成によれば、第1のサブ画素、第2のサブ画素、第3のサブ画素および第4のサブ画素によって形成される1画素の形状が略正方形となる。そのため、画像の解像度の低下が生じにくい。
前記マイクロレンズは、非球面レンズでもよい。
この構成によれば、第3の光の一部を前記第1のサブ画素に入射させ、前記第4の光の一部を前記第2のサブ画素に向けて入射させ、前記第5の光の一部を前記第3のサブ画素に向けて入射させ、前記第6の光の一部を前記第4のサブ画素に向けて入射させることが容易となる。
前記マイクロレンズよりも可視域波長での屈折率が0.4以上小さい低屈折率層が、前記マイクロレンズのレンズ面側に設けられていてもよい。
この構成によれば、マイクロレンズの屈折力を大きくしなくてもよい。そのため、マイクロレンズとして、非球面レンズだけでなく球面レンズを用いることができる。これにより、マイクロレンズの製造が容易になる。
前記低屈折率層は、気体層または真空層であってもよい。
この構成によれば、低屈折率層の屈折率をほぼ1とすることができる。これにより、マイクロレンズのとの屈折率差を最大にすることができ、マイクロレンズの製造が容易になる。なお、気体層を構成する気体としては、空気、窒素、アルゴンなどの種々の気体が利用でき、経済性の面からは空気が好適である。真空層を構成する真空は、大気圧(1気圧)よりも小さい減圧状態であればよく、必ずしも圧力がゼロの完全な真空でなくてもよい。
前記マイクロレンズは球面レンズであってもよい。
この構成によれば、マイクロレンズの製造が容易になる。また、マイクロレンズの収差を小さくすることも容易になる。
前記第3の光、前記第4の光、前記第5の光および前記第6の光は、それぞれ青色光、緑色光、黄色光および赤色光の中から選択される1つの色光であってもよい。
この構成によれば、青色光、緑色光、黄色光および赤色光を用いた色再現性の高い画像表示が可能となる。
前記第3の光は、緑色光又は黄色光であってもよい。
第3の光、第4の光、第5の光および第6の光は、光変調素子までの光路長が互いに異なる。光変調素子までの光路長が長くなると、光が大きく広がった状態で光変調素子に入射するため、光変調素子の表示領域に入射する光の光量が低下し、暗い表示となる。第3の光は、第1の反射素子と第3の反射素子で反射されるので、光変調素子までの光路長は最も短い。そのため、光の広がりは最も小さくなり、明るい表示が可能となる。よって、第3の光を人間の視感度が高い緑色光又は黄色光とすれば、視認性のよい画像表示が可能となる。
第1実施形態のプロジェクターの模式図である。 第1実施形態の光分離光学系の模式図である。 光分離光学系による色分離の様子を示す模式図である。 マイクロレンズアレイの構成および作用を説明する図である。 第2実施形態のプロジェクターの光分離光学系の模式図である。 光分離光学系による色分離の様子を示す模式図である。 第3実施形態のプロジェクターの光分離光学系の模式図である。 光分離光学系による色分離の様子を示す模式図である。 第4実施形態のマイクロレンズアレイの断面図である。 第4実施形態のマイクロレンズのレンズ面側に低屈折率層または高屈折率層を設けた場合の光の屈折の様子を示す図である。 第4実施形態の光変調素子の断面図である。 第5実施形態の光変調素子の断面図である。
[第1実施形態]
図1(a)は、第1実施形態のプロジェクター1を水平方向から見た側面図であり、図1(b)は、同プロジェクター1を鉛直方向から見た上面図である。
プロジェクター1は、可視光を含む光Wを射出する光源10と、光源10から射出された非偏光な光Wを偏光方向が揃った光(例えばS偏光)に変換する偏光変換光学系20と、光源10からの光Wを波長域が互いに異なる4種類の色光(第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Y)に分離する光分離光学系30と、外部から供給される画像情報に基づいて4種類の色光G,B,R,Yを変調しカラーの光学像を形成する単一の光変調素子40と、形成されたカラーの光学像を不図示の投射面上に投射する投射光学系50と、を備えている。
光源10は、放射状に光Wを射出する光源ランプ11と、光源ランプ11から放射された光Wを一方向に向けて射出するリフレクター12とを備えている。なお、光源ランプ11としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等を使用することができる。リフレクター12としては、放物面リフレクター、楕円面リフレクター、球面リフレクター等を使用することができる。
偏光変換光学系20は、光源10から射出された光Wを略平行化して射出する凹レンズ21と、凹レンズ21から射出された光Wの照度分布を均一化するインテグレーター光学系としての第1のレンズアレイ(光束分割素子)22及び第2のレンズアレイ(集光光学素子)23と、非偏光な光Wに含まれる2種類の偏光(P偏光、S偏光)を一つの偏光(例えばS偏光)に揃えて射出する偏光変換素子24と、重畳レンズ(重畳素子)25と、を備えている。なお、偏光変換光学系20は、例えば特開平8−304739号公報にその詳細が開示されている公知の技術であるため、詳細な説明は省略する。
光分離光学系30は、第1の反射素子33および第2の反射素子34からなる第1の光分離光学系31と、第3の反射素子35および第4の反射素子36からなる第2の光分離光学系32と、第2の光分離光学系32から射出された光を光変調素子40に集光する集光レンズ37と、を備えている。
光分離光学系30は、第1の光分離光学系31と第2光分離光学系32によって、光源10から射出された光Wを2方向に、つまり二次元的に分離する。そして、詳細は後で説明するが、分離された第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを光変調素子40に対して互いに異なる方向から入射させ、第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを光変調素子40の互いに異なるサブ画素で変調させる。
光変調素子40は、複数の画素を備える。光変調素子40は、光分離光学系30で分離された第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを、図示しない外部から供給される画像情報に基づいてそれぞれ独立に光変調してカラーの光学像を形成し、入射側とは反対側から投射光学系50に向けて射出する透過型の液晶装置である。光変調素子40は、図示しない一対の基板間に例えばVAモードの液晶層を挟持した構成を有する。光変調素子40の1画素内には、第3の光Gを変調する第1のサブ画素、第4の光Bを変調する第2のサブ画素、第5の光Rを変調する第3のサブ画素、および第6の光Yを変調する第4のサブ画素が設けられている。これらの4つのサブ画素は、Y方向とZ方向に2行2列で配置されている。
図2は、光分離光学系30の模式図である。
光分離光学系30は、第1の光分離光学系31と第2の光分離光学系32とを備えている。
第1の光分離光学系31は、光源10から射出された光Wを第1の光W1GBと第2の光W2YRとに分離する。ここで、光源10から射出された光Wの光軸方向がZ軸方向と一致し、第1の光W1GBの光軸方向がY軸方向と概ね一致するように、XYZ座標系を設定する。
第2の光分離光学系32は、第1の光W1GBを第1の色の第3の光Gと第2の色の第4の光Bとに分離し、第2の光W2YRを第3の色の第5の光Rと第4の色の第6の光Yとに分離する。さらに、第2の光分離光学系32は、第3の光Gと第4の光Bと第5の光Rと第6の光Yとを、YZ平面と交差する方向に射出する。
このように、第1の光分離光学系31は、Z軸方向に進む光を概ねY軸方向に進む二つの光に分離し、第2の光分離光学系32は、概ねY軸方向に進む光を更にYZ平面と交差する方向に進む二つの光に分離する。そこで本明細書では、このような光分離を、光源10から射出された光Wを、第1の光分離光学系と第2の光分離光学系によって2方向に、つまり二次元的に分離する、と表現する。
集光レンズ37は、第2の光分離光学系32から射出された第3の光Gと第4の光Bと第5の光Rと第6の光Yとを光変調素子40に向けて集光する。
本実施形態の場合、第3の光Gは緑色光(520nm以上560nm未満の波長の光)であり、第4の光Bは青色光(380nm以上520nm未満の波長の光)であり、第5の光Rは赤色光(600nm以上750nm以下の波長の光)であり、第6の光Yは黄色光(560nm以上600nm未満の波長の光)であるが、第3の光、第4の光、第5の光および第6の光は、これに限定されない。ただし、人間が知覚可能な色域に対して赤色光、緑色光および青色光の3原色光を用いた現在の表示素子で表現可能な色域は特に490nmから570nm近傍の波長域でかなり狭いこと、また、緑色光に対する人間の視覚感度は高く、緑色光は鑑賞時の解像度感に大きな影響を及ぼすことを考慮すると、緑色光を2つの波長域(短波長側の緑色光、長波長側の緑色光(黄色光))に分離して、それぞれを独立に変調することが望ましい。
第1の光分離光学系31は、第1の光W1GBを反射し第2の光W2YRを透過する第1の反射素子33と、第2の光W2YRを反射する第2の反射素子34と、を含む。第2の光分離光学系32は、第3の光Gと第5の光Rとを反射し第4の光Bと第6の光Yとを透過する第3の反射素子35と、第4の光Bと第6の光Yとを反射する第4の反射素子36と、を含む。
第1の反射素子33および第3の反射素子35は、特定の波長域の色光を透過或いは反射させる波長選択性を備えたミラー(ダイクロイックミラー)である。第2の反射素子34は、第1の反射素子33を透過した光をZ軸と交差する方向に反射させる。第4の反射素子36は、第3の反射素子35を透過した光をYZ面と交差する方向に反射させる。そのため、第2の反射素子34と第4の反射素子36は一般的なミラーでもよいが、ダイクロイックミラーを用いてもよい。ダイクロイックミラーとすれば、特定の波長域の光だけを選択的に反射することができるので、照明光の色純度を高めやすくなる。さらに、赤外線や紫外線を透過するダイクロイックミラーを用いれば、光変調素子の劣化を低減することができる。
図2では、第1の反射素子33と第3の反射素子35に反射される第3の光Gを緑色光としたが、第3の光Gはこれに限定されない。ただし、次の理由により、第3の光は視感度の高い緑色光か黄色光にすることが好ましい。すなわち、第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yは、光変調素子までの光路長が互いに異なる。光変調素子までの光路長が長くなると、光が大きく広がった状態で光変調素子に入射するため、光変調素子の表示領域に入射する光の光量が低下し、暗い表示となる。第3の光Gは、第1の反射素子33と第3の反射素子35で反射されるので、光変調素子までの光路長は最も短い。そのため、光の広がりは最も小さくなり、明るい表示が可能となる。よって、第3の光Gを人間の視感度が高い緑色光又は黄色光とすれば、視認性のよい画像表示が可能となる。
第1の反射素子33の反射面33aは第2の反射素子34の反射面34aに対して傾いており、第3の反射素子35の反射面35aは第4の反射素子36の反射面36aに対して傾いている。
例えば、第1の光分離光学系31に入射する光Wの光軸(Z軸)に対して45°をなす仮想の軸を第1の軸Ax1とすると、第1の反射素子33の反射面33aと第1の軸Ax1とのなす角度(θ1)は第2の反射素子34の反射面34aと第1の軸Ax1とのなす角度(θ2)と等しい。
また、第1の光分離光学系31に入射する光Wの光軸(Z軸)と第1の軸Ax1との双方に直交する仮想の軸に対して45°をなす仮想の軸を第2の軸Ax2とすると、第3の反射素子35の反射面35aと第2の軸Ax2とのなす角度(θ3)は第4の反射素子36の反射面36aと第2の軸Ax2とのなす角度(θ4)と等しい。
この構成によれば、第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを、光変調素子40に対して4方向から、基準方向とのなす角が互いに等しい角度で入射させることができる。基準方向とは、たとえば光変調素子40の面法線である。なお、本実施形態の場合、角度θ1、角度θ2、角度θ3および角度θ4は、いずれも7°であるが、角度θ1、角度θ2、角度θ3および角度θ4は、これに限定されない。
本実施形態では、第3の光Gの光軸と第4の光Bの光軸とを含む平面(XY平面)が、第3の光Gの光軸と第5の光Rの光軸とを含む平面(XZ平面)と直交するように、反射面33aと反射面34aと反射面35aと反射面36aとを設置している。これにより、光源10から射出された光Wを2方向に二次元的に分離することが可能となる。
図3は、第1の光分離光学系31および第2の光分離光学系32による色分離の様子を示す模式図である。図4(a)は、複数のマイクロレンズを備えたマイクロレンズアレイ41の斜視図である。マイクロレンズアレイ41は光変調素子40の光入射側に設けられている。図3(a)には複数の画素PXのうち一つの画素PXAを示しており、複数のマイクロレンズのうち一つのマイクロレンズ41Aは画素PXAと対応するように設けられている。図3(a)は、光源からの光Wを色分離せずにそのままマイクロレンズ41Aを介して光変調素子の画素PXAに入射させた場合の画素PXAの平面図である。図3(b)は、光源からの光Wを第1の光分離光学系で第1の光W1GBおよび第2の光W2YRに分離した後、第2の光分離光学系で色分離せずにマイクロレンズ41Aを介して光変調素子の画素PXAに入射させた場合の画素PXAの平面図である。図3(c)は、光源からの光Wを第1の光分離光学系および第2の光分離光学系で第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yに分離した後、マイクロレンズ41Aを介して光変調素子40の画素PXAに入射させた場合の画素PXAの平面図である。
なお、光変調素子40は、画素PX内に、第3の光Gに対応して設けられた第1のサブ画素PG、第4の光Bに対応して設けられた第2のサブ画素PB、第5の光Rに対応して設けられた第3のサブ画素PRおよび第6の光Yに対応して設けられた第4のサブ画素PYと、を含む。マイクロレンズ41Aは、マイクロレンズアレイ41に入射した光のうち、第3の光Gの一部を第1のサブ画素PGに向けて集光し、第4の光Bの一部を第2のサブ画素PBに向けて集光し、第5の光Rの一部を第3のサブ画素PRに向けて集光し、第6の光Yの一部を第4のサブ画素PYに向けて集光させる。ここで、例えば第3の光Gの一部とは、第3の光Gのうちマイクロレンズ41Aに入射した光、という意味である。マイクロレンズ41Aの中心軸方向から見たときに、画素PXAとマイクロレンズ41Aとが平面視でぴったり重なるように両者の寸法形状が形成されている。1つの画素PXには、互いに独立に光変調を行う略正方形の4つのサブ画素(第1のサブ画素PG、第2のサブ画素PB、第3のサブ画素PRおよび第4のサブ画素PY)が設けられ、4つのサブ画素が互いに直交する2方向に二次元的に配列することにより、略正方形の画素PXが形成されている。画素PXの形状が略正方形とされることで、画像の縦方向と横方向のいずれの方向においても、画像の解像度の低下が生じにくくなっている。
第1のサブ画素PGの形状は、マイクロレンズ41Aによって第1のサブ画素PGに向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、第2のサブ画素PBの形状は、マイクロレンズ41Aによって第2のサブ画素PBに向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、第3のサブ画素PRの形状は、マイクロレンズ41Aによって第3のサブ画素PRに向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、第4のサブ画素PYの形状は、マイクロレンズ41Aによって第4のサブ画素PYに向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状である。このようにマイクロレンズ41Aの集光像とサブ画素の形状とをマッチングさせることにより、光利用効率の向上と光変調素子の小型化とを図ることが可能となっている。
図3(a)に示すように、光源からの光Wを第1の光分離光学系および第2の光分離光学系のいずれによっても分離しない場合には、光Wはマイクロレンズ41Aの中心軸を通って画素PXAの中央部に入射する。
図3(b)に示すように、光Wを第1の光分離光学系で第1の光W1GBと第2の光W2YRとに分離すると、第1の光W1GBと第2の光W2YRとはそれぞれ、画素PXA内の互いに異なる位置に入射する。画素PXA内において第1の光W1GBが入射する位置と第2の光W2YRが入射する位置とを結ぶ方向を第1の方向とする。
図3(c)に示すように、第1の光分離光学系で分離された第1の光W1GBと第2の光W2YRをさらに第2の光分離光学系で分離すると、第1の光W1GBは、第1の方向と交差する方向に第3の光Gと第4の光Bとに分離される。また、第2の光W2YRは、第1の方向と交差する方向に第5の光Rと第6の光Yとに分離される。
画素PX内において、第3の光Gが照射される位置を位置A3とし、第4の光Bが照射される位置を位置A4とし、第5の光Rが照射される位置を位置A5とし、第6の光Yが照射される位置を位置A6とする。また、位置A3と位置A4とを結ぶ直線を直線L1とし、位置A5と位置A6とを結ぶ直線を直線L2とする。本実施形態によれば、直線L1は直線L2と一致していない。直線L1が直線L2と一致するということは、第1のサブ画素PG、第2のサブ画素PB、第3のサブ画素PRおよび第4のサブ画素PYが一次元的に配列されているということである。図3(c)に示すように、位置A3と位置A4と位置A5と位置A6は、画素PX内において擬似マトリクス状に位置している。
従って、第3の光Gが入射すべき第1のサブ画素PGと、第4の光Bが入射すべき第2のサブ画素PBと、第5の光Rが入射すべき第3のサブ画素PRと、第6の光Yが入射すべき第4のサブ画素PYとを、画素PX内に二次元的にマトリクス状に配置することができる。
図4(a)は、複数のマイクロレンズを備えたマイクロレンズアレイ41の斜視図である。図4(b)および図4(c)は、マイクロレンズアレイ41により第3の光Gと第4の光Bとが空間分離されて、それぞれ第1のサブ画素PGと第2のサブ画素PBとに入射する様子を示す図である。
図4(a)に示すように、マイクロレンズアレイ41は、互いに直交する2方向(Y方向とZ方向)に配列した複数のマイクロレンズを備えている。複数のマイクロレンズのうち一のマイクロレンズ41Aは、その中心軸41ax方向(X方向)から見た平面形状が略正方形であり、且つ、その中心軸41axを通るXY平面と平行な平面で切った断面の形状が山形である非球面レンズである。マイクロレンズアレイ41は、光変調素子40の内部に内蔵されていてもよいし、光変調素子40の光入射側に、光変調素子40とは別体に設けられていてもよい。
ここで、マイクロレンズ41Aに対応する画素PXを画素PXAとする。また、画素PXAが備える第1のサブ画素PGを第1のサブ画素PGAとし、画素PXAが備える第2のサブ画素PBを第2のサブ画素PBAとする。
図4(b)に示すように、第3の光Gは、マイクロレンズ41Aの中心軸41axに対して角度αをなす方向からマイクロレンズアレイ41に入射する。第3の光Gのうち、マイクロレンズ41Aに入射した光は、マイクロレンズ41Aによって第1のサブ画素PGAに向かって集光され、第1のサブ画素PGAのほぼ中央部に入射される。
図4(c)に示すように、第4の光Bは、マイクロレンズ41Aの中心軸41axに対して角度βをなす方向からマイクロレンズアレイ41に入射する。第4の光Bのうち、マイクロレンズ41Aに入射した光は、マイクロレンズ41Aによって第2のサブ画素PBAに向かって集光され、第2のサブ画素PBAのほぼ中央部に入射される。
角度αが角度βとほぼ等しくなるようにすれば、画素PXAにおいて、第3の光Gのうちマイクロレンズ41Aに入射した光が照射される領域と第4の光Bのうちマイクロレンズ41Aに入射した光が照射される領域とは、中心軸41axを通りZ軸と平行な面に対して対称となる。他の画素PXにおいても同様である。
したがって、角度αと角度βとを適切に設定すれば、複数の第1のサブ画素PGと複数の第2のサブ画素PBとをY軸方向に交互に規則的に配置することができる。
図4(b)と図4(c)を用いて、第3の光Gと第4の光Bとについて説明したが、同様に、第5の光Rは第3のサブ画素PRAに入射し、第6の光Yは第4のサブ画素PYAに入射する。
また、図4(b)と図4(c)では、Z軸方向から見たときの光の進み方を説明したが、Y軸方向から見たときの光の進み方も同様であるので、説明を省略する。
マイクロレンズ41Aのパワー(屈折力)は、マイクロレンズ41Aの高さ(X方向の厚み)によって変化する。マイクロレンズ41Aの高さが高いほどパワーは大きくなるが、製造は難しくなる。本実施形態のマイクロレンズ41Aは、1つのマイクロレンズ41Aと対向する領域に4つのサブ画素が2行2列で配置され、マイクロレンズ41Aの中心軸41axを挟んで対称な方向から入射した4つの光を互いに直交する2方向に空間分離すればよい。そのため、マイクロレンズ41Aのパワーはさほど大きくする必要がない。よって、マイクロレンズ41Aの製造が容易となる。
以上のように、本実施形態のプロジェクター1によれば、光源10から射出された光Wを第1の光分離光学系31と第2の光分離光学系32によって2方向に分離して、互いに色が異なる第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを生成することができる。そのため、第3の光Gが入射する第1のサブ画素PGと、第4の光Bが入射する第2のサブ画素PBと、第5の光Rが入射する第3のサブ画素PRと第6の光Yが入射する第4のサブ画素PYとを二次元的に配列することができる。よって、画像の解像度が低下しにくいプロジェクターが提供される。特に本実施形態においては、第1のサブ画素PGと第2のサブ画素PBと第3のサブ画素PRと第4のサブ画素PYとが2行2列のマトリクス状に配置されているため、高画質の画像を表示することができる。
[第2実施形態]
図5は、第2実施形態のプロジェクターに用いられる光分離光学系60の模式図である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
光分離光学系60において第1実施形態の光分離光学系30と異なる点は、光分離光学系60の第1の反射素子63および第3の反射素子65の透過波長および反射波長が、第1実施形態の光分離光学系30の第1の反射素子33および第3の反射素子35の透過波長および反射波長と異なる点である。
第1の光分離光学系61は、第1の光W1GRを反射し第2の光W2YBを透過する第1の反射素子63と、第2の光W2YBを反射する第2の反射素子64と、を含む。第2の光分離光学系62は、第3の光Gと第5の光Bとを反射し第4の光Rと第6の光Yとを透過する第3の反射素子65と、第4の光Rと第6の光Yとを反射する第4の反射素子66と、を含む。
本実施形態の場合、第3の光Gは緑色光(520nm以上560nm未満の波長の光)であり、第4の光Rは赤色光(600nm以上750nm以下の波長の光)であり、第5の光Bは青色光(380nm以上520nm未満の波長の光)であり、第6の光Yは黄色光(560nm以上600nm未満の波長の光)である。
第1の反射素子63と第2の反射素子64との配置関係や、第3反射素子65と第4反射素子66との配置関係は、第1実施形態における第1の反射素子33と第2の反射素子34との配置関係や、第3反射素子35と第4反射素子36との配置関係と同じである。
図6は、第1の光分離光学系および第2の光分離光学系による色分離の様子を示す模式図である。
本実施形態の場合、光源から射出された光Wは第1の光分離光学系61によって、第1の光W1GRと第2の光W2YBとに分離される。ここで、光源10から射出された光Wの光軸方向がZ軸方向と一致し、第1の光W1GRの光軸方向がY軸方向と概ね一致するように、XYZ座標系を設定する。
第1の光W1GRは第2の光分離光学系62によって、第3の光Gと第4の光Rとに分離され、第2の光W2YBは第2の光分離光学系62によって、第5の光Bと第6の光Yとに分離される。さらに、第2の光分離光学系32は、第3の光Gと第4の光Rと第5の光Bと第6の光Yとを、YZ平面と交差する方向に射出する。第1実施形態と同様に、位置A3と位置A4と位置A5と位置A6は、画素PX内において擬似マトリクス状に位置している。
これにより、第3の光Gが入射するサブ画素PGと、第4の光Rが入射するサブ画素PRと、第5の光Bが入射するサブ画素PBと第6の光Yが入射するサブ画素PYとを2行2列のマトリクス状に配列することができる。よって、第1実施形態と同様に、画像の解像度が低下しにくいプロジェクターが提供される。
[第3実施形態]
図7は、第3実施形態のプロジェクターに用いられる光分離光学系70の模式図である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
光分離光学系70において第1実施形態の光分離光学系30と異なる点は、光分離光学系70の第1の反射素子73および第3の反射素子75の透過波長および反射波長が、第1実施形態の光分離光学系30の第1の反射素子33および第3の反射素子35の透過波長および反射波長と異なる点である。
第1の光分離光学系71は、第1の光W1GYを反射し第2の光W2RBを透過する第1の反射素子73と、第2の光W2RBを反射する第2の反射素子74と、を含む。第2の光分離光学系72は、第3の光Gと第5の光Rとを反射し第4の光Yと第6の光Bとを透過する第3の反射素子75と、第4の光Yと第6の光Bとを反射する第4の反射素子76と、を含む。
本実施形態の場合、第3の光Gは緑色光(520nm以上560nm未満の波長の光)であり、第4の光Yは黄色光(560nm以上600nm未満の波長の光)であり、第5の光Rは赤色光(600nm以上750nm以下の波長の光)であり、第6の光Bは青色光(380nm以上520nm未満の波長の光)である。
第1の反射素子73と第2の反射素子74との配置関係や、第3反射素子75と第4反射素子76との配置関係は、第1実施形態における第1の反射素子33と第2の反射素子34との配置関係や、第3反射素子35と第4反射素子36との配置関係と同じである。
図8は、第1の光分離光学系および第2の光分離光学系による色分離の様子を示す模式図である。
本実施形態の場合、光源から射出された光Wは第1の光分離光学系71によって、第1の光W1GYと第2の光W2RBとに分離される。ここで、光源10から射出された光Wの光軸方向がZ軸方向と一致し、第1の光W1GYの光軸方向がY軸方向と一致するように、XYZ座標系を設定する。
第1の光W1GYは第2の光分離光学系72によって、第3の光Gと第4の光Yとに分離され、第2の光W2RBは第2の光分離光学系72によって、第5の光Rと第6の光Bとに分離される。さらに、第2の光分離光学系32は、第3の光Gと第4の光Yと第5の光Rと第6の光Bとを、YZ平面と交差する方向に射出する。本実施形態においても、位置A3と位置A4と位置A5と位置A6は、画素PX内において擬似マトリクス状に位置している。
これにより、第3の光Gが入射するサブ画素PGと、第4の光Yが入射するサブ画素PYと、第5の光Rが入射するサブ画素PRと第6の光Bが入射するサブ画素PBとを2行2列のマトリクス状に配列することができる。よって、第1実施形態と同様に、画像の解像度が低下しにくいプロジェクターが提供される。
[第4実施形態]
図9は、第4実施形態のプロジェクターに適用されるマイクロレンズアレイ81の断面図である。図10は、第4実施形態のマイクロレンズのレンズ面側に低屈折率層または高屈折率層を設けた場合の光の屈折の様子を示す図である。図11は、第4実施形態の光変調素子の断面図である。
本実施形態にかかるプロジェクターと第1実施形態にかかるプロジェクターとの主要な違いは、マイクロレンズアレイが備えるマイクロレンズのレンズ面の形状と、マイクロレンズのレンズ面側に低屈折率層を設けたことである。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態に係るプロジェクターは、マイクロレンズアレイ41のかわりにマイクロレンズアレイ81を備え、さらに光変調素子40のかわりに光変調素子80を備えている。
図11に示すように、光変調素子80は、透過型の液晶装置である。光変調素子80は、光変調素子40と同様に複数の画素PXを備え、一の画素PXは、第3の光Gに対応して設けられた第1のサブ画素PG、第4の光Bに対応して設けられた第2のサブ画素PB、第5の光Rに対応して設けられた第3のサブ画素PRおよび第6の光Yに対応して設けられた第4のサブ画素PYを備える。図11では、第1のサブ画素PGと第2のサブ画素PBのみが図示されているが、実際には、第1のサブ画素PGと第2のサブ画素PBの紙面奥側に第3のサブ画素PRと第4のサブ画素PYが設けられている。これらの4つのサブ画素は、Y方向とZ方向に2行2列で配置され、さらに格子状のブラックマトリクスBMで区画されている。また、光変調素子80は、後述するマイクロレンズアレイ81を内蔵している。なお、光変調素子80の構成は、後述の記載で詳しく説明する。
マイクロレンズアレイ81は光変調素子80の光入射側に設けられている。第1実施形態において図3および図4を用いて説明したように、本実施形態においても、複数のマイクロレンズ81Aは複数の画素に対応して設けられている。また、マイクロレンズによって光が各サブ画素に集光される様子は、第1実施形態における集光の様子と同じであるため、詳細な説明は省略する。
図9に示すように、マイクロレンズアレイ81とマイクロレンズアレイ41との違いはレンズ面の形状だけであるので、詳細な説明は省略する。複数のマイクロレンズのうち一のマイクロレンズ81Aは、そのレンズ面81Asが球面からなる球面レンズである。また図9に示したように、マイクロレンズ81Aのレンズ面81As側に、マイクロレンズ81Aよりも屈折率の小さい低屈折率層84が設けられている。低屈折率層84はマイクロレンズ81Aよりも屈折率が大きく低減された層として構成されており、マイクロレンズ81Aと低屈折率層84との界面で大きな光の屈折が生じるようになっている。マイクロレンズアレイ81は、光変調素子80の内部に内蔵されていてもよいし、光変調素子80の光入射側に、光変調素子80とは別体に設けられていてもよい。なお、図11では、マイクロレンズアレイ81が光変調素子80に内蔵されている例が示されている。
図10(a)は、本実施例のようにマイクロレンズ81Aのレンズ面81As側に低屈折率層84を設けた場合の光の屈折の様子を示す図であり、図10(b)は、比較例としてマイクロレンズ81Aのレンズ面81As側に高屈折率層88を設けた場合の光の屈折の様子を示す模式図である。
図10(b)に示すように、マイクロレンズ81Aのレンズ面81As側に高屈折率層88を設けた場合には、マイクロレンズ81Aの屈折率と高屈折率層88の屈折率との差が比較的小さいため、マイクロレンズ81Aと高屈折率層88との界面で光を大きく屈折させることができない。前述のように、本実施形態のプロジェクターでは、1つのマイクロレンズ81Aと対向する領域に4つのサブ画素を2行2列で配置し、マイクロレンズ81Aの中心軸を挟んで対称な方向から入射した4つの光を互いに直交する2方向に空間分離している。そのため、マイクロレンズ81Aの屈折力がさほど大きくなくても、マイクロレンズ81Aに入射した光を対応するサブ画素に分離して入射させることが容易である。しかし、マイクロレンズ81Aと高屈折率層88との屈折率差が非常に小さい場合には、マイクロレンズ81Aに入射した光Gおよび光Bそれぞれが目的とするサブ画素PGおよびサブ画素PBに十分に入射せず、一部の光がブラックマトリクスBMで遮光され利用できなくなる惧れがある。このような事態を避けるためには、実施例1乃至3で説明したように、マイクロレンズ81Aを屈折力の高い非球面レンズとすればよい。
これに対して、本実施形態では、図10(a)に示すように、マイクロレンズ81Aのレンズ面81As側に低屈折率層84を設ける。この場合には、マイクロレンズ81Aの屈折率と低屈折率層84の屈折率との差が十分大きいため、マイクロレンズ81Aと低屈折率層84との界面で光を大きく屈折させることができる。本実施形態のプロジェクターでは、マイクロレンズ81Aの屈折力がさほど大きくなくても、マイクロレンズ81Aに入射した光を対応するサブ画素に分離して入射させることが容易である。そのため、マイクロレンズ81Aとして屈折力の大きい非球面レンズだけでなく、屈折力の比較的小さい球面レンズを用いることも可能となる。球面レンズは非球面レンズに比べて製造が容易であり、安価に製造することができるとともに、レンズ形状もほぼ設計どおりのものが得られるため、収差を小さくすることも容易である。よって、マイクロレンズ81Aに入射した光Gおよび光Bそれぞれを目的とするサブ画素PGおよびサブ画素PBに精度よく入射させることが可能となる。
図11は、マイクロレンズアレイ81を内蔵している光変調素子80のXY断面を示す模式図である。
光変調素子80は、TFT(薄膜トランジスター)等の回路素子が形成された第1基板85と、マイクロレンズアレイ81を備えた第2基板83と、第1基板85と第2基板83との間に挟持された液晶層86と、を備えている。
第1基板85には、複数のサブ画素(第1のサブ画素PG、第2のサブ画素PB、第3のサブ画素PR、第4のサブ画素PY)を区画するブラックマトリクスBMが形成されている。
図示は省略したが、第1基板85の光射出側(液晶層86側とは反対側)および第2基板83の光入射側(液晶層86側とは反対側)には、それぞれ偏光板が設置されている。また、図示は省略したが、第1基板85の液晶層86側の面には、サブ画素毎に1つずつ画素電極が形成されており、第2基板83の液晶層86側の面には、各画素電極に共通の共通電極が表示領域全面に形成されている。
第2基板83は、複数のマイクロレンズ81Aをマトリクス状に備えてなるマイクロレンズアレイ81と、マイクロレンズアレイ81の光入射側に対向配置され、光分離光学系30から入射した第3の光G、第4の光B、第5の光Rおよび第6の光Yを透過する光透過性の部材からなる透明基板82と、を備えている。
マイクロレンズ81Aは、透明基板81Cの表面をエッチングすることにより形成されている。
透明基板81Cとしては屈折率が高い材料が用いられ、例えば、ネオセラム(589.3nmの波長における屈折率が1.541)などが好適である。透明基板81Cの中央部は複数のマイクロレンズ81Aがマトリクス状に配置されてなるレンズ領域となっており、レンズ領域の周囲はエッチングが施されていない非レンズ領域となっている。非レンズ領域は、マイクロレンズ81Aよりも透明基板82側に突出した突起部81Bとなっている。突起部81Bは矩形形状を有する透明基板81Cの4辺に沿って矩形枠状に形成されており、突起部81Bと透明基板82とは厚さ0.1μm程度の薄いガラス質の接合膜87で接合されている。
マイクロレンズアレイ81の厚みは例えば40μm〜50μmである。マイクロレンズアレイ81は厚みが1.0mm〜1.4mmの厚い透明基板82と接合されることで、強度が補強されている。
マイクロレンズ81Aと透明基板82との間には隙間が形成されており、マイクロレンズ81Aと透明基板82とは隙間を空けて互いに接触しないように配置されている。マイクロレンズ81Aと透明基板82との隙間は突起部81Bと透明基板82によって密閉されており、該隙間にはマイクロレンズ81Aよりも屈折率の小さい低屈折率層84が設けられている。低屈折率層84は、マイクロレンズ81Aとの間で大きな屈折率差を生じさせるものであればよく、例えば空気などの気体からなる気体層や真空層などが好適である。本実施形態の場合、マイクロレンズアレイ81と透明基板82は減圧雰囲気下で接合されており、マイクロレンズ81Aと透明基板82との間の隙間(低屈折率層84)は真空層である。
低屈折率層84とマイクロレンズ81Aとの屈折率差は、マイクロレンズ81Aに入射する光の波長領域において0.4以上であることが好ましい。本実施形態では、マイクロレンズ81Aに緑色光と青色光と赤色光と黄色光とが入射するため、可視域波長(380nm以上750nm以下の全波長域)で0.4以上であることが好ましい。これにより、マイクロレンズ81Aとして球面レンズを用いることが可能となる。
なお、気体層を構成する気体としては、空気、窒素、アルゴンなどの種々の気体を用いることができ、経済性の面からは空気が好適である。真空層を構成する真空とは、大気圧(1気圧)よりも小さい減圧状態であればよく、必ずしも圧力がゼロの完全な真空でなくてもよい。
本実施形態のように、マイクロレンズ81Aのレンズ面81As側にマイクロレンズ81Aとの屈折率差が大きい低屈折率層84を設けることで、マイクロレンズ81Aとして球面レンズを用いることが可能となる。例えば、低屈折率層84として気体層や真空層を用いた場合、低屈折率層84の屈折率はほぼ1であるため、マイクロレンズ81Aと低屈折率層84との屈折率差は最大となる。この場合、マイクロレンズ81Aの屈折力が小さくても、マイクロレンズ81Aに入射した光を大きく屈折させて目的とするサブ画素に入射させることができる。そのため、マイクロレンズ81Aとして屈折力の大きい非球面レンズだけでなく、屈折力の比較的小さい球面レンズを用いることも可能となる。球面レンズは非球面レンズに比べて製造が容易であり、安価に製造することができるとともに、レンズ形状もほぼ設計どおりのものが得られるため、収差を小さくすることも容易である。よって、マイクロレンズ81Aに入射した光を目的とするサブ画素に精度よく入射させることが可能となる。
[第5実施形態]
第5実施形態では、第4実施形態における光変調素子80のかわりに光変調素子90を用いる。図12は、本実施形態の光変調素子90のXY断面を示す模式図である。本実施形態において第4実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
光変調素子90は、第1基板85と、マイクロレンズアレイ81を備えた第2基板93と、第1基板85と第2基板93との間に挟持された液晶層86と、を備えている。第4実施形態と同様、マイクロレンズ81Aは球面レンズからなる。
第2基板93は、マイクロレンズアレイ81と、第1透明基板92と、第2透明基板98と、を備えている。マイクロレンズアレイ81の光射出側には厚みが40μm〜50μmの薄い第1透明基板92が接合されている。また、マイクロレンズアレイ81の光入射側には厚みが1.0mm〜1.4mmの厚い第2透明基板98が接合されている。マイクロレンズアレイ81および第1透明基板92が厚い第2透明基板98と接合されることで、マイクロレンズアレイ91および第1透明基板92の強度が補強されている。
第4実施形態と同様に本実施形態においても、マイクロレンズ81Aのレンズ面81As側にマイクロレンズ81Aよりも屈折率の小さい低屈折率層84が設けられている。本実施形態の場合、低屈折率層94は空気層である。
本実施形態では、マイクロレンズアレイ81のレンズ面81Asの向きが第4実施形態のマイクロレンズアレイ81と異なっているが、マイクロレンズ81Aと低屈折率層84によって奏される作用および効果は第4実施形態と同様である。そのため、本実施形態においても画像の解像度が低下しにくいプロジェクターを提供することができる。
以上、第1実施形態ないし第5実施形態に基づいて本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではない。第4実施形態で用いた第2基板83を、第2実施形態のプロジェクターあるいは第3実施形態のプロジェクターに用いてもよい。また、第5実施形態で用いた第2基板93を、第2実施形態のプロジェクターあるいは第3実施形態のプロジェクターに用いてもよい。
また、第4実施形態と第5実施形態では、球面を有するマイクロレンズアレイと低屈折率層とを組み合わせたが、非球面を有するマイクロレンズアレイと低屈折率層とを組み合わせてもよい。
また、第4実施形態では低屈折率層84として真空層を用いたため、マイクロレンズアレイ81を透明基板82と接合したが、低屈折率層84として空気層を用いる場合、透明基板82を省略してもよい。
また、第4実施形態と第5実施形態では、マイクロレンズのレンズ面は低屈折率層と接触していたが、マイクロレンズのレンズ面に反射防止膜を設けてもよい。
また、第1実施形態では、第3の光の光軸と第4の光の光軸とを含む平面が、第3の光の光軸と第5の光の光軸とを含む平面と直交するように、反射面33aと反射面34aと反射面35aと反射面36aとを設置したが、これに限られない。要は図3(c)に示したように、一の画素PXに対応する直線L1と直線L2が互いに平行か互いに交わるように、光源10から射出された光Wを2方向に分離すればよい。この点については、第2実施形態ないし第5実施形態でも同様である。
1…プロジェクター、10…光源、30…光分離光学系、31…第1の光分離光学系、32…第2の光分離光学系、33…第1の反射素子、33a…反射面、34…第2の反射素子、34a…反射面、35…第3の反射素子、35a…反射面、36…第4の反射素子、36a…反射面、40…光変調素子、41A…マイクロレンズ、60…光分離光学系、61…第1の光分離光学系、62…第2の光分離光学系、63…第1の反射素子、64…第2の反射素子、65…第3の反射素子、66…第4の反射素子、70…光分離光学系、71…第1の光分離光学系、72…第2の光分離光学系、73…第1の反射素子、74…第2の反射素子、75…第3の反射素子、76…第4の反射素子、R,G,B,Y,W…光、80…光変調素子、81A…マイクロレンズ、84…低屈折率層、90…光変調素子、Ax1…第1の軸、Ax2…第2の軸、PX…画素、PR,PG,PB,PY…サブ画素、W1GB,W1GR,W1GY…第1の光、W2YR,W2YB,W2RB…第2の光

Claims (13)

  1. 光源と、
    前記光源から射出された光を第1の光と第2の光とに分離する第1の光分離光学系と、
    前記第1の光を第1の色の第3の光と第2の色の第4の光とに分離し、前記第2の光を第3の色の第5の光と第4の色の第6の光とに分離し、前記光源から射出された光の光軸と前記第1の光の光軸とを含む平面と交差する方向に該第3の光と該第4の光と該第5の光と該第6の光とを射出する第2の光分離光学系と、
    前記第3の光、前記第4の光、前記第5の光および前記第6の光が入射する光変調素子と、を備えているプロジェクター。
  2. 前記第1の光分離光学系は、前記第1の光を反射し前記第2の光を透過する第1の反射素子と、前記第2の光を反射する第2の反射素子と、を含み、
    前記第2の光分離光学系は、前記第3の光と前記第5の光とを反射し前記第4の光と前記第6の光とを透過する第3の反射素子と、前記第4の光と前記第6の光とを反射する第4の反射素子と、を含む請求項1に記載のプロジェクター。
  3. 前記第1の反射素子の反射面は前記第2の反射素子の反射面に対して傾いており、
    前記第3の反射素子の反射面は前記第4の反射素子の反射面に対して傾いている請求項2に記載のプロジェクター。
  4. 前記第1の光分離光学系に入射する前記光の光軸に対して45°をなす仮想の軸を第1の軸とし、前記第1の光分離光学系に入射する前記光の光軸と前記第1の軸との双方に直交する仮想の軸に対して45°をなす仮想の軸を第2の軸としたときに、
    前記第1の反射素子の反射面と前記第1の軸とのなす角度と前記第2の反射素子の反射面と前記第1の軸とのなす角度とが互いに等しく、
    前記第3の反射素子の反射面と前記第2の軸とのなす角度と前記第4の反射素子の反射面と前記第2の軸とのなす角度とが互いに等しい請求項3に記載のプロジェクター。
  5. 前記光変調素子が備える画素は、前記第3の光に対応した第1のサブ画素と前記第4の光に対応した第2のサブ画素と前記第5の光に対応した第3のサブ画素と前記第6の光に対応した第4のサブ画素とからなり、
    前記画素に対応してマイクロレンズが前記光変調素子の光入射側に設けられ、
    前記マイクロレンズは、前記第3の光の一部を前記第1のサブ画素に向けて集光し、前記第4の光の一部を前記第2のサブ画素に向けて集光し、前記第5の光の一部を前記第3のサブ画素に向けて集光し、前記第6の光の一部を前記第4のサブ画素に向けて集光する請求項1ないし4のいずれか1項に記載のプロジェクター。
  6. 前記第1のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第1のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、
    前記第2のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第2のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、
    前記第3のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第3のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状であり、
    前記第4のサブ画素の形状は、前記マイクロレンズによって前記第4のサブ画素に向けて集光される光を包含可能な必要且つ十分な形状である請求項5に記載のプロジェクター。
  7. 前記第1のサブ画素、前記第2のサブ画素、前記第3のサブ画素および前記第4のサブ画素の形状はそれぞれ、略正方形である請求項5または6に記載のプロジェクター。
  8. 前記マイクロレンズは、非球面レンズである請求項5ないし7のいずれか1項に記載のプロジェクター。
  9. 前記マイクロレンズよりも可視域波長での屈折率が0.4以上小さい低屈折率層が、前記マイクロレンズのレンズ面側に設けられている請求項5ないし7のいずれか1項に記載のプロジェクター。
  10. 前記低屈折率層は、気体層または真空層である請求項9に記載のプロジェクター。
  11. 前記マイクロレンズは球面レンズである請求項9または10に記載のプロジェクター。
  12. 前記第3の光、前記第4の光、前記第5の光および前記第6の光は、それぞれ青色光、緑色光、黄色光および赤色光の中から選択される1つの色光である請求項1ないし11のいずれか1項に記載のプロジェクター。
  13. 前記第3の光は、緑色光又は黄色光である請求項12に記載のプロジェクター。
JP2012031850A 2011-07-27 2012-02-16 プロジェクター Expired - Fee Related JP5974527B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012031850A JP5974527B2 (ja) 2012-02-16 2012-02-16 プロジェクター
US13/553,250 US8714747B2 (en) 2011-07-27 2012-07-19 Projector having a first light separation optical system and a second light separation optical system
CN201210265143.6A CN102902144B (zh) 2011-07-27 2012-07-27 投影机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012031850A JP5974527B2 (ja) 2012-02-16 2012-02-16 プロジェクター

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013167812A true JP2013167812A (ja) 2013-08-29
JP2013167812A5 JP2013167812A5 (ja) 2015-03-19
JP5974527B2 JP5974527B2 (ja) 2016-08-23

Family

ID=49178231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012031850A Expired - Fee Related JP5974527B2 (ja) 2011-07-27 2012-02-16 プロジェクター

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5974527B2 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020134613A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2020160236A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター及び光源モジュール
US10928718B2 (en) 2019-02-05 2021-02-23 Seiko Epson Corporation Projector
JP2021085901A (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
US11237471B2 (en) 2019-12-24 2022-02-01 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11249380B2 (en) 2020-01-14 2022-02-15 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11300866B2 (en) 2019-12-16 2022-04-12 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11333962B2 (en) 2019-12-16 2022-05-17 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11399163B2 (en) 2020-09-16 2022-07-26 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11412193B2 (en) 2019-02-01 2022-08-09 Seiko Epson Corporation Projector
US11442355B2 (en) 2020-09-17 2022-09-13 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11454874B2 (en) 2020-09-17 2022-09-27 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11460764B2 (en) 2020-09-16 2022-10-04 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11467481B2 (en) 2020-09-24 2022-10-11 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11474424B2 (en) 2020-09-16 2022-10-18 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11480862B2 (en) 2020-09-17 2022-10-25 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11523093B2 (en) 2020-09-16 2022-12-06 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11543743B2 (en) 2020-09-17 2023-01-03 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11546563B2 (en) 2020-10-02 2023-01-03 Seiko Epson Corporation Light source device, projector, and display device
US11592734B2 (en) 2021-02-05 2023-02-28 Seiko Epson Corporation Display apparatus and projector

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11143404A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Canon Inc 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置
JP2003248189A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Ricoh Co Ltd 画像表示装置
JP2005115179A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Sony Corp 画像表示装置
JP2005321502A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2006138987A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Ricoh Opt Ind Co Ltd マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイ素子および液晶パネルユニット
JP2008065250A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Seiko Epson Corp 表示装置およびプロジェクタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11143404A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Canon Inc 反射型液晶表示装置及びそれを用いた投射型液晶表示装置
JP2003248189A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Ricoh Co Ltd 画像表示装置
JP2005115179A (ja) * 2003-10-09 2005-04-28 Sony Corp 画像表示装置
JP2005321502A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Seiko Epson Corp プロジェクタ
JP2006138987A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Ricoh Opt Ind Co Ltd マイクロレンズアレイ、マイクロレンズアレイ素子および液晶パネルユニット
JP2008065250A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Seiko Epson Corp 表示装置およびプロジェクタ

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11412193B2 (en) 2019-02-01 2022-08-09 Seiko Epson Corporation Projector
US10928718B2 (en) 2019-02-05 2021-02-23 Seiko Epson Corporation Projector
JP2020134613A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2020160236A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 光源装置、プロジェクター及び光源モジュール
JP2021085901A (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP7342649B2 (ja) 2019-11-25 2023-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
US11300866B2 (en) 2019-12-16 2022-04-12 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11333962B2 (en) 2019-12-16 2022-05-17 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11237471B2 (en) 2019-12-24 2022-02-01 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11249380B2 (en) 2020-01-14 2022-02-15 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11399163B2 (en) 2020-09-16 2022-07-26 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11474424B2 (en) 2020-09-16 2022-10-18 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11460764B2 (en) 2020-09-16 2022-10-04 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11523093B2 (en) 2020-09-16 2022-12-06 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11442355B2 (en) 2020-09-17 2022-09-13 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11480862B2 (en) 2020-09-17 2022-10-25 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11543743B2 (en) 2020-09-17 2023-01-03 Seiko Epson Corporation Light source apparatus and projector
US11454874B2 (en) 2020-09-17 2022-09-27 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
JP7484605B2 (ja) 2020-09-17 2024-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
JP7508964B2 (ja) 2020-09-17 2024-07-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US11467481B2 (en) 2020-09-24 2022-10-11 Seiko Epson Corporation Light source device and projector
US11546563B2 (en) 2020-10-02 2023-01-03 Seiko Epson Corporation Light source device, projector, and display device
US11592734B2 (en) 2021-02-05 2023-02-28 Seiko Epson Corporation Display apparatus and projector

Also Published As

Publication number Publication date
JP5974527B2 (ja) 2016-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5974527B2 (ja) プロジェクター
US8714747B2 (en) Projector having a first light separation optical system and a second light separation optical system
JP5807430B2 (ja) プロジェクター
JP5821364B2 (ja) プロジェクター
JP2000241768A (ja) 照明光学装置
JP2009063892A (ja) プロジェクタ、光学素子及び光変調装置
JP7268556B2 (ja) プロジェクター
KR100800936B1 (ko) 조명 장치 및 이것을 구비한 프로젝터
JP2013054091A (ja) プロジェクター
JP2004233442A (ja) 照明装置およびプロジェクタ
JP2014085570A (ja) 投射型表示装置
JP4893780B2 (ja) 照明装置及びこれを備えたプロジェクタ
JP5924244B2 (ja) 液晶表示装置および投射型表示装置
JP4946342B2 (ja) 偏光変換装置及びプロジェクタ
JP2013041760A (ja) 照明装置及びプロジェクター
JP3684926B2 (ja) 照明光学系及びこれを用いた投写型表示装置
CN114253063B (zh) 光源装置和投影仪
JP2009063893A (ja) プロジェクタ、光学素子及び光変調装置
JP4066992B2 (ja) 照明光学系および投写型表示装置
EP3620832B1 (en) Projection type image display device
JP6152910B2 (ja) 投射型表示装置
JP7131590B2 (ja) 光源装置およびプロジェクター
JP2000047137A (ja) 反射型表示素子および投写型表示装置
JP3614002B2 (ja) 反射型電気光学装置および投写型表示装置
JP2004198932A (ja) プロジェクタ及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150130

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160603

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160621

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5974527

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees