JPH11140640A - 選択スパッタリング装置、及び薄膜形成方法 - Google Patents
選択スパッタリング装置、及び薄膜形成方法Info
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- JPH11140640A JPH11140640A JP33501197A JP33501197A JPH11140640A JP H11140640 A JPH11140640 A JP H11140640A JP 33501197 A JP33501197 A JP 33501197A JP 33501197 A JP33501197 A JP 33501197A JP H11140640 A JPH11140640 A JP H11140640A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】CMP法を用いずに微細配線を高歩留まりに形
成する。 【解決手段】ターゲット11をスパッタリングし、微細
溝を有する基板3表面に薄膜を形成する際、基板3を回
転させ、イオン照射装置4により、基板3に対し、0°
以上30以下の入射角で、横方向からイオンビーム46
を照射する。微細溝の外部に付着したスパッタリング粒
子はイオンビームによって除去され、微細溝内部に選択
的に配線を形成することができる。スパッタリングとイ
オンビーム照射とを同時に行ってもよいし、短時間のう
ちに交互に繰り返し行ってもよい。
成する。 【解決手段】ターゲット11をスパッタリングし、微細
溝を有する基板3表面に薄膜を形成する際、基板3を回
転させ、イオン照射装置4により、基板3に対し、0°
以上30以下の入射角で、横方向からイオンビーム46
を照射する。微細溝の外部に付着したスパッタリング粒
子はイオンビームによって除去され、微細溝内部に選択
的に配線を形成することができる。スパッタリングとイ
オンビーム照射とを同時に行ってもよいし、短時間のう
ちに交互に繰り返し行ってもよい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング技術
の分野にかかり、特に、微細孔や微細溝を選択的に埋め
込むことができるスパッタリング技術に関する。
の分野にかかり、特に、微細孔や微細溝を選択的に埋め
込むことができるスパッタリング技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、半導体集積回路内の電気素子
が増々微細化しており、CMP法を応用し、微細溝内に
形成するダマシン配線が注目されている。
が増々微細化しており、CMP法を応用し、微細溝内に
形成するダマシン配線が注目されている。
【0003】図5(a)に示した基板103は、ウェハ1
31上に、微細溝(微細孔を含む)133を有する絶縁膜
132が形成されており、先ず、スパッタリング法によ
ってアルミニウム等のターゲットをスパッタリングし、
金属薄膜から成る配線薄膜134を全面成膜し、その配
線薄膜134によって微細溝133内を充填する(図5
(b))。
31上に、微細溝(微細孔を含む)133を有する絶縁膜
132が形成されており、先ず、スパッタリング法によ
ってアルミニウム等のターゲットをスパッタリングし、
金属薄膜から成る配線薄膜134を全面成膜し、その配
線薄膜134によって微細溝133内を充填する(図5
(b))。
【0004】このとき、絶縁膜132表面にも配線薄膜
134が形成されてしまうため、CMP法によって表面
を研磨し、絶縁膜132表面を露出させると、微細溝1
33内に配線135を形成することができる(図5
(c))。
134が形成されてしまうため、CMP法によって表面
を研磨し、絶縁膜132表面を露出させると、微細溝1
33内に配線135を形成することができる(図5
(c))。
【0005】このように、スパッタリング法とCMP法
とを組合わせると、表面が平坦な状態で微細な配線13
5を形成できることから多層配線に適しており、半導体
集積回路の配線形成技術の主流となっている。
とを組合わせると、表面が平坦な状態で微細な配線13
5を形成できることから多層配線に適しており、半導体
集積回路の配線形成技術の主流となっている。
【0006】しかし、CMP法はスラリを用いたウェッ
トプロセスであり、真空中での連続処理が行えないため
作業性が悪いという問題がある。また、基板103表面
にパーティクルが付着したり、表面が部分的に研磨され
てしまう場合があり、歩留りが低下するおそれがある。
トプロセスであり、真空中での連続処理が行えないため
作業性が悪いという問題がある。また、基板103表面
にパーティクルが付着したり、表面が部分的に研磨され
てしまう場合があり、歩留りが低下するおそれがある。
【0007】更に、従来技術のスパッタリング法では、
図6(a)に示すように、配線薄膜134を成長させる際
に、微細溝133の開口部において、配線薄膜134の
オーバーハング137が発生する場合がある。このよう
なオーバーハング137が発生すると、微細溝133底
部にはスパッタリング粒子が到達できなくなるため、オ
ーバーハング137によって開口部が閉塞すると、微細
溝133内部にボイド138が形成されてしまい(図6
(b))、その状態でCMP法によって表面研磨を行って
も、内部にボイド138を有する配線135'しか得ら
れないという問題がある。
図6(a)に示すように、配線薄膜134を成長させる際
に、微細溝133の開口部において、配線薄膜134の
オーバーハング137が発生する場合がある。このよう
なオーバーハング137が発生すると、微細溝133底
部にはスパッタリング粒子が到達できなくなるため、オ
ーバーハング137によって開口部が閉塞すると、微細
溝133内部にボイド138が形成されてしまい(図6
(b))、その状態でCMP法によって表面研磨を行って
も、内部にボイド138を有する配線135'しか得ら
れないという問題がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、CMP法を用いず、高歩留まりの微細配線が得
られるスパッタリング技術を提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、CMP法を用いず、高歩留まりの微細配線が得
られるスパッタリング技術を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明装置は、真空槽と、前記真空槽
内に設けられたターゲットを有し、前記真空槽内に基板
を搬入し、前記ターゲットに対向配置させ、前記ターゲ
ットをスパッタリングして前記基板表面に薄膜を形成す
るように構成されたスパッタリング装置であって、イオ
ン照射装置が設けられ、前記イオン照射装置が射出する
イオンビームを前記基板表面に横方向から照射できるよ
うに構成されたことを特徴とする。
に、請求項1記載の発明装置は、真空槽と、前記真空槽
内に設けられたターゲットを有し、前記真空槽内に基板
を搬入し、前記ターゲットに対向配置させ、前記ターゲ
ットをスパッタリングして前記基板表面に薄膜を形成す
るように構成されたスパッタリング装置であって、イオ
ン照射装置が設けられ、前記イオン照射装置が射出する
イオンビームを前記基板表面に横方向から照射できるよ
うに構成されたことを特徴とする。
【0010】この請求項1記載のスパッタリング装置に
ついては、請求項2記載の発明のように、前記イオンビ
ームの前記基板表面への入射角は、0°以上30°以下
になるように構成するとよい。
ついては、請求項2記載の発明のように、前記イオンビ
ームの前記基板表面への入射角は、0°以上30°以下
になるように構成するとよい。
【0011】請求項3記載の発明装置は、請求項1又は
請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置であ
って、前記イオンビームを照射する際に、前記基板と前
記イオン照射装置とが相対的に回転できるように構成さ
れたことを特徴とする。
請求項2のいずれか1項記載のスパッタリング装置であ
って、前記イオンビームを照射する際に、前記基板と前
記イオン照射装置とが相対的に回転できるように構成さ
れたことを特徴とする。
【0012】請求項4記載の発明方法は、真空槽内に設
けられたターゲットに基板を対向配置し、前記ターゲッ
トをスパッタリングして前記基板表面に薄膜を形成する
薄膜形成方法であって、前記ターゲットのスパッタリン
グを行う際に、前記基板表面に横方向からイオンビーム
を照射することを特徴とする。
けられたターゲットに基板を対向配置し、前記ターゲッ
トをスパッタリングして前記基板表面に薄膜を形成する
薄膜形成方法であって、前記ターゲットのスパッタリン
グを行う際に、前記基板表面に横方向からイオンビーム
を照射することを特徴とする。
【0013】この請求項4記載の薄膜形成方法について
は、前記イオンビームを照射する際に、請求項5記載の
発明方法のように、前記イオンビームと前記基板とを相
対回転させながら行うことができる。
は、前記イオンビームを照射する際に、請求項5記載の
発明方法のように、前記イオンビームと前記基板とを相
対回転させながら行うことができる。
【0014】また、請求項6記載の発明方法のように、
前記ターゲットのスパッタリングと前記イオン照射とを
同時に行ったり、請求項7記載の発明方法のように、交
互に行うことができる。
前記ターゲットのスパッタリングと前記イオン照射とを
同時に行ったり、請求項7記載の発明方法のように、交
互に行うことができる。
【0015】上述した本発明のスパッタリング装置はイ
オン照射装置を有しているので、真空槽内に基板を搬入
してターゲットに対向配置させ、ターゲットをスパッタ
リングして基板表面に薄膜を形成する際に、イオン照射
装置からイオンビームを射出させ、基板表面に横方向か
らイオンビームを照射すると、基板に形成された微細溝
の外部に付着したスパッタリング粒子を除去し、表面を
研磨することなく微細溝内部に配線薄膜を形成すること
ができる。このとき、微細溝内にはイオンビームは照射
されないので、微細溝内に付着したスパッタリング粒子
は除去されず、微細溝内に薄膜を成長させることができ
る。
オン照射装置を有しているので、真空槽内に基板を搬入
してターゲットに対向配置させ、ターゲットをスパッタ
リングして基板表面に薄膜を形成する際に、イオン照射
装置からイオンビームを射出させ、基板表面に横方向か
らイオンビームを照射すると、基板に形成された微細溝
の外部に付着したスパッタリング粒子を除去し、表面を
研磨することなく微細溝内部に配線薄膜を形成すること
ができる。このとき、微細溝内にはイオンビームは照射
されないので、微細溝内に付着したスパッタリング粒子
は除去されず、微細溝内に薄膜を成長させることができ
る。
【0016】この場合、基板とイオン照射装置とを相対
回転させ、基板表面にイオンビームが全周方向から照射
されるようにしておくと、微細溝の開口部に付着したス
パッタリング粒子を開口部全周に亘って均一に除去でき
るので、オーバーハングの発生を効果的に防止すること
ができる。
回転させ、基板表面にイオンビームが全周方向から照射
されるようにしておくと、微細溝の開口部に付着したス
パッタリング粒子を開口部全周に亘って均一に除去でき
るので、オーバーハングの発生を効果的に防止すること
ができる。
【0017】図2に示すような、イオンビーム46の基
板3表面への入射角θと、微細孔内の充填率の関係を図
3に示す。この図3から分かるように、入射角θが0°
の場合(イオンビーム46が、基板3表面近傍で基板3
表面と平行に通過する場合)は、微細孔内の充填率が1
00%であり、微細溝内の薄膜を除去することなく、微
細溝周囲に付着したスパッタリング粒子を除去すること
ができる。
板3表面への入射角θと、微細孔内の充填率の関係を図
3に示す。この図3から分かるように、入射角θが0°
の場合(イオンビーム46が、基板3表面近傍で基板3
表面と平行に通過する場合)は、微細孔内の充填率が1
00%であり、微細溝内の薄膜を除去することなく、微
細溝周囲に付着したスパッタリング粒子を除去すること
ができる。
【0018】他方、入射角θを大きくしてイオンビーム
を照射し、微細溝周囲に付着したスパッタリング粒子を
除去する場合、微細溝内の薄膜も除去されてしまうが、
その充填率(残存率)は、入射角θが30°で80%、4
0°で70%程度になる。
を照射し、微細溝周囲に付着したスパッタリング粒子を
除去する場合、微細溝内の薄膜も除去されてしまうが、
その充填率(残存率)は、入射角θが30°で80%、4
0°で70%程度になる。
【0019】一般に、微細溝内の充填率は80%で十分
なので、イオンビーム46の入射角は、0°以上30°
以下の範囲が望ましい。イオン照射装置は、入射角度θ
が0°以上30°以下の範囲で固定されるように構成し
てもよいし、その範囲で変更できるように構成してもよ
い。
なので、イオンビーム46の入射角は、0°以上30°
以下の範囲が望ましい。イオン照射装置は、入射角度θ
が0°以上30°以下の範囲で固定されるように構成し
てもよいし、その範囲で変更できるように構成してもよ
い。
【0020】なお、薄膜形成中にイオンビームを照射す
る場合、ターゲットのスパッタリングと基板へのイオン
ビーム照射とを同時に行ってもよいし、短時間のうちに
交互に行ってもよい。
る場合、ターゲットのスパッタリングと基板へのイオン
ビーム照射とを同時に行ってもよいし、短時間のうちに
交互に行ってもよい。
【0021】
【発明の実施の形態】図1を参照し、符号2は、本発明
の一例のスパッタリング装置を示している。このスパッ
タリング装置2は、真空槽10を有しており、その内部
の天井側には、アルミニウムが円盤状に成形されて成る
ターゲット11が配置され、底壁側には基板ホルダ12
がターゲット11と平行に対向配置されている。
の一例のスパッタリング装置を示している。このスパッ
タリング装置2は、真空槽10を有しており、その内部
の天井側には、アルミニウムが円盤状に成形されて成る
ターゲット11が配置され、底壁側には基板ホルダ12
がターゲット11と平行に対向配置されている。
【0022】基板ホルダ12の裏面には、回転軸13の
一端が取り付けられており、該回転軸13の他端は真空
槽10外に気密に導出され、図示しないモータに接続さ
れ、基板ホルダ12をターゲット11と平行な状態で回
転できるように構成されている。
一端が取り付けられており、該回転軸13の他端は真空
槽10外に気密に導出され、図示しないモータに接続さ
れ、基板ホルダ12をターゲット11と平行な状態で回
転できるように構成されている。
【0023】基板ホルダ12から水平方向に例えば約3
0cm離れた位置には、イオン照射装置4が設けられて
いる。イオン照射装置4は、イオン化室41を有してお
り、そのイオン化室41の内部には、フィラメント44
とアノード電極45とが配置されている。
0cm離れた位置には、イオン照射装置4が設けられて
いる。イオン照射装置4は、イオン化室41を有してお
り、そのイオン化室41の内部には、フィラメント44
とアノード電極45とが配置されている。
【0024】イオン化室41の外部には、マグネット4
2が配置されており、イオン化室41内を高真空状態に
した後、イオンビームの原料ガスを導入し、フィラメン
ト44に通電して発熱させ、フィラメント44をカソー
ド電極とし、アノード電極45との間に電圧を印加した
状態で熱電子を放出させると、マグネット42が形成す
る磁界によって、放出された熱電子が導入ガスと効率よ
く衝突し、イオン化室41内部に高密度のイオンが生成
されるように構成されている。
2が配置されており、イオン化室41内を高真空状態に
した後、イオンビームの原料ガスを導入し、フィラメン
ト44に通電して発熱させ、フィラメント44をカソー
ド電極とし、アノード電極45との間に電圧を印加した
状態で熱電子を放出させると、マグネット42が形成す
る磁界によって、放出された熱電子が導入ガスと効率よ
く衝突し、イオン化室41内部に高密度のイオンが生成
されるように構成されている。
【0025】フィラメント44と真空槽10内部との間
には、イオン化室41とは絶縁した状態で引出電極43
が設けられており、イオン化室41内にイオンが生成し
た状態で引出電極43に負電圧を印加すると、生成され
たイオンはイオン化室41の外部へイオンビーム46と
なって引き出され、真空槽10内に向けて射出されるよ
うに構成されている。
には、イオン化室41とは絶縁した状態で引出電極43
が設けられており、イオン化室41内にイオンが生成し
た状態で引出電極43に負電圧を印加すると、生成され
たイオンはイオン化室41の外部へイオンビーム46と
なって引き出され、真空槽10内に向けて射出されるよ
うに構成されている。
【0026】このスパッタリング装置2を用いて配線を
形成する場合を説明する。図4の符号3は、配線薄膜の
形成対象の基板を示しており、この基板3は、シリコン
ウェハ31と、該シリコンウェハ31上に形成された絶
縁膜32を有している。
形成する場合を説明する。図4の符号3は、配線薄膜の
形成対象の基板を示しており、この基板3は、シリコン
ウェハ31と、該シリコンウェハ31上に形成された絶
縁膜32を有している。
【0027】該絶縁膜32には、微細孔を含む微細溝3
3が形成されており、その内部を配線薄膜で充填する場
合、先ず、真空槽10内部を真空にした状態で基板3を
搬入し、微細溝33をターゲット11側に向け、基板ホ
ルダ12上に載置する。基板3を加熱しながら真空槽1
0内を高真空状態にした後、アルゴンガス等のスパッタ
リングガスを導入する。
3が形成されており、その内部を配線薄膜で充填する場
合、先ず、真空槽10内部を真空にした状態で基板3を
搬入し、微細溝33をターゲット11側に向け、基板ホ
ルダ12上に載置する。基板3を加熱しながら真空槽1
0内を高真空状態にした後、アルゴンガス等のスパッタ
リングガスを導入する。
【0028】真空槽10内部が0.1Pa程度の圧力で
安定したところで、ターゲット11と基板ホルダ12の
間に電圧を印加し、スパッタリングガスプラズマを発生
させると、ターゲット11のスパッタリングが開始さ
れ、基板3表面にスパッタリング粒子が入射する。
安定したところで、ターゲット11と基板ホルダ12の
間に電圧を印加し、スパッタリングガスプラズマを発生
させると、ターゲット11のスパッタリングが開始さ
れ、基板3表面にスパッタリング粒子が入射する。
【0029】ターゲット11のスパッタリングを行って
いる状態でイオン化室41内にアルゴンガスを導入し、
生成したアルゴンガスイオン(Ar+)をイオンビーム4
6として引き出し、基板3の横方向(ここでは、入射角
θは約0°)から表面に照射する。
いる状態でイオン化室41内にアルゴンガスを導入し、
生成したアルゴンガスイオン(Ar+)をイオンビーム4
6として引き出し、基板3の横方向(ここでは、入射角
θは約0°)から表面に照射する。
【0030】ターゲット11から飛び出したスパッタリ
ング粒子は、上方から基板3表面へ入射し、微細溝33
の底面や絶縁膜32表面にも付着するが、基板3表面に
は横方向からイオンビーム46が照射されているため、
絶縁膜32の表面には薄膜は成長しない。
ング粒子は、上方から基板3表面へ入射し、微細溝33
の底面や絶縁膜32表面にも付着するが、基板3表面に
は横方向からイオンビーム46が照射されているため、
絶縁膜32の表面には薄膜は成長しない。
【0031】他方、イオンビーム46は微細溝33内に
は入射できないので、微細溝33内に付着したスパッタ
リング粒子は除去されず、微細溝33の底面から配線薄
膜35が成長する(図4(b))。
は入射できないので、微細溝33内に付着したスパッタ
リング粒子は除去されず、微細溝33の底面から配線薄
膜35が成長する(図4(b))。
【0032】このとき基板ホルダ12と共に基板3を回
転させると、基板3の周囲から均一にイオンビーム46
が照射されるので、絶縁膜32表面ではイオンビームの
陰となる部分がなくなり、微細溝33内に選択的に配線
35を形成することができる(図4(c))。
転させると、基板3の周囲から均一にイオンビーム46
が照射されるので、絶縁膜32表面ではイオンビームの
陰となる部分がなくなり、微細溝33内に選択的に配線
35を形成することができる(図4(c))。
【0033】また、基板3を回転させた場合、イオンビ
ーム46は微細溝33の開口部にも均一に入射するた
め、開口部33にオーバーハングが発生することがなく
なる。この場合、イオン照射装置4を基板3に向けたま
ま旋回させてもよい。
ーム46は微細溝33の開口部にも均一に入射するた
め、開口部33にオーバーハングが発生することがなく
なる。この場合、イオン照射装置4を基板3に向けたま
ま旋回させてもよい。
【0034】このように、ターゲット11のスパッタリ
ングを行いながら基板3表面に横方向からイオンビーム
46を照射する他、上記薄膜製造工程のように、ターゲ
ット11のスパッタリングと基板3表面へのイオンビー
ム照射とを短時間で交互に繰り返し行ってもよい。
ングを行いながら基板3表面に横方向からイオンビーム
46を照射する他、上記薄膜製造工程のように、ターゲ
ット11のスパッタリングと基板3表面へのイオンビー
ム照射とを短時間で交互に繰り返し行ってもよい。
【0035】但し、スパッタリングによる薄膜形成を終
了した後、イオンビーム照射を行う場合には、絶縁膜3
2表面の配線薄膜35は除去できるが、薄膜成長の際に
微細溝33の開口部にオーバーハングが生じているた
め、配線薄膜35内にボイドが発生し、不適当である。
了した後、イオンビーム照射を行う場合には、絶縁膜3
2表面の配線薄膜35は除去できるが、薄膜成長の際に
微細溝33の開口部にオーバーハングが生じているた
め、配線薄膜35内にボイドが発生し、不適当である。
【0036】なお、上記イオン照射装置4はフィラメン
トによって導入ガスをイオン化したが、マイクロ波を照
射してイオン化するものや、高周波電圧によってイオン
化するもの等、種々のイオン化方法を用いたものが含ま
れる。
トによって導入ガスをイオン化したが、マイクロ波を照
射してイオン化するものや、高周波電圧によってイオン
化するもの等、種々のイオン化方法を用いたものが含ま
れる。
【0037】また、イオンビームの原料ガスは、アルゴ
ンガス等の希ガスの他、窒素ガス等のガスを広く用いる
ことができる。配線薄膜が反応性スパッタリング法で形
成される場合には、反応に用いるガス(金属窒化物薄膜
を形成する場合には窒素ガス)を用いることもできる。
それらのイオンビームの照射角度(イオンビームと基板
の表面とが成す角度)は、0°(水平の場合)以上20°
以下の範囲が好ましい。
ンガス等の希ガスの他、窒素ガス等のガスを広く用いる
ことができる。配線薄膜が反応性スパッタリング法で形
成される場合には、反応に用いるガス(金属窒化物薄膜
を形成する場合には窒素ガス)を用いることもできる。
それらのイオンビームの照射角度(イオンビームと基板
の表面とが成す角度)は、0°(水平の場合)以上20°
以下の範囲が好ましい。
【0038】上記ターゲット11はアルミニウムで構成
したため、配線35はアルミニウム薄膜から成るが、本
発明によって形成できる配線はアルミニウム薄膜に限定
されるものではない。銅薄膜、ニオブ薄膜、チタン薄
膜、窒化チタン薄膜、窒化タングステン薄膜等のスパッ
タリング方法によって形成できる薄膜を広く含む。微細
溝内に配線を形成する場合は導電性薄膜に限られるが、
本発明では、絶縁性薄膜によって微細溝内を充填するこ
ともできる。
したため、配線35はアルミニウム薄膜から成るが、本
発明によって形成できる配線はアルミニウム薄膜に限定
されるものではない。銅薄膜、ニオブ薄膜、チタン薄
膜、窒化チタン薄膜、窒化タングステン薄膜等のスパッ
タリング方法によって形成できる薄膜を広く含む。微細
溝内に配線を形成する場合は導電性薄膜に限られるが、
本発明では、絶縁性薄膜によって微細溝内を充填するこ
ともできる。
【0039】なお、上記実施例は、イオンビームの入射
角θを約0°としたが、上述したように、入射角θは、
0°以上30°以下の範囲であれば、絶縁膜表面には薄
膜は形成せず、微細溝内の薄膜の充填率を80%以上す
ることができる。
角θを約0°としたが、上述したように、入射角θは、
0°以上30°以下の範囲であれば、絶縁膜表面には薄
膜は形成せず、微細溝内の薄膜の充填率を80%以上す
ることができる。
【0040】
【発明の効果】微細孔内に配線を選択的に形成できるの
で、生産性がよく、歩留まりも向上する。配線薄膜を成
長させる際にオーバーハングが生じないので、ボイドの
ない配線薄膜を得ることができる。
で、生産性がよく、歩留まりも向上する。配線薄膜を成
長させる際にオーバーハングが生じないので、ボイドの
ない配線薄膜を得ることができる。
【図1】本発明のスパッタリング装置の一例を示す図
【図2】イオンビームの入射角度を説明するための図
【図3】入射角度と充填率の関係を示すグラフ
【図4】(a)〜(c):本発明の薄膜形成方法を説明する
ための工程図
ための工程図
【図5】(a)〜(c):CMP法を用いた薄膜形成方法を
説明するための工程図
説明するための工程図
【図6】(a)〜(c):オーバーハングを説明するための
図
図
2……スパッタリング装置 3……基板 4……イ
オン照射装置 10……真空槽 11……ターゲッ
ト 46……イオンビーム θ……入射角
オン照射装置 10……真空槽 11……ターゲッ
ト 46……イオンビーム θ……入射角
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小日向 久治 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内
Claims (7)
- 【請求項1】 真空槽と、前記真空槽内に設けられたタ
ーゲットを有し、 前記真空槽内に基板を搬入し、前記ターゲットに対向配
置させ、 前記ターゲットをスパッタリングして前記基板表面に薄
膜を形成するように構成されたスパッタリング装置であ
って、 イオン照射装置が設けられ、前記イオン照射装置が射出
するイオンビームを前記基板表面に横方向から照射でき
るように構成されたことを特徴とするスパッタリング装
置。 - 【請求項2】 前記イオンビームの前記基板表面への入
射角は、0°以上30°以下になるように構成されたこ
とを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。 - 【請求項3】 前記イオンビームを照射する際に、前記
基板と前記イオン照射装置とが相対的に回転できるよう
に構成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2の
いずれか1項記載のスパッタリング装置。 - 【請求項4】 真空槽内に設けられたターゲットに基板
を対向配置し、前記ターゲットをスパッタリングして前
記基板表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、 前記ターゲットのスパッタリングを行う際に、前記基板
表面に横方向からイオンビームを照射することを特徴と
する薄膜形成方法。 - 【請求項5】 前記イオンビームを照射する際に、前記
基板とイオンビームとを相対回転させながら行うことを
特徴とする請求項4記載の薄膜形成方法。 - 【請求項6】 前記ターゲットのスパッタリングと前記
イオン照射とを同時に行うことを特徴とする請求項4又
は請求項5のいずれか1項記載の薄膜形成方法。 - 【請求項7】 前記ターゲットのスパッタリングと前記
イオン照射とを交互に行うことを特徴とする請求項4又
は請求項5のいずれか1項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33501197A JPH11140640A (ja) | 1997-09-08 | 1997-11-19 | 選択スパッタリング装置、及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-259340 | 1997-09-08 | ||
JP25934097 | 1997-09-08 | ||
JP33501197A JPH11140640A (ja) | 1997-09-08 | 1997-11-19 | 選択スパッタリング装置、及び薄膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11140640A true JPH11140640A (ja) | 1999-05-25 |
Family
ID=26544077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33501197A Pending JPH11140640A (ja) | 1997-09-08 | 1997-11-19 | 選択スパッタリング装置、及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11140640A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005098081A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Ulvac, Inc. | 成膜装置および成膜方法 |
KR100838045B1 (ko) | 2007-11-28 | 2008-06-12 | 심문식 | 스퍼터링과 이온 빔 증착을 이용한 산화박막 증착장치 |
WO2014027624A1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲットの製造方法、及びx線発生用ターゲット |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP33501197A patent/JPH11140640A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012067394A (ja) * | 2004-04-09 | 2012-04-05 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP4922756B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2012-04-25 | 株式会社アルバック | 成膜装置および成膜方法 |
KR100838045B1 (ko) | 2007-11-28 | 2008-06-12 | 심문식 | 스퍼터링과 이온 빔 증착을 이용한 산화박막 증착장치 |
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