JPH11135416A - 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 - Google Patents
被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置Info
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- JPH11135416A JPH11135416A JP9314594A JP31459497A JPH11135416A JP H11135416 A JPH11135416 A JP H11135416A JP 9314594 A JP9314594 A JP 9314594A JP 31459497 A JP31459497 A JP 31459497A JP H11135416 A JPH11135416 A JP H11135416A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空室内での真空排気時における被処理体の
温度変動を短時間に安定化させ、被処理体の温度を所望
温度にすることができる被処理体載置テーブルおよびそ
れを備えた処理装置を提供すること。 【解決手段】 載置テーブル１９内の気体循環路３３内
に伝熱媒体として気体を循環させる。この気体循環路３
３内を循環する気体が載置テーブル１９上の被処理体に
接触して被処理体の温度を安定化させる。その結果、被
処理体の温度を迅速に所望の温度に設定することが可能
となる。
温度変動を短時間に安定化させ、被処理体の温度を所望
温度にすることができる被処理体載置テーブルおよびそ
れを備えた処理装置を提供すること。 【解決手段】 載置テーブル１９内の気体循環路３３内
に伝熱媒体として気体を循環させる。この気体循環路３
３内を循環する気体が載置テーブル１９上の被処理体に
接触して被処理体の温度を安定化させる。その結果、被
処理体の温度を迅速に所望の温度に設定することが可能
となる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体を載置するテーブルおよびそれを備えた処理装
置に関する。
被処理体を載置するテーブルおよびそれを備えた処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、半導体ウエハ
（以下、ウエハと省略する）の電子線露光を行う場合を
例にとって説明する。電子線露光装置は、内部を真空排
気できるように構成された真空処理室を備えている。こ
の真空処理室にウエハを搬入する場合、真空処理室にウ
エハを直接搬入して、真空処理室内を真空排気するので
はなく、まず、真空処理室に連通した大気圧下の予備室
（ロードロック室）内にウエハを搬入し、この予備室内
を真空排気して大気圧から真空にし、予め内部を真空状
態に保持した真空処理室にウエハを搬入する。
（以下、ウエハと省略する）の電子線露光を行う場合を
例にとって説明する。電子線露光装置は、内部を真空排
気できるように構成された真空処理室を備えている。こ
の真空処理室にウエハを搬入する場合、真空処理室にウ
エハを直接搬入して、真空処理室内を真空排気するので
はなく、まず、真空処理室に連通した大気圧下の予備室
（ロードロック室）内にウエハを搬入し、この予備室内
を真空排気して大気圧から真空にし、予め内部を真空状
態に保持した真空処理室にウエハを搬入する。
【０００３】この場合、ウエハを搬入した予備室内を真
空排気すると、予備室内のウエハは断熱膨張のため、そ
の温度が一時的に低下して、処理のための所望温度より
も低くなる。例えば、予備室内の容積が数十リットル程
度の場合に、ウエハの温度は約２〜３℃低下する。さら
に、温度が低下したウエハを真空状態の真空処理室に搬
入すると、今度はウエハが温められて、しばらく熱膨張
する。
空排気すると、予備室内のウエハは断熱膨張のため、そ
の温度が一時的に低下して、処理のための所望温度より
も低くなる。例えば、予備室内の容積が数十リットル程
度の場合に、ウエハの温度は約２〜３℃低下する。さら
に、温度が低下したウエハを真空状態の真空処理室に搬
入すると、今度はウエハが温められて、しばらく熱膨張
する。
【０００４】例えば８インチの半導体ウエハでは、１℃
の温度変化で０．５μｍの寸法変化を招く。この寸法変
化は、露光位置や検査・測定位置の誤差となり、精度が
保証できなくなる。したがって、ウエハへの処理が高精
度を要求される場合には、ウエハの温度の変動がなくな
るまで、ウエハを真空処理室で放置して処理を待機させ
る必要がある。例えば、ウエハの温度が安定化するま
で、２０〜３０分程度待機する必要がある。
の温度変化で０．５μｍの寸法変化を招く。この寸法変
化は、露光位置や検査・測定位置の誤差となり、精度が
保証できなくなる。したがって、ウエハへの処理が高精
度を要求される場合には、ウエハの温度の変動がなくな
るまで、ウエハを真空処理室で放置して処理を待機させ
る必要がある。例えば、ウエハの温度が安定化するま
で、２０〜３０分程度待機する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、ウエハの温度が安定するまで処理を待機すると、
スループットの低下を招くという問題を生じることとな
る。
うに、ウエハの温度が安定するまで処理を待機すると、
スループットの低下を招くという問題を生じることとな
る。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、真空処理室内での真空排気時におけるウエハ等の
被処理体の温度変動を短時間に安定化させ、被処理体の
温度を所望温度にすることができる被処理体載置テーブ
ルおよびそれを備えた処理装置を提供することを目的と
する。
あり、真空処理室内での真空排気時におけるウエハ等の
被処理体の温度変動を短時間に安定化させ、被処理体の
温度を所望温度にすることができる被処理体載置テーブ
ルおよびそれを備えた処理装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下の手段を講じた。
に、本発明は以下の手段を講じた。
【０００８】本発明は、真空室内において被処理体を載
置するテーブルであって、被処理体を載置する載置面を
有するテーブル本体と、前記テーブル本体内に備えら
れ、気体を通流できる気体循環路と、を具備し、前記気
体循環路に流入される気体および前記気体循環路から排
出される気体の流量が前記真空室内の圧力に応じて制御
され、前記気体は温度制御されていることを特徴とする
被処理体載置テーブルを提供する。
置するテーブルであって、被処理体を載置する載置面を
有するテーブル本体と、前記テーブル本体内に備えら
れ、気体を通流できる気体循環路と、を具備し、前記気
体循環路に流入される気体および前記気体循環路から排
出される気体の流量が前記真空室内の圧力に応じて制御
され、前記気体は温度制御されていることを特徴とする
被処理体載置テーブルを提供する。
【０００９】また、本発明は、少なくとも一つの真空室
を備え、被処理体に所定の処理を施す処理装置であっ
て、前記真空室の少なくとも一つが、被処理体を載置す
る載置面を有するテーブル本体と、前記テーブル本体内
に備えられ、気体を通流できる気体循環路と、を有し、
前記気体循環路内に流入される気体の流量が前記真空室
内の圧力に応じて制御される被処理体載置テーブルを具
備することを特徴とする処理装置を提供する。
を備え、被処理体に所定の処理を施す処理装置であっ
て、前記真空室の少なくとも一つが、被処理体を載置す
る載置面を有するテーブル本体と、前記テーブル本体内
に備えられ、気体を通流できる気体循環路と、を有し、
前記気体循環路内に流入される気体の流量が前記真空室
内の圧力に応じて制御される被処理体載置テーブルを具
備することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１０】これらの構成によれば、被処理体載置テー
ブル内の気体循環路内に、伝熱媒体としての温度制御さ
れた気体を循環させる。これにより、被処理体載置テー
ブルの載置面上に載置された被処理体の温度を積極的に
制御することができる。その結果、被処理体の温度を迅
速に安定化させて、所望の温度に設定することが可能と
なる。このため、処理のスループットを向上させること
ができる。
ブル内の気体循環路内に、伝熱媒体としての温度制御さ
れた気体を循環させる。これにより、被処理体載置テー
ブルの載置面上に載置された被処理体の温度を積極的に
制御することができる。その結果、被処理体の温度を迅
速に安定化させて、所望の温度に設定することが可能と
なる。このため、処理のスループットを向上させること
ができる。
【００１１】さらに、上記構成によれば、気体循環路内
に流入する気体および気体循環路から排出する気体の流
量を真空室内の圧力に応じて制御しているので、真空室
内の真空度を保持しながら気体から被処理体への伝熱を
効率よく行うことができる。
に流入する気体および気体循環路から排出する気体の流
量を真空室内の圧力に応じて制御しているので、真空室
内の真空度を保持しながら気体から被処理体への伝熱を
効率よく行うことができる。
【００１２】本発明においては、気体循環路内の真空度
が前記真空室内の真空度よりも高くなるように、前記気
体循環路内に流入される気体および気体循環路から排出
される気体の流量が制御されることが好ましい。
が前記真空室内の真空度よりも高くなるように、前記気
体循環路内に流入される気体および気体循環路から排出
される気体の流量が制御されることが好ましい。
【００１３】これにより、被処理体を確実に被処理体載
置テーブルの載置面上に保持することができ、しかも真
空室内の真空度の低下を防止できる。
置テーブルの載置面上に保持することができ、しかも真
空室内の真空度の低下を防止できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明
の被処理体載置テーブルを備えた真空室を有する処理装
置の一実施形態を示す概略構成図である。本実施形態に
おいては、被処理体が半導体ウエハであり、所定の処理
が露光処理である場合について説明する。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明
の被処理体載置テーブルを備えた真空室を有する処理装
置の一実施形態を示す概略構成図である。本実施形態に
おいては、被処理体が半導体ウエハであり、所定の処理
が露光処理である場合について説明する。
【００１５】この装置は、被処理体である半導体ウエハ
Ｗを収容する大気室１１と、半導体ウエハＷを搬入して
真空排気する予備室１２と、真空排気により温度低下し
た半導体ウエハＷの温度を安定化させる真空室である恒
温化室１３と、半導体ウエハに露光処理を施す露光処理
室１４とから主に構成されている。
Ｗを収容する大気室１１と、半導体ウエハＷを搬入して
真空排気する予備室１２と、真空排気により温度低下し
た半導体ウエハＷの温度を安定化させる真空室である恒
温化室１３と、半導体ウエハに露光処理を施す露光処理
室１４とから主に構成されている。
【００１６】大気室１１と予備室１２との間、予備室１
２と恒温化室１３との間、並びに恒温化室と露光処理室
１４との間には、それぞれ半導体ウエハを搬送可能な搬
送路１５が設けられている。この搬送路１５内は、連結
されている両室内の雰囲気を確保できるように構成され
ている。
２と恒温化室１３との間、並びに恒温化室と露光処理室
１４との間には、それぞれ半導体ウエハを搬送可能な搬
送路１５が設けられている。この搬送路１５内は、連結
されている両室内の雰囲気を確保できるように構成され
ている。
【００１７】大気室１１内には、複数の半導体ウエハＷ
をその表面を水平にし、かつ所定の間隔をおいて載置す
るウエハキャリア１６が設置されている。このウエハキ
ャリアは、図示しない搬送手段により、大気室１１内に
搬送・搬出されるようになっている。
をその表面を水平にし、かつ所定の間隔をおいて載置す
るウエハキャリア１６が設置されている。このウエハキ
ャリアは、図示しない搬送手段により、大気室１１内に
搬送・搬出されるようになっている。
【００１８】予備室１２には、その内部を真空排気する
ために真空ポンプ系１７が接続され、さらに内部を大気
圧に戻すためのリーク系１８が接続されている。また、
予備室１２内には、半導体ウエハＷを載置するホルダー
テーブル２７が設置されている。
ために真空ポンプ系１７が接続され、さらに内部を大気
圧に戻すためのリーク系１８が接続されている。また、
予備室１２内には、半導体ウエハＷを載置するホルダー
テーブル２７が設置されている。
【００１９】恒温化室１３内には、半導体ウエハＷを載
置し、半導体ウエハＷの温度を安定化する載置テーブル
１９が設置されている。この載置テーブル１９には、載
置テーブル１９内に設けられた後述する気体循環路に気
体を導入する気体導入系２０が接続されており、さら
に、気体循環路から気体を排気する排気系２１が接続さ
れている。気体導入系２０および排気系２１には、それ
ぞれの系の開閉を行うバルブ２０ａ，２１ｂが設けられ
ている。また、恒温化室１３には、その内部を真空排気
する真空ポンプ系２２が接続されている。
置し、半導体ウエハＷの温度を安定化する載置テーブル
１９が設置されている。この載置テーブル１９には、載
置テーブル１９内に設けられた後述する気体循環路に気
体を導入する気体導入系２０が接続されており、さら
に、気体循環路から気体を排気する排気系２１が接続さ
れている。気体導入系２０および排気系２１には、それ
ぞれの系の開閉を行うバルブ２０ａ，２１ｂが設けられ
ている。また、恒温化室１３には、その内部を真空排気
する真空ポンプ系２２が接続されている。
【００２０】図２は、気体循環路を有する載置テーブル
１９を示す概略断面図である。載置テーブル１９のテー
ブル本体３１は、上面を半導体ウエハＷの載置面とする
板状体である。テーブル本体３１上には、静電力により
半導体ウエハＷを吸着する静電チャック３２が取り付け
られている。
１９を示す概略断面図である。載置テーブル１９のテー
ブル本体３１は、上面を半導体ウエハＷの載置面とする
板状体である。テーブル本体３１上には、静電力により
半導体ウエハＷを吸着する静電チャック３２が取り付け
られている。
【００２１】また、テーブル本体３１内には、気体を循
環させる気体循環路３３が設けられている。また、静電
チャック３２には、半導体ウエハＷの裏面にパーティク
ル、コンタミネーション、ゴミの付着を防止するため
に、複数の穴および溝が形成されている。これにより、
静電チャック３２と半導体ウエハＷとの間の接触面積を
できるだけ小さくするようになっている。そして、気体
循環路３３内の気体を静電チャックを通して半導体ウエ
ハＷの裏面に吹く付け、排気できるようになっている。
環させる気体循環路３３が設けられている。また、静電
チャック３２には、半導体ウエハＷの裏面にパーティク
ル、コンタミネーション、ゴミの付着を防止するため
に、複数の穴および溝が形成されている。これにより、
静電チャック３２と半導体ウエハＷとの間の接触面積を
できるだけ小さくするようになっている。そして、気体
循環路３３内の気体を静電チャックを通して半導体ウエ
ハＷの裏面に吹く付け、排気できるようになっている。
【００２２】気体循環路３３は、一系統の気体流入管３
３ａと、２系統の気体流出管３３ｂ，３３ｃとから構成
されている。気体流入管３３ａから気体循環路３３に気
体を流入し、この気体を気体流出管３３ｂ，３３ｃから
流出するようになっている。この気体流入管３３ａは、
図１に示すバルブ２０ａを介して気体導入系２０に接続
されており、気体流出管３３ｂ，３３ｃは、バルブ２１
ａを介して排気系２１に接続されている。また、この気
体流入管３３ａおよび気体流出管３３ｂ，３３ｃの流量
を制御することにより、気体流入量と気体排出量を変え
る差動排気を実現するようになっている。
３ａと、２系統の気体流出管３３ｂ，３３ｃとから構成
されている。気体流入管３３ａから気体循環路３３に気
体を流入し、この気体を気体流出管３３ｂ，３３ｃから
流出するようになっている。この気体流入管３３ａは、
図１に示すバルブ２０ａを介して気体導入系２０に接続
されており、気体流出管３３ｂ，３３ｃは、バルブ２１
ａを介して排気系２１に接続されている。また、この気
体流入管３３ａおよび気体流出管３３ｂ，３３ｃの流量
を制御することにより、気体流入量と気体排出量を変え
る差動排気を実現するようになっている。
【００２３】図１に示す露光処理室１４内には、半導体
ウエハＷを載置する載置テーブル２３が移動可能に取り
付けられている。また、露光処理室１４の上部には、半
導体ウエハＷに対して荷電ビームを照射する荷電ビーム
露光装置２４が設置されている。これらの露光処理室１
４および荷電ビーム露光装置２４には、それぞれ内部を
真空排気する真空ポンプ系２５および２６が接続されて
いる。
ウエハＷを載置する載置テーブル２３が移動可能に取り
付けられている。また、露光処理室１４の上部には、半
導体ウエハＷに対して荷電ビームを照射する荷電ビーム
露光装置２４が設置されている。これらの露光処理室１
４および荷電ビーム露光装置２４には、それぞれ内部を
真空排気する真空ポンプ系２５および２６が接続されて
いる。
【００２４】次に、上記構成を有する処理装置におい
て、感光性材料を塗布した後の半導体ウエハＷに露光処
理を施す場合についてさらに図３を用いて説明する。な
お、図３において、丸数字は処理される半導体ウエハの
順序を意味する。また、図３においては、露光処理室１
４に向う経路を搬入経路４１とし、大気室１１に向う経
路を搬出経路４２とする。
て、感光性材料を塗布した後の半導体ウエハＷに露光処
理を施す場合についてさらに図３を用いて説明する。な
お、図３において、丸数字は処理される半導体ウエハの
順序を意味する。また、図３においては、露光処理室１
４に向う経路を搬入経路４１とし、大気室１１に向う経
路を搬出経路４２とする。
【００２５】なお、本処理装置の外周には、冷却水循環
路が取り付けられており、冷却水循環路に冷却水が循環
されており、処理装置１内部が室温（約２３℃）に温度
制御されている。
路が取り付けられており、冷却水循環路に冷却水が循環
されており、処理装置１内部が室温（約２３℃）に温度
制御されている。
【００２６】まず、大気室１１のウエハキャリアから図
示しない搬送手段により一枚の半導体ウエハＷを取り出
し、搬送路を経て予備室１２に搬入し、予備室１２のホ
ルダーテーブル上に載置して図３（ａ）の状態となる。
その後、予備室のバルブを閉じ、真空ポンプ系およびリ
ーク系により予備室１２内を真空排気して、所定の雰囲
気圧力にして図３（ｂ），（ｃ）の状態となる。このと
き、断熱膨張により、半導体ウエハＷの温度は約２〜３
℃低下する。なお、図３において、斜線部分は真空状態
であることを示す。
示しない搬送手段により一枚の半導体ウエハＷを取り出
し、搬送路を経て予備室１２に搬入し、予備室１２のホ
ルダーテーブル上に載置して図３（ａ）の状態となる。
その後、予備室のバルブを閉じ、真空ポンプ系およびリ
ーク系により予備室１２内を真空排気して、所定の雰囲
気圧力にして図３（ｂ），（ｃ）の状態となる。このと
き、断熱膨張により、半導体ウエハＷの温度は約２〜３
℃低下する。なお、図３において、斜線部分は真空状態
であることを示す。
【００２７】真空排気後に、真空処理室１２の恒温化室
１３側のバルブを開けて、図示しない搬送手段により半
導体ウエハＷを予め真空ポンプ系２２により真空排気さ
れた恒温化室１３に搬送し、恒温化室１３の載置テーブ
ル１９上に載置する。このとき、半導体ウエハＷの温度
は熱膨張により上昇する。
１３側のバルブを開けて、図示しない搬送手段により半
導体ウエハＷを予め真空ポンプ系２２により真空排気さ
れた恒温化室１３に搬送し、恒温化室１３の載置テーブ
ル１９上に載置する。このとき、半導体ウエハＷの温度
は熱膨張により上昇する。
【００２８】載置テーブル１９に半導体ウエハＷを載置
すると、静電チャック３２の静電力により半導体ウエハ
Ｗがテーブル本体３１に静電吸着される。このとき、気
体流入管３３ａから気体循環路３３に気体、例えば窒素
ガスを気体導入系２０により流入し、排気系２１により
気体循環路３３から気体流出管３３ｂ，３３ｃに気体を
流出させる。
すると、静電チャック３２の静電力により半導体ウエハ
Ｗがテーブル本体３１に静電吸着される。このとき、気
体流入管３３ａから気体循環路３３に気体、例えば窒素
ガスを気体導入系２０により流入し、排気系２１により
気体循環路３３から気体流出管３３ｂ，３３ｃに気体を
流出させる。
【００２９】このとき、気体流入管３３ａの流量および
気体流出管３３ｂ，３３ｃの流量（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）
を制御して差動排気を実現することにより、気体循環路
内の真空度が恒温化室内の真空度よりも高くなるように
する。これにより、恒温化室１３内の真空度が維持さ
れ、半導体ウエハを確実に載置テーブル１９上に保持す
ることができる。
気体流出管３３ｂ，３３ｃの流量（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）
を制御して差動排気を実現することにより、気体循環路
内の真空度が恒温化室内の真空度よりも高くなるように
する。これにより、恒温化室１３内の真空度が維持さ
れ、半導体ウエハを確実に載置テーブル１９上に保持す
ることができる。
【００３０】気体循環路３３を循環する窒素ガスは、あ
らかじめ外部で所定の温度に制御され、気体循環路３３
に流入され、半導体ウエハＷの裏面に接触する。また、
このように半導体ウエハＷの裏面に接触した窒素ガス
は、気体排気用の穴および溝から排気される。これによ
り、半導体ウエハＷの熱が窒素ガスに伝達され、窒素ガ
スが排気されることにより逃がされる。このように、伝
熱媒体である窒素ガスを半導体ウエハＷに接触すること
により、伝熱効果を図り、半導体ウエハＷの温度を迅速
に安定化して、所定の温度に設定する。
らかじめ外部で所定の温度に制御され、気体循環路３３
に流入され、半導体ウエハＷの裏面に接触する。また、
このように半導体ウエハＷの裏面に接触した窒素ガス
は、気体排気用の穴および溝から排気される。これによ
り、半導体ウエハＷの熱が窒素ガスに伝達され、窒素ガ
スが排気されることにより逃がされる。このように、伝
熱媒体である窒素ガスを半導体ウエハＷに接触すること
により、伝熱効果を図り、半導体ウエハＷの温度を迅速
に安定化して、所定の温度に設定する。
【００３１】真空中における半導体ウエハＷへの伝熱
は、窒素ガスによる伝熱（対流）がないため、半導体ウ
エハＷの裏面と静電チャック３２との間の接触部分のみ
で行われる。一方、半導体ウエハＷにパーティクルダス
トが付着することを防止するために、半導体ウエハＷと
静電チャック３２との間の接触面積は極力小さく設定さ
れている。したがって、上記のようにして半導体ウエハ
Ｗの裏面に窒素ガスを接触させる本実施形態の方法は、
半導体ウエハＷと静電チャック３２との間の接触面積が
小さい制限の中で効率良く伝熱を行わせることができる
方法である。
は、窒素ガスによる伝熱（対流）がないため、半導体ウ
エハＷの裏面と静電チャック３２との間の接触部分のみ
で行われる。一方、半導体ウエハＷにパーティクルダス
トが付着することを防止するために、半導体ウエハＷと
静電チャック３２との間の接触面積は極力小さく設定さ
れている。したがって、上記のようにして半導体ウエハ
Ｗの裏面に窒素ガスを接触させる本実施形態の方法は、
半導体ウエハＷと静電チャック３２との間の接触面積が
小さい制限の中で効率良く伝熱を行わせることができる
方法である。
【００３２】その後、恒温化室１３の露光処理室１４側
のバルブを開けて、このように温度が安定化した半導体
ウエハＷを、図示しない搬送手段により予め真空ポンプ
系２５，２６により真空排気された露光処理室１４に搬
送し、露光処理室１４の載置テーブル２３上に載置す
る。次いで、荷電ビーム露光装置２４により半導体ウエ
ハＷに対して露光処理を施す。
のバルブを開けて、このように温度が安定化した半導体
ウエハＷを、図示しない搬送手段により予め真空ポンプ
系２５，２６により真空排気された露光処理室１４に搬
送し、露光処理室１４の載置テーブル２３上に載置す
る。次いで、荷電ビーム露光装置２４により半導体ウエ
ハＷに対して露光処理を施す。
【００３３】露光処理が施された半導体ウエハＷは、露
光処理室１４から恒温化室１３および予備室１２を通
り、大気室１１のウエハキャリア１６に載置される。こ
のような半導体ウエハＷの処理が順次行われる。すなわ
ち、図３（ａ）〜（ｃ）に示す手順にしたがって、半導
体ウエハＷの搬入・搬出に応じて予備室１２内を真空状
態および大気状態に変える。
光処理室１４から恒温化室１３および予備室１２を通
り、大気室１１のウエハキャリア１６に載置される。こ
のような半導体ウエハＷの処理が順次行われる。すなわ
ち、図３（ａ）〜（ｃ）に示す手順にしたがって、半導
体ウエハＷの搬入・搬出に応じて予備室１２内を真空状
態および大気状態に変える。
【００３４】上記実施形態の方法により、半導体ウエハ
Ｗの温度が安定化するまで、処理を待機する従来の装置
に比べて、スループットが１０倍以上向上することが確
認された。
Ｗの温度が安定化するまで、処理を待機する従来の装置
に比べて、スループットが１０倍以上向上することが確
認された。
【００３５】また、上記実施形態については、気体とし
て窒素ガスを用いた場合について説明しているが、本発
明は、気体としてＨｅ等を用いる場合にも適用すること
ができる。また、差動排気についても、一つの気体流入
管と二つの気体流出管との組み合わせだけではなく、一
つの気体流入管と二つ以上の気体流出管との組み合わせ
でも良い。
て窒素ガスを用いた場合について説明しているが、本発
明は、気体としてＨｅ等を用いる場合にも適用すること
ができる。また、差動排気についても、一つの気体流入
管と二つの気体流出管との組み合わせだけではなく、一
つの気体流入管と二つ以上の気体流出管との組み合わせ
でも良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の被処理体載
置テーブルおよびそれを備えた処理装置は、被処理体載
置テーブル内の気体循環路内に伝熱媒体として気体を循
環させる。これにより、温度制御された気体から被処理
体載置テーブルの載置面上に載置された被処理体に熱を
積極的に伝達することができる。その結果、被処理体の
温度を迅速に安定化させて、所望の温度に設定すること
が可能となる。このため、処理のスループットを向上さ
せることができる。
置テーブルおよびそれを備えた処理装置は、被処理体載
置テーブル内の気体循環路内に伝熱媒体として気体を循
環させる。これにより、温度制御された気体から被処理
体載置テーブルの載置面上に載置された被処理体に熱を
積極的に伝達することができる。その結果、被処理体の
温度を迅速に安定化させて、所望の温度に設定すること
が可能となる。このため、処理のスループットを向上さ
せることができる。
【図１】本発明の被処理体載置テーブルを備えた処理室
を有する処理装置の一実施形態を示す概略構成図であ
る。
を有する処理装置の一実施形態を示す概略構成図であ
る。
【図２】本発明の被処理体載置テーブルの一実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は被処理体に処理を施す際の処
理室の真空状態を説明するための図である。
理室の真空状態を説明するための図である。
１…処理装置、１１…大気室、１２…予備室、１３…恒
温化室、１４…露光処理室、１５…搬送路、１６…ウエ
ハキャリア、１７，２２，２５，２６…真空ポンプ系、
１８…リーク系、１９…載置テーブル、２０…気体導入
系、２０ａ，２１ｂ…バルブ、２１…排気系、３１…テ
ーブル本体、３２…静電チャック、３３…気体循環路、
３３ａ…気体流入管、３３ｂ，３３ｃ…気体流出管、４
１…搬入経路、４２…搬出経路。
温化室、１４…露光処理室、１５…搬送路、１６…ウエ
ハキャリア、１７，２２，２５，２６…真空ポンプ系、
１８…リーク系、１９…載置テーブル、２０…気体導入
系、２０ａ，２１ｂ…バルブ、２１…排気系、３１…テ
ーブル本体、３２…静電チャック、３３…気体循環路、
３３ａ…気体流入管、３３ｂ，３３ｃ…気体流出管、４
１…搬入経路、４２…搬出経路。
Claims (4)
- 【請求項１】 真空室内において被処理体を載置するテ
ーブルであって、 処理体を載置する載置面を有するテーブル本体と、 記テーブル本体内に備えられ、気体を通流できる気体循
環路と、を具備し、 前記気体循環路に流入される気体および前記気体循環路
から排出される気体の流量が前記真空室内の圧力に応じ
て制御され、前記気体は温度制御されていることを特徴
とする被処理体載置テーブル。 - 【請求項２】 前記気体循環路内の真空度が前記真空室
内の真空度よりも高くなるように、前記気体循環路内に
流入される気体および前記気体循環路から排出される気
体の流量が制御されることを特徴とする請求項１に記載
の被処理体載置テーブル。 - 【請求項３】 少なくとも一つの真空室を備え、被処理
体に所定の処理を施す処理装置であって、 前記真空室の少なくとも一つが、被処理体を載置する載
置面を有するテーブル本体と、 前記テーブル本体内に備えられ、気体を通流できる気体
循環路と、を有し、 前記気体循環路内に流入される気体の流量が前記真空室
内の圧力に応じて制御される被処理体載置テーブルを具
備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 前記気体循環路内の真空度が前記真空室
内の真空度よりも高くなるように、前記気体循環路内に
流入される気体の流量が制御されることを特徴とする請
求項１に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314594A JPH11135416A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314594A JPH11135416A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135416A true JPH11135416A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=18055185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9314594A Pending JPH11135416A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135416A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP1457830A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| JP2007300142A (ja) * | 2003-03-11 | 2007-11-15 | Asml Netherlands Bv | 温度調節付きロード・ロック、ロード・ロックを備えたリソグラフィ装置、およびロード・ロックを用いて基板を製造する方法 |
| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| US7878755B2 (en) | 2003-03-11 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Load lock and method for transferring objects |
| JP2014216528A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN105436757A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-30 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 带吸附功能的受热均匀的双工位工作台 |
| WO2023089680A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP9314594A patent/JPH11135416A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
| EP1457830A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| EP1457830A3 (en) * | 2003-03-11 | 2005-07-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| JP2007300142A (ja) * | 2003-03-11 | 2007-11-15 | Asml Netherlands Bv | 温度調節付きロード・ロック、ロード・ロックを備えたリソグラフィ装置、およびロード・ロックを用いて基板を製造する方法 |
| US7394520B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| US7878755B2 (en) | 2003-03-11 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Load lock and method for transferring objects |
| JP4679555B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2011-04-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ロード・ロック、リソグラフィ投影アセンブリ、およびデバイス製造方法 |
| JP2014216528A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| CN105436757A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-30 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 带吸附功能的受热均匀的双工位工作台 |
| WO2023089680A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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