JPH11135239A - セラミックヒータ - Google Patents
セラミックヒータInfo
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- JPH11135239A JPH11135239A JP9312698A JP31269897A JPH11135239A JP H11135239 A JPH11135239 A JP H11135239A JP 9312698 A JP9312698 A JP 9312698A JP 31269897 A JP31269897 A JP 31269897A JP H11135239 A JPH11135239 A JP H11135239A
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Classifications
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- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q7/00—Incandescent ignition; Igniters using electrically-produced heat, e.g. lighters for cigarettes; Electrically-heated glowing plugs
- F23Q7/001—Glowing plugs for internal-combustion engines
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温使用を長時間継続しても抵抗発熱体の劣
化が生じにくく、長寿命のセラミックヒータを提供す
る。 【解決手段】 セラミックヒータ１は、高融点金属を主
体に構成された抵抗発熱体１２がセラミック基体１１中
に埋設された構造を有する。そして、セラミック基体１
１の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体１２の構成
粒子の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下の
範囲で調整される。
化が生じにくく、長寿命のセラミックヒータを提供す
る。 【解決手段】 セラミックヒータ１は、高融点金属を主
体に構成された抵抗発熱体１２がセラミック基体１１中
に埋設された構造を有する。そして、セラミック基体１
１の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体１２の構成
粒子の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下の
範囲で調整される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックヒータに
関するものであり、特に自動車用酸素センサの加熱用あ
るいはディーゼルエンジンのグローシステム、さらには
半導体基板加熱用あるいはファンヒータ等に使用される
セラミックヒータに関する。
関するものであり、特に自動車用酸素センサの加熱用あ
るいはディーゼルエンジンのグローシステム、さらには
半導体基板加熱用あるいはファンヒータ等に使用される
セラミックヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】上述のようなセラミックヒータとして
は、平板状、円筒状あるいはその他の形状に形成された
セラミック基体中に、Ｗ（タングステン）等の高融点金
属からなる抵抗発熱体を埋設した構造のものが知られて
いる。このようなセラミックヒータは、例えばシート成
形あるいは押出成形等により未焼成のセラミック成形体
を作り、次いで高融点金属の粉末を含有するペーストを
用いて発熱体パターンを厚膜印刷等により形成し、その
後さらに別のセラミック成形体を重ねた後、それらを焼
成することにより製造される。
は、平板状、円筒状あるいはその他の形状に形成された
セラミック基体中に、Ｗ（タングステン）等の高融点金
属からなる抵抗発熱体を埋設した構造のものが知られて
いる。このようなセラミックヒータは、例えばシート成
形あるいは押出成形等により未焼成のセラミック成形体
を作り、次いで高融点金属の粉末を含有するペーストを
用いて発熱体パターンを厚膜印刷等により形成し、その
後さらに別のセラミック成形体を重ねた後、それらを焼
成することにより製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種のセラミックヒ
ータにおいては従来、高温使用を長時間継続すると抵抗
発熱体が劣化して電気抵抗値が増大することがあり、ヒ
ータの寿命の低下につながる問題があった。このような
抵抗発熱体の劣化の原因としては、抵抗発熱体あるいは
セラミック基体の構成成分が高温化の通電により電気化
学的な拡散現象、いわゆるエレクトロマイグレーション
（以下、単にマイグレーションという）を起こすことが
挙げられている（例えば特開平４−３２９２９１号公
報）。例えば、抵抗発熱体の構成成分がマイグレーショ
ンによりセラミック基体中に拡散流出すると、その流出
部分で抵抗発熱体が消耗し、過昇・断線に至ることもあ
る。また、焼結助剤成分として添加されるＭｇＯあるい
はＣａＯ等の金属酸化物成分は、セラミック基体中では
ガラス相の形で存在するが、これに含有される金属イオ
ンないし酸素イオンもマイグレーションを起こしやす
い。例えば抵抗発熱体の主要構成成分がＷである場合に
は、マイグレーションにより移動してくる酸素イオンに
より酸化され、同様に抵抗値増大や断線等の問題を引き
起こすことがある。
ータにおいては従来、高温使用を長時間継続すると抵抗
発熱体が劣化して電気抵抗値が増大することがあり、ヒ
ータの寿命の低下につながる問題があった。このような
抵抗発熱体の劣化の原因としては、抵抗発熱体あるいは
セラミック基体の構成成分が高温化の通電により電気化
学的な拡散現象、いわゆるエレクトロマイグレーション
（以下、単にマイグレーションという）を起こすことが
挙げられている（例えば特開平４−３２９２９１号公
報）。例えば、抵抗発熱体の構成成分がマイグレーショ
ンによりセラミック基体中に拡散流出すると、その流出
部分で抵抗発熱体が消耗し、過昇・断線に至ることもあ
る。また、焼結助剤成分として添加されるＭｇＯあるい
はＣａＯ等の金属酸化物成分は、セラミック基体中では
ガラス相の形で存在するが、これに含有される金属イオ
ンないし酸素イオンもマイグレーションを起こしやす
い。例えば抵抗発熱体の主要構成成分がＷである場合に
は、マイグレーションにより移動してくる酸素イオンに
より酸化され、同様に抵抗値増大や断線等の問題を引き
起こすことがある。
【０００４】本発明の課題は、高温使用を長時間継続し
ても抵抗発熱体の劣化が生じにくく、長寿命のセラミッ
クヒータを提供することにある。
ても抵抗発熱体の劣化が生じにくく、長寿命のセラミッ
クヒータを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】上述の課
題を解決するために、本発明のセラミックヒータの第一
の構成は、高融点金属を主体に構成された抵抗発熱体が
セラミック基体中に埋設されるとともに、セラミック基
体の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体の構成粒子
の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下の範囲
で調整されたことを特徴とする。
題を解決するために、本発明のセラミックヒータの第一
の構成は、高融点金属を主体に構成された抵抗発熱体が
セラミック基体中に埋設されるとともに、セラミック基
体の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体の構成粒子
の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下の範囲
で調整されたことを特徴とする。
【０００６】セラミック基体の構成粒子の平均粒径をｄ
B、抵抗発熱体の構成粒子の平均粒径をｄHとして、ｄH
／ｄB を０．８以下とすることで、高温で長時間使用し
た場合も抵抗発熱体の劣化が起こりにくくなり、ひいて
は長寿命のセラミックヒータを実現できる。また、焼成
によりセラミックヒータを製造する場合に、抵抗発熱体
に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じにくくなる。
B、抵抗発熱体の構成粒子の平均粒径をｄHとして、ｄH
／ｄB を０．８以下とすることで、高温で長時間使用し
た場合も抵抗発熱体の劣化が起こりにくくなり、ひいて
は長寿命のセラミックヒータを実現できる。また、焼成
によりセラミックヒータを製造する場合に、抵抗発熱体
に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じにくくなる。
【０００７】本発明に使用可能な高融点金属としては、
Ｗが代表的であるがＭｏも使用可能であり、両者は単独
で用いても複合させて用いてもいずれでもよい。また、
セラミック基体は、熱伝導性と高温強度及び高温耐食性
に優れていることからＡｌ2Ｏ3を主体に構成できるが、
このほかにもムライト、コージェライト、スピネル等の
Ａｌ2Ｏ3成分を含有したセラミックを使用することがで
きる。なお、セラミック基体中には、ＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ5等の１種又は２種以上からなる焼結
助剤成分が、合計で１５重量％以下の範囲で含有されて
いてもよい。
Ｗが代表的であるがＭｏも使用可能であり、両者は単独
で用いても複合させて用いてもいずれでもよい。また、
セラミック基体は、熱伝導性と高温強度及び高温耐食性
に優れていることからＡｌ2Ｏ3を主体に構成できるが、
このほかにもムライト、コージェライト、スピネル等の
Ａｌ2Ｏ3成分を含有したセラミックを使用することがで
きる。なお、セラミック基体中には、ＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ5等の１種又は２種以上からなる焼結
助剤成分が、合計で１５重量％以下の範囲で含有されて
いてもよい。
【０００８】ｄH／ｄB が０．８を超えると、高温使用
を長時間継続した場合の抵抗発熱体の劣化が生じやすく
なり、セラミックヒータの寿命低下につながる。また、
焼成によりセラミックヒータを製造する場合に、抵抗発
熱体に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じる確率が高
くなる。ｄH／ｄB は、望ましくは０．７以下、より望
ましくは０．６以下の範囲で調整するのがよい。
を長時間継続した場合の抵抗発熱体の劣化が生じやすく
なり、セラミックヒータの寿命低下につながる。また、
焼成によりセラミックヒータを製造する場合に、抵抗発
熱体に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じる確率が高
くなる。ｄH／ｄB は、望ましくは０．７以下、より望
ましくは０．６以下の範囲で調整するのがよい。
【０００９】本発明のセラミックヒータにおいて抵抗発
熱体の高温耐久性が高められ、また焼成による製造時に
欠陥等が生じにくくなる理由として、次のようなことが
推定される。 ｄH／ｄB を０．８以下とすることにより、抵抗発熱
体の構成粒子の粒径はセラミック基体のそれと比べて相
対的に小さく設定されることとなる。これにより、抵抗
発熱体の構成粒子間には隙間が形成されにくくなり、ま
た形成されても微細に分散した形態の隙間となるので、
焼成時において焼結助剤成分に基づくガラスの液相が、
抵抗発熱体の構成粒子間に浸透しにくくなる。
熱体の高温耐久性が高められ、また焼成による製造時に
欠陥等が生じにくくなる理由として、次のようなことが
推定される。 ｄH／ｄB を０．８以下とすることにより、抵抗発熱
体の構成粒子の粒径はセラミック基体のそれと比べて相
対的に小さく設定されることとなる。これにより、抵抗
発熱体の構成粒子間には隙間が形成されにくくなり、ま
た形成されても微細に分散した形態の隙間となるので、
焼成時において焼結助剤成分に基づくガラスの液相が、
抵抗発熱体の構成粒子間に浸透しにくくなる。
【００１０】抵抗発熱体の構成粒子の平均粒径を上述
のように小さくするということは、抵抗発熱体の原料粉
末粒子もこれに対応する小粒径のものが使用されること
を意味する。原料粉末粒子は、焼成時において主に固相
焼結機構により収縮するのであるが、固相焼結機構にお
いては粉末粒子径が小さくなるほど収縮が進行しやすく
なることが知られている。従って、小粒径の原料粉末を
使用すれば、焼成により抵抗発熱体の緻密化（焼き締ま
り）が進行し、ガラス相の抵抗発熱体側への浸透は一層
起こりにくくなると考えられる。
のように小さくするということは、抵抗発熱体の原料粉
末粒子もこれに対応する小粒径のものが使用されること
を意味する。原料粉末粒子は、焼成時において主に固相
焼結機構により収縮するのであるが、固相焼結機構にお
いては粉末粒子径が小さくなるほど収縮が進行しやすく
なることが知られている。従って、小粒径の原料粉末を
使用すれば、焼成により抵抗発熱体の緻密化（焼き締ま
り）が進行し、ガラス相の抵抗発熱体側への浸透は一層
起こりにくくなると考えられる。
【００１１】ｄH／ｄB を０．８以下とすることで、
セラミック基体と抵抗発熱体との界面には、セラミック
基体の構成粒子間に抵抗発熱体の構成粒子が微視的に入
り組んだ構造が形成されやすくなると考えられる。この
状態で抵抗発熱体が焼き締まると、その収縮の応力を受
けてセラミック基体の構成粒子間に生じているガラスの
液相が、該セラミック基体側に押し戻される形となり、
界面付近からガラス相が排除される傾向が強められる。
セラミック基体と抵抗発熱体との界面には、セラミック
基体の構成粒子間に抵抗発熱体の構成粒子が微視的に入
り組んだ構造が形成されやすくなると考えられる。この
状態で抵抗発熱体が焼き締まると、その収縮の応力を受
けてセラミック基体の構成粒子間に生じているガラスの
液相が、該セラミック基体側に押し戻される形となり、
界面付近からガラス相が排除される傾向が強められる。
【００１２】これら〜の少なくともいずれかの要因
により、セラミック基体と抵抗発熱体との界面には過剰
なガラス相が形成されにくくなると推測される。そし
て、これにより、抵抗発熱体とガラス相との間でマイグ
レーションが生じにくくなり、抵抗発熱体の高温耐久性
が高められ、また製造時の欠陥も生じにくくなると考え
られる。
により、セラミック基体と抵抗発熱体との界面には過剰
なガラス相が形成されにくくなると推測される。そし
て、これにより、抵抗発熱体とガラス相との間でマイグ
レーションが生じにくくなり、抵抗発熱体の高温耐久性
が高められ、また製造時の欠陥も生じにくくなると考え
られる。
【００１３】また、ｄH／ｄB が０．８を超えると、界
面付近のガラス相の量は増大し、セラミック基体との間
の結合力も低下する。このような状態で高温に長時間保
持されると、流動化したガラス相中で抵抗発熱体が浮き
上がる形となり、セラミック基体に対する固定状態が不
安定となる。その結果、抵抗発熱体はセラミック基体か
ら曲げ力や局所的な応力集中を受けやすくなり、断線等
も生じやすくなる。しかしながら、ｄH／ｄB を０．８
以下とする本発明のセラミックヒータにおいては、例え
ば上記の要因により、抵抗発熱体は、上記界面を互い
に入り組ませた状態で焼き締まることによりセラミック
基体との間の結合力が高められ、加えて該界面付近のガ
ラス相の量が減少することにより、ガラス相が流動化す
る状態が長時間続いても、抵抗発熱体はセラミック基体
中に強固に固定された状態を維持できる。このことも、
本発明のセラミックヒータの高温耐久性が高められ、ま
た製造時の欠陥が生じにくくなる一因であると推考され
る。
面付近のガラス相の量は増大し、セラミック基体との間
の結合力も低下する。このような状態で高温に長時間保
持されると、流動化したガラス相中で抵抗発熱体が浮き
上がる形となり、セラミック基体に対する固定状態が不
安定となる。その結果、抵抗発熱体はセラミック基体か
ら曲げ力や局所的な応力集中を受けやすくなり、断線等
も生じやすくなる。しかしながら、ｄH／ｄB を０．８
以下とする本発明のセラミックヒータにおいては、例え
ば上記の要因により、抵抗発熱体は、上記界面を互い
に入り組ませた状態で焼き締まることによりセラミック
基体との間の結合力が高められ、加えて該界面付近のガ
ラス相の量が減少することにより、ガラス相が流動化す
る状態が長時間続いても、抵抗発熱体はセラミック基体
中に強固に固定された状態を維持できる。このことも、
本発明のセラミックヒータの高温耐久性が高められ、ま
た製造時の欠陥が生じにくくなる一因であると推考され
る。
【００１４】このような本発明の効果は、抵抗発熱体が
Ｗを主体に構成され、セラミック基体がＡｌ2Ｏ3を主体
に構成される場合に、特に顕著に達成される。
Ｗを主体に構成され、セラミック基体がＡｌ2Ｏ3を主体
に構成される場合に、特に顕著に達成される。
【００１５】抵抗発熱体の構成粒子の平均粒径ｄHは、
０．３〜１．２μｍの範囲で調整することが望ましい。
ｄHが１．２μｍを超えると、高温使用を長時間継続し
た場合の抵抗発熱体の劣化が生じたり、製造時に抵抗発
熱体に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じやすくなる
場合がある。これは、抵抗発熱体の構成粒子間に隙間が
形成されやすくなり、セラミック基体側からのガラス相
が抵抗発熱体に浸透して、抵抗発熱体とガラス相との間
でマイグレーションが生じやすくなるためであると考え
られる。一方、ｄHが０．３μｍ未満になると、高融点
金属を主体とする抵抗発熱体の原料粉末が酸化しやすく
なり、製造時の粉末の取り扱いが困難となることがあ
る。また、酸化劣化した粉末の焼成時の収縮が進行しに
くくなり、抵抗発熱体の劣化による寿命低下や製造時の
欠陥発生確率の増大といった問題を生ずる場合がある。
なお、ｄHはより望ましくは０．４〜０．７μｍの範囲
で調整するのがよい。
０．３〜１．２μｍの範囲で調整することが望ましい。
ｄHが１．２μｍを超えると、高温使用を長時間継続し
た場合の抵抗発熱体の劣化が生じたり、製造時に抵抗発
熱体に断線や抵抗値ばらつき等の欠陥が生じやすくなる
場合がある。これは、抵抗発熱体の構成粒子間に隙間が
形成されやすくなり、セラミック基体側からのガラス相
が抵抗発熱体に浸透して、抵抗発熱体とガラス相との間
でマイグレーションが生じやすくなるためであると考え
られる。一方、ｄHが０．３μｍ未満になると、高融点
金属を主体とする抵抗発熱体の原料粉末が酸化しやすく
なり、製造時の粉末の取り扱いが困難となることがあ
る。また、酸化劣化した粉末の焼成時の収縮が進行しに
くくなり、抵抗発熱体の劣化による寿命低下や製造時の
欠陥発生確率の増大といった問題を生ずる場合がある。
なお、ｄHはより望ましくは０．４〜０．７μｍの範囲
で調整するのがよい。
【００１６】また、抵抗発熱体の構成粒子は、その粒径
分布において、小粒径側からの相対累積度数が９０％と
なる粒径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径値ｄ10%と
の差ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下となるように調整す
ることが望ましい。ｄ90%−ｄ10%を該範囲に設定するこ
とで、抵抗発熱体の構成粒子の粒径分布が鋭くなり、高
温長時間使用の場合の抵抗発熱体の劣化や、製造時の欠
陥等を一層生じにくくすることができる。ｄ90%−ｄ10%
が１．５μｍを超えると抵抗発熱体の収縮が進行しにく
くなり、マイグレーションも発生しやすくなって抵抗発
熱体の寿命が低下したり、あるいは製造時の欠陥発生確
率やセラミックヒータ個体間での抵抗値のばらつきが大
きくなる場合がある。ｄ90%−ｄ10%は、望ましくは１．
２μｍ以下、より望ましくは０．８μｍ以下の範囲で調
整するのがよい。
分布において、小粒径側からの相対累積度数が９０％と
なる粒径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径値ｄ10%と
の差ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下となるように調整す
ることが望ましい。ｄ90%−ｄ10%を該範囲に設定するこ
とで、抵抗発熱体の構成粒子の粒径分布が鋭くなり、高
温長時間使用の場合の抵抗発熱体の劣化や、製造時の欠
陥等を一層生じにくくすることができる。ｄ90%−ｄ10%
が１．５μｍを超えると抵抗発熱体の収縮が進行しにく
くなり、マイグレーションも発生しやすくなって抵抗発
熱体の寿命が低下したり、あるいは製造時の欠陥発生確
率やセラミックヒータ個体間での抵抗値のばらつきが大
きくなる場合がある。ｄ90%−ｄ10%は、望ましくは１．
２μｍ以下、より望ましくは０．８μｍ以下の範囲で調
整するのがよい。
【００１７】また、本発明のセラミックヒータの第二の
構成は、高融点金属を主体に構成された抵抗発熱体がセ
ラミック基体中に埋設されるとともに、抵抗発熱体の構
成粒子の平均粒径ｄHが０．３〜１．２μｍの範囲で調
整され、かつ抵抗発熱体の構成粒子が、その粒径分布に
おいて、小粒径側からの相対累積度数が９０％となる粒
径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径値ｄ10%との差ｄ
90%−ｄ10%が１．５μｍ以下であることを特徴とする。
ｄHを０．３〜１．２μｍとし、かつｄ90%−ｄ10%が
１．５μｍ以下となるように、抵抗発熱体の構成粒子の
粒径を調整することで、高温で長時間使用した場合も抵
抗発熱体の劣化が起こりにくくくなり、ひいては長寿命
のセラミックヒータを実現できる。また、焼成によりセ
ラミックヒータを製造する場合に、抵抗発熱体の断線等
の欠陥やセラミックヒータ個体間での抵抗値ばらつき等
が生じにくくなる。
構成は、高融点金属を主体に構成された抵抗発熱体がセ
ラミック基体中に埋設されるとともに、抵抗発熱体の構
成粒子の平均粒径ｄHが０．３〜１．２μｍの範囲で調
整され、かつ抵抗発熱体の構成粒子が、その粒径分布に
おいて、小粒径側からの相対累積度数が９０％となる粒
径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径値ｄ10%との差ｄ
90%−ｄ10%が１．５μｍ以下であることを特徴とする。
ｄHを０．３〜１．２μｍとし、かつｄ90%−ｄ10%が
１．５μｍ以下となるように、抵抗発熱体の構成粒子の
粒径を調整することで、高温で長時間使用した場合も抵
抗発熱体の劣化が起こりにくくくなり、ひいては長寿命
のセラミックヒータを実現できる。また、焼成によりセ
ラミックヒータを製造する場合に、抵抗発熱体の断線等
の欠陥やセラミックヒータ個体間での抵抗値ばらつき等
が生じにくくなる。
【００１８】該構成においてもｄHが１．２μｍを超え
ると、高温使用を長時間継続した場合の抵抗発熱体の劣
化が生じたり、製造時に抵抗発熱体に断線や抵抗値ばら
つき等の欠陥が生じやすくなる場合がある。一方、ｄH
が０．３μｍ未満になると、高融点金属を主体とする抵
抗発熱体の原料粉末が酸化しやすくなり、製造時の粉末
の取り扱いが困難となることがある。ｄHはより望まし
くは０．４〜０．７μｍの範囲で調整するのがよい。ま
た、ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍを超えると、抵抗発熱体
の収縮が進行しにくくなり、マイグレーションも発生し
やすくなって抵抗発熱体の寿命が低下したり、あるいは
製造時の欠陥発生確率やセラミックヒータ個体間での抵
抗値のばらつきが大きくなる場合がある。ｄ90%−ｄ10%
は、望ましくは１．２μｍ以下、より望ましくは０．８
μｍ以下の範囲で調整するのがよい。
ると、高温使用を長時間継続した場合の抵抗発熱体の劣
化が生じたり、製造時に抵抗発熱体に断線や抵抗値ばら
つき等の欠陥が生じやすくなる場合がある。一方、ｄH
が０．３μｍ未満になると、高融点金属を主体とする抵
抗発熱体の原料粉末が酸化しやすくなり、製造時の粉末
の取り扱いが困難となることがある。ｄHはより望まし
くは０．４〜０．７μｍの範囲で調整するのがよい。ま
た、ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍを超えると、抵抗発熱体
の収縮が進行しにくくなり、マイグレーションも発生し
やすくなって抵抗発熱体の寿命が低下したり、あるいは
製造時の欠陥発生確率やセラミックヒータ個体間での抵
抗値のばらつきが大きくなる場合がある。ｄ90%−ｄ10%
は、望ましくは１．２μｍ以下、より望ましくは０．８
μｍ以下の範囲で調整するのがよい。
【００１９】なお、抵抗発熱体の構成材料には、Ｒｅ、
Ｐｔ、Ｒｈ等の他の高融点金属成分を１種又は２種以上
を所定の組成範囲（例えばＷ及びＭｏの総量に対し、２
５重量％以下）で配合して用いることもできる。これに
より、抵抗発熱体の高温耐食性を向上させることがで
き、ひいてはセラミックヒータの寿命を延ばすことがで
きる場合がある。例えば抵抗発熱体をＷを主体に構成す
る場合、Ｒｅ添加はその耐食性及び高温強度を向上させ
る効果が特に顕著である。ただし、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｒｈは
いずれも貴金属であり、その添加量を２５重量％を超え
て含有させることは、抵抗発熱体の製造コストの増大を
招き、かつ抵抗発熱体のそれ以上の性能向上が望めない
か、逆に低下させることもあるため望ましくない。
Ｐｔ、Ｒｈ等の他の高融点金属成分を１種又は２種以上
を所定の組成範囲（例えばＷ及びＭｏの総量に対し、２
５重量％以下）で配合して用いることもできる。これに
より、抵抗発熱体の高温耐食性を向上させることがで
き、ひいてはセラミックヒータの寿命を延ばすことがで
きる場合がある。例えば抵抗発熱体をＷを主体に構成す
る場合、Ｒｅ添加はその耐食性及び高温強度を向上させ
る効果が特に顕著である。ただし、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｒｈは
いずれも貴金属であり、その添加量を２５重量％を超え
て含有させることは、抵抗発熱体の製造コストの増大を
招き、かつ抵抗発熱体のそれ以上の性能向上が望めない
か、逆に低下させることもあるため望ましくない。
【００２０】次に、抵抗発熱体の構成材料には、セラミ
ック基体と主要構成成分が共通のセラミックを２５重量
％以下の範囲で含有させることができる。なお、「主要
構成成分が共通である」とは、最も含有量の多いセラミ
ック成分の種別が同一であることを意味する。これによ
り、抵抗発熱体とセラミック基体との線膨張係数の差を
縮めることができ、ひいては加熱・冷却を繰り返したと
きの抵抗発熱体の損傷や、製造時の抵抗値ばらつきを抑
制することができる。ただし、含有量が２５重量％を超
えると、抵抗発熱体の固有抵抗値が増大し、発熱効率の
低下等につながるので好ましくない。
ック基体と主要構成成分が共通のセラミックを２５重量
％以下の範囲で含有させることができる。なお、「主要
構成成分が共通である」とは、最も含有量の多いセラミ
ック成分の種別が同一であることを意味する。これによ
り、抵抗発熱体とセラミック基体との線膨張係数の差を
縮めることができ、ひいては加熱・冷却を繰り返したと
きの抵抗発熱体の損傷や、製造時の抵抗値ばらつきを抑
制することができる。ただし、含有量が２５重量％を超
えると、抵抗発熱体の固有抵抗値が増大し、発熱効率の
低下等につながるので好ましくない。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。図１は、本発明のセラミックヒ
ータの一実施例を示している。すなわち、該セラミック
ヒータ１は、円筒状のセラミック基体１１と、その半径
方向中間部において周方向面内に埋設された抵抗発熱体
１２とを有する。具体的には、セラミック基体１１は図
１（ｂ）に示すように、円筒状の芯体２とその外周面に
積層形態で巻き付けられた形でこれと一体化された２つ
のセラミック層１１ａ及び１１ｂとを有し、それらセラ
ミック層１１ａ，１１ｂの間に抵抗発熱体１２が配置さ
れている。
面を参照して説明する。図１は、本発明のセラミックヒ
ータの一実施例を示している。すなわち、該セラミック
ヒータ１は、円筒状のセラミック基体１１と、その半径
方向中間部において周方向面内に埋設された抵抗発熱体
１２とを有する。具体的には、セラミック基体１１は図
１（ｂ）に示すように、円筒状の芯体２とその外周面に
積層形態で巻き付けられた形でこれと一体化された２つ
のセラミック層１１ａ及び１１ｂとを有し、それらセラ
ミック層１１ａ，１１ｂの間に抵抗発熱体１２が配置さ
れている。
【００２２】抵抗発熱体１２は、図１（ａ）に示すよう
に、セラミック基体１１の軸線方向に沿って延びる複数
の本体部４が、それと交差する方向において互いにほぼ
等間隔で配置されるとともに、それらの互いに隣接する
もの同士が、両端部において接続部５により順次連結さ
れた、つづら折れ状の連続形態に形成されている。そし
て、その抵抗発熱体１２の後端側には、セラミック基体
１１の軸線方向に延びる電源接続用の３つのリード部１
２ａ〜１２ｃが一体化されており（１２ｂはかくれて見
えない）、各末端部にはやや広幅の端子部９ａ〜９ｃが
形成されている。
に、セラミック基体１１の軸線方向に沿って延びる複数
の本体部４が、それと交差する方向において互いにほぼ
等間隔で配置されるとともに、それらの互いに隣接する
もの同士が、両端部において接続部５により順次連結さ
れた、つづら折れ状の連続形態に形成されている。そし
て、その抵抗発熱体１２の後端側には、セラミック基体
１１の軸線方向に延びる電源接続用の３つのリード部１
２ａ〜１２ｃが一体化されており（１２ｂはかくれて見
えない）、各末端部にはやや広幅の端子部９ａ〜９ｃが
形成されている。
【００２３】上記セラミックヒータ１においては、抵抗
発熱体１２が高融点金属、例えばＷを主体に構成され
る。また、セラミック基体１１は、Ａｌ2Ｏ3を主体に構
成され、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ5等の１種又
は２種以上からなる焼結助剤成分が、合計で１５重量％
以下の範囲で含有される。そして、セラミック基体１１
の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体１２の構成粒
子の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下、望
ましくは０．７以下、より望ましくは０．６以下の範囲
で調整するのがよい。また、抵抗発熱体１２の構成粒子
の平均粒径ｄHは、０．３〜１．２μｍ、より望ましく
は０．４〜０．７μｍとされる。さらに、抵抗発熱体１
２の構成粒子は、その粒径分布において、小粒径側から
の相対累積度数が９０％となる粒径値ｄ90%と、同じく
１０％となる粒径値ｄ10%との差ｄ90%−ｄ10%が１．５
μｍ以下となるように調整される。
発熱体１２が高融点金属、例えばＷを主体に構成され
る。また、セラミック基体１１は、Ａｌ2Ｏ3を主体に構
成され、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ5等の１種又
は２種以上からなる焼結助剤成分が、合計で１５重量％
以下の範囲で含有される。そして、セラミック基体１１
の構成粒子の平均粒径をｄB、抵抗発熱体１２の構成粒
子の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．８以下、望
ましくは０．７以下、より望ましくは０．６以下の範囲
で調整するのがよい。また、抵抗発熱体１２の構成粒子
の平均粒径ｄHは、０．３〜１．２μｍ、より望ましく
は０．４〜０．７μｍとされる。さらに、抵抗発熱体１
２の構成粒子は、その粒径分布において、小粒径側から
の相対累積度数が９０％となる粒径値ｄ90%と、同じく
１０％となる粒径値ｄ10%との差ｄ90%−ｄ10%が１．５
μｍ以下となるように調整される。
【００２４】セラミックヒータ１は上述のように構成さ
れることで、高温で長時間使用した場合も抵抗発熱体１
２の劣化が起こりにくくなり、その寿命を延ばすことが
できる。また、焼成によりセラミックヒータ１を製造す
る場合に、抵抗発熱体１２に断線や抵抗値ばらつき等の
欠陥が生じにくくなる。
れることで、高温で長時間使用した場合も抵抗発熱体１
２の劣化が起こりにくくなり、その寿命を延ばすことが
できる。また、焼成によりセラミックヒータ１を製造す
る場合に、抵抗発熱体１２に断線や抵抗値ばらつき等の
欠陥が生じにくくなる。
【００２５】上記セラミックヒータ１は、例えば次のよ
うにして製造することができる。すなわち、図２に示す
ように、セラミックス粉末をバインダとともに板状に成
形した粉末成形体１００ｂの板面に、抵抗発熱体１２の
原料粉末を含有するペーストを用いて、抵抗発熱体のパ
ターン１２０（本体部４となるべき部分１０４、接続部
５となるべき部分１０５、リード部１２ａ〜１２ｃとな
るべき部分１１２ａ〜１１２ｃ、及び端子部９ａ〜９ｃ
となるべき部分１０９ａ〜１０９ｃを含む）を印刷し、
その部分１０９ａ〜１０９ｃに対し端子金具（図示せ
ず）を配置する。次に、粉末成形体１００ｂのパターン
１２０が形成された面に、同じく板状に形成された別の
粉末成形体１００ａを重ね合わせて積層体を作製する。
これを芯体２となるべき筒状成形体１０２の外周に巻付
け、所定の焼成炉内で焼成することにより、成形体１０
０ａ，１００ｂ，１０２が一体化してセラミック基体１
１となり、印刷されたパターン１２０は抵抗発熱体１
２、リード部１２ａ〜１２ｃ及び端子部９ａ〜９ｃとな
る。
うにして製造することができる。すなわち、図２に示す
ように、セラミックス粉末をバインダとともに板状に成
形した粉末成形体１００ｂの板面に、抵抗発熱体１２の
原料粉末を含有するペーストを用いて、抵抗発熱体のパ
ターン１２０（本体部４となるべき部分１０４、接続部
５となるべき部分１０５、リード部１２ａ〜１２ｃとな
るべき部分１１２ａ〜１１２ｃ、及び端子部９ａ〜９ｃ
となるべき部分１０９ａ〜１０９ｃを含む）を印刷し、
その部分１０９ａ〜１０９ｃに対し端子金具（図示せ
ず）を配置する。次に、粉末成形体１００ｂのパターン
１２０が形成された面に、同じく板状に形成された別の
粉末成形体１００ａを重ね合わせて積層体を作製する。
これを芯体２となるべき筒状成形体１０２の外周に巻付
け、所定の焼成炉内で焼成することにより、成形体１０
０ａ，１００ｂ，１０２が一体化してセラミック基体１
１となり、印刷されたパターン１２０は抵抗発熱体１
２、リード部１２ａ〜１２ｃ及び端子部９ａ〜９ｃとな
る。
【００２６】なお、セラミックヒータ１は、次のように
製造してもよい。すなわち、図３（ｂ）に示すように、
粉末成形体１００の板面に、抵抗発熱体のパターン１２
０を印刷形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、別
途形成された円筒状の筒状成形体１０２の外周面に対し
粉末成形体１００を、パターン１２０が形成された面が
内側となるように巻き付けて、同図（ｄ）に示すような
筒状の成形体１０３を作製する。そして、これを焼成す
ることにより、図３（ａ）に示すセラミックヒータ１を
得る。
製造してもよい。すなわち、図３（ｂ）に示すように、
粉末成形体１００の板面に、抵抗発熱体のパターン１２
０を印刷形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、別
途形成された円筒状の筒状成形体１０２の外周面に対し
粉末成形体１００を、パターン１２０が形成された面が
内側となるように巻き付けて、同図（ｄ）に示すような
筒状の成形体１０３を作製する。そして、これを焼成す
ることにより、図３（ａ）に示すセラミックヒータ１を
得る。
【００２７】また、図４は、セラミックヒータ１を板状
に形成した例を示している。すなわち、該セラミックヒ
ータ１は、四角形（例えば長方形）板状に形成されたセ
ラミック基体（以下、単に基体という）１１と、その厚
さ方向中間部に埋設された抵抗発熱体１２とを備える。
なお、図１のセラミックヒータ１と共通の部分には、同
一の符号を付して説明を省略している。また、８は端子
金具である。
に形成した例を示している。すなわち、該セラミックヒ
ータ１は、四角形（例えば長方形）板状に形成されたセ
ラミック基体（以下、単に基体という）１１と、その厚
さ方向中間部に埋設された抵抗発熱体１２とを備える。
なお、図１のセラミックヒータ１と共通の部分には、同
一の符号を付して説明を省略している。また、８は端子
金具である。
【００２８】
【実施例】図１に示すセラミックヒータ１を、下記の方
法により各種作製した。図２の粉末成形体１００ａ，１
００ｂは次のように作製した。まず、Ａｌ2Ｏ3粉末（平
均粒径１．０μｍ又は１．８μｍ）と、焼結助剤成分と
してＳｉＯ2（平均粒径１．４μｍ）、ＣａＣＯ3（平均
粒径３．２μｍ：焼成によりＣａＯとなる）、ＭｇＣＯ
3（平均粒径４．１μｍ：焼成によりＭｇＯとなる）、
及びＹ2Ｏ3とを所定量配合した。なお、配合量は焼成後
のセラミック基体中のＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＹ2
Ｏ3の合計含有量が４〜１５重量％となるように調整し
た。この混合粉末に対し所定の溶媒とバインダとを加え
てボールミルで混合し、スラリー状とした。そして、こ
のスラリー状物を減圧脱泡し、ドクターブレード法によ
り厚さ０．３ｍｍの粉末成形体１００ａ，１００ｂとし
た。
法により各種作製した。図２の粉末成形体１００ａ，１
００ｂは次のように作製した。まず、Ａｌ2Ｏ3粉末（平
均粒径１．０μｍ又は１．８μｍ）と、焼結助剤成分と
してＳｉＯ2（平均粒径１．４μｍ）、ＣａＣＯ3（平均
粒径３．２μｍ：焼成によりＣａＯとなる）、ＭｇＣＯ
3（平均粒径４．１μｍ：焼成によりＭｇＯとなる）、
及びＹ2Ｏ3とを所定量配合した。なお、配合量は焼成後
のセラミック基体中のＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＹ2
Ｏ3の合計含有量が４〜１５重量％となるように調整し
た。この混合粉末に対し所定の溶媒とバインダとを加え
てボールミルで混合し、スラリー状とした。そして、こ
のスラリー状物を減圧脱泡し、ドクターブレード法によ
り厚さ０．３ｍｍの粉末成形体１００ａ，１００ｂとし
た。
【００２９】次に、抵抗発熱体のパターン１２０を印刷
形成するためのインクは次のようにして調製した。ま
ず、各種粒度分布を有するＷ粉末に、必要に応じてＲｅ
粉末（平均粒径１．５μｍ）又はＡｌ2Ｏ3粉末（平均粒
径１．５μｍ）を所定量配合し、その配合物に対し所定
量の溶媒とバインダとを添加し、さらにボールミルで混
合してスラリー状とした。その後、アセトンを蒸発させ
ることによりペースト状のインクを得た。
形成するためのインクは次のようにして調製した。ま
ず、各種粒度分布を有するＷ粉末に、必要に応じてＲｅ
粉末（平均粒径１．５μｍ）又はＡｌ2Ｏ3粉末（平均粒
径１．５μｍ）を所定量配合し、その配合物に対し所定
量の溶媒とバインダとを添加し、さらにボールミルで混
合してスラリー状とした。その後、アセトンを蒸発させ
ることによりペースト状のインクを得た。
【００３０】そして、図２に示すように、粉末成形体１
００ｂ表面に上記インクを用いて、厚さ２５ｍｍのパタ
ーン１２０をスクリーン印刷し、さらに図示しない端子
金具を配置して粉末成形体１００ａを重ね、その積層体
を別途作製した筒状成形体１０２の周囲に巻き付けて未
焼成組立体を作製した。そして、これを２５０℃で脱バ
インダ処理後、水素含有雰囲気中で１５５０℃で１．５
ｈｒ焼成することにより、図１に示すセラミックヒータ
１の試験品を各種作製した（なお、試験品の作製数は、
１品種に付き２００個とした）。セラミックヒータ１の
寸法は、外径２．６ｍｍφ、長さ６０ｍｍ、抵抗発熱体
１２の寸法は、本体部１４の幅が０．３ｍｍ、該本体部
１４の長さが２０ｍｍに調整されている。
００ｂ表面に上記インクを用いて、厚さ２５ｍｍのパタ
ーン１２０をスクリーン印刷し、さらに図示しない端子
金具を配置して粉末成形体１００ａを重ね、その積層体
を別途作製した筒状成形体１０２の周囲に巻き付けて未
焼成組立体を作製した。そして、これを２５０℃で脱バ
インダ処理後、水素含有雰囲気中で１５５０℃で１．５
ｈｒ焼成することにより、図１に示すセラミックヒータ
１の試験品を各種作製した（なお、試験品の作製数は、
１品種に付き２００個とした）。セラミックヒータ１の
寸法は、外径２．６ｍｍφ、長さ６０ｍｍ、抵抗発熱体
１２の寸法は、本体部１４の幅が０．３ｍｍ、該本体部
１４の長さが２０ｍｍに調整されている。
【００３１】これらセラミックヒータ１は、その一部の
ものを切断して表面研磨し、その切断面を走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）により観察した。そして、そのＳＥＭ画
像から、抵抗発熱体１２の構成粒子の粒径分布とメジア
ン（ｄ50%：小粒径側からの相対累積度数が５０％とな
る粒径。平均粒径ｄHと概ね等しくなる）、及びセラミ
ック基体１１の構成粒子の平均粒径ｄBを測定した。な
お、抵抗発熱体１２とセラミック基体１１の断面の各Ｓ
ＥＭ画像を解析装置に取り込み、該装置中にてその断面
に表れた各粒子の面積Ｓを測定するとともに、各粒子の
径ｄを２×（Ｓ／π）1/2（すなわち、同面積を有する
円の直径）により求めている。一方、各セラミックヒー
タ１には、通電電圧２４Ｖにて１００ｈｒまで通電を行
ない、断線等により破損したものの発生比率と、ヒータ
抵抗値の標準偏差とをそれぞれ求めた。以上の結果を表
１に示す。
ものを切断して表面研磨し、その切断面を走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）により観察した。そして、そのＳＥＭ画
像から、抵抗発熱体１２の構成粒子の粒径分布とメジア
ン（ｄ50%：小粒径側からの相対累積度数が５０％とな
る粒径。平均粒径ｄHと概ね等しくなる）、及びセラミ
ック基体１１の構成粒子の平均粒径ｄBを測定した。な
お、抵抗発熱体１２とセラミック基体１１の断面の各Ｓ
ＥＭ画像を解析装置に取り込み、該装置中にてその断面
に表れた各粒子の面積Ｓを測定するとともに、各粒子の
径ｄを２×（Ｓ／π）1/2（すなわち、同面積を有する
円の直径）により求めている。一方、各セラミックヒー
タ１には、通電電圧２４Ｖにて１００ｈｒまで通電を行
ない、断線等により破損したものの発生比率と、ヒータ
抵抗値の標準偏差とをそれぞれ求めた。以上の結果を表
１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】以上の結果より、ｄH／ｄB が０．８以下
のものについては、ｄH／ｄB が０．８を超えるものに
比べて抵抗発熱体１２の破損率が低く、またその抵抗値
のばらつき（標準偏差）も小さいことがわかる。すなわ
ち、ｄH／ｄB を０．８以下とすることで、高温で長時
間使用した場合も抵抗発熱体１２が劣化しにくく、ま
た、焼成による製造時に抵抗発熱体に断線や抵抗値ばら
つき等も生じにくい。
のものについては、ｄH／ｄB が０．８を超えるものに
比べて抵抗発熱体１２の破損率が低く、またその抵抗値
のばらつき（標準偏差）も小さいことがわかる。すなわ
ち、ｄH／ｄB を０．８以下とすることで、高温で長時
間使用した場合も抵抗発熱体１２が劣化しにくく、ま
た、焼成による製造時に抵抗発熱体に断線や抵抗値ばら
つき等も生じにくい。
【００３４】また、抵抗発熱体１２の構成粒子の平均粒
径ｄHが０．３〜１．２μｍの範囲のものは、該範囲か
ら外れるものに比べて抵抗発熱体１２の破損率が低く、
また、抵抗発熱体１２の抵抗値のばらつきも小さいこと
がわかる。さらに、抵抗発熱体１２の構成粒子の粒径分
布をｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下となるように調整し
たものは、ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍを超えるものより
も抵抗発熱体１２の破損率が低く、また、抵抗発熱体１
２の抵抗値のばらつきが小さいことがわかる。
径ｄHが０．３〜１．２μｍの範囲のものは、該範囲か
ら外れるものに比べて抵抗発熱体１２の破損率が低く、
また、抵抗発熱体１２の抵抗値のばらつきも小さいこと
がわかる。さらに、抵抗発熱体１２の構成粒子の粒径分
布をｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下となるように調整し
たものは、ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍを超えるものより
も抵抗発熱体１２の破損率が低く、また、抵抗発熱体１
２の抵抗値のばらつきが小さいことがわかる。
【図１】本発明のセラミックヒータの一実施例を示す部
分切欠き斜視図及びそのＡ−Ａ断面図。
分切欠き斜視図及びそのＡ−Ａ断面図。
【図２】図１のセラミックヒータの製造方法の一例を示
す分解斜視図。
す分解斜視図。
【図３】本発明のセラミックヒータの変形例をその製造
工程とともに示す説明図。
工程とともに示す説明図。
【図４】本発明のセラミックヒータの別の変形例を、そ
のＢ−Ｂ断面とともに示す模式図。
のＢ−Ｂ断面とともに示す模式図。
１ セラミックヒータ １１ セラミック基体 １２ 抵抗発熱体
Claims (6)
- 【請求項１】 高融点金属を主体に構成された抵抗発熱
体がセラミック基体中に埋設されるとともに、前記セラ
ミック基体の構成粒子の平均粒径をｄB、前記抵抗発熱
体の構成粒子の平均粒径をｄHとして、ｄH／ｄB が０．
８以下の範囲で調整されたことを特徴とするセラミック
ヒータ。 - 【請求項２】 前記抵抗発熱体の構成粒子の平均粒径ｄ
Hが０．３〜１．２μｍの範囲で調整されている請求項
１記載のセラミックヒータ。 - 【請求項３】 前記抵抗発熱体の構成粒子は、その粒径
分布において、小粒径側からの相対累積度数が９０％と
なる粒径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径値ｄ10%と
の差ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下である請求項１又は
２に記載のセラミックヒータ。 - 【請求項４】 高融点金属を主体に構成された抵抗発熱
体がセラミック基体中に埋設されるとともに、前記抵抗
発熱体の構成粒子の平均粒径ｄHが０．３〜１．２μｍ
の範囲で調整され、かつ前記抵抗発熱体の構成粒子は、
その粒径分布において、小粒径側からの相対累積度数が
９０％となる粒径値ｄ90%と、同じく１０％となる粒径
値ｄ10%との差ｄ90%−ｄ10%が１．５μｍ以下であるこ
とを特徴とするセラミックヒータ。 - 【請求項５】 前記抵抗発熱体の構成材料がＲｅを２５
重量％以下の範囲で含有する請求項１ないし４のいずれ
かに記載のセラミックヒータ。 - 【請求項６】 前記抵抗発熱体の構成材料は、前記セラ
ミック基体と主要構成成分が共通のセラミックを２５重
量％以下の範囲で含有する請求項１ないし５のいずれか
に記載のセラミックヒータ。
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| EP05001327.5A EP1524882A3 (en) | 1997-10-28 | 1998-10-27 | Ceramic heater |
| DE69831844T DE69831844T2 (de) | 1997-10-28 | 1998-10-27 | Keramisches Heizelement |
| EP98308784A EP0914021B1 (en) | 1997-10-28 | 1998-10-27 | Ceramic heater |
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| US9491804B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Kyocera Corporation | Heater and glow plug including the same |
| JP2016536197A (ja) * | 2013-11-07 | 2016-11-24 | ヴァレオ システム テルミク | 自動車両用の電気的な流体温度調節装置及び対応する加熱及び／又は空調設備 |
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| JP4028149B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2007-12-26 | 日本碍子株式会社 | 加熱装置 |
| JP3921327B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2007-05-30 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ及びその製造方法 |
| US7106167B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-12 | Heetronix | Stable high temperature sensor system with tungsten on AlN |
| US7982166B2 (en) * | 2003-12-24 | 2011-07-19 | Kyocera Corporation | Ceramic heater and method for manufacturing the same |
| JP4476701B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-06-09 | 日本碍子株式会社 | 電極内蔵焼結体の製造方法 |
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| JP4826461B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2011-11-30 | 株式会社デンソー | セラミックヒータ及びこれを用いたガスセンサ素子 |
| DE102010000042A1 (de) | 2010-01-11 | 2011-07-14 | HE System Electronic GmbH & Co. KG, 90587 | Elektrisches Heizungselement und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
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| JP2013134880A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Valeo Japan Co Ltd | セラミックヒータ及びそれを用いた電気発熱式温水加熱装置 |
| CN104396342B (zh) * | 2012-06-29 | 2016-02-24 | 京瓷株式会社 | 加热器及具备该加热器的电热塞 |
| GB2515992A (en) | 2013-03-22 | 2015-01-14 | British American Tobacco Co | Heating smokeable material |
| CN106105384B (zh) * | 2014-04-25 | 2019-08-02 | 京瓷株式会社 | 加热器以及点火装置 |
| DE102014218638A1 (de) * | 2014-09-17 | 2016-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellen eines Bauteils mit einem Keramikpulverkörper |
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| GB201700136D0 (en) | 2017-01-05 | 2017-02-22 | British American Tobacco Investments Ltd | Aerosol generating device and article |
| GB201700620D0 (en) | 2017-01-13 | 2017-03-01 | British American Tobacco Investments Ltd | Aerosol generating device and article |
| KR102207442B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2021-01-26 | 교세라 가부시키가이샤 | 히터 |
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| GB201720338D0 (en) | 2017-12-06 | 2018-01-17 | British American Tobacco Investments Ltd | Component for an aerosol-generating apparatus |
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| WO2019191272A1 (en) | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Scp Holdings, Llc. | Hot surface igniters for cooktops |
| CN209090060U (zh) * | 2018-09-21 | 2019-07-12 | 深圳市博迪科技开发有限公司 | 一种陶瓷发热体及电子烟 |
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1998
- 1998-10-22 US US09/177,648 patent/US6084220A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-27 EP EP05001327.5A patent/EP1524882A3/en not_active Withdrawn
- 1998-10-27 EP EP98308784A patent/EP0914021B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-27 DE DE69831844T patent/DE69831844T2/de not_active Expired - Lifetime
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